JP2789247B2 - Cleaning method for ion processing equipment - Google Patents
Cleaning method for ion processing equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、イオン処理装置のクリーニング方法に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a cleaning method for an ion processing apparatus.
（従来の技術） 一般にイオン処理装置においては、イオン源で発生さ
せた所望のイオンを被処理物に作用させて所望の処理を
実施する。例えばイオン注入装置では、イオン源で所望
のイオンを発生させ、このイオンを例えば質量分析マグ
ネットにより選別し、加速管等により加速して所望のイ
オンビームを形成し、このイオンビームを偏向電極によ
って走査しながら被処理物例えば半導体ウエハに照射し
てドーピングする。(Prior Art) Generally, an ion processing apparatus performs desired processing by causing desired ions generated by an ion source to act on an object to be processed. For example, in an ion implantation apparatus, desired ions are generated by an ion source, the ions are selected by, for example, a mass analysis magnet, accelerated by an acceleration tube or the like, a desired ion beam is formed, and the ion beam is scanned by a deflection electrode. While irradiating the object to be processed, for example, a semiconductor wafer, doping is performed.
このようなイオン処理装置に用いるイオン源として
は、従来からフィラメントとアノード電極との間に電圧
を印加するとともに、これらのフィラメントとアノード
電極との間に所定の原料ガスを介在させ、この原料ガス
をプラズマ化してイオンを発生させるイオン源、例えば
フリーマン型のイオン源等が多く用いられている。As an ion source used in such an ion processing apparatus, a voltage is conventionally applied between a filament and an anode electrode, and a predetermined source gas is interposed between the filament and the anode electrode. An ion source for converting ions into plasma to generate ions, such as a Freeman-type ion source, is often used.
ところで、上述したようなイオン処理装置、例えばイ
オン注入装置においては、プラズマの作用（スパッタリ
ング、エッチング等）により、例えばタングステン等か
らなるイオン源のフィラメントが消耗するとともに、こ
のような部材から削られて飛翔した飛翔物（例えばタン
グステン等）が不所望部位例えばイオンを引き出すため
のイオン引き出し電極等に付着して汚染を生じさせる。
また、このようなイオン引き出し電極等には、例えばリ
ン、ヒ素等の原料ガスに起因する付着物も付着する。In the above-described ion processing apparatus, for example, an ion implantation apparatus, a filament of an ion source made of, for example, tungsten is consumed by the action of plasma (sputtering, etching, or the like), and is cut off from such a member. The flying object (for example, tungsten or the like) adheres to an undesired portion, for example, an ion extraction electrode for extracting ions, thereby causing contamination.
Further, deposits originating from a source gas such as phosphorus or arsenic also adhere to such an ion extraction electrode or the like.
このため、従来からイオン処理装置においては、例え
ば一定使用時間毎に汚染部位のクリーニングを実施して
いる。従来このようなクリーニングは、イオン処理装置
を停止し、イオン引き出し電極等が配置された真空チャ
ンバを解放してイオン引き出し電極等に付着した付着物
を研磨して除去する方法により実施している。For this reason, conventionally, in an ion processing apparatus, for example, cleaning of a contaminated site is performed at regular intervals of use. Conventionally, such cleaning is performed by stopping the ion processing apparatus, opening a vacuum chamber in which the ion extraction electrodes and the like are disposed, and polishing and removing the deposits attached to the ion extraction electrodes and the like.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述したような従来のイオン処理装置
のクリーニング方法では、装置を停止し、イオン源等の
高真空部位を一旦常圧に戻して汚染箇所の研磨洗浄等を
手作業で長時間かけて行っている。このため狭い部位に
おける繁雑な作業となり、その作業にも長時間を要する
とともに、作業終了後の装置の立ち上げにも時間を要
し、イオン処理装置の稼働率の低下を招き、生産性悪化
の一因となっている。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the conventional cleaning method of the ion processing apparatus as described above, the apparatus is stopped, and a high vacuum site such as an ion source is once returned to normal pressure to polish and clean a contaminated site. Is done manually for a long time. For this reason, the work is complicated in a narrow part, and the work takes a long time, and also takes time to start up the apparatus after the work is completed, which leads to a decrease in the operation rate of the ion processing apparatus and a decrease in productivity. It has contributed.
なお、イオン処理装置のクリーニングにおいて、例え
ば半導体製造に係るCVD装置等で実施されている如く、
クリーニング用ガス（エッチングガス）をプラズマ化し
て、エッチングにより付着物を除去するクリーニング方
法を適用し、イオン源に原料ガスの換わりにクリーニン
グ用ガスを供給し、このクリーニング用ガスを放電電極
間に高周波電圧を印加してプラズマ化しクリーニングを
実施することも考えられる。しかしながら、このような
方法をイオン処理装置のクリーニングに用いると、タン
グステン等からなるイオン源のフィラメントが削られて
消耗してしまい、また、削られた飛翔物がイオン引き出
し電極等に付着してしまうため、このような方法をその
ままイオン処理装置のクリーニングに適用することはで
きなかった。In the cleaning of the ion processing apparatus, for example, as is performed in a CVD apparatus related to semiconductor manufacturing,
A cleaning method is used in which a cleaning gas (etching gas) is turned into plasma to remove deposits by etching, a cleaning gas is supplied to an ion source instead of a source gas, and the cleaning gas is supplied to a high frequency between discharge electrodes. It is also conceivable to apply a voltage to generate plasma to perform cleaning. However, when such a method is used for cleaning the ion processing apparatus, the filament of the ion source made of tungsten or the like is shaved and consumed, and the shaved flying object adheres to the ion extraction electrode or the like. Therefore, such a method cannot be directly applied to cleaning of the ion processing apparatus.
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、従来に較べて短時間で容易に汚染箇所のクリーニン
グを実施することができ、イオン処理装置の稼働率を向
上させて生産性の向上を図ることのできるイオン処理装
置のクリーニング方法を提供しようとするものである。The present invention has been made in view of such a conventional situation, and it is possible to easily perform cleaning of a contaminated portion in a shorter time as compared with the related art, thereby improving the operation rate of the ion processing apparatus and improving productivity. An object of the present invention is to provide a method of cleaning an ion processing apparatus which can be improved.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち、本発明は、イオンを被処理物に作用させて
所望の処理を行うイオン処理装置をクリーニングするに
際し、 所定のクリーニング用ガスを導入し、このガスに、放
電により生じさせた第１のプラズマから引き出した電子
を照射して第２のプラズマを発生させ、この第２のプラ
ズマを作用させてクリーニングすることを特徴とする。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In other words, the present invention introduces a predetermined cleaning gas when cleaning an ion processing apparatus that performs desired processing by causing ions to act on an object to be processed. The method is characterized in that the gas is irradiated with electrons extracted from the first plasma generated by the discharge to generate a second plasma, and the second plasma is actuated for cleaning.
（作 用） 前述した如く、従来のイオン処理装置においてプラズ
マを用いたクリーニングを実施すると、イオン源のフィ
ラメントが削られて消耗してしまい、この削られた飛翔
物がイオン引き出し電極等に付着してしまう。このた
め、プラズマを用いたクリーニングを実施することは困
難であった。(Operation) As described above, when cleaning using plasma is performed in the conventional ion processing apparatus, the filament of the ion source is scraped and consumed, and the cut flying object adheres to the ion extraction electrode and the like. Would. Therefore, it has been difficult to perform cleaning using plasma.
ところで、本出願人は、フィラメントとアノード電極
との間に電圧を印加して所定の放電用ガスから第１のプ
ラズマを発生させ、この第１のプラズマ中から電子を引
き出してイオン発生室内に導入した所定の原料ガスに照
射することにより所望のイオン（第２のプラズマ）を発
生させる電子ビーム励起イオン源を開発している。By the way, the present applicant applies a voltage between the filament and the anode electrode to generate a first plasma from a predetermined discharge gas, extracts electrons from the first plasma, and introduces them into the ion generation chamber. An electron beam-excited ion source that generates desired ions (second plasma) by irradiating the predetermined source gas is developed.
そこで、本発明のイオン処理装置のクリーニング方法
では、所定のクリーニング用ガスに電子を照射してプラ
ズマを発生させることにより、フィラメントの消耗およ
びこの消耗に起因する汚染を防止しつつ、プラズマによ
るクリーニングを実施するものである。Therefore, in the cleaning method of the ion processing apparatus of the present invention, the plasma cleaning is performed by irradiating the predetermined cleaning gas with electrons to generate plasma, thereby preventing the filament from being consumed and the contamination caused by the consumption. It is to be implemented.
したがって、従来に較べて短時間で容易に汚染箇所の
クリーニングを実施することができ、イオン処理装置の
稼働率を向上させて生産性を向上を図ることができる。Therefore, the cleaning of the contaminated portion can be easily performed in a shorter time than in the related art, and the operation rate of the ion processing apparatus can be improved, and the productivity can be improved.
（実施例） 以下、本発明をイオン注入装置のクリーニングに適用
した実施例を図面を参照して説明する。(Example) Hereinafter, an example in which the present invention is applied to cleaning of an ion implantation apparatus will be described with reference to the drawings.
第１図に示すように、イオン注入装置の真空容器１内
には、イオン源２が設けられており、このイオン源２の
側方には、イオン引き出し電極3a、3bが設けられてい
る。そして、イオン源２内で発生させた所望のイオンを
イオン引き出し電極3a、3bによって引き出し、周知の如
くイオン引き出し電極3a、3bの側方に設けられた図示し
ない質量分析マグネット、加速管、偏向電極等によって
このイオンを選別、加速、偏向走査し、真空容器１の端
部に設けられたプラテンに保持された被処理物例えば半
導体ウエハに照射して所望のイオンをドーピングする如
く構成されている。なお、真空容器１には、排気口４が
設けられており、図示しない排気装置により真空容器１
内を真空排気可能に構成されている。As shown in FIG. 1, an ion source 2 is provided in a vacuum vessel 1 of the ion implantation apparatus, and ion extraction electrodes 3a and 3b are provided beside the ion source 2. Then, desired ions generated in the ion source 2 are extracted by the ion extraction electrodes 3a and 3b, and, as is well known, a mass analysis magnet (not shown), an acceleration tube, and a deflection electrode provided on the side of the ion extraction electrodes 3a and 3b. For example, the ions are selected, accelerated, and deflected and scanned, and the object to be processed, such as a semiconductor wafer, held on a platen provided at the end of the vacuum vessel 1 is irradiated to dope desired ions. The vacuum vessel 1 is provided with an exhaust port 4, and the vacuum vessel 1 is provided by an exhaust device (not shown).
It is configured so that the inside can be evacuated.
また、上記イオン源２の上部は、導電性高融点材料例
えばモリブデンから各辺の長さが例えば数センチ程度の
矩形容器状に形成された電子発生室10とされており、こ
の電子発生室10内には、例えばSi3N4、BN等からなる板
状の耐熱性絶縁性部材11に支持されたフィラメント12が
設けられている。このフィラメント12は、例えばＵ字状
に形成されたタングステン線から構成されている。The upper portion of the ion source 2 is an electron generating chamber 10 formed of a conductive high melting point material such as molybdenum into a rectangular container with each side having a length of several centimeters, for example. Inside, a filament 12 supported by a plate-like heat-resistant insulating member 11 made of, for example, Si 3 N 4 or BN is provided. The filament 12 is made of, for example, a U-shaped tungsten wire.
さらに、電子発生室10の上部には、プラズマを生起さ
せ電子を発生させるための放電用ガス、例えばアルゴン
（Ar）ガスを導入するための放電用ガス配管13が接続さ
れている。一方、電子発生室10の下部には、電子発生室
10内で発生させたプラズマ中から電子を引き出すための
円孔14が設けられている。Further, a discharge gas pipe 13 for introducing a discharge gas, for example, an argon (Ar) gas for generating plasma and generating electrons is connected to an upper portion of the electron generation chamber 10. On the other hand, below the electron generation chamber 10,
A circular hole 14 for extracting electrons from the plasma generated in 10 is provided.
また、上記電子発生室10の下部には、円孔14に連続し
て隘路15を形成する如く板状の絶縁性部材16が設けられ
ており、この絶縁性部材16の下部には、複数の透孔17を
有する電子引き出し電極18が設けられている。Further, a plate-shaped insulating member 16 is provided below the electron generating chamber 10 so as to form a bottleneck 15 continuously with the circular hole 14, and a plurality of insulating members 16 are provided below the insulating member 16. An electron extraction electrode 18 having a through hole 17 is provided.
上記電子引き出し電極18の下部には、絶縁性部材19を
介してイオン生成室20が接続されている。このイオン生
成室20は、導電性高融点材料、例えばモリブデンから容
器状に形成されており、その内部は、直径および高さが
共に数センチ程度の円筒形状とされている。そして、イ
オン生成室20の底部には、絶縁性部材21を介して底板22
が固定されている。また、イオン生成室20の側面には、
所望のイオンを生成するための原料ガス例えばBF3等を
このイオン生成室20内に導入するための原料ガス導入配
管23が設けられており、この原料ガス導入配管23に対向
する位置にイオン引き出し用スリット24が設けられてい
る。An ion generation chamber 20 is connected to the lower part of the electron extraction electrode 18 via an insulating member 19. The ion generation chamber 20 is formed in a container shape from a conductive high melting point material, for example, molybdenum, and the inside thereof has a cylindrical shape having a diameter and a height of about several centimeters. A bottom plate 22 is provided on the bottom of the ion generation chamber 20 via an insulating member 21.
Has been fixed. Also, on the side of the ion generation chamber 20,
A source gas introduction pipe 23 for introducing a source gas for generating desired ions, for example, BF 3 or the like, into the ion generation chamber 20 is provided, and ion extraction is performed at a position opposed to the source gas introduction pipe 23. Slit 24 is provided.
なお、上記イオン生成室20は、後述する如くプラズマ
を発生させる際に高温となるが、この実施例では上述し
た如くイオン生成室20が導電性高融点材料、例えばモリ
ブデンから構成されているので、例えば冷却機構等を必
要とせず、したがって、イオン源２を小形化することが
できる。In addition, although the ion generation chamber 20 becomes high temperature when generating plasma as described later, in this embodiment, since the ion generation chamber 20 is made of a conductive high melting point material, for example, molybdenum as described above, For example, a cooling mechanism or the like is not required, so that the ion source 2 can be downsized.
さらに、この実施例では、イオン生成室20内にインナ
ー筒25が設けられている。このインナー筒25は、後述す
るクリーニング用のプラズマの作用（スパッタリング、
エッチング等）を受け難い材質、例えばセラミックス等
から構成されており、イオン生成室20内の金属面を覆
い、プラズマから保護するよう構成されている。Further, in this embodiment, an inner cylinder 25 is provided in the ion generation chamber 20. The inner cylinder 25 is used for cleaning plasma operations (sputtering,
It is made of a material that is not easily affected by etching, such as ceramics, and covers the metal surface in the ion generation chamber 20 to protect it from plasma.
上記構成のこの実施例の電子ビーム励起イオン源で
は、図示しない磁場生成手段により、図示矢印Bzの如く
垂直方向に電子をガイドするための磁場を印加した状態
で、次のようにして所望のイオンを発生させる。In the electron beam excited ion source of this embodiment having the above-described configuration, a desired ion is applied as follows in a state where a magnetic field for guiding electrons in a vertical direction as shown by an arrow Bz is applied by a magnetic field generating means (not shown). Generate.
すなわち、フィラメント12にフィラメント電圧Vfを印
加し通電加熱するとともに、このフィラメント12に対し
て、抵抗Ｒを介して電子発生室10に放電電圧Vdを印加
し、電子引き出し電極18に放電電圧Vdを印加し、電子引
き出し電極18とイオン生成室20との間に加速電圧Vaを印
加する。That is, the filament voltage Vf is applied to the filament 12 to heat it, and the filament 12 is applied with the discharge voltage Vd to the electron generating chamber 10 via the resistor R, and the discharge voltage Vd is applied to the electron extraction electrode 18. Then, an acceleration voltage Va is applied between the electron extraction electrode 18 and the ion generation chamber 20.
そして、放電用ガス導入配管13から電子発生室10内
に、放電用ガス例えばアルゴンガスを所定流量例えば0.
05 SCCM以上で導入し、放電電圧Vdにより放電を生じさ
せ、プラズマを発生させる。すると、このプラズマ中の
電子は、加速電圧Vaにより、円孔14、隘路15、電子引き
出し電極18の透孔17を通過してイオン生成室20内に引き
出される。Then, a discharge gas, for example, argon gas, is supplied from the discharge gas introduction pipe 13 into the electron generation chamber 10 at a predetermined flow rate, for example, 0.
Introduced at 05 SCCM or higher, discharge is generated by the discharge voltage Vd, and plasma is generated. Then, the electrons in the plasma are extracted into the ion generation chamber 20 through the circular hole 14, the narrow path 15, and the through hole 17 of the electron extraction electrode 18 by the acceleration voltage Va.
一方、イオン生成室20内には、原料ガス導入配管23か
ら予め所定の原料ガスを所定流量例えば0.15 SCCM以上
で導入するとともに排気口４から排気を実施してイオン
生成室20内を所定圧力例えば0.001〜0.02 Torrの原料ガ
ス雰囲気としておく。On the other hand, in the ion generation chamber 20, a predetermined source gas is introduced in advance from the source gas introduction pipe 23 at a predetermined flow rate, for example, 0.15 SCCM or more, and exhaustion is performed from the exhaust port 4 so that the inside of the ion generation chamber 20 has a predetermined pressure, for example. A source gas atmosphere of 0.001 to 0.02 Torr is set.
したがって、イオン生成室20内に流入した電子は、加
速電界により加速され、原料ガス分子と衝突し、濃いプ
ラズマを発生させる。そして、イオン引き出し電極3a、
3bにより、イオン引き出し用スリット24から、このプラ
ズマ中のイオンを引き出し、所望のイオンビームとして
半導体ウエハ等へ走査照射する。Therefore, the electrons flowing into the ion generation chamber 20 are accelerated by the accelerating electric field, collide with the source gas molecules, and generate a dense plasma. Then, the ion extraction electrode 3a,
By 3b, ions in the plasma are extracted from the ion extracting slit 24, and are scanned and irradiated on a semiconductor wafer or the like as a desired ion beam.
この時、例えばイオン引き出し用スリット24の内側部
等インナー筒25によって覆うことのできない部位は、イ
オン生成室20内のプラズマの作用（スパッタリング、エ
ッチング等）により削られて消耗し、削られて飛翔した
分子等がイオン引き出し電極3a、3bおよびその周囲等に
付着する。また、リン、ヒ素等の原料ガスから生じる物
質もイオン引き出し電極3a、3bおよびその周囲等に付着
する。At this time, for example, a portion that cannot be covered by the inner cylinder 25, such as an inner portion of the ion extraction slit 24, is scraped and consumed by the action of plasma (sputtering, etching, etc.) in the ion generation chamber 20, and is scraped and flies. The molecules and the like adhere to the ion extraction electrodes 3a and 3b and their surroundings. In addition, substances generated from the source gas such as phosphorus and arsenic also adhere to the ion extraction electrodes 3a and 3b and their surroundings.
そこで、イオン引き出し電極3a、3bおよびその周囲等
に付着した付着物を除去するために次のようにしてクリ
ーニングを行う。Therefore, cleaning is performed as follows in order to remove deposits attached to the ion extraction electrodes 3a and 3b and their surroundings.
すなわち、イオン源２のイオン生成室20内に、クリー
ニング用ガス（活性ガス）例えばフッ化ホウ素ガス（BF
3）、塩素ガス、三フッ化窒素ガス（NF3）等を供給し、
上述したイオンドーピング処理を実施する際に同様にし
てこのクリーニング用ガスに電子を照射してプラズマ化
する。さらに、クリーニング用ガスを供給し真空容器内
の圧力を0.001〜0.01 Torrに保持し、イオン引き出し電
極3a、3bに、真空容器１内でグロー放電が起こせるだけ
の電圧を印加する。すると、このプラズマは、排気口４
からの排気による気体流によってイオン引き出し用スリ
ット24からイオン源２の外へ流出し、イオン引き出し電
極3a、3bおよびその周囲等に付着した付着物を接触す
る。したがって、付着物は、プラズマのエッチング作用
により除去される。That is, a cleaning gas (active gas) such as a boron fluoride gas (BF) is provided in the ion generation chamber 20 of the ion source 2.
3 ) Supply chlorine gas, nitrogen trifluoride gas (NF 3 ), etc.
Similarly, when performing the above-described ion doping process, the cleaning gas is irradiated with electrons and turned into plasma. Further, a cleaning gas is supplied to maintain the pressure in the vacuum container at 0.001 to 0.01 Torr, and a voltage sufficient to cause glow discharge in the vacuum container 1 is applied to the ion extraction electrodes 3a and 3b. Then, this plasma is generated by the exhaust port 4
The gas flows from the ion extraction slit 24 to the outside of the ion source 2 by the gas flow generated by the exhaust from the ion source, and comes into contact with the ion extraction electrodes 3a and 3b and the deposits adhering to the surroundings thereof. Therefore, the deposits are removed by the etching action of the plasma.
このように、上記実施例方法によれば、フィラメント
の消耗等を招くことなく、イオン注入装置におけるプラ
ズマによるクリーニングを実施することができる。した
がって、イオン注入装置を停止して真空容器１内を一旦
常圧に戻す必要もなく、また、狭い部位における繁雑な
作業も必要としないので、従来の方法に較べて短時間で
容易に汚染箇所のクリーニングを実施することができ
る。As described above, according to the method of the embodiment, the cleaning by the plasma in the ion implantation apparatus can be performed without inviting the consumption of the filament and the like. Therefore, there is no need to stop the ion implantation apparatus and temporarily return the inside of the vacuum vessel 1 to normal pressure, and it is not necessary to perform complicated work in a narrow part. Cleaning can be performed.
なお、上記実施例では、本発明をイオン注入装置のイ
オン発生室のクリーニングに適用した例について説明し
たが、イオン処理装置であれば例えばスパッタ装置、プ
ラズマCVD装置等どのような装置に対しても同様にして
適用することができる。In the above embodiment, an example in which the present invention is applied to cleaning of an ion generation chamber of an ion implantation apparatus has been described. However, any apparatus such as a sputtering apparatus and a plasma CVD apparatus can be used as long as the apparatus is an ion processing apparatus. The same can be applied.
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明のイオン処理装置のクリ
ーニング方法によれば、従来に較べて短時間で容易に汚
染箇所のクリーニングを実施することができ、イオン処
理装置の稼働率を向上させて生産性の向上を図ることが
できる。[Effects of the Invention] As described above, according to the cleaning method of the ion processing apparatus of the present invention, the cleaning of the contaminated portion can be easily performed in a shorter time than in the conventional method, and the operation rate of the ion processing apparatus can be improved. And the productivity can be improved.
第１図は本発明の一実施例方法を説明するためのイオン
注入装置の要部構成を示す図である。 １……真空容器、２……イオン源、3a、3b……イオン引
き出し電極、４……排気口、10……電子発生室、11……
絶縁性部材、12……フィラメント、13……放電用ガス導
入配管、14……円孔、15……隘路、16……絶縁性部材、
17……透孔、18……電子引き出し電極、19……絶縁性部
材、20……イオン生成室、21……絶縁性部材、22……底
板、23……原料ガス導入配管、24……イオン引き出し用
スリット、25……インナー筒。FIG. 1 is a view showing a main configuration of an ion implantation apparatus for explaining a method of one embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum container, 2 ... Ion source, 3a, 3b ... Ion extraction electrode, 4 ... Exhaust port, 10 ... Electron generation chamber, 11 ...
Insulating member, 12 filament, 13 discharge gas introduction pipe, 14 circular hole, 15 bottleneck, 16 insulating member,
17 ... through-hole, 18 ... electron extraction electrode, 19 ... insulating member, 20 ... ion generation chamber, 21 ... insulating member, 22 ... bottom plate, 23 ... source gas introduction piping, 24 ... Slit for ion extraction, 25 ... Inner tube.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川村 剛平 東京都新宿区西新宿１丁目26番２号 東 京エレクトロン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−135037（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−126225（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 37/30 H01J 21/265──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Gohei Kawamura 1-26-2 Nishi Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Inside Tokyo Electron Limited (56) References JP-A-61-135037 (JP, A) 63-126225 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01J 37/30 H01J 21/265
Claims (1)
を行うイオン処理装置をクリーニングするに際し、 所定のクリーニング用ガスを導入し、このガスに、放電
により生じさせた第１のプラズマから引き出した電子を
照射して第２のプラズマを発生させ、この第２のプラズ
マを作用させてクリーニングすることを特徴とするイオ
ン処理装置のクリーニング方法。In cleaning an ion processing apparatus that performs a desired process by causing ions to act on an object to be processed, a predetermined cleaning gas is introduced, and the gas is supplied from a first plasma generated by electric discharge. A method for cleaning an ion processing apparatus, comprising: irradiating extracted electrons to generate a second plasma; and causing the second plasma to act to perform cleaning.
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2004922A JP2789247B2 (en) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Cleaning method for ion processing equipment |
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP2004922A JP2789247B2 (en) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Cleaning method for ion processing equipment |
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Country Status (1)
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1990
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Also Published As
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