JP2861968B2 - Electron gun and microwave tube using cold cathode - Google Patents

Electron gun and microwave tube using cold cathode

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JP2861968B2 JP27387296A JP27387296A JP2861968B2 JP 2861968 B2 JP2861968 B2 JP 2861968B2 JP 27387296 A JP27387296 A JP 27387296A JP 27387296 A JP27387296 A JP 27387296A JP 2861968 B2 JP2861968 B2 JP 2861968B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、進行波管などのマ
イクロ波管や、陰極線管などの電子ビームを利用した機
器に使用される電子銃に関し、特に電子源として半導体
製造プロセスを使用して製作される電界放出型冷陰極素
子を使用した電子銃の構造と、このような電子銃を使用
したマイクロ波管に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron gun used in a device using an electron beam, such as a microwave tube such as a traveling wave tube, or a cathode ray tube. The present invention relates to a structure of an electron gun using a manufactured field emission cold cathode device and a microwave tube using such an electron gun.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の技術として、例えば特開平5−3
43000に「電子銃及び陰極線管」が記載され、ま
た、特願平7−282938に「直線ビームマイクロ波
管」が記載されている。
2. Description of the Related Art As a conventional technique, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 5-3 is disclosed.
No. 4,3000, describes an "electron gun and a cathode ray tube", and Japanese Patent Application No. 7-282938 describes a "linear beam microwave tube".

【0003】マイクロ波管は、衛星通信などに使用され
る高出力マイクロ波送信装置の増幅器などとして使用さ
れるものであり、その構造は、集束された電子ビームを
取り出す電子銃部と、電子銃部と高周波電界の相互作用
によりマイクロ波を増幅する高周波回路部と、相互作用
を終えた電子ビームを捕捉し熱に変えるコレクタ部と、
電子ビームを集束させる磁界を発生させる集束装置など
を主要構成要素とするものである。
A microwave tube is used as an amplifier or the like of a high-power microwave transmission device used for satellite communication or the like, and has a structure including an electron gun section for extracting a focused electron beam, an electron gun section, and the like. A high-frequency circuit unit that amplifies microwaves by the interaction between the unit and the high-frequency electric field, and a collector unit that captures the interacting electron beam and converts it into heat.
The main component is a focusing device that generates a magnetic field for focusing the electron beam.

【0004】図7は従来の熱陰極を使用した進行波管の
断面図である。
FIG. 7 is a sectional view of a traveling wave tube using a conventional hot cathode.

【0005】マイクロ波管の代表的なものとして進行波
管があり、進行波管の一つであるらせん形進行波管の一
例の縦断面図を図7に示す。 図7において、電子銃部
11の熱陰極14から取り出された電子ビーム18は、
陽極25と熱陰極14との間に印加された高電圧により
加速されるとともに、集束電極15により最適に形成さ
れる電界分布と、複数個の磁石20と磁極21により形
成された集束装置により発生される磁界により集束さ
れ、電子ビーム18として高周波回路部12のらせん1
9の中に導かれる。らせん19上には高周波入力部22
から導かれたマイクロ波が伝搬し、電子ビーム18とほ
ぼ同じ速度で伝搬することによりマイクロ波は増幅さ
れ、高周波出力部23から取り出される。マイクロ波と
の相互作用を終えた電子ビーム18はコレクタ部13に
捕捉され熱エネルギに変換され管球外に放散される。電
子銃部11の熱陰極14は、ヒータ16により加熱する
ことにより、1000℃程度の温度となり、金属中の電
子を熱電子として取り出し、高電圧により加速して電子
ビーム18を得ている。
A typical example of a microwave tube is a traveling wave tube, and FIG. 7 shows a longitudinal sectional view of an example of a spiral traveling wave tube which is one of the traveling wave tubes. In FIG. 7, the electron beam 18 extracted from the hot cathode 14 of the electron gun unit 11 is
Accelerated by the high voltage applied between the anode 25 and the hot cathode 14, the electric field distribution optimally formed by the focusing electrode 15 and the electric field generated by the focusing device formed by the plurality of magnets 20 and the magnetic poles 21. Of the high-frequency circuit section 12 as an electron beam 18
Guided into 9. A high frequency input unit 22 is provided on the helix 19
Is propagated at a speed substantially equal to that of the electron beam 18, so that the microwave is amplified and extracted from the high-frequency output unit 23. The electron beam 18 having completed the interaction with the microwave is captured by the collector 13 and converted into thermal energy and radiated out of the tube. The temperature of the hot cathode 14 of the electron gun section 11 is raised to about 1000 ° C. by heating by the heater 16, electrons in the metal are taken out as thermoelectrons, and accelerated by high voltage to obtain an electron beam 18.

【0006】図7に示した進行波管のように、熱陰極を
電子源とした電子銃では、陰極を高温に加熱するため
に、加熱に要する予熱時間が必要なことや、加熱に必要
な電力が機器の効率を低下させること、さらに陰極材料
の蒸発により寿命が通常数万時間にかぎられていること
などがあり、通信需要の一層の拡大に対して、高効率で
長寿命を実現する電子源が求められている。
In an electron gun using a hot cathode as an electron source, as in the traveling wave tube shown in FIG. 7, a preheating time required for heating is required in order to heat the cathode to a high temperature. Electricity reduces the efficiency of equipment, and the life of the cathode is usually limited to tens of thousands of hours due to evaporation of the cathode material. There is a need for an electron source.

【0007】一方、近年半導体製造プロセスを使用て微
小なエミッタおよびゲートをシリコン基板上に複数個形
成配列し、電界放出により電子を取り出す電界放出型冷
陰極が開発され、陰極を加熱するためのヒータが不要で
あり、原理的には無限大の寿命が期待できる冷陰極素子
を、マイクロ波管や陰極線管機器の従来の熱陰極に置き
換えることにより、効率、信頼性などの改善を図ること
が可能である。
On the other hand, in recent years, a field emission cold cathode in which a plurality of minute emitters and gates are formed and arranged on a silicon substrate by using a semiconductor manufacturing process and electrons are extracted by field emission has been developed, and a heater for heating the cathode has been developed. It is possible to improve efficiency, reliability, etc. by replacing cold cathode elements, which can be expected to have an infinite life in principle, with conventional hot cathodes for microwave tubes and cathode ray tube equipment. It is.

【0008】図11はこのような電界放出型冷陰極素子
の部分断面図である。
FIG. 11 is a partial sectional view of such a field emission cold cathode device.

【0009】図11に示す電界放出型冷陰極素子5にお
いて冷陰極素子15は、シリコン基板3上にモリブデン
等の金属を積層させて形成した円錐状のエミッタ1と、
エミッタ1の先端に電界を与える厚さ1μm程度のゲー
ト2と、エミッタ電位のシリコン基板3とゲート2を絶
縁する絶縁層4を基本構成要素とし、これらの要素を通
常数μm間隔で数千個以上の多数個配列した構造であ
り、半導体製造プロセスを応用することにより製造する
ことが可能である。電界放出型冷陰極素子5のゲート2
に、エミッタ1に対して正の通常数ボルトから数十ボル
トの電圧を印加することによりエミッタ1の先端には2
〜5×107 V/cm程度の高い電界が発生し、エミッ
タ1中の電子は金属表面の電子障壁を越えるエネルギを
得て真空中に放出される。放出された電子は熱陰極の場
合と同様に、集束電極および集束磁界により集束されマ
イクロ波管の場合には高周波回路部に電子ビームとして
導かれる。
In the field emission type cold cathode device 5 shown in FIG. 11, the cold cathode device 15 comprises a conical emitter 1 formed by laminating a metal such as molybdenum on a silicon substrate 3;
A gate 2 having a thickness of about 1 μm for applying an electric field to the tip of the emitter 1 and an insulating layer 4 for insulating the silicon substrate 3 and the gate 2 at the emitter potential are used as basic constituent elements. It has a structure in which a large number of the elements are arranged, and can be manufactured by applying a semiconductor manufacturing process. Gate 2 of field emission type cold cathode device 5
In addition, by applying a positive voltage of several volts to several tens of volts to the emitter 1, 2
A high electric field of about 5 × 10 7 V / cm is generated, and electrons in the emitter 1 get energy exceeding the electron barrier on the metal surface and are emitted into a vacuum. The emitted electrons are focused by a focusing electrode and a focusing magnetic field, as in the case of a hot cathode, and are guided as an electron beam to a high frequency circuit in the case of a microwave tube.

【0010】図8は従来の冷陰極を使用した電子銃の縦
断面図である。図9は図8の電子銃の陰極付近の拡大図
である。
FIG. 8 is a longitudinal sectional view of an electron gun using a conventional cold cathode. FIG. 9 is an enlarged view near the cathode of the electron gun of FIG.

【0011】図8は特開平5−343000に示された
ものであり、これに示される電子銃112は、陰極線管
の用途を主な目的として考えられたものであるが、冷陰
極素子上に形成されたゲート117には、ゲート電位給
電部品である板状導体122が接続され、エミッタ11
9に対してゲート117に正の電圧を印加することによ
り、エミッタ119の先端から、電界放出により電子が
射出される。ゲート117のさらにその上方には第一電
子ビーム集束電極125と、第二電子ビーム集束電極1
28が設置され、これらの集束電極に独立した電圧を印
加して、エミッタ119から出た電子ビームを集束さ
せ、収差の少ない電子銃構造を得る方法が開示されてい
る。
FIG. 8 is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-343000. The electron gun 112 shown in FIG. 8 is mainly used for a cathode ray tube. The formed gate 117 is connected to a plate-shaped conductor 122, which is a gate potential power supply component, and is connected to the emitter 11
By applying a positive voltage to the gate 117 with respect to 9, electrons are emitted from the tip of the emitter 119 by field emission. Above the gate 117, the first electron beam focusing electrode 125 and the second electron beam focusing electrode 1
A method of applying an independent voltage to these focusing electrodes to focus an electron beam emitted from the emitter 119 to obtain an electron gun structure with less aberration is disclosed.

【0012】この例においては、ゲート117への給電
は、中央に孔が形成された板状の導体122が接続され
ることによりなされ、さらに板状の導体122の両端に
はゲートステム123が接続され外部から電位が供給さ
れる。また、第一電子ビーム集束電極125と第二電子
ビーム集束電極128への給電は、それらに接続された
棒状のリード端子126および129によりそれぞれな
され、板状の導体122、第一電子ビーム集束電極12
5および第二電子ビーム集束電極128は、独立の電圧
が印加されるため絶縁層124および絶縁材127によ
り相互に絶縁されている。
In this example, power is supplied to the gate 117 by connecting a plate-shaped conductor 122 having a hole formed in the center, and a gate stem 123 is connected to both ends of the plate-shaped conductor 122. Then, a potential is supplied from outside. Power is supplied to the first electron beam focusing electrode 125 and the second electron beam focusing electrode 128 by rod-shaped lead terminals 126 and 129 connected thereto, respectively, and the plate-shaped conductor 122 and the first electron beam focusing electrode 12
The fifth and second electron beam focusing electrodes 128 are insulated from each other by the insulating layer 124 and the insulating material 127 because independent voltages are applied.

【0013】図10は従来の冷陰極を使用した別の電子
銃の縦断面図である。
FIG. 10 is a longitudinal sectional view of another electron gun using a conventional cold cathode.

【0014】図10は特願平7−282938に示され
た冷陰極素子を使用した電子銃構造の一例である。この
電子銃構造では、冷陰極素子239の電子放出領域25
7より小さい開口部を有する集束電極212が電子放出
領域257の外側まで延びたゲート層と接触固定される
構造が示されている。この例においては、電子放出領域
257から放出された電子に対し、ゲート層に接続され
た薄板状の集束電極212の形状を工夫することにより
電子ビームを集束させるようになっている。
FIG. 10 shows an example of an electron gun structure using a cold cathode device disclosed in Japanese Patent Application No. 7-282938. In this electron gun structure, the electron emission region 25 of the cold cathode device 239
A structure is shown in which the focusing electrode 212 having an opening smaller than 7 is fixed in contact with the gate layer extending to the outside of the electron emission region 257. In this example, the electron beam is focused on the electrons emitted from the electron emission region 257 by devising the shape of the thin plate-shaped focusing electrode 212 connected to the gate layer.

【0015】この例においては、ゲート電位への給電と
電子ビーム202の集束をひとつの部品で兼ねている
が、最適な冷陰極244の前面の電界分布を形成させる
ために、部品形状はきわめて複雑な形となっている。
In this example, the power supply to the gate potential and the focusing of the electron beam 202 are combined by one component. However, the component shape is extremely complicated in order to form an optimal electric field distribution on the front surface of the cold cathode 244. It has a shape.

【0016】[0016]

【発明が解決しょうとする課題】このような冷陰極を電
子源とした電子銃、特にマイクロ波管の電子源として使
用する電子銃では、冷陰極素子を精度よく管軸上に固定
し、冷陰極素子の表面に形成されたゲート電位層に電圧
を供給する手段を設置すると同時に、陰極から出た電子
ビームを陰極近傍に設置した集束電極により集束させて
細い電子ビームを得る手段が必要である。
In such an electron gun using a cold cathode as an electron source, particularly in an electron gun used as an electron source for a microwave tube, a cold cathode element is fixed on a tube axis with high precision, and a cold cathode is used. It is necessary to provide a means for supplying a voltage to the gate potential layer formed on the surface of the cathode element and a means for obtaining a thin electron beam by focusing an electron beam emitted from the cathode by a focusing electrode provided near the cathode. .

【0017】また、進行波管などの管球は、製造工程な
どの管内を真空にする排気工程において、通常500℃
前後に加熱して管内に付着したガスを放出させる工程を
経験するため、このような外部 からの加熱に際して、
集束電極や陰極を支持する支持体の熱膨張による微小な
ゲート・エミッタ構造の破壊を避ける工夫が必要であ
る。例えば、支持体に固着した冷陰極素子に対して、ゲ
ート電位給電部品がゲート層に固着された堅い金属塊で
ある場合には、数百度の温度上昇に対してこれらの10
μm程度のわずかな熱膨張差によりゲート層への集束電
極の食い込み、あるいはゲート層を基板から引きはがす
力が発生し、ゲート層の破壊に至る不具合が惹起され
る。
In addition, a tube such as a traveling-wave tube is usually heated to 500 ° C. in an evacuation process such as a manufacturing process in which the inside of the tube is evacuated.
In order to experience the process of heating back and forth to release gas adhering to the inside of the tube,
It is necessary to devise a technique for avoiding the destruction of the minute gate / emitter structure due to the thermal expansion of the support for supporting the focusing electrode and the cathode. For example, for a cold cathode device fixed to a support, if the gate potential feeding component is a solid metal mass fixed to the gate layer, these components are not affected by a temperature rise of several hundred degrees.
A slight difference in thermal expansion of about [mu] m causes the focusing electrode to bite into the gate layer or a force for peeling the gate layer from the substrate, thereby causing a problem of destruction of the gate layer.

【0018】図8に示す従来の冷陰極素子を使用した電
子銃112では、ゲート117への給電のための部品1
22は、薄い板とすることにより可塑性を有し、熱膨
張、あるいは外部からの衝撃などに対してもゲート11
7への給電を保つ構造となっているが、電子ビームの集
束作用をこの部品で実施することは不可能であり、その
上部に設置した別の集束電極125、128に電圧を印
加することにより電子ビーム集束をさせている。また、
ゲートへの給電部品122の存在のために、集束電極1
25、128の陰極表面からの距離をある程度取ること
が絶縁のために必要であり、電子ビームの集束のために
は、陰極に対しより低い負の電位が必要とされ、マイク
ロ波管にこのような構造を採ることは、電源装置の複雑
さを招き、冷陰極電子源の利点を相殺するものである。
In the electron gun 112 using the conventional cold cathode device shown in FIG. 8, a component 1 for supplying power to the gate 117 is used.
Reference numeral 22 denotes a thin plate, which has plasticity, and has gate 11 against thermal expansion or external impact.
7 is maintained, but it is impossible to carry out the focusing action of the electron beam with this component, and by applying a voltage to the other focusing electrodes 125 and 128 installed thereon, The electron beam is focused. Also,
Due to the presence of the power supply component 122 to the gate, the focusing electrode 1
Some distance from the cathode surface at 25,128 is required for insulation, and for focusing of the electron beam, a lower negative potential is required for the cathode, and such a microwave tube requires The adoption of a simple structure causes the complexity of the power supply device and offsets the advantages of the cold cathode electron source.

【0019】また、図10に示す従来の冷陰極素子を使
用した電子銃の構造においては、ゲート層への給電部品
が集束電極を兼ねる構造となっており、集束電極212
を薄い板で形成し可塑性を持たせることにより、同様に
熱膨張を吸収するようになっている。しかし、集束電極
212を板状部品で形成せざるを得ず、所要の電界分布
を得るために形状が複雑となり、設計および製作が難し
い形となり形状の自由度も少なくなる欠点がある。
In the structure of the conventional electron gun using the cold cathode device shown in FIG. 10, a power supply component for the gate layer also serves as a focusing electrode.
Is formed of a thin plate to have plasticity, thereby similarly absorbing thermal expansion. However, the focusing electrode 212 must be formed of a plate-shaped component, and the shape is complicated to obtain a required electric field distribution, which is difficult to design and manufacture.

【0020】本発明は上述の点にかんがみてなされたも
ので、環境温度変化に対して冷陰極の固定および給電の
安定性を確保するとともに良好な電子ビーム集束を得る
ことができるようになった、冷陰極素子を電子源として
使用した電子銃およびそれを使用したマイクロ波管を提
供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and has made it possible to secure the stability of the cold cathode and the power supply with respect to a change in environmental temperature and obtain a good electron beam focusing. It is another object of the present invention to provide an electron gun using a cold cathode device as an electron source and a microwave tube using the same.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明はエミッタおよびゲートを平面上に複数個配
列して形成される電界放出型冷陰極素子を電子源として
使用した電子銃において、前記電界放出型冷陰極素子上
で電子放出領域の周囲に形成されたゲート層表面に接触
して配置された集束電極と、冷陰極素子を支持する支持
体を含み、該支持体はさらに第二の支持体と嵌合し、こ
れら二つの支持体の間には弾性を有する金属部品を備
え、前記冷陰極を支持する支持体下部を押圧してゲート
層と集束電極の接触を保ち、集束電極を介してゲート層
へ給電することを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides an electron gun using a field emission type cold cathode device formed by arranging a plurality of emitters and gates on a plane as an electron source. The field emission cold cathode device includes a focusing electrode disposed in contact with a gate layer surface formed around an electron emission region on the field emission type cold cathode device, and a support for supporting the cold cathode device. And a metal part having elasticity provided between these two supports. The lower part of the support supporting the cold cathode is pressed to maintain contact between the gate layer and the focusing electrode, and the focusing electrode The power is supplied to the gate layer through the gate electrode.

【0022】また、本発明はエミッタおよびゲートを平
面上に複数個配列して形成される電界放出型冷陰極素子
を電子源として使用した電子銃において、前記電界放出
型冷陰極素子上で電子放出領域の周囲に形成されたゲー
ト層表面に接触して配置された集束電極と、冷陰極素子
を支持する支持体を含み、前記集束電極はこれを支持す
る別の支持体と嵌合し、該支持体と集束電極の間には弾
性を有する金属部品を備え、集束電極を冷陰極ゲート層
の上方より押圧してゲート層と集束電極の接触を保ち、
集束電極を介してゲート層へ給電することを特徴とす
る。
Further, the present invention relates to an electron gun using a field emission type cold cathode device formed by arranging a plurality of emitters and gates on a plane as an electron source. A focusing electrode disposed in contact with the surface of the gate layer formed around the region, and a support for supporting the cold cathode element, wherein the focusing electrode is fitted with another support for supporting the cold cathode element; A metal part having elasticity is provided between the support and the focusing electrode, and the focusing electrode is pressed from above the cold cathode gate layer to maintain contact between the gate layer and the focusing electrode,
Power is supplied to the gate layer through the focusing electrode.

【0023】また、本発明のマイクロ波管は上記電子銃
を電子ビーム源として使用したことを特徴とする。
The microwave tube according to the present invention is characterized in that the above-mentioned electron gun is used as an electron beam source.

【0024】以上のような構成になる本発明は次のよう
な作用を呈する。
The present invention having the above configuration has the following operations.

【0025】冷陰極素子の二つの支持体間に配置された
弾性を有するバネ性金属は固定状態では収縮した状態で
あり、バネ性金属が軸方向に伸びようとする力によっ
て、冷陰極素子は集束電極方向に力を加えられ、冷陰極
素子の電子放出領域の周囲まで延長して形成されたゲー
ト給電層と集束電極の接触部は、良好な接触が保たれる
ようになっている。
The elastic spring metal disposed between the two supports of the cold cathode element is in a contracted state in a fixed state, and the cold cathode element is forced to expand in the axial direction by the spring metal. A force is applied in the direction of the focusing electrode, and good contact is maintained between a contact portion between the gate power supply layer and the focusing electrode, which is formed to extend to the periphery of the electron emission region of the cold cathode device.

【0026】あるいは、上記の接触部は、別の手段であ
る集束電極とその支持体の間に配置されたバネ性金属が
同様に軸方向に伸びようとする力によって、集束電極は
冷陰極素子表面のゲート給電層に押しつけられ、これら
の接触が保たれ、機械的固定および電気的接触が保たれ
る。
Alternatively, the above-mentioned contact portion is formed by another means, ie, the spring electrode disposed between the focusing electrode and its support, which is also likely to extend in the axial direction. It is pressed against the surface gate feed layer, these contacts are maintained, and mechanical fixation and electrical contact are maintained.

【0027】集束電極そのものには、従来例のようにバ
ネ性を有する必要はなく、自由な形状を採ることが可能
であり、電子ビームの集束に最適な形状を選択すること
が可能となる。
The focusing electrode itself does not need to have a spring property as in the conventional example, and can take any shape, and can select an optimum shape for focusing the electron beam.

【0028】また、このような冷陰極素子を使用した電
子銃が進行波管などのマイクロ波管に使用されることに
よって、マイクロ波管の製造工程あるいは使用中に温度
変化がある場合、冷陰極支持体部、集束電極支持体部お
よびそれらの周辺部材の熱膨張または熱収縮により冷陰
極支持体と集束電極間の寸法変化が生じるが、バネ性金
属の働きにより、冷陰極素子のゲート給電層と集束電極
の電気的接触が保たれるとともに機械的固定が保たれ
る。
Also, when an electron gun using such a cold cathode device is used for a microwave tube such as a traveling wave tube, the temperature of the microwave tube may be changed during the manufacturing process or during use. The dimensional change between the cold cathode support and the focusing electrode occurs due to the thermal expansion or thermal contraction of the support portion, the focusing electrode support portion and their peripheral members, but due to the action of the springy metal, the gate power supply layer of the cold cathode device. And the focusing electrode is maintained in electrical contact and mechanically fixed.

【0029】さらに、集束電極を最適な形状に加工する
ことにより、電子銃の陰極と陽極周囲の電位分布を最適
化できるため、良好に電子ビームを集束させることが可
能である。
Further, by processing the focusing electrode into an optimum shape, the potential distribution around the cathode and anode of the electron gun can be optimized, so that the electron beam can be focused well.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下本発明を図面を参照して説明
する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.

【0031】図1は本発明による冷陰極を使用した電子
銃の第一実施例の断面図である。図2は図1に示す冷陰
極素子の斜視図である。
FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of an electron gun using a cold cathode according to the present invention. FIG. 2 is a perspective view of the cold cathode device shown in FIG.

【0032】図1の電子銃は中心軸に対し回転対称構造
である。この電子銃において、電界放出型冷陰極素子5
が電子源として使用されている。冷陰極素子5は通常の
半導体のシリコン基板上に半導体製造プロセスにより形
成されたものであり、シリコンウエハから矩形状に切り
出される。その電子放出部であるエミッタおよびゲート
部の断面構造は図11に示されている。冷陰極素子5の
斜視図を図2に示す。
The electron gun of FIG. 1 has a rotationally symmetric structure with respect to the central axis. In this electron gun, the field emission cold cathode device 5
Are used as electron sources. The cold cathode device 5 is formed on a normal semiconductor silicon substrate by a semiconductor manufacturing process, and is cut into a rectangular shape from a silicon wafer. FIG. 11 shows a cross-sectional structure of the emitter and the gate, which are the electron-emitting portions. FIG. 2 shows a perspective view of the cold cathode element 5.

【0033】図11について上述したように、冷陰極素
子5は、シリコン基板3上にモリブデン等の金属を積層
させて形成した円錐状のエミッタ1と、エミッタ1の先
端に電界を与える厚さ1μm程度のゲート2と、エミッ
タ電位のシリコン基板3とゲート2を絶縁する絶縁層4
を基本構成要素とし、これらの要素を通常数μm間隔で
数千個以上の多数個配列し、図2に示す電子放出領域6
を形成している。ゲート電極はゲート給電層7として電
子放出領域6の外側まで延長して形成され、シリコン基
板3とは同様に外周まで延長された絶縁層で絶縁されて
いる。
As described above with reference to FIG. 11, the cold cathode element 5 has a conical emitter 1 formed by laminating a metal such as molybdenum on a silicon substrate 3, and a thickness of 1 μm for applying an electric field to the tip of the emitter 1. Gate 2 and a silicon substrate 3 having an emitter potential and an insulating layer 4 for insulating the gate 2
Is a basic constituent element, and a large number of thousands or more of these elements are usually arranged at intervals of several μm, and the electron emission region 6 shown in FIG.
Is formed. The gate electrode is formed as a gate power supply layer 7 extending to the outside of the electron emission region 6, and is insulated from the silicon substrate 3 by an insulating layer extended to the outer periphery in the same manner.

【0034】表面にこのようなエミッタ・ゲート構造の
配列が形成された冷陰極素子5は、図1の金属でできた
陰極支持体27上にシリコン基板3が接触するように固
定される。陰極支持体27の冷陰極素子5との接触部に
は、冷陰極素子5の外径と嵌合する矩形または円形の凹
部である陰極保持部27Hが形成され、冷陰極素子5は
この凹部に接触あるいは接着により固定されている。陰
極保持部27Hの底部からはこれと一体に延在する円柱
状の陰極支持柱27Sが形成されている。陰極支持柱2
7Sの下部は、これを支持する金属製の第二の支持体2
8と嵌合している。第二の支持体28は、円柱状の部品
に陰極支持体27と嵌合のための円孔を穿った部分と、
円柱底部の外径部から一体的に伸びるフランジ部28F
を有する形状である。陰極支持体27と第二の支持体2
8との嵌合部は、これらの間の径方向のずれを防止する
ために、僅かな寸法差で嵌合していることが望ましい。
また、第二の支持体28の嵌合部の下部には、嵌合部の
空気を抜くための孔28Hが形成されている。陰極支持
体27と第二の支持体28の間の陰極支持柱27Sの外
周部には、らせんばね29が挿入されている。らせんば
ね29はばね性を有する融点温度の高い金属の線材を螺
旋状に巻いたものであり、固定された状態ではらせんば
ね29は収縮した状態である。一方、冷陰極素子5の表
面上の電子放出領域6の周囲部には、ゲート電極から延
長されたゲート給電層7が形成されており、このゲート
給電層7に接触するように金属でできた集束電極15が
設置される。集束電極15は中心部に電子ビーム18が
通るための孔を有する円環状部品であり、その表面形状
は陽極25との間の電位分布が最適となる形状を有して
いる。集束電極15はこれを支持する円筒状の金属製の
集束電極支持体30に溶接などにより固定されている。
集束電極支持体30の集束電極15を接続した反対側は
フランジ部30Fを有し、このフランジ部30Fと前述
の支持体28のフランジ部28Fの間には通常セラミッ
クでできた円筒状絶縁体26が設置され、これらと気密
接合されている。さらに、集束電極支持体30のフラン
ジ部30Fと陽極25の間は別のセラミックでできた円
筒状の絶縁体17が配置され、集束電極支持体30のフ
ランジ部30Fと気密接合されている。陽極25は中央
に電子ビーム18が通るための孔を有する円環状部品で
あり、陽極25と絶縁体17の間は、別の金属部材を介
して気密接合されている。これらの電子銃全体の絶縁体
17、26から内側は真空で動作されるように、絶縁体
17、26と陰極支持体27および集束電極支持体30
などの金属部材の間はろうづけにより気密接合されてい
る。
The cold cathode device 5 having such an emitter-gate structure formed on the surface is fixed so that the silicon substrate 3 is in contact with the cathode support 27 made of metal shown in FIG. At a contact portion of the cathode support 27 with the cold cathode device 5, a cathode holding portion 27H, which is a rectangular or circular concave portion fitted with the outer diameter of the cold cathode device 5, is formed. It is fixed by contact or adhesion. From the bottom of the cathode holding portion 27H, a column-shaped cathode support pillar 27S extending integrally therewith is formed. Cathode support column 2
The lower part of 7S is a second metal support 2 for supporting it.
8 is fitted. The second support body 28 has a portion in which a cylindrical component is provided with a circular hole for fitting with the cathode support body 27,
Flange 28F integrally extending from outer diameter of bottom of cylinder
It is a shape having. Cathode support 27 and second support 2
It is preferable that the fitting portion 8 is fitted with a slight dimensional difference in order to prevent radial displacement between them.
A hole 28H for bleeding air from the fitting portion is formed below the fitting portion of the second support 28. A helical spring 29 is inserted between the cathode support 27 and the second support 28 at the outer periphery of the cathode support 27S. The helical spring 29 is formed by spirally winding a metal wire having a high melting point and having a spring property, and in a fixed state, the helical spring 29 is in a contracted state. On the other hand, a gate power supply layer 7 extending from the gate electrode is formed around the electron emission region 6 on the surface of the cold cathode element 5, and is made of metal so as to be in contact with the gate power supply layer 7. A focusing electrode 15 is provided. The focusing electrode 15 is an annular component having a hole in the center thereof through which the electron beam 18 passes, and has a surface shape such that a potential distribution between the focusing electrode 15 and the anode 25 is optimized. The focusing electrode 15 is fixed to a cylindrical focusing electrode support 30 that supports the focusing electrode 15 by welding or the like.
The opposite side of the focusing electrode support 30 to which the focusing electrode 15 is connected has a flange portion 30F. Between the flange portion 30F and the flange portion 28F of the support body 28, a cylindrical insulator 26 usually made of ceramic is provided. And are hermetically bonded to them. Further, another cylindrical insulator 17 made of ceramic is disposed between the flange portion 30F of the focusing electrode support 30 and the anode 25, and is air-tightly joined to the flange portion 30F of the focusing electrode support 30. The anode 25 is an annular component having a hole in the center thereof through which the electron beam 18 passes. The anode 25 and the insulator 17 are air-tightly joined via another metal member. The insulators 17 and 26, the cathode support 27 and the focusing electrode support 30 are operated so that the inside of the insulators 17 and 26 of these electron guns is operated in vacuum.
Are hermetically joined by brazing.

【0035】上記構成になる本発明による冷陰極を使用
した電子銃の第一実施例の動作について図1を参照して
説明する。
The operation of the first embodiment of the electron gun using the cold cathode according to the present invention having the above structure will be described with reference to FIG.

【0036】電界放出型冷陰極素子5のゲート2に、エ
ミッタ1に対して正の通常数ボルトから数十ボルトの電
圧を印加することによりエミッタ1の先端には2〜5×
107 V/cmの高い電界強度が発生し、エミッタ1中
の電子は金属表面の電子障害を越えるエネルギを得て真
空中に放出される。エミッタ1は冷陰極素子5のシリコ
ン基板3上に形成されているため、シリコン基板3と同
電位であり、冷陰極素子5を支持する陰極支持体27お
よびそれと嵌合する第二の支持体28を介して、外部よ
りエミッタ電位が供給される。一方ゲート電位は、ゲー
ト給電層7と接触する集束電極15およびこれと接合さ
れた集束電極支持体30を介して外部から給電され、第
二の支持体28と集束電極支持体30の間は、セラミッ
ク等でできた絶縁体26により電気的に絶縁されてい
る。冷陰極素子5の表面のゲート給電層7には、集束電
極15が接触により固定されており、接触部は陰極支持
体27とそれを支持する第二の支持体28間に挿入され
たらせんばね29が伸びようとする力によって圧接され
電気的に安定に接触するようになっている。
A voltage of several volts to several tens of volts is applied to the gate 2 of the field emission type cold cathode element 5 with respect to the emitter 1 by applying a positive voltage to the emitter 1.
A high electric field intensity of 10 7 V / cm is generated, and the electrons in the emitter 1 gain energy exceeding the electron barrier on the metal surface and are emitted into a vacuum. Since the emitter 1 is formed on the silicon substrate 3 of the cold cathode device 5, it has the same potential as the silicon substrate 3 and has a cathode support 27 supporting the cold cathode device 5 and a second support 28 fitted with the cathode support 27. , An emitter potential is supplied from outside. On the other hand, the gate potential is supplied from the outside via the focusing electrode 15 in contact with the gate power supply layer 7 and the focusing electrode support 30 joined to the focusing electrode 15, and between the second support 28 and the focusing electrode support 30, It is electrically insulated by an insulator 26 made of ceramic or the like. The focusing electrode 15 is fixed to the gate power supply layer 7 on the surface of the cold cathode element 5 by contact, and the contact portion is a spiral spring inserted between the cathode support 27 and the second support 28 supporting the cathode support 27. 29 is brought into pressure contact with the force to be extended, and is electrically stably contacted.

【0037】進行波管などの管球に使用される電子銃
は、その製造工程において、真空排気を実施しながら管
球内部の壁面に付着したガス分子を完全に除去するため
に500℃程度に加熱される工程を経験する。また、実
際の動作条件においては、通常−30℃から150℃程
度の温度条件に曝される可能性がある。
In an electron gun used for a tube such as a traveling wave tube, in the manufacturing process, the temperature is set to about 500 ° C. in order to completely remove gas molecules adhering to the inner wall of the tube while performing vacuum evacuation. Experience the process of being heated. Further, under actual operating conditions, there is a possibility that the semiconductor device is usually exposed to a temperature condition of about −30 ° C. to about 150 ° C.

【0038】このような電子銃の外部温度の変化によっ
て、陰極支持体27、それを支持する第二の支持体2
8、集束電極支持体30などが熱膨張または収縮により
管軸方向に寸法変化が生じた場合に、それぞれの寸法変
化はそれらの材質、温度によって異なるため、らせんば
ねがない場合には、冷陰極素子部において寸法変化とな
って現れ、ゲート給電層7と集束電極15との接触状態
の変化をもたらす。すなわち、冷陰極素子5を圧縮また
は軸方向に引っ張る力となり、場合によっては、1μm
程度のわずかの厚さのゲート給電層7を破壊するおそれ
がある。しかし、本発明では、このような寸法変化は、
陰極支持体27とそれを支持する第二の支持体28が相
互に嵌合しているだけで軸方向に可動し吸収するように
なっている。しかも、らせんばね29の力によって、常
にゲート給電層7と集束電極15は良好な接触状態を保
つことが可能である。
Due to such a change in the external temperature of the electron gun, the cathode support 27 and the second support 2 supporting the same are supported.
8. When the dimensional change occurs in the tube axis direction due to thermal expansion or contraction of the focusing electrode support 30 or the like, each dimensional change differs depending on their material and temperature. It appears as a dimensional change in the element portion, causing a change in the contact state between the gate power supply layer 7 and the focusing electrode 15. That is, it becomes a force for compressing or pulling the cold cathode element 5 in the axial direction.
The gate power supply layer 7 having a slightly small thickness may be broken. However, in the present invention, such a dimensional change is
The cathode support 27 and the second support 28 supporting the cathode support 27 are movable in the axial direction only by being fitted to each other so as to absorb. Moreover, the gate power supply layer 7 and the focusing electrode 15 can always maintain a good contact state by the force of the spiral spring 29.

【0039】真空中に冷陰極素子5のエミッタ1から射
出された電子は、集束電極15および集束磁界により集
束され、マイクロ波管の場合には高周波回路部に電子ビ
ームとして導かれる。集束電極15の形状は、陽極25
との間で陰極前面の電位分布が電子ビーム18の集束に
対して最適となるようにコンピュータシミュレーション
等によって決定される。この実施例では、集束電極15
の電子ビーム18に面した部分の形状は、ほとんどこの
電位分布の最適化のみで決定することが可能であり、従
来例のように集束電極15にバネ性を持たせてゲート層
7との接触を確保させる工夫をする必要はなく、良好な
電子ビーム集束特性を得ることができる。
Electrons emitted from the emitter 1 of the cold cathode device 5 in a vacuum are focused by the focusing electrode 15 and the focusing magnetic field, and in the case of a microwave tube, are guided as an electron beam to the high frequency circuit. The shape of the focusing electrode 15 is
The potential distribution on the front surface of the cathode is determined by computer simulation or the like so as to be optimal for the focusing of the electron beam 18. In this embodiment, the focusing electrode 15
The shape of the portion facing the electron beam 18 can be almost determined only by optimizing this potential distribution. As in the conventional example, the focusing electrode 15 is provided with a spring property to make contact with the gate layer 7. Therefore, it is not necessary to devise a method for securing the electron beam, and good electron beam focusing characteristics can be obtained.

【0040】次に、上述の本発明による電子銃の第一実
施例を一層詳細に説明する。
Next, the first embodiment of the electron gun according to the present invention will be described in more detail.

【0041】冷陰極素子5は、シリコンウエハ上に半導
体プロセスによりエミッタ1、ゲート2などが形成され
て後、厚さ約0.5mm、幅約2mm角の矩形チップと
して切り出されて製作される。エミッタ1およびゲート
2は、数μm間隔で5000個以上配列され、直径1m
m程度の電子放出領域6を形成する。電子放出領域6の
外側の冷陰極素子表面には、ゲート給電層7がそのまま
延長されている。この冷陰極素子5はモリブデンなどの
金属でできた陰極支持体27上に設置される。このと
き、接着剤などにより固定されてもよい。さらに陰極支
持体27は、これとo.05mm程度のわずかな寸法差
で嵌合するコバールなどの金属でできた第二の支持体2
8と嵌合し、軸方向に相互に可動できるようになってい
る。第二の支持体28には嵌合部の空気を抜くための直
径1mm程度の孔28Hが形成されている。さらに、第
二の支持体28は、アルミナ等のセラミックでできた絶
縁体26と蝋付けにより接合され、真空封止を行うと同
時に集束電極支持体30との絶縁がなされる。エミッタ
1の電位は、この第二の支持体28の真空外部でリード
線等に接続されて給電される。らせんばね29は太さ
0.5mm程度のタングステン線等の高温においてもバ
ネ性を有する材料でできており、らせん状に巻いた後、
1000℃程度で焼鈍成形された後使用される。固定さ
れた状態では、らせんばね29はわずかに収縮した状態
であり、陰極支持体27および冷陰極素子5を集束電極
15の方向に押し付けている。集束電極15は、モリブ
デン等の金属でできており、ゲート給電層7との接触部
は、接触抵抗を下げるため金メッキされていることが望
ましい。集束電極15はその外径部でコバール等の金属
でできた集束電極支持体30に溶接により固定されてい
る。
The cold cathode element 5 is manufactured by forming an emitter 1, a gate 2 and the like on a silicon wafer by a semiconductor process, and then cutting out a rectangular chip having a thickness of about 0.5 mm and a width of about 2 mm. 5000 or more emitters 1 and gates 2 are arranged at intervals of several μm and have a diameter of 1 m.
An electron emission region 6 of about m is formed. On the cold cathode element surface outside the electron emission region 6, the gate power supply layer 7 is extended as it is. This cold cathode element 5 is installed on a cathode support 27 made of a metal such as molybdenum. At this time, it may be fixed with an adhesive or the like. Further, the cathode support 27 is provided with this and o. Second support 2 made of metal such as Kovar which fits with a slight dimensional difference of about 05 mm
8 so as to be mutually movable in the axial direction. The second support 28 is formed with a hole 28H having a diameter of about 1 mm for bleeding air from the fitting portion. Further, the second support 28 is joined to the insulator 26 made of ceramic such as alumina by brazing, and is vacuum-sealed and simultaneously insulated from the focusing electrode support 30. The potential of the emitter 1 is connected to a lead wire or the like outside the vacuum of the second support 28 and supplied with power. The helical spring 29 is made of a material having a spring property even at a high temperature, such as a tungsten wire having a thickness of about 0.5 mm.
It is used after being annealed at about 1000 ° C. In the fixed state, the helical spring 29 is slightly contracted, and presses the cathode support 27 and the cold cathode element 5 in the direction of the focusing electrode 15. The focusing electrode 15 is made of a metal such as molybdenum, and a contact portion with the gate power supply layer 7 is preferably plated with gold to reduce contact resistance. The focusing electrode 15 is fixed at its outer diameter to a focusing electrode support 30 made of metal such as Kovar by welding.

【0042】集束電極15の表面形状は、電子ビームの
加速電圧を与える陽極25との間でできる電界分布が電
子ビーム18の集束に対して最適となるように、陽極2
5に対して開いた形となっている。これはピアス型電子
銃としてよく知られた形状に近いことが望ましいためで
ある。
The surface shape of the focusing electrode 15 is adjusted so that the electric field distribution formed between the focusing electrode 15 and the anode 25 for applying the acceleration voltage of the electron beam is optimal for the focusing of the electron beam 18.
It is open to 5. This is because it is desirable that the shape is close to a shape well-known as a pierce-type electron gun.

【0043】冷陰極のゲート2に10V〜100V程度
の(エミッタ1に対して正の)電圧を印加することによ
って、エミッタ1の円錐形状の先端部から電子が電界放
出により得られる。印加する電圧は、円錐形状の先端の
先鋭度およびゲートとの距離に依存し、通常上記の範囲
で必要な電流量に対して値が決定される。エミッタ1か
ら飛び出した電子は、陽極25に印加された数KVの高
電圧によって加速され、集束電極15との間で作られる
集束電界および外部から与えられる集束磁界によって集
束されて陽極25の中心孔を通過する。陽極25に印加
する加速電圧は、電子ビーム18を使用する用途によっ
て大きく異なり、進行波管などの場合には3KV以上の
電圧が普通である。
By applying a voltage of about 10 V to 100 V (positive with respect to the emitter 1) to the gate 2 of the cold cathode, electrons are obtained from the conical tip of the emitter 1 by field emission. The voltage to be applied depends on the sharpness of the tip of the conical shape and the distance from the gate, and the value is usually determined for the required amount of current in the above range. Electrons that have jumped out of the emitter 1 are accelerated by a high voltage of several KV applied to the anode 25 and are focused by a focusing electric field created between the focusing electrode 15 and a focusing magnetic field given from the outside, so that a central hole of the anode 25 is formed. Pass through. The accelerating voltage applied to the anode 25 varies greatly depending on the application in which the electron beam 18 is used. In the case of a traveling wave tube or the like, a voltage of 3 KV or more is usually used.

【0044】図3は本発明による冷陰極を使用した電子
銃の第二実施例の断面図である。図4は図3の電子銃に
使用した板状ばねの斜視図である。
FIG. 3 is a sectional view of an electron gun using a cold cathode according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a perspective view of a leaf spring used in the electron gun of FIG.

【0045】図3の電子銃は中心軸に対し回転対称構造
である。図3の第二実施例で使用される部材には図1の
第一実施例の同一部材に使用されたものと同一番号が付
されている。この第二実施例において、図1の第一実施
例と異なる点は、陰極支持体27とそれに嵌合する第二
の支持体28の間に挿入されたバネ性を有する金属部材
が、らせんばねではなく板ばね31である点である。板
状ばね31の形状の例としては、図4の斜視図に示すよ
うに、中心部に孔を有する段付き円板形状をしており、
固定された状態では、この板状ばね31は収縮した状態
である。板状ばね31の円周上には、ばねの変形を容易
にするために複数個のすわり32が形成されている。
The electron gun shown in FIG. 3 has a rotationally symmetric structure with respect to the central axis. The members used in the second embodiment of FIG. 3 are given the same numbers as those used for the same members in the first embodiment of FIG. The second embodiment differs from the first embodiment in FIG. 1 in that a metal member having a spring property inserted between a cathode support 27 and a second support 28 fitted thereto is a helical spring. This is not a leaf spring 31. As an example of the shape of the leaf spring 31, as shown in the perspective view of FIG. 4, it has a stepped disc shape having a hole at the center.
In a fixed state, the leaf spring 31 is in a contracted state. A plurality of seats 32 are formed on the circumference of the leaf spring 31 to facilitate the deformation of the spring.

【0046】この第二実施例の動作は上述の第一実施例
の動作と同じであるが、板状ばね31を使用しているた
め、第一実施例に比較し、電子銃全体の軸方向長さを短
くすることができるが、逆に径方向にはより大きい寸法
が必要となる。板状ばね31の素材として、らせんばね
と同様に高温でも劣化することのないインコネルやモリ
ブデンレニウム合金等を使用し、厚さ0.1mm程度の
板材から絞り加工およびすりわり加工により製作され、
陰極支持体27とそれに嵌合する第二の支持体28の間
に配置され、冷陰極素子5のゲート層と集束電極15の
接触を保つように働く。
The operation of the second embodiment is the same as that of the first embodiment described above. However, since the plate spring 31 is used, the axial direction of the entire electron gun is smaller than that of the first embodiment. The length can be shortened, but conversely a larger dimension is required in the radial direction. As a material of the plate-like spring 31, an inconel or a molybdenum-rhenium alloy which does not deteriorate even at a high temperature like a spiral spring is used, and is manufactured by drawing and cutting from a plate having a thickness of about 0.1 mm.
It is arranged between the cathode support 27 and the second support 28 fitted thereto, and serves to keep the contact between the gate layer of the cold cathode device 5 and the focusing electrode 15.

【0047】図5は本発明による冷陰極を使用した電子
銃の第三実施例の断面図である。図5の電子銃は中心軸
に対し回転対称構造である。図5の第三実施例で使用さ
れる部材には図1の第一実施例の同一部材に使用された
ものと同一番号が付されている。
FIG. 5 is a sectional view of a third embodiment of the electron gun using the cold cathode according to the present invention. The electron gun of FIG. 5 has a rotationally symmetric structure with respect to the central axis. The members used in the third embodiment of FIG. 5 are given the same numbers as those used for the same members in the first embodiment of FIG.

【0048】図5において、冷陰極素子5は図1、2に
示したものと同じであり、金属でできた陰極支持体27
上にシリコン基板部が接触するように固定される。陰極
支持体27の冷陰極素子5との接触部には、冷陰極素子
5の外径と嵌合する矩形または円形の凹部である陰極保
持部27Hが形成され、冷陰極素子5はこの凹部に接触
あるいは接着により固定されている。陰極保持部27H
の底部からは、これと一体に延在する円柱状の陰極支持
柱27Sが形成され、さらに陰極支持柱27Sの端部に
はフランジ部27Fを有し、フランジ部27Fは円筒状
の絶縁体26と気密接合されている。一方、冷陰極素子
5の表面上の電子放出領域の周囲部には、ゲート電極か
ら延長されたゲート給電層が形成されており、このゲー
ト給電層に接触するように金属でできた集束電極15が
設置される。集束電極15は中心部に電子ビーム18が
通るための孔を有する円環状部品であり、その表面形状
は陽極25との間の電位分布が最適となる形状が決めら
れており、その外周部において、これを支持する円筒状
の金属製の集束電極支持体30と嵌合している。集束電
極支持体30は集束電極15との嵌合部を有する円筒部
と、その反対側端部にフランジ部30Fを有し、フラン
ジ部30Fにて、円筒状の絶縁体26、17と気密接合
されている。
In FIG. 5, the cold cathode element 5 is the same as that shown in FIGS.
It is fixed so that a silicon substrate part contacts on it. At a contact portion of the cathode support 27 with the cold cathode device 5, a cathode holding portion 27H, which is a rectangular or circular concave portion fitted with the outer diameter of the cold cathode device 5, is formed. It is fixed by contact or adhesion. Cathode holder 27H
A column-shaped cathode support pillar 27S extending integrally therefrom is formed from the bottom of the cathode support pillar 27S. Further, the cathode support pillar 27S has a flange portion 27F at an end thereof, and the flange portion 27F is formed of a cylindrical insulator 26. And airtight. On the other hand, a gate power supply layer extending from the gate electrode is formed around the electron emission region on the surface of the cold cathode element 5, and the focusing electrode 15 made of metal is brought into contact with the gate power supply layer. Is installed. The focusing electrode 15 is an annular component having a hole at the center portion through which the electron beam 18 passes, and the surface shape is determined so that the potential distribution between the focusing electrode 15 and the anode 25 is optimal. , Which are fitted with a cylindrical metal focusing electrode support 30 that supports this. The focusing electrode support 30 has a cylindrical portion having a fitting portion with the focusing electrode 15 and a flange portion 30F at an end opposite to the cylindrical portion. The flange portion 30F is hermetically bonded to the cylindrical insulators 26 and 17 at the flange portion 30F. Have been.

【0049】集束電極15と集束電極支持体30の嵌合
部は、これら相互の径方向のずれを防止するために僅か
の寸法差で嵌合していることが望ましい。また、集束電
極15と集束電極支持体30との間には、一方が集束電
極支持体30に接合された板状のばね31が設置され、
板状のばね31は固定状態では収縮した状態であり、集
束電極15を冷陰極素子5のゲート層に圧接している。
板状のばね31は図3の実施例で説明したように図4に
示した形状を有する。
The fitting portion between the focusing electrode 15 and the focusing electrode support 30 is desirably fitted with a slight dimensional difference in order to prevent the mutual displacement in the radial direction. Further, between the focusing electrode 15 and the focusing electrode support 30, a plate-like spring 31 having one joined to the focusing electrode support 30 is provided,
The plate-shaped spring 31 is in a contracted state in a fixed state, and presses the focusing electrode 15 against the gate layer of the cold cathode element 5.
The plate-shaped spring 31 has the shape shown in FIG. 4 as described in the embodiment of FIG.

【0050】集束電極支持体30と陰極支持体27との
間は通常セラミックでできた円筒状の絶縁体26と接合
されている。さらに、集束電極支持体30と陽極25と
の間は、別のセラミックなどでできた円筒状絶縁体17
で接合されている。これらの電子銃全体の絶縁体17、
26から内側は真空で動作されるように、絶縁体17、
26と陰極支持体27および集束電極支持体30などの
間はろうづけにより気密接合されている。
The space between the focusing electrode support 30 and the cathode support 27 is joined to a cylindrical insulator 26 usually made of ceramic. Further, a cylindrical insulator 17 made of another ceramic or the like is provided between the focusing electrode support 30 and the anode 25.
It is joined by. The insulator 17 of these electron guns as a whole,
Insulator 17, so that the inside is operated in vacuum from 26,
26 and the cathode support 27 and the focusing electrode support 30 are hermetically joined by brazing.

【0051】図5に示す第三実施例の動作は図1に示し
た実施例の動作と同様である。ただし、冷陰極素子5の
ゲート給電層に対し、集束電極15が板状ばね31によ
り圧接されてゲート電位が給電され、外部からの加熱等
により、陰極支持体27および集束電極支持体30など
に熱膨張が生じた際には、集束電極15と集束電極支持
体30との間が軸方向に相互に可動し、これらの熱膨張
差を吸収し、冷陰極素子5に無理な力が加わることを防
止している。また、図3に示した実施例と同様に、軸方
向長さは図1の実施例に比較して必要としないものの、
板状ばね31を配置するための径方向の空間が必要とさ
れる。また、実施例として、図3に示した実施例と同様
に板状ばねはインコネルやモリブデンレニウム合金等の
高温ばね強度の強い板材から加工され、板状ばねの外周
部は集束電極支持体30に溶接等により接合されてい
る。
The operation of the third embodiment shown in FIG. 5 is the same as the operation of the embodiment shown in FIG. However, the focusing electrode 15 is pressed against the gate power supply layer of the cold cathode element 5 by the plate-shaped spring 31 so that the gate potential is supplied, and the cathode support 27 and the focusing electrode support 30 are heated by external heating or the like. When thermal expansion occurs, the focusing electrode 15 and the focusing electrode support 30 move axially with each other, absorb the difference in thermal expansion therebetween, and apply an unreasonable force to the cold cathode element 5. Has been prevented. Also, as in the embodiment shown in FIG. 3, the axial length is not required as compared with the embodiment in FIG.
A radial space for disposing the plate spring 31 is required. Further, as an example, the plate spring is processed from a plate material having a high-temperature spring strength such as Inconel or molybdenum rhenium alloy as in the embodiment shown in FIG. 3, and the outer peripheral portion of the plate spring is formed on the focusing electrode support 30. They are joined by welding or the like.

【0052】図6は図1に示す実施例の電子銃を組み込
んだマイクロ波管の代表的なものである進行波管の断面
図である。
FIG. 6 is a sectional view of a traveling wave tube which is a typical example of a microwave tube incorporating the electron gun of the embodiment shown in FIG.

【0053】図6の進行波管において、電子銃部11か
ら出て陽極25の中心孔を通過し、直線的に軸上を進行
する電子ビーム18の周囲には高周波回路部12の主要
構成要素であるらせん19が設置されている。このらせ
ん19はモリブデンあるいはタングステン等の融点の高
い線材をらせん状に巻いたものである。らせん19は、
その外側に位置する複数個の円環状磁石20とそれぞれ
の磁石の間に設置された円環状磁石21を積み重ねて形
成される集束装置の円筒の中に誘電体支持棒24によっ
て支持されており、誘電体支持棒24は通常3個の棒状
のセラミックでできている。らせん19の両側には、同
軸線路を形成する高周波入力部22および高周波出力部
23が設置され、これらの棒状の内導体33はらせん1
9に接続されている。また、真空封止のために同軸線路
の途中には円環状セラミック34が配置されている。高
周波回路のさらに下流には金属でできた円筒状のコレク
タ部13が配置されている。コレクタ部13と高周波回
路部12の間には円環状セラミックでできた絶縁体35
が設置され高周波回路部12と絶縁している。また、ら
せん19の周囲には、複数の円環状磁石21を交互に接
合した集束装置が設置されており、電子ビーム18の通
路に周期的集束磁界を発生させている。
In the traveling wave tube shown in FIG. 6, the main components of the high-frequency circuit section 12 are arranged around an electron beam 18 which exits from the electron gun section 11, passes through the center hole of the anode 25, and linearly advances on the axis. Spiral 19 is installed. The spiral 19 is formed by winding a wire having a high melting point such as molybdenum or tungsten in a spiral shape. Helix 19
A plurality of annular magnets 20 located outside thereof and an annular magnet 21 installed between the respective magnets are supported by a dielectric support rod 24 in a cylinder of a focusing device formed by stacking, and The dielectric support rod 24 is usually made of three rod-shaped ceramics. On both sides of the helix 19, a high-frequency input section 22 and a high-frequency output section 23 forming a coaxial line are provided.
9 is connected. In addition, an annular ceramic 34 is arranged in the middle of the coaxial line for vacuum sealing. Further downstream of the high frequency circuit, a cylindrical collector 13 made of metal is arranged. An insulator 35 made of an annular ceramic is provided between the collector section 13 and the high-frequency circuit section 12.
Are provided and insulated from the high-frequency circuit unit 12. A focusing device in which a plurality of annular magnets 21 are alternately joined is installed around the spiral 19, and generates a periodic focusing magnetic field in the path of the electron beam 18.

【0054】次に図6の進行波管の動作について説明す
る。
Next, the operation of the traveling wave tube shown in FIG. 6 will be described.

【0055】電子銃部11の冷陰極素子5から取り出さ
れた電子ビーム18は、高電圧により加速されるととも
に、集束15により最適に形成される電界分布と,複数
個の円環状磁石20とそれぞれの磁石の間に設置された
円環状磁石21により形成された集束装置により発生さ
れる磁界により集束され電子ビーム18として高周波回
路部12のらせん19の中に導かれる。らせん19の上
には高周波入力部22から導かれたマイクロ波が伝播
し、らせん19に沿って進行する。らせん19の直径お
よびピッチは、電子ビーム18とらせん19に沿って進
行するマイクロ波の速度がほぼ等しくなるように進行波
管の動作周波数に応じて決定されている。マイクロ波は
電子ビーム18とほぼ同じ速度で伝播することにより電
子ビーム18からエネルギを与えられ、増幅された後、
高周波出力部23から取り出される。マイクロ波との相
互作用を終えた電子ビーム18はコレクタ部13に捕捉
され熱エネルギに変換され管球外に放散される。
The electron beam 18 taken out from the cold cathode element 5 of the electron gun section 11 is accelerated by a high voltage, and the electric field distribution optimally formed by the focusing 15 and the plurality of annular magnets 20 Are focused by a magnetic field generated by a focusing device formed by an annular magnet 21 disposed between the magnets, and are guided as an electron beam 18 into a spiral 19 of the high-frequency circuit section 12. The microwave guided from the high frequency input unit 22 propagates on the helix 19 and travels along the helix 19. The diameter and pitch of the helix 19 are determined according to the operating frequency of the traveling wave tube so that the electron beam 18 and the microwave traveling along the helix 19 are almost equal in speed. The microwave is energized by the electron beam 18 by propagating at approximately the same speed as the electron beam 18 and after being amplified,
It is taken out from the high frequency output unit 23. The electron beam 18 having completed the interaction with the microwave is captured by the collector 13 and converted into thermal energy and radiated out of the tube.

【0056】なお、図6においては図1に示す電子銃を
組み込んだ実施例を示したが、他の本発明の電子銃を使
用しても同様な動作をうることができる。
Although FIG. 6 shows an embodiment incorporating the electron gun shown in FIG. 1, the same operation can be obtained by using another electron gun of the present invention.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明したように発明によれば、次の
ように極めて優れた効果が得られる。 (1)陰極支持体とこれに嵌合する第二の支持体との
間、あるいは、集束電極と集束電極支持体との間にばね
を有し、冷陰極素子と集束電極とを押圧して冷陰極素子
のゲート給電層と集束電極との接触を保っているので、
進行波管などの電子銃を使用する管球が500℃程度の
温度にさらされた場合にも、冷陰極素子の破壊や、冷陰
極素子の固定が緩くなることなく、冷陰極素子のエミッ
タおよびゲートとそれらの支持体あるいは電極が接触
し、安定に電位を供給できる効果がある。 (2)集束電極自身にばね性を与えるのでなく、あるい
は、ゲートへの給電部品を集束電極と別に設置するので
なく、冷陰極の支持体部または集束電極の支持体にばね
性金属を備えることによってゲート給電層と集束電極と
の接触を保っており、集束電極自身の形状に関しては接
触不良を防止するため薄い板状にしなければならない等
の制限がなく、陽極と陰極間の電位分布が電子ビーム集
束にとって最適となるように集束電極形状を決定するこ
とができるから、冷陰極のゲート給電層と接触しその電
位を供給する集束電極の形状を、電子ビーム集束のため
の最適な電界分布を与えるように設計でき、リップル等
の少ない良好な直線状のビームを得ることができ、特性
の良い管球を実現できる効果がある。 (3)冷陰極を電子源とした電子銃を使用し、電子ビー
ム特性が良好で温度などの環境特性に対し安定な電子銃
を実現できるから、陰極予熱時間の必要がなく効率の高
い進行波管等のマイクロ波管を実現できる効果がある。
According to the present invention as described above, the following excellent effects can be obtained. (1) A spring is provided between the cathode support and the second support fitted to the cathode support or between the focusing electrode and the focusing electrode support to press the cold cathode element and the focusing electrode. Since the contact between the gate power supply layer of the cold cathode device and the focusing electrode is maintained,
Even when a bulb using an electron gun such as a traveling-wave tube is exposed to a temperature of about 500 ° C., the cold cathode device is not destroyed and the fixation of the cold cathode device is not loosened. There is an effect that the gates and their supports or electrodes come into contact with each other, and the potential can be stably supplied. (2) A spring metal is provided on the cold cathode support or the support of the focusing electrode without providing spring properties to the focusing electrode itself or installing a power supply part to the gate separately from the focusing electrode. The contact between the gate power supply layer and the focusing electrode is maintained, and there is no restriction on the shape of the focusing electrode itself, such as the need to form a thin plate to prevent poor contact. Since the shape of the focusing electrode can be determined so as to be optimal for beam focusing, the shape of the focusing electrode that comes in contact with the gate power supply layer of the cold cathode and supplies its potential is determined by the optimal electric field distribution for electron beam focusing. It can be designed to give a good linear beam with little ripple and the like, and has the effect of realizing a tube with good characteristics. (3) Since an electron gun using a cold cathode as an electron source is used, and an electron gun having good electron beam characteristics and stable against environmental characteristics such as temperature can be realized, a traveling wave having a high efficiency without a cathode preheating time is required. There is an effect that a microwave tube such as a tube can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による冷陰極を使用した電子銃の第一実
施例の断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a first embodiment of an electron gun using a cold cathode according to the present invention.

【図2】図1に示す冷陰極素子の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the cold cathode device shown in FIG.

【図3】本発明による冷陰極を使用した電子銃の第二実
施例の断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of an electron gun using a cold cathode according to a second embodiment of the present invention;

【図4】図3の電子銃に使用した板状ばねの斜視図であ
る。
FIG. 4 is a perspective view of a leaf spring used in the electron gun of FIG. 3;

【図5】本発明による冷陰極を使用した電子銃の第三実
施例の断面図である。
FIG. 5 is a sectional view of an electron gun using a cold cathode according to a third embodiment of the present invention.

【図6】図1に示す実施例の電子銃を組み込んだマイク
ロ波管の代表的なものである進行波管の断面図である。
6 is a cross-sectional view of a traveling wave tube which is a typical example of a microwave tube incorporating the electron gun of the embodiment shown in FIG.

【図7】従来の熱陰極を使用した進行波管の断面図であ
る。
FIG. 7 is a sectional view of a traveling wave tube using a conventional hot cathode.

【図8】従来の冷陰極を使用した電子銃の縦断面図であ
る。
FIG. 8 is a longitudinal sectional view of an electron gun using a conventional cold cathode.

【図9】図8の電子銃の陰極付近の拡大図である。FIG. 9 is an enlarged view of the vicinity of the cathode of the electron gun of FIG.

【図10】従来の冷陰極を使用した別の電子銃の縦断面
図である。
FIG. 10 is a vertical sectional view of another electron gun using a conventional cold cathode.

【図11】電界放出型冷陰極素子の部分断面図である。FIG. 11 is a partial sectional view of a field emission cold cathode device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 エミッタ 2 ゲート 3 シリコン基板 4 絶縁層 5 冷陰極素子 6 電子放出領域 7 ゲート給電層 11 電子銃部 12 高周波回路部 13 コレクタ部 14 熱陰極 15 集束電極 16 ヒータ 17 絶縁体 18 電子ビーム 19 らせん 20 磁石 21 磁極 22 高周波入力部 23 高周波出力部 24 誘電体支持棒 25 陽極 26 絶縁体 27 陰極支持体 27H 陰極保持部 27S 陰極支持柱 28 支持体 28F フランジ部 28H 孔 29 らせんばね 30 集束電極支持体 30F フランジ部 31 板状ばね 32 すりわり 33 内導体 34 セラミック 35 絶縁体 111 ガラス容器 112 電子銃 113 ララミック基板 114 基板 115 カソード導体 116 絶縁層 117 ゲート 119 エミッタ 120 電界放出型冷陰極 121 カソードステム 122 ゲート給電部品 123 ゲートステム 124 絶縁層 125 第一電子ビーム集束電極 126 リード端子 127 絶縁材 128 第二電子ビーム集束電極 129 リード端子 202 電子ビーム 211 陽極 212 集束電極 239 冷陰極素子 243 冷陰極支持体 244 冷陰極 257 電子放出領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Emitter 2 Gate 3 Silicon substrate 4 Insulating layer 5 Cold cathode device 6 Electron emission area 7 Gate feeding layer 11 Electron gun section 12 High frequency circuit section 13 Collector section 14 Hot cathode 15 Focusing electrode 16 Heater 17 Insulator 18 Electron beam 19 Spiral 20 Magnet 21 Magnetic pole 22 High frequency input unit 23 High frequency output unit 24 Dielectric support rod 25 Anode 26 Insulator 27 Cathode support 27H Cathode holding unit 27S Cathode support column 28 Support 28F Flange 28H Hole 29 Spiral spring 30 Focusing electrode support 30F Flange part 31 Plate spring 32 Slit 33 Inner conductor 34 Ceramic 35 Insulator 111 Glass container 112 Electron gun 113 Laramic substrate 114 Substrate 115 Cathode conductor 116 Insulating layer 117 Gate 119 Emitter 120 Field emission cold cathode 121 Caso Stem 122 Gate feeding component 123 Gate stem 124 Insulating layer 125 First electron beam focusing electrode 126 Lead terminal 127 Insulating material 128 Second electron beam focusing electrode 129 Lead terminal 202 Electron beam 211 Anode 212 Focusing electrode 239 Cold cathode device 243 Cold cathode support Body 244 Cold cathode 257 Electron emission area

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 エミッタおよびゲートを平面上に複数個
配列して形成される電界放出型冷陰極素子を電子源とし
て使用した電子銃において、前記電界放出型冷陰極素子
上で電子放出領域の周囲に形成されたゲート層表面に接
触して配置された集束電極と、前記冷陰極素子を支持す
る支持体を含み、該支持体はさらに第二の支持体と嵌合
し、これら二つの支持体の間には弾性を有する金属部品
を備え、前記冷陰極を支持する支持体下部を押圧してゲ
ート層と集束電極の接触を保ち、集束電極を介してゲー
ト層へ給電することを特徴とする冷陰極を使用した電子
銃。
1. An electron gun using, as an electron source, a field emission cold-cathode device formed by arranging a plurality of emitters and gates on a plane, and surrounding an electron emission region on the field emission cold-cathode device. A focusing electrode arranged in contact with the surface of the gate layer formed on the substrate, and a support for supporting the cold-cathode device, the support further fitted with a second support, and these two supports A metal part having elasticity is provided therebetween, and the lower part of the support supporting the cold cathode is pressed to maintain contact between the gate layer and the focusing electrode, and power is supplied to the gate layer via the focusing electrode. An electron gun using a cold cathode.
【請求項2】 エミッタおよびゲートを平面上に複数個
配列して形成される電界放出型冷陰極素子を電子源とし
て使用した電子銃において、前記電界放出型冷陰極素子
上で電子放出領域の周囲に形成されたゲート層表面に接
触して配置された集束電極と、前記冷陰極素子を支持す
る支持体を含み、前記集束電極はこれを支持する別の支
持体と嵌合し、該支持体と集束電極の間には弾性を有す
る金属部品を備え、集束電極を冷陰極ゲート層の上方よ
り押圧してゲート層と集束電極の接触を保ち、集束電極
を介してゲート層へ給電することを特徴とする冷陰極を
使用した電子銃。
2. An electron gun using, as an electron source, a field emission type cold cathode device formed by arranging a plurality of emitters and gates on a plane. A focusing electrode disposed in contact with the surface of the gate layer formed on the substrate, and a support for supporting the cold cathode element, wherein the focusing electrode is fitted with another support for supporting the cold cathode element, A metal part having elasticity is provided between the focusing electrode and the focusing electrode, and the focusing electrode is pressed from above the cold cathode gate layer to maintain contact between the gate layer and the focusing electrode, and to supply power to the gate layer via the focusing electrode. An electron gun using a cold cathode.
【請求項3】 請求項1に記載の電子銃を電子ビーム源
として使用したことを特徴とするマイクロ波管。
3. A microwave tube using the electron gun according to claim 1 as an electron beam source.
【請求項4】 請求項2に記載の電子銃を電子ビーム源
として使用したことを特徴とするマイクロ波管。
4. A microwave tube using the electron gun according to claim 2 as an electron beam source.
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