JP2814909B2 - Position detection device - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光源の位置を検出し、
その位置を電気的信号に変換して出力する位置検出装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、対設する辺に電極を有する半導体
の位置検出素子を利用した位置検出装置が存在する。例
えば、第３図に略正方形状に形成された２次元の位置検
出素子の斜視図を示す。受光面側からｐ型シリコン層３
１、ｉ型シリコン層３２、ｎ型シリコン層３３を形成し
た半導体３０の受光面側に、相対して離間する２つの位
置に一対の電極Ａ、Ｂを設け、受光面に背設する面に
は、前記Ａ、Ｂの位置と交差する方向に一対の電極Ｃ、
Ｄを対向配置してなるものである。
【０００３】電極Ａから距離ｘ、電極Ｃから距離ｙの位
置に入射した光は、その入射エネルギ−に比例する電流
を生成せしめ、それぞれの電極までの抵抗値に逆比例す
るように分割されて、電極Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄから取り出さ
れる。即ち、Ｘ座標については、電極Ａ、Ｂから取り出
される電流Ｉａ、Ｉｂを測定して、（Ｉａ／Ｉｂ）もし
くは、（Ｉａ−Ｉｂ）または、（Ｉａ−Ｉｂ／Ｉａ＋Ｉ
ｂ）の演算を行うことによって、入射位置の特定を行
い、Ｙ座標についてもＸ座標と同様に、電極Ｃ、Ｄから
取り出される電流Ｉｃ、Ｉｄにより演算を行い、入射位
置を特定する。このようにして、Ｘ座標、Ｙ座標が特定
され、入射位置の特定を行うことができるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような２次元の位
置検出装置にあっては、位置を特定する為の検出回路と
して、加減除算回路などの複雑な演算回路を必要とする
ものである。本発明は、このような問題点に鑑みて、極
めて簡単な回路で、位置の検出を行うことが可能な位置
検出装置を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記本発明の
目的を達成する為に、受光面側に相対して離間する２つ
の位置に１対の電極を配置し、受光面に背設する面側
に、前記２つの位置と交差する方向に他の１対の電極を
対向配置してなる、２次元の位置検出素子と、前記４つ
の電極のうち３つの電極のそれぞれに接続された増幅器
と、受光面に設けた相対する電極のうち一方の電極と受
光面に背設する面に設けた相対する電極のうち一方の電
極とから、それぞれの電極に接続した増幅器を通じて導
出される生成電流出力によって位置を特定する検出回路
と、前記位置検出素子の、受光面または受光面に背設す
る面のいずれか一方の面の相対する電極から、それぞれ
の電極に接続した増幅器を通じて生成される生成電流出
力の和を求める加算回路と、該加算回路の出力と設定値
とが入力される比較回路と、該比較回路により補正され
た出力が与えられてなる光源とからなる位置検出装置を
構成するものである。
【０００６】
【作用】本発明に係る位置検出装置は、上述のような構
成からなり、相対する電極の出力の和が一定値になるよ
うに、即ち、光源に供給される電源が、比較回路によっ
て補正されて、光源による光の入射エネルギーを一定に
保ち、受光面側に設けた相対する電極のうち一方の出力
と受光面に背設する面に設けた相対する電極のうち一方
の出力とを測定して、光の照射位置を特定するというも
のである。
【０００７】
【実施例】本発明の詳細を図示した実施例に基づいて説
明する。第１図は、本発明に係る位置検出装置の第１実
施例の説明用模式図である。１２は、略正方形の板状に
形成された２次元の位置検出素子であり、この位置検出
素子１２の受光面側に相対して離間する２つの位置に一
対の電極Ｘ１，Ｘ２を有し、受光面に背設する面には、
前記電極Ｘ１、Ｘ２の位置と交差する方向に一対の電極
Ｙ１、Ｙ２を対向配置してなるものである。電極Ｘ１、
Ｘ２の出力Ｉｘ１、Ｉｘ２は、増幅器１３、１４によっ
て増幅され、加算回路１７によって加算演算されるとと
もに、増幅器１４からの出力のみにより、Ｘ方向の位置
が決定される。この加算回路１７の出力は、比較回路１
８に入力されて、設定値と比較され、光源７から位置検
出素子１２に入射する光の入射エネルギーを一定に保持
するように、光源７に供給される電流値を補正する。こ
の光源７としては、例えば、発光ダイオード（以下これ
をＬＥＤと称す）等が採用されるものである。また、電
極Ｙ１の出力Ｉｙ１は、増幅器１５によって増幅され、
増幅器１５からの出力のみにより、Ｙ方向の位置が決定
される。
【０００８】今、位置検出素子１２に入射光があった
時、この光は、受光面に背設する面に対設させた電極Ｙ
１、Ｙ２から入射光のあった点に向かって、電流を生成
させ、この電流は半導体内部を通過して、受光面に達
し、電極Ｘ１、Ｘ２に向かって抵抗値に逆比例する値の
電流が流入することとなる。この時、位置検出素子１２
の表面付近の抵抗が均一であり、かつ位置検出素子１２
に入射する光の入射エネルギーが一定であれば、加算回
路１７によって求められる電極Ｘ１、Ｘ２の出力の和
（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）は一定である。受光面に背設する面
に生成した電流の和は、受光面側から流出する電流の和
と等しいことは、キルヒホッフの法則より明白であり、
即ち、電極Ｙ１、Ｙ２における電流の和（Ｉｙ1 ＋Ｉｙ
2 ）は、電極Ｘ１、Ｘ２における電流の和（Ｉｘ1 ＋Ｉ
ｘ2 ）に等しく、生成電流の和として、どちらか一方の
みを考慮しても差し支えない。
【０００９】しかし、光源７と位置検出素子１２との距
離、光源７からの入射光の入射角度等によって、位置検
出素子１２に入射する光のエネルギーは一定になるとは
限らないものである。その為に、加算回路１７によって
求められた電極Ｘ１、Ｘ２の出力の和（Ｉｘ1 ＋Ｉ
ｘ2 ）を、比較回路１８によって、設定値である基準電
圧と比較して、その差を光源７に供給することによっ
て、光源７の光量を制御して、位置検出素子１２に入射
する光のエネルギーを一定にしている。このことによっ
て、電極Ｘ１からの距離ｘ、電極Ｙ２からの距離ｙの位
置に入射光があった時、電極Ｘ２の出力電流Ｉｘ2 及び
電極Ｙ１の出力電流Ｉｙ1 を測定することによって、こ
の入射光の位置を特定することができるものである。上
述の例では、光源７の光量を制御するために、電極Ｘ
１、Ｘ２の出力の和（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）を用いたが、電
極Ｙ１、Ｙ２の出力の和（Ｉｙ1 ＋Ｉｙ2 ）を用いても
よい。
【００１０】位置検出素子１２としては、受光面側から
アモルファスシリコンカ−バイドでなるｐ型層、アモル
ファスシリコンでなるｉ型層、アモルファスシリコンで
なるｎ型層を順次積層したものを利用しているが、単結
晶、多結晶、微結晶等のシリコン半導体を利用すること
も可能であることはいうまでもないことである。また、
形状も正方形に制限されることなく、長方形状に形成に
しても同様にして、位置検出を行うことができるもので
ある。
【００１１】本発明に係る位置検出装置の第１実施例
は、上述のようにしてなり、相対する一対の電極Ｘ１、
Ｘ２から取り出された出力電流の和（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）
に基づいて、光源７の光量を制御し、位置検出素子１２
に入射する光のエネルギーを一定値に保ち、除算回路な
どの複雑な回路を必要としない２次元の位置検出装置を
得ることができるものであり、アモルファスシリコン系
の半導体でなる位置検出素子を利用した場合には、安価
で変換効率のよいものが得られることはいうまでもない
ことである。
【００１２】第２図は、本発明に係る位置検出装置の第
２実施例の説明用斜視図である。即ち、円盤状に形成さ
れた位置検出素子２０の受光面側に、電極Ｘ１、Ｘ２を
配置し、受光面に背設する面側には、電極Ｘ１、Ｘ２と
交差する位置に他の電極Ｙ１、Ｙ２を対設したものであ
る。この第２実施例においては、第１実施例と同様の回
路を用いて、電極Ｘ１、Ｘ２の出力Ｉｘ1 、Ｉｘ2 の和
に基づいて、光源の光量を制御するもので、このとき電
極Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２は、それぞれ一点による電極
である為、位置検出素子２０に入射した光によって、生
成した電流は、受光面に背設する面に設けられた電極Ｙ
１、Ｙ２から入射位置に向かって最短距離を選択して流
入し、半導体層を通過して、受光面に到達する。更に、
最短距離を選択して、電極Ｘ１、Ｘ２に到達して、ここ
から出力電流が取り出される。
【００１３】電極Ｘ１、Ｘ２から得られる出力電流Ｉｘ
1 、Ｉｘ2 は、電極Ｘ１、Ｘ２から光の入射位置までの
距離に逆比例するものであり、また電極Ｙ１、Ｙ２から
得られる出力電流Ｉｙ1 、Ｉｙ2 もまた、電極Ｙ１、Ｙ
２から光の入射位置までの距離に逆比例する為、これら
出力電流Ｉｘ1 、Ｉｘ2 、Ｉｙ1 、Ｉｙ2 は、入射位置
から電極Ｘ１までのＸ方向の距離ｘ及び入射位置から電
極Ｙ２までのＹ方向の距離ｙの関数で示すことができ
る。
【００１４】ここで、光源の光量は電極Ｘ１、Ｘ２から
得られる出力の和（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2）に基づいて、この
出力の和（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）が一定になるように制御さ
れるものであるので、Ｙ方向に距離ｙの位置にあって
も、これにかかわりなく、電極Ｘ２からの出力Ｉｘ2 を
測定すれば、Ｘ方向の距離ｘは簡単に求めることが可能
になるものである。
【００１５】Ｙ方向についても、電極Ｙ１、Ｙ２の出力
の和（Ｉｙ1 ＋Ｉｙ2 ）は、電極Ｘ１、Ｘ２の出力の和
（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）に等しい為、上述のことは同様であ
り、光の入射位置が、電極Ｙ２からＹ方向に距離ｙであ
れば、この距離ｙは、電極Ｙ１の出力Ｉｙ1 を測定する
ことによって、容易に求めることができる。これから、
本発明に係る位置検出装置の第２実施例においては、円
盤状に構成される点の集合に対して、光の入射位置を相
対する電極のうち、一方の電極の出力を測定し、位置を
特定することが可能である。ここで利用される位置検出
素子２０は、第１実施例に用いたと同様のアモルファス
シリコン系の半導体で形成された位置検出素子を利用す
るものとし、安価で変換効率の高いものを得ている。
【００１６】また、形状は図示したものに限定されるこ
となく、例えば半球状の位置検出素子を形成し、その受
光面側の側縁部に１８０度離間して電極Ｘ１、Ｘ２を対
設し、受光面に背設する面の側縁部に、電極Ｘ１、Ｘ２
と９０度離間させて、電極Ｙ１、Ｙ２を対設することも
可能であり、その他種々の形状のものが考慮されるもの
である。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係る位置検出装置は上述のよう
な構成からなり、２次元の位置を検出する際に、除算回
路や減算回路等の複雑な回路を設けることなく、回路を
簡単化することが可能であり、対設する電極の一方の出
力だけを測定することによって、入射光の位置を特定す
ることができ、従来技術に比べ、極めて安価な位置検出
装置を提供することができる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention detects the position of a light source,
The present invention relates to a position detecting device that converts the position into an electric signal and outputs the electric signal. 2. Description of the Related Art Conventionally, there is a position detecting device utilizing a semiconductor position detecting element having electrodes on opposite sides. For example, FIG. 3 shows a perspective view of a two-dimensional position detecting element formed in a substantially square shape. P-type silicon layer 3 from the light-receiving surface side
1. A pair of electrodes A and B are provided at two positions separated from each other on the light receiving surface side of the semiconductor 30 on which the i-type silicon layer 32 and the n-type silicon layer 33 are formed. Is a pair of electrodes C in a direction intersecting the positions A and B,
D is arranged oppositely. Light incident at a distance x from the electrode A and at a distance y from the electrode C generates a current proportional to the incident energy, and is divided so as to be inversely proportional to the resistance value to each electrode. , Electrodes A, B, C, D. That is, with respect to the X coordinate, the currents Ia and Ib extracted from the electrodes A and B are measured, and (Ia / Ib), (Ia-Ib), or (Ia-Ib / Ia + I
By performing the calculation of b), the incident position is specified, and similarly to the X coordinate, the Y coordinate is calculated using the currents Ic and Id drawn from the electrodes C and D to specify the incident position. In this way, the X coordinate and the Y coordinate are specified, and the incident position can be specified. In such a two-dimensional position detecting device, a complicated arithmetic circuit such as an addition / subtraction circuit is required as a detection circuit for specifying a position. It is. An object of the present invention is to provide a position detecting device capable of detecting a position with an extremely simple circuit in view of such a problem. According to the present invention, in order to achieve the object of the present invention, a pair of electrodes are arranged at two positions spaced apart from each other on a light receiving surface side, and a light receiving surface is provided. on the side of Se設, formed by said two opposed placing another pair of electrodes in the direction intersecting the position, and the two-dimensional position sensitive detector, wherein the four
Amplifier connected to each of three of the electrodes
If, one conductive of opposing electrodes provided on a surface of Se設to one electrode and receiving <br/> light plane of the opposing electrode provided on the light receiving surface
A detection circuit for specifying a position from a pole and a generated current output led through an amplifier connected to each electrode; and one of a light receiving surface and a surface behind the light receiving surface of the position detecting element. from opposite electrodes of one surface, respectively
An addition circuit for obtaining the sum of the generated current outputs generated through the amplifiers connected to the electrodes, a comparison circuit to which the output of the addition circuit and the set value are input, and an output corrected by the comparison circuit. And a light source. The position detecting device according to the present invention has the above-described configuration, and the power supplied to the light source is controlled so that the sum of the outputs of the opposing electrodes becomes a constant value. The output power of one of the opposing electrodes on the light-receiving surface is maintained
And one of the opposing electrodes provided on the surface behind the light receiving surface
Is measured, and the irradiation position of the light is specified. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the present invention will be described based on illustrated embodiments. FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a first embodiment of a position detecting device according to the present invention. Reference numeral 12 denotes a two-dimensional position detecting element formed in a substantially square plate shape, and has a pair of electrodes X1 and X2 at two positions separated from each other on the light receiving surface side of the position detecting element 12. On the surface behind the light receiving surface,
A pair of electrodes Y1 and Y2 are opposed to each other in a direction intersecting the positions of the electrodes X1 and X2. Electrode X1,
The outputs Ix 1 and Ix 2 of X2 are amplified by the amplifiers 13 and 14 and added by the adding circuit 17, and the position in the X direction is determined only by the output from the amplifier 14. The output of the adding circuit 17 is
The current value supplied to the light source 8 is compared with a set value, and the current value supplied to the light source 7 is corrected so that the incident energy of light entering the position detecting element 12 from the light source 7 is kept constant. As the light source 7, for example, a light emitting diode (hereinafter, referred to as an LED) or the like is employed. Further, the output Iy 1 electrode Y1 is amplified by the amplifier 15,
Only by the output of the amplifier 1 5 or al, position in the Y direction is determined. Now, when there is incident light on the position detecting element 12, this light is transmitted to the electrode Y which is opposed to the surface located on the back of the light receiving surface.
1, a current is generated from Y2 toward the point where the incident light was present, and this current passes through the inside of the semiconductor, reaches the light receiving surface, and has a value inversely proportional to the resistance toward the electrodes X1 and X2. Will flow in. At this time, the position detecting element 12
The resistance near the surface of the position detecting element 12 is uniform.
Is constant, the sum (Ix 1 + Ix 2 ) of the outputs of the electrodes X1 and X2 obtained by the addition circuit 17 is constant. It is clear from Kirchhoff's law that the sum of the currents generated on the surface behind the light receiving surface is equal to the sum of the currents flowing out of the light receiving surface side,
That is, the sum of the currents at the electrodes Y1 and Y2 (Iy 1 + Iy
2 ) is the sum of the currents at the electrodes X1 and X2 (Ix 1 + I
x 2 ), and only one of them may be considered as the sum of the generated currents. However, depending on the distance between the light source 7 and the position detecting element 12, the incident angle of the incident light from the light source 7, the energy of the light incident on the position detecting element 12 is not always constant. Therefore, the sum of the outputs of the electrodes X1 and X2 (Ix 1 + I
x 2 ) is compared with a reference voltage, which is a set value, by a comparison circuit 18, and the difference is supplied to the light source 7. Keeps energy constant. This allows the distance from the electrode X1 x, when there is incident light at a distance y from the electrodes Y2, by measuring the output current Iy 1 of the output current Ix 2 and electrodes Y1 electrode X2, the incident The position of the light can be specified. In the above example, in order to control the light amount of the light source 7, the electrodes X
Although the sum of the outputs of I and X2 (Ix 1 + Ix 2 ) is used, the sum of the outputs of the electrodes Y 1 and Y 2 (Iy 1 + Iy 2 ) may be used. As the position detecting element 12, an element in which a p-type layer made of amorphous silicon carbide, an i-type layer made of amorphous silicon, and an n-type layer made of amorphous silicon are sequentially laminated from the light receiving surface side is used. However, it goes without saying that a silicon semiconductor such as a single crystal, a polycrystal, or a microcrystal can also be used. Also,
The shape is not limited to a square, and even if it is formed in a rectangular shape, position detection can be similarly performed. A first embodiment of the position detecting device according to the present invention is as described above, and a pair of opposed electrodes X1,
Sum of output currents taken out of X2 (Ix 1 + Ix 2 )
Control the light amount of the light source 7 based on the
It is possible to obtain a two-dimensional position detection device that keeps the energy of light incident on the laser at a constant value and does not require a complicated circuit such as a division circuit, and uses a position detection element made of an amorphous silicon semiconductor. In this case, it is needless to say that an inexpensive one with high conversion efficiency can be obtained. FIG. 2 is an explanatory perspective view of a second embodiment of the position detecting device according to the present invention. That is, the electrodes X1 and X2 are arranged on the light receiving surface side of the position detecting element 20 formed in a disk shape, and the other electrode Y1 is located on the surface side opposite to the light receiving surface at a position crossing the electrodes X1 and X2. , Y2. In the second embodiment, using the same circuit as in the first embodiment, the light amount of the light source is controlled based on the sum of the outputs Ix 1 and Ix 2 of the electrodes X 1 and X 2. , X2, Y1, and Y2 are electrodes at one point, and the current generated by the light incident on the position detection element 20 is applied to the electrode Y provided on the surface provided behind the light receiving surface.
1, the shortest distance is selected from Y2 toward the incident position, flows in, passes through the semiconductor layer, and reaches the light receiving surface. Furthermore,
The shortest distance is selected to reach the electrodes X1, X2, from which the output current is taken. Output current Ix obtained from electrodes X1 and X2
1, Ix 2 are electrodes X1, X2 from are those inversely proportional to the distance to the entrance position of the light, and the output current obtained from the electrode Y1, Y2 Iy 1, Iy 2 also electrodes Y1, Y
2 is inversely proportional to the distance from the light incident position to the light incident position, these output currents Ix 1 , Ix 2 , Iy 1 , and Iy 2 are the distance x in the X direction from the incident position to the electrode X1 and from the incident position to the electrode Y2. Can be expressed as a function of the distance y in the Y direction. Here, the light quantity of the light source is controlled based on the sum of the outputs (Ix 1 + Ix 2 ) obtained from the electrodes X 1 and X 2 so that the sum of the outputs (Ix 1 + Ix 2 ) becomes constant. since it is, even at a distance y in the Y-direction, irrespective of this, by measuring the output Ix 2 from the electrode X2, a distance x in the X direction is made possible to easily obtained . In the Y direction, the sum of the outputs of the electrodes Y1 and Y2 (Iy 1 + Iy 2 ) is equal to the sum of the outputs of the electrodes X1 and X2 (Ix 1 + Ix 2 ). incident position of the light, if the distance y from the electrode Y2 in the Y direction, the distance y is by measuring the output Iy 1 electrode Y1, can be easily obtained. from now on,
In the second embodiment of the position detection device according to the present invention, the output of one of the electrodes facing the incident position of light is measured for a set of points configured in a disk shape, and It is possible to specify. As the position detecting element 20 used here, a position detecting element formed of the same amorphous silicon semiconductor as that used in the first embodiment is used, and an inexpensive and high conversion efficiency element is obtained. Further, the shape is not limited to the one shown in the figure. For example, a hemispherical position detecting element is formed, and electrodes X1 and X2 are provided opposite to each other at a side edge on the light receiving surface side thereof by 180 degrees. The electrodes X1 and X2 are provided on the side edges of the surface
The electrodes Y1 and Y2 can be opposed to each other at a distance of 90 degrees from each other, and various other shapes can be considered. The position detecting device according to the present invention has the above-described structure, and can detect a two-dimensional position without providing a complicated circuit such as a dividing circuit or a subtracting circuit. Can be simplified, the position of the incident light can be specified by measuring only the output of one of the opposed electrodes, and an extremely inexpensive position detecting device is provided as compared with the related art. be able to.
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る位置検出装置の第１実施例の説明
用模式図
【図２】本発明に係る位置検出装置の第２実施例に用い
られる位置検出素子の説明用斜視図
【図３】従来例の斜視図
【符号の説明】
７ 光源
１２、２０、３０ 位置検出素子
１３、１４、１５、１６ 増幅器、
１７ 加算回路
１８ 比較回路
３１ ｐ型半導体層
３２ ｉ型半導体層
３３ ｎ型半導体層
Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２ 電極
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ 電極BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a first embodiment of a position detecting device according to the present invention. FIG. 2 is a position detecting element used in a second embodiment of the position detecting device according to the present invention. FIG. 3 is a perspective view of a conventional example. [Description of References] 7 Light sources 12, 20, 30 Position detecting elements 13, 14, 15, 16 Amplifier, 17 Addition circuit 18 Comparison circuit 31 P-type semiconductor layer 32 i-type semiconductor layer 33 n-type semiconductor layers X1, X2, Y1, Y2 Electrodes A, B, C, D electrodes
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−154904（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−92104（ＪＰ，Ｕ) Ｒ．Ｂ．Ｏｗｅｎ ａｎｄ Ｍ．Ｌ. Ａｗｃｏｃｋ，″Ｏｎｅ ａｎｄ Ｔｗ ｏ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ Ｐｏｓｉ ｔｉｏｎ Ｓｅｎｓｉｎｇ Ｓｅｍｉｃ ｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｔｅｃｔｅｒ ｓ”，ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯ ＮＳ ＯＮ ＮＵＣＬＥＡＲ ＳＣＩＥ ＮＣＥ，ＶＯＬＵＭＥ ＮＳ−15，Ｎ ｏ．３，（1968）（米）ｐ．290−303 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 H01L 31/16──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-63-154904 (JP, A) JP-A-60-92104 (JP, U) B. Owen and M.S. L. Awcock, "One and Two Dimensional Position Sensing Semiconductor Conductor Detectors", IEEE TRANSACTION NS ON NUCLEAR SCIENCE, VOL. 3, (1968) (US) p. 290-303 (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G01B 11/00-11/30 H01L 31/16
Claims (1)
極を配置し、受光面に背設する面側に、前記２つの位置
と交差する方向に他の１対の電極を対向配置してなる、
２次元の位置検出素子と、前記４つの電極のうち３つの電極のそれぞれに接続され
た増幅器と、 受光面に設けた相対する電極のうち一方の電極と受光面
に背設する面に設けた相対する電極のうち一方の電極と
から、それぞれの電極に接続した増幅器を通じて導出さ
れる生成電流出力によって位置を特定する検出回路と、 前記位置検出素子の、受光面または受光面に背設する面
のいずれか一方の面の相対する電極から、それぞれの電
極に接続した増幅器を通じて生成される生成電流出力の
和を求める加算回路と、 該加算回路の出力と設定値とが入力される比較回路と、 該比較回路により補正された出力が与えられてなる光源
と、 からなる位置検出装置。 ２．位置検出素子が、結晶系またはアモルファスシリコ
ン系の半導体でなる請求項１記載の位置検出装置。 ３．位置検出素子が、少なくとも受光面側がアモルファ
スシリコンカーバイドでなるアモルファスシリコンのヘ
テロ接合素子からなることを特徴とする請求項１または
２記載の位置検出装置。(57) [Claims] A pair of electrodes is disposed at two positions separated from each other on the light receiving surface side, and another pair of electrodes is disposed on a surface side opposite to the light receiving surface in a direction intersecting the two positions. ,
A two-dimensional position detecting element connected to each of three of the four electrodes;
And amplifiers, is derived from the one electrode of the opposing electrode provided on a surface of Se設and the light-receiving surface one electrode of the opposing electrode provided on the light receiving surface through an amplifier connected to the respective electrodes a detection circuit by generating current output to identify the position, the position detecting device, from opposite electrodes of one side of the plane Se設receiving surface or the light receiving surface, each of the conductive
An adding circuit for obtaining a sum of generated current outputs generated through an amplifier connected to a pole, a comparing circuit to which an output of the adding circuit and a set value are input, and an output corrected by the comparing circuit A position detecting device comprising: a light source; 2. 2. The position detecting device according to claim 1, wherein the position detecting element is made of a crystalline semiconductor or an amorphous silicon semiconductor. 3. 3. The position detecting device according to claim 1, wherein the position detecting element is an amorphous silicon heterojunction element having at least a light-receiving surface side made of amorphous silicon carbide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4232994A JP2814909B2 (en) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | Position detection device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4232994A JP2814909B2 (en) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | Position detection device |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62089254A Division JPS63253203A (en) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | Position detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131064A JPH07131064A (en) | 1995-05-19 |
| JP2814909B2 true JP2814909B2 (en) | 1998-10-27 |
Family
ID=12632977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4232994A Expired - Lifetime JP2814909B2 (en) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | Position detection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814909B2 (en) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6092104U (en) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | ソニー株式会社 | optical position detector |
| JPS63154904A (en) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Hamamatsu Photonics Kk | Apparatus for measuring position of light spot |
| JPS63154904U (en) * | 1987-03-23 | 1988-10-12 |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP4232994A patent/JP2814909B2/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｒ．Ｂ．Ｏｗｅｎ ａｎｄ Ｍ．Ｌ．Ａｗｃｏｃｋ，″Ｏｎｅ ａｎｄ Ｔｗｏ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｓｅｎｓｉｎｇ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｔｅｃｔｅｒｓ"，ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＮＵＣＬＥＡＲ ＳＣＩＥＮＣＥ，ＶＯＬＵＭＥ ＮＳ−１５，Ｎｏ．３，（１９６８）（米）ｐ．２９０−３０３ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07131064A (en) | 1995-05-19 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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