JP2801359B2 - Erbium-doped fiber optical amplifier - Google Patents

Erbium-doped fiber optical amplifier

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Description

【発明の詳細な説明】 概要 エルビウムドープファイバ光増幅器に関し、 増幅効率の良いエルビウムドープファイバ光増幅器を
提供することを目的とし、 Erをドープした光ファイバに波長0.8μm帯のポンピ
ング光を入射することにより、波長1.55μm帯の信号光
を直接増幅するエルビウムドープファイバ光増幅器にお
いて、前記光ファイバの両端部にその間隔が1.25μm帯
の光に対する共振器長となるように1.25μm帯反射フィ
ルタを設け、1.25μm帯でレーザ発振させることによ
り、励起状態にあるErのエネルギー準位を下げるように
構成する。
The present invention relates to an erbium-doped fiber optical amplifier, and aims to provide an erbium-doped fiber optical amplifier with good amplification efficiency, in which pumping light in a wavelength band of 0.8 μm is injected into an Er-doped optical fiber. Thus, in an erbium-doped fiber optical amplifier for directly amplifying signal light in the 1.55 μm band, a 1.25 μm band reflection filter is provided at both ends of the optical fiber so that the distance between them is the resonator length for light in the 1.25 μm band. , In the 1.25 μm band to lower the energy level of Er in the excited state.

産業上の利用分野 本発明はエルビウム(Er)をドープしたエルビウムド
ープファイバに信号光をポンピング光(励起光)を入射
することにより、信号光を直接増幅する光増幅器に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical amplifier that directly amplifies a signal light by injecting a signal light into a erbium-doped fiber doped with an erbium (Er) and pumping light (pumping light).

現在実用化されている光ファイバ通信システムにおい
ては、光ファイバの損失による光信号の減衰を補償する
ために、一定距離ごとに中継器を挿入している。中継器
では、光信号をフォトダイオードにより電気信号に変換
して、電子増幅器により信号を増幅した後、半導体レー
ザ等により光信号に変換し、光ファイバ伝送路に再び送
り出すという構成を取っている。もし、この光信号を低
雑音で直接光信号のまま増幅することができれば、光中
継器の小型化、経済化を図ることができる。
In an optical fiber communication system currently in practical use, repeaters are inserted at regular intervals in order to compensate for optical signal attenuation due to optical fiber loss. The repeater is configured to convert an optical signal into an electric signal using a photodiode, amplify the signal using an electronic amplifier, convert the signal into an optical signal using a semiconductor laser or the like, and send the signal again to an optical fiber transmission line. If this optical signal can be directly amplified with low noise as it is, the optical repeater can be reduced in size and economical.

そこで、光信号を直接増幅できる光増幅器の研究が盛
んに進められており、研究の対象とされている光増幅器
を大別すると、希土類元素(Er,Nb,Yb等)をドープし
た光ファイバとポンピング光を組み合わせたもの、希
土類元素をドープした半導体レーザによるもの、光フ
ァイバ中の非線形効果を利用した誘導ラマン増幅器、誘
導ブリリュアン増幅器の3つがある。
Therefore, research on optical amplifiers capable of directly amplifying optical signals is being actively pursued, and the optical amplifiers to be studied are roughly classified into optical fibers doped with rare earth elements (Er, Nb, Yb, etc.). There are three types: a combination of pumping light, a semiconductor laser doped with a rare earth element, an induced Raman amplifier utilizing nonlinear effects in an optical fiber, and an induced Brillouin amplifier.

このうちの希土類ドープ光ファイバ(以下ドープ光
ファイバと略称する)とポンピング光を組み合わせた光
増幅器は、偏波依存性がないこと、低雑音であること、
伝送路との結合損失が小さいといった優れた特徴があ
り、光ファイバ伝送システムにおける伝送中継距離の飛
躍的増大、光信号の多数への分配を可能にすると期待さ
れている。
Among them, an optical amplifier combining a rare earth doped optical fiber (hereinafter abbreviated as “doped optical fiber”) and pumping light has no polarization dependence, low noise,
It has excellent features such as a small coupling loss with the transmission line, and is expected to enable a dramatic increase in transmission relay distance in an optical fiber transmission system and distribution of optical signals to a large number.

従来の技術 第3図にErドープ光ファイバによる光増幅の原理を示
す。2はコア4及びクラッド6から構成された光ファイ
バであり、コア4中にエルビウム(Er)がドープされて
いる。このようなErドープ光ファイバ2にポンピング光
(励起光)が入射されると、Er原子が高いエネルギー準
位に励起される。このように高いエネルギー準位に励起
された光ファイバ2中のEr原子に信号光が入ってくる
と、Er原子が低いエネルギー準位に遷移するが、このと
き光の誘導放出が生じ、信号光のパワーが光ファイバに
沿って次第に大きくなり信号光の増幅が行われる。
2. Description of the Related Art FIG. 3 shows the principle of optical amplification using an Er-doped optical fiber. Reference numeral 2 denotes an optical fiber composed of a core 4 and a clad 6, and the core 4 is doped with erbium (Er). When pumping light (excitation light) is incident on such Er-doped optical fiber 2, Er atoms are excited to a high energy level. When the signal light enters the Er atoms in the optical fiber 2 excited to the high energy level, the Er atoms transition to the low energy level. At this time, stimulated emission of light occurs, and the signal light is emitted. Is gradually increased along the optical fiber, and signal light is amplified.

このような原理を用いた従来の光ファイバ増幅器の一
例を第4図に示す。10はErをドープしたErドープファイ
バであり、Erドープファイバ10には信号光入力端12から
光アイソレータ14を介して波長1.55μm帯の信号光が入
射されるとともに、ポンピング光源(励起光源)16から
出射されたポンピング光(励起光)が光アイソレータ18
及び合分波器20を介して入射される。ポンピング光の光
パワーを十分大きくすることにより、Erドープファイバ
10中のEr原子を高いエネルギー準位に励起することがで
き、波長1.55μm帯の信号光の入射により同一波長の光
が誘導放出され、増幅された信号光が合分波器20及び光
アイソレータ22を介して信号光出射端24から出射され
る。ポンピング光源16としては入手が容易な1.48μmの
レーザを出射する半導体レーザ又は0.8μmのレーザを
出射する半導体レーザが用いられていた。
FIG. 4 shows an example of a conventional optical fiber amplifier using such a principle. Numeral 10 denotes an Er-doped fiber doped with Er. A signal light in a 1.55 μm band is incident on the Er-doped fiber 10 from a signal light input end 12 via an optical isolator 14 and a pumping light source (pumping light source) 16. Pump light (excitation light) emitted from the optical isolator 18
And through the multiplexer / demultiplexer 20. By increasing the optical power of the pumping light sufficiently, the Er-doped fiber
10 can be excited to a high energy level, and the light of the same wavelength is stimulated and emitted by the incidence of signal light in the 1.55 μm band, and the amplified signal light is split into the multiplexer / demultiplexer 20 and the optical isolator. The signal light is emitted from the signal light emitting end 24 via the light 22. As the pumping light source 16, a semiconductor laser emitting a laser of 1.48 μm or a semiconductor laser emitting a laser of 0.8 μm, which is easily available, has been used.

発明が解決しようとする課題 Erドープファイバ10のポンピング光源として波長0.8
μmの半導体レーザを用いた場合の作用を、第5図のエ
ネルギー準位図を参照して説明する。
Problems to be Solved by the Invention A wavelength of 0.8 as a pumping light source for the Er-doped fiber 10
The operation when a semiconductor laser of μm is used will be described with reference to the energy level diagram of FIG.

基底準位(4I15/2)のEr原子は波長0.8μmのポンピ
ング光が入射することにより、波長0.8μmのエネルギ
ー準位4I9/2に励起され、直ちに波長1.55μmのエネル
ギー準位4I13/2に遷移する。このような励起状態のとこ
ろに、波長1.55μmの信号光が入射されると、矢印Aで
示すように波長1.55μmの光の誘導放出が起こり、信号
光が増幅される。しかし、0.8μm準位から1.55μm準
位に遷移したEr原子の一部は波長0.8μmのポンピング
光のエネルギーにより、さらに波長0.51μmのエネルギ
ー準位4S3/2に励起される。そしてこの4S3/2準位から基
底準位に遷移が起こる。この現象により、波長1.55μm
のエネルギーに相当する4I13/2準位のポピュレーション
(分布数)が減少し、増幅特性に悪影響を及ぼすという
問題があった。
By the ground level (4 I 15/2) Er atoms wavelength 0.8μm pumping light is incident, is excited in the wavelength 0.8μm energy level 4 I 9/2, immediately wavelength 1.55μm energy level Transition to 4 I 13/2 . When signal light having a wavelength of 1.55 μm is incident on such an excited state, stimulated emission of light having a wavelength of 1.55 μm occurs as shown by an arrow A, and the signal light is amplified. However, part of the Er atoms that have transitioned from the 0.8 μm level to the 1.55 μm level are further excited to the energy level 4 S 3/2 at the wavelength of 0.51 μm by the energy of the pumping light having the wavelength of 0.8 μm. Then, a transition occurs from the 4 S 3/2 level to the ground level. Due to this phenomenon, wavelength 1.55μm
However, there is a problem that the population (number of distributions) of the 4 I 13/2 level corresponding to the energy of the GaAs decreases and the amplification characteristics are adversely affected.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、増幅効率の良いエルビウムド
ープファイバ光増幅器を提供することである。
The present invention has been made in view of such a point,
An object of the present invention is to provide an erbium-doped fiber optical amplifier having high amplification efficiency.

課題を解決するための手段 上述した課題を解決するために、本発明は、Erをドー
プした光ファイバに波長0.8μm帯のポンピング光を入
射することにより、波長1.55μm帯の信号光を直接増幅
するエルビウムドープファイバ光増幅器において、前記
光ファイバの両端部にその間隔が1.25μm帯の光に対す
る共振器長となるように1.25μm帯反射フィルタを設
け、1.25μm帯でレーザ発振させることにより、励起状
態にあるErのエネルギー準位を下げるようにしたことを
特徴とする。
Means for Solving the Problems In order to solve the problems described above, the present invention directly amplifies signal light of the wavelength of 1.55 μm by injecting pumping light of the wavelength 0.8 μm into an Er-doped optical fiber. In an erbium-doped fiber optical amplifier, a 1.25 μm band reflection filter is provided at both ends of the optical fiber so that the distance between the two ends becomes a resonator length for light in the 1.25 μm band, and laser oscillation is performed in the 1.25 μm band, so that pumping is performed. The energy level of Er in the state is reduced.

作用 両者の間隔が1.25μm帯の光に対する共振器長なるよ
うに設けられた一対の1.25μm帯反射フィルタにより、
Erドープファイバ内で1.25μm帯のレーザ発振が起こ
る。これにより高いエネルギー準位に励行されたEr原子
の誘導放出を起こさせ、高いエネルギー準位から基底準
位への自然放出による遷移を減少させて、波長1.55μm
帯に相当する4I13/2準位のポピュレーションを増加させ
る。この反転分布により、増幅効率の良い波長1.55μm
帯の光増幅器を提供することができる。
A pair of 1.25 μm reflection filters provided so that the distance between them is the length of the resonator for light in the 1.25 μm band,
Laser oscillation in the 1.25 μm band occurs in the Er-doped fiber. As a result, stimulated emission of Er atoms excited to a high energy level is caused, a transition due to spontaneous emission from a high energy level to a ground level is reduced, and a wavelength of 1.55 μm
Increase the population of the 4 I 13/2 level corresponding to the band. Due to this population inversion, a wavelength of 1.55 μm with good amplification efficiency
A band optical amplifier can be provided.

実 施 例 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。実施例の説明において、第4図に示した従来例の構
成と実質上同一構成部分については同一符号を付し、重
複を避けるためその説明を省略する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the description of the embodiment, the same components as those of the conventional example shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted to avoid duplication.

第1図は本発明の実施例全体構成図を示しており、Er
ドープファイバ10の両端部にその間隔が1.25μmの光に
対する共振器長となるように一対の1.25μm帯反射フィ
ルタ26,28が挿入されている。その他の構成は第4図に
示した従来例と同様である。
FIG. 1 shows an overall configuration diagram of an embodiment of the present invention.
A pair of 1.25 μm band reflection filters 26 and 28 are inserted into both ends of the doped fiber 10 so as to have a cavity length for light having a distance of 1.25 μm. Other configurations are the same as those of the conventional example shown in FIG.

半導体レーザ等のポンピング光源16から出射された波
長0.8μmのポンピング光は、光アイソレータ18及び合
分波器20を介してErドーブファイバ10に入射され、共振
器長に設定された一対の1.25μm帯反射フィルタ26,28
によって波長1.25μmでレーザ発振を起こさせる。
Pumping light having a wavelength of 0.8 μm emitted from a pumping light source 16 such as a semiconductor laser is incident on the Er dove fiber 10 via an optical isolator 18 and a multiplexer / demultiplexer 20, and a pair of 1.25 μm Band reflection filters 26, 28
Causes laser oscillation at a wavelength of 1.25 μm.

これを第2図のエネルギー準位図を参照してより詳細
に説明する。即ち、波長0.8μmのポンピング光をErド
ープファイバ10に入射することにより、基底準位(4I
15/2)のEr原子は波長0.8μmに相当するエネルギー準
4I9/2に励起されるが、直ちに波長1.55μmのエネル
ギーに相当する4I13/2準位に遷移する。この準位のEr原
子はポンピング光のエネルギーによりさらに波長0.51μ
mのエネルギーに相当する4S3/2準位に励起される。本
実施例では、Erドープファイバ10内で波長1.25μmの光
をレーザ発振させることにより、光の誘導放出を起こさ
せ、4S3/2準位から4I11/2準位にエネルギー準位を下げ
るようにする。このエネルギー準位のEr原子は自然放出
により波長1.55μmのエネルギーに相当する4I13/2準位
へ遷移するため、4S3/2準位から基底準位への遷移を減
少させ、4I13/2準位のポピュレーション(分布数)を増
加させることができる。
This will be described in more detail with reference to the energy level diagram of FIG. That is, by entering the pump light of wavelength 0.8μm in Er-doped fiber 10, the ground level (4 I
The 15/2 ) Er atom is excited to the energy level 4 I 9/2 corresponding to the wavelength of 0.8 μm, but immediately transitions to the 4 I 13/2 level corresponding to the energy of the wavelength 1.55 μm. The Er atom at this level has an additional wavelength of 0.51μ due to the energy of the pumping light.
It is excited to a 4 S 3/2 level corresponding to an energy of m. In this embodiment, by laser oscillation light having a wavelength 1.25μm in the Er-doped fiber 10, to cause a stimulated emission of light, the energy level from 4 S 3/2 level to 4 I 11/2 level To lower. Therefore Er atoms energy level the transition to 4 I 13/2 level corresponding to the energy wavelength 1.55μm by spontaneous emission, to reduce the transition from 4 S 3/2 level to ground level, 4 The population (number of distributions) of the I 13/2 level can be increased.

このように波長1.55μmのエネルギーに相当する4I
13/2準位のポピュレーションが増加したところへ、信号
光入力端12から光アイソレータ14を介して波長1.55μm
の信号光が入射されると、矢印Bに示すように波長1.55
μmの光の誘導放出が起こり、信号光が効率良く増幅さ
れて合分波器20及び光アイソレータ22を介して信号光出
力端24が出射される。
Thus, 4 I corresponding to energy at a wavelength of 1.55 μm
When the population of the 13/2 level increases, the wavelength is 1.55 μm from the signal light input terminal 12 through the optical isolator 14.
When the signal light is incident, a wavelength of 1.55
Stimulated emission of light of μm occurs, the signal light is efficiently amplified, and the signal light output terminal 24 is emitted through the multiplexer / demultiplexer 20 and the optical isolator 22.

本実施例では、ポンピング光を信号光と反対方向から
Erドープファイバ10内に入射させているため、ポンピン
グ光は光アイソレータ14でカットされ、信号光入力端12
側の半導体レーザ等の光源に悪影響を及ほすことがな
い。
In this embodiment, the pumping light is transmitted from the opposite direction to the signal light.
Since the light enters the Er-doped fiber 10, the pumping light is cut by the optical isolator 14 and the signal light input end 12
There is no adverse effect on the light source such as the semiconductor laser on the side.

発明の効果 本発明は以上詳述したように、波長1.25μmの光をEr
ドープファイバ内でレーザ発振させることにより、増幅
器として上準位の4I13/2のポピュレーションの減少とな
4S3/2準位から基底準位への自然放出による遷移を有
効に抑えることができ、4I13/2準位のポピュレーション
を増加させて効率の良い光増幅器を得ることができると
いう効果を奏する。
Advantageous Effects of the Invention As described in detail above, the present invention provides a light having a wavelength of 1.25 μm to Er.
By lasing in doped fiber, possible to suppress the transition by over spontaneous emission from the level of 4 decreases to become 4 S 3/2 level of the population of I 13/2 to ground level effectively as an amplifier Thus, the effect of increasing the population of the 4 I 13/2 level and obtaining an efficient optical amplifier is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明実施例の全体構成図、 第2図は実施例のエネルギー準位を説明する説明図、 第3図はErドープファイバによる光増幅の原理を示す模
式図、 第4図は従来例全体構成図、 第5図は従来例のエネルギー準位説明図である。 10……Erドープファイバ、 14,18,22……光アイソレータ、 16……ポンピング光源、 20……合分波器、 26,28……1.25μm帯反射フィルタ。
FIG. 1 is an overall configuration diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining an energy level of the embodiment, FIG. 3 is a schematic diagram showing a principle of optical amplification by an Er-doped fiber, and FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram of an energy level of a conventional example. 10… Er doped fiber, 14,18,22… Optical isolator, 16… Pumping light source, 20… Multiplexer, 26,28… 1.25μm band reflection filter.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01S 3/00 - 3/30 JOIS──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01S 3/00-3/30 JOIS

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】Erをドープした光ファイバ(10)に波長0.
8μm帯のポンピング光を入射することにより、波長1.5
5μm帯の信号光を直接増幅するエルビウムドープファ
イバ光増幅器において、 前記光ファイバ(10)の両端部にその間隔が1.25μm帯
の光に対する共振器長となるように一対の1.25μm帯反
射フィルタ(26,28)を設けたことを特徴とするエルビ
ウムドープファイバ光増幅器。
An optical fiber (10) doped with Er has a wavelength of 0.5.
By injecting 8μm band pump light, wavelength 1.5
An erbium-doped fiber optical amplifier for directly amplifying a 5 μm band signal light, comprising: a pair of 1.25 μm reflection filters at both ends of the optical fiber (10) such that the distance between the two ends is a resonator length for 1.25 μm band light. 26, 28), an erbium-doped fiber optical amplifier.
【請求項2】前記光ファイバ(10)に信号光とポンピン
グ光を逆方向から入射させることを特徴とする請求項1
に記載のエルビウムドープファイバ光増幅器。
2. The optical fiber according to claim 1, wherein the signal light and the pumping light are incident from opposite directions.
2. An erbium-doped fiber optical amplifier according to claim 1.
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