JP2812233B2 - 差動増幅回路 - Google Patents

差動増幅回路

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JP2812233B2 JP7032745A JP3274595A JP2812233B2 JP 2812233 B2 JP2812233 B2 JP 2812233B2 JP 7032745 A JP7032745 A JP 7032745A JP 3274595 A JP3274595 A JP 3274595A JP 2812233 B2 JP2812233 B2 JP 2812233B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は差動増幅回路に関し、特
に同相帰還が施されたCMOSトランジスタ構成の差動
増幅回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の差動増幅回路の例が特開
昭62−144412号公報に開示されており、その構
成を図4に示している。図4を参照すると、差動対トラ
ンジスタ20,21のゲート入力65,66には差動入
力信号が印加されており、この差動増幅回路の定電流が
トランジスタ28により供給される。また、差動対トラ
ンジスタ20,21のドレインにはトランジスタ26,
27よりなる定電流源が設けられている。尚、端子71
はバイアス入力端子である。
【0003】この差動対トランジスタ20,21による
差動出力はカスコード接続されたゲート接地型の一対の
トランジスタ22,25を介して出力端子68,69か
ら導出されている(VOP,VON)。尚、トランジスタ2
3,24の各ゲートにはバイアス端子67よりバイアス
が印加され、トランジスタ23,トランジスタ4は定電
流動作を行うもので、差動対トランジスタ20,21の
能動負荷として作用する。
【0004】ゲート接地型トランジスタ22,25を設
けてワォールデッド型のカスコード増幅回路構成とする
ことにより、差動対トランジスタ20,21から負荷ト
ランジスタ23,24を見た出力インピーダンスを軽減
し(トランジスタ23,24のミラー効果による容量を
軽減し)、高速動作をなすと共に、利得の低下をも防止
するようになっている。
【0005】これ等トランジスタ22〜25による出力
回路と同一の構成をトランジスタ34〜36により形成
して、出力同相信号を検出するようになっており、差動
出力端子68,69に生じる出力同相信号は、相等しい
値を有する抵抗42,43の接続点に生成されることに
なる。
【0006】この出力同相信号はトランジスタ29〜3
3により構成される誤差増幅回路の一入力(トランジス
タ33のゲート)へ印加され、他入力(トランジスタ3
0のゲート端子72)に供給されている基準同相信号V
COM と比較される。この比較結果である誤差信号は、ト
ランジスタ31,32によるカレントミラー負荷回路に
より電流/電圧変換されて、差動増幅回路の定電流トラ
ンジスタ28のゲート制御入力となるのである。
【0007】こうして同相帰還ループが形成されてお
り、これにより、抵抗42,43の接続点の電位は基準
同相信号VCOM に固定され、結局、出力端子68,69
の出力同相信号も基準同相信号に一致することになる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】この様な従来の同相帰
還回路では、出力同相信号を検出するのに、直接差動増
幅出力VOP,VON(68,69)を用いておらず、出力
回路(トランジスタ22〜24)とは別に同相信号検出
回路(トランジスタ34〜36)を設けているために、
これ等出力回路と同相信号検出回路との時間応答の差が
存在する過渡状態時や、各々の構成素子のバラツキが存
在する場合には、検出誤差が大きくなって、出力同相信
号が正しく基準同相信号に一致しないという欠点があ
る。
【0009】本発明の目的は、正確に出力同相信号を基
準同相信号に一致させることができる差動増幅回路を提
供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明による差動増幅回
路は、差動対を構成する一対の差動トランジスタと、こ
の差動トランジスタの負荷として動作する一対のソース
接地型負荷トランジスタと、基準同相入力信号がゲート
に供給されたソースフォロワトランジスタと、このソー
スフォロワ出力がゲート入力とされ一定電流で駆動され
るソース接地型トランジスタと、前記一対のソース接地
型負荷トランジスタから導出される差動出力をゲート入
力とする一対のソースフォロワトランジスタと、この一
対のソースフォロワトランジスタへ前記ソースフォロワ
トランジスタの駆動電流と等しい駆動電流を供給する手
段とを含み、前記一対のソースフォロワトランジスタの
ソースフォロワ出力から得られる同相信号を前記一対の
ソース接地型負荷トランジスタのゲート制御入力とし、
前記ソースフォロワトランジスタと前記一対のソース接
地型負荷トランジスタとの面積比を所定値に設定したこ
とを特徴としている。
【0011】
【作用】差動増幅回路の出力部から直接に同相信号を検
出し、この出力部と同相検出部とにより帰還ループを形
成し、当該同相検出部も出力部も帰還ループに含まれる
様にして、素子のバラツキの影響がループ利得により圧
縮されることになって誤差が極力小に抑えられる。
【0012】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例について
説明する。
【0013】図1は本発明の一実施例の回路図であり、
図4と同等部分は同一符号により示す。本実施例におい
ても、図4の従来例と同様にワォールデッド型のカスコ
ード差動増幅回路構成が採用されており、トランジスタ
20〜25が図4のトランジスタ20〜25と同等のも
のである。尚、図4におけるトランジスタ26,27,
28は図1では定電流源55,57,56と夫々示され
ている。
【0014】一方、基準同相入力信号VCOM によりゲー
トバイアスされたソースフォロワトランジスタ1が設け
られており、このトランジスタ1のソースフォロワ出力
はソース接地型トランジスタ5のゲートへ印加されてい
る。このトランジスタ5は定電流源50により一定ドレ
イン電流IBIASにより駆動されている。
【0015】また、トランジシタ1のソース電流(ドレ
イン電流でもあり、VCOM により定まる電流)はトラン
ジスタ2,3によるカレントミラー回路を介してトラン
ジスタ4のドレイン電流となっている。そしてこのトラ
ンジスタ4のゲートにはトランジスタ5のドレイン出力
が入力され、結果としてトランジスタ5→トランジスタ
4→トランジスタ3→トランジスタ2→トランジスタ5
により形成される帰還ループの働きにより定電流源50
の電流IBIASがトランジスタ5に流れ、この電流に応じ
たゲート・ソース間電圧VGS5 が定まることになる。
【0016】以上がバイアス回路を構成しており、この
バイアス回路により生成されたバイアス電源、すなわち
トランジスタ4に流れる電流と同一電流がトランジスタ
6,10の各ドレインにも生成される。これ等トランジ
スタ6,10の各ドレイン電流は、トランジスタ7,8
及びトランジスタ9,10による各帰還ループの作用に
よりトランジスタ7,11にも同一電流として流れるこ
とになる。
【0017】これ等トランジスタ7,11の各ゲート6
1,63には、差動増幅回路の差動出力VOP,VONがそ
れぞれ印加されており、トランジスタ7,11のソース
フォロワ出力を、抵抗40,41により合成して導出す
るようになっている。この出力VC が差動増幅回路のソ
ース接地型の負荷トランジスタ23,24のゲートバイ
アスとなる様に帰還が施されている。
【0018】次に、この回路の動作の詳細について説明
する。バイアス回路には、トランジスタ5→トランジス
タ4→トランジスタ3→トランジスタ2→トランジスタ
5により帰還ループが形成されているから、このループ
の作用により定電流源50の電流IBIASにて定まる電流
がトランジスタ5に流れ、この電流に応じてVGS5 が定
まることは前述した通りである。
【0019】また、トランジスタ1のゲートには基準同
相入力信号VCOM がバイアスとして印加されているの
で、これまた上記ループの作用によりトランジスタ1の
ゲート・ソース間電圧VGS1 は(VCOM −VGS5 )とな
る様に、トランジスタ1,2に電流が流れることにな
る。従って、カレントミラー回路のトランジスタ2,3
を同一サイズとすれば、トランジスタ4と1の電流は等
しくなる。
【0020】すなわち、トランジスタ4の電流はVCOM
とVBIASとにより定まることになり、言い換えればトラ
ンジスタ4のゲートが接続される節点は低インピーダン
スとなる。従って、トランジスタ6,10のゲートはト
ランジスタ4のVGS4 により電圧駆動され、結果として
トランジスタ6,10はトランジスタ4により定電流駆
動されることになる。
【0021】トランジスタ1と4とを流れる電流は等し
いので、トランジスタ4,6,10のサイズを同一とす
れば、トランジスタ4,6,10を流れる電流は全て等
しく同一となる。更に、トランジスタ8→トランジスタ
7→トランジスタ8の帰還ループの働きにより、トラン
ジスタ6に流れる電流はトランジスタ7へそのまま流れ
る。トランジスタ11も同様である。
【0022】従って、MOSトランジスタのVGSとドレ
イン電流との関係から、同一のドレイン電流が流れるト
ランジスタ7,11,1の全てのVGSは等しくなり、よ
って、 VGS1 =VGS0 (=VGS7 =VGS11) となる。
【0023】抵抗40と41とを同一抵抗値とすると、
接続点62の電位VC は、 VC =(VOP+VON)/2−VGS0 ・・・(1) となる。(1)式の右辺の第1項は出力同相信号を表し
ているので、これをVCOM ′とすると、 VC =VCOM ′−VGS0 ・・・(2) となる。
【0024】一方、トランジスタ1〜トランジスタ5に
よるバイアス回路においては、 VCOM =VGS0 +VGS5 ・・・(3) なる関係が成立する。
【0025】また、差動増幅回路内のトランジスタ2
2,25すなわちトランジスタ23,24のバイアス電
流を定電流源55〜57により所望に設定してこれをI
O とし、 IBIAS/IO =β5 /β0 ・・・(4) に定める。
【0026】尚、トランジスタ5,23,24のゲート
幅を各々W5,W23,W24とし、ゲート長をL5,
L23,L24とすると、 β5 =μnCOXW5/L5 ・・・(5) β0 =μnCOXW23/L23 =μnCOXW24/L24 ・・・(6) となる。但し、μnは電子移動後、COXは単位面積当た
りのゲート容量を示す。
【0027】また、トランジスタ5,23,24の閾値
をVTNとすると、 IBIAS=(1/2)β5 (VGS5 −VTN)2 ・・・(7) I0 =(1/2)β0 (VC −VTN)2 ・・・(8) となる。よって(7),(8)と(4)の各式より、 VC =VGS5 ・・・(9) の関係が得られる。
【0028】結局、(2)と(9)式より、 VCOM ′=VGS0 +VGS5 =VCOM ・・・(10) となり、差動増幅回路の出力同相信号は基準同相入力信
号に一致することが分かる。
【0029】図2は本発明の他の実施例の回路図であ
り、図1と同等部分は同一符号により示す。本例では、
図1の回路において、トランジスタ8,9の各ゲートと
トランジスタ7,トランジスタ11の各ドレインとの間
に、レベルシフト作用を有するトランジスタ12,13
を付加したものである。トランジスタ12,13の各ゲ
ートには端子64より一定バイアスを供給しておき、飽
和領域で動作させる様にしている。他の構成は図1のそ
れと同一となっている。この様に、レベルシフト用トラ
ンジスタ12,13を用いることにより、トランジスタ
7,トランジスタ11のドレイン電圧を上昇させて、回
路の低電圧源動作を可能としている。
【0030】更に詳しく述べると、トランジスタ7と1
1のゲート端子には、制御する差動増幅回路の差動出力
VOP,VONが直接入力されている。従って、同相帰還回
路の許容入力範囲はトランジスタ7と11が飽和領域で
動作できる範囲で決まることになる。当然トランジスタ
7と11のドレイン電位が高いほど、許容入力範囲は大
きくなる。逆に言えば、許容入力範囲が同じだとすれ
ば、ドレイン電位が高いほど電源電圧が下げられること
を意味する。
【0031】図1と図2の回路のトランジスタ7と11
のドレイン電位を調べると、図1の回路ではVDD−VGS
8 (VGS9 )となり、図2の回路ではVDD−VGS8 (V
GS9)+VDsat12(VDsat13)で、更にVDD−VDsat(1
0)に等しい。
【0032】ここで、VDsat=VGS−VT であり、飽和
電圧と呼ばれ、VT (閾値)が0.4〜1Vに対し、V
Dsatは0.3V程度である。従って、図2の回路の方
が、図1の回路よりVGS8 (VGS9 )−VDsat6 (VDs
at10)、即ち0.4〜1V程度、最低動作電圧が低いと
言える。
【0033】次に、図2の回路の最低動作電圧を求めて
みる。簡単のために、全てのトランジスタのVGSを1
V,VDsatを0.5Vとする。定電流電源回路も当然、
トランジスタ回路で構成されるので、電流源の端子間電
圧の最小値はVDsat,即ち0.5Vとなり、従って入力
端子61,63に印加できる最小値はトランジスタ7
(11)のゲート・ソース間電圧と電流源51(52)
の最低動作電圧VDsatの和で1.5Vとなる。
【0034】従って、今、許容入力範囲が1VP-P とす
ると、入力端子61,63の入力電位の最大値は2.5
Vとなる。この時のトランジスタ7(11)のドレイン
・ソース間電圧をVDsatとすると、トランジスタ7(1
1)のドレイン電位は2V、トランジスタ6(10)の
ドレイン・ソース間電圧もVDsatとすれば、結局電源電
圧の最低電圧は2.5Vとなる。一方、図1の回路で
は、同様の議論から3.0Vとなる。
【0035】図3は本発明の別の実施例の回路図であ
り、差動増幅回路として図1のフォールデッド型のカス
コード増幅回路の代わりに、一般の2段構成の差動増幅
回路を用いたものである。図3において、図1と同等部
分は同一符号により示す。
【0036】即ち、差動対トランジスタ20,21のド
レイン負荷となるPチャンネルトランジスタ26,27
のゲートへ同相帰還出力VC を印加するようにしてい
る。この同相帰還出力VC を印加すべきトランジスタ素
子が図1の例のNチャンネルの代わりにPチャンネルと
なるものであるから、バイアス回路及び、同相検出回路
の各トランジスタ素子も全て図1とは逆導型とする必要
があり、よって図1の各符号に対して添字aを付して示
している。
【0037】尚、図2の回路にも図3の一般の差動増幅
回路を適用することができることは明らかである。
【0038】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、差動
増幅回路の差動出力において直接に同相信号を検出して
おり、またこの検出回路が差動増幅回路の出力回路(フ
ォールデッド・カスコード部分)とによる帰還ループに
含まれるために、素子のバラツキの影響がループ利得に
より圧縮されることになり、基準同相入力信号と出力同
相信号とのずれがなくなるという効果がある。
【0039】また、同相帰還回路と差動増幅回路とで構
成される帰還ループの位相シフトは、略1段増幅回路と
等価であるので、位相補償は簡単になるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の回路図である。
【図2】本発明の他の実施例の回路図である。
【図3】本発明の別の実施例の回路図である。
【図4】従来の同相帰還を有する差動増幅回路の例を示
す図である。
【符号の説明】
1,7,11 ソースフォロワトランジスタ 2,3 カレントミラートランジスタ 4〜6,10,23,24 ソース接地トランジスタ 20,21 差動対トランジスタ 22,25 ゲート接地トランジスタ 40,41 抵抗 50〜52,55〜57 定電流源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H03F 3/45

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 差動対を構成する一対の差動トランジス
    タ(20,21)と、この差動トランジスタの負荷とし
    て動作する一対のソース接地型負荷トランジスタ(2
    3,24)と、基準同相入力信号がゲートに供給された
    ソースフォロワトランジスタ(1)と、このソースフォ
    ロワ出力がゲート入力とされ一定電流で駆動されるソー
    ス接地型トランジスタ(5)と、前記一対のソース接地
    型負荷トランジスタから導出される差動出力をゲート入
    力とする一対のソースフォロワトランジスタ(7,1
    1)と、この一対のソースフォロワトランジスタへ前記
    ソースフォロワトランジスタ(1)の駆動電流と等しい
    駆動電流を供給する手段とを含み、前記一対のソースフ
    ォロワトランジスタのソースフォロワ出力から得られる
    同相信号を前記一対のソース接地型負荷トランジスタの
    ゲート制御入力とし、前記ソースフォロワトランジスタ
    (5)と前記一対のソース接地型負荷トランジスタとの
    面積比を所定値に設定したことを特徴とする差動増幅回
    路。
  2. 【請求項2】 前記面積比は、前記ソースフォロワトラ
    ンジスタ(5)に供給される前記一定電流と前記一対の
    ソース接地型負荷トランジスタに供給されるドレイン電
    流との比に等しいことを特徴とする請求項1記載の差動
    増幅回路。
  3. 【請求項3】 前記差動対トランジスタと前記負荷トラ
    ンジスタとの間にはゲート接地型トランジスタが挿入さ
    れて、カスコード増幅回路構成とされていることを特徴
    とする請求項1または2記載の差動増幅回路。
  4. 【請求項4】 前記一対のソースフォロワトランジスタ
    の各ドレイン電位をレベルシフトするレベルシフト手段
    を更に含むことを特徴とする請求項1〜3いずれか記載
    の差動増幅回路。
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