JP2828107B2 - High voltage pulse generation circuit - Google Patents

High voltage pulse generation circuit

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JP2828107B2
JP2828107B2 JP1126190A JP12619089A JP2828107B2 JP 2828107 B2 JP2828107 B2 JP 2828107B2 JP 1126190 A JP1126190 A JP 1126190A JP 12619089 A JP12619089 A JP 12619089A JP 2828107 B2 JP2828107 B2 JP 2828107B2
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • H01S3/0971Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、銅蒸気レーザ、エキシマレーザ等の高繰り
返し動作放電励起レーザ等に用いられる高電圧パルス発
生回路に関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-voltage pulse generation circuit used in a high-repetition-rate discharge-excitation laser such as a copper vapor laser and an excimer laser.

[従来の技術] 銅蒸気レーザあるいはエキシマレーザ等の放電励起レ
ーザにおいては、高繰り返し化による平均出力の増大が
強く要求されている。例えば、原子力発電所で使用され
るウラン235の同位体分離方法の1つである原子法レー
ザウラン濃縮用レーザとして用いられている銅蒸気レー
ザにおいては、4〜10kHzの高繰り返しで平均出力100W
程度以上が要求されている。この場合、同レーザを発振
させるための高電圧パルス発生回路として第10図に示す
ようなインバータ1によるコマンド充電方式が用いられ
る場合もある。同図において1はインバータ、2,3はイ
ンバータ1の出力端、4は変圧器、5は変圧器4の1次
巻線、6は変圧器4の2次巻線、8はダイオード、9は
サイラトロン、10は主コンデンサ、11はピーキングコン
デンサ、12はレーザ主放電電極、13は充電用インダクタ
ンスあるいは抵抗である。また、同図におけるインバー
タ1の回路構成例を第13図に示す。ここで22は直流電
源、23はコンデンサ27の充電抵抗、24はサイリスタ、25
はダイオード、26は抵抗、27はコンデンサである。第11
図は第10図の高電圧パルス発生回路におけるダイオード
8をながれる電流i1と主コンデンサ10の充電電圧v1の波
形を示したものである。同図においてI1mはダイオード
8を流れる電流i1の波高値、V1mは主コンデンサ10の電
圧v1の波高値、V1′mはサイラトロン9がターンオンす
る直前における主コンデンサ10の電圧v1の値、t1は前記
電流i1が流れ始めてから主コンデンサ10の電源v1が波高
値に達するまでの期間、t2は同様にしてサイラトロン9
がターンオンするまでの期間、t3は繰り返し周期であ
る。ここでt2からt3までの期間はサイラトロン9がター
ンオフするのに十分な期間に選定されている。
[Related Art] In a discharge excitation laser such as a copper vapor laser or an excimer laser, an increase in average output due to high repetition rate is strongly required. For example, in a copper vapor laser used as an atomic method laser for enriching uranium, which is one of the isotope separation methods for uranium 235 used in nuclear power plants, an average output of 100 W at a high repetition rate of 4 to 10 kHz.
More than a degree is required. In this case, a command charging method using the inverter 1 as shown in FIG. 10 may be used as a high-voltage pulse generating circuit for oscillating the laser. In the figure, 1 is an inverter, 2 and 3 are output terminals of the inverter 1, 4 is a transformer, 5 is a primary winding of the transformer 4, 6 is a secondary winding of the transformer 4, 8 is a diode, and 9 is a diode. Thyratron, 10 is a main capacitor, 11 is a peaking capacitor, 12 is a laser main discharge electrode, and 13 is a charging inductance or resistance. FIG. 13 shows a circuit configuration example of the inverter 1 in FIG. Here, 22 is a DC power supply, 23 is a charging resistance of a capacitor 27, 24 is a thyristor, 25
Is a diode, 26 is a resistor, and 27 is a capacitor. Eleventh
Figure shows the charging voltage v 1 of the waveform of the current i 1 and the main capacitor 10 through the diode 8 in the high-voltage pulse generating circuit of Figure 10. I 1 m in the figure peak value of the current i 1 flowing through the diode 8, V 1 m is the peak value of the voltage v 1 of the main capacitor 10, V 1 'm is the voltage of the main capacitor 10 immediately before the thyratron 9 is turned on v 1 value, a period from t 1 is the current i 1 starts to flow until the power v 1 of the main capacitor 10 reaches the peak value, a thyratron and t 2 is the same 9
There period until the turn-on, t 3 is a repetition period. Here the period from t 2 to t 3 is selected to be a period of time sufficient to thyratron 9 is turned off.

このようにサイラトロン9がターンオフするのに十分
な期間を与えることにより、サイラトロンの暴走を生じ
るのを防ぎながら高繰り返し動作を行うことができる。
By providing a sufficient period for the thyratron 9 to turn off in this manner, a high repetition operation can be performed while preventing runaway of the thyratron.

なお、レーザウラン濃縮については例えば、井澤靖
和:“レーザ同位体分離”、レーザ研究、第15巻第6号
pp.101〜106、昭和62年6月、またインバータによるコ
マンド充電方式を用いた励起回路については、山中龍
彦、山中千博、藤原閲夫、山中千代衛:“銅蒸気レーザ
のバッファガス効果”、電気学会研究会資料、光・量子
デバイス研究会、OQD−87−3、昭和62年参照。
Regarding laser uranium enrichment, see, for example, Yasukazu Izawa: “Laser isotope separation”, Laser Research, Vol. 15, No. 6,
pp.101-106, June 1987, and the excitation circuit using the command charging method by the inverter, Tatsuhiko Yamanaka, Chihiro Yamanaka, Norio Fujiwara, Chiyomi Yamanaka: "Buffer gas effect of copper vapor laser", Refer to the Institute of Electrical Engineers of Japan, Optical and Quantum Device Workshop, OQD-87-3, 1987.

[発明が解決しようとする問題点] 上記従来技術によるインバータ1を用いた高電圧パル
ス発生回路においては、ダイオード8の内部容量によ
り、ダイオード8を流れる電流i1には第11図破線内に示
すようなリバース・リカバリ電流と呼ばれる逆方向電流
が生じる。第12図は第11図におけるi1の破線内の拡大図
である。同図において、I1rはリバース・リカバリ電流
波高値である。このリバース・リカバリ電流により主コ
ンデンサ10の電圧v1はi1が零となる時間t1における波高
値V1mより時間とともに低下し、サイラトロン9がター
ンオンするt2の直前にはV1′mとなってしまう。
In high-voltage pulse generating circuit using the inverter 1 according to [invention will to a problem to solve] The above prior art, by the internal capacitance of the diode 8, the current i 1 flowing through the diode 8 shown in FIG. 11 in broken lines Such a reverse current called a reverse recovery current is generated. FIG. 12 is an enlarged view of the broken line i 1 in Figure 11. In the figure, I 1 r is the peak value of the reverse recovery current. The voltage v 1 of the main capacitor 10 by the reverse recovery current decreases with time from the peak value V 1 m at time t 1 which i 1 is zero, V 1 is immediately before t 2 which thyratron 9 is turned 'm Will be.

このためインバータ1より主コンデンサ10へのエネル
ギ転送効率(インバータ1の出力エネルギとサイラトロ
ン9がターンオンする直前の主コンデンサ10の入力エネ
ルギの比)が低下するという問題があった。
Therefore, there is a problem that the energy transfer efficiency from the inverter 1 to the main capacitor 10 (the ratio of the output energy of the inverter 1 to the input energy of the main capacitor 10 immediately before the thyratron 9 is turned on) is reduced.

また、前記リバース・リカバリ電流により、ダイオー
ド8にはリバース・リカバリ損失が発生し、同ダイオー
ドの接合温度が上昇するとともに極端な場合には破壊に
至る問題もある。
Further, the reverse recovery current causes a reverse recovery loss in the diode 8, which causes a problem that the junction temperature of the diode 8 rises and, in an extreme case, the diode 8 is destroyed.

前記リバース・リカバリ電流は温度とともに増加する
特性をもつため前記リバース・リカバリ損失により生ず
る温度上昇により、リバース・リカバリ電流はさらに増
加し、サイラトロン9がターンオンする直前の主コンデ
ンサの電圧V1′mは時間の経過とともに低下する。この
ため本高電圧パルス発生回路の出力、本例ではレーザ主
放電電極に入力されるエネルギが時間の経過とともに変
化する問題もある。このため本例のように放電電励起レ
ーザに用いる場合にはレーザ出力の変動の原因となり、
レーザのライフ・タイム(一般にレーザ出力が半分にな
るまでの時間)も大幅に低下してしまう。
Since the reverse recovery current has a characteristic of increasing with temperature, the reverse recovery current further increases due to the temperature rise caused by the reverse recovery loss, and the voltage V 1 ′ m of the main capacitor immediately before the thyratron 9 turns on becomes Decreases over time. For this reason, there is also a problem that the output of the high voltage pulse generation circuit, in this example, the energy input to the laser main discharge electrode changes over time. For this reason, when used for a discharge-excited laser as in this example, it causes a change in the laser output,
The life time of the laser (generally, the time until the laser output is reduced by half) is also greatly reduced.

特に前記銅蒸気レーザ、あるいはエキシマレーザ等の
放電励起レーザにおいて前記ダイオードの逆耐圧として
は少なくとも40kV程度以上必要となるとともに、大出
力、かつ高繰り返し動作を実現するために整流電流定格
大でリバース・リカバリ特性も良好なことが要求され
る。これらの条件を単一のダイオードで実現することは
困難であり、第14図に示すように複数のダイオードを直
並列に接続することが一般に用いられている。この場
合、各ダイオードの特性バラツキによる逆方向電圧の分
担がアンバランスになることを防止するために同図に示
すようにコンデンサを外部に付加することが行われる。
この結果、ダイオードの接合容量に前記コンデンサの容
量が加わるためリバース・リカバリ特性は大きく劣化し
てしまい、前記リバース・リカバリ電流に起因する問題
は、増々問題となることが知られている。
In particular, in a discharge pump laser such as the copper vapor laser or the excimer laser, a reverse breakdown voltage of the diode is required to be at least about 40 kV or more. Good recovery characteristics are also required. It is difficult to realize these conditions with a single diode, and it is generally used to connect a plurality of diodes in series and parallel as shown in FIG. In this case, a capacitor is added to the outside as shown in the figure to prevent the distribution of the reverse voltage due to the characteristic variation of each diode from becoming unbalanced.
As a result, it is known that the reverse recovery characteristic is greatly deteriorated because the capacitance of the capacitor is added to the junction capacitance of the diode, and the problem caused by the reverse recovery current becomes more and more problematic.

本発明の目的は、前記ダイオードのリバース・リカバ
リ電流に起因する主コンデンサの充電電圧の減少、リバ
ース・リカバリ損失、及びリバース・リカバリ損失によ
り生ずる同ダイオードの破壊あるいは本高電圧パルス発
生回路の出力変動の問題を対策した高電圧パルス発生回
路を提供することである。
An object of the present invention is to reduce the charging voltage of the main capacitor due to the reverse recovery current of the diode, to reverse recovery loss, and to destroy the diode due to the reverse recovery loss or to change the output of the high voltage pulse generating circuit. It is an object of the present invention to provide a high-voltage pulse generating circuit which addresses the above problem.

[問題を解決するための手段] 本発明は変圧器の1次側に接続されたインバータを用
いて同変圧器の2次巻線と直列に接続されたダイオード
を介してコンデンサを充電するとともに、スイッチ素子
を用いて同コンデンサの電荷を放電させることにより高
電圧パルスを発生させる高電圧パルス発生回路におい
て、前記2次巻線と直列に接続されたダイオードと直列
に非晶質磁心を用いて構成した可飽和リアクトルを挿入
することを特徴とする高電圧パルス発生回路てある。
Means for Solving the Problem The present invention uses an inverter connected to the primary side of a transformer to charge a capacitor via a diode connected in series with a secondary winding of the transformer, A high-voltage pulse generating circuit for generating a high-voltage pulse by discharging a charge of the capacitor using a switching element, comprising an amorphous magnetic core in series with a diode connected in series with the secondary winding. A high-voltage pulse generating circuit characterized by inserting a saturable reactor.

前記変圧器の2次巻線の直列に接続されたダイオード
と直列に非晶質磁心を用いて構成した可飽和リアクトル
を挿入することにより、前記ダイオードのリバース・リ
カバリ電流の波高値I1rを低減することにより、前記ダ
イオードのリバース・リカバリ損失を低減するとともに
主コンデンサの充電電圧を低下を抑制することができ
る。また前記ダイオードのリバース・リカバリ損失によ
る同ダイオードの接合温度の上昇に伴い生ずる高電圧パ
ルス発生回路出力変動を抑制することもできる。
By inserting a saturable reactor composed of an amorphous magnetic core in series with a diode connected in series with the secondary winding of the transformer, the peak value I 1 r of the reverse recovery current of the diode is reduced. With the reduction, the reverse recovery loss of the diode can be reduced, and the reduction of the charging voltage of the main capacitor can be suppressed. Further, it is possible to suppress the fluctuation of the output of the high voltage pulse generating circuit caused by the rise of the junction temperature of the diode due to the reverse recovery loss of the diode.

前記ダイオードと直列に接続される可飽和リアクトル
に非晶質磁心を用いることにより、従来用いられていた
フェライト磁心、あるいはパーマロイ磁心に比べて磁心
損失が小、リバース・リカバリ電流波高値の抑制が可能
であり、同磁心も小形化することができ好ましい。
By using an amorphous core for the saturable reactor connected in series with the diode, the core loss is smaller than that of a conventionally used ferrite core or permalloy core, and the reverse recovery current peak value can be suppressed. This is also preferable because the magnetic core can be downsized.

また、前記非晶質磁心として非晶質磁性薄帯を用いて
層間をポリイミド・フィルム、ポリエチレンテフタレー
ト・フィルム等の高分子フィルムあるいは、MgO、SiO2
等のセラミック粒子等により絶縁して構成した巻磁心、
もしくは積層磁心を用いることにより、うず電流損失の
増加を抑制することができ好ましい。
In addition, a polymer film such as a polyimide film, a polyethylene terephthalate film, or MgO, SiO 2
Wound magnetic core insulated by ceramic particles etc.
Alternatively, by using a laminated magnetic core, an increase in eddy current loss can be suppressed, which is preferable.

前記非晶質磁心として、非晶質磁性材料の組成は、 (Co1−αα100−ββ ここでMはFe、Mn、Ni、Cr、Nd、Mo、V、Ta、Wよりな
る群より選ばれた一種以上の元素、XはB、又はBおよ
びSiであり、0<α≦0.24、及び12≦β≦26を満たすよ
うに規定することにより、角形が良好で、かつ磁心損失
も小さな磁心を得ることができ、前記リバース・リカバ
リ電流波高値を抑制する意味から好ましい。また同組成
範囲に選定することにより、磁歪を10-6オーダー、もし
くはそれ以下とすることができるため、同可飽和リアク
トルにパルス電流が流れる際に磁心に加わる応力による
磁気特性の劣化も低減することができ好ましい。
As the amorphous magnetic core, the composition of the amorphous magnetic material is (Co 1−αM α ) 100− βXβ where M is Fe, Mn, Ni, Cr, Nd, Mo, V, Ta, W One or more elements selected from the group consisting of, X is B, or B and Si, and by defining so as to satisfy 0 <α ≦ 0.24 and 12 ≦ β ≦ 26, the squareness is good, and A magnetic core with a small core loss can be obtained, which is preferable in terms of suppressing the peak value of the reverse recovery current. Also, by selecting the same composition range, the magnetostriction can be reduced to the order of 10 −6 or less, so that the deterioration of the magnetic properties due to the stress applied to the magnetic core when the pulse current flows through the saturable reactor is also reduced. This is preferable.

前記可飽和リアクトルに主コンデンサを充電するため
の主巻線の他に、同可飽和リアクトルが主コンデンサの
充電電流により磁化される向きと同一方向に磁化し得る
ように第2の巻線を設け、同巻線に前記磁化力を加える
ことにより、前記主巻線を流れるリバース・リカバリ電
流に伴い同可飽和リアクトルがリセットされるために生
ずる前記主コンデンサ充電電流の遅れを減少させること
ができる。
In addition to the main winding for charging the main capacitor to the saturable reactor, a second winding is provided so that the saturable reactor can be magnetized in the same direction as the direction in which the saturable reactor is magnetized by the charging current of the main capacitor. By applying the magnetizing force to the winding, it is possible to reduce the delay of the main capacitor charging current caused by resetting the saturable reactor due to the reverse recovery current flowing through the main winding.

さらに前記可飽和リアクトルの第2の巻線に常時直流
電流を流すことにより、前記主巻線を流れるリバース・
リカバリ電流に伴い同可飽和リアクトルがリセットされ
るために生ずる前記主コンデンサ充電電流のデッド・バ
ンドを減少させることができる。
Further, by supplying a direct current to the second winding of the saturable reactor at all times, the reverse current flowing through the main winding is reduced.
The dead band of the main capacitor charging current caused by resetting the saturable reactor with the recovery current can be reduced.

本高電圧パルス発生回路の負荷を銅蒸気レーザ、エキ
シマ・レーザ、TEA(ransversely xcited tmosph
eric ressure)−CO2レーザ、TEMA(ransversely
xcited ulti−tmospheric ressure)−CO2レー
ザ等の放電励起レーザとした場合、信頼性を損なうこと
なく高繰り返し動作が可能となるとともに、高効率化を
図ることができる。また、高電圧パルス出力変動も小と
することができるため、レーザの出力変動を防止するこ
とも容易となる。
Copper vapor lasers load of the high-voltage pulse generating circuit, an excimer laser, TEA (T ransversely E xcited A tmosph
eric P ressure) -CO 2 laser, TEMA (T ransversely
E xcited M ulti- A tmospheric P ressure ) case of the discharge excitation laser of -CO 2 laser or the like, can be with high repetition operation without impairing the reliability becomes possible, achieve high efficiency. Further, since the high-voltage pulse output fluctuation can be reduced, it is easy to prevent the laser output fluctuation.

以下図面を用いて本発明を説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.

[実施例] (実施例1) 第1図は本発明をインバータ1を用いたコマンド充電
方式によるサイラトロン9を用いた容量移行型銅蒸気レ
ーザに用いた場合の回路構成を示すものである。同図に
おいて、1はインバータ、2,3はインバータ1の出力
端、4は昇圧変圧器、5は変圧器4の1次巻線、6は変
圧器4の2次巻線、7は非晶質磁心を用いた可飽和リア
クトル、8はダイオード、9はサイラトロン、10は主コ
ンデンサ、11はピーキングコンデンサ、12はレーザ主放
電電極、13は主コンデンサ10の充電用インダクタンスで
ある。第2図は、前記第1図の回路における可飽和リア
クトル7、及びダイオード8を流れる電流i1と主コンデ
ンサ電圧v1の各波形、第3図は、前記第2図に示した電
流i1波形の拡大図、第4図は可飽和リアクトル7の動作
磁化曲線である。
Embodiment (Embodiment 1) FIG. 1 shows a circuit configuration in a case where the present invention is used in a capacity transfer type copper vapor laser using a thyratron 9 by a command charging system using an inverter 1. In the figure, 1 is an inverter, 2 and 3 are output terminals of the inverter 1, 4 is a step-up transformer, 5 is a primary winding of the transformer 4, 6 is a secondary winding of the transformer 4, and 7 is an amorphous. Reference numeral 8 denotes a diode, 9 denotes a thyratron, 9 denotes a main capacitor, 11 denotes a peaking capacitor, 12 denotes a laser main discharge electrode, and 13 denotes a charging inductance of the main capacitor 10. FIG. 2 shows the waveforms of the current i 1 flowing through the saturable reactor 7 and the diode 8 and the main capacitor voltage v 1 in the circuit of FIG. 1, and FIG. 3 shows the current i 1 shown in FIG. FIG. 4 is an enlarged view of the waveform, and FIG. 4 is an operation magnetization curve of the saturable reactor 7.

以下、本回路の動作を前記第1図、第2図、及び第4
図を用いて説明する。
Hereinafter, the operation of this circuit will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to the drawings.

インバータ1におけるサイリスタ24(第13図参照)が
ターンオンする直前、即ちt=0のときに可飽和リアク
トル7の磁束密度はa点にある。前記サイリスタ24がタ
ーンオンすると、変圧器4の2次巻線6には図示黒丸と
逆極性の電圧が誘起し、可飽和リアクトル7に同電圧が
印加される。このため可飽和リアクトル7の磁束密度は
a点から図示のように変化し、b点で飽和した後、ダイ
オード8を流れる電流i1の波高値I1mにより次式で定ま
るゲート磁化力の波高値H1mに対応する磁束密度Bsの点
cを経由してt=t1+tdの時間にてd点までΔB′だけ
変化する。
Immediately before the thyristor 24 (see FIG. 13) in the inverter 1 is turned on, that is, when t = 0, the magnetic flux density of the saturable reactor 7 is at point a. When the thyristor 24 is turned on, a voltage having a polarity opposite to that of the black circle in the drawing is induced in the secondary winding 6 of the transformer 4, and the same voltage is applied to the saturable reactor 7. For this reason, the magnetic flux density of the saturable reactor 7 changes from the point a as shown in the figure, and after saturation at the point b, the wave of the gate magnetizing force determined by the peak value I 1 m of the current i 1 flowing through the diode 8 by the following equation: Via the point c of the magnetic flux density Bs corresponding to the high value H 1 m, it changes by ΔB ′ to the point d at time t = t 1 + td.

N:可飽和リアクトル7の巻線 le:可飽和リアクトル7の平均磁路長(m) このとき、次式で定まるtdの時間、主コンデンサ10の
充電電流i1を阻止する。
N: winding of the saturable reactor 7 le: Mean magnetic path length of the saturable reactor 7 (m) In this case, the time td determined by the following equation, to prevent the charging current i 1 of the main capacitor 10.

Np:変圧器4の1次巻線5の巻線 Ns:変圧器4の2次巻線6の巻線 E :インバータ1の直流電源22の電圧(V) Ae:可飽和リアクトル7の磁心有効断面積(m2) この結果主コンデンサ10の電圧v1が波高値V1mに達す
る時間、即ち前記電流i1=0となる時間はt1+tdとな
る。
Np: winding of the primary winding 5 of the transformer 4 Ns: winding of the secondary winding 6 of the transformer 4 E: voltage (V) of the DC power supply 22 of the inverter 1 Ae: effective core of the saturable reactor 7 Cross-sectional area (m 2 ) As a result, the time when the voltage v 1 of the main capacitor 10 reaches the peak value V 1 m, that is, the time when the current i 1 = 0 is t 1 + td.

t1+tdからt2までの期間に、可飽和リアクトル7はダ
イオード7のリバース・リカバリ電流によりd点からe
点までΔBだけリセットされる。このとき、前記ダイオ
ード7のリバース・リカバリ電流波高値I1rは、可飽和
リアクトル7を構成する非晶質磁心の動特性(本特性に
ついては、例えば、中島、山内、松本:“アモルファス
可飽和磁心損失評価(I)”、電気学会、マグネティッ
クス研究会資MAG88−71参照)から定まる磁化力Hrによ
り次式の値まで抑制される。
During the period from t 1 + td to t 2 , the saturable reactor 7 is moved from the point d to the point e by the reverse recovery current of the diode 7.
The point is reset by ΔB. At this time, the peak value I 1 r of the reverse recovery current of the diode 7 is determined by the dynamic characteristics of the amorphous core constituting the saturable reactor 7 (for example, Nakajima, Yamauchi, Matsumoto: “Amorphous saturable Magnetic core loss evaluation (I) ", see IEEJ, Magnetics Research Group fund MAG88-71), and the magnetizing force Hr determines the value of the following equation.

このとき前記可飽和リアクトル7を構成する非晶質磁
心の有効断面積Aeは次式を満足するように定める必要が
ある。
At this time, the effective sectional area Ae of the amorphous core constituting the saturable reactor 7 needs to be determined so as to satisfy the following equation.

ΔBmax=Bs−(−Br):動作磁束密度量最大値(T) t2からt3までの期間に可飽和リアクトル7の磁束密度
はe点からa点まで自己セットされる(自己セットにつ
いては、例えば、木脇、恩田:“DC−DCコンバータ用高
周波磁気増幅器の磁心動作の実験的考案”、電気学会、
マグネティックス研究会資料MAG−88−223参照)。
ΔBmax = Bs - (- Br) : The operating magnetic flux density maximum value of the amount (T) magnetic flux density of the saturable reactor 7 in the period from t 2 to t 3 is self-set from the point e to a point (self set For example, Kiwaki and Onda: "Experimental design of magnetic core operation of high frequency magnetic amplifier for DC-DC converter", IEE of Japan,
(See Magnetics Research Group Material MAG-88-223).

t3において、以上説明した動作が繰り返される。In t 3, operation is repeated as described above.

以上の動作原理からも明らかなように、可飽和アクト
ル7により、ダイオード8のリバース・リカバリ電流波
高値を減少させることができる。このため、同ダイオー
ドのリバース・リカバリ損失が減少し、同ダイオードの
安全動作を図ることができるとともに第2図に示すよう
に同ダイオードのリバース・リカバリ電流により主コン
デンサ10の充電電圧が波高値V1mから減少するのを抑制
することが可能である。さらに同ダイオードの発熱によ
り生ずるコンデンサ11に入力されるエネルギ変動も抑制
することができ、同レーザの出力安定性も向上する。ま
た、インバータ1におけるサイリスタ24のターンオン時
の電流の立上りを遅らせることができ、同サイリスタの
ターンオン損失を減少させることもできる。
As is clear from the above operating principle, the saturable reactor 7 can reduce the peak value of the reverse recovery current of the diode 8. Therefore, the reverse recovery loss of the diode is reduced, the safe operation of the diode can be achieved, and the charging voltage of the main capacitor 10 is increased by the reverse recovery current of the diode as shown in FIG. It is possible to suppress the decrease from 1 m. Further, the fluctuation of the energy input to the capacitor 11 caused by the heat generated by the diode can be suppressed, and the output stability of the laser can be improved. Further, the rise of the current when the thyristor 24 in the inverter 1 is turned on can be delayed, and the turn-on loss of the thyristor can be reduced.

第1図において変圧器4の2次巻線6の端子電圧波高
値を23kV、ダイオード8には1素子あたり耐電圧1.5kV
のファースト・リカバリダイオードを第14図に示すよう
に60ヶ直列接続かつ3並列接続し、外部には合成容量17
pFのフィルム・コンデンサを付加したものを用い、コン
デンサ10、及び11の容量を各々12nF、及び6nFとした。
また、第2図におけるt1=60μs、t2=70μs、t3=20
0μsに設定した。
In FIG. 1, the terminal voltage peak value of the secondary winding 6 of the transformer 4 is 23 kV, and the diode 8 has a withstand voltage of 1.5 kV per element.
As shown in FIG. 14, 60 fast recovery diodes are connected in series and 3 in parallel, and the external
Capacitors 10 and 11 were 12 nF and 6 nF, respectively, with the addition of a pF film capacitor.
Further, t 1 = 60 μs, t 2 = 70 μs, and t 3 = 20 in FIG.
It was set to 0 μs.

可飽和リアクトル7の磁心としては第1表に示す10種
類の非晶質巻磁心を用い、前記動作条件下で前記設計条
件を満足するように巻線を設定したものをシリコン・オ
イルで強制冷却して用いた。いずれの場合も可飽和リア
クトル7を挿入する前に比べて、前記リバース・リカバ
リ電流波高値を減少させることができたが、その効果は
いずれの組成の磁心においても層間絶縁を行ったものの
ほうが良好であった。また、長時間動作時のコンデンサ
11に入力されるエネルギ変動の点からも層間絶縁を行っ
たもののほうが良好であった。さらに、動作停止後運転
を繰り返し行った場合の磁心の経時安定性の面では#5
〜#10、特に#6、#8、及び#10が優れていた。さら
に組成の異なる非晶質巻磁心についても同様の検討をし
た結果、同非晶質磁心の組成が (Co1−αα100−ββ ここでMはFe,Mn,Ni,Cr,Nd,Mo,V,Ta,Wよりなる群より選
ばれた一種以上の元素,XはB,又はB及びSiであり、0<
α≦0.24、及び12≦β≦26を満たすものであるものを用
いた場合には、レーザ出力を連続3時間取り出した後、
動作を停止させ、レーザ管を常温まで冷却させた後、再
稼働させる試験を5回行った場合の、コンデンサ11に入
力されるエネルギ変動は最初の動作時の3%以下とする
ことができ好適な結果を得ることができた。
As the core of the saturable reactor 7, ten kinds of amorphous wound cores shown in Table 1 were used, and the windings were set so as to satisfy the design conditions under the above-mentioned operating conditions, and forcibly cooled with silicon oil. Used. In each case, the peak value of the reverse recovery current could be reduced as compared to before the saturable reactor 7 was inserted, but the effect is better when the magnetic core of any composition has been subjected to interlayer insulation. Met. In addition, capacitors for long-term operation
From the viewpoint of the energy fluctuation input to 11, the case where the interlayer insulation was performed was better. Further, in terms of the stability over time of the magnetic core when the operation is repeatedly performed after the operation is stopped, it is # 5.
To # 10, especially # 6, # 8, and # 10 were excellent. Furthermore, the same examination was carried out for amorphous cores having different compositions. As a result, the composition of the amorphous core was (Co 1−α M α ) 100−β X β where M is Fe, Mn, Ni, Cr , Nd, Mo, V, Ta, W, at least one element selected from the group consisting of: X is B, or B and Si, and 0 <
In the case of using the one satisfying α ≦ 0.24 and 12 ≦ β ≦ 26, after taking out the laser output continuously for 3 hours,
After the operation is stopped and the laser tube is cooled down to room temperature, the energy input to the condenser 11 when the test for restarting is performed five times is preferably 3% or less of the initial operation. Results were obtained.

(実施例2) 第5図は本発明をインバータ1を用いたコマンド充電
方式によるサイラトロン9を用いた容量移行型銅蒸気レ
ーザに用いた場合の回路構成を示すものである。本実施
例では前記実施例1の回路構成を示す第1図において、
可飽和リアクトル7に主巻線14の他に第2の巻線15が設
けられている。また前記可飽和リアクトル7の第2の巻
線15の巻線端17,18にはバイアス電源16が接続されてお
り、図示の極性で直流電流Icが流れるように構成されて
いる。バイアス電源16は第6図のように構成されてお
り、同図において17,18は出力端、19は直流電源、20は
バイアス電流Icの値を定めるための抵抗、21は可飽和リ
アクトル7の第2の巻線15に誘起するサージを阻止する
ためのチョークコイルである。
(Embodiment 2) FIG. 5 shows a circuit configuration in the case where the present invention is applied to a capacity transfer type copper vapor laser using a thyratron 9 by a command charging method using an inverter 1. In this embodiment, in FIG. 1 showing the circuit configuration of the first embodiment,
The saturable reactor 7 is provided with a second winding 15 in addition to the main winding 14. Further, a bias power supply 16 is connected to the winding ends 17 and 18 of the second winding 15 of the saturable reactor 7, so that a DC current Ic having the illustrated polarity flows. The bias power supply 16 is configured as shown in FIG. 6. In FIG. 6, reference numerals 17 and 18 denote output terminals, reference numeral 19 denotes a DC power supply, reference numeral 20 denotes a resistor for determining the value of the bias current Ic, and reference numeral 21 denotes a saturable reactor 7. This is a choke coil for preventing a surge induced in the second winding 15.

本回路の動作を第5図の回路構成、第7図の可飽和リ
アクトル7の主巻線14、及びダイオード8を流れる電流
i1と主コンデンサ電圧v1波形、第8図のi1波形拡大図、
及び第9図の可飽和リアクトル7の動作磁化曲線を用い
て説明する。
The operation of this circuit is shown by the circuit configuration in FIG. 5, the current flowing through the main winding 14 and the diode 8 of the saturable reactor 7 in FIG.
i 1 and main capacitor voltage v 1 waveform, FIG. 8 i 1 waveform enlarged view,
The operation will be described using the operating magnetization curve of the saturable reactor 7 in FIG.

本回路においては、バイアス電源16により可飽和リア
クトル7の第2の巻線15を介して、可飽和リアクトル7
は図示黒丸の極性に常時次式に示すバイアス磁化力Hrが
与えられており、前記自己セットのみでなく強制的にセ
ットすることができる。
In this circuit, the saturable reactor 7 is connected to the bias power supply 16 via the second winding 15 of the saturable reactor 7.
The bias magnetizing force Hr given by the following equation is always given to the polarity of the black circle in the figure, so that not only the self-setting but also the forced setting can be performed.

このためインバータ1におけるサイリスタ24(第13図
参照)がターンオンする直前、即ちt=0のときに可飽
和リアクトル7の磁束密度a′点にあり、前記実施例1
の場合に比べて、主コンデンサ10の充電電流立上り時間
の送れtd′を小さくすることができる。
Therefore, immediately before the thyristor 24 (see FIG. 13) of the inverter 1 is turned on, that is, at the time of t = 0, the magnetic flux density of the saturable reactor 7 is at the point a '.
As compared with the case of (1), the transmission td 'of the charging current rise time of the main capacitor 10 can be reduced.

したがって、前記実施例1の場合に比べて主コンデン
サ10の電圧が波高値に達するまでの時間の変動(前記実
施例1では自己セット作用に起因するものと思われる変
動が生じる。)を著しく減少させることができる。
Therefore, as compared with the case of the first embodiment, the variation in the time until the voltage of the main capacitor 10 reaches the peak value (the variation which is considered to be caused by the self-setting action occurs in the first embodiment) is significantly reduced. Can be done.

本実施例においても、前記実施例1と同一条件にて動
作試験を行ったが、第1表における#10 を用いた場合には、前記実施例1の場合に比べてコンデ
ンサ11に入力される電圧変動を約30%低減することがで
きた。
In this embodiment, an operation test was performed under the same conditions as in the first embodiment. In the case where is used, the voltage fluctuation input to the capacitor 11 can be reduced by about 30% as compared with the case of the first embodiment.

なお、以上の実施例では銅蒸気レーザへの適用例を示
したが、エキシマ・レーザ、TEA−CO2レーザ、TEMA−CO
2レーザ等の他の放電励起レーザ、あるいはインダクシ
ョン・アクセラレータ等の加速器等への適用が可能であ
ることは言うまでもない。
In the above embodiment, an example of application to a copper vapor laser is shown, but an excimer laser, a TEA-CO 2 laser, a TEMA-CO
Needless to say, the present invention can be applied to other discharge excitation lasers such as two lasers, or accelerators such as induction accelerators.

[発明の効果] 以上説明したような本発明によれば、変圧器の1次側
に接続されたインバータを用いて同変圧器の2次巻線と
直列に接続されたダイオードを介してコンデンサを充電
するとともに、スイッチ素子を用いて同コンデンサの電
荷を放電させることにより高電圧パルスを発生させる高
電圧パルス発生回路において、前記ダイオードのリバー
ス・リカバリ電流に起因する同ダイオードのリバース・
リカバリ損失、及び前記コンデンサ充電電圧の低下を防
止することができる。また前記ダイオードのリバース・
リカバリ損失に伴う同高電圧パルス発生回路の出力変動
を防止できるとともに、同ダイオードの安全動作も図る
ことができる。また、出力変動を防止することが可能な
ため、本高電圧発生回路を用いた負荷の並列運転(例え
ば本高電圧発生回路を用いた銅蒸気レーザの並列運転
等)において、各負荷の同期運転を容易に行うことがで
きる。
[Effects of the Invention] According to the present invention as described above, a capacitor is connected via a diode connected in series with a secondary winding of the transformer using an inverter connected to the primary side of the transformer. In a high-voltage pulse generation circuit that generates a high-voltage pulse by charging and discharging a charge of the capacitor using a switch element, a reverse voltage of the diode caused by a reverse recovery current of the diode is generated.
Recovery loss and a reduction in the capacitor charging voltage can be prevented. The reverse diode of the diode
The output fluctuation of the high voltage pulse generation circuit due to the recovery loss can be prevented, and the diode can operate safely. In addition, since it is possible to prevent output fluctuation, in the parallel operation of loads using the present high-voltage generating circuit (for example, the parallel operation of copper vapor laser using the present high-voltage generating circuit), the synchronous operation of each load is performed. Can be easily performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明による高電圧パルス発生回路の一実施例
を示す回路構成図、第2図は第1図に示す回路の可飽和
リアクトル、及びダイオードを流れる電流i1と主コンデ
ンサ電圧v1の波形を示した図、第3図は第2図における
電流i1の拡大図、第4図は第1図の回路における可飽和
リアクトルの動作磁化曲線を示した図、第5図は本発明
による別の実施例を示す回路構成図、第6図は第5図で
用いた可飽和リアクトルをバイアスするためのバイアス
電源回路を示した図、第7図は第5図に示す回路の可飽
和リアクトルの主巻線を流れる電流i1と主コンデンサ電
圧v1の波形、第8図は第7図における電流i1の拡大図、
第9図は第5図の回路における可飽和リアクトルの動作
磁化曲線、第10図は従来の高電圧パルス発生回路の構成
図、第11図は第10図に示す回路の可飽和リアクトル、及
びダイオードを流れる電流i1と主コンデンサ電圧v1の波
形、第12図は第11図における電流i1の拡大図、第13図は
第1図、第5図、及び第10図で用いたインバータ1の回
路構成図、第14図は第1図、第5図、及び第10図で用い
たダイオード8の構成図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a high-voltage pulse generating circuit according to the present invention, and FIG. 2 is a saturable reactor of the circuit shown in FIG. 1, a current i 1 flowing through a diode and a main capacitor voltage v 1. shows the waveform Figure 3 is an enlarged view of the current i 1 in FIG. 2, FIG. Fig. 4 shows the operation magnetization curve of the saturable reactor in the circuit of FIG. 1, Fig. 5 present invention FIG. 6 is a diagram showing a bias power supply circuit for biasing the saturable reactor used in FIG. 5, and FIG. 7 is a saturable circuit of the circuit shown in FIG. Waveforms of the current i 1 flowing through the main winding of the reactor and the main capacitor voltage v 1 , FIG. 8 is an enlarged view of the current i 1 in FIG. 7,
9 is an operating magnetization curve of the saturable reactor in the circuit of FIG. 5, FIG. 10 is a configuration diagram of a conventional high-voltage pulse generating circuit, and FIG. 11 is a saturable reactor and a diode of the circuit shown in FIG. waveform of the current i 1 and the main capacitor voltage v 1 flowing, FIG. 12 is an enlarged view of the current i 1 in FIG. 11, FIG. 13 is an inverter 1 used in Figure 1, Figure 5, and Figure 10 FIG. 14 is a block diagram of the diode 8 used in FIG. 1, FIG. 5, and FIG.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭49−3290(JP,A) 特開 昭59−179751(JP,A) 特開 昭62−226602(JP,A) 特開 平1−98206(JP,A) 実開 昭63−194587(JP,U) 電気学会研究資料 光・量子デバイス 研究会 OQD−87−3(1987)p13− 21 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01S 3/097 - 3/0979──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-49-3290 (JP, A) JP-A-59-179751 (JP, A) JP-A-62-226602 (JP, A) JP-A-1- 98206 (JP, A) Shokai Sho 63-194587 (JP, U) Institute of Electrical Engineers of Japan Opto-Quantum Device Research Group OQD-87-3 (1987) p13-21 (58) Fields investigated (Int. Cl. 6) , DB name) H01S 3/097-3/0979

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】変圧器の1次側に接続されたインバータを
用いて同変圧器の2次巻線と直列に接続されたダイオー
ドを介してコンデンサを充電することにより、高電圧パ
ルスを発生させる高電圧パルス発生回路において、前記
2次巻線と前記2次巻線に直列に接続されたダイオード
間に非晶質磁心を用いて構成した可飽和リアクトルを挿
入することを特徴とする高電圧パルス発生回路。
A high voltage pulse is generated by charging a capacitor through a diode connected in series with a secondary winding of the transformer using an inverter connected to the primary side of the transformer. In a high voltage pulse generating circuit, a saturable reactor constituted by using an amorphous magnetic core is inserted between the secondary winding and a diode connected in series to the secondary winding. Generator circuit.
【請求項2】請求項1に記載の高電圧パルス発生回路に
おいて、前記コンデンサに充電された電荷をスイッチ素
子を用いて放電させることにより高電圧パルスを発生さ
せることを特徴とする高電圧パルス発生回路。
2. The high-voltage pulse generating circuit according to claim 1, wherein a high-voltage pulse is generated by discharging a charge charged in said capacitor using a switching element. circuit.
【請求項3】請求項1に記載の高電圧パルス発生回路に
おいて、前記非晶質磁心は非晶質磁性薄帯を用い、高分
子フィルム、もしくは絶縁コーティング等により層間絶
縁を施して構成した巻磁心もしくは積層磁心であること
を特徴とする高電圧パルス発生回路。
3. A high-voltage pulse generating circuit according to claim 1, wherein said amorphous magnetic core is formed by using an amorphous magnetic ribbon and applying interlayer insulation with a polymer film or an insulating coating or the like. A high-voltage pulse generation circuit characterized by a magnetic core or a laminated magnetic core.
【請求項4】請求項1に記載の高電圧パルス発生回路に
おいて、前記非晶質磁心の組成は (Co1−αα100−ββ ここでMはFe,Mn,Ni,Cr,Nb,Mo,V,Ta,Wよりなる群より選
ばれた一種以上の元素、XはB、又はSiであり、0<α
≦0.24、及び12≦β≦26を満たすものであることを特徴
とする高電圧パルス発生回路。
In high-voltage pulse generating circuit according to 4. The method of claim 1, wherein the composition of the amorphous magnetic core (Co 1-α M α) 100-β X β where M is Fe, Mn, Ni, Cr , Nb, Mo, V, Ta, W, at least one element selected from the group consisting of: X is B or Si, and 0 <α
A high-voltage pulse generation circuit that satisfies ≦ 0.24 and 12 ≦ β ≦ 26.
【請求項5】請求項1に記載の高電圧パルス発生回路に
おいて、前記可飽和リアクトルには主コンデンサを充電
するための主巻線の他に、同可飽和リアクトルが主コン
デンサの充電電流により磁化される向きと同一方向に磁
化し得るように第2の巻線が設けられていることを特徴
とする高電圧パルス発生回路。
5. The high-voltage pulse generating circuit according to claim 1, wherein the saturable reactor is magnetized by a charging current of the main capacitor in addition to a main winding for charging a main capacitor. A high-voltage pulse generating circuit, wherein a second winding is provided so as to be able to be magnetized in the same direction as the direction of the high voltage pulse.
【請求項6】請求項5に記載の高電圧パルス発生回路に
おいて、前記第2の巻線には常時直流電流が流れている
ことを特徴とする高電圧パルス発生回路。
6. The high-voltage pulse generating circuit according to claim 5, wherein a DC current always flows through said second winding.
【請求項7】請求項1に記載の高電圧パルス発生回路に
おいて、その負荷は放電励起レーザであることを特徴と
する高電圧パルス発生回路。
7. The high-voltage pulse generating circuit according to claim 1, wherein the load is a discharge excitation laser.
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DE102012222606A1 (en) 2012-12-10 2014-06-26 Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg Pockels cell driver circuit and method of operating a Pockels cell

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