JP2805626B2 - Memory device - Google Patents

Memory device

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JP2805626B2
JP2805626B2 JP1029412A JP2941289A JP2805626B2 JP 2805626 B2 JP2805626 B2 JP 2805626B2 JP 1029412 A JP1029412 A JP 1029412A JP 2941289 A JP2941289 A JP 2941289A JP 2805626 B2 JP2805626 B2 JP 2805626B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、透明基板上に微小な光学パターンとして
信号が記録されたメモリ板より光学的に信号を読み出す
ようにしたメモリ装置に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory device that optically reads a signal from a memory plate on which a signal is recorded as a fine optical pattern on a transparent substrate.

〔発明の概要〕[Summary of the Invention]

この発明は、光源と受光素子との間にメモリ板が配さ
れ、このメモリ板に記録された信号を光学的に読出すよ
うにしたメモリ装置において、受光素子が読取った信号
を、各アドレス毎に予め記憶されたデータにより設定さ
れる閾値で2値化処理するようにしたことで、微小な光
学パターンを全てのアドレスで良好に読出せるように
し、記録容量の向上が計れるようにしたものである。
According to the present invention, in a memory device in which a memory plate is disposed between a light source and a light receiving element, and a signal recorded on the memory plate is optically read, a signal read by the light receiving element is read for each address. By performing the binarization processing with a threshold value set by data stored in advance, a fine optical pattern can be read well at all addresses, and the recording capacity can be improved. is there.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、メモリ装置として、ROMのように高速アクセス
が可能な半導体メモリや、磁気ディスク、光ディスク等
のディスクメモリ等がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a memory device, there are a semiconductor memory that can be accessed at a high speed such as a ROM, and a disk memory such as a magnetic disk and an optical disk.

しかし、半導体メモリは、アクセス時間は短いが記憶
容量が小さい。一方、ディスクメモリは、記憶容量は大
きいが、記録/再生を行うヘッドが大きくなることが避
けられないためヘッドを所望の位置に送るための時間が
必要であることのほかに、ヘッドの送りが終了した後に
ヘッドの慣性による微動が生じるため、ヘッドが静止す
るまでの時間を要するため、アクセス時間が長くなって
しまう。
However, the semiconductor memory has a short access time but a small storage capacity. On the other hand, although the disk memory has a large storage capacity, it is inevitable that the head for recording / reproducing becomes large, so that it takes time to send the head to a desired position. After completion, slight movement due to the inertia of the head occurs, so that it takes time until the head comes to a standstill, and the access time becomes longer.

そこで、本出願人は先に以下に示すようなメモリ装置
を提案した(実願昭63−45709号参照)。
Accordingly, the present applicant has previously proposed a memory device as described below (see Japanese Utility Model Application No. 63-45709).

第3図はメモリ装置の全体の構成を示すものである。
同図において、(1)は図示しないが内蔵するレンズ等
の光学系により平行光を出すようにされた光源である。
FIG. 3 shows the overall configuration of the memory device.
In FIG. 1, (1) is a light source (not shown) that emits parallel light by an optical system such as a built-in lens.

(2)はCCDからなる撮像素子であり、(2a)はその
受光部である。そして、光源(1)と撮像素子(2)と
の間には、メモリ板(3)およびフィルタ板(4)が重
ねて配される。例えば、フィルタ板(4)は光源(1)
側に、メモリ板(3)は撮像素子(2)側に配される
が、この逆とされてもよい。
(2) is an image sensor formed of a CCD, and (2a) is its light receiving unit. Then, between the light source (1) and the image sensor (2), a memory plate (3) and a filter plate (4) are arranged in an overlapping manner. For example, the filter plate (4) is a light source (1)
On the side, the memory plate (3) is arranged on the image sensor (2) side, but the reverse may be adopted.

メモリ板(3)は、ガラス平板等の透明基板上に微小
な光学パターン(3a)として信号が記録されたものであ
る。この光学パターン(3a)は、第4図に示すように、
1μm平方の光透過性か非透過性かのパターンであっ
て、列方向および行方向に1μmの間隔で配列されてお
り、それぞれ1ビットの信号に対応するものである。例
えば、10mm平方の透明基板上には、このような光学パタ
ーン(3a)が列方向および行方向にそれぞれ、10000個
形成され、100Mビット分のメモリが形成される。この光
学パターン(3a)は、例えば以下のフォトプロセスによ
って形成される。すなわち、ガラス平板に光遮蔽材とし
ての感光材料を塗布し、つぎに記録信号に対応したパタ
ーンのマスクを介してレーザー光を照射し、つぎに洗浄
して不要な感光材料を除去することで形成される。
The memory plate (3) is a device in which signals are recorded as minute optical patterns (3a) on a transparent substrate such as a glass flat plate. This optical pattern (3a), as shown in FIG.
This is a 1 μm square light transmissive or non-transmissive pattern, arranged at 1 μm intervals in the column direction and the row direction, each corresponding to a 1-bit signal. For example, on a 10 mm square transparent substrate, 10,000 such optical patterns (3a) are formed in the column direction and the row direction, respectively, and a memory of 100 Mbits is formed. This optical pattern (3a) is formed by, for example, the following photo process. That is, a photosensitive material as a light shielding material is applied to a glass flat plate, then irradiated with a laser beam through a mask having a pattern corresponding to a recording signal, and then washed to remove unnecessary photosensitive material. Is done.

フィルタ板(4)としては、ガラス平板等の透明基板
上に光透過部(4a)が形成される。この光透過部(4a)
は、第5図に破線で示すように、1μm平方の大きさと
される。この光透過部(4a)は、列方向および行方向と
もに18μm間隔で545×545個配列されると共に、列方向
には1行、行方向には1列ずれた光学パターン(3a)に
対応するように配列される。また、この光透過部(4a)
が、第5図に二点鎖線で示すように撮像素子(2)の各
受光部(2a)の略中央部に対応するようになされる。し
たがって、撮像素子(2)の水平、垂直の画素ピッチは となる。ここで、X軸,Y軸はメモリ板(3)のメモリア
ドレスおよびフィルタ板(4)の光透過部(4a)の位置
を表わすための直角座標の座標軸、H軸、V軸は撮像素
子(2)の画素位置(受光部(2a)のアドレス)を表わ
すための座標軸である。光透過部(4a)も、例えば上述
したメモリ板(3)の光学パターン(3a)と同様にフォ
トプロセスによって形成される。
As the filter plate (4), a light transmitting portion (4a) is formed on a transparent substrate such as a glass flat plate. This light transmission part (4a)
Is 1 μm square as shown by the broken line in FIG. The 545 × 545 light transmitting portions (4a) are arranged at an interval of 18 μm in both the column direction and the row direction, and correspond to an optical pattern (3a) shifted one row in the column direction and one column in the row direction. Are arranged as follows. Also, this light transmission part (4a)
5 corresponds to a substantially central portion of each light receiving section (2a) of the image sensor (2) as shown by a two-dot chain line in FIG. Therefore, the horizontal and vertical pixel pitch of the image sensor (2) is Becomes Here, the X-axis and the Y-axis are coordinate axes of rectangular coordinates for indicating the memory address of the memory plate (3) and the position of the light transmitting portion (4a) of the filter plate (4), and the H-axis and the V-axis are image pickup devices ( It is a coordinate axis for representing the pixel position (address of the light receiving section (2a)) of 2). The light transmitting portion (4a) is also formed by a photo process, for example, similarly to the optical pattern (3a) of the memory plate (3) described above.

また、第3図において、(5)はアクチュエータであ
り、メモリ板(3)は、このアクチュエータ(5)によ
ってX軸方向に1μmずつ順次移動させられる。
In FIG. 3, reference numeral (5) denotes an actuator, and the memory plate (3) is sequentially moved by 1 μm in the X-axis direction by the actuator (5).

以上の構成において、光源(1)からの平行光は、フ
ィルタ板(4)に供給される。そして、このフィルタ板
(4)の各光透過部(4a)を通過する光は、それぞれメ
モリ板(3)を介して撮像素子(2)の受光部(2a)に
よって受光される。この場合、各光透過部(4a)に対向
する光学パターン(3a)が光透過性のパターン(以下、
透過パターン)であるときは受光部(2a)によって光が
受光されるが、非透過性のパターン(以下、非透過パタ
ーン)であるときには受光部(2a)に光は到達しない。
In the above configuration, the parallel light from the light source (1) is supplied to the filter plate (4). The light passing through each light transmitting portion (4a) of the filter plate (4) is received by the light receiving portion (2a) of the image sensor (2) via the memory plate (3). In this case, the optical pattern (3a) facing each light transmitting part (4a) is a light transmitting pattern (hereinafter, referred to as a light transmitting pattern (3a)).
The light is received by the light-receiving portion (2a) when the light-receiving portion (2a) is a light-transmitting pattern, but does not reach the light-receiving portion (2a) when the light-receiving portion (2a) is a non-transmitting pattern (hereinafter, a non-transmitting pattern).

そのため、第5図に図示するように、フィルタ板
(4)の各光透過部(4a)に、メモリ板(3)の「0」
で示す第0番地の光学パターン(3a)が対応しており、
メモリ板(3)が原点にあるときには、撮像素子(2)
からメモリ板(3)の「0」で示す第0番地の光学パタ
ーン(3a)で表わされる信号が得られる。この場合、信
号の個数は撮像素子(2)の画素数分だけ出力されるこ
とになる。
Therefore, as shown in FIG. 5, each light transmitting portion (4a) of the filter plate (4) has "0" of the memory plate (3).
Corresponds to the optical pattern (3a) at the address 0,
When the memory plate (3) is at the origin, the image sensor (2)
Thus, a signal represented by the optical pattern (3a) at the address 0 indicated by "0" on the memory plate (3) is obtained. In this case, the number of signals is output by the number of pixels of the image sensor (2).

つぎに、アクチュエータ(5)によってメモリ板
(3)を1μmだけX方向に移動させ、フィルタ板
(4)の各光透過部(4a)にメモリ板(3)の「1」で
示す第1番地の光学パターン(3a)が対応するようにす
ると、撮像素子(2)よりメモリ板(3)の「1」で示
す第1番地の光学パターン(3a)で表わされる信号が得
られる。
Next, the memory plate (3) is moved in the X direction by 1 μm by the actuator (5), and the first address indicated by “1” of the memory plate (3) is applied to each light transmitting portion (4a) of the filter plate (4). If the optical pattern (3a) of the memory plate (3a) corresponds, a signal represented by the optical pattern (3a) of the first address indicated by "1" on the memory plate (3) is obtained from the imaging element (2).

以下同様に、アクチュエータ(5)によってメモリ板
(3)を1μm間隔でX方向に移動させることで、撮像
素子(2)からは「2」〜「324」で示す第2番地〜第3
24番地の光学パターン(3a)で表わされる信号が順次得
られる。この場合、メモリ板(3)の「0」〜「324」
で示す第0番地〜第324番地の光学パターン(3a)で表
わされる信号を得るのに、メモリ板(3)が移動する距
離はたかだか324μmである。
Similarly, by moving the memory plate (3) in the X direction at 1 μm intervals by the actuator (5), the second to third addresses indicated by “2” to “324” from the image sensor (2).
Signals represented by the optical pattern (3a) at address 24 are sequentially obtained. In this case, "0" to "324" of the memory plate (3)
In order to obtain a signal represented by the optical pattern (3a) at addresses 0 to 324, the distance the memory plate (3) moves is at most 324 μm.

この第3図例のメモリ装置によれば、メモリ容量が大
きく、かつメモリ板(3)のわずかな移動ですべての光
学パターン(3a)を走査することができ、アクセス時間
も短いという利点がある。
According to the memory device shown in FIG. 3, the memory capacity is large, all optical patterns (3a) can be scanned by a slight movement of the memory plate (3), and the access time is short. .

ところで、さらにメモリ容量を大きくするため第6図
に示すようにメモリ板(3)およびフィルタ板(4)を
複数組積層して配することが考えられる。この場合、メ
モリ板(3)の「0」で示す第0番地の光学パターン
(3a)は透過パターンとされる。なお、(6)はメモリ
板セレクト用のアクチュエータである。
By the way, in order to further increase the memory capacity, it is conceivable to arrange a plurality of sets of the memory plate (3) and the filter plate (4) as shown in FIG. In this case, the optical pattern (3a) at the address 0 indicated by “0” on the memory plate (3) is a transmission pattern. Note that (6) is an actuator for selecting a memory plate.

このような構成において、フィルタ板(4)の各光透
過部(4a)にメモリ板(3)の「0」で示す第0番地の
光学パターン(3a)が対応しており、メモリ板(3)が
原点にあるとき、光源(1)からの平行光は、積層され
たメモリ板(3)とフィルタ板(4)を透過して撮像素
子(2)の受光部(2a)によって受光される。したがっ
て、この状態で信号を読み出したい所定のメモリ板
(3)をアクチュエータ(5)で順次移動させることに
より、「1」で示す第1番地から「324」で示す第324番
地までの信号が撮像素子(2)より得られる。
In such a configuration, the optical pattern (3a) of address 0 indicated by “0” of the memory plate (3) corresponds to each light transmitting portion (4a) of the filter plate (4). ) At the origin, the parallel light from the light source (1) passes through the stacked memory plate (3) and filter plate (4) and is received by the light receiving section (2a) of the image sensor (2). . Therefore, in this state, by sequentially moving the predetermined memory plate (3) from which a signal is to be read out by the actuator (5), signals from the first address indicated by "1" to the 324th address indicated by "324" are imaged. Obtained from element (2).

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

ところで、第6図例の如くメモリ板(3)およびフィ
ルタ板(4)を複数組積層して配すると、撮像素子
(2)の受光部(2a)に入射する光の光量が、各メモリ
板(3)の状態により不均一になる不都合があった。即
ち、各メモリ板(3)上の光学パターンはハイレベル信
号“1"又はローレベル信号“0"の2値信号として読出す
必要があるが、実際には各メモリ板(3)とフィルタ板
(4)との積層数が多いと夫々のメモリ板(3),フィ
ルタ板(4)の状態により受光部(2a)に入射する光量
が読出す光学パターンの位置により不均一になり、2値
信号として判別するのが困難になる。
By the way, when a plurality of sets of the memory plate (3) and the filter plate (4) are stacked and arranged as in the example of FIG. 6, the amount of light incident on the light receiving portion (2a) of the image sensor (2) is reduced. There was a problem of non-uniformity depending on the state of (3). That is, the optical pattern on each memory plate (3) needs to be read as a binary signal of a high-level signal "1" or a low-level signal "0". If the number of layers stacked with (4) is large, the amount of light incident on the light receiving portion (2a) becomes non-uniform depending on the position of the optical pattern to be read, depending on the state of the memory plate (3) and the filter plate (4). It becomes difficult to distinguish the signal.

この発明は斯かる点に鑑み、積層枚数を増しても記録
信号を良好に読出せるようにすることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the foregoing, it is an object of the present invention to enable a recording signal to be read satisfactorily even when the number of layers is increased.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

この発明は、例えば第1図及び第2図に示す如く、光
源(1)と、透明基板上に微小な光学パターンとして信
号が記録されたメモリ板(3)と、光源(1)からのメ
モリ板(3)を介した光ビームを受光する受光素子
(2)と、光透過部が形成されたフィルタ板(4)と、
受光素子(2)からの出力信号の信号処理を行う信号処
理手段(11)〜(17)とを備え、受光素子(2)からの
出力信号を信号処理手段(11)〜(17)で2値化信号処
理を行う際の閾値を、光学パターンの各アドレス毎に予
め記憶されたデータより決定するようにしたものであ
る。
As shown in FIGS. 1 and 2, for example, the present invention provides a light source (1), a memory plate (3) on which a signal is recorded as a fine optical pattern on a transparent substrate, and a memory from the light source (1). A light receiving element (2) for receiving a light beam passing through the plate (3), a filter plate (4) having a light transmitting portion formed thereon,
Signal processing means (11) to (17) for performing signal processing of an output signal from the light receiving element (2), wherein an output signal from the light receiving element (2) is divided by the signal processing means (11) to (17) into two. The threshold for performing the quantified signal processing is determined from data stored in advance for each address of the optical pattern.

〔作用〕[Action]

斯かる構成によると、予め記憶されたデータに基づい
て光学パターンの各アドレス毎に2値化判別用の閾値を
設定するので、各アドレスで最適な閾値が設定され、パ
ターン化されて記録された全てのアドレスの信号を確実
に読出して判別することができる。
According to such a configuration, since the threshold value for binarization determination is set for each address of the optical pattern based on the data stored in advance, the optimum threshold value is set at each address, and the data is recorded in a pattern. Signals of all addresses can be reliably read and determined.

〔実施例〕〔Example〕

以下、第1図及び第2図を参照しながらこの発明の一
実施例について説明する。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 and FIG.

第1図は本例のメモリ装置の全体を示す構成図であ
る。この第1図において第3図に対応する部分には同一
符号を付して示し、その詳細説明は省略する。
FIG. 1 is a configuration diagram showing the entire memory device of this example. In FIG. 1, parts corresponding to those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

本例においては、光源(1)より発せられる平行光
を、レンズ(7)に入射させた後、フィルタ板(4)及
びメモリ板(3)に入射させる。このレンズ(7)は、
小径の集光レンズを複数個縦横に配置して一体に固定し
たもので、CCDからなる撮像素子(2)の各受光部(2
a)の画素ピッチに対応した間隔で各集光レンズを配置
してある。この場合、例えば各集光レンズの光源(1)
側の面(7a)を直径18μm,曲率半径600μmの凸面と
し、フィルタ板(4)側の面(7b)を曲率半径170μm
の凹面とし、レンズ厚を130μmとし、屈折率n=1.5と
する。このようにすることで、このレンズ(7)に入射
した光源(1)よりの平行光を5μmの光ビームに絞
り、光ビームの出力を10倍以上に増大させる。
In this example, after the parallel light emitted from the light source (1) is made incident on the lens (7), it is made incident on the filter plate (4) and the memory plate (3). This lens (7)
A plurality of small-diameter condensing lenses are arranged vertically and horizontally and fixed together. Each light-receiving part (2
Each condenser lens is arranged at intervals corresponding to the pixel pitch in a). In this case, for example, the light source (1) of each condenser lens
The surface (7a) on the side is a convex surface having a diameter of 18 μm and a radius of curvature of 600 μm, and the surface (7b) on the filter plate (4) side is a radius of 170 μm.
, A lens thickness of 130 μm, and a refractive index n = 1.5. By doing so, the parallel light from the light source (1) incident on the lens (7) is reduced to a light beam of 5 μm, and the output of the light beam is increased 10 times or more.

そして本例においては、フィルタ板(4)とメモリ板
(3)とを複数組積層し、夫々のフィルタ板(4)には
撮像素子(2)の受光部(2a)の画素ピッチに対応した
所定間隔で光透過部(図示せず)を設けると共に、夫々
のメモリ板(3)の表面には記録信号に応じて透過率が
変化する光学パターン(3a)を形成する。そして、夫々
のメモリ板(3)は、従来と同様にメモリ板セレクトア
クチュエータ及びメモリ板アクチュエータ(図示せず)
により移動可能としてある。そして、各フィルタ板
(4)及びメモリ板(3)を透過した光ビームが届く位
置に、撮像素子(2)を配置する。
In this example, a plurality of sets of the filter plate (4) and the memory plate (3) are stacked, and each filter plate (4) corresponds to the pixel pitch of the light receiving section (2a) of the image sensor (2). Light transmitting portions (not shown) are provided at predetermined intervals, and an optical pattern (3a) whose transmittance changes according to a recording signal is formed on the surface of each memory plate (3). Each memory plate (3) is provided with a memory plate select actuator and a memory plate actuator (not shown) as in the prior art.
Is movable. Then, the image sensor (2) is arranged at a position where the light beam transmitted through each filter plate (4) and the memory plate (3) reaches.

次に、この撮像素子(2)の出力信号処理回路の構成
を第2図に示すと、撮像素子(2)の各受光部(2a)へ
の受光光量に応じた信号電荷は、駆動回路(11)よりの
水平駆動パルスH,垂直駆動パルスV及びリセットパルス
Rの供給により読出される受光部(2a)のアドレスが制
御される。即ち、撮像素子(2)は通常の画像信号を出
力する場合と同様に、リセットパルスRの供給毎にリセ
ットされながら、水平駆動パルスH及び垂直駆動パルス
Vの供給により各列の受光部(2a)が受光により蓄積し
た信号電荷を順に出力させる。そして、この撮像素子
(2)が出力する信号電荷を出力回路(12)に供給し、
この出力回路(12)で信号電荷を電圧信号に変換し、変
換した電圧信号を比較器(13)の比較信号入力端子に供
給する。
Next, FIG. 2 shows the configuration of an output signal processing circuit of the image sensor (2). The signal charge corresponding to the amount of light received by each light receiving section (2a) of the image sensor (2) is converted into a drive circuit ( By supplying the horizontal drive pulse H, the vertical drive pulse V, and the reset pulse R from 11), the address of the light receiving section (2a) read out is controlled. That is, the image sensor (2) is reset every time the reset pulse R is supplied, and is supplied with the horizontal drive pulse H and the vertical drive pulse V, as in the case of outputting the normal image signal. ) Sequentially outputs the signal charges accumulated by light reception. Then, the signal charges output from the image sensor (2) are supplied to an output circuit (12),
The output circuit (12) converts the signal charge into a voltage signal, and supplies the converted voltage signal to a comparison signal input terminal of the comparator (13).

また、駆動回路(11)が出力する水平駆動パルスH及
びリセットパルスとして垂直駆動パルスVを水平カウン
タ(14)に供給し、垂直駆動パルスV及びリセットパル
スRを垂直カウンタ(15)に供給する。そして、この水
平カウンタ(14)及び垂直カウンタ(15)で、撮像素子
(2)より読出される信号電荷の水平方向及び垂直方向
のアドレス位置(受光部(2a)の位置)をカウントし、
カウント信号をスレショルドレベル設定用メモリ(16)
に供給する。このスレショルドレベル設定用メモリ(1
6)は、撮像素子(2)の各アドレス位置に受光部(2
a)毎に予めスレショルドレベルを記憶させてあるメモ
リである。このスレショルドレベル設定用メモリ(16)
への記憶作業は、例えば各メモリ板(3)の光学パター
ン中に参照用パターン位置を設けておき、メモリ装置の
組立後に、各アドレス位置の受光部(2a)にこの各メモ
リ板(3)の参照用パターン位置を透過した光源(1)
からの光ビームを入射させて入射光量を検出し、この入
射光量に比例した値としてスレショルドレベルデータを
各アドレス毎に記憶させる。
Further, a vertical drive pulse V and a reset pulse are supplied to the horizontal counter (14), and the vertical drive pulse V and the reset pulse R are supplied to the vertical counter (15). The horizontal counter (14) and the vertical counter (15) count the horizontal and vertical address positions (positions of the light receiving section (2a)) of the signal charges read from the image sensor (2).
Memory for setting count signal to threshold level (16)
To supply. This threshold level setting memory (1
6) has a light receiving unit (2) at each address position of the image sensor (2).
This is a memory in which a threshold level is stored in advance for each a). This threshold level setting memory (16)
For example, a reference pattern position is provided in the optical pattern of each memory plate (3), and after assembling the memory device, the light receiving unit (2a) at each address position is used to store the memory plate (3). Light source transmitted through the reference pattern position (1)
Then, the amount of incident light is detected by inputting a light beam from the optical disk, and threshold level data is stored for each address as a value proportional to the amount of incident light.

そして、このスレショルドレベル設定用メモリ(16)
に供給される水平及び垂直のカウント信号より、対応し
たアドレスのスレショルドレベルデータを読出し、ディ
ジタル信号/アナログ信号変換器(17)に供給して、ア
ナログの電圧信号に変換する。そして、この電圧信号
を、比較器(13)の基準信号入力端子に供給する。そし
て、比較器(13)の出力信号を2値信号出力端子(18)
に供給する。
And this threshold level setting memory (16)
The threshold level data at the corresponding address is read out from the horizontal and vertical count signals supplied to the digital and analog signal converter (17), and is converted into an analog voltage signal. Then, this voltage signal is supplied to the reference signal input terminal of the comparator (13). The output signal of the comparator (13) is output to a binary signal output terminal (18).
To supply.

以上の構成において、所定のメモリ板(3)の光学パ
ターンとして記録された信号を読出す際には、まずメモ
リ板セレクトアクチュエータ及びアクチュエータによ
り、所定のメモリ板(3)を移動させ、フィルタ板
(4)の光透過部に所定のパターンが位置するようにす
る。そして、光源(1)より光を出射させ、該当する光
学パターンを透過した光を撮像素子(2)に入射させ
る。このとき、撮像素子(2)より出力される受光光量
に応じた電圧信号が比較器(13)の比較信号入力端子に
供給されると共に、この受光光量に応じた電圧信号を読
出した受光部(2)のアドレスのスレショルドレベルデ
ータとしての電圧信号が比較器(13)の基準信号入力端
子に供給されるようになる。従って、受光光量に応じて
出力される電圧信号が、対応したアドレス毎に設定され
たスレショルドレベルよりも高いか低いかがこの比較器
(13)で検出され、スレショルドレベルよりも高いとき
にはハイレベル信号“1"を出力し、スレショルドレベル
よりも低いときにはローレベル信号“0"を出力する。こ
のため、出力端子(18)に得られる出力信号としては、
ハイレベル信号“1"又はローレベル信号“0"の2値信号
となり、メモリ板(3)の光学パターンとして記録され
た信号が、2値信号として読出される。
In the above configuration, when reading a signal recorded as an optical pattern of the predetermined memory plate (3), the predetermined memory plate (3) is first moved by the memory plate select actuator and the actuator, and the filter plate (3) is moved. 4) A predetermined pattern is positioned in the light transmitting portion. Then, light is emitted from the light source (1), and light transmitted through the corresponding optical pattern is made incident on the image sensor (2). At this time, a voltage signal corresponding to the amount of received light output from the imaging element (2) is supplied to a comparison signal input terminal of the comparator (13), and a light-receiving unit ( The voltage signal as the threshold level data of the address 2) is supplied to the reference signal input terminal of the comparator (13). Therefore, the comparator (13) detects whether the voltage signal output according to the amount of received light is higher or lower than a threshold level set for each corresponding address, and when the voltage signal is higher than the threshold level, the high-level signal " 1 ", and outputs a low level signal" 0 "when it is lower than the threshold level. Therefore, as an output signal obtained at the output terminal (18),
It becomes a binary signal of a high level signal "1" or a low level signal "0", and a signal recorded as an optical pattern on the memory plate (3) is read out as a binary signal.

このように本例によれば、メモリ板(3)上の光学パ
ターンを読出す際に、記録信号の判別を撮像素子(2)
の夫々の受光部(2a)のアドレス毎に設定されたスレシ
ョルドレベルで行うので、各アドレスの受光部(2a)及
びこの受光部(2a)に達する光路等の状態に応じた適切
な判別ができ、確実に記録された信号を2値信号として
読出すことができる。また、本例の如くフィルタ板
(4)とメモリ板(3)とを複数積層した場合、受光部
(2a)への入射光量の不均一が多く発生するが、確実に
各メモリ板(3)に記録されたパターンを読出せるの
で、フィルタ板(4)とメモリ板(3)との積層数を多
くすることができ、記録密度及び記録容量を向上させる
ことができる。
As described above, according to this example, when reading the optical pattern on the memory plate (3), the determination of the recording signal is performed by the image pickup device (2).
This is performed at the threshold level set for each address of each light receiving section (2a), so that appropriate determination can be made according to the state of the light receiving section (2a) of each address and the optical path reaching this light receiving section (2a). Thus, the recorded signal can be reliably read as a binary signal. Further, when a plurality of filter plates (4) and memory plates (3) are stacked as in this example, a large amount of non-uniformity of the amount of light incident on the light receiving section (2a) occurs. Can be read out, the number of layers of the filter plate (4) and the memory plate (3) can be increased, and the recording density and the recording capacity can be improved.

また、本例においてはレンズ(7)で光源(1)から
の光を集光させてからメモリ板(3)の光学パターンに
入射させるようにしたので、受光部(2a)に届く光量が
増大し、それだけ安定して信号読出しが行えると共に光
源(1)からの光の照射時間を短かくでき、読出し時間
を速くできる。
Further, in this example, since the light from the light source (1) is condensed by the lens (7) and then incident on the optical pattern of the memory plate (3), the amount of light reaching the light receiving section (2a) increases. However, the signal reading can be performed stably, and the irradiation time of the light from the light source (1) can be shortened, and the reading time can be shortened.

なお、本発明は上述実施例に限らず、本発明の要旨を
逸脱することなく、その他種々の構成が取り得ることは
勿論である。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that various other configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によれば、フィルタ板とメモリ板とを複数積層
しても、各メモリ板の微小な光学パターンを全てのアド
レスで良好に読出せるため、積層数を増やすことがで
き、記録密度及び記録容量を向上させることができる利
益がある。
According to the present invention, even if a plurality of filter plates and memory plates are stacked, the fine optical pattern of each memory plate can be read well at all addresses, so that the number of stacked layers can be increased, and the recording density and recording density can be increased. There is a benefit that capacity can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図はこの発明の一実施例を示す構成図、第2図は第
1図例の信号読出し回路構成図、第3図はメモリ装置の
一例の構成図、第4図および第5図はその説明のための
線図、第6図はメモリ装置の一例の構成図である。 (1)は光源、(2)は撮像素子、(2a)は受光部、
(3)はメモリ板、(3a)は光学パターン、(4)はフ
ィルタ板、(7)はレンズ、(16)はスレショルドレベ
ル設定用メモリである。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram of a signal readout circuit of the embodiment of FIG. 1, FIG. 3 is a block diagram of an example of a memory device, and FIGS. FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a memory device. (1) is a light source, (2) is an image sensor, (2a) is a light receiving unit,
(3) is a memory plate, (3a) is an optical pattern, (4) is a filter plate, (7) is a lens, and (16) is a threshold level setting memory.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】光源と、 透明基板上に微小な光学パターンとして信号が記録され
たメモリ板と、 上記光源からの上記メモリ板を介した光ビームを受光す
る受光素子と、 光透過部が形成されたフィルタ板と、 上記受光素子からの出力信号の信号処理を行う信号処理
手段とを備え、 上記受光素子からの出力信号を上記信号処理手段で2値
化信号処理を行う際の閾値を、上記光学パターンの各ア
ドレス毎に予め記憶されたデータより決定するようにし
たことを特徴とするメモリ装置。
1. A light source, a memory plate on which a signal is recorded as a fine optical pattern on a transparent substrate, a light receiving element for receiving a light beam from the light source through the memory plate, and a light transmitting portion are formed. And a signal processing means for performing signal processing of an output signal from the light receiving element, a threshold for performing a binary signal processing on the output signal from the light receiving element by the signal processing means, A memory device characterized in that it is determined from data stored in advance for each address of the optical pattern.
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