JP2872128B2 - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に製造工程中での静電気による破壊を防止する液
晶表示装置及びその製造方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device for preventing destruction due to static electricity during a manufacturing process and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】TFT液晶表示装置は図3に示すよう
に、TFT基板1と対向基板8とで構成されている。T
FT基板1と対向基板8の表面には液晶を配向させる配
向膜が形成され、周辺部には両基板を貼り合わせまたそ
の内部に液晶10を封入するためのシール剤9が形成さ
れている。両基板は間に挟んだスペーサにより5〜6μ
m間隔に保たれており、その間には液晶10が充填され
ている。Agペースト7により形成されたトランスファ
はTFT基板1に供給された電圧を対向基板8に伝える
ためのものである。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 3, a TFT liquid crystal display device comprises a TFT substrate 1 and a counter substrate 8. T
An alignment film for aligning liquid crystal is formed on the surfaces of the FT substrate 1 and the counter substrate 8, and a sealant 9 for bonding the two substrates together and enclosing the liquid crystal 10 therein is formed in the peripheral portion. Both substrates are 5-6μ by the spacer between them
Liquid crystal 10 is filled at intervals of m. The transfer formed by the Ag paste 7 is for transmitting the voltage supplied to the TFT substrate 1 to the opposing substrate 8.

【0003】次にパネルの製造工程について述べる。T
FT・対向各基板はまず洗浄され、次に0.05〜0.
1μm厚の配向膜(ポリイミド)がフレキソ印刷により
形成される。この配向膜を焼成後、バフロールによりラ
ビングを行い液晶の配向力を付与する。ラビングで基板
表面にゴミが付着するため洗浄した後、TFT基板にシ
ール剤9のパターンがスクリーン印刷により形成され
る。次にトランスファがAgペースト7をディスペンサ
印刷してコーナー部のトランスファ電極3上に形成され
る。対向基板8上にはTFT・対向基板間隔を一定に保
つための5〜6μmのスペーサが散布される。
Next, a description will be given of a panel manufacturing process. T
The FT / opposite substrates are first cleaned, then 0.05-0.
An alignment film (polyimide) having a thickness of 1 μm is formed by flexographic printing. After firing this alignment film, rubbing is performed with a buff roll to give an alignment force of the liquid crystal. After cleaning by rubbing because dust adheres to the substrate surface, a pattern of the sealant 9 is formed on the TFT substrate by screen printing. Next, the transfer is formed by dispenser printing of the Ag paste 7 on the transfer electrode 3 at the corner. On the opposing substrate 8, spacers of 5 to 6 μm are scattered to keep the distance between the TFT and the opposing substrate constant.

【0004】シール剤9,Agペースト7が印刷された
TFT基板1とスペーサ散布した対向基板8は重ね合わ
せた後、加圧状態で加熱し固定される。固定されたTF
T・対向基板は1枚のパネルに切断分離される。その後
TFT・対向基板間に液晶10を真空注入し、注入孔は
UV硬化樹脂により塞ぐ。最後に、この両側に偏光板を
貼り付けるとパネルが完成する。
[0004] The TFT substrate 1 on which the sealing agent 9 and the Ag paste 7 are printed and the opposing substrate 8 on which the spacers are scattered are superposed and then heated and fixed in a pressurized state. Fixed TF
The counter substrate is cut and separated into one panel. Thereafter, the liquid crystal 10 is vacuum-injected between the TFT and the counter substrate, and the injection hole is closed with a UV curable resin. Finally, a polarizing plate is attached to both sides to complete the panel.

【0005】さてシール剤をスクリーン印刷後、印刷ス
テージより剥離する際にTFT基板は帯電する。またシ
ール印刷からトランスファ印刷まで搬送する間でも搬送
系との接触により帯電する。この為ディスペンサ印刷に
よってトランスファ用のAgペースト7を形成する際、
TFT基板1とディスペンサ6との間で放電を生じる。
After the sealing agent is screen-printed, the TFT substrate is charged when the sealing agent is peeled off from the printing stage. In addition, even during the transfer from the seal printing to the transfer printing, the toner is charged by contact with the transfer system. Therefore, when forming Ag paste 7 for transfer by dispenser printing,
Discharge occurs between the TFT substrate 1 and the dispenser 6.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このように従来のTF
T液晶表示装置の製造工程における第1の問題点は、ト
ランスファ用のAgペーストを塗布する際、TFT基板
の内部素子が破壊されることである。また、第2の問題
点は液晶表示素子が汚染されることである。その理由は
基板は前工程からの搬送により帯電しているので、Ag
ペーストを塗布する際ディスペンサの先端とトランスフ
ァ電極との間で放電が発生する。放電に伴い、Agペー
スト、トランスファ電極の構成材料、ディスペンサ構成
材料が周囲に飛び散るためである同時にTFT基板の内
部素子が静電破壊される。
As described above, the conventional TF
A first problem in the manufacturing process of the T liquid crystal display device is that the internal elements of the TFT substrate are destroyed when applying a transfer Ag paste. The second problem is that the liquid crystal display element is contaminated. The reason is that the substrate is charged by transport from the previous process,
When applying the paste, a discharge occurs between the tip of the dispenser and the transfer electrode. The discharge causes the Ag paste, the constituent material of the transfer electrode, and the constituent material of the dispenser to scatter around, and at the same time, the internal elements of the TFT substrate are electrostatically damaged.

【0007】本発明の目的は、TFT基板内での静電気
の放電による汚染や静電破壊にともなう表示不良を減少
させ生産性を向上し得る液晶表示装置を提供することで
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of reducing display defects due to contamination and electrostatic destruction due to electrostatic discharge in a TFT substrate and improving productivity.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のTFT液晶表示
装置は、トランスファ電極と抵抗(図2の5)を介し接
続された放電用電極(図1の4)を、内部素子より出来
るだけ離れたところに設ておく。トランスファ電極にA
gペーストを塗布する前に放電用電極にAgペーストを
塗布し、基板上の電荷を全てグランドに落とす。その後
トランスァ電極にAgペーストを塗布する。
According to the TFT liquid crystal display device of the present invention, a discharge electrode (4 in FIG. 1) connected via a transfer electrode and a resistor (5 in FIG. 2) is separated from an internal element as much as possible. Place it where you want. A for transfer electrode
Before applying the g paste, an Ag paste is applied to the discharge electrode, and all the electric charges on the substrate are dropped to the ground. Thereafter, an Ag paste is applied to the transfer electrode.

【0009】放電用電極にAgペーストを塗布する際、
基板上の静電気は放電によりすべてグランドに落ちる。
この際放電用電極とトランスファ電極は抵抗を介して接
続されている為TFT基板の内部素子が破壊されること
はない。また、放電の際Agペースト、トランスファ電
極の構成材料、ディスペンサの構成材料が周囲に飛び散
るが、放電用電極と内部素子は充分離れているため、汚
染されない。
When applying the Ag paste to the discharge electrode,
All static electricity on the substrate drops to ground due to discharge.
At this time, since the discharge electrode and the transfer electrode are connected via a resistor, the internal elements of the TFT substrate are not destroyed. Further, at the time of discharging, the Ag paste, the constituent material of the transfer electrode, and the constituent material of the dispenser scatter around, but are not contaminated because the discharge electrode and the internal element are sufficiently separated.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明について図面を参照して詳
細に説明する。図1(a),(b)は本発明の第1の実
施の形態の構造を示す断面図及び平面図である。これに
示すようにTFT基板1上に内部素子2、トランスファ
電極3、放電用電極4、抵抗5が形成されている。ここ
でトランスァ電極3と放電用電極4は抵抗5を介して電
気的に接続されている。トランスファ電極3,放電用電
極4,抵抗5はTFT製造時にCr・AlなどのTFT
の配線材により形成される。抵抗5の部分は抵抗が増す
ように厚さを薄くしている。また放電用電極4は内部素
子2から出来るだけ離れたTFT基板1の端に形成され
ている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1A and 1B are a cross-sectional view and a plan view showing a structure according to a first embodiment of the present invention. As shown, an internal element 2, a transfer electrode 3, a discharge electrode 4, and a resistor 5 are formed on a TFT substrate 1. Here, the transfer electrode 3 and the discharge electrode 4 are electrically connected via a resistor 5. The transfer electrode 3, discharge electrode 4, and resistor 5 are made of a TFT made of Cr
Of the wiring material. The thickness of the resistor 5 is reduced to increase the resistance. The discharge electrode 4 is formed at an end of the TFT substrate 1 as far away from the internal element 2 as possible.

【0011】つぎに第1の実施の形態の製造方法につい
て述べる。TFT基板1上のトランスファ電極3と放電
用電極4とを接続する抵抗5は、TFT素子の走査線又
は信号線を形成するフォトリソグラフ工程において、走
査線又は信号線と同時に形成した配線をハーフエッチン
グすることにより厚さを薄くして形成される。
Next, the manufacturing method according to the first embodiment will be described. The resistor 5 connecting the transfer electrode 3 and the discharge electrode 4 on the TFT substrate 1 is formed by half-etching the wiring formed simultaneously with the scanning line or the signal line in the photolithography step of forming the scanning line or the signal line of the TFT element. By doing so, the thickness is reduced.

【0012】トランスファ電極3には、TFT基板1と
対向基板8とを電気的に接続するためのトランスファ用
のAgペースト7をディスペンサ6により塗布するが、
本発明ではあらかじめ放電用電極4に塗布した後トラン
スファ電極3に塗布する。
The transfer electrode 3 is coated with a transfer Ag paste 7 for electrically connecting the TFT substrate 1 and the opposing substrate 8 with a dispenser 6.
In the present invention, it is applied to the transfer electrode 3 after being applied to the discharge electrode 4 in advance.

【0013】次に、本発明の第1の実施の形態の動作に
ついて、図1(a),(b)を参照して詳細に説明す
る。TFT基板1は前工程からの搬送により帯電してい
る。ディスペンサ6で放電用電極4にトランスファ用の
Agペーストを塗布する際、TFT基板1上の電荷はト
ランスファ電極3から抵抗5を経由し、放電用電極4か
らディスペンサ6へ放電し、ディスペンサ6からグラン
ドへ逃げていく。続いてトランスファ電極3にトランス
ファ用のAgペースト7を塗布するが、このときはTF
T基板1上に電荷は残っていないため、ディスペンサ6
とトランスファ電極3との間で放電は発生しない。
Next, the operation of the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 (a) and 1 (b). The TFT substrate 1 is charged by transport from the previous process. When a transfer paste is applied to the discharge electrode 4 by the dispenser 6, the electric charge on the TFT substrate 1 is discharged from the transfer electrode 3 via the resistor 5, the discharge electrode 4 is discharged to the dispenser 6, and the dispenser 6 is grounded. Run away to Subsequently, an Ag paste 7 for transfer is applied to the transfer electrode 3;
Since no charge remains on the T substrate 1, the dispenser 6
No discharge occurs between the transfer electrode 3 and the transfer electrode 3.

【0014】次に抵抗5の作成方法について述べる。T
FT素子の作製の時トランスファ電極3と放電用電極4
をつないだパターンで形成する。つぎに両電極間をハー
フエッチングすることにより厚さを薄くして抵抗5を形
成する。抵抗5のパターンは、トランスファ電極や放電
用電極と同じ材料(配線材)で形成する。
Next, a method of forming the resistor 5 will be described. T
Transfer electrode 3 and discharge electrode 4 when manufacturing FT element
Are formed in a pattern connecting. Next, the resistance 5 is formed by reducing the thickness by half-etching between the two electrodes. The pattern of the resistor 5 is formed of the same material (wiring material) as the transfer electrode and the discharge electrode.

【0015】次に本発明の第2の実施の形態について図
面を参照して詳細に説明する。図2(a),(b)は本
発明の第2の実施の形態の構造を示す断面図及び平面図
である。この図2に示すように、この実施の形態ではト
ランスファ電極3、放電用電極4、抵抗がTFTの抵抗
(配線材)5と透明電極材(ITO)13の2層構造と
なっている。抵抗の部分は、ハーフエッチングすること
によって薄くしている。第2の実施の形態の動作は第1
の実施の形態の動作の同じである。この実施の形態で
は、トランスファ電極,放電用電極,抵抗を配線材で形
成する際に、異物等により断線を生じても、次の透明電
極材により断線が修正されるという利点がある。
Next, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIGS. 2A and 2B are a cross-sectional view and a plan view showing a structure according to a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, this embodiment has a two-layer structure including a transfer electrode 3, a discharge electrode 4, and a resistance (wiring material) 5 of a TFT and a transparent electrode material (ITO) 13 as a resistance. The resistance portion is thinned by half-etching. The operation of the second embodiment is the first operation.
The operation is the same as that of the embodiment. In this embodiment, when the transfer electrode, the discharge electrode, and the resistor are formed of a wiring material, even if a disconnection occurs due to a foreign substance or the like, there is an advantage that the disconnection is corrected by the next transparent electrode material.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第1の効
果は、TFT基板の内部素子が静電破壊されないという
ことである。これによりパネル組立工程における静電破
壊不良の発生が減少する。その理由は、TFT基板上の
電荷は放電用電極にAgペーストを塗布する際すべて放
電によりグランドに逃げてしまい、トランスファ電極に
Agペースト7を塗布する際、放電は発生しないので内
部素子は破壊されないからである。なお、放電用電極に
Agペーストを塗布する際には放電が発生するが、内部
素子と放電用電極は抵抗を介し接続されているため電圧
が減圧され素子は破壊されない。
As described above, the first effect of the present invention is that the internal elements of the TFT substrate are not electrostatically damaged. This reduces the occurrence of electrostatic breakdown failure in the panel assembly process. The reason is that all the charges on the TFT substrate escape to the ground due to the discharge when the Ag paste is applied to the discharge electrode, and no discharge occurs when the Ag paste 7 is applied to the transfer electrode, so that the internal elements are not destroyed. Because. When the Ag paste is applied to the discharge electrode, a discharge occurs. However, since the internal element and the discharge electrode are connected via a resistor, the voltage is reduced and the element is not broken.

【0017】第2の効果は放電に伴う内部素子の汚染が
無くなるということである。これによりパネル組立工程
における汚染起因の不良発生が減少する。その理由は、
トランスファ電極と内部素子の間隔はパネルサイズの制
約から2〜4mm程度であり、従来技術では放電に伴い
Agペースト、トランスァ電極、ディペンサの破片が内
部素子まで飛び散り不良の原因となっていた。本発明で
は内部素子と放電用電極の間隔は30mm以上取れるの
で、放電に伴う破片が内部素子にまで飛び散ることはな
い。従って汚染起因の不良発生もない。
The second effect is that contamination of the internal elements due to the discharge is eliminated. This reduces the occurrence of defects due to contamination in the panel assembly process. The reason is,
The distance between the transfer electrode and the internal element is about 2 to 4 mm due to the limitation of the panel size. In the related art, the Ag paste, the transfer electrode, and the debris of the depenser are scattered to the internal element due to the discharge, which causes a failure. In the present invention, since the distance between the internal element and the discharge electrode is 30 mm or more, debris due to discharge does not scatter to the internal element. Therefore, there is no occurrence of defects due to contamination.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a),(b)は本発明の第1の実施の形態の
断面図と平面図である。
FIGS. 1A and 1B are a cross-sectional view and a plan view of a first embodiment of the present invention.

【図2】(a),(b)は本発明の第2の実施の形態の
断面図と平面図である。
FIGS. 2A and 2B are a sectional view and a plan view of a second embodiment of the present invention.

【図3】(a)〜(c)は従来技術の平面図と断面図で
ある。
FIGS. 3A to 3C are a plan view and a cross-sectional view of a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 TFT基板 2 内部素子 3 トランスファ電極 4 放電用電極 5 抵抗 6 ディスペンサ 7 Agペースト 8 対向基板 9 シール剤 10 液晶 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 TFT substrate 2 Internal element 3 Transfer electrode 4 Discharge electrode 5 Resistance 6 Dispenser 7 Ag paste 8 Counter substrate 9 Sealant 10 Liquid crystal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/136 G02F 1/1343 G02F 1/1345 G02F 1/13 101 G09F 9/30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G02F 1/136 G02F 1/1343 G02F 1/1345 G02F 1/13 101 G09F 9/30

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 マトリックス状に配設された画素電極と
前記画素電極への信号供給を制御するTFT(=薄膜ト
ランジスタ)との配線が形成されたTFT基板と、対向
電極が形成された対向基板と、前記両基板を対向配置し
周囲をシールして間隙に封入された液晶とを含み、前記
TFT基板と対向基板の双方に形成されたトランスファ
電極間を導電材料で電気的に接続する手段を有する液晶
表示装置において、前記TFT基板上のトランスファ電
極と抵抗膜を介して電気的に接続された放電用電極を有
し、前記放電用電極は製造工程においてTFT基板に蓄
積した電荷をディスペンサを介して放電させるのに用い
ことを特徴とする液晶表示装置。
1. A TFT substrate on which wiring of a pixel electrode arranged in a matrix and a TFT (= thin film transistor) for controlling signal supply to the pixel electrode is formed, and a counter substrate on which a counter electrode is formed. And a means for electrically connecting transfer electrodes formed on both the TFT substrate and the counter substrate with a conductive material, the liquid crystal being sealed with a gap between the two substrates by opposing the substrates. The liquid crystal display device has a discharge electrode electrically connected to a transfer electrode on the TFT substrate via a resistive film, and the discharge electrode is stored on the TFT substrate in a manufacturing process.
Used to discharge the accumulated charge through a dispenser
The liquid crystal display device, characterized in that that.
【請求項2】 トランスファ電極と放電用電極とを接続
する抵抗膜がTFT素子の走査線又は信号線を形成する
フォトリソグラフ工程において走査線又は信号線と同時
に形成した配線をハーフエッチングすることにより形成
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. A resistive film connecting a transfer electrode and a discharge electrode is formed by half-etching a wiring formed at the same time as a scanning line or a signal line in a photolithographic step of forming a scanning line or a signal line of a TFT element. A method of manufacturing a liquid crystal display device.
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