JP2804532B2 - High-voltage feedthrough capacitor and method of manufacturing the same - Google Patents

High-voltage feedthrough capacitor and method of manufacturing the same

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JP2804532B2
JP2804532B2 JP1208101A JP20810189A JP2804532B2 JP 2804532 B2 JP2804532 B2 JP 2804532B2 JP 1208101 A JP1208101 A JP 1208101A JP 20810189 A JP20810189 A JP 20810189A JP 2804532 B2 JP2804532 B2 JP 2804532B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は高圧用貫通形コンデンサ及びその製造方法に
関するものであり、更に詳説すると、電子レンジに使用
するマグネトロンのノイズフィルターとして使用して好
適な高圧用貫通形コンデンサの改良とその製造方法に関
するものである。
The present invention relates to a high-voltage feedthrough capacitor and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention is suitable for use as a noise filter for a magnetron used in a microwave oven. The present invention relates to an improved high-voltage feedthrough capacitor and a method of manufacturing the same.

(ロ)従来の技術 従来、電子レンジに使用するマグネトロンから漏洩す
る電波雑音を防止するための貫通形コンデンサとしては
実公昭55−35803号(H01G 4/42)や実公昭55−52665号
(H01G 4/42)に示されている如きコンデンサがある。
(B) Conventional technology Conventionally, as feed-through capacitors for preventing radio noise leaking from a magnetron used in a microwave oven, Japanese Utility Model Publication No. 55-35803 (H01G 4/42) and Japanese Utility Model Publication No. 55-52665 (H01G) There is a capacitor as shown in 4/42).

次に従来例について第28図および第29図と共に説明す
る。(1)は貫通形のセラミックスよりなる円筒誘電
体、(2)(3)は筒状誘電体(1)の両端面に配設さ
れたそれぞれ第1および第2電極であり、粉末状の銀
(Ag)とガラスの混合したペースト状Agを約700〜800℃
で誘電体(1)の端面に焼きつけて形成した厚膜電極で
ある。(4)は貫通導電体であり、筒状誘電体(1)の
内側を貫通して配設され且つ接続金具(5)により第1
電極(2)と半田付等で電気的に接続されている。
(6)は接地用拡大金属板であり、透孔(6a)の設けら
れた上方折曲部(6b)により第2電極(3)と当接して
接続されている。(7)は貫通導電体(4)が貫挿され
るシリコーンの絶縁チューブ、(8)(8′)はエポキ
シ樹脂等の絶縁樹脂であり、接続金具(5)および貫通
導体(4)等のまわりを被覆し、絶縁すると共に筒状誘
電体(1)の絶縁性や耐湿性等を確保するために充填さ
れる。(9)はポリブチレン・テレフタレート(PBT)
よりなる合成樹脂製の外装ケース、(10)は絶縁カバー
である。
Next, a conventional example will be described with reference to FIGS. 28 and 29. FIG. (1) is a cylindrical dielectric made of a through-type ceramic, (2) and (3) are first and second electrodes respectively disposed on both end surfaces of the cylindrical dielectric (1), and are powdery silver. (Ag) and paste Ag mixed with glass about 700-800 ℃
Is a thick film electrode formed by baking on the end face of the dielectric (1). Reference numeral (4) denotes a penetrating conductor, which is disposed so as to penetrate the inside of the cylindrical dielectric (1), and is provided with a first connection fitting (5).
It is electrically connected to the electrode (2) by soldering or the like.
(6) is an enlarged ground metal plate, which is in contact with and connected to the second electrode (3) by an upper bent portion (6b) provided with a through hole (6a). (7) is a silicone insulating tube through which the penetrating conductor (4) is inserted, and (8) and (8 ') are insulating resins such as epoxy resin, around the fitting (5) and the penetrating conductor (4). And is filled to insulate the tubular dielectric (1) and ensure insulation and moisture resistance of the tubular dielectric (1). (9) is polybutylene terephthalate (PBT)
An outer case made of synthetic resin made of, and (10) is an insulating cover.

従来、絶縁用充填材として用いられてきたエポキシ樹
脂は、硬化時に第29図(a)(b)図における矢印にて
示す方向に硬化収縮が起こるため、貫通形コンデンサの
円筒状誘電体(1)内の内壁(1a)と充填用エポキシ樹
脂の界面との間に隙間が発生する。このことについて更
に詳説すると、貫通形磁器コンデンサにおいて、セラミ
ックス(1)の線膨張係数は1〜10×10-6/℃であるの
に対し、エポキシ樹脂(8)(8′)のそれは1〜10×
10-5/℃であり、その差が大きいため、熱衝撃試験を行
なうと、残留応力によりセラミックス(1)とエポキシ
樹脂(8)との界面(1a)に隙間や亀裂が発生し、電荷
集中が起こり、耐電圧の低下が起こる。このような状態
では耐湿試験で貫通コンデンサの内部に湿気が進入する
ことになる。これを防止するためシリコーン等の弾性の
絶縁チューブ(7)を配設している。
The epoxy resin conventionally used as an insulating filler material shrinks during curing in the direction indicated by the arrows in FIGS. 29 (a) and (b) during curing, so that the cylindrical dielectric (1 A gap is generated between the inner wall (1a) and the interface of the filling epoxy resin. To explain this in more detail, in the through-type porcelain capacitor, the coefficient of linear expansion of the ceramic (1) is 1 to 10 × 10 −6 / ° C., while that of the epoxy resin (8) (8 ′) is 1 to 10. 10x
Since the difference is 10 -5 / ° C and the difference is large, when a thermal shock test is performed, gaps and cracks occur at the interface (1a) between the ceramics (1) and the epoxy resin (8) due to residual stress, and charge concentration occurs. Occurs, and the withstand voltage decreases. In such a state, moisture enters the inside of the feedthrough capacitor in the moisture resistance test. To prevent this, an elastic insulating tube (7) made of silicone or the like is provided.

このように構成された貫通コンデンサは、マグネトロ
ンのシールドケース内に取り付けられるため、常に高温
にさらされることとなる。また、電子レンジでは冷却フ
ァンによりマグネトロン本体の冷却フィンに送風し、さ
らに貫通コンデンサにも風を送り、冷却する構造になっ
ている。それにもかかわらず、マグネトロンのアノード
付近は約300℃の高温になり、貫通コンデンサも常に100
〜120℃の高温にさらされ、ときには150℃まで上昇する
こともある。また、異常時には180〜200℃に達すること
も考えられる。
Since the feedthrough capacitor thus configured is mounted in the shield case of the magnetron, it is always exposed to high temperatures. In a microwave oven, a cooling fan sends air to the cooling fins of the magnetron body, and also sends air to the feedthrough condenser to cool it. Nevertheless, the temperature around the magnetron anode is about 300 ° C, and the feedthrough capacitor is always 100
Exposure to high temperatures of ~ 120 ° C, sometimes up to 150 ° C. It is also conceivable that the temperature may reach 180 to 200 ° C in the event of an abnormality.

さらに、最近では、電子レンジとオーブンを一体にし
たタイプが商品化されていることや電子レンジのコスト
ダウンのため冷却能力が低下していることもあり、貫通
コンデンサに対する耐熱性の要求はますます厳しくなっ
ている。しかし乍ら、例えば150℃ではエポキシ樹脂は
軟化し、劣化は急速に進行し、界面剥離が起こるため、
従来の貫通コンデンサでは限界状態にある。
Furthermore, recently, the type that integrates a microwave oven and an oven has been commercialized, and the cooling capacity has been reduced due to the cost reduction of the microwave oven. It's getting tougher. However, for example, at 150 ° C., the epoxy resin softens, the deterioration proceeds rapidly, and interfacial peeling occurs.
The conventional feedthrough capacitor is in a limit state.

このような問題を解決するため、最近、200℃前後の
耐熱性をもつ樹脂が開発されているが、硬度が高く、そ
のため硬化収縮と熱衝撃時の残留応力により素体にクラ
ックや破れが起こり、また、界面での隙間や剥離等によ
り充分な耐圧と信頼性が得られない。
To solve these problems, resins with heat resistance of around 200 ° C have been recently developed, but have high hardness, which causes cracks and tears in the element due to cure shrinkage and residual stress during thermal shock. Also, sufficient pressure resistance and reliability cannot be obtained due to gaps or peeling off at the interface.

また、一般にシリコーンゴムは耐熱性が200℃前後あ
り、弾性があることは知られているが、接着性がないた
め、これを貫通形磁器コンデンサの絶縁用の充填材とし
て使用すると、磁器(1)とシリコーンゴムとの間から
湿気が入り、絶縁不良を起こす欠点があるので、充填材
として使用されていない。これを解決するために被着体
にプライマーを塗布する方法があるが、プライマー塗布
の煩わしさやプライマー層の管理が難しく安定した絶縁
性及び耐湿性が得られなかった。
In general, silicone rubber has a heat resistance of about 200 ° C. and is known to be elastic. However, since it is not adhesive, it can be used as a filler for insulating a through-type porcelain capacitor. ) Is not used as a filler because of the drawback that moisture enters from between the silicone rubber and silicone rubber and causes insulation failure. To solve this problem, there is a method of applying a primer to an adherend. However, it is difficult to apply the primer and it is difficult to control the primer layer, so that stable insulation and moisture resistance cannot be obtained.

また、マグネトロン駆動時には貫通コンデンサに7〜
8kVの高電圧がかかるため十数kVの耐電圧が必要であ
る。
When driving the magnetron, the feedthrough capacitor should be 7 ~.
Since a high voltage of 8 kV is applied, a withstand voltage of more than 10 kV is required.

このように、貫通コンデンサは、(i)耐電圧性、
(ii)耐熱性、(iii)耐熱衝撃性等の点で極めて厳し
い特性及び信頼性が求められているが、従来のコンデン
サはこれらの要求を完全に満足するものではない。更に
また、(iv)貫通コンデンサに要求される重要な特性の
一つとして耐トラッキング特性がある。これは、急激な
温度変化によって、貫通コンデンサの表面に水分が結露
した場合の耐電圧性を評価するものである。従来の有機
高分子から成る絶縁ケース(9)や絶縁カバー(10)で
は、耐トラッキング性があまり良くなく、一度、ケース
の外沿をリークすると、有機高分子が炭化するので、シ
ョート状態になってしまうという問題があった。
Thus, the feedthrough capacitor has (i) a withstand voltage,
Although extremely strict characteristics and reliability are required in terms of (ii) heat resistance and (iii) thermal shock resistance, conventional capacitors do not completely satisfy these requirements. Furthermore, (iv) one of the important characteristics required for the feedthrough capacitor is tracking resistance. This is to evaluate the withstand voltage when moisture condenses on the surface of the feedthrough capacitor due to a rapid temperature change. Conventional insulating cases (9) and insulating covers (10) made of organic polymers have poor tracking resistance, and once leaking along the outside of the case, the organic polymer is carbonized, resulting in a short circuit. There was a problem that would.

(ハ)発明が解決しようとする課題 従来、絶縁チューブ(7)としてはシリコーンが用い
られるので、非常に高価であり、貫通導体(4)に挿通
するため作業に手間もかかり、コスト高となっていた。
また、絶縁材としてエポキシ樹脂を使用する場合には使
用限界は150℃であり、これより高温では絶縁特性が急
激に劣化してしまう。
(C) Problems to be Solved by the Invention Conventionally, since silicone is used for the insulating tube (7), it is very expensive, and since it is inserted into the through conductor (4), the work is troublesome and the cost is high. I was
Further, when an epoxy resin is used as an insulating material, the usage limit is 150 ° C., and at a temperature higher than this, the insulating characteristics are rapidly deteriorated.

このような問題を解決するため本発明においては絶縁
材として自己接着性シリコーンゴムを使用する貫通形コ
ンデンサを提案している。この自己接着性シリコーンゴ
ムを使用する高圧用貫通形コンデンサの破壊電圧は26〜
40kV(AC)に分布しているが、本発明はこの分布を高圧
側に集中するようにして該コンデンサの歩留まりを上
げ、更に信頼性を向上させることを目的とするものであ
る。
In order to solve such a problem, the present invention proposes a feedthrough capacitor using a self-adhesive silicone rubber as an insulating material. The breakdown voltage of the high-voltage feedthrough capacitor using this self-adhesive silicone rubber is 26 to
Although it is distributed at 40 kV (AC), the present invention aims to increase the yield of the capacitor by further concentrating this distribution on the high voltage side and further improve the reliability.

また、従来のコンデンサにおける外装絶縁ケース
(9)や絶縁カバー(10)表面における耐トラッキング
性の問題があるが、これも解決するものである。
Further, there is a problem of tracking resistance on the surface of the exterior insulating case (9) and the insulating cover (10) in the conventional capacitor, but this is also solved.

また、第19図および第20図に示す如く、筒状誘電体の
両端面に設けられたそれぞれ第1電極および第2電極と
それらに半田付接続される金属板との接合部における半
田トンネルの間隔からシリコーンゴムが漏れ、そのこと
により引きおこされる絶縁不良の問題がある。
As shown in FIGS. 19 and 20, the solder tunnel at the joint between the first electrode and the second electrode provided on both end surfaces of the cylindrical dielectric and the metal plate connected to them by soldering, respectively. There is a problem of poor insulation caused by leakage of silicone rubber from the gap.

更にまた、第25図に示す如く貫通導体(4)のファス
トンタブ(4a)に外力が加って筒状誘電体(1)にヒビ
割れ(クラック)が発生し、絶縁不良をひき起こすとい
う問題がある。本発明はこのような問題を解決できる絶
縁材、被覆材および貫通形コンデンサの製造方法を提供
することを目的とするものである。
Furthermore, as shown in FIG. 25, external force is applied to the faston tab (4a) of the through conductor (4) to cause cracks in the cylindrical dielectric (1), thereby causing insulation failure. There is. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an insulating material, a covering material, and a feedthrough capacitor that can solve such a problem.

(ニ)課題を解決するための手段 本発明は円筒状誘電体の内側に充填する絶縁材として
非常によく伸縮するシリコーンゲルを使用するか或は自
己接着性シリコーンゴムを使用するものである。
(D) Means for Solving the Problems The present invention uses a silicone gel that expands and contracts very well or a self-adhesive silicone rubber as an insulating material to be filled inside a cylindrical dielectric.

また、他の実施例では貫通形コンデンサにおける筒状
誘電体の内周面に対向する貫通導体の周囲にテフロンコ
ーティング、シリコーングリースを塗布したり、或はシ
リコーンチューブ、やテフロンチューブ[例えば、ポリ
テトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチ
レン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体8
(PFA)、また、テトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン共重合体(FEP)等のチューブ]等の自
己接着性シリコーンゴムと接着し難い離型層を設けた
後、或いは貫通導体の外周を絶縁樹脂との結合力が比較
的弱い金属でメッキ処理を施した後、筒状誘電体と貫通
導体との間に自己接着性シリコーンゴムを絶縁材として
充填する。また、他の実施例においては筒状誘電体およ
び貫通導体を被覆する絶縁材として自己接着性シリコー
ンゴムを使用する際、80℃以下の低温で硬化反応を行な
わせた後、加熱して100℃以上の高温で接着性付与の反
応を行なわせる二段階の所謂ステップキュアーを行な
い、貫通形誘電体の貫通孔内沿と自己接着性シリコーン
ゴムとの接着のバラツキをなくすることにより、高耐圧
で且つ耐電圧性のバラツキを少なくしている。
In another embodiment, a Teflon coating or silicone grease is applied around the through conductor facing the inner peripheral surface of the cylindrical dielectric in the feedthrough capacitor, or a silicone tube or a Teflon tube [for example, polytetrafluoroethylene] is used. Fluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer 8
(PFA), a tube made of tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), etc.] or a self-adhesive silicone rubber, or a release layer that is difficult to adhere to, or the outer periphery of the through conductor is made of insulating resin. After plating with a metal having a relatively weak bonding force with the conductor, self-adhesive silicone rubber is filled as an insulating material between the cylindrical dielectric and the through conductor. Further, in another embodiment, when a self-adhesive silicone rubber is used as an insulating material for covering the cylindrical dielectric and the through conductor, a curing reaction is performed at a low temperature of 80 ° C. or less, and then heating is performed to 100 ° C. By performing a so-called step cure in which the reaction of imparting adhesiveness is performed at the high temperature described above, by eliminating the variation in the adhesion between the inside of the through-hole of the through-type dielectric and the self-adhesive silicone rubber, a high pressure resistance is achieved. In addition, variations in withstand voltage are reduced.

更に、他の実施例においては、自己接着性シリコーン
ゴムよりなる絶縁樹脂を充填硬化した後、その外表面に
沿面放電処理を行なう。
Further, in another embodiment, after filling and curing an insulating resin made of self-adhesive silicone rubber, a creeping discharge treatment is performed on the outer surface thereof.

尚、更に他の実施例においては筒状誘電体の両端面の
電極とそれらに電気的に接続するため半田接続する際、
半田トンネルにより引きおこされる耐圧不良を解決する
ため筒状誘電体の端面の電極とそれらに半田付接合され
る金属板の接合部の当接面積を小さくし、線接触するよ
うにする。
In addition, in still another embodiment, when soldering to electrically connect the electrodes on both end surfaces of the cylindrical dielectric and the electrodes,
In order to solve the withstand voltage failure caused by the solder tunnel, the contact area between the electrodes on the end faces of the cylindrical dielectric and the metal plate to be soldered to them is reduced so as to make line contact.

更に、本発明の他の実施例(第26図)においては貫通
導体(4)のタブ(4a)の面に強度的に弱い凹部(26)
(26′)を設けると共にタブ(4a)と鍔部(13)との間
で且つタブ面と直交する方向にも凹部(27)(27′)を
設け、タブ(4a)に外力が加わる際、筒状誘電体(1)
にクラックが入る前にファストンタブ(4a)が曲がるよ
うにして、ここで外力を吸収させる。
Further, in another embodiment of the present invention (FIG. 26), the concave portion (26) having a weak strength is formed in the surface of the tab (4a) of the through conductor (4).
(26 ') and recesses (27) and (27') between the tab (4a) and the flange (13) and in a direction perpendicular to the tab surface, so that when an external force is applied to the tab (4a). , Cylindrical dielectric (1)
The Faston tab (4a) bends before cracking in the, so that external force is absorbed here.

(ホ)作用 シリコーン樹脂の中でも完全な架橋構造を持たないシ
リコーンゲルは粘着性が良い上に、伸び率が非常に大き
いので、硬化収縮がなく、円筒状誘電体(1)や貫通導
体(4)の熱膨張による応力を吸収し緩和するので、耐
熱性やヒートショックにも強い。また、自己接着性シリ
コーンゴムはシランカップリング剤の如き接着性付与成
分をシリコーンゴム組成物に添加し、自己接着性を付与
したもであり、セラミック、金属、プラスチック等に対
する接着性が非常に良好であり、而も絶縁性が極めて高
く、更に熱膨張による応力を吸収し、耐熱性やヒートシ
ョックにも強い。
(E) Action Among silicone resins, silicone gel having no complete cross-linked structure has good adhesiveness and a very large elongation, so there is no cure shrinkage, and no cylindrical dielectric (1) or through conductor (4) ) Absorbs and relaxes the stress due to thermal expansion, so it is resistant to heat resistance and heat shock. In addition, the self-adhesive silicone rubber is obtained by adding an adhesiveness-imparting component such as a silane coupling agent to a silicone rubber composition and imparting self-adhesiveness, and has very good adhesion to ceramics, metals, plastics, and the like. It also has extremely high insulating properties, absorbs stress due to thermal expansion, and is resistant to heat resistance and heat shock.

また、本発明の他の実施例(第4図および第11図)で
はシリコーンやテフロンの如く自己接着性シリコーンゴ
ムと接着し難い材料よりなるチューブで貫通導体の適所
を被覆して貫通導体上に離型層を設け、或は第12図に示
す如く自己接着性シリコーンゴムとの結合力が比較的弱
いニッケル等で貫通導体の所望の外周面をメッキ処理し
て貫通導体の筒状誘電体の内周面と対応する部分に非接
着領域を設け、貫通導体の両端部においては、貫通導体
と自己接着性シリコーンゴムが接着し隙間が発生しない
ようにしている。
In another embodiment of the present invention (FIGS. 4 and 11), a tube made of a material which is difficult to adhere to a self-adhesive silicone rubber, such as silicone or Teflon, is used to cover an appropriate portion of the through conductor and to be placed on the through conductor. A release layer is provided, or a desired outer peripheral surface of the through conductor is plated with nickel or the like having a relatively weak bonding force with the self-adhesive silicone rubber as shown in FIG. A non-adhesion region is provided at a portion corresponding to the inner peripheral surface, and at both ends of the through conductor, the through conductor and the self-adhesive silicone rubber are bonded so that no gap is generated.

更に本発明の他の実施例(第10図および第11図)では
外装絶縁ケース(9)及び絶縁カバー(10)を使用せ
ず、自己接着性シリコーンゴムが直接裸出する構造にな
っている。そしてシリコーンゴムは水をはじく所謂撥水
性を有しているので、仮に自己接着性シリコーンゴムの
表面に水分が結露しても、水滴はすぐに流れ落ちるの
で、耐トラッキング性は良くなる。更にまた、シリコー
ンゴムは従来の絶縁ケース等に使用している有機高分子
とは異なり、カーボンを含んでおらず、難燃性であり、
仮に放電して貫通コンデンサの外沿で沿面リークが起こ
っても炭化することがないので、すぐに元の絶縁状態に
復帰する。
Further, in another embodiment of the present invention (FIGS. 10 and 11), the self-adhesive silicone rubber is directly exposed without using the outer insulating case (9) and the insulating cover (10). . Since the silicone rubber has a so-called water repellency that repels water, even if moisture is condensed on the surface of the self-adhesive silicone rubber, the water droplets immediately flow down, so that the tracking resistance is improved. Furthermore, unlike organic polymers used for conventional insulating cases and the like, silicone rubber does not contain carbon and is flame-retardant,
Even if creepage occurs and creepage leakage occurs on the outer side of the feedthrough capacitor, it does not carbonize, so that it immediately returns to the original insulating state.

前述の如く、自己接着性シリコーンゴムは本来接着性
のないシリコーンゴムにシランカップリング剤の如き接
着性付与成分を添加し、自己接着性を付与したものであ
る。そして、一般に100℃以上の温度をかけると、硬化
反応と接着反応が1〜2時間で起こる。この二つの反応
の内、接着反応にはどうしても100℃以上の温度が必要
であるが、硬化反応は長時間かければ、室温でも起こ
る。一般に、自己接着性シリコーンゴムを注型に使用す
る場合、100℃以上に加熱し、前記の二つの反応を同時
に行なわせるのが作業上便利であるため、通常そのよう
になっている。本発明は、前記の二つの反応をあえて分
けて行なう。つまり、低温で硬化反応を十分に行なわ
せ、硬化が終了した後に接着反応を行なわせるのであ
る。このようにすることにより硬化時の貫通導体の膨張
を極力抑えることができる。
As described above, the self-adhesive silicone rubber is obtained by adding an adhesiveness-imparting component such as a silane coupling agent to a silicone rubber originally having no adhesiveness, thereby imparting self-adhesiveness. In general, when a temperature of 100 ° C. or more is applied, a curing reaction and an adhesion reaction occur in 1 to 2 hours. Of these two reactions, the adhesive reaction requires a temperature of 100 ° C. or more, but the curing reaction takes place at room temperature if it takes a long time. In general, when a self-adhesive silicone rubber is used for casting, it is usually convenient to heat the mixture to 100 ° C. or higher to simultaneously perform the above two reactions. In the present invention, the above two reactions are performed separately. That is, the curing reaction is sufficiently performed at a low temperature, and the bonding reaction is performed after the curing is completed. By doing so, expansion of the through conductor during curing can be suppressed as much as possible.

更に本発明の他の実施例においては、加熱硬化タイプ
の自己接着性シリコーンゴムは接着性が良いため隙間が
発生せず、絶縁性も耐湿性も向上するので、これを使用
し、更に第10図および第11図における硬化した絶縁樹脂
の外表面に沿面放電処理を施すことにより絶縁樹脂の外
表面を滑らかにし、外表面に付着した埃や塵埃が炭化し
たり、水滴が付着することにより発生する沿面リークを
抑える。
Further, in another embodiment of the present invention, a self-adhesive silicone rubber of a heat-curable type has good adhesiveness so that no gap is generated, and the insulating property and the moisture resistance are improved. By applying a creeping discharge treatment to the outer surface of the cured insulating resin in Fig. 11 and Fig. 11, the outer surface of the insulating resin is smoothed, and the dust or dust adhering to the outer surface is generated by carbonization or water droplet adhesion. To reduce creeping leaks.

更に本発明の実施例(第21図、第22図及び第23図)に
おいては、筒状誘電体の両端縁に設けられる第1電極お
よび第2電極にそれぞれ当接される貫通導体の鍔部の当
接部の形状および接地用金属板の接合部の形状を線状に
狭くしてあるので、各当接部の当接面積が狭く、当接す
る部分は略線接触することになり、当接部での隙間が発
生しにくい。そのためクリーム半田中の溶剤及びフラッ
クスが溶出しやすく、ボイドが発生しにくい。また、半
田トンネルも発生しにくい。
Further, in the embodiment of the present invention (FIGS. 21, 22, and 23), the flange portions of the through conductors respectively contacting the first electrode and the second electrode provided on both ends of the cylindrical dielectric. Since the shape of the abutting portion and the shape of the joining portion of the grounding metal plate are narrowed linearly, the abutting area of each abutting portion is small, and the abutting portions are substantially in line contact. The gap at the contact portion is hardly generated. Therefore, the solvent and the flux in the cream solder are easily eluted, and voids are hardly generated. Also, a solder tunnel is unlikely to occur.

本発明の他の実施例(第26図)においては、ファスト
ンタブ(4a)に外力が加わる際、筒状誘電体(1)のク
ラックが入る前にファストンタブ(4a)が凹部(26)
(26′)或いは(27)(27′)で曲がるようにして、こ
こで外力を吸収させ、筒状誘電体(1)の破損を防止す
る。
In another embodiment of the present invention (FIG. 26), when an external force is applied to the faston tab (4a), the faston tab (4a) is recessed (26) before the cylindrical dielectric (1) is cracked.
By bending at (26 ') or (27) (27'), external force is absorbed here to prevent damage to the cylindrical dielectric (1).

(ヘ)実施例 第1図は本発明の実施例を示し、図番は第28図および
第29図と対応するものには同一符号をつけて示す。この
実施例では円筒状誘電体(1)の内側に、JIS規格によ
る針入度60、伸び率850%のシリコーンゲル(11)を注
入充填する。また、筒状誘電体(1)の外側にはJIS規
格によるショア硬度D−90のエポキシ樹脂(12)を充填
して硬化させ、貫通導体(4)の軸方向に15kg・fの強
度を持たせる。
(F) Embodiment FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, and the same reference numerals as those in FIGS. 28 and 29 denote the same parts. In this embodiment, the inside of the cylindrical dielectric (1) is filled with a silicone gel (11) having a penetration of 60 and an elongation of 850% according to JIS standards. The outside of the cylindrical dielectric (1) is filled with an epoxy resin (12) having a Shore hardness of D-90 according to JIS and cured, and has a strength of 15 kg · f in the axial direction of the through conductor (4). Let

第2図には本発明の他の実施例を示し、筒状誘電体
(1)の内外とも針入度60、伸び率850%のシリコーン
ゲル(11)を充填し、シリコーンゲル(11)の上にショ
ア硬度D−90のエポキシ樹脂層(12)(12′)を形成す
る。このような二層構造にすることにより耐湿性はさら
に良くなり、また、貫通導体(4)の軸方向に15kg・f
の強度を持たせることができる。
FIG. 2 shows another embodiment of the present invention, in which a silicone gel (11) having a penetration of 60 and an elongation of 850% is filled inside and outside the cylindrical dielectric (1). An epoxy resin layer (12) (12 ') having a Shore hardness of D-90 is formed thereon. By adopting such a two-layer structure, the moisture resistance is further improved, and 15 kg · f in the axial direction of the through conductor (4).
Strength can be provided.

このようにして耐熱試験やヒートショック試験の際の
外装ケース(9)と円筒状誘電体(1)の熱膨張による
応力を吸収し、緩和することができる。このようなシリ
コーンゲルを筒状誘電体に充填すると、シリコーンゲル
は余りにも硬度が足らな過ぎるという場合には、これよ
りも遥かに硬度の高い自己接着性シリコーンゴムを使用
してもよい。
In this way, the stress caused by the thermal expansion of the outer case (9) and the cylindrical dielectric (1) during the heat resistance test and the heat shock test can be absorbed and reduced. If such a silicone gel is filled into a cylindrical dielectric, the silicone gel may be too hard, and a self-adhesive silicone rubber having a much higher hardness may be used.

次に自己接着性シリコーンゴムを使用する実施例につ
いて第3図と共に説明する。第1図と同一部品について
は同一符号をつけて示す。
Next, an embodiment using a self-adhesive silicone rubber will be described with reference to FIG. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

第3図においては、貫通導体(4)と鍔状接続金具
(13)はヘッダー加工により一本の金属棒を使って一体
成形にて作られている。鍔状接続金具(13)と電極
(2)の接続及び接地用拡大金属板(6)と電極(3)
の接続は錫と銀(Sn−Ag)共晶半田を用いる。この溶融
温度は220℃であり、Sn−Pb共晶半田の溶融温度183℃よ
りも高いので、耐熱性が良い。また、外装ケース(9)
や絶縁カバー(10)は耐熱性の良好なPPS(ポリフェニ
レン・サルファイド)樹脂やPBT(ポリブチレンテレフ
タレート)樹脂等を用いる。このPBT樹脂の熱変形温度
は約210℃、PPS樹脂のそれは260℃である。
In FIG. 3, the through conductor (4) and the flange-like connection fitting (13) are formed by integral molding using a single metal rod by header processing. Connection of flange-shaped connection fitting (13) with electrode (2) and enlarged metal plate (6) and electrode (3) for grounding
Is connected using tin and silver (Sn-Ag) eutectic solder. The melting temperature is 220 ° C., which is higher than the melting temperature of 183 ° C. of the Sn—Pb eutectic solder, so that the heat resistance is good. In addition, exterior case (9)
The insulation cover (10) is made of PPS (polyphenylene sulfide) resin or PBT (polybutylene terephthalate) resin having good heat resistance. The thermal deformation temperature of this PBT resin is about 210 ° C, and that of PPS resin is 260 ° C.

絶縁材として使用される自己接着性シリコーンゴム
(14)としては、例えば東芝シリコーン(株)製自己接
着性シリコーンTSE3331を用いる。このTSE3331は2液タ
イプの加熱硬化型シリコーンゴムであり、加熱すること
により硬化する。この2液タイプとは主剤(A)と硬化
剤(B)とを混合してできる。
As the self-adhesive silicone rubber (14) used as an insulating material, for example, self-adhesive silicone TSE3331 manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd. is used. This TSE3331 is a two-part type heat-curable silicone rubber, which is cured by heating. The two-pack type is obtained by mixing the main agent (A) and the curing agent (B).

次に本発明の貫通形コンデンサの製造方法について説
明する。
Next, a method for manufacturing the feedthrough capacitor of the present invention will be described.

次にこのようにして製造した第3図に示す如き貫通形
コンデンサの特性について述べる。
Next, the characteristics of the thus-produced feedthrough capacitor as shown in FIG. 3 will be described.

第5図は貫通形コンデンサの温度と破壊電圧(B.D.
V.:Break Down Voltage)との関係を示す特性図であ
り、同図(a)は絶縁材としてエポキシ樹脂を使用した
第28図に示す如き従来例の特性を示し、同図(b)は本
発明の特性図を示す。
Figure 5 shows the temperature and breakdown voltage (BD
V .: Break Down Voltage), and FIG. 28A shows the characteristics of a conventional example as shown in FIG. 28 using an epoxy resin as an insulating material, and FIG. FIG. 3 shows a characteristic diagram of the present invention.

尚、この測定は次のようにして行なっている。即ち、
第5図(a)においては同一ロットのサンプルの中から
任意に数個を抽出し、高絶縁材であるシリコーンオイル
中に入れて、シリコーンオイルを加熱し、例えば120℃
に10〜15分間保持した後、シリコーンオイル中で貫通形
コンデンサの接地用拡大金属板(6)と貫通導電体
(4)間に交流高電圧を印加すると、このサンプル数個
の平均破壊電圧は26.5kV(A.C)であったことを示して
いる。他のデータも同様にして測定している。
In addition, this measurement is performed as follows. That is,
In FIG. 5 (a), several samples are arbitrarily extracted from the samples of the same lot, placed in a silicone oil which is a high insulating material, and the silicone oil is heated to, for example, 120 ° C.
After holding for 10 to 15 minutes, applying an AC high voltage between the expanded metal plate (6) for grounding the through-type capacitor and the through-hole conductor (4) in silicone oil, the average breakdown voltage of several samples becomes It was 26.5 kV (AC). Other data are measured in the same manner.

この第5図(a)の従来例では150℃において絶縁破
壊電圧がようやく10kV(A、C)を越える程度まで急速
に降下しており、破壊電圧は通常10kV(A、C)以上必
要であるから、150℃が使用限界であることが判る。こ
れに対し、本発明の貫通形コンデンサは同図(b)に示
す如く200℃においても30kV(A、C)の破壊電圧を示
しており、従来例よりも遥かに破壊電圧が高いことが判
かる。
In the conventional example shown in FIG. 5 (a), the dielectric breakdown voltage rapidly drops to a level exceeding 10 kV (A, C) at 150 ° C., and the breakdown voltage usually needs to be 10 kV (A, C) or more. This shows that 150 ° C. is the limit of use. On the other hand, the through-type capacitor of the present invention exhibited a breakdown voltage of 30 kV (A, C) even at 200 ° C. as shown in FIG. Call

第6図は同一ロットから任意に取り出したサンプル20
個について、常温(20℃)における従来例と本発明の初
期の破壊電圧(BDV)の度数分布を示す図である。この
図から従来例よりも耐電圧性が向上していることが判
る。第7図は耐熱性の比較を行なうために、150℃の恒
温槽中に1000時間放置後の破壊電圧(BDV)の度数分布
を示す図である。この第7図から従来例では150℃にお
いては全て10kV以下で絶縁破壊を起こしているが、本発
明の例においては第6図における初期の分布と殆ど変ら
ない特性を示している。第8図は−40℃の恒温槽の中に
30分間、次に150℃の恒温槽の中に30分間交互に入れ換
える熱衝撃試験を200サイクル繰り返した後の常温(20
℃)における資料10個の破壊電圧の度数分布を示す。こ
の図と第6図を比較してみれば判かる如く、従来例では
熱衝撃試験後には絶縁破壊電圧が非常に低下している
が、本発明の例では初期の状態と変わらない分布を示し
ている。
Fig. 6 shows a sample 20 arbitrarily taken from the same lot.
It is a figure which shows the frequency distribution of the conventional breakdown voltage (BDV) of the conventional example at normal temperature (20 degreeC), and this invention about an individual. From this figure, it can be seen that the withstand voltage is improved as compared with the conventional example. FIG. 7 is a diagram showing a frequency distribution of a breakdown voltage (BDV) after leaving in a thermostat at 150 ° C. for 1000 hours for comparison of heat resistance. As shown in FIG. 7, in the conventional example, dielectric breakdown occurs at 10 ° C. or less at 150 ° C., but the characteristics of the example of the present invention show little change from the initial distribution in FIG. Fig. 8 shows the inside of a constant temperature bath at -40 ° C.
After repeating the thermal shock test for 30 minutes and then alternately in a thermostat at 150 ° C for 30 minutes for 200 cycles at room temperature (20
(° C) shows the frequency distribution of the breakdown voltage of 10 samples. As can be seen by comparing FIG. 6 with FIG. 6, the breakdown voltage in the conventional example is very low after the thermal shock test, but in the example of the present invention, the distribution does not change from the initial state. ing.

次に本発明の他の実施例を第4図に示す。この実施例
においては筒状誘電体(1)の内周面に対向する貫通導
体(4)の周囲に、テフロンコーティング、シリコーン
グリース、或はシリコーンチューブやテフロンチューブ
[例えば、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テト
ラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエー
テル共重合体(PFA)、またテトラフルオロエチレン−
ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)のチュー
ブ]等の自己接着性シリコーンゴム(例えば東芝シリコ
ーン(株)製TSE 3331)と接着し難い離型層(15)を、
前記内周面に対向する誘電体(1)の軸方向の長さより
も少し長く設けることを特徴とするものである。このよ
うな離型層(15)を設けた後、筒状誘電体(1)と貫通
導体(8)との間に自己接着性シリコーンゴム(例えば
TSE3331)(14)を絶縁材として充填する。
Next, another embodiment of the present invention is shown in FIG. In this embodiment, Teflon coating, silicone grease, or a silicone tube or a Teflon tube [for example, polytetrafluoroethylene (PTFE)] is provided around the through conductor (4) facing the inner peripheral surface of the cylindrical dielectric (1). ), Tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), and tetrafluoroethylene-
Hexafluoropropylene copolymer (FEP) tube] and other self-adhesive silicone rubber (for example, TSE 3331 manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.)
The dielectric (1) facing the inner peripheral surface is provided to be slightly longer than the axial length. After providing such a release layer (15), a self-adhesive silicone rubber (for example, between the cylindrical dielectric (1) and the through conductor (8))
TSE3331) (14) is filled as an insulating material.

このようにすれば、貫通導体(4)と注型された自己
接着性シリコーンゴム(14)とは接着しないが、筒状誘
電体(1)と自己接着性シリコーンゴム(14)とはよく
付着しているので、熱衝撃試験の如き熱衝撃が加えられ
た際の残留応力によっても筒状誘電体(1)と自己接着
性シリコーンゴム(14)との剥離は全く起こらないし、
離型層(15)から離れた部分の貫通導体(4)は自己接
着性シリコーンゴム(14)により強固に接着されている
ので、耐湿性、耐温性、耐電圧特性ともに極めて良好と
なる。尚、この際、使用するシリコーンチューブは単な
る離型層を設けるためのものである故、従来例である第
28図に使用するシリコーンチューブの肉厚(約0.5mm)
よりも遥かに肉薄(例えば約0.1mm)で、而も弾性のと
ぼしいものでよい。
In this case, the through conductor (4) does not adhere to the cast self-adhesive silicone rubber (14), but the tubular dielectric (1) and the self-adhesive silicone rubber (14) adhere well. As a result, no separation between the cylindrical dielectric (1) and the self-adhesive silicone rubber (14) occurs due to residual stress when a thermal shock is applied as in a thermal shock test,
Since the penetrating conductor (4) at a portion away from the release layer (15) is firmly bonded by the self-adhesive silicone rubber (14), the moisture resistance, temperature resistance, and voltage resistance characteristics are extremely good. In this case, since the silicone tube used is merely for providing a release layer, the conventional silicone tube is used.
The thickness of the silicone tube used in Figure 28 (about 0.5 mm)
It may be much thinner (eg, about 0.1 mm) and less elastic.

更に次に本発明の他の実施例について説明する。これ
は第4図の実施例におけるテフロンコーティング等によ
る離型層(15)の代りに、筒状誘電体(1)に対向する
貫通導体(4)の周囲に自己接着性シリコーンゴムと接
着し難いニッケルメッキを、対向する誘電体(1)の軸
方向の長さよりも長く設けることを特徴とするものであ
る。このように自己接着性シリコーンゴム(14)と接着
し難いメッキを施しても第3図における効果と同様の効
果を得ることができる。
Next, another embodiment of the present invention will be described. This is because the self-adhesive silicone rubber hardly adheres around the through conductor (4) facing the cylindrical dielectric (1) instead of the release layer (15) made of Teflon coating or the like in the embodiment of FIG. The present invention is characterized in that the nickel plating is provided to be longer than the axial length of the opposing dielectric (1). In this way, the same effect as that shown in FIG. 3 can be obtained even if plating is performed that is difficult to adhere to the self-adhesive silicone rubber (14).

さて、マグネトロン等の電源供給ラインに接続して使
用する高圧用貫通形コンデンサにおいては、貫通導体
(4)はの2本必要であるので、実際の貫通形コン
デンサは第9図に示す如く、円筒状誘電体(1)
(1′)、ヘッダー加工により一本の金属棒から鍔状接
続金具(13)(13′)を設けた貫通導体(4)
(4′)、接地用拡大金属板(6)、外装ケース(図示
せず)および絶縁カバー(図示せず)と組合わせ、前述
のような方法により自己接着性シリコーンゴム(図示せ
ず)をそ中に充填して作る。(4a)(4a′)はファスト
ンタブであり、コネクター金具の雄型端子の役割をな
し、電子レンジ側の雌型端子ソケット(ファストン・リ
セプタクル)に挿入して接続される。
In a high-voltage feedthrough capacitor connected to a power supply line such as a magnetron or the like, two through-conductors (4) are required. Therefore, an actual feedthrough capacitor is a cylindrical type as shown in FIG. Dielectric (1)
(1 '), through-conductor (4) provided with flange-shaped connection fittings (13) (13') from one metal rod by header processing
(4 '), the enlarged metal plate for grounding (6), the outer case (not shown), and the insulating cover (not shown) are combined, and self-adhesive silicone rubber (not shown) is formed by the method described above. Fill it and make it. (4a) and (4a ') denote faston tabs, which serve as male terminals of connector fittings, and are inserted and connected to female terminal sockets (faston receptacles) on the microwave oven side.

次に本発明の他の実施例について第10図と共に説明す
る。この実施例の高圧用貫通形コンデンサにおいては、
外装絶縁ケース(9)及び絶縁カバー(10)を使用せ
ず、自己接着性シリコーンゴムが直接裸出する構造にな
っている。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the high-voltage feedthrough capacitor of this embodiment,
The self-adhesive silicone rubber is directly exposed without using the outer insulating case (9) and the insulating cover (10).

この実施例の製造方法について説明すると、前述の第
3図の実施例の製造方法における工程の後に、型
(テフロン)をはずすという工程がある。
Describing the manufacturing method of this embodiment, there is a step of removing the mold (Teflon) after the step of the manufacturing method of the embodiment of FIG.

尚、の注型にはテフロンの型を用いる。テフロンは
シリコーンと接着しないので、型を簡単に取りはずすこ
とができる。この場合にも第6図、第7図および第8図
に示したのと同様の特性が得られる。
Note that a Teflon mold is used for casting. Teflon does not adhere to silicone, so the mold can be easily removed. Also in this case, characteristics similar to those shown in FIGS. 6, 7, and 8 are obtained.

次に耐トラッキング特性については次のような試験を
行なった。即ち、縦30cm、横30cm、高さ40cmの樹脂製の
箱の天板に貫通コンデンサを吊り下げ、下方から超音波
加湿器により水を噴霧する。この状態で貫通コンデンサ
の貫通導体(4)と接地用金属板(6)との間に5kv(A
C)を印加する。そして、カットオフ電流として10mAを
選び、放電が始まって貫通導体(4)と金属板(6)と
の間に10mAの電流が流れ始めるまでの時間を測定すると
共にその次点で一旦、電圧の印加を中止する。そして放
電後のコンデンサ素子の表面を乾いた布でふきとり、第
2回目の試験を行なう。以下第3回、第4回と同様にし
て測定する。任意に取り出したサンプル3個についてそ
の試験結果を第1表に示す。尚、この表において本発明
の実施例第10図の第4回目の試験においては200分測定
しても放電しないので、それ以降は測位を途中で終了し
た。
Next, the following test was conducted for tracking resistance. That is, a penetrating capacitor is hung on a top plate of a resin box having a length of 30 cm, a width of 30 cm, and a height of 40 cm, and water is sprayed from below using an ultrasonic humidifier. In this state, 5 kv (A) is set between the through conductor (4) of the feedthrough capacitor and the ground metal plate (6).
C) is applied. Then, 10 mA was selected as the cutoff current, the time from the start of discharge to the start of the 10 mA current flowing between the penetrating conductor (4) and the metal plate (6) was measured, and the voltage was temporarily measured at the next point. Stop the application. Then, the surface of the discharged capacitor element is wiped with a dry cloth, and a second test is performed. Hereinafter, measurement is performed in the same manner as in the third and fourth measurements. Table 1 shows the test results of three randomly taken samples. In this table, in the fourth test shown in FIG. 10 of the embodiment of the present invention, since no discharge occurs even after 200 minutes of measurement, the positioning was terminated halfway thereafter.

第1表から判る如く、従来例(第28図)では一旦放電
すると、外装ケース(9)や絶縁ケース(10)が炭化
し、通電路ができて、ケース表面に短絡路が完成するの
で、一旦放電すると、不良品となって使用できなくな
る。これに対し本発明では通電路ができないので、何度
でも元の状態に復帰し、耐トラッキング性が向上する。
As can be seen from Table 1, in the conventional example (FIG. 28), once discharged, the outer case (9) and the insulating case (10) are carbonized, a current path is formed, and a short-circuit path is completed on the case surface. Once discharged, it becomes defective and cannot be used. On the other hand, in the present invention, since the current path cannot be formed, the state returns to the original state any number of times, and the tracking resistance is improved.

次に本発明の他の実施例を第11図に示す。この実施例
においては第10図における筒状誘電体(1)に対向する
貫通導体(4)の周囲に、第4図の場合と同様にテフロ
ンコーティング、シリコーングリース或はシリコーンチ
ューブ等の自己接着性シリコーンゴム(例えば東芝シリ
コーン(株)製TSE3331)と接着し難い離型層(15)
を、対向する誘電体(1)の軸方向の長さよりも少し長
く設けている。このような離型層(15)を設けた後、筒
状誘電体(1)と貫通導体(4)との間に自己接着性シ
リコーンゴム(例えばTSE3331)(14)を絶縁剤として
充填する。従って第4図の場合と同様の特徴が得られ
る。
Next, another embodiment of the present invention is shown in FIG. In this embodiment, a self-adhesive material such as a Teflon coating, a silicone grease or a silicone tube is provided around the through conductor (4) facing the cylindrical dielectric (1) in FIG. 10 as in the case of FIG. Release layer (15) that is difficult to adhere to silicone rubber (for example, TSE3331 manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.)
Are provided slightly longer than the axial length of the opposing dielectric (1). After providing such a release layer (15), a self-adhesive silicone rubber (for example, TSE3331) (14) is filled as an insulating agent between the cylindrical dielectric (1) and the through conductor (4). Therefore, the same characteristics as in the case of FIG. 4 are obtained.

更に他の実施例について第12図と共に説明する。この
実施例の特徴は、貫通導体(4)の表面をニッケル等の
自己接着性シリコーンゴム(14)との接着力が比較的弱
い金属でメッキされた層(16)を設け、貫通導体(4)
の中央部に非接着領域を形成した点である。
Still another embodiment will be described with reference to FIG. This embodiment is characterized in that the surface of the through conductor (4) is provided with a layer (16) plated with a metal having a relatively low adhesion to a self-adhesive silicone rubber (14) such as nickel, and the through conductor (4) is provided. )
Is that a non-adhesion region is formed at the center of the.

以下、第12図および第13図を参照しながら非接着領域
(17)の形成方法を説明する。コンデンサ素子の組立て
は第10図と同様であり、貫通導体(4)は筒状誘電体
(1)の内部を貫通しており、貫通導体(4)と一体に
設けられた接続片と筒状誘電体(1)上の第1電極
(2)を半田付等で電気的に接続する。また、筒状誘電
体(1)の他方の第2電極(3)は、接地用拡大金属板
(6)に設けられた上方折曲部(6b)に接続される。そ
して、自己接着性シリコーンゴム(14)を充填硬化する
ことにより高圧用貫通形コンデンサが形成される。
Hereinafter, a method for forming the non-adhesion region (17) will be described with reference to FIGS. 12 and 13. The assembling of the capacitor element is the same as that of FIG. 10, and the through conductor (4) penetrates through the inside of the cylindrical dielectric (1). The first electrode (2) on the dielectric (1) is electrically connected by soldering or the like. The other second electrode (3) of the cylindrical dielectric (1) is connected to an upper bent portion (6b) provided on the enlarged ground metal plate (6). Then, by filling and curing the self-adhesive silicone rubber (14), a high-voltage feedthrough capacitor is formed.

ここで、第13図に示すように自己接着性シリコーンゴ
ム(14)を充填硬化したとき、貫通導体(4)の表面の
なかで外側に筒状誘電体(1)が配設されている中央部
分においては筒状誘電体(1)の内壁(1a)へ自己接着
性シリコーンゴム(14)が接着しようとする力(F1)と
貫通導体(4)へ自己接着性シリコーンゴム(14)が接
着しようとする力(F2)が相反して働く。そして、一般
に筒状誘電体(1)の内壁(1a)と自己接着性シリコー
ンゴムのせん断接着強さが約15kg/cm2と高いのに対し、
貫通導体(4)と自己接着性シリコーンゴム(14)のせ
ん断接着強さは約7kg/cm2と比較的弱い。従って、全体
として(F1−F2)の力が外向きに働き、自己接着性シリ
コーンゴム(14)が筒状誘電体(1)の内壁側に引張ら
れ、貫通導体(4)上に非接着領域(17)が形成され
る。
Here, as shown in FIG. 13, when the self-adhesive silicone rubber (14) is filled and cured, the center of the surface of the through conductor (4) where the cylindrical dielectric (1) is disposed outside is provided. In the portion, the force (F 1 ) of the self-adhesive silicone rubber (14) trying to adhere to the inner wall (1a) of the cylindrical dielectric (1) and the self-adhesive silicone rubber (14) to the through conductor (4) The bonding force (F 2 ) works in opposition. In general, the shear bond strength between the inner wall (1a) of the cylindrical dielectric (1) and the self-adhesive silicone rubber is as high as about 15 kg / cm 2 ,
The shear bonding strength between the through conductor (4) and the self-adhesive silicone rubber (14) is relatively weak at about 7 kg / cm 2 . Therefore, the force of (F 1 -F 2 ) acts outward as a whole, and the self-adhesive silicone rubber (14) is pulled toward the inner wall side of the cylindrical dielectric (1), and the non-conductive silicone rubber (14) is not placed on the through conductor (4). An adhesion area (17) is formed.

また、貫通導体(4)のその他の部分については筒状
誘電体(1)が配設されていないため、貫通導体(4)
へ自己接着性シリコーンゴム(14)が接着しようとする
力(F2)のみが働き、貫通導体(4)に結合される。
Further, since the cylindrical dielectric (1) is not provided for the other portion of the through conductor (4), the through conductor (4)
Only the force (F 2 ) of the self-adhesive silicone rubber (14) trying to adhere acts to the through conductor (4).

この結果、貫通導体(4)の両端部においては貫通導
体と自己接着性シリコーンゴム(14)が結合され、ま
た、貫通導体(4)の中央部においては、非接着領域
(17)を形成し、貫通導体(4)と自己接着性シリコー
ンゴム(14)は離れた状態となる。従って、急激な温度
変化等による貫通導体(4)の膨張が極力押えることが
でき、自己接着性シリコーンゴム(14)に温度変化によ
る応力を極力押えることができ、自己接着性シリコーン
ゴム(14)の劣化を押えることができる。
As a result, the penetrating conductor and the self-adhesive silicone rubber (14) are bonded at both ends of the penetrating conductor (4), and a non-bonding area (17) is formed at the center of the penetrating conductor (4). The through conductor (4) and the self-adhesive silicone rubber (14) are separated from each other. Therefore, the expansion of the through conductor (4) due to a rapid temperature change or the like can be suppressed as much as possible, and the stress due to the temperature change can be suppressed as much as possible to the self-adhesive silicone rubber (14). Degradation can be suppressed.

次に本発明の他の実施例である自己接着性シリコーン
ゴムの硬化反応を行なわせる方法に関して第10図と共に
説明する。
Next, a method for effecting a curing reaction of a self-adhesive silicone rubber according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

実施例(1) 絶縁材として使用される自己接着性シリコーンゴム
(14)としては、例えば東芝シリコーン(株)製自己接
着性シリコーンTSE3331を用いる。このTSE3331は2液タ
イプの加熱硬化型シリコーンゴムである。この2液タイ
プとは主剤(A)と硬化剤(B)とを混合してできる。
この実施例では外装ケース(9)や絶縁カバー(10)は
用いず、自己接着性シリコーン(14)が直接裸出する構
成となっている。
Example (1) As the self-adhesive silicone rubber (14) used as an insulating material, for example, a self-adhesive silicone TSE3331 manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd. is used. This TSE3331 is a two-part type heat-curable silicone rubber. The two-pack type is obtained by mixing the main agent (A) and the curing agent (B).
In this embodiment, the outer case (9) and the insulating cover (10) are not used, and the self-adhesive silicone (14) is directly exposed.

次に本発明の作用について詳細に説明する。その前に
先ず、100℃以上の高温で硬化反応と接着反応を同時に
行なわせる従来の製造方法で、絶縁材として自己接着性
シリコーンゴムを使用した高圧用貫通形コンデンサの絶
縁破壊電圧(B.D.V;Break Down Voltage)特性について
述べる。従来の製造方法で製造した貫通形コンデンサの
絶縁破壊試験後、それを解析してみると、低い電圧(26
〜32kVAC位)で破壊した素子は、貫通形誘電体(1)の
貫通孔内沿とシリコーンゴムの界面の放電であり、一方
高い電圧(34〜40kVAC位)で破壊した素子は、貫通形誘
電体がバラバラに破壊されていた。このように二種類の
破壊モードが現われた原因は、貫通形誘電体の貫通孔内
沿とシリコーンゴムの接着のバラツキが考えられる。
Next, the operation of the present invention will be described in detail. Before that, first, a conventional manufacturing method in which a curing reaction and an adhesion reaction are simultaneously performed at a high temperature of 100 ° C. or higher, and a dielectric breakdown voltage (BDV; Break) of a high-voltage feedthrough capacitor using self-adhesive silicone rubber as an insulating material. Down Voltage) characteristics will be described. After a dielectric breakdown test of a feed-through capacitor manufactured by the conventional manufacturing method, it was
The element destroyed at about 32 kVAC) is a discharge between the inside of the through hole of the through dielectric (1) and the interface between the silicone rubber, and the element destroyed at a high voltage (about 34 to 40 kVAC) is the through dielectric. His body had been broken apart. The cause of the appearance of the two types of destruction modes is considered to be a variation in the adhesion between the inside of the through hole of the through dielectric and the silicone rubber.

第14図は高温で硬化反応と接着反応を同時に行なう従
来の製造方法の特性を示す。即ち、第14図(a)は100
℃以上の高温加熱時を示し、この状態では硬化反応と接
着反応が同時に進行する。そして硬化時に100℃以上の
温度がかかつていると、貫通導体が膨張した状態で自己
接着性シリコーンゴムが硬化し、接着する。その際、金
属の貫通導体(4)は太線矢印の方向に熱膨張して太く
なっている。第14図(b)は室温状態を示し、このよう
に室温状態になると、貫通導体(4)は収縮するので、
自己接着性シリコーンゴム層は貫通導体に引張られて、
残留応力は破線矢印の如くなる。
FIG. 14 shows characteristics of a conventional manufacturing method in which a curing reaction and an adhesive reaction are simultaneously performed at a high temperature. That is, FIG.
This indicates a time of heating at a high temperature of not less than ° C, in which a curing reaction and an adhesion reaction proceed simultaneously. If a temperature of 100 ° C. or more is applied at the time of curing, the self-adhesive silicone rubber is cured and adheres in a state where the through conductor expands. At this time, the metal penetrating conductor (4) is thermally expanded in the direction of the thick arrow to become thick. FIG. 14 (b) shows a room temperature condition. When the room temperature condition is reached, the through conductor (4) contracts.
The self-adhesive silicone rubber layer is pulled by the through conductor,
The residual stress is as shown by the dashed arrow.

第15図は本発明の二段階のステップキャアーを行なっ
て製造した場合の特性を示す。第15図(a)は硬化反応
のみが進行する低温加熱時を示し、貫通導体(4)の膨
張は小さい。第15図(b)は高温加熱で而も接着反応の
みが進行しており、自己接着性シリコーンゴム(14)は
接着反応時に貫通導体(4)の太線矢印方向への膨張に
より細い破線矢印方向に押されている。しかし、第15図
(c)の室温に戻れば、貫通導体(4)による応力は受
けない。
FIG. 15 shows the characteristics in the case of manufacturing by performing the two-stage step carry of the present invention. FIG. 15 (a) shows a low temperature heating in which only the curing reaction proceeds, and the expansion of the through conductor (4) is small. FIG. 15 (b) shows that only the adhesive reaction is progressing by heating at a high temperature, and the self-adhesive silicone rubber (14) expands in the direction of the thick line arrow at the time of the adhesive reaction, and the direction of the thin broken arrow is increased. Has been pushed. However, when the temperature returns to the room temperature shown in FIG.

このように、従来の製造方法ではシリコーンゴム層は
引張られ、接着をはがす方向に応力を受けるのに対し
て、本発明の製造方法によればシリコーンゴム層は押さ
れるだけで、接着をはがす方向の応力は受けない。ま
た、シリコーンゴムの強度も引張られよりは押される方
が強い。
As described above, in the conventional manufacturing method, the silicone rubber layer is pulled and subjected to stress in the direction of peeling off the adhesive, whereas according to the manufacturing method of the present invention, the silicone rubber layer is simply pushed and the direction of peeling off the adhesive is removed. No stress is applied. Also, the strength of silicone rubber is stronger when pressed than when pulled.

また、貫通導体(4)の膨張の影響を抑えるため、線
膨張係数の小さい金属材料を貫通導体に用いる方が好ま
しい。即ち、第14図および第15図の説明からわかるよう
に、貫通導体(4)の熱膨張は極力抑える方が望ましい
ので、線膨張係数の小さい金属材料を用いる。例えば、
アンバー(36Ni−Fe、2.0×10-6)、42アロイ(42Ni−F
e、6.5〜7.0×10-6)、Fe(11.5×10-6)等を用いると
よい。
In order to suppress the influence of the expansion of the through conductor (4), it is preferable to use a metal material having a small linear expansion coefficient for the through conductor. That is, as can be seen from the description of FIGS. 14 and 15, since it is desirable to suppress the thermal expansion of the through conductor (4) as much as possible, a metal material having a small linear expansion coefficient is used. For example,
Amber (36Ni-Fe, 2.0 × 10 -6 ), 42 alloy (42Ni-F
e, 6.5 to 7.0 × 10 −6 ), Fe (11.5 × 10 −6 ), or the like may be used.

次に本発明の貫通形コンデンサの製造方法について説
明する。次のステップ〜までは第3図の実施例と全
く同じであり、本発明の実施例第10図の特徴はステップ
以降にある。すなわち、 尚、テフロン製型はシリコーンゴムと接着しないの
で、簡単に取りはずすことができる。また、絶縁ケース
や絶縁カバーを用いても、貫通形誘電体の貫通孔内沿と
シリコーンゴムの接着には影響を与えないので、かまわ
ない。
Next, a method for manufacturing the feedthrough capacitor of the present invention will be described. The following steps are identical to those of the embodiment of FIG. 3, and the features of the embodiment of the present invention shown in FIG. That is, Since the Teflon mold does not adhere to the silicone rubber, it can be easily removed. Further, even if an insulating case or an insulating cover is used, it does not affect the inside of the through-hole of the through-type dielectric and the adhesion of the silicone rubber.

実施例(2) 実施例(1)で用いたTSE3331は、前記説明の硬化反
応と接着反応を同時に行なわせる使われ方が一般である
ため、低温での硬化反応の速度が非常に遅く、作業性が
悪い。これはポットライフ(作業可能時間…初期粘度が
倍になるまでの時間)を長くする(8時間)ために、反
応遅延剤が多く含まれているからである。そこで、実施
例(2)では、貫通型コンデンサの構造、製造方法は実
施例(1)と全く同じで、使用する自己接着性シリコー
ンのみをかえる。
Example (2) Since the TSE3331 used in Example (1) is generally used to simultaneously carry out the curing reaction and the adhesion reaction described above, the curing reaction speed at a low temperature is extremely slow, and the work is difficult. Poor. This is because a large amount of a reaction delaying agent is included in order to lengthen the pot life (operable time: time until the initial viscosity doubles) (8 hours). Therefore, in Example (2), the structure and manufacturing method of the feedthrough capacitor are exactly the same as in Example (1), and only the self-adhesive silicone used is changed.

即ち、低温で硬化反応が速く進むように、反応遅延剤
を少なくした自己接着性シリコーンゴムを用いる。例え
ば東芝シリコーン製XE14−804を用いる。このシリコー
ンゴムは50℃、2時間で硬化し、120℃、1時間で接着
するので、作業時間が短くなる。但し、ポットライフが
TSE3331よりも短い(1時間)。このように作成された
貫通形コンデンサの耐圧性の評価のため、初期破壊電圧
分布を第16図および第17図に示す。第16図は従来の製造
方法による場合の度数分布を示し、低い電圧から高い電
圧にわたって広く分布している。第17図は本発明の製造
方法による場合の度数分布を示し、高電圧に集中して分
布していることが判る。尚、第16図および第17図は同一
ロットから任意に取り出したサンプル20個について、常
温(20℃)における初期の破壊電圧(BDV)の度数分布
を示す図である。
That is, a self-adhesive silicone rubber with a reduced reaction retarder is used so that the curing reaction proceeds rapidly at a low temperature. For example, XE14-804 manufactured by Toshiba Silicone is used. The silicone rubber cures at 50 ° C. for 2 hours and adheres at 120 ° C. for 1 hour, thereby shortening the working time. However, pot life
Shorter than TSE3331 (1 hour). FIGS. 16 and 17 show the initial breakdown voltage distribution in order to evaluate the withstand voltage of the thus formed feedthrough capacitor. FIG. 16 shows a frequency distribution in the case of the conventional manufacturing method, which is widely distributed from a low voltage to a high voltage. FIG. 17 shows the frequency distribution in the case of the manufacturing method of the present invention, and it can be seen that the distribution is concentrated on the high voltage. FIGS. 16 and 17 show the frequency distribution of the initial breakdown voltage (BDV) at room temperature (20 ° C.) for 20 samples arbitrarily taken from the same lot.

更に、本発明の他の実施例(例えば第10図)は上述の
如く構成された高圧用貫通形コンデンサに沿面放電処理
を施こすことを特徴とする。
Further, another embodiment of the present invention (for example, FIG. 10) is characterized in that a creeping discharge treatment is applied to the high-voltage feedthrough capacitor configured as described above.

以下、沿面放電処理方法について詳細に説明する。ま
ず、自己接着性シリコーンゴムを充填硬化した高圧用貫
通形コンデンサを多湿状態の密閉筐体内に配置する。
尚、多湿状態の形成方法としては、超音波加湿器等を密
閉筐体内に配設し、水を噴霧することにより行なう。次
にこの多湿状態の筐体中にて高圧用貫通形コンデンサの
両端子間にカットオフ電流を10mAに設定し、5KVの交流
電圧を印加する。そして、コンデンサ素子の外表面に第
1回目の放電が発生するまで、この状態を維持する。こ
の後再度沿面放電処理を繰り返し行なう。
Hereinafter, the creeping discharge treatment method will be described in detail. First, a high-voltage feedthrough capacitor filled and cured with a self-adhesive silicone rubber is placed in a humid sealed enclosure.
In addition, as a method of forming a humid state, an ultrasonic humidifier or the like is provided in a closed housing and sprayed with water. Next, in this humid housing, the cut-off current is set to 10 mA between both terminals of the high-voltage feedthrough capacitor, and an AC voltage of 5 KV is applied. This state is maintained until the first discharge occurs on the outer surface of the capacitor element. Thereafter, the creeping discharge process is repeated again.

以下、第2表に各サンプル(A、B、C)毎に放電回
数および放電するまでの時間を記載する。
Hereinafter, Table 2 shows the number of discharges and the time until the discharge for each sample (A, B, C).

第2表からも明らかなように沿面放電処理を2回行な
っただけでは各サンプルA、B、Cはすべて1時間以内
に再度放電をしていた。これに対し、沿面放電処理を3
回行なったものは3時間経過しても放電することはなか
った。
As is clear from Table 2, when the creeping discharge treatment was performed only twice, each of the samples A, B, and C discharged again within one hour. On the other hand, creeping discharge treatment
The discharge performed three times did not discharge even after 3 hours.

これは次の理由による。即ち、(イ)粗い表面をして
いる自己接着性シリコーンゴムに沿面放電処理を施こす
ことにより、自己接着性シリコーンゴムの外表面に絶縁
物質(SiO2)が発生し、(ロ)一般にシリコーンゴムは
静電気が帯電しやすいので、その表面に塵埃がつきやす
いが、絶縁物質(SiO2)は帯電しにくいので、塵埃が付
着しにくい、更に(ハ)この絶縁物質が自己接着性シリ
コーンゴムの外表面に発生することにより、自己接着性
シリコーンゴムの外表面が滑らかになり、従来の外表面
が粗い自己接着性シリコーンゴムにおいては、その外表
面にホコリ、水滴等が付着しやすく、ホコリの炭化およ
び水滴による短絡が起こりやすいが、本実施例において
はシリコーンゴムの外表面が滑らかであるため、たとえ
水分が露結してもすぐに流れ落ち、塵埃もたまりにく
い。このようなことが相働いて沿面リークの発生が抑制
される。
This is for the following reason. That is, (a) by applying a creeping discharge treatment to a self-adhesive silicone rubber having a rough surface, an insulating substance (SiO 2 ) is generated on the outer surface of the self-adhesive silicone rubber; Rubber is easily charged with static electricity, so dust easily adheres to its surface, but the insulating material (SiO 2 ) is hardly charged, so it is difficult for dust to adhere, and (c) this insulating material is made of self-adhesive silicone rubber. By being generated on the outer surface, the outer surface of the self-adhesive silicone rubber becomes smooth, and in the conventional self-adhesive silicone rubber having a rough outer surface, dust, water droplets, etc. easily adhere to the outer surface, and the dust Although short-circuiting due to carbonization and water droplets is likely to occur, in this embodiment, since the outer surface of the silicone rubber is smooth, even if moisture is condensed, it flows down immediately and dust is generated. Rinikui. These factors work together to suppress creepage leakage.

次に本発明の更に他の実施例を説明するが、その前に
高圧用貫通形コンデンサにおけるセラミックスの筒状誘
電体上の第1電極(2)と接続金属板(5)の接合部お
よび筒状誘電体の第2電極(3)と接地金属板(6)と
の接合部に半田の欠落部やボイドが発生しやすいという
問題について説明する。即ち、第18図に示す如くセラミ
ックスの筒状誘電体(1)の上下端面は銀(Ag)或はAg
−Paの焼き付け電極(2)(3)が形成されており、こ
の電極(2)の接続金属板(13)との接合部(18)及び
電極(3)と接地金属板(6)との接合部(19)はクリ
ーム半田(18a)(19a)で接続されている。このクリー
ム半田は印刷しやすくするため多量の溶剤を含んでお
り、ペースト状になっている。この溶剤や半田フラック
スは通常は半田溶融時に完全に外部に溶出したり、或は
空気中に揮発してしまうのであるが、クリーム半田の塗
布量、加熱温度、加熱温度の時間の具合により半田層中
に残り、半田層中に泡状の空隙ボイド(18b)(19b)が
発生する。これは電極(2)と接続金属板(15)および
電極(3)と接続金属板(6)との当接面積が広く、面
接触となっているためである。接合部(18)(19)にボ
イドが多量に発生すると、それぞれ電極(2)および
(3)の金属板(13)および(6)との接合強度が低下
する。而もこれら半田の付着後洗浄を行なっても残留フ
ラックスが残りやすく、この残留フラックスは絶縁樹脂
(14)(14′)として本発明の実施例であるシリコーン
ゴムを使用した際、シリコーンゴムの接着反応に悪影響
を及ぼす。なぜならば、フラックスは付加型シリコーン
ゴムに硬化阻害を及ぼすからである。また、面接触で接
合する場合、それぞれの平面度の精度が良くないと隙間
が発生し、半田トンネルが発生する。半田トンネルが発
生した場合、第19図に示すように樹脂漏れ(20)が起こ
り、耐圧不良を引きおこす。その理由は次の通りであ
る。即ち、第19図に示す如く筒状誘電体(1)の外周と
所定間隔をあけてテフロン製型(21)を装着し、矢印
(A)方向からシリコーンゴム(14)を注入すると、シ
リコーンゴムが半田トンネル(19c)の間隔を通過して
セラミック素体(1)の貫通孔の内周面及び接地用金属
板(6)の内側に漏洩する。この状態でシリコーンゴム
を硬化させ、次に第20図に示す如く反転し、テフロン製
型(22)を装着して今度は反対側から矢印(B)方向に
シリコーンゴム(14′)を注入すると、先に漏れて硬化
したシリコーンゴム(20)と後から注入したシリコーン
ゴム(14′)とは接着しないし、また、先に漏れたシリ
コーンゴムの周辺も接着しにくくなる。このような接着
不良が発生すると、耐圧不良を引きおこす。
Next, still another embodiment of the present invention will be described. Before that, the junction and the cylinder of the first electrode (2) and the connecting metal plate (5) on the ceramic cylindrical dielectric in the high-voltage feedthrough capacitor are described. The problem that solder missing portions and voids are likely to occur at the joint between the second electrode (3) made of the dielectric dielectric and the ground metal plate (6) will be described. That is, as shown in FIG. 18, the upper and lower end surfaces of the cylindrical dielectric body 1 made of ceramic are made of silver (Ag) or Ag.
-Pa baked electrodes (2) and (3) are formed, and the joint (18) of this electrode (2) with the connection metal plate (13) and the connection of the electrode (3) with the ground metal plate (6). The joint (19) is connected by cream solder (18a) (19a). This cream solder contains a large amount of solvent to facilitate printing, and is in the form of a paste. This solvent or solder flux usually elutes completely outside when the solder is melted, or volatilizes in air.However, depending on the amount of cream solder applied, the heating temperature, and the time of the heating temperature, the solder layer Air bubbles (18b) and (19b) are generated in the solder layer. This is because the contact area between the electrode (2) and the connection metal plate (15) and between the electrode (3) and the connection metal plate (6) are large and are in surface contact. When a large amount of voids are generated in the joints (18) and (19), the joint strength of the electrodes (2) and (3) with the metal plates (13) and (6) decreases. Even if the solder is washed after the solder is attached, a residual flux is likely to remain. When the silicone rubber according to the embodiment of the present invention is used as the insulating resin (14) (14 '), the residual flux adheres. Affects the reaction. This is because the flux exerts a curing inhibition on the addition type silicone rubber. In addition, in the case of joining by surface contact, if the accuracy of each flatness is not good, a gap occurs and a solder tunnel occurs. When a solder tunnel occurs, resin leakage (20) occurs as shown in FIG. 19, causing a breakdown voltage failure. The reason is as follows. That is, as shown in FIG. 19, a Teflon mold (21) is mounted at a predetermined interval from the outer periphery of the cylindrical dielectric (1), and silicone rubber (14) is injected from the direction of arrow (A). Leaks through the gap of the solder tunnel (19c) into the inner peripheral surface of the through hole of the ceramic body (1) and the inside of the grounding metal plate (6). In this state, the silicone rubber is cured, and then inverted as shown in FIG. 20, a Teflon mold (22) is attached, and the silicone rubber (14 ') is injected from the opposite side in the direction of arrow (B). The silicone rubber (20) leaked and cured earlier does not adhere to the silicone rubber (14 ') injected later, and the periphery of the silicone rubber leaked earlier is also less likely to adhere. When such an adhesion failure occurs, a breakdown voltage failure is caused.

次にこのような問題を解決できる本発明の他の実施例
を第21図〜第23図に示す。これは筒状誘電体(1)の両
端面に設けられたそれぞれ第1電極(2)および第2電
極(3)に当接される貫通導体(4)の鍔部(13)の当
接部(23)の形状および接地用金属板(6)の接合部
(24)の形状を線状に狭くするものである。即ち、第21
図においては当接部(23)の形状を鋭く尖った形状とす
ると共に接地用金属板(6)の接合部(24)の形状を板
厚分とするよう接地用金属板(6)を立ち上げ形状にし
ている。また、第22図においては、貫通導体(4)の鍔
(13)側の形状は第21図と同じであるが、接地用金属板
(6)の接合部(24)の形状を第21図よりも更に尖鋭に
するため接地用金属板(6)の端縁部を第2電極(3)
の面に対し略45°に立ち上げ、且つ先端の側断面を第2
電極(3)の面に対し垂直となるように切断している。
Next, another embodiment of the present invention capable of solving such a problem is shown in FIGS. This is the contact portion of the flange portion (13) of the through conductor (4) provided on both end surfaces of the cylindrical dielectric (1) and contacting the first electrode (2) and the second electrode (3), respectively. The shape of (23) and the shape of the joint (24) of the grounding metal plate (6) are narrowed linearly. That is, the 21st
In the figure, the grounding metal plate (6) stands up so that the shape of the contact portion (23) is sharp and sharp, and the shape of the bonding portion (24) of the grounding metal plate (6) is the thickness of the plate. It has a raised shape. In FIG. 22, the shape of the through-conductor (4) on the side of the flange (13) is the same as that of FIG. 21, but the shape of the joint (24) of the ground metal plate (6) is shown in FIG. The edge of the ground metal plate (6) is further sharpened than the second electrode (3).
Up to approximately 45 ° with respect to the surface of
It is cut so as to be perpendicular to the surface of the electrode (3).

第23図は接地用金属板(6)の接合部(24)の形状を
プレス時のバリの影響をなくすために折り曲げ形状にし
ている。この場合の半田付(23a)(24a)の状態を第24
図に示す。
In FIG. 23, the shape of the joint (24) of the grounding metal plate (6) is bent to eliminate the influence of burrs at the time of pressing. In this case, the state of soldering (23a) (24a)
Shown in the figure.

そして、これら第21図〜第24図のいずれの実施例にお
いてもクリーム半田(23a)(24a)中の溶剤は加熱溶融
する半田付時に揮発し乍ら半田の外方に溶出し、半田層
中には全く残らなくなり、従ってボイドは発生しない。
それは当接部(23)および接合部(24)の接合面積が極
めて狭く、略線接触になっているからである。また、こ
の場合、従来の面接触の場合と比較して接合部での隙間
が発生しにくく、従って半田トンネルも発生しにくい。
このように、これらの実施例においては半田層のボイド
及び半田トンネルが発生しにくいので、半田トンネルを
通過してシリコーンゴムが筒状誘電体(1)の他の側へ
漏出する現象は起こらず、従って耐圧不良も減少し、且
つ接合強度も向上して信頼性が向上する。
21 to 24, the solvent in the cream solders (23a) and (24a) elutes outside the solder while being volatilized during the heating and melting of the solder layer. Are not left at all, and no voids are generated.
This is because the contact area between the contact part (23) and the joint part (24) is extremely small, and is in substantially line contact. Also, in this case, a gap is less likely to occur at the joint portion than in the case of the conventional surface contact, and therefore, a solder tunnel is also less likely to occur.
As described above, in these embodiments, since the voids in the solder layer and the solder tunnel hardly occur, the phenomenon that the silicone rubber leaks to the other side of the cylindrical dielectric (1) through the solder tunnel does not occur. Therefore, the withstand voltage failure is reduced, and the bonding strength is improved, so that the reliability is improved.

次に貫通導体に外力が加えられても、筒状誘電体
(1)にクラック等が起らないようにした本発明の他の
実施例について説明する。
Next, another embodiment of the present invention will be described in which a crack or the like does not occur in the cylindrical dielectric (1) even when an external force is applied to the through conductor.

即ち、第9図に示す如き実施例において、ファストン
タブ(4a)に第25図に示す如き矢印(A)或は(A′)
方向の一定値以上の力、或は矢印(A)(A′)に対し
垂直方向、即ちファストンタブ(4a)の面に垂直方向
(B)(B′)の或る値以上の力が加わえられると、貫
通導体(4)の鍔部(13)と筒状誘導体(1)上の第1
電極(2)とを接合している半田接合部(18)周辺で筒
状誘導体(1)にヒビ割れ(クラック)(25)が発生す
ることがある。即ち、ファストンタブ(4a)の先端に矢
印(A)又は(A′)、或は(B)又は(B′)に4kg
以上の力を加わえると、クラック(25)が入る。この状
態で高電圧が印加されると、絶縁不良となる。ファスト
ンタブ(4a)に力が加わるのは電子レンジのマグネトロ
ン(図示せず)へ高電圧貫通コンデンサを取り付ける時
と、その後のマグネトロンの検査工程と、マグネトロン
を電子レンジに取り付ける時とである。通常の取り扱い
では筒状誘電体(1)の半田接合部(18)付近での破壊
は起らない。しかし乍ら、電子レンジの取付部に無理に
取り付けようとしたり、また、一旦、取りつけたファス
トンタブ(4a)を抜き取ろうとしたり、また、落下等の
ためファストンタブに無理な力が加わる場合に破壊につ
ながることがある。仮に、半田接合部(18)の周辺にク
ラックが発生した場合、その部分は、シリコーンゴムで
覆われているため、外観上不良と判断できない。このた
め、最終検査で耐圧不良となる。このような筒状誘電体
のクラック発生による絶縁不良という問題がある。
That is, in the embodiment shown in FIG. 9, an arrow (A) or (A ') as shown in FIG.
Direction, or a force in a direction perpendicular to the arrows (A) and (A '), that is, a force in the direction (B) and (B') perpendicular to the face of the faston tab (4a). When it is obtained, the flange (13) of the through conductor (4) and the first on the cylindrical dielectric (1)
Cracks (cracks) (25) may occur in the tubular dielectric (1) around the solder joint (18) joining the electrode (2). That is, the arrow (A) or (A ') at the tip of the faston tab (4a), or 4 kg at (B) or (B').
When the above force is applied, a crack (25) is formed. When a high voltage is applied in this state, insulation failure occurs. The force is applied to the faston tub (4a) when the high voltage feedthrough capacitor is mounted on the magnetron (not shown) of the microwave oven, after the magnetron is inspected, and when the magnetron is mounted on the microwave oven. Under normal handling, no breakage occurs near the solder joint (18) of the cylindrical dielectric (1). However, if the user tries to forcibly attach the Faston tab (4a) to the mounting part of the microwave oven, or tries to remove the Faston tab (4a) once attached, or if excessive force is applied to the Faston tab due to dropping, etc. May lead to destruction. If a crack occurs around the solder joint (18), the crack is not covered by the silicone rubber, so it cannot be determined that the appearance is defective. For this reason, a breakdown voltage failure occurs in the final inspection. There is a problem of insulation failure due to such cracks in the cylindrical dielectric.

次にこのような筒状誘電体のクラックを防止できる本
発明の他の実施例について第26図と共に説明する。第26
図において、鍔部(13)は鉄製の貫通導体(4)と一体
にヘッダープレス加工により成形される。次にファスト
ンタブ(4a)の両面に互いに並行な凹部(26)(26′)
を設けると共にファストンタブ(4a)と鍔部(13)との
間においてタブ(4a)の面と直交する方向に且つ互に平
行な凹部(27)(27′)を設ける。そしてこのタブ表面
にはニッケル或はスズ等でメッキを施す。
Next, another embodiment of the present invention capable of preventing such a crack in the cylindrical dielectric will be described with reference to FIG. 26th
In the figure, the flange portion (13) is formed integrally with the iron through conductor (4) by header press processing. Next, recesses (26) (26 ') parallel to each other on both sides of the Faston tab (4a)
And recesses (27) (27 ') are provided between the faston tab (4a) and the flange (13) in a direction perpendicular to the surface of the tab (4a) and parallel to each other. The surface of the tab is plated with nickel or tin.

さて、凹部(27)(27′)間の肉厚(t1)と、力
(F1)のタブ(4a)先端への印加によりタブが凹部(2
7)(27′)において曲がり始める時の力の大きさとの
関係は第3表に示す通りである。尚、L1=17mm、L2=8.
5mm、L3=19mm、W1=W2=1mmである。
Now, the thickness (t 1 ) between the recesses (27) and (27 ′) and the force (F 1 ) applied to the tip of the tab (4a) cause the tab to become concave (2).
7) The relationship with the magnitude of the force at the start of bending in (27 ') is as shown in Table 3. Incidentally, L 1 = 17mm, L 2 = 8.
5 mm, L 3 = 19 mm, W 1 = W 2 = 1 mm.

また、凹部(26)(26′)間の肉厚(t2)と、力
(F2)のタブ(4a)先端への印加によりタブが凹部(2
6)(26′)において曲がり始める時の力の大きさとの
関係は第4表に示す通りである。
The recess (26) (26 ') wall thickness between the (t 2), the force (F 2) of the tab (4a) tab recess by applying to the tip (2
6) The relationship with the magnitude of the force at the start of bending in (26 ') is as shown in Table 4.

本発明者の実験によると、筒状誘電体(1)の第1電
極(2)の半田接合部近辺での誘電体の破損は(F1)お
よび(F2)とも4kgで起こるので、第3表および第4表
から判かる如く、凹部(27)(27′)の肉厚(t1)は0.
9mm以下、また凹部(26)(26′)の肉厚(t2)は0.6ミ
リ以下でなければ効果がない。しかし乍ら肉厚(t1)お
よび(t2)を余り薄くすると、この貫通形コンデンサを
マグネトロン及び電子レンジに取り付ける作業中や検査
工程中で少しの外力によりタブ(4a)が曲がってしま
い、外観不良となる。
According to the experiment of the present inventor, since the dielectric damage near the solder joint of the first electrode (2) of the cylindrical dielectric (1) occurs at 4 kg for both (F 1 ) and (F 2 ), As can be seen from Tables 3 and 4, the thickness (t 1 ) of the recesses (27) and (27 ′) is 0.
There is no effect unless the thickness (t 2 ) of the concave portions (26) and (26 ′) is 0.6 mm or less. However, if the thicknesses (t 1 ) and (t 2 ) are made too thin, the tab (4a) may be bent by a small external force during the work of attaching the feedthrough capacitor to the magnetron and the microwave oven and during the inspection process. Bad appearance.

また、電子レンジの動作時には貫通導体(4)に約10
(A)の電流が流れるので、肉厚(t1)(t2)が薄過ぎ
ると、ジュール熱による発熱が大きくなる。更にまた、
各国における規格からの制限があり、例えば、L2はBS規
格ではL2=7.9mm、DIN規格ではL2=8mmであるから、こ
れらを満足させるため、L2は8mm以上となる。
When the microwave oven is operated, about 10
Since the current of (A) flows, if the thicknesses (t 1 ) and (t 2 ) are too thin, heat generated by Joule heat increases. Furthermore,
It is limited from standards in various countries, for example, L 2 is because the BS standard L 2 = 7.9 mm, the DIN standard, which is L 2 = 8 mm, in order to satisfy these, L 2 is greater than or equal to 8 mm.

このように凹部(27)(27′)および(26)(26′)
を設けることにより外力(F1)(F2)が加わる際、筒状
誘電体(1)が破損する前に凹部(27)(27′)或は
(26)(26′)でタブが曲がることにより外力を吸収
し、誘電体の破損を防止する。
Thus, the recesses (27) (27 ') and (26) (26')
When the external force (F 1 ) (F 2 ) is applied, the tab bends at the concave portion (27) (27 ′) or (26) (26 ′) before the cylindrical dielectric (1) is damaged. This absorbs external force and prevents breakage of the dielectric.

第27図は第26図の貫通導体(4)を2本使用して組立
てた本発明の実際の高圧貫通形コンデンサである。
FIG. 27 shows an actual high voltage feedthrough capacitor of the present invention assembled using two through conductors (4) of FIG.

(ト)発明の効果 このように本発明の高圧用貫通形コンデンサによれ
ば、耐電圧性、耐熱性、耐熱衝撃性の特性が従来例より
大幅に向上し、特に耐熱特性においては150℃で連続し
ても何ら問題はないという大きな効果が得られる。
(G) Effect of the Invention As described above, according to the high-voltage feedthrough capacitor of the present invention, the characteristics of withstand voltage, heat resistance, and thermal shock resistance are significantly improved as compared with the conventional example. There is a great effect that there is no problem even if they are continuous.

また、実施例第10図および第11図の如き実施例におい
ては筒状誘電体(1)の外周を自己接着性シリコーンよ
りなる絶縁樹脂のみにて被覆しており、耐トラッキング
性の特性が大幅に向上する。
In the embodiment as shown in FIGS. 10 and 11, the outer periphery of the cylindrical dielectric (1) is covered only with the insulating resin made of self-adhesive silicone, so that the tracking resistance characteristic is greatly improved. To improve.

更に、第4に示す如き実施例においては、筒状誘電体
(1)の内周面に対向する貫通導体(4)の周囲にテフ
ロンコーティング、シリコーングリース或はシリコーン
チューブやテフロンチューブ等の自己接着性シリコーン
ゴムと接着し難い離型層(15)を設けているので、貫通
導体(4)と自己接着性シリコーンゴム(14)とは接着
しないが、筒状誘電体(1)の内周面と自己接着性シリ
コーンゴム(14)とはよく接着しているので、熱衝撃に
よっても自己接着性シリコーンゴムの剥離は全く起こら
ない。そして、この場合は貫通導体に絶縁チューブを貫
挿するようなことをしないので、作業性がよくコストダ
ウンが計れるばかりか、耐湿性、耐熱性、耐電圧性の安
定且つ優れた貫通形コンデンサが得られる。更に、第12
図に示す如き実施例においては貫通導体の表面を比較的
結合力の弱い金属にてメッキ処理を施すことにより、貫
通導体の中央部に非接着領域を形成することができ、温
度変化による自己接着性シリコーンゴムの劣化を防ぎ、
より耐熱性に優れた貫通形コンデンサを得ることができ
る。
Further, in the embodiment as shown in FIG. 4, a self-adhesion of a Teflon coating, a silicone grease or a silicone tube or a Teflon tube around the through conductor (4) facing the inner peripheral surface of the cylindrical dielectric (1). Since the release layer (15) that does not easily adhere to the conductive silicone rubber is provided, the through conductor (4) does not adhere to the self-adhesive silicone rubber (14), but the inner peripheral surface of the cylindrical dielectric (1) does not adhere. And the self-adhesive silicone rubber (14) are well adhered, so that the self-adhesive silicone rubber does not peel off at all even by thermal shock. In this case, since the insulating tube is not inserted into the through conductor, not only is the workability good and the cost can be reduced, but also a stable and excellent through-type capacitor having moisture resistance, heat resistance, and voltage resistance can be obtained. can get. Furthermore, the twelfth
In the embodiment shown in the figure, the surface of the through conductor is plated with a metal having a relatively weak bonding force, so that a non-adhesive region can be formed in the center of the through conductor, and the self-adhesion due to temperature change can be achieved. Prevents degradation of conductive silicone rubber,
A through-type capacitor having more excellent heat resistance can be obtained.

本発明の他の実施例においては自己接着性シリコーン
ゴムよりなる絶縁樹脂にて被覆する際、低温で硬化反応
を行なわせた後、加熱して高温で接着付与の反応を行な
わせるので、耐電圧性のバラツキを小さくすることがで
き、そして耐電圧特性が向上し、全体として信頼性の高
い貫通形コンデンサが得られる。
In another embodiment of the present invention, when coating with an insulating resin made of a self-adhesive silicone rubber, a curing reaction is carried out at a low temperature, and then a heating is carried out to cause a bonding reaction at a high temperature. Thus, variations in characteristics can be reduced, and the withstand voltage characteristics are improved, and a highly reliable feedthrough capacitor can be obtained as a whole.

更に、また、他の実施例においては自己接着性シリコ
ーンゴムの外表面に沿面放電処理を行なうため、沿面リ
ークを抑えることができる。
Further, in another embodiment, since the creeping discharge treatment is performed on the outer surface of the self-adhesive silicone rubber, the creeping leak can be suppressed.

更にまた、第21図、第22図および第23図に示す如き実
施例においては貫通導体の第1電極および/或は第2電
極に当接される接合部の形状が略線状に狭くなっている
ので、半田層のボイド及び半田トンネルが減少し、それ
に伴い自己接着性ゴムの漏出もなくなるので、耐圧不良
も減少し、接合強度が向上し、全体の信頼性が向上す
る。また、第26図に示す如き実施例においては貫通導体
に外部押圧吸収用の凹部が設けられているので、貫通導
体に外部から力が加っても前記凹部の部分で押圧力が吸
収され、筒状誘電体が破損する虞れがなく、更にこの凹
部での曲りにより外観から不良を判断することもでき
る。
Further, in the embodiment shown in FIGS. 21, 22, and 23, the shape of the joint portion of the through conductor that is in contact with the first electrode and / or the second electrode becomes substantially linear. As a result, voids and solder tunnels in the solder layer are reduced, and the leakage of the self-adhesive rubber is also eliminated. Accordingly, the pressure resistance failure is reduced, the bonding strength is improved, and the overall reliability is improved. Further, in the embodiment as shown in FIG. 26, since the through conductor is provided with a concave portion for absorbing external pressure, even if a force is applied to the through conductor from the outside, the pressing force is absorbed in the concave portion, There is no fear that the cylindrical dielectric will be damaged, and furthermore, a defect can be judged from the appearance by bending in the concave portion.

【図面の簡単な説明】 第1図、第2図、第3図および第4図はいずれも本発明
の高圧用貫通形コンデンサの断面図、第5図、第6図、
第7図および第8図は本発明のコンデンサと従来例との
特性の比較図、第9図は本発明の具体的構成の分解斜視
図、第10図、第11図および第12図はいずれも本発明の他
の実施例である高圧用貫通形コンデンサの断面図、第13
図は本発明の自己接着性シリコーンゴムの接着方向を示
す図面であり、同図(a)は第12図の要部拡大図、同図
(b)は第12図におけるY−Y′断面図、第14図および
第15図はそれぞれ従来方法と本発明の製造方法の内部作
用を説明する図面。第16図および第17図はそれぞれ従来
方法と本発明の製造方法による場合の破壊電圧の度数分
布図、第18図、第19図および第20図は筒状誘電体の第1
電極に当接される貫通導体の鍔部の形状と第2電極に当
接される接地用金属板の形状を広い面接触にした時の欠
点を説明するための要部断面図、第21図、第22図および
第23図は筒状誘電体の両端面の第1電極および第2電極
にそれぞれ当接される鍔部の当接部および接地用金属板
の接合部の形状を略線状にした本発明の他の実施例を示
す要部断面図、第24図は第23図の要部拡大断面図、第25
図は貫通導体のファストンタブに外力が加わり、筒状誘
電体にクラックが入った状態を対断面図、第26図は貫通
導体のファストンタブおよび鍔部の少許上方に凹部を設
けた本発明の他の実施例を示す図面、第27図は第26図の
貫通導体を使用した本発明の組立完成図の断面図、第28
図は従来の高圧用貫通形コンデンサを説明するための断
面図、第29図は同コンデンサに使用しているエポキシ樹
脂の硬化収縮方向を示す図面であり、同図(a)は第28
図の要部拡大図、同図(b)は第28図における(X−
X′)方向の断面図である。 (1)…筒状誘電体、(2)(3)…第1および第2電
極、(4)…貫通導体、(6)…接地用金属板、(11)
…シリコーンゲル、(13)…鍔部、(14)…自己接着性
シリコーンゴム、(15)…離型層、(16)…ニッケルメ
ッキ層、(17)…非接着領域、(18)(19)…接合部、
(23)…当接部、(24)…接合部、(25)…クラック、
(26)(26′)(27)(27′)…凹部。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1, FIG. 2, FIG. 3, and FIG. 4 are all cross-sectional views of the high-voltage feedthrough capacitor of the present invention, FIG.
7 and 8 are comparison diagrams of the characteristics of the capacitor of the present invention and the conventional example, FIG. 9 is an exploded perspective view of the specific structure of the present invention, and FIG. 10, FIG. 11 and FIG. 13 is a cross-sectional view of a high-voltage feedthrough capacitor according to another embodiment of the present invention.
FIG. 1 is a drawing showing the direction of adhesion of the self-adhesive silicone rubber of the present invention. FIG. 1 (a) is an enlarged view of a main part of FIG. 12, and FIG. , FIG. 14 and FIG. 15 are drawings for explaining the internal operation of the conventional method and the manufacturing method of the present invention, respectively. FIGS. 16 and 17 are frequency distribution diagrams of breakdown voltage in the case of the conventional method and the manufacturing method of the present invention, respectively. FIGS. 18, 19 and 20 show the first and second examples of the cylindrical dielectric.
FIG. 21 is a cross-sectional view of an essential part for explaining a defect when the shape of the flange portion of the through conductor abutting on the electrode and the shape of the grounding metal plate abutting on the second electrode are brought into wide surface contact. FIGS. 22 and 23 show a substantially linear shape of the contact portion of the flange portion and the joint portion of the grounding metal plate contacting the first electrode and the second electrode on both end surfaces of the cylindrical dielectric. FIG. 24 is an enlarged sectional view of a main part of FIG. 23, showing a main part sectional view of another embodiment of the present invention.
The figure shows an external force applied to the faston tab of the through conductor, and a cross-sectional view showing a state in which a crack is formed in the cylindrical dielectric. Drawing showing another embodiment, FIG. 27 is a sectional view of the completed assembly of the present invention using the through conductor of FIG.
FIG. 29 is a cross-sectional view for explaining a conventional through-type capacitor for high voltage. FIG. 29 is a drawing showing the curing shrinkage direction of the epoxy resin used for the capacitor. FIG.
FIG. 28B is an enlarged view of a main part of the figure, and FIG.
It is sectional drawing of X ') direction. (1) ... cylindrical dielectric, (2) (3) ... first and second electrodes, (4) ... through conductor, (6) ... ground metal plate, (11)
... silicone gel, (13) flange, (14) self-adhesive silicone rubber, (15) release layer, (16) nickel plating layer, (17) non-adhesive area, (18) (19) )… Joint,
(23) ... contact part, (24) ... joint part, (25) ... crack,
(26) (26 ') (27) (27') ... recess.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願昭63−292843 (32)優先日 昭63(1988)11月18日 (33)優先権主張国 日本(JP) (31)優先権主張番号 特願昭63−292846 (32)優先日 昭63(1988)11月18日 (33)優先権主張国 日本(JP) (31)優先権主張番号 特願昭63−292847 (32)優先日 昭63(1988)11月18日 (33)優先権主張国 日本(JP) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (31) Priority claim number Japanese Patent Application No. 63-292284 (32) Priority date November 18, 1988 (1988) (33) Priority claim country Japan (JP) (31) Priority Claim Number Japanese Patent Application No. 63-292846 (32) Priority Date November 18, 1988 (33) (33) Priority Country Japan (JP) (31) Priority Number No. 63-292847 (32) Priority (1988) November 18, 1988 (33) Countries claiming priority Japan (JP)

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設さ
れる第1電極および第2電極と、前記筒状誘電体の内側
を貫通して配設され且つ前記第1電極に接続される貫通
導体と、前記第2電極に接続される接地用金属板とを備
え、 少くとも前記筒状誘電体の内周面と前記貫通導体との間
に、自己接着性シリコーンゴムを充填してなる高圧用貫
通形コンデンサ。
1. A cylindrical dielectric, a first electrode and a second electrode disposed on both end surfaces of the dielectric, and a first electrode disposed inside the cylindrical dielectric and penetrating therethrough. And a grounding metal plate connected to the second electrode. A self-adhesive silicone rubber is provided between at least the inner peripheral surface of the cylindrical dielectric and the through conductor. A high-voltage feed-through capacitor that is filled.
【請求項2】前記筒状誘電体の内周面に対向する前記貫
通導体の周囲に、自己接着性シリコーンゴムと接着しに
くい材料からなる離型層を設けたことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の高圧用貫通形コンデンサ。
2. A release layer made of a material that is difficult to adhere to self-adhesive silicone rubber is provided around the through conductor facing the inner peripheral surface of the cylindrical dielectric. 2. The high-voltage feedthrough capacitor according to claim 1.
【請求項3】前記筒状誘電体の内周面に対向する前記貫
通導体の周囲に、自己接着性シリコーンゴムとの結合力
が弱い金属メッキ層を設けたことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の高圧用貫通形コンデンサ。
3. A metal plating layer having a weak bonding force with self-adhesive silicone rubber is provided around the through conductor facing the inner peripheral surface of the cylindrical dielectric. 2. A high-voltage feedthrough capacitor according to claim 1.
【請求項4】前記筒状誘電体の外周を、自己接着性シリ
コーンゴムにて被覆したことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の高圧用貫通形コンデンサ。
4. The high-voltage feedthrough capacitor according to claim 1, wherein the outer periphery of said cylindrical dielectric is coated with self-adhesive silicone rubber.
【請求項5】筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設さ
れる第1電極および第2電極と、前記筒状誘電体の内側
を貫通して配設され且つ前記第1電極に接続される貫通
導体と、前記第2電極に接続される接地用金属板とを備
え、少くとも前記筒状誘電体の内周面と前記貫通導体と
の間に自己接着性シリコーンゴムを充填してなる高圧用
貫通形コンデンサの製造方法において、 前記自己接着性シリコーンゴムを充填する際、100℃以
下の温度で硬化反応を行わせた後、100℃を超える温度
で接着性付与反応を行わせることを特徴とする高圧用貫
通形コンデンサの製造方法。
5. A cylindrical dielectric, a first electrode and a second electrode disposed on both end surfaces of the dielectric, and a first electrode disposed inside the cylindrical dielectric and penetrating therethrough. And a ground metal plate connected to the second electrode, and at least a self-adhesive silicone rubber is filled between an inner peripheral surface of the cylindrical dielectric and the through conductor. In the method for manufacturing a high-voltage feedthrough capacitor according to the above, when filling the self-adhesive silicone rubber, after performing a curing reaction at a temperature of 100 ° C. or less, an adhesion imparting reaction is performed at a temperature exceeding 100 ° C. A method for manufacturing a high-voltage feedthrough capacitor, characterized in that:
【請求項6】筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設さ
れる第1電極および第2電極と、前記筒状誘電体の内側
を貫通して配設され且つ前記第1電極に接続される貫通
導体と、前記第2電極に接続される接地用金属板とを備
え、少なくとも前記筒状誘電体の内周面と前記貫通導体
との間に自己接着性シリコーンゴムを充填し、前記筒状
誘電体の外周を自己接着性シリコーンゴムにて被覆して
なる高圧用貫通形コンデンサの製造方法において、 前記筒状誘電体の外周を被覆する自己接着性シリコーン
ゴムの外表面に、沿面放電処理を施すことを特徴とする
高圧用貫通形コンデンサの製造方法。
6. A cylindrical dielectric, first and second electrodes disposed on both end surfaces of the dielectric, and the first electrode disposed through the inside of the cylindrical dielectric. And a grounding metal plate connected to the second electrode, wherein at least a space between the inner peripheral surface of the cylindrical dielectric and the through conductor is filled with a self-adhesive silicone rubber. A method for manufacturing a high-voltage feedthrough capacitor, wherein the outer periphery of the cylindrical dielectric is coated with a self-adhesive silicone rubber, the outer surface of the self-adhesive silicone rubber covering the outer periphery of the cylindrical dielectric, A method for producing a high-voltage feedthrough capacitor, comprising performing a creeping discharge treatment.
【請求項7】前記貫通導体の前記第1電極との当接部の
形状および前記接地用金属板の前記第2電極との当接部
の形状を、略線状に狭くしたことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の高圧用貫通形コンデンサ。
7. A shape of a contact portion of the through conductor with the first electrode and a shape of a contact portion of the grounding metal plate with the second electrode are reduced in a substantially linear shape. 2. The high-voltage feedthrough capacitor according to claim 1, wherein:
【請求項8】前記貫通導体の第1電極との当接部よりも
外方に、外部押圧吸収用の凹部を設けたことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の高圧用貫通形コンデン
サ。
8. The high-voltage through-type according to claim 1, wherein a concave portion for absorbing external pressure is provided outside the contact portion of the through-conductor with the first electrode. Capacitors.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005020146A (en) * 2003-06-24 2005-01-20 Hitachi Kokusai Electric Inc Through-type noise filter

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950003640B1 (en) * 1990-11-28 1995-04-17 삼성전기 주식회사 Through-type capacitor
DE69226084T2 (en) * 1991-08-27 1998-12-24 Tdk Corp HIGH VOLTAGE CAPACITOR AND MAGNETRON
KR100264912B1 (en) * 1991-08-29 2000-09-01 사또 히로시 High voltage capacitor and magetron
JP3473795B2 (en) * 1995-05-22 2003-12-08 Tdk株式会社 High voltage capacitors and magnetrons
DE102008003821A1 (en) * 2008-01-10 2009-07-16 Epcos Ag Piezoelectric actuator unit
JP6559728B2 (en) * 2017-04-04 2019-08-14 株式会社豊田中央研究所 Semiconductor device and power conversion device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52103350A (en) * 1976-02-27 1977-08-30 Hitachi Ltd Cooling device for ultrasonic solder bath
JPS61168625A (en) * 1985-01-23 1986-07-30 Nissan Motor Co Ltd Formation of polytriphenylamine film
JPS6274325A (en) * 1985-09-30 1987-04-06 株式会社東芝 Suction port body for electric cleaner
JPH0628775B2 (en) * 1986-01-17 1994-04-20 三井造船株式会社 Casting mold

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005020146A (en) * 2003-06-24 2005-01-20 Hitachi Kokusai Electric Inc Through-type noise filter

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