JP2866380B2 - Method for initializing magneto-optical memory device - Google Patents
Method for initializing magneto-optical memory deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ光などの光によって情報の記録、再
生、並びに、消去の行える光磁気メモリ素子において、
その磁気記録膜における磁化の方向を一方向に揃えて初
期化する光磁気メモリ素子の初期化方法に関するもので
ある。The present invention relates to a magneto-optical memory device capable of recording, reproducing, and erasing information by using light such as a laser beam.
The present invention relates to a method for initializing a magneto-optical memory element that initializes the magnetic recording film by aligning the direction of magnetization in one direction.
光磁気メモリ素子は、情報の書き換えが可能な大容量
メモリとして将来の発展が期待されているものである。
光磁気メモリ素子は、第６図に示すように、基本的には
基板１上に磁気記録膜２が形成されてなるものであり、
実際に情報を記録する前の段階で磁気記録膜２の自発磁
化Ｍを膜面に対して垂直に一方向に揃えて初期化する工
程が必要である。Magneto-optical memory devices are expected to be developed in the future as large-capacity memories capable of rewriting information.
As shown in FIG. 6, the magneto-optical memory element basically has a magnetic recording film 2 formed on a substrate 1.
Prior to the actual recording of information, a step of initializing the spontaneous magnetization M of the magnetic recording film 2 in one direction perpendicular to the film surface is required.
このため、従来の初期化工程においては、第４図に示
すように、電磁石からなる磁場発生装置３によって、磁
気記録膜２の保磁力HCよりも強い磁場Ｈを印加して磁化
Ｍの方向を強制的に一方向化するという方法を採用して
いた。For this reason, in the conventional initialization step, as shown in FIG. 4, a magnetic field H stronger than the coercive force H C of the magnetic recording film 2 is applied by the magnetic field generator 3 composed of an electromagnet to change the direction of the magnetization M. Was forcibly made unidirectional.
ところで、上記の磁気記録膜２としては、希土類と遷
移金属とからなる膜が主に用いられる。希土類遷移金属
膜は、希土類と遷移金属原子とのスピンが逆平行に並ぶ
フェリ磁性体である。フェリ磁性体は、隣接するスピン
が互いに打ち消し合う補償点近傍において光磁気メモリ
素子として適当な垂直磁化膜となることが知られてい
る。しかしながら、この近傍組織においては、第７図に
示すように、保磁力HCは非常に大きくなり、10KOe〜20K
Oeとなることが通例である。また、近傍組織が若干変化
するだけで保磁力HCが大きく変化するという特徴も有し
ている。このため、前記の磁場発生装置３としては、10
KOe〜20KOe以上の非常に強い磁場Ｈの形成できるものが
必要になる。By the way, as the magnetic recording film 2, a film composed of a rare earth and a transition metal is mainly used. The rare earth transition metal film is a ferrimagnetic material in which the spins of the rare earth and the transition metal atoms are arranged in antiparallel. It is known that a ferrimagnetic material becomes a perpendicular magnetization film suitable as a magneto-optical memory element near a compensation point at which adjacent spins cancel each other. However, in this nearby structure, as shown in FIG. 7, the coercive force H C becomes very large, and 10 KOe to 20 K
It is customary to be Oe. Further, it has a feature that the coercive force H C changes greatly only by a slight change in the nearby structure. For this reason, as the magnetic field generator 3, 10
What can form a very strong magnetic field H of KOe to 20 KOe or more is required.
しかも、磁気記録膜２をその全体に渡って均一に形成
することは困難であり、上記の補償点を目指して製膜し
た場合でも一部の膜組織は上記の補償点における膜組織
に対して１〜２％位ずれた近傍組織となるのが通例であ
る。１〜２％位ずれただけでもその近傍組織における保
磁力HCは５〜10KOeも変化することがしばしば起こり、
このように近傍組織を有する部分があると、外部から強
力な磁場Ｈを印加した場合でも磁化Ｍが一方向に揃わな
い部分が生じるという問題を招来していた。Moreover, it is difficult to form the magnetic recording film 2 uniformly over the entire surface, and even when the magnetic recording film 2 is formed aiming at the above-mentioned compensation point, a part of the film structure is different from the film structure at the above-mentioned compensation point. It is customary to have a nearby tissue shifted by about 1 to 2%. The coercive force H C in the adjacent structure often changes by 5 to 10 KOe even if it is shifted by about 1 to 2%,
The presence of such a portion having a nearby tissue causes a problem that even when a strong magnetic field H is applied from the outside, a portion where the magnetization M is not aligned in one direction occurs.
また、フェリ磁性体は、第８図に示すように、温度の
上昇によって保磁力HCが低下するという特性を有してい
る。光磁気メモリ素子における情報の記録や消去は正に
この性質を利用しているのであるが、この性質を利用し
て光磁気メモリ素子の初期化工程を行うことが考えられ
る。すなわち、光磁気ドライブによって通常の消去操作
を行うことにより、光ビームの照射された昇温部分の磁
化方向を一方向に揃えることができる。しかし、上記の
光ビームは、第５図に示すように、レンズ６によって直
径１μｍΦ程度に集光されているため、光磁気メモリ素
子の全面において情報の消去を行うことは極めて困難で
ある。このため、情報の記録部位となる記録用案内溝４
内のみを消去することが考えられる。この方法によれ
ば、記録用案内溝４の良否や膜欠陥などの検査を兼ねて
行うことができるから、極めて有用な方法である。Further, ferrimagnetic body, as shown in FIG. 8, the coercive force H C has a characteristic that decreases by increasing temperature. The recording and erasing of information in the magneto-optical memory element exactly utilizes this property, and it is conceivable that the initialization step of the magneto-optical memory element is performed utilizing this property. That is, by performing a normal erasing operation using the magneto-optical drive, the magnetization direction of the heated portion irradiated with the light beam can be aligned in one direction. However, as shown in FIG. 5, the above light beam is condensed by the lens 6 to a diameter of about 1 μmΦ, so that it is extremely difficult to erase information on the entire surface of the magneto-optical memory element. For this reason, the recording guide groove 4 serving as an information recording portion
It is conceivable to erase only the inside. This method is an extremely useful method because it can be used to inspect the quality of the recording guide groove 4 and the film defect.
しかしながら、このような方法では、情報の記録に関
与しない案内溝５内においては、依然としてその磁化Ｍ
の方向が揃っていないままであり、この磁化Ｍの不揃い
に起因して記録・再生信号に雑音が入るという欠点を有
している。However, in such a method, in the guide groove 5 not involved in recording of information, the magnetization M
Are not aligned, and the recording / reproducing signal has noise due to the irregular magnetization M.
なお、上記の方法によって上記案内溝５内の磁化Ｍの
方向を一方向に揃えることも可能であるが、このために
は、案内溝５にも光ビームを照射することになるから２
倍の時間がかかる。そのうえ、案内溝５は前記の記録用
案内溝４に対し凹凸の関係を有しているから、記録用案
内溝４のサーボとは逆のサーボをかける必要が生じ、サ
ーボの極性を反転しなければならないという不都合を招
来することになる。It is possible to align the direction of the magnetization M in the guide groove 5 in one direction by the above method. However, since the guide groove 5 is also irradiated with a light beam,
It takes twice as long. In addition, since the guide groove 5 has an uneven relationship with the recording guide groove 4, it is necessary to apply a servo reverse to the servo of the recording guide groove 4, and the polarity of the servo must be reversed. This has the disadvantage of having to do so.
本発明の光磁気メモリ素子の初期化方法は、磁気記録
膜上に反射膜が形成されており、磁気記録膜に対して反
射膜とは反対側から光磁気メモリ素子の広い範囲に光エ
ネルギーを照射し、この光エネルギーを磁気記録膜に吸
収させてその温度を上昇させるとともに、この昇温状態
の磁気記録膜に外部から比較的弱い磁場を印加して磁化
の方向を一方向に揃えることを特徴としている。In the method for initializing a magneto-optical memory device according to the present invention, a reflective film is formed on a magnetic recording film, and light energy is applied to a wide range of the magneto-optical memory device from a side opposite to the reflective film with respect to the magnetic recording film. Irradiation, this optical energy is absorbed by the magnetic recording film to increase its temperature, and a relatively weak magnetic field is applied from the outside to the heated magnetic recording film to make the direction of magnetization uniform in one direction. Features.
上記の構成によれば、磁気記録膜はその広い範囲に渡
って上記光のエネルギーを吸収してその温度を上昇さ
せ、その保磁力を広い範囲に渡って低下させることにな
る。磁気記録膜の保磁力が低下すると、比較的弱い磁場
によっても磁化の方向は一方向に容易に揃うのである。
しかも、磁化の一方向化を磁気記録膜の広い範囲に渡っ
て行うから、光磁気メモリ素子における情報の記録に関
与しない案内溝内を含めて磁化の一方向化を行うことが
でき、記録・再生信号に雑音が入るといった不具合を解
消することができる。さらに、磁化の一方向化を磁気記
録膜の広い範囲に渡って一度に行えるから、光磁気メモ
リ素子の初期化時間の短縮化および初期化操作の容易化
が図れる。According to the above configuration, the magnetic recording film absorbs the light energy over a wide range, raises its temperature, and lowers its coercive force over a wide range. When the coercive force of the magnetic recording film is reduced, the direction of magnetization is easily aligned in one direction even by a relatively weak magnetic field.
In addition, since the magnetization is made unidirectional over a wide area of the magnetic recording film, the magnetization can be made unidirectional including the inside of the guide groove not involved in information recording in the magneto-optical memory element. It is possible to solve the problem that noise is included in the reproduced signal. Further, since the magnetization can be made unidirectional over a wide range of the magnetic recording film at a time, the initialization time of the magneto-optical memory element can be reduced and the initialization operation can be facilitated.
そして、本発明によれば、上記の操作を、表裏両面型
光磁気メモリ素子における表および裏の光磁気メモリ素
子についてそれぞれ行うことにより、表と裏の光磁気メ
モリ素子の磁化を互いに対向若しくは背向させることが
できる。従って、表裏両面型光磁気メモリ素子の表と裏
を引っ繰り返しても磁化の向きが同じとなる初期化が可
能となる。さらに、上記の構成によれば、磁化の一方向
化を表裏の光磁気メモリ素子を貼り合わせた段階で各光
磁気メモリ素子毎に行い得るから、磁気記録膜の劣化を
防止し得るとともに、表裏両面型光磁気メモリ素子にと
って最も望ましい初期化を簡単に行える。According to the present invention, the above operation is performed for the front and back magneto-optical memory elements of the front and back double-sided magneto-optical memory elements, respectively, so that the magnetizations of the front and back magneto-optical memory elements face each other or are opposite to each other. Can be oriented. Therefore, even when the front and back surfaces of the double-sided magneto-optical memory device are turned over, initialization can be performed so that the magnetization direction is the same. Further, according to the above configuration, the unidirectional magnetization can be performed for each magneto-optical memory element at the stage where the front and back magneto-optical memory elements are bonded, so that the deterioration of the magnetic recording film can be prevented, and Initialization most desirable for a double-sided magneto-optical memory device can be easily performed.
本発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3.
第１図に示すように、コイル11は約100〜5000Oeの比
較的弱い磁場Ｈを発生するものであって、カード状の光
磁気メモリ素子12の厚み方向（垂直方向）に磁場Ｈを発
生してこれを光磁気メモリ素子12の全面に渡って印加し
得るようになっている。また、光磁気メモリ素子12の上
方には、この光磁気メモリ素子12の全面に向けて光を照
射する光源13が配置されている。この光源13としては、
例えば、写真撮影やビデオ撮りに使用される高出力のブ
ロムライトなどが好適である。As shown in FIG. 1, the coil 11 generates a relatively weak magnetic field H of about 100 to 5000 Oe, and generates a magnetic field H in the thickness direction (vertical direction) of the card-shaped magneto-optical memory element 12. This can be applied over the entire surface of the magneto-optical memory element 12. Above the magneto-optical memory element 12, a light source 13 for irradiating light to the entire surface of the magneto-optical memory element 12 is arranged. As the light source 13,
For example, a high-output brom light used for photographing or video shooting is suitable.
光磁気メモリ素子12を初期化するには、上記のコイル
11に通電して磁場Ｈを発生させ、これを光磁気メモリ素
子12の全面に印加する。これとともに、上記の光源13か
らの光を光磁気メモリ素子12の全面に向けて照射する。
光源13からの光は光磁気メモリ素子12における透明基板
を透過して磁気記録膜に到達する。磁気記録膜はその全
域に渡って上記光のエネルギーを吸収してその温度を上
昇させ、その保磁力HCを全域に渡って低下させることに
なる。磁気記録膜の保磁力HCが低下すると、上記のコイ
ル11にて発生された比較的弱い磁場Ｈによっても磁化の
方向は一方向に容易に揃うのである。しかも、磁化の一
方向化を磁気記録膜の全域に渡って行うから、光磁気メ
モリ素子12における情報の記録に関与しない案内溝内を
含めて磁化の一方向化を等しく行うことができ、記録・
再生信号に雑音が入るといった不具合を解消することが
できる。さらに、磁化の一方向化を磁気記録膜の全域に
渡って一度に行えるので光磁気メモリ素子12の初期化時
間の短縮化および初期化操作の容易化を促進することが
できる。To initialize the magneto-optical memory element 12, the above coil
11 is energized to generate a magnetic field H, which is applied to the entire surface of the magneto-optical memory element 12. At the same time, the light from the light source 13 is applied to the entire surface of the magneto-optical memory element 12.
Light from the light source 13 passes through the transparent substrate of the magneto-optical memory element 12 and reaches the magnetic recording film. The magnetic recording film raises its temperature by absorbing the energy of the light over its entire area, thereby deteriorating over its coercive force H C the whole area. When the coercive force H C of the magnetic recording film decreases, the direction of magnetization is easily aligned in one direction even by the relatively weak magnetic field H generated in the coil 11. In addition, since the magnetization is made unidirectional over the entire area of the magnetic recording film, the magnetization can be made uniform even in the guide groove which is not involved in information recording in the magneto-optical memory element 12.・
It is possible to solve the problem that noise is included in the reproduced signal. Further, since the magnetization can be made unidirectional at one time over the entire area of the magnetic recording film, the initialization time of the magneto-optical memory element 12 can be shortened and the initialization operation can be facilitated.
また、本発明に係る光磁気メモリ素子の初期化方法
は、第２図に示すように、光磁気メモリ素子12が、ガラ
ス若しくはポリカーボネートなどの透明基板15と、反射
率を減少させる第１透明膜16と、磁気記録膜17と、反射
膜19と、この反射膜19の反射率を増大させる第２透明膜
18とで構成されている場合に特に効果的である。これ
は、上記の透明基板15側から照射された光のエネルギー
の大半が磁気記録膜17に吸収されてこの磁気記録膜17の
温度を短時間でかつ容易に上昇させるからである。例え
ば、透明基板15がガラス、第１透明膜16がAlN（厚みが8
00〜1000Å）、磁気記録膜17がGdTbFe系のもの（厚みが
150〜300Å）、第２透明膜18がAlN（厚みが100〜400
Å）、反射膜19がAl（厚みが300Å以上）の場合、入射
した光のうちの60〜80％が上記の磁気記録膜17にて吸収
されることになる。そして、前記の光源13として出力が
1Kw程度のブロムライトを用い、このブロムライトから1
0cm離した位置に上記の光磁気メモリ素子12を配置する
とともに、前記のコイル11にて300Oeの磁場Ｈを形成し
て約５秒間この状態を維持するだけで磁化Ｍは一方向に
容易に揃う。このように、室温での保磁力HCの大きな磁
気記録膜を有する光磁気メモリ素子においてその初期化
を容易に行うことができる。As shown in FIG. 2, in the method for initializing a magneto-optical memory device according to the present invention, the magneto-optical memory device 12 comprises a transparent substrate 15 such as glass or polycarbonate, and a first transparent film for reducing the reflectance. 16, a magnetic recording film 17, a reflection film 19, and a second transparent film for increasing the reflectance of the reflection film 19
It is particularly effective when it is composed of 18. This is because most of the energy of the light irradiated from the transparent substrate 15 side is absorbed by the magnetic recording film 17, and the temperature of the magnetic recording film 17 is easily increased in a short time. For example, the transparent substrate 15 is made of glass, the first transparent film 16 is made of AlN (having a thickness of 8
00 to 1000Å), and the magnetic recording film 17 is a GdTbFe-based material (having a thickness of
150-300 mm), the second transparent film 18 is made of AlN (100-400
I) When the reflection film 19 is made of Al (thickness is 300 mm or more), 60 to 80% of the incident light is absorbed by the magnetic recording film 17. Then, the output as the light source 13 is
Use a brom light of about 1Kw
The magnetism M can be easily aligned in one direction only by arranging the magneto-optical memory element 12 at a position separated by 0 cm and forming a magnetic field H of 300 Oe by the coil 11 and maintaining this state for about 5 seconds. . Thus, it is possible to perform the initialization readily in the magneto-optical memory device having a large magnetic recording film of coercivity H C at room temperature.
ところで、第３図に示すように、光磁気メモリ素子12
・12を接着剤層20を介して貼り合わせてなる表裏両面型
光磁気メモリ素子12′にあっては、表と裏の光磁気メモ
リ素子12・12の磁化Ｍを互いに対向若しくは背向させる
ことにより、表裏両面型光磁気メモリ素子12′の表と裏
を引っ繰り返しても磁化Ｍの方向が同じとなるように設
定することが望ましい。By the way, as shown in FIG.
In the front-back double-sided magneto-optical memory element 12 ′ obtained by laminating 12 via the adhesive layer 20, the magnetizations M of the front and rear magneto-optical memory elements 12, 12 are opposed to or opposed to each other. Accordingly, it is desirable to set the direction of the magnetization M to be the same even if the front and back sides of the front and back double-sided magneto-optical memory element 12 ′ are repeated.
すなわち、光磁気メモリ素子12における情報の再生
は、磁化Ｍの向きにより偏光の振動面の傾き方向（Kerr
回転）が変わることを利用するのであり、磁化Ｍの向き
を消去状態の向きと逆向きにすることで記録を行うので
あるが、この場合、上記素子12′が引っ繰り返されたこ
とで表と裏とで磁化Ｍの方向が逆になるとすれば、記録
領域（ビット）から反射された光のKerr回転の向きも逆
になり、再生信号の極性が表裏で反転することになる。
しかも、記録の際に外部から印加するバイアス磁場Ｈも
表と裏とで変える必要が生じることになる。That is, the reproduction of information in the magneto-optical memory element 12 depends on the direction of magnetization M (Kerr
(The rotation) is changed, and recording is performed by changing the direction of the magnetization M to the direction opposite to the direction of the erased state. If the direction of the magnetization M is reversed between the back and the back, the direction of the Kerr rotation of the light reflected from the recording area (bit) is also reversed, and the polarity of the reproduced signal is reversed between the front and the back.
In addition, the bias magnetic field H applied from the outside during recording needs to be changed between the front and the back.
これらの点を考慮した場合、従来のごとく、強力磁場
発生装置によって、磁気記録膜の保磁力よりも強い磁場
を印加するという方法では、表裏の光磁気メモリ素子12
・12を突っ切る強い磁場により表裏の光磁気メモリ素子
12・12で磁化Ｍの方向が順方向となり、これら素子12・
12の磁化Ｍを互いに対向若しくは背向させることは困難
である。また、光磁気メモリ素子12・12を貼り合わせる
前の段階で各素子12の磁化Ｍの方向を一方向に予め揃え
ておいたもの２枚を貼り合わせて表裏両面型光磁気メモ
リ素子12′を得ることも考えられるが、これでは磁気記
録膜17の保護が不完全のまま磁化一方向処理を行うこと
になり、磁気記録膜17に疵を付けて劣化を速める要因と
なる。In consideration of these points, in the conventional method of applying a magnetic field stronger than the coercive force of the magnetic recording film by the strong magnetic field generator, the magneto-optical memory element
・ Magneto-optical memory element on both sides due to strong magnetic field passing through 12
At 12 ・ 12, the direction of magnetization M becomes forward, and these elements 12 ・ 12
It is difficult to make the twelve magnetizations M face or face each other. Also, before the magneto-optical memory elements 12 and 12 are bonded to each other, two pieces of the magnetic field M of each element 12 whose directions of magnetization M are previously aligned in one direction are bonded together to form a front-back double-sided magneto-optical memory element 12 ′. Although it is conceivable that the magnetic recording film 17 is not completely protected, the magnetization one-way processing is performed in this case, and this causes a defect in the magnetic recording film 17 to accelerate the deterioration.
これに対し、本発明の初期化方法によれば、このよう
な表裏両面型光磁気メモリ素子12′においてもその初期
化を極めて容易に且つ迅速に行うことができる。On the other hand, according to the initialization method of the present invention, the initialization can be performed very easily and quickly even in such a front-back double-sided magneto-optical memory element 12 '.
すなわち、光磁気メモリ素子12・12を貼り付けて表裏
両面型光磁気メモリ素子12′を得た後に、一方の側から
のみ光を照射する。照射された光は、その側の磁気記録
膜17に大半を吸収されて反対側の磁気記録膜17には到達
せず、また、接着剤層20が熱の不良導体であり、断熱性
を有することにより、上記光の照射された側の磁気記録
膜17のみが昇温してその保磁力HCを低下させることにな
る。そして、この昇温状態で弱い磁場Ｈを印加すること
で上記光の照射された側の磁気記録膜17においてのみ磁
化Ｍの一方向化が行われる。そして、この処理を表およ
び裏の光磁気メモリ素子12・12についてそれぞれ行うこ
とにより、表と裏の光磁気メモリ素子12・12の磁化Ｍを
互いに対向若しくは背向させることができ、表裏両面型
光磁気メモリ素子12′の表と裏を引っ繰り返しても磁化
Ｍの方向が同じとなる初期化が可能となるのである。That is, after the magneto-optical memory elements 12 and 12 are attached to obtain the front and back double-sided magneto-optical memory element 12 ', light is irradiated only from one side. The irradiated light is largely absorbed by the magnetic recording film 17 on the side and does not reach the magnetic recording film 17 on the opposite side, and the adhesive layer 20 is a poor conductor of heat and has heat insulating properties. it makes it possible to reduce the coercive force H C and the magnetic recording film 17 NomigaNoboru temperature of the irradiated side of the light. By applying a weak magnetic field H in this elevated temperature state, the magnetization M is made unidirectional only in the magnetic recording film 17 on the side irradiated with the light. By performing this processing on the front and back magneto-optical memory elements 12 and 12, respectively, the magnetizations M of the front and back magneto-optical memory elements 12 and 12 can be opposed or opposite to each other, and the front and back double-sided Even if the front and back of the magneto-optical memory element 12 'are repeatedly turned over, initialization in which the direction of the magnetization M is the same becomes possible.
なお、本実施例においては、光源13として写真撮影や
ビデオ撮りに使用されるブロムライトを使用したが、こ
れに限らず、赤外線ヒータなどでも良い。また、磁場Ｈ
を形成するものとしてコイル11を挙げたが、これの代わ
りに永久磁石などを使用しても良いのであり、その具体
的態様は問わないものである。In the present embodiment, as the light source 13, a bromolight used for photographing and video shooting is used. However, the present invention is not limited to this, and an infrared heater or the like may be used. Also, the magnetic field H
Although the coil 11 has been described as an example of forming the above, a permanent magnet or the like may be used instead of the coil 11, and its specific mode is not limited.
本発明の光磁気メモリ素子の初期化方法では、光磁気
メモリ素子の磁気記録膜上に反射膜が形成されており、
その反射膜とは反対側から光エネルギーを照射するた
め、その光エネルギーの大部分を磁気記録膜に吸収させ
ることができ、光エネルギーを広範囲に照射する場合で
も短時間でかつ容易に磁気記録膜の温度を上昇できる。
また、案内溝内における磁化の方向も容易に揃える事が
できる。In the method for initializing a magneto-optical memory device of the present invention, a reflective film is formed on a magnetic recording film of the magneto-optical memory device,
Since light energy is irradiated from the opposite side of the reflective film, most of the light energy can be absorbed by the magnetic recording film. Temperature can be raised.
Also, the direction of magnetization in the guide groove can be easily aligned.
これにより、記録・再生信号の雑音を低下して光磁気
メモリ素子の高品位化が図れるとともに、光磁気メモリ
素子の初期化時間の短縮化および初期化操作の容易化に
よって光磁気メモリ素子のコストダウンを図ることがで
きる。そしてさらに、表裏両面型光磁気メモリ素子にお
いては、その磁化の一方向化を表裏の光磁気メモリ素子
を貼り合わせた段階で各光磁気メモリ素子毎に行い得る
から、磁気記録膜の劣化を防止し得るとともに、表裏両
面型光磁気メモリ素子にとって最も好ましい初期化を簡
単に行えるという効果も併せて奏する。As a result, the quality of the magneto-optical memory element can be improved by reducing the noise of the recording / reproducing signal, and the cost of the magneto-optical memory element can be reduced by shortening the initialization time of the magneto-optical memory element and facilitating the initialization operation. Down can be planned. Further, in the front-back double-sided magneto-optical memory device, the magnetization can be made unidirectional for each magneto-optical memory device at the stage of bonding the front-back magneto-optical memory device, thereby preventing deterioration of the magnetic recording film. In addition to this, there is an effect that the most preferable initialization for the front and back double-sided magneto-optical memory element can be easily performed.
第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図は光磁気メモリ素子に光を照射するととも
に磁場を印加している状態を示す説明図、第２図は光磁
気メモリ素子の断面図、第３図は表裏両面型光磁気メモ
リ素子の断面図、第４図および第５図は従来例を示すも
のであって、第４図は強力磁場発生装置にて光磁気メモ
リ素子の初期化を行う様子を示す説明図、第５図は光ビ
ームのスポットを案内溝に照射しながら磁場を印加して
初期化を行う様子を示す説明図、第６図は光磁気メモリ
素子における磁化の様子を示す説明図、第７図はフェリ
磁性体における希土類組織と保磁力との関係を示すグラ
フ、第８図はフェリ磁性体における温度と保磁力との関
係を示すグラフである。 11はコイル、12は光磁気メモリ素子、12′は表裏両面型
光磁気メモリ素子、13は光源、17は磁気記録膜である。1 to 3 show an embodiment of the present invention. FIG. 1 is an explanatory view showing a state where a magneto-optical memory element is irradiated with light and a magnetic field is applied. FIG. 3 is a sectional view of a magneto-optical memory element, FIG. 3 is a sectional view of a front-back double-sided magneto-optical memory element, FIGS. 4 and 5 show a conventional example, and FIG. FIG. 5 is an explanatory view showing how a magneto-optical memory element is initialized, FIG. 5 is an explanatory view showing how a magnetic field is applied while irradiating a guide groove with a light beam spot, and FIG. FIG. 7 is a graph showing a relationship between a rare earth structure and a coercive force in a ferrimagnetic material, and FIG. 8 is a diagram showing a relationship between a temperature and a coercive force in a ferrimagnetic material. It is a graph. 11 is a coil, 12 is a magneto-optical memory element, 12 'is a front and back double-sided magneto-optical memory element, 13 is a light source, and 17 is a magnetic recording film.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 乾 哲也 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 片山 博之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 中山 純一郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−173343（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−227242（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−113940（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Akira Takahashi 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Sharp Corporation (72) Inventor Tetsuya Inui 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Sharp Corporation (72) Inventor Hiroyuki Katayama 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka Sharp Corporation (72) Inventor Junichiro Nakayama 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka Sharp Corporation (56) References JP-A-1-173343 (JP, A) JP-A-1-227242 (JP, A) JP-A-1-113940 (JP, A)
Claims (1)
化の方向を一方向にそろえて初期化する光磁気メモリ素
子の初期化方法において、 前記磁気記録膜上に反射膜が形成されており、 前記磁気記録膜に対して前記反射膜とは反対側から光磁
気メモリ素子の広い範囲に光エネルギーを照射し、この
光エネルギーを前記磁気記録膜に吸収させてその温度を
上昇させるとともに、この昇温状態の磁気記録膜に外部
から比較的弱い磁場を印加して磁化の方向を一方向に揃
えることを特徴とする光磁気メモリ素子の初期化方法。1. A method for initializing a magneto-optical memory element, in which the direction of magnetization of a magnetic recording film in a magneto-optical memory element is aligned in one direction and initialized, wherein a reflective film is formed on the magnetic recording film. Light energy is applied to a wide area of the magneto-optical memory element from the side opposite to the reflection film with respect to the magnetic recording film, and the light energy is absorbed by the magnetic recording film to increase its temperature. A method for initializing a magneto-optical memory element, characterized in that a relatively weak magnetic field is externally applied to a magnetic recording film in a warm state so that the direction of magnetization is aligned in one direction.
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP63067674A JP2866380B2 (en) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | Method for initializing magneto-optical memory device |
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-
1988
- 1988-03-22 JP JP63067674A patent/JP2866380B2/en not_active Expired - Lifetime
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