JP2861178B2 - Time division optical separation circuit - Google Patents

Time division optical separation circuit

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JP2861178B2 JP2014520A JP1452090A JP2861178B2 JP 2861178 B2 JP2861178 B2 JP 2861178B2 JP 2014520 A JP2014520 A JP 2014520A JP 1452090 A JP1452090 A JP 1452090A JP 2861178 B2 JP2861178 B2 JP 2861178B2
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【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光通信システムに用いられる時分割光分離回
路に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a time division optical separation circuit used in an optical communication system.

(従来の技術) 近年、光ファイバ伝送系の性能の向上および大容量通
信を目的として伝送速度が10Gb/sクラスの光ファイバ伝
送系の研究が行なわれている。このような大容量光通信
系には、高速で応答する光送信系および光受信系、時分
割多重により大容量のデータを生成する時分割多重回路
(MUX)、大容量のデータから容量の小さなデータにデ
ータ分離を行う時分割分離回路(DMUX)の開発が不可欠
である。このようなMUXおよびDMUXの開発において、高
速のSi-ICまたはGaAs-ICにより高速論理動作が実現され
つつある。このような高速ICによるDMUXの例としては、
K.RUNGEらによる“Submicron Silicon Bipolar Master-
Slave D-Type Flip-Flop for use as 8.1Gb/s decision
Circuits and 11.2Gb/s Demulti plexer"(Electronic
s Letters′ 1989 vol.25)の報告がある。この例では
Si-ICを用いて11Gb/sの電気信号を2系統の5.5Gb/sの電
気信号に分離するDMUXを実現している。
(Prior Art) In recent years, research has been conducted on an optical fiber transmission system having a transmission speed of 10 Gb / s class for the purpose of improving the performance of the optical fiber transmission system and large-capacity communication. Such large-capacity optical communication systems include an optical transmission system and an optical reception system that respond at high speed, a time-division multiplexing circuit (MUX) that generates large-capacity data by time-division multiplexing, and small-capacity data from large-capacity data. It is essential to develop a time division separation circuit (DMUX) that separates data into data. In the development of such MUX and DMUX, high-speed logic operation is being realized by high-speed Si-IC or GaAs-IC. Examples of DMUX using such high-speed ICs include:
“Submicron Silicon Bipolar Master- by K.RUNGE and others
Slave D-Type Flip-Flop for use as 8.1Gb / s decision
Circuits and 11.2Gb / s Demulti plexer "(Electronic
s Letters' 1989 vol.25). In this example
A DMUX that separates 11 Gb / s electric signals into two 5.5 Gb / s electric signals using Si-IC is realized.

しかしながら、このようなICを用いたMUX,DMUXはICの
トランジスタセルの速度によって応答速度が制限される
から、より高速の論理動作は困難となってきている。ま
た、このようなICによるDMUXでは、回路が複雑になるか
ら、回路の製作の歩どまりが悪い。
However, since the response speed of the MUX and DMUX using such an IC is limited by the speed of the transistor cell of the IC, it is becoming difficult to perform a higher-speed logic operation. In addition, in the DMUX using such an IC, the circuit is complicated, so that the production yield of the circuit is poor.

そこで、高速の光データ時分割回路を実現するため
に、光のデータ信号について時分割多重および時分割分
離を光スイッチにより光のまま直接に行う方法が試みら
れている。例えばL.C.Blankによる“Multi-Gbitls Opti
cal time division multiplexing employing LiNbO3 sw
itches with low-frequency sinewave drive."(Electr
onics Letters,1989,vol.24)の報告がある。この例で
は、方向性結合器型のLiNbO3による光スイッチを用いて
光信号の時分割多重および時分割分離を行なっており、
12Gb/sでのMUX,DMUX動作を実現している。このMUX,DMUX
では、方向性結合器型のLiNbO3光スイッチの電極に光信
号のデータ伝送速度BのN倍(速度B・N)または1/N
倍(速度B/N)のクロック信号電圧を印加することによ
って、光信号のデータ多重(MUX)または光信号のデー
タ分離(DMUX)が実現されている。
Therefore, in order to realize a high-speed optical data time-division circuit, a method of directly performing time-division multiplexing and time-division separation on an optical data signal by using an optical switch as light is being attempted. For example, “Multi-Gbitls Opti by LCBlank
cal time division multiplexing employing LiNbO 3 sw
itches with low-frequency sinewave drive. "(Electr
onics Letters, 1989, vol. 24). In this example, time division multiplexing and time division demultiplexing of an optical signal are performed using an optical switch using a directional coupler type LiNbO 3 ,
MUX and DMUX operation at 12Gb / s is realized. This MUX, DMUX
Then, the electrode of the directional coupler type LiNbO 3 optical switch is provided with N times (speed B · N) or 1 / N of the data transmission speed B of the optical signal.
By applying a clock signal voltage twice (speed B / N), data multiplexing (MUX) of optical signals or data separation (DMUX) of optical signals is realized.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、前述の光データ信号を直接MUX,DMUXす
る装置では、LiNbO3の方向性結合器型光スイッチを用い
るから、光スイッチの形状が大きく装置化が困難である
という欠点があり、さらにはLiNbO3の光スイッチには現
在駆動電圧が高くドリフト等の問題があるから装置の信
頼性が低くなるという欠点がある。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in the device for directly MUX and DMUX of the optical data signal described above, since a directional coupler type optical switch of LiNbO 3 is used, the shape of the optical switch is large and it is difficult to implement the device. In addition, the LiNbO 3 optical switch has a disadvantage that the drive voltage is high at present and there is a problem such as drift, so that the reliability of the device is low.

そこで本発明の目的は、回路および装置の小型化が可
能な半導体光変調器を用いた光データ信号の時分割光分
離回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a time-division optical separation circuit for optical data signals using a semiconductor optical modulator capable of downsizing circuits and devices.

(課題を解決するための手段) 本発明に係る第1の時分割光分離回路は、電圧を印加
すると光吸収率が変化し、吸収した光を電流に変換する
半導体光変調器と、該半導体光変調器と光学的に結合し
てあって受信した光を電流に変換する光検出器とを有
し、前記半導体光変調器には時分割多重された光信号が
入力され、前記光信号のデータ伝送速度の1/N(Nは2
又はそれ以上の正の整数)の速度のクロック信号電圧が
印加してあり、前記光検出器には前記半導体光変調器を
透過した光が入力され、前記半導体光変調器からは前記
光信号から前記クロック信号電圧に同期したビットの信
号を電流として取り出し、前記光検出器からは前記光信
号の残りの信号を電流として取り出すことを特徴とす
る。
(Means for Solving the Problems) A first time-division light separating circuit according to the present invention comprises a semiconductor optical modulator that changes a light absorption rate when a voltage is applied and converts absorbed light into a current; A light detector that is optically coupled to the optical modulator and converts received light into a current, and a time-division multiplexed optical signal is input to the semiconductor optical modulator; 1 / N of data transmission rate (N is 2
Or a positive integer greater than that), a clock signal voltage is applied, the light transmitted through the semiconductor optical modulator is input to the photodetector, and the light signal is output from the semiconductor optical modulator from the optical signal. A bit signal synchronized with the clock signal voltage is extracted as a current, and the remaining signal of the optical signal is extracted as a current from the photodetector.

また本発明に係る第2の時分割光分離回路は、入力す
る光信号に対して光学的に縦続結合してある電圧を印加
すると光吸収率が変化し、吸収した光を電流に変換する
N個の半導体光変調器を有し、前記光信号はN個のデー
タ信号が時分割多重された伝送速度がBの光信号であ
り、前記N個の半導体光変調器には速度がB/Nのクロッ
ク信号電圧がそれぞれ2π/Nの位相差で印加してあり、
前記N個の半導体光変調器からそれぞれ前記光信号を1/
Nに時分割分離したデータ信号を電流として取り出すこ
とを特徴とする。
Further, the second time-division light separating circuit according to the present invention is such that when a voltage optically cascaded to an input optical signal is applied, the light absorptance changes and the absorbed light is converted into a current. Semiconductor optical modulators, wherein the optical signal is an optical signal having a transmission rate of B in which N data signals are time-division multiplexed, and the N semiconductor optical modulators have a rate of B / N. Clock signal voltages are applied with a phase difference of 2π / N, respectively.
Each of the optical signals from the N semiconductor optical modulators is 1 /
It is characterized in that a data signal time-division-divided into N is extracted as a current.

(作用) 本発明の時分割光分離回路は、電圧を印加することに
より光吸収率が変化し、吸収した光を電流に変換する半
導体光変調器を時分割光分離素子として用いる。時分割
多重された光信号は1/Nのビット間隔で、半導体光変調
器内で吸収され、他のビット間隔の光信号は半導体光変
調器を損失なく通過する。
(Operation) The time-division light separation circuit of the present invention uses a semiconductor optical modulator that changes the light absorption rate by applying a voltage and converts the absorbed light into a current as a time-division light separation element. The time-division multiplexed optical signal is absorbed in the semiconductor optical modulator at 1 / N bit intervals, and the optical signals with other bit intervals pass through the semiconductor optical modulator without loss.

本発明の時分割光分離回路に用いる半導体光変調器の
動作原理を第3図を用いて説明する。
The operating principle of the semiconductor optical modulator used in the time division light splitting circuit of the present invention will be described with reference to FIG.

第3図は、半導体光変調器を用いて2系列の時分割多
重された光信号を1/2のビット間隔で時分割分離する場
合に於ける時分割分離動作を説明する図である。第3図
(a)は半導体光変調器に入力する伝送速度Bの光信号
の波形であり、この光波形は2系列のデータ信号が時分
割多重された波形である。第3図(b)は半導体光変調
器に入力する速度B/2のクロック信号電圧の波形であ
る。
FIG. 3 is a diagram for explaining a time-division demultiplexing operation in a case where a two-series time-division multiplexed optical signal is time-division-demultiplexed at a half bit interval using a semiconductor optical modulator. FIG. 3 (a) shows a waveform of an optical signal having a transmission rate B input to the semiconductor optical modulator. This optical waveform is a waveform obtained by time-division multiplexing of two series of data signals. FIG. 3B shows a waveform of a clock signal voltage at a speed B / 2 input to the semiconductor optical modulator.

本発明の半導体光変調器では、クロック信号電圧が印
加されて同時に光信号が入力される場合には、半導体光
変調器内で光信号が吸収されて電流に変換される。一
方、クロック信号電圧が印加されていないときは光吸収
は起こらず、光信号は減衰することなく、半導体光変調
器を通過する。
In the semiconductor optical modulator of the present invention, when a clock signal voltage is applied and an optical signal is input at the same time, the optical signal is absorbed in the semiconductor optical modulator and converted into a current. On the other hand, when no clock signal voltage is applied, light absorption does not occur, and the optical signal passes through the semiconductor optical modulator without attenuation.

従って、第3図(a)に示す光信号と第3図(b)に
示すクロック信号電圧が印加される場合には、半導体光
変調器に流れる電流は第3図(c)に示す様になり、半
導体光変調器から出力される光出力パワーは第3図
(d)に示す様になる。ここで第3図(c)は、第3図
(a)に示す光信号が1/2時分割分離された光信号に対
応する電流波形であり、この電流波形を外部抵抗に入力
すれば1/2時分割分離された光信号を電圧波形として取
り出すことができる。第3図(d)に示す半導体光変調
器からの光出力波形は、第3図(c)に示す電流波形に
対して1ビットずれた1/2時分割分離光波形となってい
る。この光波形を光検出器等で受光して電圧波形に変換
することにより、第3図(c)に示す電流波形とは1ビ
ットずれた1/2時分割分離電圧波形が得られる。
Therefore, when the optical signal shown in FIG. 3 (a) and the clock signal voltage shown in FIG. 3 (b) are applied, the current flowing through the semiconductor optical modulator becomes as shown in FIG. 3 (c). Thus, the optical output power output from the semiconductor optical modulator is as shown in FIG. FIG. 3C shows a current waveform corresponding to the optical signal obtained by dividing the optical signal shown in FIG. 3A by 1/2 time division. It is possible to extract an optical signal separated by a time division of 1/2 as a voltage waveform. The optical output waveform from the semiconductor optical modulator shown in FIG. 3 (d) is a 1/2 time-division separated optical waveform which is shifted by one bit from the current waveform shown in FIG. 3 (c). This optical waveform is received by a photodetector or the like and converted into a voltage waveform, whereby a 1/2 time-division separated voltage waveform shifted by one bit from the current waveform shown in FIG. 3C is obtained.

以上に述べた様に、半導体光変調器を時分割光分離回
路の時分割光分離素子として用いることにより、小型で
信頼性の高い時分割光分離回路が実現できる。
As described above, by using the semiconductor optical modulator as the time division light separation element of the time division light separation circuit, a small and highly reliable time division light separation circuit can be realized.

(実施例) 次に、図面を参照して本発明をさらに詳しく説明す
る。
Next, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1の実施例を示すブロック図であ
る。本実施例の時分割光分離回路は、2系列のデータが
時分割多重され、データ伝送速度が20Gb/sである光信号
5の時分割分離を行う。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. The time division optical demultiplexing circuit according to the present embodiment performs time division demultiplexing of an optical signal 5 whose two data streams are time division multiplexed and whose data transmission speed is 20 Gb / s.

第1図において、光信号5は電圧が印加されることに
よって光吸収率が変化し、吸収した光を電流に変換する
半導体光変調器1に入力される。この半導体光変調器1
を透過して出力されるデータ伝送速度が10Gb/sの光信号
6はPINフォトダイオードを用いた光検出器2に入力さ
れる。半導体光変調器1にはクロック電圧発生器7から
10Gb/sのクロック信号電圧が印加してあり、この10Gb/s
のクロック信号電圧の位相は移相器8で調整される。半
導体光変調器1および光検出器2には、電流波形を電圧
に変換する抵抗RL1およびRL2がそれぞれ接続してあり、
さらに十分な電圧振幅を得るために広帯域のアンプ3お
よび4がそれぞれ接続してある。
In FIG. 1, an optical signal 5 is inputted to a semiconductor optical modulator 1 whose optical absorptance changes when a voltage is applied and which converts absorbed light into a current. This semiconductor optical modulator 1
An optical signal 6 having a data transmission rate of 10 Gb / s and output through the optical input is input to a photodetector 2 using a PIN photodiode. The semiconductor optical modulator 1 has a clock voltage generator 7
10Gb / s clock signal voltage is applied, and this 10Gb / s
Is adjusted by the phase shifter 8. Resistors R L1 and R L2 for converting a current waveform into a voltage are connected to the semiconductor optical modulator 1 and the photodetector 2, respectively.
Further, wideband amplifiers 3 and 4 are connected to obtain a sufficient voltage amplitude.

本実施例を用いて半導体光変調器1に印加するクロッ
ク信号電圧の位相を移相器8で最適値に調整して、波長
が1.55μmでデータ伝送速度が20Gb/sである光信号5の
2系列時分割光分離を行うと、光信号5の入力パワーが
−20dBmと小さい状態でもアンプ3および4から符号誤
りのない10Gb/sの良好なデータ分離信号を得ることがで
きる。
Using the present embodiment, the phase of the clock signal voltage applied to the semiconductor optical modulator 1 is adjusted to an optimum value by the phase shifter 8, and the phase of the optical signal 5 having a wavelength of 1.55 μm and a data transmission speed of 20 Gb / s is obtained. When two-sequence time-division optical separation is performed, a good data-separated signal of 10 Gb / s free from code errors can be obtained from the amplifiers 3 and 4 even when the input power of the optical signal 5 is as small as −20 dBm.

第2図は本発明の第2の実施例を示すブロック図であ
る。本実施例は、電圧を印加することにより光吸収率が
変化し、吸収した光を電流に変換する4個の半導体光変
調器1,11,12,13を光学的に縦続結合して4系列のデータ
が時分割多重された光信号5を4系列のデータ信号に時
分割分離するものである。各半導体光変調器1,11,12,13
には、クロック電圧発生器7の出力であるパルス幅が40
psで振幅が2Vである5Gb/sのクロック信号電圧が印加し
てあり、これらの4つのクロック信号電圧の位相は移相
器8,9,10を用いてそれぞれの位相差が50psとなる様に調
整してある。また、各半導体光変調器1,11,12,13には電
流波形を電圧に変換するためにそれぞれ抵抗RL1,RL2,R
L3,RL4およびアンプ3,4,16,17が接続してある。
FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the optical absorptance is changed by applying a voltage, and four semiconductor optical modulators 1, 11, 12, and 13 for converting the absorbed light into a current are optically cascaded to form four series. Is time-division-demultiplexed from the optical signal 5 in which the data of FIG. Each semiconductor optical modulator 1,11,12,13
The pulse width of the output of the clock voltage generator 7 is 40
A clock signal voltage of 5 Gb / s with an amplitude of 2 V at ps is applied, and the phase of these four clock signal voltages is adjusted to 50 ps by using phase shifters 8, 9, and 10. Has been adjusted to. The semiconductor optical modulators 1, 11, 12, and 13 have resistors R L1 , R L2 , R
L3 , RL4 and amplifiers 3 , 4, 16, 17 are connected.

本実施例を用いて、波長が1.55μmでデータ伝送速度
が20Gb/sであって4系列のデータが時分割光多重された
光信号5の時分割光分離を行うと、光信号5の光入力パ
ワーが−23dBmと小さい場合でも各アンプ3,4,16,17から
符号誤りのない5Gb/sの良好なデータ分離信号を得るこ
とができる。
Using this embodiment, when the time-division optical separation of the optical signal 5 in which the wavelength is 1.55 μm, the data transmission speed is 20 Gb / s, and the four series of data are time-division multiplexed, the light of the optical signal 5 is obtained. Even when the input power is as small as −23 dBm, a good data separation signal of 5 Gb / s without a code error can be obtained from each of the amplifiers 3, 4, 16, and 17.

以上、2つの実施例を用いて本発明の時分割光分離回
路について説明したが、本発明は上述の実施例以外の様
々な態様にも利用できる。
As described above, the time division light splitting circuit of the present invention has been described using the two embodiments. However, the present invention can be applied to various aspects other than the above-described embodiments.

たとえば、本実施例の時分割光分離回路では個別の半
導体光変調器を用いて構成したが、光素子を同一基板に
集積すると光の結合効率を高めることができる。また、
時分割光分離回路の分離数は上述した2つの実施例の2
系列、4系列に限らず、何系列にもすることができる。
For example, although the time-division light separation circuit of this embodiment is configured using individual semiconductor optical modulators, integrating optical elements on the same substrate can increase the light coupling efficiency. Also,
The number of separations of the time-division light separation circuit is 2 in the two embodiments described above.
The number of streams is not limited to four, and can be any number.

本発明の時分割光分離回路の入力側に光増幅器等を用
いると、時分割光分離回路の高感度化を図ることができ
る。
When an optical amplifier or the like is used on the input side of the time division light separation circuit of the present invention, the sensitivity of the time division light separation circuit can be increased.

また、第2図に示した実施例において、最終段の半導
体光変調器13は第1図に示した実施例に用いた光検出器
でも良い。
In the embodiment shown in FIG. 2, the semiconductor optical modulator 13 at the last stage may be the photodetector used in the embodiment shown in FIG.

(発明の効果) 以上に詳しく説明した様に本発明によれば、半導体光
変調器を光データ信号の時分割光分離回路の時分割光分
離素子として用いることにより、小型で高信頼性の時分
割光分離回路が実現できる。
(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the present invention, by using a semiconductor optical modulator as a time division optical separation element of a time division optical separation circuit for optical data signals, a small and highly reliable A split light splitting circuit can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の第1の実施例を示すブロック図、第2
図は本発明の第2の実施例を示すブロック図、第3図は
本発明の時分割光分離回路に用いる半導体光変調器の動
作を説明する図である。 1,11,12,13……半導体光変調器、2……光検出器、3,4,
16,17……アンプ、5,6,14,15……光信号、7……クロッ
ク電圧発生器、8,9,10……移相器。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the semiconductor optical modulator used in the time division light splitting circuit of the present invention. 1,11,12,13 …… Semiconductor optical modulator, 2 …… Photodetector, 3,4,
16, 17 ... amplifier, 5, 6, 14, 15 ... optical signal, 7 ... clock voltage generator, 8, 9, 10 ... phase shifter.

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】電圧を印加すると光吸収率が変化し、吸収
した光を電流に変換する半導体光変調器と、該半導体光
変調器と光学的に結合してあって受信した光を電流に変
換する光検出器とを有し、前記半導体光変調器には時分
割多重された光信号が入力され、前記光信号のデータ伝
送速度の1/N(Nは2又はそれ以上の正の整数)の速度
のクロック信号電圧が印加してあり、前記光検出器には
前記半導体光変調器を透過した光が入力され、前記半導
体光変調器からは前記光信号から前記クロック信号電圧
に同期したビットの信号を電流として取り出し、前記光
検出器からは前記光信号の残りの信号を電流として取り
出すことを特徴とする時分割光分離回路。
1. A semiconductor optical modulator for converting an absorbed light into a current when a voltage is applied and converting the absorbed light into a current, and a light optically coupled with the semiconductor optical modulator and receiving the received light into a current. A time-division multiplexed optical signal is input to the semiconductor optical modulator, and 1 / N (N is a positive integer of 2 or more) of the data transmission rate of the optical signal. ), A clock signal voltage is applied to the photodetector, light transmitted through the semiconductor optical modulator is input to the photodetector, and the semiconductor optical modulator synchronizes the optical signal with the clock signal voltage from the optical signal. A time division optical separation circuit, wherein a bit signal is extracted as a current, and the remaining signal of the optical signal is extracted as a current from the photodetector.
【請求項2】入力する光信号に対して光学的に縦続結合
してある電圧を印加すると光吸収率が変化し、吸収した
光を電流に変換するN個の半導体光変調器を有し、前記
光信号はN個のデータ信号が時分割多重された伝送速度
がBの光信号であり、前記N個の半導体光変調器には速
度がB/Nのクロック信号電圧がそれぞれ2π/Nの位相差
で印加してあり、前記N個の半導体光変調器からそれぞ
れ前記光信号を1/Nに時分割分離したデータ信号を電流
として取り出すことを特徴とする時分割光分離回路。
2. A semiconductor optical modulator comprising: N semiconductor optical modulators for changing a light absorption rate when a voltage optically cascaded to an input optical signal is applied and converting the absorbed light into a current; The optical signal is an optical signal having a transmission rate of B obtained by time-division multiplexing of N data signals, and the N semiconductor optical modulators each have a clock signal voltage of 2π / N at a rate of B / N. A time-division optical separation circuit which is applied with a phase difference and extracts a data signal obtained by time-divisionally dividing the optical signal into 1 / N from the N semiconductor optical modulators as a current.
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