JP2831217B2 - Distance measuring circuit - Google Patents

Distance measuring circuit

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JP2831217B2
JP2831217B2 JP31253992A JP31253992A JP2831217B2 JP 2831217 B2 JP2831217 B2 JP 2831217B2 JP 31253992 A JP31253992 A JP 31253992A JP 31253992 A JP31253992 A JP 31253992A JP 2831217 B2 JP2831217 B2 JP 2831217B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はカメラ側から光を発し被
写体からの反射光量を検知し被写体までの距離の測定を
行なう光量検出式の測距回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light-amount detecting distance measuring circuit which emits light from a camera, detects the amount of reflected light from a subject, and measures the distance to the subject.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2に従来の光量検出式の測距回路を示
す。同図において、Q1は被写体からの反射光量を検知
するSPD(シリコン・ホト・ダイオード)であり、そ
のカソードは電源VCCに、アノードはトランジスタQ
3、Q6の各ベースとトランジスタQ2のコレクタに接
続されている。このシリコン・ホト・ダイオードQ1に
入射した光Lに応じた電流が、そのアノードから前記ト
ランジスタQ3、Q6の各ベースとトランジスタQ2の
コレクタに流れ込む。
2. Description of the Related Art FIG. 2 shows a conventional light detection type distance measuring circuit. In the figure, Q1 is an SPD (silicon photo diode) for detecting the amount of light reflected from the subject, the cathode of which is a power supply VCC, and the anode of which is a transistor Q.
3, and the base of Q6 and the collector of transistor Q2. A current corresponding to the light L incident on the silicon photodiode Q1 flows from the anode into the bases of the transistors Q3 and Q6 and the collector of the transistor Q2.

【0003】トランジスタQ2のベースは制御回路10
のトランジスタQ14、Q16のコレクタ及びホールド
コンデンサC1に接続されており、そのエミッタは抵抗
R1を介してGND(グランド)に接続されている。Q
3、Q4、Q5は入力端子電圧を一定に保つための回路
を構成するトランジスタであり、トランジスタQ3のエ
ミッタは電源VCCに、コレクタはトランジスタQ4の
ベースと定電流源1に接続されている。トランジスタQ
4のコレクタはGNDに、エミッタはトランジスタQ5
のベースと定電流源2に接続され、またトランジスタQ
5のコレクタはVCCに、エミッタは定電流源3とトラ
ンジスタQ6のエミッタに接続されており、トランジス
タQ3のエミッタ・ベース間の電圧(入力端子電圧)が
一定となるよう負帰還の回路を構成している。
The base of the transistor Q2 is connected to a control circuit 10
Of the transistors Q14, Q16 and the hold capacitor C1, and the emitter thereof is connected to GND (ground) via the resistor R1. Q
Reference numerals 3, Q4 and Q5 denote transistors constituting a circuit for keeping the input terminal voltage constant. The emitter of the transistor Q3 is connected to the power supply VCC, and the collector is connected to the base of the transistor Q4 and the constant current source 1. Transistor Q
4 has the collector connected to GND and the emitter connected to the transistor Q5.
Is connected to the constant current source 2 and the transistor Q
5 has a collector connected to VCC, an emitter connected to the constant current source 3 and the emitter of the transistor Q6, and forms a negative feedback circuit so that the voltage (input terminal voltage) between the emitter and the base of the transistor Q3 is constant. ing.

【0004】トランジスタQ6のコレクタにはこのトラ
ンジスタQ6の応答速度を上げるための重畳定電流I4
を供給する定電流源4と入力電流の電流レンジが広いた
めそれを対数圧縮するための対数圧縮ダイオードQ7の
カソード、及び制御回路10の差動増幅器11の入力側
トランジスタQ8とコンパレータ12のトランジスタQ
26のベースに接続されている。圧縮ダイオードQ7の
アノードは電源VCCに接続されている。
The collector of the transistor Q6 has a superimposed constant current I 4 for increasing the response speed of the transistor Q6.
Current source 4 for supplying the current and the cathode of a logarithmic compression diode Q7 for logarithmically compressing the input current since the current range of the input current is wide, the input side transistor Q8 of the differential amplifier 11 of the control circuit 10 and the transistor Q of the comparator 12
26 bases. The anode of the compression diode Q7 is connected to the power supply VCC.

【0005】トランジスタQ8のエミッタはトランジス
タQ9のエミッタと定電流源5に、コレクタはトランジ
スタQ11のコレクタとベース及びトランジスタQ13
のベースに接続されており、Q11、Q13と共に第1
のカレントミラー回路を構成している。トランジスタQ
9のベースには基準電圧を発生するダイオードQ10の
カソードが接続されている。ダイオードQ10のアノー
ドは電源VCCに接続されている。また、トランジスタ
Q9のコレクタはトランジスタQ12のコレクタとベー
ス及びトランジスタQ14のベースに接続されており、
Q12、Q14と共に第2のカレントミラー回路を構成
している。
The emitter of the transistor Q8 is the emitter of the transistor Q9 and the constant current source 5, and the collector is the collector and base of the transistor Q11 and the transistor Q13.
And the first together with Q11 and Q13
Of the current mirror circuit. Transistor Q
The base of 9 is connected to the cathode of a diode Q10 for generating a reference voltage. The anode of diode Q10 is connected to power supply VCC. The collector of the transistor Q9 is connected to the collector and base of the transistor Q12 and the base of the transistor Q14.
Together with Q12 and Q14, a second current mirror circuit is formed.

【0006】トランジスタQ13のコレクタはトランジ
スタQ15のコレクタとベース及びトランジスタQ16
のベースに接続されており、第3のカレントミラー回路
を構成している。トランジスタQ16のコレクタはトラ
ンジスタQ14のコレクタとトランジスタQ2のベース
とホールドコンデンサC1に接続されており、上記3つ
のカレントミラー回路は本接続ライン14を出力とし、
トランジスタQ8、Q9のベースを入力とする制御回路
10を形成している。
The collector of the transistor Q13 is connected to the collector and base of the transistor Q15 and the transistor Q16.
To form a third current mirror circuit. The collector of the transistor Q16 is connected to the collector of the transistor Q14, the base of the transistor Q2, and the hold capacitor C1, and the three current mirror circuits output the connection line 14 as an output.
A control circuit 10 having the bases of the transistors Q8 and Q9 as inputs is formed.

【0007】尚、トランジスタQ11、Q12、Q1
3、Q14の各エミッタにはそれぞれ抵抗R2、R3、
R4、R5が接続されており、これらの抵抗の他端は電
源VCCに接続されている。また、トランジスタQ1
5、Q16のエミッタはGNDに接続されている。
The transistors Q11, Q12, Q1
3, the emitters of Q14 have resistors R2, R3,
R4 and R5 are connected, and the other ends of these resistors are connected to the power supply VCC. Also, the transistor Q1
5, the emitter of Q16 is connected to GND.

【0008】今、定常状態(カメラ側から測距のための
発光をせず、シリコン・ホト・ダイオードQ1が定常光
のみを受けている状態)において、定電流を流し上記制
御回路10を動作させる。トランジスタQ8のベース電
圧がトランジスタQ9のベース電圧と動電位になるよう
にトランジスタQ2を介し入力側に負帰還がかかるため
両ベース電流は同電流となる。即ち、圧縮ダイオードQ
7に流れる電流は基準のダイオードQ10と同電流とな
る。
Now, in a steady state (a state in which the silicon photodiode Q1 receives only steady light without emitting light for distance measurement from the camera side), a constant current is supplied to operate the control circuit 10. . Negative feedback is applied to the input side via the transistor Q2 so that the base voltage of the transistor Q8 becomes equal to the base voltage of the transistor Q9, so that both base currents become the same current. That is, the compression diode Q
The current flowing through 7 is the same as that of the reference diode Q10.

【0009】このとき、トランジスタQ6に流れる電流
はI4となり、そのときのトランジスタQ6のベース電
流とQ3のベース電流の和をIcとする。また、定常光
によりシリコン・ホト・ダイオードQ1に発生する電流
をIaとし、トランジスタQ2のコレクタ電流をIbと
する。今、 Ib<Ia+Ic とすると、Ia+Ic−Ibの電流分としてトランジス
タQ6のベース電流が増えるため圧縮ダイオードQ7に
流れる電流が増え、トランジスタQ7のアノード、カソ
ード間電圧が大きくなり、トランジスタQ8のベース電
圧が下がる。このためトランジスタQ8のコレクタ電流
が減り、トランジスタQ9のコレクタ電流が増えるため
第1及び第3のカレントミラー電流が第2のカレントミ
ラー電流より小さくなり、トランジスタQ16のコレク
タ電流よりトランジスタQ14のコレクタ電流が大きく
なり、トランジスタQ2のベース電流が増えるためIb
の電流値が大きくなる方向に働く。
[0009] At this time, the current flowing through the transistor Q6 is next I 4, the sum of the base current of the base current and Q3 of the transistor Q6 at the time and Ic. Further, a current generated in the silicon photodiode Q1 by the steady light is defined as Ia, and a collector current of the transistor Q2 is defined as Ib. Now, if Ib <Ia + Ic, the base current of the transistor Q6 increases as the current of Ia + Ic−Ib, so that the current flowing through the compression diode Q7 increases, the voltage between the anode and cathode of the transistor Q7 increases, and the base voltage of the transistor Q8 increases. Go down. For this reason, the collector current of the transistor Q8 decreases, and the collector current of the transistor Q9 increases, so that the first and third current mirror currents become smaller than the second current mirror current, and the collector current of the transistor Q14 becomes smaller than the collector current of the transistor Q16. And the base current of the transistor Q2 increases, so that Ib
Works in a direction to increase the current value of.

【0010】また、Ib>Ia+Ic とすると、Ib−(Ia+Ic)の電流分だけトランジ
スタQ6のベース電流が減るため圧縮ダイオードQ7に
流れる電流が減り、トランジスタQ7のアノード、カソ
ード間電圧が小さくなり、トランジスタQ8のベース電
圧が上がる。このためトランジスタQ8のコレクタ電流
が増え、トランジスタQ9のコレクタ電流が減るため第
1、第3のカレントミラー電流が第2のカレントミラー
電流より大きくなり、トランジスタQ16のコレクタ電
流よりトランジスタQ14のコレクタ電流が小さくな
り、トランジスタQ2のベース電流が減るためIbの電
流値が小さくなる方向に働く。即ち、定常状態におい
て、トランジスタQ2のコレクタ電流Ibは、シリコン
・ホト・ダイオードQ1の定常電流及びトランジスタQ
3、Q6のベース電流と釣り合う(Ib=Ia+Ic)
ように働く。
If Ib> Ia + Ic, the base current of the transistor Q6 is reduced by the amount of Ib- (Ia + Ic), so that the current flowing through the compression diode Q7 is reduced and the voltage between the anode and cathode of the transistor Q7 is reduced. The base voltage of Q8 increases. For this reason, the collector current of the transistor Q8 increases, and the collector current of the transistor Q9 decreases, so that the first and third current mirror currents become larger than the second current mirror current, and the collector current of the transistor Q14 becomes larger than the collector current of the transistor Q16. And the base current of the transistor Q2 decreases, so that the current value of Ib decreases. That is, in the steady state, the collector current Ib of the transistor Q2 is equal to the steady current of the silicon photodiode Q1 and the transistor Q2.
3. Balanced with base current of Q6 (Ib = Ia + Ic)
Work like that.

【0011】次に、コンパレータ12の入力トランジス
タとなるトランジスタQ26のエミッタはトランジスタ
Q27のエミッタと定電流源6に接続され、コレクタは
トランジスタQ29のコレクタとベース及びトランジス
タQ17のベースに接続されており、トランジスタQ2
9、Q17と共に第4のカレントミラー回路を構成して
いる。トランジスタQ27のベースは基準電圧を発生す
るダイオードQ28のカソードとその基準電流となる定
電流I7を供給する定電流源7が接続されており、アノ
ードはVCCに接続されている。また、トランジスタQ
27のコレクタはトランジスタQ30のコレクタとベー
ス及びトランジスタQ18のベースに接続されており、
トランジスタQ30、Q18と共に第5のカレントミラ
ー回路を構成している。トランジスタQ17のコレクタ
はトランジスタQ19のコレクタとベース及びトランジ
スタQ20のベースに接続されており、トランジスタQ
19、Q20と共に第6のカレントミラー回路を構成し
ている。
Next, the emitter of the transistor Q26 serving as the input transistor of the comparator 12 is connected to the emitter of the transistor Q27 and the constant current source 6, and the collector is connected to the collector and base of the transistor Q29 and the base of the transistor Q17. Transistor Q2
A fourth current mirror circuit is constituted together with Q9 and Q17. The base of transistor Q27 is a constant current source 7 is connected for supplying a constant current I 7 comprising the cathode of diode Q28 for generating a reference voltage and the reference current, the anode is connected to VCC. Also, the transistor Q
The collector of 27 is connected to the collector and base of transistor Q30 and the base of transistor Q18.
A fifth current mirror circuit is formed together with the transistors Q30 and Q18. The collector of the transistor Q17 is connected to the collector and base of the transistor Q19 and the base of the transistor Q20.
A sixth current mirror circuit is configured together with the transistors 19 and Q20.

【0012】トランジスタQ20のコレクタはトランジ
スタQ18のコレクタとトランジスタQ21のベースに
接続されており、上記3つのカレントミラー回路はトラ
ンジスタQ21のコレクタを出力端とし、トランジスタ
Q26のベースを入力端とし、トランジスタQ27のベ
ース電圧を基準電圧とするコンパレータを形成してい
る。なお、トランジスタQ29、Q30、Q17、Q1
8のエミッタはVCCに接続されている。また、トラン
ジスタQ19、Q20、Q21のエミッタはGNDに接
続されている。
The collector of the transistor Q20 is connected to the collector of the transistor Q18 and the base of the transistor Q21. The three current mirror circuits have the collector of the transistor Q21 as an output terminal, the base of the transistor Q26 as an input terminal, and the transistor Q27. Are formed using the base voltage of the comparator as a reference voltage. The transistors Q29, Q30, Q17, Q1
The emitter of 8 is connected to VCC. The emitters of the transistors Q19, Q20, Q21 are connected to GND.

【0013】先に説明した定常状態(切り換え制御信号
供給回路20からの切り換え制御信号により定電流源5
はON、このとき定電流源6、7はOFF)においてI
b=Ia+Icとなり、シリコン・ホト・ダイオードQ
1に発生した定常光電流はQ2のコレクタに吸収されて
いる。このとき圧縮ダイオードQ7に流れる電流はトラ
ンジスタQ8のベース電流のみとなる。次に回路20か
らの切り換え制御信号により定電流源5をOFFし定電
流源6、7をONする。制御回路10のバイアス電流が
OFFするため帰還回路はOFFするが、ホールドコン
デンサC1が帰還時の電圧を保持しているため定常電流
はトランジスタQ2のコレクタに吸収される状態は変わ
らない。このとき、トランジスタQ8のベース電流は0
であるため理論上は圧縮ダイオードQ7に流れる電流は
0となる。
In the steady state described above, the constant current source 5 is controlled by the switching control signal from the switching control signal supply circuit 20.
Is ON, and the constant current sources 6 and 7 are OFF at this time.
b = Ia + Ic, and the silicon photodiode Q
The stationary photocurrent generated in 1 is absorbed by the collector of Q2. At this time, the current flowing through the compression diode Q7 is only the base current of the transistor Q8. Next, the constant current source 5 is turned off and the constant current sources 6 and 7 are turned on by the switching control signal from the circuit 20. The feedback circuit is turned off because the bias current of the control circuit 10 is turned off, but the state in which the steady current is absorbed by the collector of the transistor Q2 remains unchanged because the hold capacitor C1 holds the voltage at the time of feedback. At this time, the base current of the transistor Q8 is 0
Therefore, theoretically, the current flowing through the compression diode Q7 becomes zero.

【0014】この状態でカメラ側から被写体に対して光
を発し、被写体に反射した光がシリコン・ホト・ダイオ
ードQ1に入射され、その光量に応じた反射光電流が定
常光電流に加わり、入力点(a)に流れ込む。Q2は定
常光電流分のみを吸収するため反射光電流はトランジス
タQ6のベースに流れ込み、トランジスタQ6で電流増
幅率hfe倍された電流がトランジスタQ6のコレクタ及
び圧縮ダイオードQ7に流れる。この電流は反射光電流
をhfe倍した電流のみであり、アノード、カソード間電
圧はそれを対数圧縮した電圧となる。
In this state, light is emitted from the camera to the object, the light reflected on the object is incident on the silicon photodiode Q1, and a reflected light current corresponding to the light amount is added to the steady-state photocurrent, and the input point is changed. (A). Since Q2 absorbs only the stationary photocurrent, the reflected photocurrent flows into the base of the transistor Q6, and the current multiplied by the current amplification factor h fe by the transistor Q6 flows through the collector of the transistor Q6 and the compression diode Q7. This current is only a current obtained by multiplying the reflected light current by h fe , and the voltage between the anode and the cathode is a logarithmically compressed voltage thereof.

【0015】この電流をIdとし、電圧をVdとする。
また、定電流I7によりトランジスタQ28に発生させ
た電圧をVeとする。今、Vd<Veとすると、トラン
ジスタQ26のベース電圧がトランジスタQ27のベー
ス電圧より高いためトランジスタQ26のコレクタ電流
がトランジスタQ27のコレクタ電流より大きくなり、
トランジスタQ20のコレクタ電流がトランジスタQ1
8のコレクタ電流より小さくなるためトランジスタQ2
1はOFFする。
This current is Id, and the voltage is Vd.
Further, the voltage generated in the transistor Q28 and Ve by the constant current I 7. When Vd <Ve, the base voltage of the transistor Q26 is higher than the base voltage of the transistor Q27, so that the collector current of the transistor Q26 becomes larger than the collector current of the transistor Q27.
The collector current of the transistor Q20 is
8 is smaller than the collector current of transistor Q2.
1 is turned off.

【0016】また、Vd>Veとすると、トランジスタ
Q26のベース電圧がトランジスタQ27のベース電圧
よりも低いためトランジスタQ26のコレクタ電流がト
ランジスタQ27のコレクタ電流より小さくなり、トラ
ンジスタQ20のコレクタ電流がトランジスタQ18の
コレクタ電流より大きくなるためトランジスタQ21は
ONする。
If Vd> Ve, the base voltage of the transistor Q26 is lower than the base voltage of the transistor Q27, so that the collector current of the transistor Q26 becomes smaller than the collector current of the transistor Q27. Since the current becomes larger than the collector current, the transistor Q21 is turned on.

【0017】ここで、光量検出をシリコン・ホト・ダイ
オードQ1に発生する反射光電流Iinにおいて検出する
には、定電流I7の電流値をI7=hfe×Iinとすること
により反射光電流がIinより大きければトランジスタQ
21はONし、小さければトランジスタQ21はOFF
する。即ち、トランジスタQ21がONすれば、被写体
までの距離が近距離レベルにあり、トランジスタQ21
がOFFすれば被写体までの距離が遠距離レベルにある
ことを検出することができる。
[0017] Here, to detect the reflected light current I in for generating a light quantity detection silicon photo diode Q1 is reflected by the current value of the constant current I 7 and I 7 = h fe × I in If the photocurrent is greater than I in , the transistor Q
21 is ON, and transistor Q21 is OFF if it is small.
I do. That is, when the transistor Q21 is turned on, the distance to the subject is at a short distance level, and the transistor Q21 is turned on.
Is turned off, it can be detected that the distance to the subject is at a long distance level.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
2の回路では、制御回路10とコンパレータ12の各々
に差動増幅器が必要であり、そのため回路素子が多く、
IC化した場合においてもチップ面積が大きくなり、コ
ストアップとなるという問題があった。本発明はこのよ
うな問題を解決した測距回路を提供することを目的とす
る。
However, in the circuit shown in FIG. 2, each of the control circuit 10 and the comparator 12 requires a differential amplifier, so that many circuit elements are required.
There is a problem that the chip area is increased even in the case of the IC, and the cost is increased. An object of the present invention is to provide a distance measuring circuit that solves such a problem.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明では、光電変換素子と、カメラ側から光を発し
ない状態において前記光電変換素子に流れる定常光電流
を吸収する定常光電流吸収手段と、前記光電変換素子の
出力側に設けられ前記定常光電流吸収手段が定常光電流
の変化に順応して定常光電流を吸収するように前記定常
光電流吸収手段を制御する制御回路と、その制御結果を
保持するコンパレータと、前記光電変換素子の出力側に
設けられカメラ側から光を発したときに被写体からの反
射光による光電変換素子の信号電流を基準値と比較して
測距信号を出力するコンパレータとから成り、カメラ側
から光を発し被写体からの反射光量を検知し被写体まで
の距離の測定を行なう光量検出式の測距回路において、
第1入力端に前記光電変換素子側の出力が与えられ、第
2入力端に基準値が与えられる差動増幅器の出力を前記
制御回路とコンパレータの各出力部に共通に接続し、前
記差動増幅器の第2入力端に与えられる基準値を定常光
モードと信号光モードとで切り換えると共に前記出力部
の動作を切り換える切換え手段を設けた構成としてい
る。
In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a photoelectric conversion element, and a stationary photocurrent absorption device for absorbing a stationary photocurrent flowing through the photoelectric conversion element when no light is emitted from the camera side. Means, a control circuit provided on the output side of the photoelectric conversion element, the control circuit controlling the steady-state photocurrent absorption means so that the steady-state photocurrent absorption means absorbs the steady-state photocurrent in response to a change in the steady-state photocurrent; A comparator that holds the control result, and a signal that is provided at the output side of the photoelectric conversion element and compares the signal current of the photoelectric conversion element due to the reflected light from the subject when the light is emitted from the camera side with a reference value to measure the distance measurement signal. A light amount detection type distance measuring circuit that emits light from the camera side, detects the amount of reflected light from the object, and measures the distance to the object.
An output of the differential amplifier, the output of the photoelectric conversion element being provided to a first input terminal and the reference value being provided to a second input terminal, is commonly connected to the output portions of the control circuit and the comparator. Switching means for switching the reference value given to the second input terminal of the amplifier between the steady light mode and the signal light mode and switching the operation of the output section is provided.

【0020】[0020]

【作用】定常光モードでは制御回路の出力部が動作し、
コンパレータの出力部は不作動となる。この状態では、
差動増幅器の出力は制御回路の出力部を通して定常光電
流吸収手段に与えられ、光電変換素子の定常光電流を吸
収させるように働く。次に、カメラ側から光を発した測
距モードでは制御回路の出力部が不作動となり、コンパ
レータの出力部が動作状態となる。このため差動増幅器
は出力部と共にコンパレータとして働き、測距信号を出
力する。このとき定常光モードでの制御回路による制御
状態はホールド手段によって保持されているので、定常
光電流成分は吸収手段に吸収され、コンパレータに影響
を与えない。
In the stationary light mode, the output of the control circuit operates,
The output of the comparator becomes inactive. In this state,
The output of the differential amplifier is supplied to the steady-state photocurrent absorbing means through the output section of the control circuit, and serves to absorb the steady-state photocurrent of the photoelectric conversion element. Next, in the ranging mode in which light is emitted from the camera side, the output section of the control circuit becomes inactive, and the output section of the comparator is activated. For this reason, the differential amplifier functions as a comparator together with the output section, and outputs a ranging signal. At this time, since the control state of the control circuit in the steady light mode is held by the holding means, the steady photocurrent component is absorbed by the absorbing means and does not affect the comparator.

【0021】[0021]

【実施例】本発明の実施例を図1に示す。同図におい
て、図2の従来回路と同一部分には同一の符号を付して
重複した説明を避けることにする。図1において、トラ
ンジスタQ8のエミッタはトランジスタQ9のエミッタ
と共に定電流源5に接続され、コレクタはトランジスタ
Q11のコレクタとベース及びトランジスタQ13のベ
ースとトランジスタQ17のベースに接続されており、
Q11、Q13、Q17と共にカレントミラー回路を構
成している。トランジスタQ9のベースはトランジスタ
Q23のコレクタとダイオードQ10のカソードが接続
されており、ダイオードQ10のアノードに電源VCC
に接続されている。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. In this figure, the same parts as those of the conventional circuit of FIG. In FIG. 1, the emitter of the transistor Q8 is connected to the constant current source 5 together with the emitter of the transistor Q9, and the collector is connected to the collector and base of the transistor Q11, the base of the transistor Q13 and the base of the transistor Q17,
A current mirror circuit is configured together with Q11, Q13, and Q17. The base of the transistor Q9 is connected to the collector of the transistor Q23 and the cathode of the diode Q10. The power supply VCC is connected to the anode of the diode Q10.
It is connected to the.

【0022】トランジスタQ23のベースはトランジス
タQ22のコレクタとベースと定電流源8及びトランジ
スタQ24、Q25のベースと接続されている。トラン
ジスタQ23のエミッタには抵抗R8が接続されてお
り、抵抗R8の他端はGNDに接続されている。また、
トランジスタQ9のコレクタはQ12のコレクタとベー
ス及びトランジスタQ14のベースとトランジスタQ1
8のベースに接続されており、Q14、Q18と共に第
2のカレントミラー回路を構成している。
The base of the transistor Q23 is connected to the collector and base of the transistor Q22, the constant current source 8, and the bases of the transistors Q24 and Q25. The resistor R8 is connected to the emitter of the transistor Q23, and the other end of the resistor R8 is connected to GND. Also,
The collector of transistor Q9 is the collector and base of Q12, the base of transistor Q14 and transistor Q1.
8 and a second current mirror circuit together with Q14 and Q18.

【0023】トランジスタQ13のコレクタはトランジ
スタQ15のコレクタとベース及びトランジスタQ16
のベースに接続されており、トランジスタQ15、Q1
6と共に第3のカレントミラー回路を構成している。ト
ランジスタQ16のコレクタはトランジスタQ14のコ
レクタとトランジスタQ2のベースとホールドコンデン
サC1に接続されており、そのライン14を出力とし、
トランジスタQ8、Q9の各ベースを入力とする制御回
路10を形成している。尚、トランジスタQ17のコレ
クタはトランジスタQ19のコレクタとベース及びトラ
ンジスタQ20のベースに接続されており、トランジス
タQ19、Q20と共に第4のカレントミラー回路を構
成している。トランジスタQ20のコレクタはトランジ
スタQ18のコレクタとトランジスタQ21のベースに
接続されている。
The collector of the transistor Q13 is the collector and base of the transistor Q15 and the transistor Q16.
And the bases of the transistors Q15, Q1
6 together with a third current mirror circuit. The collector of the transistor Q16 is connected to the collector of the transistor Q14, the base of the transistor Q2, and the hold capacitor C1.
A control circuit 10 having the bases of the transistors Q8 and Q9 as inputs is formed. Note that the collector of the transistor Q17 is connected to the collector and base of the transistor Q19 and the base of the transistor Q20, and constitutes a fourth current mirror circuit together with the transistors Q19 and Q20. The collector of transistor Q20 is connected to the collector of transistor Q18 and the base of transistor Q21.

【0024】トランジスタQ11、Q12、Q17、Q
18のエミッタにはそれぞれ抵抗R2、R3、R6、R
7が接続されており、これらの抵抗の他端は電源VCC
に接続されている。また、トランジスタQ13のエミッ
タにはトランジスタQ24のコレクタと抵抗R4が接続
されており、トランジスタQ14のエミッタにはトラン
ジスタQ25のコレクタと抵抗R5が接続されている。
これらの抵抗R4、R5の他端はVCCに接続されてい
る。また、トランジスタQ15、Q16、Q19、Q2
0、Q22、Q24、Q25のエミッタはGND(グラ
ンド)に接続されている。
Transistors Q11, Q12, Q17, Q
The 18 emitters have resistors R2, R3, R6, R
7 are connected, and the other ends of these resistors are connected to a power supply VCC.
It is connected to the. The emitter of the transistor Q13 is connected to the collector of the transistor Q24 and the resistor R4, and the emitter of the transistor Q14 is connected to the collector of the transistor Q25 and the resistor R5.
The other ends of these resistors R4 and R5 are connected to VCC. Also, transistors Q15, Q16, Q19, Q2
The emitters of 0, Q22, Q24, and Q25 are connected to GND (ground).

【0025】尚、上記トランジスタQ13〜Q16は制
御回路10の出力部を構成し、トランジスタQ17〜Q
21はコンパレータ12の出力部を構成している。定電
流源8は切り換え制御信号供給回路20からの切り換え
信号に応じてONになったり、OFFになったりする。
カメラの測光・測距開始スイッチがONされたとき当初
は定常光状態とするべく、回路20から定電流源8をO
FFにする制御信号が定電流源8に与えられ、しばらく
して測距を行なうべく定電流源をONにする制御信号が
定電流源8に与えられる。
The transistors Q13 to Q16 form an output section of the control circuit 10, and the transistors Q17 to Q17
Reference numeral 21 denotes an output unit of the comparator 12. The constant current source 8 is turned on or off in response to a switching signal from the switching control signal supply circuit 20.
When the photometry / ranging start switch of the camera is turned on, the constant current source 8 is turned off from the circuit 20 in order to set the camera to a steady light state at first.
A control signal for turning on the constant current source 8 is supplied to the constant current source 8 for performing distance measurement after a while.

【0026】本実施例では切り換え箇所は定電流源8の
一箇所だけである。従来例(図2)では定電流源5と、
定電流源6及び7が切り換え箇所となっており、切り換
え箇所が多いが、この点、本実施例は簡易となってい
る。
In this embodiment, the switching point is only one point of the constant current source 8. In the conventional example (FIG. 2), a constant current source 5 and
The constant current sources 6 and 7 are switching locations, and there are many switching locations. In this regard, the present embodiment is simplified.

【0027】定電流源5は従来回路(図2)の定電流源
5、6を兼ねており、I5が常時流れている。定常状態
では定電流源8をOFFし、トランジスタQ23のコレ
クタ電流を0とし、ダイオードQ10に流れる電流をト
ランジスタQ9のベース電流のみとし、また、トランジ
スタQ24、Q25のコレクタ電流も0となるため、ト
ランジスタQ13、Q14、Q15、Q16が動作し、
シリコン・ホト・ダイオードQ1の定常電流がトランジ
スタQ2のコレクタに吸収されるようにトランジスタQ
2のベース電圧を制御するように従来回路と同様の動作
を行なう。
[0027] serves as a constant current source 5 and 6 of the constant current source 5 is conventional circuit (FIG. 2), I 5 is flowing at all times. In the steady state, the constant current source 8 is turned off, the collector current of the transistor Q23 is set to 0, the current flowing through the diode Q10 is set to only the base current of the transistor Q9, and the collector currents of the transistors Q24 and Q25 are also set to 0. Q13, Q14, Q15, Q16 operate,
Transistor Q so that the steady current of silicon photodiode Q1 is absorbed by the collector of transistor Q2.
The same operation as the conventional circuit is performed so as to control the base voltage of the second circuit.

【0028】次に定電流源8がONすると、トランジス
タQ24、Q25のコレクタ電流が流れ、R4、R5に
よりトランジスタQ13、Q14の各エミッタ電圧が下
がり、トランジスタQ13、Q14がOFFし、トラン
ジスタQ15、Q16もOFFするためトランジスタQ
14、Q16のコレクタはカットオフし、制御回路10
の出力部(従って帰還回路)はOFFするが、ホールド
コンデンサC1が帰還時の電圧を保持しているため定常
電流がトランジスタQ2のコレクタに吸収される状態は
変わらない。
Next, when the constant current source 8 is turned on, the collector currents of the transistors Q24 and Q25 flow, the emitter voltages of the transistors Q13 and Q14 are reduced by R4 and R5, the transistors Q13 and Q14 are turned off, and the transistors Q15 and Q16 are turned off. Also turns off the transistor Q
14, the collector of Q16 is cut off and the control circuit 10
Is turned off, and the state in which the steady current is absorbed by the collector of the transistor Q2 remains unchanged because the hold capacitor C1 holds the voltage at the time of feedback.

【0029】この状態でカメラ側から被写体に対して光
を発し、被写体で反射した光がシリコン・ホト・ダイオ
ードQ1に入射され、その光量に応じた反射光電流がト
ランジスタQ6のベースに流れ込み、トランジスタQ6
でhfe倍された電流がトランジスタQ6のコレクタ及び
圧縮ダイオードQ7に流れる。圧縮ダイオードQ7に流
れる電流は反射光電流をhfe倍した電流のみであり、ア
ノード、カソード間電圧はそれを対数圧縮した電圧とな
る。この電流をIdとし、電圧をVdとする。また、ト
ランジスタQ23のコレクタ電流I23によりダイオード
Q10に発生させた電圧をVeとする。
In this state, light is emitted from the camera to the subject, and the light reflected by the subject is incident on the silicon photodiode Q1, and a reflected light current corresponding to the amount of light flows into the base of the transistor Q6. Q6
The current multiplied by h fe flows through the collector of the transistor Q6 and the compression diode Q7. The current flowing through the compression diode Q7 is only a current obtained by multiplying the reflected light current by h fe , and the voltage between the anode and the cathode is a logarithmically compressed voltage thereof. This current is Id, and the voltage is Vd. Further, the Ve voltage which is generated in the diode Q10 the collector current I 23 of the transistor Q23.

【0030】今、Vd<Veとすると、トランジスタQ
8のベース電圧がトランジスタQ9のベース電圧より高
いためトランジスタQ11のコレクタ電流がトランジス
タQ12のコレクタ電流より大きくなり、第1及び第4
のカレントミラー電流が第2のカレントミラー電流より
大きくなり、トランジスタQ20のコレクタ電流がトラ
ンジスタQ18のコレクタ電流より大きくなるためトラ
ンジスタQ21はOFFする。
If Vd <Ve, the transistor Q
8 is higher than the base voltage of the transistor Q9, the collector current of the transistor Q11 becomes larger than the collector current of the transistor Q12.
Becomes larger than the second current mirror current, and the collector current of the transistor Q20 becomes larger than the collector current of the transistor Q18, so that the transistor Q21 is turned off.

【0031】また、Vd>Veとすると、トランジスタ
Q8のベース電圧がトランジスタQ9のベース電圧より
低いためトランジスタQ11のコレクタ電流がトランジ
スタQ12のコレクタ電流より小さくなり、第1及び第
4のカレントミラー電流が第2のカレントミラー電流よ
り小さくなり、トランジスタQ20のコレクタ電流がト
ランジスタQ18のコレクタ電流より小さくなるためト
ランジスタQ21はONする。これは図2の従来回路に
おけるコンパレータ12の動作と全く同じである。
When Vd> Ve, the base voltage of the transistor Q8 is lower than the base voltage of the transistor Q9, so that the collector current of the transistor Q11 becomes smaller than the collector current of the transistor Q12, and the first and fourth current mirror currents become smaller. Since the current becomes smaller than the second current mirror current and the collector current of the transistor Q20 becomes smaller than the collector current of the transistor Q18, the transistor Q21 is turned on. This is exactly the same as the operation of the comparator 12 in the conventional circuit of FIG.

【0032】ここで、光量検出をシリコン・ホト・ダイ
オードQ1に発生する反射光電流Iinにおいて検出する
にはトランジスタQ23のコレクタ電流I23の電流値h
fe×Iinとなるように抵抗値を調整することにより反射
光電流がIinより大きければ被写体までの距離が近距離
レベルにあり、トランジスタQ21がOFFすれば被写
体までの距離が遠距離にあることを検出することができ
る。
[0032] Here, the current value of the reflected light current collector of the transistor Q23 to be detected at I in current I 23 which generates a light quantity detection silicon photo diode Q1 h
By adjusting the resistance value so that fe × I in , if the reflected light current is larger than I in , the distance to the subject is at a short distance level, and if the transistor Q21 is turned off, the distance to the subject is at a long distance. Can be detected.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、制御
回路とコンパレータの差動増幅器を兼用するようにして
いるので、回路の素子数が削減でき、また電流源のO
N、OFFの制御も2箇所から1箇所に低減できるため
従来の回路の制御より簡単なものとすることができ、I
C化した場合もチップサイズの縮小、ひいては低コスト
化を図ることができる。
As described above, according to the present invention, since the differential amplifier of the control circuit and the comparator is also used, the number of elements in the circuit can be reduced, and the O of the current source can be reduced.
Since the control of N and OFF can be reduced from two places to one place, the control can be made simpler than the control of the conventional circuit.
Even in the case of C, the chip size can be reduced, and the cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を実施した測距回路を示す回路図。FIG. 1 is a circuit diagram showing a distance measuring circuit embodying the present invention.

【図2】従来例の回路図。FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 制御回路 11 差動増幅器 12 コンパレータ C1 ホールド用コンデンサ Q1 シリコン・ホト・ダイオード Q13〜Q16 制御回路の出力部を構成するトランジ
スタ Q17〜Q21 コンパレータの出力部を構成するトラ
ンジスタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Control circuit 11 Differential amplifier 12 Comparator C1 Hold capacitor Q1 Silicon photodiode Q13-Q16 Transistor which constitutes the output part of a control circuit Q17-Q21 Transistor which constitutes the output part of a comparator

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01C 3/00 - 3/32 G01B 11/00 - 11/30 G02B 7/32 G03B 13/36──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G01C 3/00-3/32 G01B 11/00-11/30 G02B 7/32 G03B 13/36

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】光電変換素子と、カメラ側から光を発しな
い状態において前記光電変換素子に流れる定常光電流を
吸収する定常光電流吸収手段と、前記光電変換素子の出
力側に設けられ前記定常光電流吸収手段が定常光電流の
変化に順応して定常光電流を吸収するように前記定常光
電流吸収手段を制御する制御回路と、その制御結果を保
持するホールド手段と、前記光電変換素子の出力側に設
けられカメラ側から光を発したときに被写体からの反射
光による光電変換素子の信号電流を基準値と比較して測
距信号を出力するコンパレータとから成り、カメラ側か
ら光を発し被写体からの反射光量を検知し被写体までの
距離の測定を行なう光量検出式の測距回路において、 第1入力端に前記光電変換素子側の出力が与えられ、第
2入力端に基準値が与えられる差動増幅器の出力を前記
制御回路とコンパレータの各出力部に共通に接続し、前
記差動増幅器の第2入力端に与えられる基準値を定常光
モードと信号光モードとで切り換えると共に前記出力部
の動作を切り換える切換え手段を設けたことを特徴とす
る測距回路。
1. A photoelectric conversion element, a stationary photocurrent absorption means for absorbing a stationary photocurrent flowing through the photoelectric conversion element when no light is emitted from the camera side, and the stationary photocurrent absorption means provided on an output side of the photoelectric conversion element. A control circuit that controls the steady-state photocurrent absorbing unit so that the photocurrent absorbing unit absorbs the steady-state photocurrent in response to the change in the steady-state photocurrent; a holding unit that holds a control result thereof; and A comparator that is provided on the output side and outputs a distance measurement signal by comparing a signal current of the photoelectric conversion element due to light reflected from the object with a reference value when light is emitted from the camera side, and emits light from the camera side. In a light quantity detection type distance measuring circuit which detects a light quantity reflected from a subject and measures a distance to the subject, an output of the photoelectric conversion element is provided to a first input terminal, and a reference value is provided to a second input terminal. A given output of the differential amplifier is connected in common to the respective output sections of the control circuit and the comparator, and a reference value given to a second input terminal of the differential amplifier is switched between a steady light mode and a signal light mode, and A distance measuring circuit comprising switching means for switching an operation of an output unit.
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