JP2772759B2 - Polarization plane switch and optical switch using the same - Google Patents

Polarization plane switch and optical switch using the same

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JP2772759B2
JP2772759B2 JP6123143A JP12314394A JP2772759B2 JP 2772759 B2 JP2772759 B2 JP 2772759B2 JP 6123143 A JP6123143 A JP 6123143A JP 12314394 A JP12314394 A JP 12314394A JP 2772759 B2 JP2772759 B2 JP 2772759B2
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弘 陸川
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ファラデー回転子に印
加する磁界の方向を反転させることにより、光の偏光方
向を切り換える磁気光学式の偏光面切換器、及びそれを
用いた光スイッチに関するものである。更に詳しく述べ
ると本発明は、磁界印加時に、ファラデー回転子の一部
分は磁化が未飽和状態であり、残りの部分は磁化が飽和
状態にとなって、その磁化が飽和している部分を膜面に
対してほぼ垂直方向に光ビームが通過するようにした偏
光面切換器に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical polarization plane switch which switches the polarization direction of light by reversing the direction of a magnetic field applied to a Faraday rotator, and an optical switch using the same. It is. More specifically, according to the present invention, when a magnetic field is applied, a part of the Faraday rotator is in a state of non-saturation, and the remaining part is in a state of magnetization saturation. The present invention relates to a polarization plane switch in which a light beam passes in a direction substantially perpendicular to the polarization plane.

【0002】[0002]

【従来の技術】光通信システムや光学測定装置などにお
いては、光の進行方向を空間的に切り換えるための光ス
イッチが必要である。これには1×1型光スイッチ(光
シャッタ)や2×2型光スイッチ、あるいはこれらを組
み合わせたものが用いられる。光スイッチの構造は、機
械式、電気光学効果や音響光学効果を利用した方式、あ
るいは磁気光学式など、種々提案されている。そのなか
でも磁気光学式は、内部に設置した磁気光学式の偏光面
切換器によって、光ビームの偏光面を磁気的に切り換え
るものであり、機械式に比べて高速で動作し且つ小形化
でき、優れた長期信頼性をもつ利点がある。
2. Description of the Related Art In an optical communication system or an optical measuring device, an optical switch for spatially switching the traveling direction of light is required. For this, a 1 × 1 type optical switch (optical shutter), a 2 × 2 type optical switch, or a combination thereof is used. Various optical switch structures have been proposed, such as a mechanical type, a type using an electro-optical effect or an acousto-optical effect, or a magneto-optical type. Among them, the magneto-optical type is a type in which the polarization plane of the light beam is magnetically switched by a magneto-optical type polarization plane switch installed inside, and can be operated at a higher speed and smaller than a mechanical type. It has the advantage of having excellent long-term reliability.

【0003】代表的な磁気光学式の偏光面切換器は、磁
性材料からなるヨークと、該ヨークに施した巻線と、ヨ
ークのギャップ部に挿入した薄板状のファラデー回転子
とからなる。ファラデー回転子としては、LPE法によ
るビスマス置換鉄ガーネット単結晶膜が多用されつつあ
る。その理由は、ビスマス置換鉄ガーネットはファラデ
ー回転係数が大きく、そのため比較的薄い膜構造にでき
るし、またLPE法は生産性が高い利点を有するからで
ある。
A typical magneto-optical polarization plane switch includes a yoke made of a magnetic material, a winding provided on the yoke, and a thin Faraday rotator inserted into a gap of the yoke. As the Faraday rotator, a bismuth-substituted iron garnet single crystal film by the LPE method is being used frequently. The reason is that bismuth-substituted iron garnet has a large Faraday rotation coefficient, so that a relatively thin film structure can be obtained, and the LPE method has an advantage of high productivity.

【0004】このファラデー回転子は、ヨークに設けら
れているギャップ部に、ギャップ長の方向に対して垂直
に挿入される。その場合、ファラデー回転子は、その一
部がギャップ部から外側へはみ出す大きさとなってお
り、そのはみ出し部分を光ビームが通過するようになっ
ている。ここで従来技術では、ファラデー回転子の上記
はみ出し部分を極力小さくし、ヨークによる磁界によっ
てガーネット単結晶膜の磁化が全面にわたって飽和する
ような磁界を印加して使用してる。
[0004] The Faraday rotator is inserted into a gap portion provided in the yoke perpendicularly to the direction of the gap length. In that case, the Faraday rotator has such a size that a part thereof protrudes outward from the gap part, and the light beam passes through the protruding part. Here, in the prior art, the above-mentioned protruding portion of the Faraday rotator is made as small as possible, and a magnetic field is applied so that the magnetization of the garnet single crystal film is saturated over the entire surface by the magnetic field of the yoke.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来の磁気光学式光ス
イッチにおけるスイッチング時間は、数十〜250μ秒
(本発明者等による従来比較では、通常80μ秒程度)
である。ところで、1×1型光スイッチ(光シャッタ)
の用途の一つとして、本発明者等が提案した過大光遮断
装置がある。これは、光増幅器が異常発振を起こすと、
規定レベルを超える過大な強度の光が伝播してしまい、
受光素子などの光部品や受光素子後段の電子部品を破壊
することがあるので、光の経路に光パワー検出器と遅延
ファイバと光スイッチを直列に配置し、過大光を検出し
た時に、素早く光スイッチをオフにして、遅延ファイバ
を通過してくる過大光を遮断して、光部品や電子部品を
保護する装置である。
The switching time in the conventional magneto-optical switch is several tens to 250 .mu.sec (typically about 80 .mu.sec in comparison with the prior art by the present inventors).
It is. By the way, 1 × 1 type optical switch (optical shutter)
One of the uses is an excessive light blocking device proposed by the present inventors. This is because when the optical amplifier causes abnormal oscillation,
Light of excessive intensity exceeding the specified level propagates,
Optical components such as the light-receiving element and electronic components downstream of the light-receiving element may be destroyed.Therefore, an optical power detector, a delay fiber, and an optical switch are arranged in series in the optical path. This device protects optical components and electronic components by turning off the switch and blocking excessive light passing through the delay fiber.

【0006】上記のような光スイッチで要求される遮断
時間は、ファイバの遅延時間で決まるが、例えばファイ
バ長が200mの場合は約1μ秒、2000mの場合は
10μ秒程度である。ファイバ長は過大光遮断装置の大
きさに直接影響を及ぼし、できるだけ短い方が好ましい
ことは言うまでもない。現実的には、遮断時間が遮断時
間が10μ秒以下の高速で光を遮断でき、且つ信頼性の
高い光スイッチが必要となる。
The cutoff time required in the above optical switch is determined by the delay time of the fiber. For example, when the fiber length is 200 m, it is about 1 μs, and when the fiber length is 2000 m, it is about 10 μs. The fiber length directly affects the size of the excessive light blocking device, and it is needless to say that the shorter the fiber length, the better. Practically, an optical switch that can shut off light at a high speed of 10 μsec or less and has high reliability is required.

【0007】本発明の目的は、高速でスイッチングする
磁気光学式の偏光面切換器及び光スイッチを提供するこ
とである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a magneto-optical polarization plane switch and an optical switch that switch at high speed.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鉄含有ガ
ーネット単結晶膜からなるファラデー回転子についてス
イッチング速度と印加する磁界分布の関係について検討
した。その結果、鉄含有ガーネット単結晶膜の磁化が全
面にわたって飽和する磁界をかけた時よりも、空間的に
磁化の分布があり、鉄含有ガーネット単結晶膜の一部の
磁化が未飽和となる磁界をかけた時の方が、スイッチン
グ速度が向上することを見出した。本発明は、かかる知
得に基づきなされたものである。
Means for Solving the Problems The present inventors have studied the relationship between the switching speed and the applied magnetic field distribution for a Faraday rotator made of an iron-containing garnet single crystal film. As a result, the magnetic field in which the magnetization of the iron-containing garnet single crystal film is more spatially distributed than when a magnetic field that saturates the entire surface of the iron-containing garnet single crystal film is applied, and the magnetization of a part of the iron-containing garnet single crystal film becomes unsaturated It was found that the switching speed was improved when multiplied by. The present invention has been made based on such knowledge.

【0009】本発明は、鉄含有ガーネット単結晶膜から
なるファラデー回転子と、該ファラデー回転子に磁界を
印加する磁界反転可能な磁界印加手段とを具備する偏光
面切換器である。本発明では、磁界印加手段による磁界
印加時に該ファラデー回転子の一部分は磁化が未飽和状
態であり、残りの部分は磁化が飽和状態となって、その
磁化が飽和している部分を膜面に対してほぼ垂直方向に
光ビームが通過する構造になっており、その点に特徴が
ある。
The present invention is a polarization plane switch comprising a Faraday rotator made of an iron-containing garnet single crystal film, and magnetic field reversing magnetic field applying means for applying a magnetic field to the Faraday rotator. In the present invention, when the magnetic field is applied by the magnetic field applying means, the magnetization of one part of the Faraday rotator is in an unsaturated state, and the remaining part is in the state of saturation of magnetization, and the part where the magnetization is saturated is formed on the film surface. It has a structure in which a light beam passes in a direction substantially perpendicular to that, which is characteristic.

【0010】具体的には例えば、半硬質磁性材料からな
るほぼC型平板状のヨークと、該ヨークに施した巻線
と、前記ヨークに設けられているギャップ部に、ギャッ
プ長の方向に対して垂直に挿入した鉄含有ガーネット単
結晶膜からなるファラデー回転子とを具備し、該ファラ
デー回転子は、その大部分がギャップ部から外側へはみ
出す大きさであり、そのはみ出し部分の先端部は磁化の
未飽和領域であって、はみ出し部分のうちの磁化の飽和
領域を膜面に対してほぼ垂直方向に光ビームが通過する
ようにする。あるいはファラデー回転子のはみ出し部分
の先端部に磁気シールド材を取り付けて磁化の未飽和領
域を形成してもよい。また主ヨークと補助ヨークを用
い、それらによる磁界がファラデー回転子に対して逆方
向に印加されるような構成もある。更には、ヨークのギ
ャップ部を、ギャップ長の短い部分が複数箇所間隔をお
いて設けて、ギャップ長が長い部分が磁化の未飽和領域
となるような構成としてもよい。
Specifically, for example, a substantially C-shaped plate-like yoke made of a semi-hard magnetic material, a winding provided on the yoke, and a gap provided in the yoke are provided with respect to the direction of the gap length. A Faraday rotator made of an iron-containing garnet single crystal film inserted vertically, and the Faraday rotator has a size such that most of the Faraday rotator protrudes outward from the gap portion, and the tip of the protruding portion is magnetized. The light beam passes through the saturated region of magnetization in the protruding portion in a direction substantially perpendicular to the film surface. Alternatively, a magnetic shield material may be attached to the tip of the protruding portion of the Faraday rotator to form a magnetization unsaturated region. There is also a configuration in which a main yoke and an auxiliary yoke are used, and a magnetic field generated by the main yoke and the auxiliary yoke is applied to the Faraday rotator in opposite directions. Further, the gap portion of the yoke may be configured such that a portion having a short gap length is provided at a plurality of intervals, and a portion having a long gap length becomes an unsaturated region of magnetization.

【0011】前記のファラデー回転子としては、液相エ
ピタキシャル法により育成され、補償温度をもつビスマ
ス置換鉄ガーネット単結晶膜からなり、1120℃以
上、1180℃以下の温度で、且つ7時間以内のトップ
条件で熱処理されたものが最適である。
The Faraday rotator is made of a bismuth-substituted iron garnet single crystal film grown by a liquid phase epitaxy method and having a compensation temperature, at a temperature of 1120 ° C. or more and 1180 ° C. or less and within 7 hours. The one that has been heat-treated under the conditions is optimal.

【0012】本発明では、例えば対向配置した2個の楔
型複屈折単結晶と、それらの間にファラデー回転子を配
置した上記のような偏光面切換器と、入力用と出力用の
レンズ一体型光ファイバとによって光スイッチを構成す
る。あるいは、対向配置した2個の偏光ビームスプリッ
タと、それらの間にファラデー回転子を配置した上記の
ような偏光面切換器と、ファラデー回転子と一方の偏光
ビームスプリッタとの間に位置する1/2波長板とによ
って光スイッチを構成することもできる。
According to the present invention, for example, two wedge-shaped birefringent single crystals arranged to face each other, the above-described polarization plane switch having a Faraday rotator arranged between them, and an input and output lens An optical switch is constituted by the body optical fiber. Alternatively, two polarization beam splitters disposed opposite to each other, a polarization plane switch as described above in which a Faraday rotator is disposed therebetween, and 1/1 positioned between the Faraday rotator and one of the polarization beam splitters. An optical switch can also be configured with a two-wavelength plate.

【0013】[0013]

【作用】本発明では、鉄含有ガーネット単結晶膜からな
るファラデー回転子は、ヨークのギャップ部に挿入され
ており、該ギャップ部近傍は磁気飽和するが、離れた部
分は磁化の未飽和領域である。このような磁化状態であ
ると、スイッチング速度が向上する。その理由は、次の
ように考えられる。即ち、従来の全面が磁気飽和した場
合の鉄含有ガーネット単結晶膜の磁化反転プロセスは、
まず初めに磁気モーメントの一部が反対方向を向き、そ
こが核となって磁壁移動が起こり、やがて全ての磁化反
転に至るというものである。本発明では鉄含有ガーネッ
ト単結晶膜の一部分で磁化が未飽和状態であるため、ス
イッチング動作の最初の段階で、磁化反転のための核が
既に存在していることになる。従って、本発明では、核
生成段階を省けるので、その分、磁化反転が早く起こ
り、スイッチング時間が短縮されることになる。
According to the present invention, the Faraday rotator made of the iron-containing garnet single crystal film is inserted into the gap of the yoke, and the vicinity of the gap is magnetically saturated. is there. With such a magnetized state, the switching speed is improved. The reason is considered as follows. That is, the conventional magnetization reversal process of the iron-containing garnet single crystal film when the entire surface is magnetically saturated,
First, a part of the magnetic moment is directed in the opposite direction, and the nucleus serves as a nucleus to cause domain wall displacement, which eventually leads to all magnetization reversals. In the present invention, since the magnetization is in an unsaturated state in a part of the iron-containing garnet single crystal film, a nucleus for magnetization reversal already exists in the first stage of the switching operation. Therefore, in the present invention, since the nucleation step can be omitted, the magnetization reversal occurs earlier and the switching time is shortened.

【0014】本発明では、光ビームはギャップ部近傍の
磁気飽和した部分を通過するので、アイソレーションや
挿入損失は従来品と変わらない。
In the present invention, since the light beam passes through the magnetically saturated portion near the gap, the isolation and insertion loss are not different from those of the conventional product.

【0015】また、鉄含有ガーネット単結晶膜に適切な
熱処理を施すと、ファラデー回転角や飽和磁化、飽和に
要する磁界は変わらずに、ファラデー回転角の磁界依存
性に関するヒステリシスの囲む面積Sが大きく減少し、
更に最適条件では該面積Sがほぼ零になる。このヒステ
リシスの囲む面積はスイッチング時間と相関があり、こ
のファラデー回転子を用いると、光スイッチのスイッチ
ングが非常に高速化される。
Further, when an appropriate heat treatment is applied to the iron-containing garnet single crystal film, the area S surrounded by the hysteresis related to the magnetic field dependence of the Faraday rotation angle, the saturation magnetization, and the magnetic field required for saturation does not change. Decreased,
Further, under the optimum condition, the area S becomes substantially zero. The area surrounded by the hysteresis has a correlation with the switching time, and the use of the Faraday rotator greatly speeds up the switching of the optical switch.

【0016】[0016]

【実施例】本発明に係る光スイッチの一実施例を図1の
Aに示す。これは1×1型光スイッチ(光シャッタ)の
例である。偏光面切換器は、半硬質磁性材料からなるほ
ぼC型平板状のヨーク10と、それに施した巻線12
と、前記ヨーク10に設けられているギャップ部14
に、ギャップ長の方向に対して垂直に挿入した板状のフ
ァラデー回転子16とを具備する構成である。ここでフ
ァラデー回転子16は、LPE法(液相エピタキシャル
法)により育成され、補償温度をもつビスマス置換鉄ガ
ーネット単結晶膜からなる。そして、このファラデー回
転子16は、その大部分がギャップ部14から外側へは
み出す大きさであり、図1のBに示すように、そのはみ
出し部分の先端は磁化の未飽和領域16aであって、は
み出し部分のうちの磁化の飽和領域16bを、膜面に対
してほぼ垂直方向に光ビームが通過する。ファラデー回
転子16の両側には、それぞれ楔型複屈折単結晶18,
20を配置し、更に入力用のレンズ一体型光ファイバ2
2と出力用のレンズ一体型光ファイバ24とを設けてい
る。
FIG. 1A shows an embodiment of the optical switch according to the present invention. This is an example of a 1 × 1 type optical switch (optical shutter). The polarization plane switch includes a substantially C-shaped flat yoke 10 made of a semi-hard magnetic material, and a winding 12
And a gap portion 14 provided in the yoke 10
And a plate-like Faraday rotator 16 inserted perpendicular to the direction of the gap length. Here, the Faraday rotator 16 is made of a bismuth-substituted iron garnet single crystal film grown by an LPE method (liquid phase epitaxial method) and having a compensation temperature. The Faraday rotator 16 has a size such that most of the Faraday rotator protrudes outward from the gap portion 14, and as shown in FIG. 1B, the tip of the protruding portion is an unsaturated region 16a of magnetization. The light beam passes through the magnetization saturation region 16b of the protruding portion in a direction substantially perpendicular to the film surface. On both sides of the Faraday rotator 16, a wedge-shaped birefringent single crystal 18,
20 and a lens-integrated optical fiber 2 for input.
2 and an output lens-integrated optical fiber 24 are provided.

【0017】つまり、この実施例では、ファラデー回転
子16を、その大部分がギャップ部14からはみ出すよ
うに大きくして、ヨーク10と巻線12による磁界印加
手段によって、ファラデー回転子16の磁化が膜全体に
わたって飽和しないように設定されている。逆に言う
と、磁界印加手段による漏れ磁界は、ファラデー回転子
16の磁化を膜全体では飽和しないような大きさに設定
してある。
That is, in this embodiment, the Faraday rotator 16 is enlarged so that most of the Faraday rotator protrudes from the gap portion 14, and the magnetization of the Faraday rotator 16 is changed by the magnetic field applying means using the yoke 10 and the winding 12. It is set so as not to be saturated over the entire film. Conversely, the leakage magnetic field generated by the magnetic field applying means is set to a magnitude such that the magnetization of the Faraday rotator 16 is not saturated in the entire film.

【0018】ファラデー回転子16は、LPE法により
成膜した(GdBi)3 (FeAlGa)5 12の単結
晶膜を2×7×0.50mmに加工し、2×7mmの面を鏡
面に加工したものである。単結晶膜の組成はGd2.02
0.98Fe4.43Al0.44Ga0.1312であり、これは−
5℃に補償温度を有する。膜面に垂直に磁化させた場
合、室温での飽和磁化は80G、飽和に要する磁界Hs
は80Oeであり、波長1.55μmでのファラデー回
転角は45度である。偏光子及び検光子となる複屈折単
結晶18,20としては、楔型ルチル単結晶を使用し
た。レンズ一体型光ファイバ22,24にはシングルモ
ードファイバを使用した。
The Faraday rotator 16 is formed by processing a single crystal film of (GdBi) 3 (FeAlGa) 5 O 12 formed by the LPE method to 2 × 7 × 0.50 mm, and processing a 2 × 7 mm surface to a mirror surface. It was done. The composition of the single crystal film is Gd 2.02 B
i 0.98 Fe 4.43 Al 0.44 Ga 0.13 O 12 , which is −
It has a compensation temperature at 5 ° C. When magnetized perpendicular to the film surface, the saturation magnetization at room temperature is 80 G, and the magnetic field Hs required for saturation is
Is 80 Oe, and the Faraday rotation angle at a wavelength of 1.55 μm is 45 degrees. As the birefringent single crystals 18 and 20 serving as a polarizer and an analyzer, wedge-shaped rutile single crystals were used. Single mode fibers were used for the lens-integrated optical fibers 22 and 24.

【0019】図2はその動作説明図である。入力光の方
向に見たときに、偏光子となる楔型複屈折単結晶18と
検光子となる楔型複屈折単結晶20は、左右で厚みが異
なり且つ厚い部分と薄い部分が対向するように組み合わ
されている。そして偏光子となる楔型複屈折単結晶18
の光学軸は、鉛直方向に対して時計回りに角度α(=2
2.5度)傾いており、また検光子となる楔型複屈折単
結晶20の光学軸は、鉛直方向に対して反時計回りに角
度α(=22.5度)傾いている。矢印Hが順方向時に
ファラデー回転子16に印加する磁界の方向である。こ
の状態では、入力光は両方の楔型複屈折単結晶18,2
0を透過して出射する。巻線への駆動電圧を切り換え
て、逆向きの磁界を印加すると、ファラデー回転方向が
90度異なり、入力光ビームは検光子となる楔型複屈折
単結晶20を透過できず、遮断される。これらのスイッ
チング動作において、光ビームはファラデー回転子16
の磁化の飽和領域を通過し、ヨーク10のギャップ部1
4から遠ざかる先端部分は、常に未飽和の領域となって
いる。従って磁化反転の核が常に存在しているため、巻
線へのパルス電流の供給によって、入力光の透過・遮断
を高速で制御できる。試作結果によれば、上記構成の光
スイッチのスイッチング時間は25μ秒であった。また
挿入損失は0.5dB、アイソレーションは40dBで
あった。
FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation. When viewed in the direction of the input light, the wedge-shaped birefringent single crystal 18 serving as a polarizer and the wedge-shaped birefringent single crystal 20 serving as an analyzer have different thicknesses on the left and right, and a thick portion and a thin portion face each other. Are combined. And a wedge-shaped birefringent single crystal 18 serving as a polarizer
Has an angle α (= 2) clockwise with respect to the vertical direction.
The optical axis of the wedge-shaped birefringent single crystal 20 serving as an analyzer is inclined counterclockwise at an angle α (= 22.5 degrees) with respect to the vertical direction. The arrow H indicates the direction of the magnetic field applied to the Faraday rotator 16 in the forward direction. In this state, the input light is applied to both wedge-shaped birefringent single crystals 18, 2
0 is transmitted and emitted. When the drive voltage to the winding is switched and a magnetic field in the opposite direction is applied, the Faraday rotation direction differs by 90 degrees, and the input light beam cannot pass through the wedge-type birefringent single crystal 20 serving as an analyzer and is blocked. In these switching operations, the light beam is applied to the Faraday rotator 16.
The yoke 10 passes through the magnetization saturation region of
The tip portion moving away from 4 is always an unsaturated region. Therefore, since there is always a nucleus for magnetization reversal, transmission and cutoff of input light can be controlled at high speed by supplying a pulse current to the winding. According to the results of the trial production, the switching time of the optical switch having the above configuration was 25 μsec. The insertion loss was 0.5 dB and the isolation was 40 dB.

【0020】図3は本発明に係る光スイッチの他の実施
例を示している。基本的な構成は図1の例と同様であっ
てよいので、説明を簡略化するため、対応する部分には
同一符号を付す。この実施例でも、ファラデー回転子1
6は、その大部分がギャップ部14から外側へはみ出す
大きさであるが、そのはみ出し部分の先端部にコの字状
の磁気シールド材28を被せてある。ヨーク10と巻線
12とからなる磁界印加手段により、ファラデー回転子
16には磁界が印加される。これによって、磁気シール
ド材28で覆われていない部分は磁化の飽和領域となる
が、磁気シールド材28で覆われている部分は未飽和の
まま残る。この構成は、部品点数が増えるが、図1の構
成よりもファラデー回転子の寸法を小さくできる利点が
ある。
FIG. 3 shows another embodiment of the optical switch according to the present invention. Since the basic configuration may be the same as that of the example of FIG. 1, corresponding portions are denoted by the same reference numerals for simplification of description. Also in this embodiment, the Faraday rotator 1
6 has a size that most of the size protrudes outward from the gap portion 14, and the tip of the protruding portion is covered with a U-shaped magnetic shield material. A magnetic field is applied to the Faraday rotator 16 by a magnetic field applying means including the yoke 10 and the winding 12. As a result, the portion not covered with the magnetic shield material 28 becomes a saturation region of magnetization, but the portion covered with the magnetic shield material 28 remains unsaturated. Although this configuration increases the number of components, it has the advantage that the size of the Faraday rotator can be made smaller than in the configuration of FIG.

【0021】図4のAは本発明に係る光スイッチの更に
他の実施例を示している。半硬質磁性材料からなるほぼ
C型平板状の主ヨーク30と、主ヨーク30に施した巻
線32の他に、半硬質磁性材料からなるほぼC型平板状
の補助ヨーク31と、補助ヨーク31に施した巻線33
を有し、それらを主ヨーク30に設けられているギャッ
プ部34と補助ヨーク31に設けられているギャップ部
35とが同一平面となるように対向配置する。そして両
ギャップ部34,35に共通に、ギャップ長の方向に対
して垂直に鉄含有ガーネット単結晶膜からなるファラデ
ー回転子36を挿入した構成とする。直流パルス電流
は、主ヨーク30による磁界と補助ヨーク31による磁
界が、ファラデー回転子36に対して逆方向に印加され
るように供給し、且つ主ヨーク30により発生する磁界
の方が補助ヨーク31により発生する磁界よりも大きく
なるようにする。従って、例えば図4のBに示すよう
に、ファラデー回転子36は、その大部分36aが主ヨ
ーク30によって下向きに磁化されているときに、残り
の部分36bは補助ヨーク31によって上向きに磁化さ
れることになる。そしてファラデー回転子36の主ヨー
クによって磁化が飽和している部分36aを、膜面に対
してほぼ垂直方向に光ビームが通過するようになってい
る。ファラデー回転子36の両側に、それぞれ楔型複屈
折単結晶38,40を配置する。
FIG. 4A shows a further embodiment of the optical switch according to the present invention. In addition to a substantially C-shaped plate-shaped main yoke 30 made of a semi-hard magnetic material and a winding 32 provided on the main yoke 30, a substantially C-shaped plate-shaped auxiliary yoke 31 made of a semi-hard magnetic material, and an auxiliary yoke 31 Winding 33 applied to
These are arranged so that the gap portion 34 provided on the main yoke 30 and the gap portion 35 provided on the auxiliary yoke 31 are on the same plane. The Faraday rotator 36 made of an iron-containing garnet single crystal film is inserted in the gap portions 34 and 35 in a direction perpendicular to the direction of the gap length. The DC pulse current is supplied so that the magnetic field of the main yoke 30 and the magnetic field of the auxiliary yoke 31 are applied to the Faraday rotator 36 in opposite directions, and the magnetic field generated by the main yoke 30 is To be larger than the magnetic field generated by Accordingly, for example, as shown in FIG. 4B, the Faraday rotator 36 is magnetized downward by the auxiliary yoke 31 while the major portion 36 a is magnetized downward by the main yoke 30. Will be. The light beam passes through the portion 36a where the magnetization is saturated by the main yoke of the Faraday rotator 36 in a direction substantially perpendicular to the film surface. On both sides of the Faraday rotator 36, wedge-shaped birefringent single crystals 38 and 40 are arranged, respectively.

【0022】両方の磁界印加手段による磁界の切り換え
は、同じタイミングで行ってもよいが、この種の光スイ
ッチでは、通常、頻繁に切り換えることはなく、従っ
て、まず必要な時点で主ヨーク30の方にパルス電流を
供給して光スイッチのスイッチングを行い、その後適当
に遅らせたタイミングで補助ヨーク31にパルス電流を
供給して局部的に反対方向に磁化させて次のスイッチン
グに備えるようにするのがよい。主ヨーク30による磁
化のスイッチングの際は、補助ヨーク31によって逆向
きの磁化のための核が生じていることになるため、前記
各実施例と同様にスイッチングの速度は非常に速くな
る。
The switching of the magnetic field by the two magnetic field applying means may be performed at the same timing. However, in this type of optical switch, the switching is usually not frequently performed. The switching of the optical switch is performed by supplying a pulse current to the auxiliary yoke 31. Thereafter, a pulse current is supplied to the auxiliary yoke 31 at an appropriately delayed timing to locally magnetize in the opposite direction so as to prepare for the next switching. Is good. When the magnetization is switched by the main yoke 30, a nucleus for the magnetization in the opposite direction is generated by the auxiliary yoke 31, so that the switching speed is extremely high as in the above-described embodiments.

【0023】図5のAは本発明に係る光スイッチの他の
実施例を示している。半硬質磁性材料からなるほぼC型
平板状のヨーク50と、該ヨーク50に施した巻線52
と、前記ヨーク50に設けられているギャップ部54
に、ギャップ長の方向に対して垂直に挿入した鉄含有ガ
ーネット単結晶膜からなるファラデー回転子56とを具
備している。ここでヨーク50のギャップ部は、対向端
面の両側に2箇所ずつ、それぞれ突起部51が対設され
ていて、それによってギャップ長の短い部分が2箇所間
隔をおいて形成されている構造である。図5のBに示す
ように、磁界は突起部51に集中するため、ギャップ長
が短い部分に対応するファラデー回転子の部分は磁化の
飽和領域となるが、その他の部分は磁化の未飽和領域と
なるようにできる。そして、磁化が飽和している2箇所
を、膜面に対してほぼ垂直方向に光ビームが通過する。
FIG. 5A shows another embodiment of the optical switch according to the present invention. A substantially C-shaped flat yoke 50 made of a semi-hard magnetic material, and a winding 52 applied to the yoke 50
And a gap 54 provided in the yoke 50
And a Faraday rotator 56 made of an iron-containing garnet single crystal film inserted perpendicular to the direction of the gap length. Here, the gap portion of the yoke 50 has a structure in which two protrusions 51 are provided opposite to each other on both sides of the opposing end surface, thereby forming portions having a short gap length at two intervals. . As shown in FIG. 5B, since the magnetic field concentrates on the protrusion 51, the portion of the Faraday rotator corresponding to the portion where the gap length is short is a region where the magnetization is saturated, while the other portion is the region where the magnetization is unsaturated. So that Then, the light beam passes through the two locations where the magnetization is saturated in a direction substantially perpendicular to the film surface.

【0024】前記ファラデー回転子56の片側に偏光ビ
ームスプリッタ58を設置し、反対側には1/2波長板
59と偏光ビームスプリッタ60とを配置する。偏光ビ
ームスプリッタ58,60は、偏光分離膜を平行四辺形
プリズムと直角三角形プリズムとで挾んだ構造であり、
平行四辺形プリズムの偏光分離膜と平行な面には全反射
膜を形成してある。光スイッチのオン状態では、入力光
は、偏光分離膜でP偏光とS偏光とに分離し、45度フ
ァラデー回転子56で偏光面が回転し、1/2波長板5
9によってP偏光はS偏光に、S偏光はP偏光に変換さ
れ、偏光ビームスプリッタ60によって結合して出力光
となる。オフ状態では45度ファラデー回転子56によ
る偏光面の回転が逆方向となるため、偏光ビームスプリ
ッタ60からの出力光は前記出力光の方向とは90度異
なる方向となり、正規の出力ポートへは出射しない。こ
のようにして1×1型光スイッチとして動作する。
A polarizing beam splitter 58 is provided on one side of the Faraday rotator 56, and a half-wave plate 59 and a polarizing beam splitter 60 are provided on the other side. The polarization beam splitters 58 and 60 have a structure in which a polarization splitting film is sandwiched between a parallelogram prism and a right-angled triangle prism.
A total reflection film is formed on a surface of the parallelogram prism parallel to the polarization separation film. In the ON state of the optical switch, the input light is separated into P-polarized light and S-polarized light by the polarization separation film, the polarization plane is rotated by the 45-degree Faraday rotator 56, and the half-wave plate 5 is rotated.
9, the P-polarized light is converted into S-polarized light, and the S-polarized light is converted into P-polarized light, and combined by the polarization beam splitter 60 to become output light. In the off state, since the rotation of the polarization plane by the 45-degree Faraday rotator 56 is in the opposite direction, the output light from the polarization beam splitter 60 has a direction different from the direction of the output light by 90 degrees, and is emitted to the regular output port. do not do. Thus, it operates as a 1 × 1 type optical switch.

【0025】さて、本発明で用いるファラデー回転子と
しては、LPE法により育成され、補償温度をもつビス
マス置換鉄ガーネット単結晶膜からなり、1120℃以
上、1180℃以下の温度で、且つ7時間以内のトップ
条件で熱処理されたものが望ましい。単結晶膜の具体的
組成としては、例えば前記のようなGd2.02Bi0.98
4.43Al0.44Ga0.1312がある。上記の熱処理条件
は種々の実験から導かれたたものである。実験した熱処
理条件を図6に示す。熱処理は、白金板上に素子を載せ
て電気炉に入れて、大気雰囲気で行った。昇温速度及び
降温速度は、それぞれ120℃/時、最高温度(トップ
温度)と保持時間を種々変えて行った。1150℃で3
時間、熱処理した素子(本発明品)のファラデー回転の
磁場依存性の測定結果を図7に示す。ヒステリシスの囲
む面積Sは0.1kdeg/Oeで、消光比は30dB以上が
得られている。
The Faraday rotator used in the present invention is a bismuth-substituted iron garnet single crystal film grown by the LPE method and having a compensation temperature, at a temperature of 1120 ° C. or more and 1180 ° C. or less and within 7 hours. Heat-treated under the above conditions. As a specific composition of the single crystal film, for example, Gd 2.02 Bi 0.98 F
e There is 4.43 Al 0.44 Ga 0.13 O 12 . The above heat treatment conditions were derived from various experiments. The experimental heat treatment conditions are shown in FIG. The heat treatment was performed in an air atmosphere by placing the element on a platinum plate and placing the element in an electric furnace. The heating rate and the cooling rate were each set to 120 ° C./hour, and the maximum temperature (top temperature) and the holding time were variously changed. 3 at 1150 ° C
FIG. 7 shows the measurement results of the magnetic field dependence of the Faraday rotation of the element (product of the present invention) heat-treated for a time. The area S surrounding the hysteresis is 0.1 kdeg / Oe, and the extinction ratio is 30 dB or more.

【0026】図6において、斜線を施した領域(境界線
も含む)が好ましい熱処理のトップ条件の範囲である。
光スイッチとしての応用を考慮すると、ファラデー回転
子に要求される特性としては、飽和に要する磁界Hs が
100Oe以下、ファラデー回転角は45度、保磁力H
c が5Oe以下、ファラデー回転角の磁界依存性に関す
るヒステリシスの囲む面積Sが1kdeg/Oe以下の条件を
満たす必要がある。なお熱処理は炉内で昇温−トップ条
件維持−降温というプロセスを経るので、トップ条件は
保持時間が零の場合(即ち、昇温して所定温度に達した
後、直ちに降温するという処理)も含む。熱処理温度が
1120℃未満の場合は、保磁力Hc が大きくなり、ヒ
ステリシスが囲む面積Sが低減しない。1180℃を超
えると、ファラデー回転角が減少するため膜厚を厚くし
なければならなくなるし、表面が荒れてくる。これはビ
スマスが結晶中から飛散するためと考えられ、組成もず
れてくる。熱処理時間が7時間を超えるほど長くなる
と、飽和に要する磁界Hs が増加する。これは垂直磁気
異方性が低下し、面内磁化膜に近づくためと考えられ
る。これら種々実験した結果、特に、温度1150℃
で、7時間の熱処理が最適であった。このようなファラ
デー回転子を使用すると、例えば図1の構成では、光ス
イッチのスイッチング時間は6μ秒というように、従来
品よりも1桁以上高速化する。
In FIG. 6, the hatched area (including the boundary line) is the range of the preferable top conditions of the heat treatment.
Considering the application as an optical switch, the characteristics required for the Faraday rotator include a magnetic field Hs required for saturation of 100 Oe or less, a Faraday rotation angle of 45 degrees, and a coercive force H
c must be 5 Oe or less, and the area S surrounding the hysteresis relating to the magnetic field dependence of the Faraday rotation angle must satisfy the condition of 1 kdeg / Oe or less. Since the heat treatment goes through a process of raising the temperature, maintaining the top condition, and lowering the temperature in the furnace, the top condition may be a case where the holding time is zero (that is, a process of immediately lowering the temperature after raising the temperature to a predetermined temperature). Including. If the heat treatment temperature is lower than 1120 ° C., the coercive force Hc increases, and the area S surrounded by the hysteresis does not decrease. If it exceeds 1180 ° C., the Faraday rotation angle decreases, so that the film thickness must be increased and the surface becomes rough. This is considered to be due to the scattering of bismuth from the crystal, and the composition is shifted. If the heat treatment time becomes longer as it exceeds 7 hours, the magnetic field Hs required for saturation increases. It is considered that this is because the perpendicular magnetic anisotropy decreases and approaches the in-plane magnetization film. As a result of these various experiments, in particular, a temperature of 1150 ° C.
The heat treatment for 7 hours was optimal. When such a Faraday rotator is used, for example, in the configuration of FIG. 1, the switching time of the optical switch is increased by one digit or more as compared with the conventional product, such as 6 μs.

【0027】なお本発明に係る偏光面切換器は、上記の
ような1×1型の光スイッチのみならず、2×2型の光
スイッチ、その他の磁気光学式光デバイスなどに利用で
きることはいうまでもない。
It is to be noted that the polarization plane switching device according to the present invention can be used not only for the 1 × 1 type optical switch as described above, but also for a 2 × 2 type optical switch and other magneto-optical devices. Not even.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明は上記のように、ファラデー回転
子の磁化が膜全面にわたって飽和しておらず、一部に未
飽和の領域(あるいは飽和していても磁化が逆向きとな
っている領域)があるため、スイッチングさせる際に磁
化反転の核が常に存在し、そのため高速でスイッチング
させることが可能となる。特に、適正な条件で熱処理し
たものは、ファラデー回転角の磁界依存性に関するヒス
テリシスが非常に小さくなり、そのことと上記のように
未飽和領域を設けることとが相俟て、10μ秒以下とい
うように極めてスイッチング速度が向上する。これによ
って、過大光遮断装置などを構成する際に、装置を小形
化でき、信頼性の高いシステムを構成できる。
As described above, according to the present invention, the magnetization of the Faraday rotator is not saturated over the entire surface of the film, and is partially in an unsaturated region (or the magnetization is reversed even if saturated). Region), there is always a nucleus of magnetization reversal at the time of switching, so that high-speed switching is possible. In particular, in the case of heat treatment under appropriate conditions, the hysteresis relating to the magnetic field dependence of the Faraday rotation angle becomes very small, and together with the fact that the unsaturated region is provided as described above, it is 10 μsec or less. The switching speed is significantly improved. As a result, when configuring an excessive light blocking device or the like, the size of the device can be reduced, and a highly reliable system can be configured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る光スイッチの一実施例を示す説明
図。
FIG. 1 is an explanatory view showing one embodiment of an optical switch according to the present invention.

【図2】その動作説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation.

【図3】本発明に係る光スイッチの他の実施例を示す説
明図。
FIG. 3 is an explanatory view showing another embodiment of the optical switch according to the present invention.

【図4】本発明に係る光スイッチの更に他の実施例を示
す説明図。
FIG. 4 is an explanatory view showing still another embodiment of the optical switch according to the present invention.

【図5】本発明に係る光スイッチの他の実施例を示す説
明図。
FIG. 5 is an explanatory view showing another embodiment of the optical switch according to the present invention.

【図6】ファラデー回転子の熱処理条件を示す説明図。FIG. 6 is an explanatory diagram showing heat treatment conditions for a Faraday rotator.

【図7】最適条件で熱処理したファラデー回転子のファ
ラデー回転角と消光比の磁場依存性を示すグラフ。
FIG. 7 is a graph showing the magnetic field dependence of the Faraday rotation angle and the extinction ratio of a Faraday rotator heat-treated under optimal conditions.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ヨーク 12 巻線 14 ギャップ部 16 ファラデー回転子 18,20 楔型複屈折単結晶 22,24 レンズ一体型ファイバ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Yoke 12 Winding 14 Gap 16 Faraday rotator 18, 20 Wedge type birefringent single crystal 22, 24 Lens integrated fiber

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 陸川 弘 東京都港区新橋5丁目36番11号 富士電 気化学株式会社内 (72)発明者 徳増 次雄 東京都港区新橋5丁目36番11号 富士電 気化学株式会社内 (56)参考文献 特開 平7−104225(JP,A) 特開 平6−34894(JP,A) 特開 昭62−138832(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/09 - 1/095 G02F 1/29 - 1/31 G01R 15/24 G01R 33/032──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Hiroshi Rikukawa 5-36-11 Shimbashi, Minato-ku, Tokyo Inside Fuji Electric Chemical Co., Ltd. (72) Inventor Tsugio Tokumas 5-36-11 Shimbashi, Minato-ku, Tokyo No. Fuji Electric Chemical Co., Ltd. (56) References JP-A-7-104225 (JP, A) JP-A-6-34894 (JP, A) JP-A-62-138832 (JP, A) (58) Survey Field (Int.Cl. 6 , DB name) G02F 1/09-1/095 G02F 1/29-1/31 G01R 15/24 G01R 33/032

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 鉄含有ガーネット単結晶膜からなるファ
ラデー回転子と、該ファラデー回転子に磁界を印加する
磁界反転可能な磁界印加手段とを具備する偏光面切換器
において、磁界印加手段による磁界印加時に該ファラデ
ー回転子の一部分は磁化が未飽和状態であり、残りの部
分は磁化が飽和状態となって、その磁化が飽和している
部分を膜面に対してほぼ垂直方向に光ビームが通過する
偏光面切換器。
1. A polarization plane switching device comprising: a Faraday rotator made of an iron-containing garnet single crystal film; and a magnetic field inverting means for applying a magnetic field to the Faraday rotator, wherein a magnetic field is applied by the magnetic field applying means. Occasionally, the magnetization of one part of the Faraday rotator is in an unsaturated state, and the remaining part is in a saturated state, and the light beam passes through the saturated part in a direction almost perpendicular to the film surface. Polarization plane switch.
【請求項2】 磁性材料からなるヨークと、該ヨークに
施した巻線と、前記ヨークに設けられているギャップ部
に、ギャップ長の方向に対して垂直に挿入した鉄含有ガ
ーネット単結晶膜からなるファラデー回転子とを具備
し、該ファラデー回転子は、その大部分がギャップ部か
ら外側へはみ出す大きさであり、そのはみ出し部分の先
端部は磁化の未飽和領域であって、はみ出し部分のうち
の磁化の飽和領域を膜面に対してほぼ垂直方向に光ビー
ムが通過する偏光面切換器。
2. A yoke made of a magnetic material, a coil wound on the yoke, and a single crystal iron-containing garnet film inserted into a gap provided in the yoke perpendicularly to a gap length direction. The Faraday rotator has a size that most of the Faraday rotator protrudes outward from the gap portion, and the tip of the protruding portion is an unsaturated region of magnetization. A polarization plane switch through which a light beam passes in a direction substantially perpendicular to the film plane through the saturation region of magnetization.
【請求項3】 磁性材料からなるヨークと、該ヨークに
施した巻線と、前記ヨークに設けられているギャップ部
に、ギャップ長の方向に対して垂直に挿入した鉄含有ガ
ーネット単結晶膜からなるファラデー回転子とを具備
し、該ファラデー回転子は、その大部分がギャップ部か
ら外側へはみ出す大きさであり、そのはみ出し部分の先
端部に磁気シールド材を取り付けて磁化の未飽和領域を
形成し、はみ出し部分のうちの磁化の飽和領域を膜面に
対してほぼ垂直方向に光ビームが通過する偏光面切換
器。
3. A yoke made of a magnetic material, a winding provided on the yoke, and an iron-containing garnet single crystal film inserted into a gap provided in the yoke perpendicularly to the direction of the gap length. The Faraday rotator has a size that most of the Faraday rotator protrudes outward from the gap portion, and a magnetic shield material is attached to the tip of the protruding portion to form an unsaturated region of magnetization. A polarization plane switch in which a light beam passes through a magnetization saturation region of the protruding portion in a direction substantially perpendicular to the film surface.
【請求項4】 磁性材料からなるヨークと、該ヨークに
施した巻線と、前記ヨークに設けられているギャップ部
に、ギャップ長の方向に対して垂直に挿入した鉄含有ガ
ーネット単結晶膜からなるファラデー回転子とを具備
し、前記ヨークのギャップ部は、ギャップ長の短い部分
が複数箇所間隔をおいて設けられ、ギャップ長が短い部
分に対応するファラデー回転子の部分が磁化の飽和領域
となり、その他の部分が磁化の未飽和領域となって、前
記磁化の飽和領域を膜面に対してほぼ垂直方向に光ビー
ムが通過する偏光面切換器。
4. A yoke made of a magnetic material, a winding applied to the yoke, and an iron-containing garnet single crystal film inserted into a gap provided in the yoke perpendicular to the direction of the gap length. A gap portion of the yoke, a portion having a short gap length is provided at a plurality of intervals, and a portion of the Faraday rotator corresponding to the portion having a short gap length is a saturation region of magnetization. A polarization plane switch in which the other portion is a magnetization non-saturation region and the light beam passes through the magnetization saturation region in a direction substantially perpendicular to the film surface.
【請求項5】 前記ファラデー回転子は、液相エピタキ
シャル法により育成され、補償温度をもつビスマス置換
鉄ガーネット単結晶膜からなり、1120℃以上、11
80℃以下の温度で、且つ7時間以内のトップ条件で熱
処理されたものである請求項1乃至記載の偏光面切換
器。
5. The Faraday rotator is made of a bismuth-substituted iron garnet single crystal film grown by a liquid phase epitaxy method and having a compensation temperature.
At 80 ° C. below the temperature, and the top condition within 7 hours are those that have been heat-treated in the claims 1 to 4 polarization plane switcher according.
【請求項6】 対向配置した2個の楔型複屈折単結晶
と、それらの間にファラデー回転子を配置した請求項1
乃至記載の偏光面切換器と、入力用と出力用の光ファ
イバと集光用レンズとからなる光スイッチ。
6. A wedge-shaped birefringent single crystal arranged oppositely and a Faraday rotator arranged between them.
4. An optical switch comprising: the polarization plane switching device according to any one of 3 to 3 ; input / output optical fibers; and a condenser lens.
【請求項7】 対向配置した2個の偏光ビームスプリッ
タと、それらの間にファラデー回転子を配置した請求項
記載の偏光面切換器と、ファラデー回転子と一方の偏
光ビームスプリッタとの間に位置する1/2波長板とか
らなる光スイッチ。
7. The polarization beam splitter according to claim 1, wherein two polarization beam splitters are disposed opposite to each other, and a Faraday rotator is disposed therebetween.
An optical switch consisting of 4 and the polarization plane switcher according, the half-wave plate positioned between the Faraday rotator and one of the polarizing beam splitter.
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