JP2781312B2 - Compensated heat detector - Google Patents

Compensated heat detector

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JP2781312B2
JP2781312B2 JP29096792A JP29096792A JP2781312B2 JP 2781312 B2 JP2781312 B2 JP 2781312B2 JP 29096792 A JP29096792 A JP 29096792A JP 29096792 A JP29096792 A JP 29096792A JP 2781312 B2 JP2781312 B2 JP 2781312B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、サーミスタ等の感熱素
子を感知器の内外に設けて定温機能と差動機能による火
災検出を行う補償式熱感知器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a compensation type heat sensor in which a thermosensitive element such as a thermistor is provided inside and outside a sensor to detect a fire by a constant temperature function and a differential function.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の補償式熱感知器として
は、温度変化に追従して抵抗値が変化する半導体サーミ
スタ素子などの感熱素子を使用することにより、警戒区
域の温度が予め設定された規定温度に達したときに発報
する定温機能と、予め決められた温度上昇率を越えて警
戒区域の温度が上昇したときに発報する差動機能との両
機能を備えている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a compensation type heat sensor of this kind, a temperature of a guard zone is set in advance by using a heat sensitive element such as a semiconductor thermistor element whose resistance changes according to a temperature change. It has both a constant temperature function that issues an alarm when the temperature reaches the specified temperature and a differential function that issues an alarm when the temperature of the alert zone rises above a predetermined temperature rise rate.

【0003】図5(a)は従来の補償式熱感知器の主要
回路部を示したもので、半導体サーミスタ素子などを用
いた外部感熱素子1と内部感熱素子2を備える。外部感
熱素子1は感知器外部に設置されており、周囲温度の変
化に常に追従して抵抗値が変化することから熱時定数は
小さい。内部感熱素子2は感知器内部に設置されてお
り、周囲温度の変化に対する温度変化に遅れがあること
から熱時定数は大きい。
FIG. 5A shows a main circuit portion of a conventional compensation type heat sensor, which comprises an external thermosensitive element 1 and an internal thermosensitive element 2 using a semiconductor thermistor element or the like. The external thermal element 1 is installed outside the sensor, and the thermal time constant is small because the resistance value always changes following the change of the ambient temperature. The internal thermal element 2 is provided inside the sensor, and has a large thermal time constant because there is a delay in temperature change with respect to a change in ambient temperature.

【0004】外部感熱素子1は抵抗R1との直列接続で
トランジスタQ1のベース電圧Vb1を設定する。また内
部感熱素子2は抵抗R2との直列接続でトランジスタQ
2のベース電圧Vb2を設定する。トランジスタQ1,Q
2はエミッタを共通接続し、抵抗R3を介してプラス電
源ラインに接続される。このトランジスタQ1,Q2で
差動機能による火災検出のための比較回路を構成する。
[0004] External heat sensitive element 1 sets the base voltage V b1 of the transistor Q1 connected in series with the resistor R1. The internal thermosensitive element 2 is connected in series with a resistor R2 to connect a transistor Q
The second base voltage Vb2 is set. Transistors Q1, Q
Numeral 2 connects the emitters in common and is connected to a positive power supply line via a resistor R3. These transistors Q1 and Q2 constitute a comparison circuit for fire detection by a differential function.

【0005】また外部感熱素子1と抵抗R1による分圧
電圧は同時にトランジスタQ3のベース電圧Vb3を設定
する。トランジスタQ3に対してはトランジスタQ4が
差動接続され、両者のエミッタを抵抗R6を介してプラ
ス電源ラインに接続している。トランジスタQ4のベー
スには抵抗R4,R5により一定のベース電圧Vb4が設
定される。このトランジスタQ3,Q4で定温機能によ
る火災検出のための比較回路を構成する。
[0005] divided voltage by the external thermal element 1 and the resistor R1 sets the base voltage V b3 of the transistor Q3 at the same time. A transistor Q4 is differentially connected to the transistor Q3, and both emitters are connected to a positive power supply line via a resistor R6. A constant base voltage Vb4 is set at the base of the transistor Q4 by the resistors R4 and R5. The transistors Q3 and Q4 constitute a comparison circuit for detecting a fire by the constant temperature function.

【0006】図5(b)は定温特性を示したもので、定
常温度でトランジスタQ1〜Q4のベース電圧は、 Vb4>Vb2(=Vb3)>Vb1 となっており、トランジスタQ1,Q3がオンしてい
る。警戒区域の温度が火災により緩やかに上昇すると、
外部感熱素子1と内部感熱素子2の温度変化はほぼ同じ
となり、抵抗値も同じように変化し、ベース電圧Vb1
b2はその差を維持したまま増加する。
[0006] FIG. 5 (b) shows the constant temperature characteristics, the base voltage of the transistor Q1~Q4 at constant temperature, has a V b4> V b2 (= V b3)> V b1, the transistor Q1, Q3 is on. If the temperature in the alert area rises slowly due to a fire,
The temperature change of the external thermal element 1 and the internal thermal element 2 is almost the same, the resistance value is also changed in the same manner, and the base voltage V b1 ,
V b2 increases while maintaining the difference.

【0007】このためベース電圧Vb3が一定のベース電
圧Vb4に達する定温発報温度Tcに上昇すると、トラン
ジスタ3がオンからオフになると同時にトランジスタQ
4がオフからオンとなり、図示しないスイッチング回路
に定温機能による火災検出信号を出力して発報する。図
5(c)は差動特性を示したもので、定常温度でトラン
ジスタQ1〜Q4のベース電圧は、 Vb4>Vb2(=Vb3)>Vb1 となっており、トランジスタQ1,Q3がオンしてい
る。警戒区域の温度が火災により急激に上昇すると、外
部感熱素子1の抵抗値は温度上昇に応じて急激に低下す
るが、内部感熱素子2の温度はあまり変化せず、ベース
電圧Vb1は温度上昇に伴って大きく増加するが、ベース
電圧Vb2の上昇は少ない。このためベース電圧Vb1がベ
ース電圧Vb2を越える差動発報温度Tdに達すると、ト
ランジスタQ1がオンからオフになると同時にトランジ
スタQ2がオフからオンとなり、図示しないスイッチン
グ回路に差動機能による火災検出信号を出力して発報す
る。
For this reason, when the base voltage V b3 rises to the constant temperature alert temperature Tc at which the base voltage V b4 reaches the constant base voltage V b4 , the transistor 3 is turned off from on and at the same time the transistor Q is turned off.
4 turns on from off, and outputs a fire detection signal by a constant temperature function to a switching circuit (not shown) to issue an alarm. FIG. 5 (c) shows the differential characteristic, the base voltage of the transistor Q1~Q4 at constant temperature, has a V b4> V b2 (= V b3)> V b1, the transistors Q1, Q3 is Turned on. When the temperature of the alert area rises sharply due to a fire, the resistance value of the external thermosensitive element 1 rapidly decreases according to the temperature rise, but the temperature of the internal thermosensitive element 2 does not change much, and the base voltage Vb1 rises in temperature. , But the rise of the base voltage V b2 is small. Therefore, when the base voltage V b1 reaches the differential alarm temperature Td exceeding the base voltage V b2 , the transistor Q1 is turned on from off, and at the same time the transistor Q2 is turned on from off. Outputs a detection signal and issues an alarm.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の補償式熱感知器にあっては、図5(a)に示
したように定温機能を実現する比較回路と差動機能を実
現する比較回路とを別々に設けていたため、定常監視状
態で各比較回路のトランジスタQ1,Q3の2つが常に
オン状態となっており、感知器1台当りの消費電流が多
く、受信機から引き出された感知器回線の1回線の電流
容量は決まっていることから、1回線当りの接続台数が
制限され、火災報知設備の全体的なコストを高くする要
因となってている。
However, in such a conventional compensation type heat sensor, a comparison circuit for realizing a constant temperature function and a differential function are realized as shown in FIG. 5 (a). Since the comparison circuit and the comparison circuit were separately provided, two transistors Q1 and Q3 of each comparison circuit were always in the ON state in the steady monitoring state, the current consumption per sensor was large, and the comparison circuit was drawn from the receiver. Since the current capacity of one sensor line is determined, the number of connected lines per line is limited, which is a factor that increases the overall cost of the fire alarm system.

【0009】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたもので、消費電流の低減と回路構成の簡略化
により設備コストの低減を図るようにした補償式熱感知
器を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such conventional problems, and provides a compensation type heat sensor capable of reducing equipment cost by reducing current consumption and simplifying a circuit configuration. The purpose is to:

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明は次のように構成する。尚、実施例図面中の符号
を併せて示す。まず本発明は、感知器外部に警戒区域の
温度変化に対し熱時定数の小さい外部感熱素子1を設け
ると共に感知器内部に警戒区域の温度変化に対し熱時定
数の大きい内部感熱素子2を設け、各感熱素子1,2の
検出信号に基づいて警戒区域の温度が予め設定した規定
温度に達したことを検出して発報する定温機能と、予め
決められた温度上昇率を越えて警戒区域の温度が急上昇
したことを検出して発報する差動機能とを備えた補償式
熱感知器を対象とする。
In order to achieve this object, the present invention is configured as follows. The reference numerals in the drawings of the embodiments are also shown. First, according to the present invention, an external thermosensitive element 1 having a small thermal time constant with respect to a temperature change in a caution area is provided outside the sensor, and an internal thermosensitive element 2 having a large thermal time constant with respect to a temperature change in a caution area is provided inside the sensor. A constant-temperature function for detecting that the temperature of the guard zone has reached a predetermined temperature based on the detection signals of the thermosensitive elements 1 and 2 and issuing an alarm, and a warning zone exceeding a predetermined temperature rise rate. And a differential function for detecting and notifying that the temperature of the sensor has risen sharply.

【0011】このような補償式熱感知器につき本発明に
あっては、外部感熱素子1をベースバイアス回路に備え
温度上昇に伴う抵抗値の変化(減少)でベース電圧Vb6
の上昇を受ける第1トランジスタQ6と、第1トランジ
スタQ6と並列接続されると共にベースバイアス回路に
内部感熱素子2を備え、温度上昇に伴う抵抗値の変化
(減少)でベース電圧Vb7の上昇を受ける第2トランジ
スタQ7と、第1および第2トランジスタQ6,Q7の
各々に対し差動接続され、一定の基準ベース電圧Vb3
ベースバイアス回路で設定した第3トランジスタQ3と
を設ける。
According to the present invention, such a compensation type heat sensor is provided with an external thermosensitive element 1 in a base bias circuit and a base voltage V b6 based on a change (decrease) in a resistance value with a rise in temperature.
And a first transistor Q6 that is connected in parallel with the first transistor Q6 and has an internal thermosensitive element 2 in the base bias circuit. The base voltage V b7 rises due to a change (decrease) in the resistance value caused by the temperature rise. And a third transistor Q3 differentially connected to each of the first and second transistors Q6 and Q7 and having a fixed reference base voltage V b3 set by a base bias circuit.

【0012】第1〜第3トランジスタQ6,Q7,Q3
の各々プルアップ抵抗R4を介して共通に電源ラインに
接続される。また第2トランジスタQ2のオンで定温機
能による火災検出信号を取り出すと共に、第3トランジ
スタQ3のオンで差動機能による火災検出信号を取り出
す出力回路を備える。ここで第1〜第3トランジスタQ
6,Q7,Q3としては、PNPトランジスタを使用
し、各PNPトランジスタのエミッタを共通接続してプ
ルアップ抵抗R4を介して電源ラインに接続する。
First to third transistors Q6, Q7, Q3
Are commonly connected to a power supply line via a pull-up resistor R4. An output circuit is provided for extracting a fire detection signal by the constant temperature function when the second transistor Q2 is turned on and extracting a fire detection signal by the differential function when the third transistor Q3 is turned on. Here, the first to third transistors Q
6, Q7 and Q3 use PNP transistors, and the emitters of the PNP transistors are commonly connected and connected to a power supply line via a pull-up resistor R4.

【0013】また外部感熱素子1と内部感熱素子2に直
列接続している抵抗R9,R10の値をことならせ、定
常監視状態で各感熱素子1,2の温度が同一で抵抗値が
同じときの第1および第2のトランジスタQ6,Q7の
ベース電圧Vb6,Vb7を異ならせて、第1トランジスタ
Q6をオン、第2トランジスタQ7をオフとしている。
Further, the values of the resistors R9 and R10 connected in series to the external thermosensitive element 1 and the internal thermosensitive element 2 are changed so that the temperature of each thermosensitive element 1 and 2 is the same and the resistance value is the same in the steady monitoring state. by varying the first and base voltage V b6, V b7 of the second transistor Q6, Q7 of the first transistor Q6 on, and the second transistor Q7 is turned off.

【0014】[0014]

【作用】このような構成を備えた本発明の補償式熱感知
器によれば、定温機能による火災検出を実現する比較回
路と差動機能による火災検出を実現する比較回路が共通
化され、従来は4つのトランジスタを使用していたもの
が、3つのトランジスタで済み、そのバイアス回路を含
めて回路構成を簡略化できる。
According to the compensation type heat sensor of the present invention having such a configuration, a comparison circuit for realizing fire detection by the constant temperature function and a comparison circuit for realizing fire detection by the differential function are shared. Although four transistors are used, only three transistors are required, and the circuit configuration including the bias circuit can be simplified.

【0015】また比較回路を構成する全てのトランジス
タを共通接続し、1つのプルアップ抵抗を介して電源ラ
インに接続しているため、トランジスタに流れる電流は
単一の抵抗により制約された値となり、また定常監視状
態では1つのトランジスタしかオン状態になく、検出回
路の消費電流が従来の半分程度に低減することができ
る。このため1回線当りの接続台数を増加するか、接続
台数が同じであれば受信機の電源容量を小さくでき、全
体的な設備コストの低減に大きく寄与できる。
Further, since all the transistors constituting the comparison circuit are commonly connected and connected to the power supply line via one pull-up resistor, the current flowing through the transistor has a value restricted by a single resistor, Further, in the steady monitoring state, only one transistor is in the ON state, and the current consumption of the detection circuit can be reduced to about half of the conventional circuit. For this reason, if the number of connections per line is increased, or if the number of connections is the same, the power supply capacity of the receiver can be reduced, which can greatly contribute to a reduction in overall equipment costs.

【0016】[0016]

【実施例】図1は本発明の補償式熱感知器の主要回路部
を示した実施例構成図である。図1において、外部感熱
素子1および内部感熱素子2が設けられ、例えば温度上
昇に対し抵抗値が減少する特性をもった同じ特性の半導
体サーミスタ素子を使用する。外部感熱素子1は抵抗R
9と直列接続され、分圧電圧をベースVb6としてトラン
ジスタQ6(第1トランジスタ)のベースに印加してい
る。内部感熱素子2は抵抗R10との直列接続により発
生した分圧電圧をベース電圧Vb7としてトランジスタQ
7(第2トランジスタ)のベースに印加している。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment showing a main circuit portion of a compensation type heat sensor according to the present invention. In FIG. 1, an external thermosensitive element 1 and an internal thermosensitive element 2 are provided. For example, a semiconductor thermistor element having the same characteristic that the resistance value decreases with increasing temperature is used. The external thermal element 1 has a resistance R
9, and the divided voltage is applied to the base of the transistor Q6 (first transistor) as the base Vb6. The internal thermosensitive element 2 uses the divided voltage generated by the series connection with the resistor R10 as the base voltage Vb7 to set the transistor Q
7 (second transistor).

【0017】トランジスタQ6,Q7のエミッタは共通
接続され、トランジスタQ6のコレクタはマイナス電源
ラインに接続されている。また、トランジスタQ7のコ
レクタは抵抗R18を介して図示しないスイッチング回
路への出力ラインに接続される。ここで内部感熱素子2
は外部感熱素子1と同じ抵抗値をもっているが、ベース
バイアス回路における抵抗R9,R10の値を R10<R9 としている。このため、外部感熱素子1と内部感熱素子
2の温度が同一で抵抗値が同じ定常監視状態において、
トランジスタQ6,Q7のベース電圧Vb6,Vb7の間に Vb7>Vb6 となる相違を作り出し、低い方のベース電圧Vb6を設定
したトランジスタQ6を常時オンするようにしている。
The emitters of the transistors Q6 and Q7 are commonly connected, and the collector of the transistor Q6 is connected to a negative power supply line. The collector of the transistor Q7 is connected via a resistor R18 to an output line to a switching circuit (not shown). Here the internal thermal element 2
Has the same resistance value as the external thermosensitive element 1, but the values of the resistors R9 and R10 in the base bias circuit satisfy R10 <R9. For this reason, in the steady monitoring state in which the temperature of the external thermosensitive element 1 and the internal thermosensitive element 2 are the same and the resistance value is the same,
Creating a difference as a V b7> V b6 between the transistors Q6, Q7 base voltage V b6 of, V b7, and the transistor Q6 is set to base voltage V b6 of lower to be always on.

【0018】一方、抵抗R5,R6,R7の直列回路で
発生する分圧電圧をベース電圧Vb3として設定したトラ
ンジスタQ3が設けられ、トランジスタQ3はトランジ
スタQ6及びQ7のそれぞれに対し差動接続されてい
る。即ち、トランジスタQ3のエミッタをトランジスタ
Q6,Q7のエミッタに共通接続しており、トランジス
タQ6,Q7のいずれか一方がオンのとき必ずトランジ
スタQ3はオフとなり、トランジスタQ6,Q7の両方
がオフのときトランジスタQ3がオンとなるようにして
いる。
On the other hand, a transistor Q3 is provided in which a divided voltage generated in a series circuit of the resistors R5, R6 and R7 is set as a base voltage Vb3 , and the transistor Q3 is differentially connected to each of the transistors Q6 and Q7. I have. That is, the emitter of the transistor Q3 is commonly connected to the emitters of the transistors Q6 and Q7. When one of the transistors Q6 and Q7 is turned on, the transistor Q3 is always turned off. When both the transistors Q6 and Q7 are turned off, the transistor Q3 is turned off. Q3 is turned on.

【0019】トランジスタQ3のエミッタはトランジス
タQ6,Q7のエミッタと共通接続された後、単一のプ
ルアップ抵抗R4を介してプラス電源ラインに共通に接
続される。このため、トランジスタQ3,Q6またはQ
7に流れる電流は単一のプルアップ抵抗R4により制限
された値となる。トランジスタQ3のコレクタは抵抗R
17を介して図示しないスイッチング回路に対する出力
ラインに接続される。
After the emitter of the transistor Q3 is commonly connected to the emitters of the transistors Q6 and Q7, it is commonly connected to a positive power supply line via a single pull-up resistor R4. Therefore, the transistor Q3, Q6 or Q
The current flowing through 7 has a value limited by a single pull-up resistor R4. The collector of the transistor Q3 is a resistor R
17 is connected to an output line for a switching circuit (not shown).

【0020】ここで、抵抗R5,R6,R7の直列回路
で設定するトランジスタQ3のベース電圧Vb3は、定常
監視状態におけるトランジスタQ6,Q7のベース電圧
b6,Vb7より高い規定の電圧となるように設定されて
いる。従って、トランジスタQ3,Q6,Q7のベース
電圧Vb3,Vb6,Vb7の間には、定常監視状態で Vb3>Vb7>Vb6 となる関係に設定されている。
Here, the base voltage V b3 of the transistor Q3 set in the series circuit of the resistors R5, R6 and R7 is a specified voltage higher than the base voltages V b6 and V b7 of the transistors Q6 and Q7 in the steady monitoring state. It is set as follows. Therefore, during the transistors Q3, Q6, the base voltage V b3 of Q7, V b6, V b7 is set to relation of V b3> V b7> V b6 at steady monitoring state.

【0021】図2は図1の実施例における定温特性を示
した説明図である。まず常温範囲にある定常監視状態に
あっては、トランジスタQ3,Q6,Q7のベース電圧
はVb6,Vb7およびVb3の順に高くなっており、このた
めトランジスタQ6がオン状態にあり、トランジスタQ
7およびQ3はオフとなっている。この状態で火災によ
り警戒区域の温度がゆっくり上昇したとすると、外部感
熱素子1の熱時定数が小さく内部感熱素子2の熱時定数
が大きくとも両者の温度上昇はほぼ同じとなり、抵抗値
が温度上昇に伴って同じように変化する。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing constant temperature characteristics in the embodiment of FIG. First In the steady monitoring state in the normal temperature range, the base voltage of the transistor Q3, Q6, Q7 are increased in the order of V b6, V b7 and V b3, there Therefore the transistor Q6 is turned on, the transistor Q
7 and Q3 are off. In this state, if the temperature of the alert area slowly rises due to the fire, even if the thermal time constant of the external thermosensitive element 1 is small and the thermal time constant of the internal thermosensitive element 2 is large, the temperature rises of both are almost the same, and the resistance value becomes the temperature. It changes in the same way as it rises.

【0022】このため、図2の特性に示すように、トラ
ンジスタQ6,Q7におけるベース電圧Vb6,Vb7の大
小関係は維持されたまま各ベース電圧が同じように上昇
する。温度上昇に伴うトランジスタQ6のベース電圧V
b6がトランジスタQ3に設定している一定のベース電圧
b3に定温発報温度Tcで達すると、トランジスタQ6
はオフになると同時にトランジスタQ3がオンし、トラ
ンジスタQ3のオンにより抵抗R17を介して定温機能
による火災検出信号がスイッチング回路に対し出力さ
れ、感知器から受信機に対し発報信号が送出される。
[0022] Therefore, as shown in the characteristic of FIG. 2, the transistors Q6, each base voltage remains magnitude of the base voltage V b6, V b7 was maintained at Q7 rises as well. Base voltage V of transistor Q6 due to temperature rise
When b6 reaches a constant base voltage Vb3 set at the transistor Q3 at the constant temperature alert temperature Tc, the transistor Q6
When the transistor is turned off, the transistor Q3 is turned on. When the transistor Q3 is turned on, a fire detection signal by the constant temperature function is output to the switching circuit via the resistor R17, and an alarm signal is sent from the sensor to the receiver.

【0023】図3は図1の差動特性を示した説明図であ
る。まず定常監視状態にあっては、図2の定温特性の場
合と同様、トランジスタQ3,Q6,Q7のベース電圧
はVb6,Vb7およびVb3の順に高い関係となっている。
このため、トランジスタQ6のみがオンし、トランジス
タQ3,Q7はオフしている。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing the differential characteristics of FIG. In the steady monitoring state First, as in the constant temperature characteristics of FIG. 2, the base voltage of the transistor Q3, Q6, Q7 has a high relationship in the order of V b6, V b7 and V b3.
Therefore, only the transistor Q6 is turned on, and the transistors Q3 and Q7 are turned off.

【0024】この状態で警戒区域の温度が火災により急
上昇したとすると、熱時定数の小さな外部感熱素子1の
抵抗値は急激に減少するが、熱時定数の大きな内部感熱
素子2の抵抗値は時間遅れをもって緩やかに減少し、図
3に示すようなベース電圧V b6,Vb7の変化となる。即
ち、内部感熱素子2によるベース電圧Vb7は緩やかな上
昇であるが、外部感熱素子1によるベース電圧Vb6は急
激に増加し、ベース電圧Vb6がベース電圧V b7に達する
差動発報温度TdでトランジスタQ6がオンからオフに
切り替わると同時にトランジスタQ7がオフからオンに
切り替わり、抵抗R18を介して、スイッチング回路に
対し差動機能による火災検出信号を出力し、受信機に対
し発報信号を送出するようになる。
In this state, the temperature of the guard area is suddenly increased due to the fire.
If it rises, the external thermal element 1 having a small thermal time constant
Although the resistance value decreases sharply, the internal thermal sensitivity with a large thermal time constant
The resistance value of element 2 decreases slowly with a time lag.
Base voltage V as shown in FIG. b6, Vb7Changes. Immediately
In addition, the base voltage V by the internal thermal element 2b7Is a gentle top
The base voltage V due to the external thermal element 1b6Is steep
Drastically increases, the base voltage Vb6Is the base voltage V b7Reach
Transistor Q6 is turned off from on at differential alarm temperature Td
Transistor Q7 switches from off to on at the same time
Switches to the switching circuit via resistor R18
It outputs a fire detection signal by the differential function and
Then, an alarm signal is transmitted.

【0025】図4は図1の具体的な実施例を全体的な感
知器回路と共に示した実施例構成図である。図4におい
て、端子L,Cは受信機から引き出された電源兼用信号
線に接続される。端子L,Cに続いては電源兼用信号線
に対する接続極性を無極性化ダイオードブリッジ3、S
CR回路7、定電圧回路4、図1の基本個構成をもつ比
較回路部5が設けられる。比較回路部5は基本的には図
1と同じであるが、トランジスタQ3のベース,エミッ
タ間にノイズ吸収用のコンデンサC8を接続し、また外
部感熱素子1と並列にノイズ吸収用のコンデンサC11
を接続し、またトランジスタQ6のベース,コレクタ間
にノイズ吸収用のコンデンサC12を接続し、更にトラ
ンジスタQ7のエミッタ,ベース間にノイズ吸収用のコ
ンデンサC13を接続している点が相違する。
FIG. 4 is a block diagram showing the specific embodiment of FIG. 1 together with the entire sensor circuit. In FIG. 4, terminals L and C are connected to a power / signal line drawn from a receiver. Following the terminals L and C, the connection polarity to the power / signal line is made non-polarized by the diode bridges 3 and S.
A CR circuit 7, a constant voltage circuit 4, and a comparison circuit unit 5 having the basic configuration shown in FIG. 1 are provided. The comparison circuit section 5 is basically the same as that of FIG. 1 except that a noise absorbing capacitor C8 is connected between the base and the emitter of the transistor Q3, and a noise absorbing capacitor C11 is connected in parallel with the external thermal element 1.
, A capacitor C12 for absorbing noise is connected between the base and collector of the transistor Q6, and a capacitor C13 for absorbing noise is connected between the emitter and base of the transistor Q7.

【0026】比較回路部5に続いてはSCR回路7をト
リガするスイッチング回路6が設けられる。
Subsequent to the comparison circuit section 5, a switching circuit 6 for triggering the SCR circuit 7 is provided.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、定温機能を実現する比較回路と差動機能を実現する
比較回路を共通化して、従来、4つのトランジスタで構
成したものを3つのトランジスタで構成することがで
き、回路構成を大幅に低減できる。また、定温機能と差
動機能を実現する比較回路部に設けた3つのトランジス
タを単一の抵抗を介して電源ラインに接続して電流を制
限するようにしたため、従来に比べ、定常監視状態では
1つのトランジスタしかオン状態にないため、消費電流
を大幅に低減することができる。
As described above, according to the present invention, the comparison circuit for realizing the constant temperature function and the comparison circuit for realizing the differential function are made common, and the conventional configuration composed of four transistors is reduced to three. It can be composed of transistors, and the circuit configuration can be significantly reduced. In addition, the three transistors provided in the comparison circuit for realizing the constant temperature function and the differential function are connected to the power supply line via a single resistor to limit the current. Since only one transistor is on, current consumption can be significantly reduced.

【0028】更に回路構成の簡略化および消費電流の低
減により、感知器自体のコストの低減は勿論のこと、消
費電流の低減に伴う受信機電源容量の低減および感知器
回線に対する接続数の増加等により火災放置設備の全体
的なコストの低減に大きく寄与することができる。
Further, the simplification of the circuit configuration and the reduction in current consumption not only reduce the cost of the sensor itself, but also reduce the power supply capacity of the receiver accompanying the reduction in current consumption and increase the number of connections to the sensor line. This can greatly contribute to a reduction in the overall cost of the fire abandonment facility.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の主要回路部の実施例構成図FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of a main circuit unit of the present invention.

【図2】本発明の定温特性を示した説明図FIG. 2 is an explanatory diagram showing a constant temperature characteristic of the present invention.

【図3】本発明の差動特性を示した説明図FIG. 3 is an explanatory diagram showing a differential characteristic of the present invention.

【図4】本発明の具体的な感知器回路の実施例構成図FIG. 4 is a configuration diagram of an embodiment of a specific detector circuit of the present invention.

【図5】従来技術の説明図FIG. 5 is an explanatory view of a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:外部感熱素子 2:内部感熱素子 3:ダイオードブリッジ 4:定電圧回路 5:比較回路部 6:スイッチング回路 7:SCR回路 Q6:第1トランジスタ Q7:第2トランジスタ Q3:第3トランジスタ R4:プルアップ抵抗 1: External thermal element 2: Internal thermal element 3: Diode bridge 4: Constant voltage circuit 5: Comparison circuit section 6: Switching circuit 7: SCR circuit Q6: First transistor Q7: Second transistor Q3: Third transistor R4: Pull Up resistance

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】感知器外部に警戒区域の温度変化に対し熱
時定数の小さい外部感熱素子(1)を設けると共に感知
器内部に警戒区域の温度変化に対し熱時定数の大きい内
部感熱素子(2)を設け、前記各感熱素子(1,2)の
検出信号に基づいて警戒区域の温度が予め設定した規定
温度に達したことを検出して発報する定温機能と、予め
決められた温度上昇率を越えて警戒区域の温度が急上昇
したことを検出して発報する差動機能とを備えた補償式
熱感知器に於いて、 前記外部用感熱素子(1)をベースバイアス回路に備え
温度上昇に伴う抵抗値の変化でベース電圧(Vb6)の上
昇を受ける第1トランジスタ(Q6)と、 該第1トランジスタ(Q6)と並列接続されると共にベ
ースバイアス回路に前記内部用感熱素子(2)を備え、
温度上昇に伴う抵抗値の変化でベース電圧(V b7)の上
昇を受ける第2トランジスタ(Q7)と、 前記第1および第2トランジスタ(Q6,Q7)の各々
に対し差動接続され、一定の基準ベース電圧(Vb3)を
ベースバイアス回路で設定した第3トランジスタ(Q
3)と、 前記第1乃至第3トランジスタ(Q6,Q7,Q3)の
各々を共通に電源ラインに接続するプルアップ抵抗(R
4)と、 前記第2トランジスタ(Q2)のオンで定温機能による
火災検出信号を取り出すと共に、前記第3トランジスタ
(Q3)のオンで差動機能による火災検出信号を取り出
す出力回路とを備えたことを特徴とする補償式熱感知
器。
(1) Heat is supplied to the outside of the sensor in response to a temperature change in a warning area.
Provide an external thermal element (1) with a small time constant and sense
The inside of the vessel has a large thermal time constant for the temperature change in the alert area.
A thermosensitive element (2) is provided, and each thermosensitive element (1, 2) is
A regulation that sets the temperature of the alert area based on the detection signal in advance
A constant temperature function that detects when the temperature has reached and issues an alert
The temperature in the alert area rises sharply beyond the predetermined temperature rise rate
Compensation formula with differential function that detects and alerts
In the heat detector, the external heat sensitive element (1) is provided in a base bias circuit.
Base voltage (Vb6)upon
A first transistor (Q6) that receives the rise, and a transistor connected in parallel with the first transistor (Q6).
A source bias circuit including the internal thermosensitive element (2);
Base voltage (V b7)upon
A second transistor (Q7) that receives the rise, and each of the first and second transistors (Q6, Q7)
And a constant reference base voltage (Vb3)
The third transistor (Q
3) and the first to third transistors (Q6, Q7, Q3)
Pull-up resistors (R
4) and a constant temperature function by turning on the second transistor (Q2).
A fire detection signal is taken out and the third transistor
Turn on (Q3) to extract fire detection signal by differential function
Compensated heat sensing characterized by having an output circuit
vessel.
【請求項2】請求項1記載の補償式熱感知器に於いて、
前記第1乃至第3トランジスタ(Q6,Q7,Q3)と
してPNPトランジスタを使用し、各PNPトランジス
タのエミッタを共通接続して前記プルアップ抵抗(R
4)を介して電源ラインに接続したことを特徴とする補
償式熱感知器。
2. The compensation type heat sensor according to claim 1, wherein
PNP transistors are used as the first to third transistors (Q6, Q7, Q3), and the emitters of the PNP transistors are connected in common to connect the pull-up resistor (R
4) A compensation type heat sensor connected to a power supply line via 4).
【請求項3】請求項1記載の補償式熱感知器に於いて、
前記外部感熱素子(1)と内部感熱素子(2)に直列接
続した抵抗(R9,R10)の抵抗値を異ならせ、定常
監視状態で前記各感熱素子(1,2)の温度が同一で抵
抗値が同じとき前記第1および第2のトランジスタ(Q
6,Q7)のベース電圧(Vb6,Vb7)を異ならせて第
1トランジスタ(Q6)をオン、第2トランジスタ(Q
7)をオフとすることを特徴とする補償式熱感知器。
3. The compensation type heat sensor according to claim 1, wherein
The resistances of the resistors (R9, R10) connected in series to the external thermosensitive element (1) and the internal thermosensitive element (2) are made different from each other. When the values are the same, the first and second transistors (Q
6, Q7), the first transistor (Q6) is turned on by changing the base voltages ( Vb6 , Vb7 ), and the second transistor (Q6) is turned on.
7) A compensation type heat sensor characterized by turning off.
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