JP2771322B2 - Method and apparatus for manufacturing optical information recording medium - Google Patents

Method and apparatus for manufacturing optical information recording medium

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JP2771322B2
JP2771322B2 JP2314028A JP31402890A JP2771322B2 JP 2771322 B2 JP2771322 B2 JP 2771322B2 JP 2314028 A JP2314028 A JP 2314028A JP 31402890 A JP31402890 A JP 31402890A JP 2771322 B2 JP2771322 B2 JP 2771322B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学的情報記録媒体の結晶化技術に係り、
特に、樹脂材料からなる基板に熱的ダメージを与えずに
記録膜全体を一括して結晶質状態にするに好適な結晶化
技術に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a crystallization technique for an optical information recording medium,
In particular, the present invention relates to a crystallization technique suitable for bringing the entire recording film into a crystalline state without thermally damaging a substrate made of a resin material.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

光学的情報記録媒体に情報を記録するには、例えば、
レーザ光等の光エネルギ等をこの媒体に与えて、記録膜
の一つの構造状態を他の構造状態に物理的に変化させて
行なうことができる。この様な記録膜は、カルコゲン化
物が知られており、カルコゲン化物は、例えば、非晶質
状態と結晶質状態の異なる二つの構造をとることができ
る。例えば、光ビームをこの媒体に照射し、加熱昇温し
て徐冷すると、記録膜は結晶化し、また、パルス幅の短
い光ビームを照射し、加熱昇温して急冷すると、記録膜
は非晶質状態となる。
To record information on an optical information recording medium, for example,
By applying light energy such as laser light to this medium, the recording film can be physically changed from one structural state to another structural state. As such a recording film, a chalcogenide is known, and the chalcogenide can have, for example, two different structures in an amorphous state and a crystalline state. For example, the recording film is crystallized by irradiating the medium with a light beam and heating and raising the temperature to gradually cool the recording medium. It becomes crystalline.

この記録媒体を用いた時の記録方法として、非晶質状
態から結晶質状態に変化させて記録を行なう方法と、結
晶質状態から非晶質状態に変化させて記録を行なう方法
がある。たとえば、1μm以下の短波長記録を行なう時
には、加熱急冷により得られる非晶質状態に変化させて
記録を行なう後者の方法が、記録時におけるビット間の
熱的干渉が少なくて有利である。しかし、記録膜の製作
時には、通常、記録膜は非晶質状態であるため、この記
録方法を用いる場合には、記録膜を予め結晶質状態にし
ておく必要がある。
As a recording method using this recording medium, there are a method of performing recording by changing from an amorphous state to a crystalline state, and a method of performing recording by changing from a crystalline state to an amorphous state. For example, when performing short-wavelength recording of 1 μm or less, the latter method of performing recording by changing to an amorphous state obtained by heating and quenching is advantageous because thermal interference between bits during recording is small. However, when the recording film is manufactured, the recording film is usually in an amorphous state. Therefore, when using this recording method, the recording film needs to be in a crystalline state in advance.

構造変化を生じせしめるエネルギは、特公昭47−2689
7号公報に開示されているように、例えば、電気エネル
ギ、輻射熱閃光ランプの光、レーザ光束のエネルギ等の
形における電磁エネルギの様なビーム状エネルギ、電子
線や陽子線の様な粒子線エネルギ等がある。
The energy that causes the structural change is the Japanese Patent Publication No. 47-2689.
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 7-107, for example, beam energy such as electromagnetic energy in the form of electric energy, light of a radiant heat flash lamp, energy of a laser beam, and particle beam energy such as an electron beam or a proton beam. Etc.

これらエネルギを印加する具体的な方法として、例え
ば、恒温槽中に情報記録媒体を放置し、この媒体全体を
加熱する方法、あるいは、特開昭61−208648号公報に記
載のように、この加熱と同時に電気エネルギを印加する
方法などが提案されている。
As a specific method for applying these energies, for example, a method in which an information recording medium is left in a thermostat and the entire medium is heated, or as described in JP-A-61-208648, At the same time, a method of applying electric energy has been proposed.

しかし、これら方法は記録媒体を100℃〜150℃以上の
高温に保持する必要があり、アクリル樹脂やポリカーボ
ネート樹脂あるいはポリオレフィン樹脂などの樹脂材料
からなる基板を用いた記録媒体には、基板変形の点から
適用することが困難である。
However, these methods require that the recording medium be maintained at a high temperature of 100 ° C. to 150 ° C. or higher, and the recording medium using a substrate made of a resin material such as an acrylic resin, a polycarbonate resin, or a polyolefin resin has a disadvantage in terms of substrate deformation. Difficult to apply from.

また、特開昭62−250533号公報に記載のように、有機
質材料からなる基板上に形成した記録膜に、所定の光源
によるフラッシュ露光を行ない、このフラッシュ露光に
よる光エネルギで記録膜を結晶化させる方法がある。
Further, as described in JP-A-62-250533, a recording film formed on a substrate made of an organic material is subjected to flash exposure with a predetermined light source, and the recording film is crystallized with light energy by the flash exposure. There is a way to make it happen.

この方法により、アクリル樹脂やポリカーボネート樹
脂、あるいは、ポリオレフィン樹脂などの樹脂材料から
なる基板上に無機保護膜を両側に形成した記録膜を結晶
化する場合、記録媒体に照射される光の波長の一部は基
板および無機保護膜に光吸収性を示し、基板および無機
保護膜は瞬時に発熱するようになる。発熱に伴い、樹脂
材料からなる基板が変形する事および樹脂材料からなる
基板と無機保護膜の熱膨張係数の相違によりクラックが
発生するため、適用することは困難であった。
According to this method, when crystallizing a recording film in which an inorganic protective film is formed on both sides of a substrate made of a resin material such as an acrylic resin, a polycarbonate resin, or a polyolefin resin, the wavelength of light applied to the recording medium is reduced. The portion shows light absorption to the substrate and the inorganic protective film, and the substrate and the inorganic protective film instantaneously generate heat. It has been difficult to apply the substrate made of a resin material because the substrate is deformed due to heat generation and cracks occur due to a difference in thermal expansion coefficient between the substrate made of the resin material and the inorganic protective film.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上記従来技術は、樹脂材料からなる基板および記録膜
に隣接して形成される無機保護膜への熱的ダメージにつ
いては考慮がされておらず、基板の熱変形および基板と
無機保護膜の界面でのクラックの発生等の問題があっ
た。
The above prior art does not consider thermal damage to the substrate made of a resin material and the inorganic protective film formed adjacent to the recording film, and does not consider the thermal deformation of the substrate and the interface between the substrate and the inorganic protective film. There was a problem such as generation of cracks.

本発明の目的は、記録媒体に照射される光の波長を選
定し、基板および無機保護膜への熱的ダメージを低減
し、この問題点を克服することのできる光学的情報記録
媒体の結晶化技術を提供することにある。
An object of the present invention is to select a wavelength of light applied to a recording medium, reduce thermal damage to a substrate and an inorganic protective film, and crystallize an optical information recording medium capable of overcoming this problem. To provide technology.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記目的は、フラッシュランプにより記録媒体に照
射される光の波長を、非晶質状態の記録膜の光吸収端波
長以下にし、かつ、基板および無機保護膜に吸収性を持
たない波長にすること、フラッシュランプと光学的情
報記録媒体との空間内に光学的フィルタを設置するこ
と、フラッシュランプはキセノンランプ,メタルハラ
イドランプ,ナトリウムランプ,水銀ランプの少なくと
も一つを使用すること、フラッシュランプと光学的情
報記録媒体との空間内に設置する光学的フィルタが、基
板、または記録膜の両側に設けた無機保護膜の少なくと
も一つと同一の材質とすることにより達成される。
The object of the present invention is to make the wavelength of light irradiated on a recording medium by a flash lamp equal to or less than the light absorption edge wavelength of a recording film in an amorphous state, and to have a wavelength that does not absorb the substrate and the inorganic protective film. Installing an optical filter in the space between the flash lamp and the optical information recording medium; using at least one of a xenon lamp, a metal halide lamp, a sodium lamp, and a mercury lamp; This is achieved by making the optical filter provided in the space with the information recording medium the same material as at least one of the substrate and the inorganic protective film provided on both sides of the recording film.

〔作用〕[Action]

非晶質状態の記録膜に光を照射し、記録膜を効率良く
昇温するには、光の波長は記録膜の光吸収端波長以下で
あることが必要不可欠である。光吸収端波長以下にする
ことにより、入射光は記録膜の電子系を一光子吸収で励
起しその後格子系にエネルギが伝搬され記録膜は昇温さ
れる。記録膜の結晶化温度は、その熱的構造安定性を得
るために150℃以上必要であり、この記録膜に光を照射
して結晶化するには、記録膜は150℃以上の温度に結晶
化時間以上の時間保持されなければならない。樹脂材料
からなる基板のガラス転移温度は、例えば、アクリル樹
脂の時105℃、ポリカーボネート樹脂の時、140℃、ポリ
オレフィン樹脂の時、140℃と150℃以下であるため、樹
脂材料からなる基板上に形成された記録膜を結晶化し、
かつ、基板の変形を防ぐためには、基板の温度がガラス
転移温度まで昇温し基板の変形が発生しないうちに記録
膜の結晶化を完了する必要がある。そのためには、光を
記録媒体に短時間照射し記録膜のみを150℃以上まで昇
温させ、熱拡散に伴う基板の加熱温度を基板のガラス転
移温度未満になるようにする必要がある。
In order to irradiate the recording film in the amorphous state with light and efficiently raise the temperature of the recording film, it is essential that the wavelength of the light be equal to or less than the light absorption edge wavelength of the recording film. By setting the wavelength to be equal to or less than the light absorption end wavelength, the incident light excites the electron system of the recording film by one-photon absorption, and then energy is propagated to the lattice system to raise the temperature of the recording film. The crystallization temperature of the recording film must be at least 150 ° C to obtain its thermal structural stability. To irradiate this recording film with light, the recording film must be crystallized at a temperature of 150 ° C or more. Must be maintained for at least the activation time. The glass transition temperature of a substrate made of a resin material is, for example, 105 ° C. for an acrylic resin, 140 ° C. for a polycarbonate resin, and 140 ° C. and 150 ° C. or less for a polyolefin resin. Crystallizing the formed recording film,
In order to prevent the deformation of the substrate, it is necessary to complete the crystallization of the recording film before the temperature of the substrate rises to the glass transition temperature and the deformation of the substrate does not occur. For this purpose, it is necessary to irradiate the recording medium with light for a short period of time and raise only the temperature of the recording film to 150 ° C. or higher so that the heating temperature of the substrate due to thermal diffusion is lower than the glass transition temperature of the substrate.

記録膜を一括して結晶化するには、ランプによる短時
間照射が有効である。照射時間は、記録膜の結晶化時
間、記録膜の熱定数、記録膜に近接する層の熱定数によ
り決定されるが、発光半値幅は10nsec〜10msecが好まし
く100nsec〜5msecがより好ましい。
In order to collectively crystallize the recording film, short-time irradiation by a lamp is effective. The irradiation time is determined by the crystallization time of the recording film, the thermal constant of the recording film, and the thermal constant of the layer adjacent to the recording film. The half width at half maximum is preferably 10 nsec to 10 msec, more preferably 100 nsec to 5 msec.

ランプは気体放電に伴う発光を発光原理としているた
めに、発光波長は連続である。従って、ランプの発光を
記録媒体に、直接、照射した場合には、基板および無機
保護膜はある波長の光を吸収して発熱する。その後、基
板および無機保護膜の光吸収に預からない波長の光が記
録膜に照射され、記録膜は発熱する。フラッシュランプ
光による基板、および無機保護膜の発熱を防ぐには、フ
ラッシュランプと記録媒体の空間内に光学的フィルタを
設置し、基板および無機保護膜の吸収波長をカットする
必要がある。光学的フィルタは、赤外線吸収ガラスフィ
ルタ,紫外線吸収ガラスフィルタ等のガラスフィルタで
も良く、基板、または記録膜の両側に設けた無機保護膜
の少なくとも一つを構成部品とするものでも良く、また
その両者を組み合わせたものでも良い。
The emission wavelength of the lamp is continuous because the emission principle of the lamp is emission accompanying gas discharge. Therefore, when the recording medium is directly irradiated with the light emitted from the lamp, the substrate and the inorganic protective film absorb light of a certain wavelength and generate heat. Thereafter, the recording film is irradiated with light having a wavelength which cannot be absorbed by the light absorption of the substrate and the inorganic protective film, and the recording film generates heat. To prevent heat generation of the substrate and the inorganic protective film by the flash lamp light, it is necessary to install an optical filter in the space between the flash lamp and the recording medium to cut the absorption wavelength of the substrate and the inorganic protective film. The optical filter may be a glass filter such as an infrared-absorbing glass filter or an ultraviolet-absorbing glass filter. The optical filter may be a substrate or at least one of inorganic protective films provided on both sides of the recording film. May be combined.

フラッシュランプは、高輝度から得られる点でキセノ
ンランプ,水銀ランプが好ましく、次に、ナトリウムラ
ンプ,メタルハライドランプが好ましい。
As the flash lamp, a xenon lamp and a mercury lamp are preferable in terms of obtaining high luminance, and then a sodium lamp and a metal halide lamp are preferable.

記録膜の結晶化温度が高温であり、ランプの出力が不
足している時は、光学的情報記録媒体を基板のガラス転
移温度未満の温度に予備加熱しておき、その後、本発明
の方法および装置で結晶化することも可能である。予備
加熱する装置を本発明の装置にシステム的に組み込んだ
場合も本発明の範ちゅうに入る。
When the crystallization temperature of the recording film is high and the output of the lamp is insufficient, the optical information recording medium is preheated to a temperature lower than the glass transition temperature of the substrate, and then the method and the method of the present invention are performed. It is also possible to crystallize with an apparatus. The case where the apparatus for preheating is systematically incorporated into the apparatus of the present invention also falls within the scope of the present invention.

記録膜の結晶化過程は、第一ステップとして結晶の核
生成、第二ステップとして結晶核の成長があり、また、
各ステップの動作温度および動作温度範囲が異なり、第
一ステップの動作温度の方が低い。フラッシュランプを
記録膜に照射した場合、記録膜温度が第一ステップに必
要な時間より短時間に動作温度範囲を過ぎた場合は、記
録膜には十分な結晶核が生成されていないので第二ステ
ップの動作温度時にも十分な結晶核成長が生じないた
め、結果的には、結晶質相および非晶質相の混在した状
態を呈する。このような場合は、フラッシュランプの
半値幅を長くすること,低出力のフラッシュランプを
多数回照射して結晶核生成を十分に行なった後、高出力
のフラッシュランプを照射して結晶核の成長を十分に行
なうこと,多数本のフラッシュランプを時間遅れをも
って動作させ、発光波形を各ステップの動作温度および
必要時間に合わせて波形すること,のいずれかを行なう
ことにより、記録膜の結晶化は可能になる。
The crystallization process of the recording film includes crystal nucleation as a first step, crystal nucleus growth as a second step, and
The operating temperature and operating temperature range of each step are different, and the operating temperature of the first step is lower. When the recording film temperature exceeds the operating temperature range in a shorter time than the time required for the first step when irradiating the recording film with the flash lamp, since the crystal nuclei are not sufficiently generated in the recording film, the second Since sufficient crystal nucleus growth does not occur even at the operating temperature of the step, as a result, a state in which a crystalline phase and an amorphous phase are mixed is exhibited. In such a case, it is necessary to lengthen the half width of the flash lamp, irradiate the flash lamp with a low output many times to sufficiently generate the crystal nuclei, and then irradiate the flash lamp with a high output to grow the crystal nuclei. The crystallization of the recording film can be achieved by performing either of the following: sufficient operation of the flash lamps, operating a number of flash lamps with a time delay, and shaping the emission waveform in accordance with the operating temperature of each step and the required time. Will be possible.

〔実施例〕〔Example〕

〈実施例1〉 以下、本発明の一実施例を図面を用いて詳細に説明す
る。
Embodiment 1 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、本発明の光学的情報記録媒体の結晶化装置
の説明図である。
FIG. 1 is an explanatory view of an apparatus for crystallizing an optical information recording medium according to the present invention.

本装置は、フラッシュランプ1,反射鏡2,光学的フィル
タ3より構成されており、フラッシュランプ1から発光
した連続波長をもつ光線5は光学的フィルタ3を通過
し、波長選択された光線となり、光学的情報記録媒体4
に照射される。第2図は、光学的情報記録媒体の断面図
を示している。ポリカーボネート樹脂基板6上に、Si3N
4無機保護膜7、Sb48.3Se43.1Bi8.6記録膜8、Si3N4
機保護膜9、Ni80Cr20金属膜10、紫外線硬化型有機保護
膜11を、順次、形成している。形成方法は、ポリカーボ
ネート樹脂基板6をマグネトロンスパッタ装置の基板ホ
ルダにセットし、初期真空度2×10-6Torrまで真空排気
後、Arガスを導入し、ガス圧5mTorrでSi3N4ターゲット
をスパッタリングし、ターゲット上方で自公転している
基板にSi3N4無機保護膜7を70nm形成する。次に、真空
度2×10-6Torrまで排気を行ない、Arガスを導入してガ
ス圧5mTorrでSb48.3Se43.1Bi8.6ターゲットをスパッタ
リングし、Si3N4無機保護膜7上にSb48.3Se43.1Bi8.6
録膜8を100nm形成する。次に、真空度2×10-6Torrま
で排気を行ない、Arガスを導入してガス圧5mTorrでSi3N
4ターゲットをスパッタリングし、Sb48.3Se43.1Bi8.6
録膜8上にSi3N4無機保護膜9を100nm形成する。次に、
真空度2×10-6Torrまで排気を行ない、Arガスを導入し
ガス圧5mTorrでNi80Cr20ターゲットをスパッタリング
し、Si3N4無機保護膜9上にNi80Cr20金属膜10を100nm形
成する。次に、真空度2×10-6Torrまで排気を行ない、
その後、N2ガスで真空を破り成膜した試料をマグネトロ
ンスパッタ装置から取りだし、紫外線硬化樹脂をスピン
塗布し紫外線を照射することにより硬化させ、有機保護
膜11を20μm形成する。
This device is composed of a flash lamp 1, a reflector 2, and an optical filter 3. A light beam 5 having a continuous wavelength emitted from the flash lamp 1 passes through the optical filter 3 and becomes a wavelength-selected light beam. Optical information recording medium 4
Is irradiated. FIG. 2 shows a cross-sectional view of the optical information recording medium. Si 3 N on the polycarbonate resin substrate 6
4 Inorganic protective film 7, Sb 48.3 Se 43.1 Bi 8.6 recording film 8, Si 3 N 4 inorganic protective film 9, Ni 80 Cr 20 metal film 10, and UV-curable organic protective film 11 are sequentially formed. The formation method is as follows. The polycarbonate resin substrate 6 is set on a substrate holder of a magnetron sputtering apparatus, and after evacuation to an initial vacuum degree of 2 × 10 −6 Torr, Ar gas is introduced, and a Si 3 N 4 target is sputtered at a gas pressure of 5 mTorr. Then, an Si 3 N 4 inorganic protective film 7 is formed to a thickness of 70 nm on the substrate revolving around the target. Next, performs evacuated to a vacuum degree 2 × 10 -6 Torr, while introducing Ar gas by sputtering Sb 48.3 Se 43.1 Bi 8.6 target gas pressure 5 mTorr, Sb 48.3 on Si 3 N 4 inorganic protective film 7 Se 43.1 Bi 8.6 A recording film 8 is formed to a thickness of 100 nm. Next, the chamber is evacuated to a vacuum degree of 2 × 10 −6 Torr, Ar gas is introduced, and Si 3 N is applied at a gas pressure of 5 mTorr.
Four targets are sputtered to form a 100 nm thick Si 3 N 4 inorganic protective film 9 on the Sb 48.3 Se 43.1 Bi 8.6 recording film 8. next,
Evacuation was performed to a degree of vacuum of 2 × 10 −6 Torr, Ar gas was introduced, a Ni 80 Cr 20 target was sputtered at a gas pressure of 5 mTorr, and a Ni 80 Cr 20 metal film 10 was formed on the Si 3 N 4 inorganic protective film 9 to a thickness of 100 nm. Form. Next, evacuation is performed to a vacuum degree of 2 × 10 −6 Torr,
After that, the sample formed by forming a film by breaking the vacuum with N 2 gas is taken out from the magnetron sputtering apparatus, and an ultraviolet curable resin is spin-coated and cured by irradiating ultraviolet rays to form an organic protective film 11 having a thickness of 20 μm.

光学的情報記録媒体は、第2図に示した構成の他に、
第3図および第4図に示した構成の光学的情報記録媒体
も作製した。第3図および第4図は、記録膜を完全に無
機保護膜で覆った構成であり、外界からの湿気の侵入に
よる記録膜の腐食を防止する構成として優れている。
The optical information recording medium has, in addition to the configuration shown in FIG.
Optical information recording media having the configuration shown in FIGS. 3 and 4 were also manufactured. 3 and 4 show a configuration in which the recording film is completely covered with the inorganic protective film, and is excellent as a configuration for preventing the corrosion of the recording film due to the invasion of moisture from the outside.

第5図に、記録膜Sb48.3Se43.1Bi8.6の非晶質状態お
よび結晶質状態における光吸収端波長を示す。光吸収端
波長E0は、(αhω)1/2∝(hω−E0)の関係式より
導出した。ここで、αは吸収係数、hωは光子エネルギ
である。非晶質状態の記録膜の光吸収端波長は1494nmで
ある。従って、記録膜は1494nm以下の波長の光を効率的
に吸収して発熱する。
FIG. 5 shows the light absorption edge wavelengths of the recording film Sb 48.3 Se 43.1 Bi 8.6 in the amorphous state and the crystalline state. The light absorption edge wavelength E 0 was derived from the relational expression of (αhω) 1/2 ∝ (hω−E 0 ). Here, α is the absorption coefficient and hω is the photon energy. The light absorption edge wavelength of the recording film in the amorphous state is 1494 nm. Accordingly, the recording film efficiently absorbs light having a wavelength of 1494 nm or less and generates heat.

第6図は、キセノンフラッシュランプの相対分光出力
の波長依存性を示し、第7図は、PC基板の透過率の波長
依存性を示し、第8図は、Si3N4無機保護膜の透過率の
波長依存性を示す。PC基板は、波長370nm以下1000nm以
上で吸収性を示し、Si3N4無機保護膜は、波長250nm以下
で吸収性を示す。また、第9図に、光学的フィルタとし
てのSi3N4膜を形成したPC基板を介して、光学的情報記
録媒体に照射される光の相対分光出力の波長依存性を示
す。光学的フィルタとしてSi3N4膜を形成したPC基板を
使用することにより、光学的情報記録媒体に照射される
光は記録膜のみを加熱昇温することができる。
FIG. 6 shows the wavelength dependence of the relative spectral output of the xenon flash lamp, FIG. 7 shows the wavelength dependence of the transmittance of the PC substrate, and FIG. 8 shows the transmittance of the Si 3 N 4 inorganic protective film. The wavelength dependence of the rate is shown. The PC substrate shows absorptivity at a wavelength of 370 nm or less and 1000 nm or more, and the Si 3 N 4 inorganic protective film shows an absorptivity at a wavelength of 250 nm or less. FIG. 9 shows the wavelength dependence of the relative spectral output of light applied to an optical information recording medium via a PC substrate on which a Si 3 N 4 film as an optical filter is formed. By using a PC substrate on which a Si 3 N 4 film is formed as an optical filter, the light applied to the optical information recording medium can heat only the recording film and increase the temperature.

光学的情報記録媒体にキセノンフラッシュランプを光
学的フィルタを介さずに、直接、2μsec照射したとこ
ろ、記録膜は結晶質状態に変化したが、基板は熱のため
にそり、また、無機保護膜および記録膜にクラックが多
数発生した。一方、本実施例に示した、光学的フィルタ
を介して光学的記録媒体にキセノンフラッシュランプを
2μsec照射したところ、基板のそりも無く、また、ク
ラックも発生すること無く、記録膜は結晶質状態に変化
した。
When the xenon flash lamp was directly irradiated on the optical information recording medium for 2 μs without passing through an optical filter, the recording film changed to a crystalline state, but the substrate warped due to heat, and the inorganic protective film and Many cracks occurred in the recording film. On the other hand, when the xenon flash lamp was irradiated to the optical recording medium through the optical filter for 2 μsec through the optical filter shown in this example, the substrate did not warp, no crack was generated, and the recording film was in a crystalline state. Changed to

〈実施例2〉 実施例1と同様にして作製した光学的情報記録媒体
に、光学的フィルタとして赤外線吸収ガラスフィルタを
使用し、またフラッシュランプとして水銀ランプ(高圧
水銀ランプ,及び蛍光水銀ランプ)を使用し、記録膜の
結晶化を行なった。第10図に赤外線吸収ガラスフィルタ
の透過率の波長依存性を示す。赤外線吸収ガラスフィル
タは、約450nm〜1000nmの波長を透過しそれ以外の波長
をカットする。第11図に、高圧水銀ランプ及び蛍光水銀
ランプの相対分光出力の波長依存性を示し、第12図に、
赤外線吸収ガラスフィルタを通過後の光学的記録媒体に
照射される光の相対分光出力の波長依存性を示す。
Example 2 An infrared information absorbing glass filter was used as an optical filter and a mercury lamp (a high-pressure mercury lamp and a fluorescent mercury lamp) was used as an optical filter on an optical information recording medium produced in the same manner as in Example 1. The recording film was used for crystallization. FIG. 10 shows the wavelength dependence of the transmittance of the infrared absorbing glass filter. The infrared absorbing glass filter transmits a wavelength of about 450 nm to 1000 nm and cuts other wavelengths. FIG. 11 shows the wavelength dependence of the relative spectral output of the high-pressure mercury lamp and the fluorescent mercury lamp, and FIG.
7 shows the wavelength dependence of the relative spectral output of light irradiated on an optical recording medium after passing through an infrared absorbing glass filter.

光学的情報記録媒体に水銀フラッシュランプ(高圧水
銀ランプ,及び蛍光水銀ランプ)を光学的フィルタを介
さずに、直接、2μsec照射したところ、記録膜は結晶
質状態に変化したが、基板は熱のためにそり、また、無
機保護膜および記録膜にクラックが多数発生した。一
方、本実施例に示した、光学的フィルタを介して光学情
報記録媒体に水銀フラッシュランプ(高圧水銀ランプ,
及び蛍光水銀ランプ)を2μsec照射したところ、基板
のそりも無く、また、クラックも発生すること無く、記
録膜は結晶質状態に変化した。
When a mercury flash lamp (a high-pressure mercury lamp and a fluorescent mercury lamp) was directly applied to an optical information recording medium without passing through an optical filter for 2 μsec, the recording film changed to a crystalline state, but the substrate was not heated. As a result, a large number of cracks occurred on the inorganic protective film and the recording film. On the other hand, a mercury flash lamp (high-pressure mercury lamp,
And a fluorescent mercury lamp) for 2 μsec, the recording film changed to a crystalline state without warping of the substrate and without generation of cracks.

〈実施例3〉 記録膜をIn22Sb37Te41膜厚100nmとし、その他は実施
例1と同様な光学的情報記録媒体において、Si3N4膜を
形成したPC基板を光学的フィルタとしキセノンフラッシ
ュランプを2μsec照射して記録膜の結晶化を行なっ
た。しかし、記録膜の結晶化度は約30%であり、記録膜
は充分に結晶化しなかった。これは、In22Sb37Te41記録
膜の結晶化温度が230℃と、Sb48.3Se43.1Bi8.6記録膜の
結晶化温度170℃より60℃高いために、キセノンランプ
の輝度5×104cd/cm2ではランプの出力が不足している
ため記録膜は充分に昇温せず、記録膜は充分に結晶化し
なかったものである。
Example 3 An optical information recording medium similar to that of Example 1 except that the recording film was In 22 Sb 37 Te 41 having a thickness of 100 nm, and a PC substrate on which a Si 3 N 4 film was formed was used as an optical filter and xenon was used. The recording film was crystallized by irradiating a flash lamp for 2 μsec. However, the crystallinity of the recording film was about 30%, and the recording film did not sufficiently crystallize. This is because the crystallization temperature of the In 22 Sb 37 Te 41 recording film is 230 ° C., which is 60 ° C. higher than the crystallization temperature of the Sb 48.3 Se 43.1 Bi 8.6 recording film, and the luminance of the xenon lamp is 5 × 10 4 cd At / cm 2 , the output of the lamp was insufficient, so that the temperature of the recording film did not rise sufficiently and the recording film did not crystallize sufficiently.

そこで、光学的情報記録媒体を60℃の恒温槽に20分放
置し加熱後、Si3N4膜を形成したPC基板を光学的フィル
タとしキセノンフラッシュランプを2μsec照射したと
ころ、基板のそりも無くまたクラックも発生すること無
く、記録膜は結晶質状態に変化した。
Then, the optical information recording medium was left in a 60 ° C. constant temperature bath for 20 minutes, heated, and then irradiated with a xenon flash lamp for 2 μsec using the PC substrate on which the Si 3 N 4 film was formed as an optical filter. The recording film changed to a crystalline state without cracking.

以上、実施例ではフラッシュランプとしてキセノンラ
ンプ、及び、水銀ランプについて示したが、それらに限
定する必要はなく、ナトリウムランプまたはメタルハラ
イドランプを使用してもかまわない。また、光学的フィ
ルタは、赤外線吸収ガラスフィルタ及び無機保護膜を形
成した樹脂材料からなる基板について示したが、それら
に限定する必要はなく、紫外線吸収ガラスフィルタ、ま
たは、光学的フィルタとの組合わせによってもよい。
As described above, the xenon lamp and the mercury lamp are described as flash lamps in the embodiments, but the present invention is not limited to these, and a sodium lamp or a metal halide lamp may be used. Although the optical filter has been described with respect to a substrate made of a resin material having an infrared-absorbing glass filter and an inorganic protective film formed thereon, it is not necessary to be limited to these, and a combination with an ultraviolet-absorbing glass filter or an optical filter may be used. It may be.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によれば、光学的情報記録媒体に照射される光
の波長を選定できるために、樹脂基板の熱変形及び基板
と無機保護膜の界面で発生するクラックを防止し、基板
の反りを防いでかつ記録膜を結晶質状態に変化させるこ
とができる効果がある。
According to the present invention, since the wavelength of light irradiated on the optical information recording medium can be selected, thermal deformation of the resin substrate and cracks generated at the interface between the substrate and the inorganic protective film are prevented, and warpage of the substrate is prevented. In addition, there is an effect that the recording film can be changed to a crystalline state.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例の光学的情報記録媒体の結晶
化装置の説明図、第2図は光学的情報記録媒体の断面
図、第3図は光学的情報記録媒体の断面図、第4図は光
学的情報記録媒体の断面図、第5図は記録膜の非晶質状
態および結晶質状態における光吸収端波長を示す特性
図、第6図はキセノンランプの相対分光出力の波長依存
性を示す特性図、第7図はPC基板及び有機保護膜の透過
率の波長依存性を示す特性図、第8図はSi3N4保護膜の
透過率の波長依存性を示す特性図、第9図はSi3N4膜を
形成したPC基板を光学的フィルタとした時キセノンラン
プの光学的情報記録媒体に照射される光の相対分光出力
の波長依存性を示す特性図、第10図は赤外線吸収ガラス
フィルタの透過率の波長依存性を示す特性図、第11図は
高圧水銀ランプ及び蛍光水銀ランプの相対分光出力の波
長依存性を示す特性図、第12図は赤外線吸収ガラスフィ
ルタを光学的フィルタとした時高圧水銀ランプ及び蛍光
水銀ランプの光学的情報記録媒体に照射される光の相対
分光出力の波長依存性を示す特性図である。 1……フラッシュランプ,2……反射鏡 3……光学的フィルタ 4……光学的情報記録媒体,5……光線 6……樹脂基板,7……無機保護膜 8……記録膜,9……無機保護膜 10……金属膜,11……有機保護膜
FIG. 1 is an explanatory view of an apparatus for crystallizing an optical information recording medium according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of the optical information recording medium, FIG. 3 is a sectional view of the optical information recording medium, FIG. 4 is a cross-sectional view of an optical information recording medium, FIG. 5 is a characteristic diagram showing a light absorption edge wavelength in an amorphous state and a crystalline state of a recording film, and FIG. 6 is a wavelength of a relative spectral output of a xenon lamp. 7 is a characteristic diagram showing the wavelength dependence of the transmittance of the PC substrate and the organic protective film, and FIG. 8 is a characteristic diagram showing the wavelength dependence of the transmittance of the Si 3 N 4 protective film. FIG. 9 is a characteristic diagram showing the wavelength dependence of the relative spectral output of light applied to an optical information recording medium of a xenon lamp when a PC substrate on which a Si 3 N 4 film is formed is used as an optical filter. Fig. 11 is a characteristic diagram showing the wavelength dependence of the transmittance of the infrared absorbing glass filter. Fig. 11 is a high pressure mercury lamp and fluorescent water. Fig. 12 is a characteristic diagram showing the wavelength dependence of the relative spectral output of the lamp. Fig. 12 shows the relative spectrum of light applied to the optical information recording medium of a high-pressure mercury lamp and a fluorescent mercury lamp when an infrared absorbing glass filter is used as an optical filter. FIG. 4 is a characteristic diagram illustrating wavelength dependence of output. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Flash lamp, 2 ... Reflection mirror 3 ... Optical filter 4 ... Optical information recording medium, 5 ... Light beam 6 ... Resin substrate, 7 ... Inorganic protective film 8 ... Recording film, 9 ... ... Inorganic protective film 10 ... Metal film, 11 ... Organic protective film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−250533(JP,A) 特開 昭62−97885(JP,A) 特開 昭63−261553(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 7/26──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-62-250533 (JP, A) JP-A-62-97885 (JP, A) JP-A-63-261553 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 6 , DB name) G11B 7/26

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板上に、無機保護膜と、記録膜とを形成
する光学的情報記録媒体の製造方法であって、 非晶質状態の前記記録膜全体に、前記記録膜の非晶質状
態における光吸収端波長以下で、かつ、前記基板及び前
記無機保護膜が吸収性を持たない範囲の波長である光を
照射し、 一括して前記記録膜を非晶質状態から結晶質状態に変え
るようにしたことを特徴とする光学的情報記録媒体の製
造方法。
1. A method of manufacturing an optical information recording medium, comprising: forming an inorganic protective film and a recording film on a substrate, wherein the recording film in an amorphous state is entirely Irradiating light having a wavelength equal to or less than the light absorption edge wavelength in the state, and a wavelength in a range where the substrate and the inorganic protective film do not have absorptivity, and collectively changing the recording film from an amorphous state to a crystalline state. A method for manufacturing an optical information recording medium, characterized by being changed.
【請求項2】請求項1において、前記光を光学的フィル
タを介して照射するようにしたことを特徴とする光学的
情報記録媒体の製造方法。
2. The method for manufacturing an optical information recording medium according to claim 1, wherein said light is irradiated through an optical filter.
【請求項3】請求項2において、前記光学的フィルタ
は、前記基板、または前記無機保護膜と同一の材質から
なることを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
3. The method for manufacturing an optical information recording medium according to claim 2, wherein said optical filter is made of the same material as said substrate or said inorganic protective film.
【請求項4】基板上に、無機保護膜と、記録膜とを形成
する光学的情報記録媒体の製造装置であって、 前記記録膜の全体に、前記記録膜の非晶質状態における
光吸収端波長以下で、かつ、前記基板及び前記無機保護
膜が吸収性を持たない範囲の光を照射する照射手段を備
え、 一括して前記記録膜を非晶質状態から結晶質状態に変え
るようにした構成であることを特徴とする光学的情報記
録媒体の製造装置。
4. An apparatus for manufacturing an optical information recording medium, wherein an inorganic protective film and a recording film are formed on a substrate, wherein the entire recording film has light absorption in an amorphous state of the recording film. Irradiating means for irradiating light having a wavelength equal to or less than an edge wavelength and in a range where the substrate and the inorganic protective film do not have absorptivity, so that the recording film is changed from an amorphous state to a crystalline state at once. An apparatus for manufacturing an optical information recording medium, comprising:
【請求項5】請求項4において、前記照射手段は、光学
的フィルタを有し、光を照射する構成であることを特徴
とする光学的情報記録媒体の製造装置。
5. An apparatus for manufacturing an optical information recording medium according to claim 4, wherein said irradiating means has an optical filter and irradiates light.
【請求項6】請求項5において、前記光学的フィルタ
は、前記基板、または前記無機保護膜と同一の材質から
なることを特徴とする光学的情報記録媒体の製造装置。
6. An apparatus according to claim 5, wherein said optical filter is made of the same material as said substrate or said inorganic protective film.
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JPS6297885A (en) * 1985-10-25 1987-05-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Laser beam recording member and production thereof
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