JP2866705B2 - Ion implanter - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、イオン源からイオン引出し系、質量分析管
を含むビームトランスポート系を介して大電流イオンビ
ームを基板に注入するイオン注入装置に関するものであ
る。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an ion implantation apparatus for implanting a large current ion beam into a substrate from an ion source via a beam transport system including an ion extraction system and a mass spectrometer. Things.
［従来の技術］ 従来の低エネルギ大電流イオン注入装置は、第３図に
示すように、イオン源Ａと、引出し電極系Ｂと、質量分
析管Ｃと、集束アパーチャＤとで構成されており、イオ
ン源Ａは接地電位に対して打ち込みエネルギによって決
まる電圧Va（例えば5keVで注入うしようとする際には5k
V）に保たれ、引出し電極系Ｂの最終電極より後方に位
置する質量分析管Ｃ及び集束アパーチャＤを含む全ビー
ムトランスポート系は図示したように接地電位に保たれ
る。[Prior Art] A conventional low-energy, high-current ion implantation apparatus is composed of an ion source A, an extraction electrode system B, a mass spectrometer tube C, and a focusing aperture D, as shown in FIG. , The ion source A applies a voltage Va determined by the implantation energy with respect to the ground potential (for example, 5 kV when implanting at 5 keV).
V), the entire beam transport system including the mass spectrometer tube C and the focusing aperture D located behind the final electrode of the extraction electrode system B is maintained at the ground potential as shown.
イオン源Ａから引出し電極系Ｂにより引出されたイオ
ンビームは、イオン源Ａの電位に相当するエネルギでビ
ームトランスポート系に入り、質量分析管Ｃによって質
量分析され、所定のイオン種のみを含むイオンビーム、
例えばAs、Ｐ、Ｂ等のイオンビームにされ、そして集束
アパーチャＤを通って集束された後、回転基板ホルダＥ
上に装着された各ウエハＦに注入される。The ion beam extracted from the ion source A by the extraction electrode system B enters the beam transport system with energy corresponding to the potential of the ion source A, is subjected to mass analysis by the mass spectrometer tube C, and contains only predetermined ion species. beam,
After being converted into an ion beam of, for example, As, P, B, etc., and focused through a focusing aperture D, the rotating substrate holder E
It is injected into each wafer F mounted thereon.
［発明が解決しようとする課題］ 近年ICメモリーの製作に当って、Ｂの浅い接合を作る
必要が高まり、そのため5keV或いはそれ以下数keVのエ
ネルギでＢイオンビームを注入する必要が起きてきた。[Problems to be Solved by the Invention] In recent years, in manufacturing an IC memory, it is necessary to form a shallow junction of B, and therefore, it has become necessary to implant a B ion beam with an energy of 5 keV or less several keV.
しかしながら、従来の大電流イオン注入装置を用いて
数kV〜十数kVのイオンを注入しようとすると、注入され
るイオンビーム量が極端に減って、効率良く高いスルー
プットで注入を行うことは不可能であった。すなわち、
イオン源Ａから引出し電極系Ｂによって引出される電流
は引出し電圧の3/2乗に比例するので、引出し電圧を高
くしなければならない。イオン源が低電位であり、ビー
ムトランスポート系が接地電位であると、引出し電圧は
イオン源Ａと引出し電極系Ｂとの電位差となるので、大
電流を引出すのに必要な40kV程度の電位差を作ることは
できなくなる。またイオンビームが5keVであると、通常
1.2mにも及ぶビームトランスポート系を介して大電流ビ
ームをトランスポートすることは空間電荷効果のために
因難となる。However, when trying to implant ions of several kV to several tens of kV using a conventional high-current ion implantation apparatus, the amount of ion beam to be implanted is extremely reduced, and it is impossible to efficiently perform implantation with high throughput. Met. That is,
Since the current drawn from the ion source A by the extraction electrode system B is proportional to the 3/2 power of the extraction voltage, the extraction voltage must be increased. If the ion source is at a low potential and the beam transport system is at the ground potential, the extraction voltage will be the potential difference between the ion source A and the extraction electrode system B, and the potential difference of about 40 kV required to extract a large current will be reduced. You can't make it. When the ion beam is 5 keV,
Transporting a large current beam via a beam transport system as long as 1.2 m is hampered by space charge effects.
このように、従来の大電流イオン注入装置を用いて数
kV〜十数kVのイオンを注入することは、引出し電圧やビ
ームトランスポート系における空間電荷効果の影響で、
効率が悪く高いスループットを得ることができないとい
う問題があった。As described above, the conventional high-current ion implantation
Implanting ions of kV to tens of kV depends on the extraction voltage and the effect of space charge effect in the beam transport system,
There is a problem that efficiency is low and high throughput cannot be obtained.
本発明は、このような従来の装置の問題を解決して、
数kV〜十数kVの低エネルギで大電流イオンビームを基板
に注入できるようにしたイオン注入装置を提供すること
を目的としている。The present invention solves such a problem of the conventional device,
It is an object of the present invention to provide an ion implantation apparatus capable of implanting a large current ion beam into a substrate with low energy of several kV to several tens kV.
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、本発明は、イオン源か
らイオン引出し系、質量分析管を含むビームトランスポ
ート系を介して大電流イオンビームを基板に注入するイ
オン注入装置において、高い電位勾配をもつようにされ
た三枚の穴あき電極と加減速用の二枚の穴あき電極とか
ら成る減速静電レンズ系を設け、イオン源を接地電位に
対して数kv〜十数kvに、イオン源から減速静電レンズ系
までのビームトランスポート系を接地電位に対して負の
数十kvに、減速静電レンズ系の第１の穴あき電極をビー
ムトランスポート系と同じ負の数十kvに、減速静電レン
ズ系の第３の穴あき電極を接地電位に、減速静電レンズ
系の第２の穴あき電極を第１の穴あき電極と第３の穴あ
き電極との中間の電位に、減速静電レンズ系の第４の穴
あき電極を負の電位に、また減速静電レンズ系の第５の
穴あき電極を接地電位にそれぞれ保ち、減速静電レンズ
系をイオンビームの減速機能と共に集束レンズとして用
いることを特徴としている。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides a method for injecting a high-current ion beam from an ion source into a substrate through a beam transport system including an ion extraction system and a mass spectrometer tube. In the ion implantation apparatus, a deceleration electrostatic lens system including three perforated electrodes having a high potential gradient and two perforated electrodes for acceleration / deceleration is provided, and the ion source is set with respect to the ground potential. The beam transport system from the ion source to the deceleration electrostatic lens system is set to several tens of kv, which is negative with respect to the ground potential, and the first perforated electrode of the deceleration electrostatic lens system is set to the beam transformer. The same negative tens of kv as the port system, the third perforated electrode of the deceleration electrostatic lens system is set to the ground potential, and the second perforated electrode of the deceleration electrostatic lens system is connected to the first perforated electrode and the third perforated electrode. Of the decelerating electrostatic lens system to an intermediate potential between The fourth perforated electrode is maintained at a negative potential, and the fifth perforated electrode of the deceleration electrostatic lens system is maintained at the ground potential, and the deceleration electrostatic lens system is used as a focusing lens together with the ion beam deceleration function. And
［作用］ 本発明にるイオン注入装置においては、イオン源で発
生され、引出し電極系で引出され、質量分析管により同
一電荷をもつ単一原子イオン又は分子イオンにされ、集
束アパーチャを通って集束されてきたイオンビームは、
減速静電レンズで減速されて、基板に注入される。この
場合、イオン源は接地電位に対して数kV〜十数kVの電位
に保たれ、引出し電極系及び質量分析管等を含む、減速
静電レンズの第１の穴あき電極までのビームトランスポ
ート系は負の数十kVの電位に保たれるので、イオンビー
ムは、イオン源の電位とビームトランスポート系の電位
との電位差に相当する電圧すなわち約40kVの電圧で引出
される。イオン源から引出し電極系によって引出される
イオンビーム量は引出し電圧の3/2乗にほぼ比例するの
で、大電流イオンビームを引出すことができる。[Operation] In the ion implantation apparatus according to the present invention, the ions are generated by an ion source, extracted by an extraction electrode system, converted into single atom ions or molecular ions having the same charge by a mass spectrometer tube, and focused through a focusing aperture. The ion beam that has been
It is decelerated by the deceleration electrostatic lens and injected into the substrate. In this case, the ion source is maintained at a potential of several kV to several tens of kV with respect to the ground potential, and includes a beam transport to the first perforated electrode of the deceleration electrostatic lens including an extraction electrode system and a mass analysis tube. Since the system is maintained at a negative potential of several tens of kV, the ion beam is extracted at a voltage corresponding to the potential difference between the potential of the ion source and the potential of the beam transport system, that is, a voltage of about 40 kV. Since the amount of the ion beam extracted from the ion source by the extraction electrode system is almost proportional to the 3/2 power of the extraction voltage, a large current ion beam can be extracted.
またイオン源から集束アパーチャまではイオンビーム
はイオン源の電位とビームトランスポート系の電位との
電位差に相当する電位すなわち約40keVで輸送される。
イオンビームの空間電荷効果による拡がりはそのエネル
ギの3/2乗に反比例するので、従来の数kVのビームの輸
送に比較して格段と容易に大電流を輸送することができ
る。The ion beam is transported from the ion source to the focusing aperture at a potential corresponding to the potential difference between the potential of the ion source and the potential of the beam transport system, that is, about 40 keV.
Since the spread of the ion beam due to the space charge effect is inversely proportional to its energy to the power of 3/2, a large current can be transported much more easily than the conventional beam transport of several kV.
また、減速静電レンズ系においては、第１の穴あき電
流にはビームトランスポート系と同じ−Vtの電位が、第
３の穴あき電極には接地電位が、第２の穴あき電極には
第１、第３の穴あき電極に印加される電位の中間の電位
（例えば−1/2Vt）が、それぞれ印加され、構造的に高
い電位勾配が与えられるようにし、これによりイオンの
空間電荷効果に抗してビームの集束作用が得られる。In the deceleration electrostatic lens system, the first perforated current has the same potential of -Vt as in the beam transport system, the third perforated electrode has a ground potential, and the second perforated electrode has a ground potential. An intermediate potential (e.g., -1/2 Vt) between the potentials applied to the first and third perforated electrodes is applied, respectively, so that a structurally high potential gradient is applied. Beam focusing action is obtained.
さらに、減速静電レンズ系の第４の穴あき電極を負の
電位に、また減速静電レンズ系の第５の穴あき電極を接
地電位にそれぞれ接続することにより、減速静電レンズ
系を出て基板に達するイオンビームと残留気体との衝突
によって生じた低エネルギの電子はイオンビームの空間
電荷による電位に補らえられ、イオンビームに沿って逆
流してくるが、これらの電子は減速静電レンズ系の第４
の穴あき電極によって塞き止められ、低エネルギの電子
をイオンビームの中に溜込み、イオンの空間電荷を中和
させ、空間電荷効果によるビームの拡がりを抑えること
ができる。基板は接地電位にされ、結果的にはイオン源
の電位と基板の電位との電位差に相当するVaeV（数kV〜
十数kV）でイオン注入は行われることになる。Further, by connecting the fourth perforated electrode of the deceleration electrostatic lens system to a negative potential and connecting the fifth perforated electrode of the deceleration electrostatic lens system to the ground potential, the deceleration electrostatic lens system is output. The low-energy electrons generated by the collision between the ion beam reaching the substrate and the residual gas are compensated for by the potential due to the space charge of the ion beam, and flow back along the ion beam. The fourth of the electric lens system
And the low-energy electrons are stored in the ion beam to neutralize the space charge of the ions and suppress the spread of the beam due to the space charge effect. The substrate is set to the ground potential, and consequently, VaeV (several kV to several kV) corresponding to the potential difference between the potential of the ion source and the potential of the substrate.
Ion implantation will be performed at more than ten kV.
［実 施 例］ 以下、本発明の実施例について添附図面の第１図を参
照しながら説明する。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIG. 1 of the accompanying drawings.
第１図は本発明の一実施例を概略的に示しており、１
は例えばフリーマン型のイオン源、２はイオン源１から
発生したイオンビームを引出す引出し電極系、３は引出
し電極系２で引出されたイオンビーム４の中から同一電
荷のイオンだけを分離する質量分析管、５は、質量分析
管３で分離されたイオンビーム６が質量分析管の集束作
用で集束する場所に設けた集束アパーチャ、７は本発明
の装置の要部を成す減速静電レンズで、五つの穴あき電
極71〜75から成っている。また８はイオン注入すべき基
板９を支持する回転基板ホルダ、10は高圧赤箱（ケー
ス）で負の電源11に接続され、接地電位に対して−Vt、
（例えば−25kV）に保たれている。FIG. 1 schematically shows an embodiment of the present invention.
Is a freeman type ion source, 2 is an extraction electrode system for extracting an ion beam generated from the ion source 1, and 3 is a mass spectrometer which separates only ions of the same charge from the ion beam 4 extracted by the extraction electrode system 2. The tube 5 is a focusing aperture provided at a place where the ion beam 6 separated by the mass analysis tube 3 is focused by the focusing operation of the mass analysis tube, and 7 is a deceleration electrostatic lens which forms a main part of the apparatus of the present invention. Save consist perforated electrode 7 1-7 5. Reference numeral 8 denotes a rotating substrate holder for supporting the substrate 9 to be ion-implanted. Reference numeral 10 denotes a high-voltage red box (case) connected to the negative power supply 11 so that -Vt with respect to the ground potential.
(For example, -25 kV).
イオン源１は電源12に接続され、この電源12はイオン
源１を高圧ターミナル10に対してVa＋Vt（例えば、Va＝
5kV、Vt＝25kV）に保っている。The ion source 1 is connected to a power supply 12, which supplies the ion source 1 to the high voltage terminal 10 by Va + Vt (for example, Va = Vt).
(5kV, Vt = 25kV).
減速静電レンズ７の五つの穴あき電極の内の第１の電
極71は高圧ターミナル10と同じ電位の−Vtに接続され、
第３の電極73は接地され、第２の電極72は図示したよう
に分割抵抗13により第１、第３の電極71、73の中間の電
位に維持されている。また、減速静電レンズ７の第４の
電極74は負の電源14に接続され、−Vdが印加され、第５
の電極75は接地されている。さらに、回転基板ホルダ８
及びイオン注入すべき各基板９は図示したように接地さ
れている。The first electrode 7 one of the five perforated electrodes of the deceleration electrostatic lens 7 is connected to -Vt the same potential as the high voltage terminal 10,
The third electrode 7 3 is grounded, the second electrode 7 2 is first by dividing resistor 13 as shown, and is maintained at the third electrode 7 1, 7 3 intermediate potential. The fourth electrode 7 4 deceleration electrostatic lens 7 is connected to the negative supply 14, -Vd is applied, the fifth
The electrodes 7 5 is grounded. Further, the rotating substrate holder 8
Each substrate 9 to be ion-implanted is grounded as shown.
次に、図示装置の動作について説明する。 Next, the operation of the illustrated apparatus will be described.
イオン源１と引出し電極系２との間にはおよそVa＋Vt
（Va＝5kV、Vt＝25kVの場合には30kV）の電圧が印加さ
れているので、イオン源１からB+を例に取っても5mAま
でのイオンビームを容易に引出すことができる。こうし
てイオン源１から引出し電極系２によって引出されたイ
オンビームは、減速静電レンズ７の第１の電極71までは
電場のない空間をVa＋Vt eV（上述の例では30keV）で輸
送されるので、質量分析管３等を高透過率で通過し、集
束アパーチャ５に効率よく集束される。集束アパーチャ
５から出たイオンビームはある開き角で進み、減速静電
レンズ７で再集束される共に、減速静電レンズ７の出口
ではVt eVだけ減速され、従って（Va＋Vt）−Vt＝Va eV
で基板９に注入される。Va + Vt between the ion source 1 and the extraction electrode system 2
(30 kV in the case of Va = 5 kV and Vt = 25 kV), an ion beam of up to 5 mA can be easily extracted even if B + is taken from the ion source 1 as an example. The ion beam thus extracted from the ion source 1 by the extraction electrode system 2 is transported in a space without an electric field to the first electrode 71 of the deceleration electrostatic lens 7 at Va + VteV (30 keV in the above example). , Passes through the mass spectrometer tube 3 and the like with high transmittance, and is efficiently focused on the focusing aperture 5. The ion beam emerging from the focusing aperture 5 advances at a certain opening angle, is refocused by the decelerating electrostatic lens 7, and is decelerated by VteV at the exit of the decelerating electrostatic lens 7, so that (Va + Vt) -Vt = VaeV
Is injected into the substrate 9.
減速静電レンズ７の第４の電極74及び第５の電極75は
加減速電極を構成しているので、イオンビームによって
生じた低速電子はイオンビームに捕らえられ、イオンビ
ームに沿って逆流してくるものを塞き止めて第５の電極
75以降のイオンビーム中に効率よく溜込まれ、その結
果、イオンビームの空間電荷は98％以上も効率よく中和
され、例え5keVの低エネルギのイオンビームでも空間電
荷によるイオンビームの拡がりは僅であり、効率よくイ
オン注入が行われ得る。この場合、減速静電レンズ７の
第１〜第３の電源71〜73によってレンズの中央部に生じ
る電位勾配は強いことが必要であり、コンピュータを用
いて行った数値例では、上記のような電圧をこれらの電
極に与えた場合にはイオンビームの中央で4kV/cmの電位
勾配があり、5keVのB+1.5mAの場合、減速静電レンズ７
の入口に26mラジアンで入ったイオンビームを出口では
−10mラジアンの集束ビームとすることができる。第２
図にその場合のシュミレーション図を示す。Since the fourth electrode 7, fourth and fifth electrodes 7 5 of the deceleration electrostatic lens 7 constitute a deceleration electrode, the low-speed electrons generated by the ion beam is trapped in the ion beam along an ion beam reflux Block what comes in
7 5+ efficiently Tamarikoma is in the ion beam, as a result, space charge of the ion beam is also effectively neutralize more than 98%, even spread of the ion beam due to the space charge in the ion beam of low energy of 5keV is Ion implantation can be performed efficiently with a small amount. In this case, the potential gradient occurring in the central portion of the first to third lens by the power source 7 1-7 3 deceleration electrostatic lens 7 is necessary stronger, in the numerical example was performed using the computer, the When such a voltage is applied to these electrodes, there is a potential gradient of 4 kV / cm at the center of the ion beam, and in the case of B + 1.5 mA of 5 keV, the deceleration electrostatic lens 7
An ion beam entering at 26 m radian at the entrance of the laser beam can be a focused beam at -10 m radian at the exit. Second
The figure shows a simulation diagram in that case.
ところで、図示実施例において、イオン源１と高圧タ
ーミナル10との間にVaボルトを印加し、高圧ターミナル
10にVtボルトを印加するように構成することによって、
減速静電レンズ７を加速静電レンズとして用いることも
でき、Va＋Vt eVのエネルギで基板９にイオンを注入す
ることができる。この場合、静電レンズ７は強い静電レ
ンズとして作用し、Va＝40kV、Vt＝80kVとすると、120k
eV、10mAのAS +イオンビーム、P+イオンビーム等を加速
注入することができる。By the way, in the illustrated embodiment, Va volt is applied between the ion source 1 and the high voltage terminal 10 so that the high voltage terminal
By configuring to apply Vt volts to 10,
The deceleration electrostatic lens 7 can be used as an acceleration electrostatic lens, and ions can be implanted into the substrate 9 with the energy of Va + VteV. In this case, the electrostatic lens 7 acts as a strong electrostatic lens, and if Va = 40 kV and Vt = 80 kV, 120 k
eV, 10 mA of A S + ion beam can be accelerated implanting P + ion beam or the like.
［発明の効果］ 以上説明してきたように、本発明によるイオン注入装
置においては、イオン源を接地電位に対して数kV〜十数
kVに設定し、引出し電極系、質量分析管及び集束アパー
チャまでのビームトランスポート系を負の数十kVに設定
しているので、イオンビームを効率よく引出し、質量分
離しそして集束させることができる。[Effect of the Invention] As described above, in the ion implantation apparatus according to the present invention, the ion source is set at several kV to several tens of
It is set to kV, and the extraction electrode system, mass spectrometer tube, and beam transport system up to the focusing aperture are set to a negative tens of kV, so that the ion beam can be efficiently extracted, mass-separated and focused. .
また、集束アパーチャの後方に減速静電レンズを設け
ているので、減速静電レンズに入るまでのビームトラン
スポート系で加速、集束されたイオンビームは再び減速
されるときに集束アパーチャを通って拡がったイオンビ
ームを再び減速静電レンズによって集束し、大電流、低
エネルギのイオンビームを効率良く基板に注入すること
ができ、その結果低エネルギのB+（ボロンイオン）等の
注入による浅い接合の要求される場合のイオン注入に非
常に有効なイオン注入装置を提供することができる。Further, since the deceleration electrostatic lens is provided behind the focusing aperture, the ion beam accelerated and focused by the beam transport system before entering the deceleration electrostatic lens spreads through the focusing aperture when decelerated again. The focused ion beam is again focused by the decelerating electrostatic lens, and a high-current, low-energy ion beam can be efficiently implanted into the substrate. As a result, a shallow junction can be formed by implanting low-energy B + (boron ions) or the like. It is possible to provide an ion implantation apparatus which is very effective for ion implantation when required.
第１図は本発明の一実施例を示す概略線図、第２図は第
１図の装置を用いて行ったシュミレーション結果を示す
概略線図、第３図は従来の大電流型イオン注入装置の一
例を示す概略線図である。 図中、1:イオン源 2:引出し電極系 3:質量分析管 5:集束アパーチャ 7:減速静電レンズ 8:回転基板ホルダ 9:基板 10:高圧ターミナルFIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram showing the results of a simulation performed using the apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a conventional large current ion implantation apparatus. FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of the embodiment. In the figure, 1: ion source 2: extraction electrode system 3: mass spectrometer tube 5: focusing aperture 7: deceleration electrostatic lens 8: rotating substrate holder 9: substrate 10: high voltage terminal
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−233955（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−3950（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−112140（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 37/317,37/12 H01L 21/265────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-61-233955 (JP, A) JP-A 64-3950 (JP, A) JP-A-2-112140 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 6 , DB name) H01J 37 / 317,37 / 12 H01L 21/265
Claims (1)
を含むビームトランスポート系を介して大電流イオンビ
ームを基板に注入するイオン注入装置において、高い電
位勾配をもつようにされた三枚の穴あき電極と加減速用
の二枚の穴あき電極とから成る減速静電レンズ系を設
け、イオン源を接地電位に対して数kv〜十数kvに、イオ
ン源から減速静電レンズ系までのビームトランスポート
系を接地電位に対して負の数十kvに、減速静電レンズ系
の第１の穴あき電極をビームトランスポート系と同じ負
の数十kvに、減速静電レンズ系の第３の穴あき電極を接
地電位に、減速静電レンズ系の第２の穴あき電極を第１
の穴あき電極と第３の穴あき電極との中間の電位に、減
速静電レンズ系の第４の穴あき電極を負の電位に、また
減速静電レンズ系の第５の穴あき電極を接地電位にそれ
ぞれ保ち、減速静電レンズ系をイオンビームの減速機能
と共に集束レンズとして用いることを特徴とするイオン
注入装置。An ion implantation apparatus for injecting a high current ion beam from an ion source into a substrate through a beam transport system including an ion extraction system and a mass spectrometer tube has three high potential gradients. A deceleration electrostatic lens system consisting of a perforated electrode and two perforated electrodes for acceleration and deceleration is provided, and the ion source is set at several kv to several tens of kv with respect to the ground potential, from the ion source to the deceleration electrostatic lens system. Of the decelerating electrostatic lens system to the negative several tens kv with respect to the ground potential, and the first perforated electrode of the decelerating electrostatic lens system to the same negative tens of kv as the beam transport system. The third perforated electrode is set to the ground potential, and the second perforated electrode of the deceleration electrostatic lens system is set to the first.
The potential of the fourth perforated electrode of the decelerating electrostatic lens system is set to a negative potential, and the fifth perforated electrode of the decelerating electrostatic lens system is set to a potential intermediate between the perforated electrode and the third perforated electrode. An ion implanter characterized by using a decelerating electrostatic lens system as a focusing lens together with a decelerating function of an ion beam while maintaining each at a ground potential.
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- 1990-04-24 JP JP10645490A patent/JP2866705B2/en not_active Expired - Fee Related
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