JP2810996B2 - Method for producing crystallized glass - Google Patents

Method for producing crystallized glass

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は結晶化ガラスを製造する際の母ガラスの結晶
化の方法に関し、特に高強度の歯科材料あるいは人工骨
等の生体材料に最適の結晶化ガラスの製造方法に関する
ものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for crystallizing a mother glass when producing crystallized glass, and is particularly suitable for a biomaterial such as a high-strength dental material or an artificial bone. The present invention relates to a method for producing crystallized glass.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

結晶化ガラスは所定の組成のガラス体を再加熱し、該
ガラス内に多数の微結晶を均一に析出成長させることに
よって得られる。結晶化ガラスの製造過程においては、
この結晶化のための加熱方法が特に重要とされており、
炉内の温度分布が均一な結晶化炉を精密に制御すること
が要求される。均一な結晶を得ることは結晶体の強度向
上と形態歪の低減に寄与するものである。しかしなが
ら、炉内の温度分布を均一に保つことは非常に困難であ
る。そこでこの難点を解消するためガラス体の内部で温
度差が生じないよう非常に緩やかな昇温速度で加熱する
方法が採られている。
Crystallized glass is obtained by reheating a glass body having a predetermined composition and uniformly depositing and growing a large number of microcrystals in the glass. In the manufacturing process of crystallized glass,
The heating method for this crystallization is particularly important,
It is required to precisely control a crystallization furnace having a uniform temperature distribution in the furnace. Obtaining a uniform crystal contributes to improving the strength of the crystal and reducing the form distortion. However, it is very difficult to keep the temperature distribution in the furnace uniform. Therefore, in order to solve this difficulty, a method of heating at a very slow heating rate so as not to cause a temperature difference inside the glass body has been adopted.

また、一般にガラス体より結晶体の方が比重が大きい
ので、結晶化の際には体積収縮が起きる。この体積収縮
を考慮してあらかじめガラス体を大きくして結晶化させ
るが、この際も温度分布が生じると均一に収縮せず結晶
歪が生じたり、内部にポアなどの欠陥が生ずる。これを
防ぐため耐火物のサヤ中で結晶化して、熱の伝わり方を
緩和する方法も行われている。
Further, since the specific gravity of the crystal is generally larger than that of the glass, the volume shrinks during crystallization. Crystallization is performed by enlarging the glass body in advance in consideration of the volume shrinkage. However, even in this case, if a temperature distribution occurs, the glass body does not shrink uniformly, resulting in crystal distortion or defects such as pores inside. In order to prevent this, a method of crystallizing in a refractory sheath to reduce the way of transmitting heat has been used.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上記のように温度分布軽減のため種々の方法が揺られ
ているが、リン酸カルシウム系結晶化ガラスなどのよう
にガラスの表面から内部に向かって結晶化が進行する、
いわゆる表面失透型の結晶化項による結晶化ガラスは特
に温度分布に敏感であり、小形状のものならば時間を掛
けてゆっくりと加熱することによりほゞ均一な結晶化物
を得ることはできるが、形状の大きなガラス体や複数の
ガラス体を一度に結晶化する場合などは、通常の方法で
は均一な結晶化を実現することはほとんど不可能であ
る。また、ガラス耐火内のサヤに入れて結晶化する方法
でも、耐火物は一般に低熱伝導率であり熱の伝わり方を
緩和することはできても均一な温度分布を実現できるも
のではない。
Although various methods have been shaken for reducing the temperature distribution as described above, crystallization proceeds from the surface of the glass toward the inside such as a calcium phosphate crystallized glass,
Crystallized glass by a so-called surface devitrification type crystallization term is particularly sensitive to temperature distribution, and a small-sized glass can obtain a substantially uniform crystallized substance by slowly heating it over time. In the case of crystallizing a glass body having a large shape or a plurality of glass bodies at a time, it is almost impossible to realize uniform crystallization by a usual method. In addition, even in the method of crystallizing by putting in a sheath in a glass refractory, the refractory generally has a low thermal conductivity and can reduce the manner of transmitting heat, but cannot realize a uniform temperature distribution.

このようにガラス体を加熱結晶化する際に均一な結晶
化を実現するためには均一な温度分布を実現する必要が
ある。
In order to realize uniform crystallization when the glass body is heated and crystallized, it is necessary to realize a uniform temperature distribution.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

一般に結晶化に用いられる加熱炉では、ガラス体への
伝熱は輻射と対流によるものであるから、ガラス体各部
と発熱体との距離やガラス体の各部が発熱体に直接面し
ているか否かにより必然的にガラス体内部に温度分布を
生ずることになる。
In a heating furnace generally used for crystallization, heat transfer to the glass body is due to radiation and convection, so the distance between each part of the glass body and the heating element and whether each part of the glass body directly faces the heating element. This inevitably causes a temperature distribution inside the glass body.

従って、加熱を伝導伝熱により行えばよいことにな
る。これを実現するため本発明はガラスを結晶化させる
に際して、母ガラスを高熱伝導性材料よりなる容器内に
入れるか、容器内の空隙をSiC粉末またはSiCを主体とす
る熱伝導率が20W/m・K以上の混合粉末で充填するか、
あるいは両者を併用して結晶化させることを特徴とする
ものである。
Therefore, heating may be performed by conduction heat transfer. In order to realize this, the present invention, when crystallizing the glass, puts the mother glass in a container made of a material having a high thermal conductivity, or the voids in the container have a thermal conductivity of 20 W / m mainly composed of SiC powder or SiC. -Fill with mixed powder of K or more,
Alternatively, crystallization is performed using both of them.

〔発明の構成〕[Configuration of the invention]

本発明に用いられる高熱伝導性の材料とは金属、セラ
ミックスあるいは両者の複合であり、容器あるいはSiC
粉体またはSiCを主体とする粉体の熱伝導率は20W/m・K
以上であることが必要で、それ以下では表面失透型にお
いて均一な結晶体ができない。金属としてはAl,Ag,Cu,A
l,Ir,Mo,W,Cr,Ni,Fe,Pd,Pt,Rh,Siなど、あるいはこれら
を主体とする合金が適し、セラミックスではSiC,BeO,Al
2O3,MgOおよびこれらを主体とするセラミックス混合物
が適している。金属材料の場合は高温での酸化・腐食を
防ぐため、メッキ、蒸着、溶射などの方法により表面コ
ーティングを施すことも可能である。高温での酸化・腐
食防止の点からはセラミックス材料は好ましい材料であ
る。また、SiC質などのセラミックス材料の気孔部分にS
iなどの金属材料を注入したり、金属材料中にセラミッ
クス材料を分散したもの、金属材料とセラミックス材料
との混合物などの複合材料も好適である。
The high thermal conductive material used in the present invention is a metal, ceramics or a composite of both,
Thermal conductivity of powder or powder mainly composed of SiC is 20W / m ・ K
It is necessary to be more than the above, and below that, a uniform crystal cannot be obtained in the surface devitrification type. Al, Ag, Cu, A as metal
l, Ir, Mo, W, Cr, Ni, Fe, Pd, Pt, Rh, Si, etc., or alloys based on these are suitable.For ceramics, SiC, BeO, Al
2 O 3 , MgO and ceramic mixtures mainly composed of these are suitable. In the case of a metal material, it is also possible to apply a surface coating by a method such as plating, vapor deposition, or thermal spraying to prevent oxidation and corrosion at high temperatures. Ceramic materials are preferred materials from the viewpoint of preventing oxidation and corrosion at high temperatures. In addition, the pores of ceramic materials such as SiC
A composite material such as one in which a metal material such as i is injected, a ceramic material dispersed in a metal material, and a mixture of a metal material and a ceramic material is also suitable.

高熱伝導性材料の容器は、通常の箱状でもよいが、本
発明の目的とする伝導伝熱の効果を高めるという上から
は、被加熱物の形状に合わせた容器壁とガラス体ができ
るだけ近接するような、例えばブロック体に穿孔した形
状の容器が好ましい。均熱性を高める上からは、容器は
肉厚、緻密であるほど好ましいが、溶融体でも焼結体で
も構わない。また、SiC粉末またはSiCを主体とする熱伝
導率が20W/m・K以上の混合粉体を充填する場合は粉末
の他、塊状、繊維状などの形態あるいはこれらの混合物
でもよいが、できるだけ高密度に充填する方が効率的
で、粒度配合した粉末材料を用いるなどの方法がよい。
The container made of a material having a high thermal conductivity may be in the form of a normal box, but from the viewpoint of enhancing the effect of the heat transfer conducted by the object of the present invention, the container wall and the glass body that match the shape of the object to be heated are as close as possible. For example, a container having a shape perforated in a block body is preferable. From the standpoint of increasing the heat uniformity, the container is preferably as thick and dense as possible, but it may be a melt or a sintered body. When filling a mixed powder of SiC powder or a mixed powder mainly composed of SiC and having a thermal conductivity of 20 W / m · K or more, it may be in the form of a lump, a fibrous form, or a mixture thereof, in addition to the powder. It is more efficient to fill to a density, and a method such as using a powder material having a blended particle size is preferable.

本発明では、高熱伝導性材料の容器のみを用いて、ガ
ラス体との間の空隙はそのまゝとするか、任意の粉体な
どを充填してもよい。あるいは、容器は任意の材料のも
のとし、その空隙をSiC粉体またはSiCを主体とする熱伝
導率が20W/m・K以上の混合粉体で充填することも可能
である。しかし、高熱伝導性材料の容器を用いて、ガラ
ス体との間の空隙にはSiC粉体またはSiCを主体とする熱
伝導率が20W/m・K以上の混合粉体を高密度充填するの
が最も好ましい方法である。
In the present invention, only the container made of the high heat conductive material may be used, and the space between the glass body and the container may be left as it is, or may be filled with an arbitrary powder. Alternatively, the container may be made of any material, and the voids may be filled with SiC powder or a mixed powder mainly composed of SiC and having a thermal conductivity of 20 W / m · K or more. However, using a container made of a material with high thermal conductivity, the voids between the glass body and SiC powder or a mixed powder mainly composed of SiC with a thermal conductivity of 20 W / mK or more are packed at a high density. Is the most preferred method.

さらに、本発明の方法では、一個のガラス体を結晶化
させて効果のあることは当然であるが、複数個のガラス
体を同時に結晶化する際に効果的である。その場合には
容器内に充填した粉末中に複数個のガラス体を埋め込む
か、ブロック体中に複数個の穿孔をしてもよい。特に、
複数個のガラス体を一度に結晶化すると同様の結晶化状
態となるため、強度などの特性の揃ったものが得られる
という利点がある。
Further, the method of the present invention is effective in crystallizing one glass body, but is effective in simultaneously crystallizing a plurality of glass bodies. In that case, a plurality of glass bodies may be embedded in the powder filled in the container, or a plurality of holes may be formed in the block body. Especially,
When a plurality of glass bodies are crystallized at one time, the same crystallization state is obtained, and therefore, there is an advantage that a glass with uniform properties such as strength can be obtained.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明のガラスを結晶化させるに際して母ガラスを高
熱伝導性材料よりなる容器中に入れるか、容器中の空隙
をSiC粉体またはSiCを主体とする熱伝導率が20W/m・K
以上の混合粉体で充填するかあるいは両者を併用して結
晶化させる方法によると、ガラス体への伝熱が均一とな
ることから、温度分布が無くなり、理想的な均一な結晶
化が実現可能である。特に、温度分布に敏感な表面失透
型結晶化ガラス、その中でも人工歯冠や人工骨材料とし
て用いられるリン酸カルシウム系結晶化ガラスの結晶化
においてその特徴が発揮される。
When crystallizing the glass of the present invention, the mother glass is placed in a container made of a material having a high thermal conductivity, or the voids in the container are made of SiC powder or SiC and have a thermal conductivity of 20 W / mK.
According to the method of crystallizing by filling with the above mixed powder or using both together, heat transfer to the glass body becomes uniform, so there is no temperature distribution, and ideal uniform crystallization can be realized It is. In particular, the characteristics are exhibited in the crystallization of surface devitrification-type crystallized glass that is sensitive to temperature distribution, and in particular, calcium phosphate-based crystallized glass used as an artificial crown or an artificial bone material.

また、従来困難であった複数個のガラス体を一度に同
様の結晶化状態となるよう結晶化することが可能であ
る。
Further, it is possible to crystallize a plurality of glass bodies, which has been difficult in the past, so as to have the same crystallization state at once.

さらに、高熱伝導性材料を用いることにより、従来の
ように結晶化に際し時間をかけて非常にゆっくり昇温す
る必要はなく、急速昇温も可能で、結晶化操作に要する
時間が大幅に短縮される。
Furthermore, by using a high thermal conductive material, it is not necessary to raise the temperature very slowly over time as in the conventional case, and a rapid temperature increase is possible, greatly shortening the time required for the crystallization operation. You.

〔実施例〕〔Example〕

実施例 1 SiC質の容器内に粒度149μm以下のSiC粉末を充填
し、その中に4.3Li2O・38.5CaO・9.1Al2O3・48.1P2O5
る組成のリン酸カルシウム系ガラス成形体を5個埋め込
み、昇温速度300℃/hrで昇温し、550〜650℃で10hr加
熱、結晶化してリン酸カルシウム系結晶化ガラスを得
た。得られた結晶化ガラスは容器内の位置によらず5個
とも同様の均一な結晶化状態を示し、その曲げ強さも18
20〜1980kg/cm2と高く、そのばらつきも小さかった。
Example 1 A SiC-based container was filled with SiC powder having a particle size of 149 μm or less, and a calcium phosphate glass molded body having a composition of 4.3Li 2 O · 38.5CaO · 9.1Al 2 O 3 · 48.1P 2 O 5 was filled therein. Five pieces were embedded, the temperature was raised at a rate of 300 ° C./hr, heated at 550 to 650 ° C. for 10 hours, and crystallized to obtain a calcium phosphate crystallized glass. Regardless of the position in the container, the obtained crystallized glass shows the same uniform crystallized state for all five pieces, and has a bending strength of 18
It was as high as 20 to 1980 kg / cm 2, and its variation was small.

実施例 2 大略寸法90x65x30mmの銅ブロックに直径25mm、深さ25
mmの孔を5個穿孔し、この孔にそれぞれ充填した粒度14
9μm以下のSiC粉末中に実施例1と同様のリン酸カルシ
ウム系ガラス成形体を埋め込み、同品質の銅板(厚さ5m
m)で蓋をして、実施例1と同一条件で加熱、結晶化し
てリン酸カルシウム系結晶化ガラスを得た。この場合も
得られた結晶化ガラスは容器内の位置によらず5個とも
同様の均一な結晶化状態を示し、その曲げ強さも1890〜
1990kg/cm2であった。
Example 2 A copper block of approximately 90x65x30mm with a diameter of 25mm and a depth of 25
5 holes with a particle size of 14 mm were filled.
The same calcium phosphate-based glass compact as in Example 1 was embedded in 9 μm or less SiC powder, and a copper plate of the same quality (5 m thick)
m), and heated and crystallized under the same conditions as in Example 1 to obtain a calcium phosphate crystallized glass. Also in this case, the obtained crystallized glass shows the same uniform crystallized state for all five pieces regardless of the position in the container, and has a bending strength of 1890 to
It was 1990 kg / cm 2 .

実施例 3 SiC質の容器内に粒度149μm以下の石英粉末を充填し
たもの、およびアルミナシリカ質の耐火れんが容器に粒
度149μm以下のSiC粉末を充填したものを用いてそれぞ
れ実施例1と同様にリン酸カルシウム系結晶化ガラスを
得た。得られた結晶化ガラスは容器内の位置によらずい
ずれもほゞ同様な結晶化状態を示した。その強度の測定
値はSiC質の容器のもので1610〜1790kg/cm2、アルミナ
シリカ質の容器で1240〜1560kg/cm2と高く、そのばらつ
きも比較的小さかったが、実施例1には及ばなかった。
Example 3 Calcium phosphate was used in the same manner as in Example 1 using a quartz container filled with quartz powder having a particle size of 149 μm or less and a refractory brick made of alumina-silica filled with a SiC powder having a particle size of 149 μm or less, respectively. A system crystallized glass was obtained. The obtained crystallized glass showed almost the same crystallization state regardless of the position in the container. Measurement of the intensity 1610~1790kg / cm 2 in those containers SiC quality as high as 1240~1560kg / cm 2 in the container alumina siliceous, but the variation was also relatively small, inferior to Example 1 Did not.

比較例 1 アルミナシリカ質の耐火断熱れんが板の上に実施例1
と同じリン酸カルシウム系ガラス成形体5個を置き、昇
温速度を60℃/hrと非常にゆっくりとした以外は実施例
と同一条件で加熱、結晶化してリン酸カルシウム系結晶
化ガラスを得た。得られた結晶化ガラスは耐火断熱れん
が板上のセット位置により5個それぞれ異なる結晶化状
態を示すと共に、各々の結晶化ガラス自体においても発
熱体に曝される距離も近い上部と下部のれんがに接触し
た部分とで異なる結晶化状態を示した。強度も560〜980
kg/cm2と、セット位置によりばらつきが大きく、個々も
部位による結晶化の差により強度も小さかった。
Comparative Example 1 Example 1 was placed on an alumina-silica refractory brick.
5 pieces of the same calcium phosphate-based glass compact were placed, and heated and crystallized under the same conditions as in the example except that the heating rate was very slow, 60 ° C./hr, to obtain a calcium phosphate-based crystallized glass. The obtained crystallized glass shows five different crystallization states depending on the set position on the refractory heat-insulating brick, and each of the crystallized glass itself is exposed to the heating element at a short distance from the upper and lower bricks. A different crystallization state was shown between the contacted portion and the contact portion. Strength 560-980
kg / cm 2 , the variation was large depending on the set position, and the strength was small due to the difference in crystallization between each part.

比較例 2 アルミナシリカ質の耐火れんが容器内に粒度149μm
以下の石英粉末を充填してリン酸カルシウム系ガラス5
個を埋め込み、昇温速度を60℃/hrとした以外は実施例
1と同様に加熱、結晶化してリン酸カルシウム系結晶化
ガラスを得た。得られた結晶化ガラスのそれぞれの結晶
化ガラス内部での結晶化状態の差は少なかつたものゝ、
5個の結晶化ガラス間では容器内のセット位置により結
晶化状態に差が見られ、それに対応して強度も770〜103
0kg/cm2となった。
Comparative Example 2 Alumina-silica refractory brick with a particle size of 149 μm
Filling the following quartz powder, calcium phosphate glass 5
The pieces were embedded and heated and crystallized in the same manner as in Example 1 except that the heating rate was set to 60 ° C./hr, to obtain a calcium phosphate crystallized glass. The difference in the crystallization state inside each crystallized glass of the obtained crystallized glass is small.
The crystallized state differs among the five crystallized glasses depending on the set position in the container, and the strength is correspondingly 770 to 103.
It was 0 kg / cm 2 .

なお、用いた材料の熱伝導率はW/m・K単位でSiC容器
は120、アルミナシリカ質耐火れんが容器で2.5、アルミ
ナシリカ質耐火断熱れんが板で0.3、銅ブロックは350で
あり、粉末はいずれも充填状態でSiCは約50、石英約0.1
であった。
The thermal conductivity of the materials used was 120 in SiC container, 2.5 in alumina-silica refractory brick container, 0.3 in alumina-silica refractory insulating brick plate, and 350 in copper block in W / mK unit. Both are filled with about 50 SiC and about 0.1 quartz
Met.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭48−100406(JP,A) 特開 昭50−32216(JP,A) 特公 昭42−23038(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C03B 32/02 C03C 10/02────────────────────────────────────────────────── (5) References JP-A-48-100406 (JP, A) JP-A-50-32216 (JP, A) JP-B-42-23038 (JP, B1) (58) Field (Int.Cl. 6 , DB name) C03B 32/02 C03C 10/02

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ガラスを結晶化させるに際して、母ガラス
を熱伝導率が20W/m・K以上の高熱伝導性材料よりなる
容器内で結晶化させることを特徴とする結晶化ガラスの
製造方法。
1. A method for producing crystallized glass, comprising: crystallizing a mother glass in a container made of a high heat conductive material having a thermal conductivity of 20 W / m · K or more when crystallizing the glass.
【請求項2】ガラスを結晶化させるに際して、母ガラス
の周囲をSiC粉末またはSiCを主体とする熱伝導率が20W/
m・K以上の混合粉末で充填して結晶化させることを特
徴とする結晶化ガラスの製造方法。
2. When crystallizing glass, the periphery of the mother glass is made of SiC powder or SiC and has a thermal conductivity of 20 W /
A method for producing crystallized glass, characterized by filling and crystallizing with a mixed powder of m · K or more.
【請求項3】ガラスを結晶化させるに際して、母ガラス
を熱伝導率が20W/m・K以上の高熱伝導性材料よりなる
容器内に入れ、容器内の空隙をSiC粉末またはSiCを主体
とする熱伝導率が20W/m・K以上の混合粉末で充填して
結晶化させることを特徴とする結晶化ガラスの製造方
法。
3. When crystallizing glass, the mother glass is placed in a container made of a high thermal conductive material having a thermal conductivity of 20 W / m · K or more, and the voids in the container are mainly made of SiC powder or SiC. A method for producing crystallized glass, characterized by filling and crystallizing with a mixed powder having a thermal conductivity of 20 W / m · K or more.
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