JP2770578B2 - Photo CVD method - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、各種材料のCVDにお
いて、レジスト塗布、露光、レジスト剥離などのプロセ
ス無しで、光利用によって空間選択性良くパターニング
できるCVD方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a CVD method capable of performing patterning with good spatial selectivity by utilizing light without using processes such as resist coating, exposure, and resist stripping in CVD of various materials.
【0002】[0002]
【従来の技術】熱CVD中に光を照射し、光照射部での
CVD膜成長を抑制することによって直接CVD膜のパ
ターニングを行う光反転CVDは、光照射部に膜を成長
させる通常の光CVD方法に比べて、気相分解による降
り積もりの影響を除去できるため、パターン転写の分解
能を向上させることが出来る。この方法の従来例とし
て、岸田の発明による特開昭62−116786号公報
(特願昭60−254582号)「表面選択処理方法」
や、杉田らの発表による第36回応用物理学関係連合講
演会(1989年春季)第2分冊592頁、講演番号2
p−L−5「シンクロトロン放射光を用いたポジ型パタ
ーン転写CVD」例がある。これらの方法を要約してま
とめると、基板・吸着子間結合の振動エネルギーに共鳴
する赤外光照射による吸着子の脱離、または、真空紫外
光照射による基板・吸着子間結合切断による吸着子の脱
離を利用するものである。2. Description of the Related Art Photo-inversion CVD, which irradiates light during thermal CVD and suppresses the growth of a CVD film in a light-irradiated portion to directly pattern the CVD film, is a conventional method for growing a film in a light-irradiated portion. Compared with the CVD method, the influence of the accumulation due to the gas phase decomposition can be removed, so that the resolution of pattern transfer can be improved. As a conventional example of this method, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-116786 (Japanese Patent Application No. 60-254582), "Surface Selective Treatment Method", by Kishida's invention.
Sugita et al.'S 36th Joint Lecture on Applied Physics (Spring 1989), second volume, 592 pages, lecture number 2
There is an example of pL-5 "positive pattern transfer CVD using synchrotron radiation". These methods can be summarized as follows: desorption of an adsorbent by infrared light that resonates with the vibration energy of the bond between the substrate and the adsorbent, or adsorbent by breaking the bond between the substrate and the adsorbent by irradiation with vacuum ultraviolet light This is to utilize the desorption.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上述の従来法によるC
VD膜のパターニング方法は、基板上の所望の部分にの
み光を照射し、この光照射部でのCVDを抑制すること
によってパターニングを行っている。CVDの抑制を、
基板・吸着子間結合の振動エネルギーに共鳴する赤外光
照射による吸着子の脱離で行う場合、赤外光によって基
板が加熱されるので、吸着子の脱離だけでなく熱分解に
よる堆積が生じ、CVDの抑制は不十分になる。また、
真空紫外光照射による基板・吸着子間結合切断による吸
着子の脱離によってCVDの抑制を行う場合、基板・吸
着子間の結合切断だけでなく、吸着子内の結合切断によ
る光化学的CVDが生じ、CVDの抑制は不十分にな
る。SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned conventional method C
In the patterning method of the VD film, patterning is performed by irradiating light only to a desired portion on the substrate and suppressing CVD at the light irradiation portion. The suppression of CVD
In the case of desorption of an adsorbent by irradiating infrared light that resonates with the vibration energy of the bond between the substrate and the adsorbent, the substrate is heated by the infrared light. And the suppression of CVD becomes insufficient. Also,
When CVD is suppressed by detachment of the adsorbent by breaking the bond between the substrate and the adsorbent by irradiation with vacuum ultraviolet light, photochemical CVD occurs not only by breaking the bond between the substrate and the adsorbent but also by breaking the bond within the adsorber. In addition, the suppression of CVD becomes insufficient.
【0004】また、このようなCVD抑制のメカニズム
からくる不十分さ以外に、光源の種類の制約がある。結
合の振動エネルギーに共鳴する赤外光照射によって吸着
子を脱離させる方法では、照射光のエネルギーを振動エ
ネルギーに共鳴させる必要がある。また、吸着子の種類
は通常一種類ではないので、全ての吸着子を脱離させる
には、それぞれに共鳴した光を使用しなければならない
ので、用意すべき光源の数が多くなり、装置構成上の障
害になる。In addition to the insufficiency caused by such a mechanism for suppressing CVD, there is a restriction on the type of light source. In the method of desorbing an adsorbent by irradiating infrared light that resonates with the vibration energy of the bond, it is necessary to resonate the energy of the irradiation light with the vibration energy. Also, since the type of adsorbent is usually not one type, in order to desorb all the adsorbents, it is necessary to use light that resonates with each other. Obstacles.
【0005】一方、紫外光照射によって基板・吸着子間
結合を切断して吸着子を脱離させる方法では、吸着子の
価電子励起によって、結合性軌道にある電子を反結合性
軌道へ移動させることによって行う。このことは、光励
起の始状態と、終状態が決まっていることを意味するの
で、このエネルギーに相当する波長の光の使用に限定さ
れる。また、更に波長が短い真空紫外光を用いた場合、
吸着子のイオン化が起こり、これによって吸着子・基板
間の結合が切れて吸着子の脱離が起き、真空紫外光照射
領域でのCVDを抑制できる。この場合、用いる光のエ
ネルギーは、イオン化の閾値エネルギーより大きければ
良いので、上記2つの方法に比べて波長の制約が緩くな
る。しかし、価電子励起によるイオン化では、吸着子脱
離によるCVDの抑制はまだ不十分であるという問題が
あり、実用的でなかった。[0005] On the other hand, in the method in which the bond between the substrate and the adsorbent is broken by irradiation with ultraviolet light to desorb the adsorbent, electrons in the bond orbital are moved to the antibonding orbit by valence electron excitation of the adsorbent. By doing. Since this means that the starting state and the ending state of the photoexcitation are determined, the use of light having a wavelength corresponding to this energy is limited. Also, when vacuum ultraviolet light with a shorter wavelength is used,
Ionization of the adsorbent occurs, whereby the bond between the adsorbent and the substrate is broken, desorption of the adsorbent occurs, and CVD in the vacuum ultraviolet light irradiation region can be suppressed. In this case, the energy of the light to be used is only required to be larger than the threshold energy of ionization, so that the restriction on the wavelength is relaxed as compared with the above two methods. However, ionization by valence electron excitation is not practical because there is a problem that the suppression of CVD by desorption of an adsorbent is still insufficient.
【0006】また、光の回折効果によるCVD膜のパタ
ーニング上の問題がある。光照射領域はマスクの開口部
の形状で決まり、パターニング後のCVD膜のエッジ形
状の切れの良さは、マスクの開口部での光の回折による
非照射部への光の回り込みを、如何に抑えるかよって決
まる。この回り込みの大きさは、光の波長に比例するの
で、赤外光を使用するよりも、もっと波長の短い真空紫
外光を使う方が回折による光の回り込みを抑えることが
出来る。しかし、これまでに使用されている波長では、
まだ回折効果の抑制は不十分である。There is also a problem in patterning a CVD film due to the light diffraction effect. The light irradiation region is determined by the shape of the opening of the mask, and the sharpness of the edge shape of the CVD film after patterning is reduced by suppressing the light from flowing into the non-irradiated portion due to diffraction of light at the opening of the mask. It depends. Since the magnitude of this wraparound is proportional to the wavelength of the light, wraparound of light due to diffraction can be suppressed by using vacuum ultraviolet light having a shorter wavelength than by using infrared light. However, at the wavelengths used so far,
The suppression of the diffraction effect is still insufficient.
【0007】本発明の目的は、光照射部での吸着子の脱
離促進による効果的なCVD抑制を行い、しかも、所望
の波長を発する光源の選択幅を大きく採れ、また、同時
に、光の回折効果を抑え、光照射部と非照射部の境界の
エッジの切れが良くて空間選択性がよい光反転パターニ
ングCVD方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to effectively suppress CVD by promoting desorption of an adsorbent in a light irradiation section, and to obtain a wide selection range of a light source emitting a desired wavelength. An object of the present invention is to provide a photoreversal patterning CVD method in which the diffraction effect is suppressed, the edge at the boundary between the light-irradiated portion and the non-irradiated portion is well cut, and the space selectivity is good.
【0008】[0008]
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】 本発明の光CVD方法に
よれば、 熱CVD中に光を照射するCVD方法におい
て、光照射によって照射部の表面組成を非照射部と変
え、照射部でのCVD反応を抑制することによって、非
照射部のみにCVD膜を選択的に形成することを特徴と
する。 According to the present invention, there is provided a photo-assisted CVD method.
According If, in the CVD method of irradiating light into thermal CVD, changing a non-irradiated portion of the surface composition of the irradiated portion by the light irradiation, by suppressing the CVD reaction at the irradiated portion, the non
The method is characterized in that a CVD film is selectively formed only on an irradiated portion .
【0010】また、上記の光CVD方法において上述の
CVD中の光照射の工程に先立って、基板の清浄表面を
露出させる工程を含むことを特徴とする。その表面の清
浄化には電子や粒子のビームまたは高エネルギーの光の
照射により行なうことができる。Further, the above-mentioned optical CVD method is characterized in that a step of exposing a clean surface of the substrate is included prior to the above-mentioned step of light irradiation during CVD. The surface can be cleaned by irradiation with a beam of electrons or particles or high-energy light.
【0011】[0011]
【作用】本発明の作用上の特徴は、(1)基板、また
は、吸着子を構成する原子の内、少なくとも1つの原子
の内殻励起による吸着子の分解・脱離の促進、あるい
は、このような短波長光を用いた表面組成改質による吸
着阻害と、(2)内殻励起可能な光の波長が従来使用さ
れていた光に比べて短波長であることによる回折効果の
抑制との2つの要因に帰着する。The operational features of the present invention are as follows: (1) Acceleration or desorption of an adsorbent by inner-shell excitation of at least one of the atoms constituting the substrate or the adsorbent; Adsorption inhibition by surface composition modification using such short-wavelength light and (2) suppression of the diffraction effect due to the fact that the wavelength of light capable of core excitation is shorter than that of conventionally used light. This results in two factors.
【0012】本発明の方法によるCVDの抑制方法の1
つは、内殻励起で形成された内殻ホールのカスケード的
なオージェ遷移によって形成された、吸着子の不安定な
多価イオンの分解・脱離によって行われる。これまで、
気相中での有機金属化合物やSiH4 などの分解反応で
は、これを構成する原子の内殻を励起する方が、価電子
を励起するよりも、解離度の高い分解生成物ができるこ
とが知られている。これらのことは、例えば、ナガオカ
(Nagaoka)らによってケミカル フィジクス
レターズ誌(Chem.Phy.Lett.)第154
巻(1988)の363ページから368ページに発表
された論文や、ヤギシタ(Yagisita)らによっ
てケミカル フィジクス レターズ誌(Chem.Ph
y.Lett.)第132巻(1986)の437ペー
ジから440ページに発表された論文に見られる。One of the methods of suppressing CVD by the method of the present invention is as follows.
The first is the decomposition and elimination of unstable multiply-charged ions of the adsorbent formed by the cascaded Auger transition of inner-shell holes formed by inner-shell excitation. Until now,
It is known that in a decomposition reaction of an organometallic compound or SiH 4 in a gas phase, a decomposition product having a higher degree of dissociation can be formed by exciting the inner shell of the atoms constituting the compound than by exciting a valence electron. Have been. These are described, for example, by Nagaoka et al. In Chemical Physics.
Letters Magazine (Chem. Phy. Lett.) 154
Vol. (1988), pages 363 to 368, and a paper published by Yagita et al. In Chemical Physics Letters (Chem. Ph.
y. Lett. This can be seen in the paper published on pages 437 to 440 of Volume 132 (1986).
【0013】このような、これまでに報告されている気
相反応だけではなく、基板上の吸着分子についても内殻
を励起する方が解離度が上がるだけでなく、解離生成物
の脱離が促進されることが、本発明者の実験結果から分
かった。従って、従来の赤外光や、真空紫外光を用いて
CVDを抑制するよりも、内殻を励起できる程の短波長
の光を用いた方が、CVDの抑制効果がある。そのた
め、光照射部にCVDを行う場合に問題となる、光照射
領域以外への気相生成活性種の拡散による空間選択性の
低下を、光照射部での拡散してくる活性種の脱離、吸着
分子の脱離によるCVD抑制でパターニングを行うこと
によって、従来技術に比べて顕著に空間選択性を向上さ
せることができる。[0013] Exciting the inner shell of not only the gas phase reaction reported so far but also the adsorbed molecules on the substrate not only increases the degree of dissociation but also desorbs dissociation products. It was found from the inventor's experimental results that it was accelerated. Therefore, the use of light having a short wavelength enough to excite the inner shell has a more effective effect of suppressing CVD than the conventional method of suppressing CVD using infrared light or vacuum ultraviolet light. For this reason, the decrease in spatial selectivity due to the diffusion of the active species generated in the gaseous phase to a region other than the light irradiation region, which is a problem when performing CVD on the light irradiation unit, is due to the desorption of the active species diffused in the light irradiation unit. In addition, by performing patterning by suppressing CVD due to desorption of adsorbed molecules, spatial selectivity can be significantly improved as compared with the related art.
【0014】また、本発明の方法による第2のCVDの
抑制方法は、吸着子の光分解による表面組成の改質によ
って、原料ガスの吸着を阻害するものである。本発明者
の実験結果から、この改質の効果は、内殻を励起できな
い波長の光でも生じるが、内殻励起可能な波長の光を用
いた方が顕著に現れることが分かった。従って、このよ
うな波長の光を用いると、照射部と非照射部の組成の差
を大きくでき、その結果、照射部でのCVD抑制効果が
大きくなる。また、この表面改質によるCVDの抑制
は、光の照射部と非照射部との吸着反応の速度差を利用
している。In the second method for suppressing CVD according to the method of the present invention, adsorption of a raw material gas is inhibited by modifying the surface composition by photolysis of an adsorbent. From the experimental results of the inventor, it has been found that the effect of the modification occurs even with light having a wavelength that cannot excite the inner shell, but is more remarkable when light having a wavelength that can excite the inner shell is used. Therefore, when light having such a wavelength is used, the difference in composition between the irradiated portion and the non-irradiated portion can be increased, and as a result, the effect of suppressing CVD in the irradiated portion increases. The suppression of CVD by the surface modification utilizes the difference in the speed of the adsorption reaction between the light-irradiated portion and the non-irradiated portion.
【0015】基板表面が清浄表面であれば、この表面は
活性なので、吸着分子の分解反応が低温で始まる。従っ
て、光照射による表面改質工程に先立って、表面を清浄
化する工程を行うことによって、CVD抑制効果を広い
温度領域に渡り実現できる。空間選択性については、光
照射領域以外へ気相生成活性種が拡散しても、照射部で
の密な表面組成改質に比べて改質される度合が低いので
CVDを抑制するに至らず、従来技術に比べて空間選択
性を非常に向上させることができる。If the surface of the substrate is a clean surface, this surface is active, and the decomposition reaction of the adsorbed molecules starts at a low temperature. Therefore, by performing a step of cleaning the surface prior to the surface modification step by light irradiation, the effect of suppressing CVD can be realized over a wide temperature range. Regarding spatial selectivity, even if the active species generated in the gas phase diffuses to a region other than the light irradiation region, the degree of modification is lower than that of the dense surface composition modification in the irradiation part, so that the CVD cannot be suppressed. In addition, spatial selectivity can be greatly improved as compared with the prior art.
【0016】また、光照射部でのCVD抑制によって膜
をパターニングする場合、基板上への光照射領域を決め
るマスクの開口部の端で回折された回折光が、非照射部
にも照射される。その結果、回折されずに直進する光に
よる照射部だけでなく、非照射部でも回折光によってC
VDが部分的に抑制されてしまい、所望の形状にCVD
膜をパターニングできない。しかし、用いる光の波長が
内殻励起可能なほど短波長になると、これまで使用され
ている赤外光や価電子励起可能な真空紫外光に比べて、
回折光の強度、及び、回り込みが2〜3桁小さくなるの
で、直進する光による照射部だけでCVDを抑制でき、
所望の形状にCVD膜をパターニングできる。In the case where the film is patterned by suppressing the CVD in the light irradiation part, the diffracted light diffracted at the end of the opening of the mask which determines the light irradiation area on the substrate is also irradiated to the non-irradiation part. . As a result, not only the irradiated part by the light that goes straight without being diffracted, but also the non-irradiated part,
VD is partially suppressed, and the CVD
The film cannot be patterned. However, when the wavelength of the light used is short enough to be able to excite the inner shell, compared to the infrared light and vacuum ultraviolet light that can be used to excite valence electrons, which have been used so far,
Since the intensity of the diffracted light and the wraparound are reduced by two to three orders of magnitude, it is possible to suppress the CVD only by the irradiation part by the light traveling straight,
The CVD film can be patterned into a desired shape.
【0017】以上説明したように本発明の光CVD方法
によれば、マスクパターンを反転した、空間選択性の良
い、高品質のCVD膜が形成できる。As described above, according to the photo-CVD method of the present invention, a high-quality CVD film having an inverted mask pattern and good spatial selectivity can be formed.
【0018】[0018]
【実施例】以下、本発明光CVD方法の第1の実施例に
ついて図1を参照しながら説明する。本実施例では、S
iデバイスの形成において、Al配線を選択的に形成す
る場合について述べる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the photo-CVD method according to the present invention will be described below with reference to FIG. In this embodiment, S
A case in which an Al wiring is selectively formed in forming an i-device will be described.
【0019】図1(a)は、Si基板11上に熱酸化膜
12がパターニングされており、この上の全面にpol
y−Si膜13が成膜されている。FIG. 1A shows that a thermal oxide film 12 is patterned on a Si substrate 11 and a pol
A y-Si film 13 is formed.
【0020】図1(b)には、図1(a)の基板上に、
Al配線14を光15を用いて直接パターニングしなが
ら堆積させ、Al配線14をpoly−Si膜13を介
してSi基板11に対して電気的コンタクトを形成する
方法を示してある。具体的成膜方法を以下に示す。FIG. 1 (b) shows that the substrate shown in FIG.
A method is shown in which an Al wiring 14 is deposited while being directly patterned using light 15, and an electrical contact is formed between the Al wiring 14 and the Si substrate 11 via the poly-Si film 13. A specific film forming method will be described below.
【0021】図1(a)の構造を持つ基板をCVDチャ
ンバに装着し、Al原料としてのジメチルアルミニウム
ハイドライド、Al(CH3 )2Hをチャンバ内に導入
し、基板温度を300℃にして熱CVDを行う。光15
としてAl原子、C原子、Si原子の内殻を励起できる
100eVよりも高エネルギーのシンクロトロン放射光
を用い、マスク16で配線形成領域に光15を当てない
ようにして、この光の当たらない部分にのみAlのCV
Dを行いAl配線14を形成する。即ちマスクパターン
を反転した配線となる。このようにして、Al配線14
を光15を用いて直接パターニングしながら堆積させ、
電気的コンタクトを形成することができる。A substrate having the structure shown in FIG. 1A is set in a CVD chamber, dimethyl aluminum hydride and Al (CH 3 ) 2 H as an Al material are introduced into the chamber, and the substrate is heated to 300 ° C. Perform CVD. Light 15
Using synchrotron radiation having a higher energy than 100 eV, which can excite the inner shells of Al, C and Si atoms. Al CV only
D is performed to form the Al wiring 14. That is, the wiring is obtained by inverting the mask pattern. Thus, the Al wiring 14
Is deposited while directly patterning using light 15,
Electrical contacts can be formed.
【0022】この後、堆積させたAlをマスクにして、
poly−Siをプラズマエッチングで取り除いてAl
配線形成プロセスが終了する。この方法でAl配線を形
成した後、この配線とコンタクトを形成していない配線
との間の抵抗を測定したところ電気的リークはなく、絶
緑は良好であった。Thereafter, using the deposited Al as a mask,
Poly-Si is removed by plasma etching to remove Al
The wiring forming process ends. After forming the Al wiring by this method, the resistance between this wiring and the wiring having no contact was measured. As a result, there was no electric leak and the green color was good.
【0023】本発明の第2の実施例について説明する。
第1の実施例と同じSiデバイスの形成プロセスにおけ
るAl配線の形成について図2を用いて述べる。図2は
CVD工程を説明する断面模式図である。先の実施例と
同じ構造の基板を超高真空のチャンバーに設置し、図2
(a)の様に、電子ビームシャワー17を照射し、po
ly−Si膜13の表面を終端している水素原子を取り
除いて清浄表面を出す。A second embodiment of the present invention will be described.
The formation of Al wiring in the same Si device formation process as in the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic sectional view illustrating the CVD process. A substrate having the same structure as that of the previous embodiment was placed in an ultra-high vacuum chamber, and FIG.
As shown in (a), the electron beam shower 17 is irradiated,
The hydrogen atoms terminating the surface of the ly-Si film 13 are removed to obtain a clean surface.
【0024】次に、Al原料としてのAl(CH3 )2
Hをチャンバ内に導入し、基板温度を200℃にして熱
CVDを行う。清浄表面が出ていないときは、250℃
以下ではCVDは生じないが、清浄表面を出すことによ
って、200℃でもCVDが生じる。光15としてAl
原子、C原子、Si原子の内殻を励起可能な4nm近傍
の波長の放射光を用い、マスク16で配線形成領域に光
15を当てないようにして、この光の当たらない部分に
のみ即ちマスクの開口形状を反転した部分に、AlのC
VDを行い図2(b)に示すようにAl配線14を形成
する。このようにして、Al配線14を光15を用いて
直接パターニングしながら堆積させ、電気的コンタクト
を形成することができる。Next, Al (CH 3 ) 2 as an Al raw material
H is introduced into the chamber, the substrate temperature is set to 200 ° C., and thermal CVD is performed. 250 ° C if no clean surface
In the following, CVD does not occur, but by producing a clean surface, CVD occurs even at 200 ° C. Al as light 15
Using radiation light having a wavelength of about 4 nm capable of exciting the inner shell of atoms, C atoms, and Si atoms, the mask 16 is used to prevent the light 15 from being applied to the wiring formation region. In the portion where the opening shape of
VD is performed to form an Al wiring 14 as shown in FIG. In this way, the Al wiring 14 can be deposited while being directly patterned using the light 15 to form an electrical contact.
【0025】この後、堆積させたAlをマスクにして、
poly−Siをプラズマエッチングで取り除いてAl
配線形成プロセスが終了する。光照射部でのCVDの抑
制効果は、poly−Si膜13の清浄化を行わなかっ
た第1の実施例に比べて、大きい。また本実施例は回折
光の回り込みが十分小さいので、マスクの反転パターン
を正確に反映し、エッジでの切れの良いパターンが形成
できた。Then, using the deposited Al as a mask,
Poly-Si is removed by plasma etching to remove Al
The wiring forming process ends. The effect of suppressing the CVD in the light irradiation part is larger than that in the first embodiment in which the poly-Si film 13 is not cleaned. In this embodiment, since the wraparound of the diffracted light is sufficiently small, the inverted pattern of the mask is accurately reflected, and a pattern with sharp edges can be formed.
【0026】この例では、清浄表面を出すのに、電子ビ
ームシャワーを用いたが、これ以外にも、イオンビーム
や高エネルギーの光を照射してもよい。また、デバイス
の構造上、加熱による清浄化が出来れば、この方法でも
よい。In this example, an electron beam shower was used to expose the clean surface. Alternatively, an ion beam or high-energy light may be applied. In addition, this method may be used as long as cleaning by heating can be performed due to the structure of the device.
【0027】以上の実施例では、Al(CH3 )2 Hを
原料としたAlの反転CVDについて述べたが、原料は
これに限られることはなく、トリイソブチルアルミニウ
ム、Al−iso(C4 H9 )3 等の他の有機金属でも
良いし、塩素原子を含んでいても良い。また、基板も実
施例に限らず、他の半導体基板でも有効である。In the above embodiment, the inverse CVD of Al using Al (CH 3 ) 2 H as a raw material has been described. However, the raw material is not limited to this, and triisobutylaluminum and Al-iso (C 4 H 9 ) Other organic metals, such as 3 , may be used, or may contain chlorine atoms. Also, the substrate is not limited to the embodiment, and other semiconductor substrates are also effective.
【0028】また、反転CVDさせるものも、Alに限
らず、CuやAu等の金属を初め、SiやGaAs等の
半導体やこれらの混晶であってもよいし、SiO2 を初
めとする絶緑膜であっても良い。これらの成長するもの
に応じて、基板や原料ガスや,光のエネルギー、基板温
度などの成長条件を、作用の項で述べた原理に合うよう
に変えればよい。Further, even those to invert CVD, not limited to Al, initially a metal such as Cu or Au, may be a semiconductor or a mixed crystal thereof, such as Si or GaAs, absolute including the SiO 2 It may be a green film. The growth conditions such as the substrate, source gas, light energy, and substrate temperature may be changed in accordance with the principles described in the section of the operation in accordance with the type of growth.
【0029】[0029]
【発明の効果】本発明によれば、各種材料のCVDにお
いて、レジスト塗布、露光、レジスト剥離などのプロセ
ス無しで、高エネルギー光の利用によって、所望の微細
パターン形状においても、マスクパターンを反転した、
空間選択性良くパターニングできる光CVD方法を得る
ことができる。According to the present invention, in the CVD of various materials, the mask pattern is inverted even in a desired fine pattern shape by utilizing high energy light without processes such as resist coating, exposure, and resist peeling. ,
An optical CVD method capable of patterning with good spatial selectivity can be obtained.
【図1】本発明の光CVD方法を配線形成を例にして説
明するための図である。FIG. 1 is a view for explaining an optical CVD method of the present invention by taking wiring formation as an example.
【図2】本発明の光CVD方法を配線形成を例にして説
明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a photo CVD method of the present invention by taking wiring formation as an example.
11 Si基板 12 熱酸化膜 13 poly−Si膜 14 Al配線 15 光 16 マスク 17 電子ビームシャワー Reference Signs List 11 Si substrate 12 Thermal oxide film 13 Poly-Si film 14 Al wiring 15 Light 16 Mask 17 Electron beam shower
Claims (2)
おいて、光照射によって照射部の表面組成を非照射部と
変え、照射部でのCVD反応を抑制することによって、
非照射部のみにCVD膜を選択的に形成することを特徴
とする光CVD方法。 In a CVD method of irradiating light during thermal CVD, a surface composition of an irradiated portion is changed to a non-irradiated portion by light irradiation to suppress a CVD reaction in the irradiated portion,
An optical CVD method characterized by selectively forming a CVD film only on a non-irradiated portion.
に、光照射を用いたCVD工程を行うことを特徴とする
請求項1記載の光CVD方法。 Wherein after the step of exposing the clean surface of the substrate, the optical CVD method according to claim 1, characterized in that the CVD process using the light irradiation.
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JP3034756A JP2770578B2 (en) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Photo CVD method |
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