JP2748980B2 - X-ray exposure apparatus and X-ray exposure method - Google Patents
X-ray exposure apparatus and X-ray exposure methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 Ｘ線露光技術を用いて、微細なパターンを転写・形成
するＸ線リソグラフィに関し、 Ｘ線マスクの温度上昇を防止し、かつ全体が均一な温
度となるようにすることで、高精度なパターン転写を可
能とすることを目的とし、 ウェハー上に近接配置されたＸ線マスクを用いて、ス
テップ・アンド・リピート法で、パターンを転写するＸ
線露光装置において、 前記ウェハーの外側の、前記Ｘ線マスクが前記ウェハ
ーからはみ出す領域に、放熱体を設け、 該放熱体の上面と前記ウェハーの上面を同一面上に揃
えてなる構成とする。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] Regarding X-ray lithography for transferring and forming a fine pattern using an X-ray exposure technique, it is possible to prevent the temperature of an X-ray mask from rising and keep the entire temperature at a uniform temperature. With the aim of enabling high-precision pattern transfer, a pattern transfer method using a step-and-repeat method using an X-ray mask placed close to the wafer is used.
In the line exposure apparatus, a radiator is provided in a region outside the wafer, where the X-ray mask protrudes from the wafer, and the upper surface of the radiator and the upper surface of the wafer are aligned on the same plane.
本発明は、Ｘ線露光技術を用いて、微細なパターンを
転写・形成するＸ線リソグラフィに関する。The present invention relates to X-ray lithography for transferring and forming a fine pattern using an X-ray exposure technique.
第５図は従来のＸ線露光方法を示す側面図である。１
はウェハーチャックであり、真空吸引孔２…を利用し
て、ウェハー３を吸着した状態で、Ｘ線マスク４の上か
らＸ線５を照射し、パターンの転写が行なわれる。ウェ
ハー３としては、通常Siなどから成り、厚さが0.5〜1.0
mm程度のものが多用され、表面には感Ｘ線性レジストが
塗布されている。FIG. 5 is a side view showing a conventional X-ray exposure method. 1
Is a wafer chuck, which irradiates X-rays 5 from above the X-ray mask 4 in a state where the wafer 3 is sucked using the vacuum suction holes 2 to transfer a pattern. The wafer 3 is usually made of Si or the like and has a thickness of 0.5 to 1.0.
Those having a diameter of about mm are frequently used, and an X-ray sensitive resist is applied to the surface.
Ｘ線マスク４は、SiやSiNx、SiCなどから成る、膜厚
が１〜４μｍの支持体（メンンブレン）６に、Ｘ線吸収
特性にすぐれたAuやTa、Ｗなどを0.5〜1.5μｍていど成
膜して、Ｘ線吸収体のパターン７が設けられている。メ
ンブレン６の外周は、セラミックやガラスなどから成る
枠ｆに取り付けられている。The X-ray mask 4 is composed of a support (membrane) 6 made of Si, SiNx, SiC or the like and having a film thickness of 1 to 4 μm, and Au, Ta, W, etc. having excellent X-ray absorption characteristics being 0.5 to 1.5 μm. An X-ray absorber pattern 7 is provided after film formation. The outer periphery of the membrane 6 is attached to a frame f made of ceramic, glass, or the like.
第６図は、ウェハー３上に、Ｘ線露光を行なっている
状態の平面図である。円形のウェハー３上に、ステッパ
ーにより、ステップ・アンド・リピート法で縦横に、１
ショットずつＸ線による露光を繰り返す。FIG. 6 is a plan view showing a state where X-ray exposure is being performed on the wafer 3. Stepwise and repeatably on a circular wafer 3 by a stepper,
The X-ray exposure is repeated for each shot.
ウェハー３の外周付近では、鎖線で示すＸ線マスク４
のＸ線吸収パターン７が、ウェハー３の領域内に重なる
個所のみ、チップ８…が形成される。このように、ウェ
ハー３の外周部では、Ｘ線マスク４が、ウェハー３の領
域からはみ出すショットが発生する。In the vicinity of the outer periphery of the wafer 3, an X-ray mask 4 indicated by a chain line
Chips 8 are formed only where the X-ray absorption pattern 7 overlaps with the region of the wafer 3. As described above, in the outer peripheral portion of the wafer 3, a shot occurs in which the X-ray mask 4 protrudes from the region of the wafer 3.
そのため、第５図に示すように、Ｘ線マスクのメンブ
レン６が、ウェハー３と接近している領域と、ウェハー
３が存在しないために、空間９に対向している領域とが
発生する。Therefore, as shown in FIG. 5, a region where the membrane 6 of the X-ray mask is close to the wafer 3 and a region where the wafer 3 does not exist and face the space 9 are generated.
より精密な露光を行なうために、Ｘ線マスクは可能な
限りウェハー３に接近させ、メンブレン６との隙間は10
〜40μｍ程度が求められる。またＸ線に対し低減衰性の
Heガスが充填される。さらに、形成されるパターンが微
細であるために、Ｘ線マスクとウェハー３との位置合わ
せも高精度が要求される。In order to perform more precise exposure, the X-ray mask should be as close as possible to the wafer 3 and the gap with the membrane 6 should be 10 mm.
4040 μm is required. Low attenuation for X-ray
He gas is charged. Further, since the pattern to be formed is fine, high precision is required also for the alignment between the X-ray mask and the wafer 3.
鮮明度の高いパターンを得るには、Ｘ線の光源とし
て、輝度の強いシンクロトロン放射光を用いることが望
まれるが、放射光によって、Ｘ線マスクが加熱され、変
形する問題がある。In order to obtain a pattern with high definition, it is desired to use synchrotron radiation having a high luminance as a light source for X-rays. However, there is a problem that the X-ray mask is heated and deformed by the radiation.
ところで、転写精度の向上のために、Ｘ線マスクをウ
ェハー３に接近させればさせるほど、放射光で加熱され
たＸ線マスク４の熱は、Heの熱伝導によって、ウェハー
３側に伝わり、放熱される。しかしながら、ウェハー３
の外側は、ウェハー３が存在せず、空間９となっている
ため、熱伝導が悪く、Ｘ線マスクの熱の逃げ場が無い。
また対流と輻射による放熱な極わずかに過ぎない。その
ために、メンブレン６のウェハー３より外側の領域が過
熱し、この過熱やウェハー３の上側の領域との温度差
（１〜４゜程度）によって、膜状のメンブレン６が熱伸
縮し、メンブレン６上のＸ線吸収体のパターン７が位置
ずれしたりする恐れがある。その結果、高精度なパター
ン転写（Ｘ線露光）が困難になる。By the way, in order to improve the transfer accuracy, the closer the X-ray mask is to the wafer 3, the more the heat of the X-ray mask 4 heated by the radiated light is transmitted to the wafer 3 by heat conduction of He. Heat is dissipated. However, wafer 3
Since there is no wafer 3 and the space 9 outside, heat conduction is poor and there is no escape for heat of the X-ray mask.
Moreover, heat dissipation by convection and radiation is only a very small amount. As a result, the region of the membrane 6 outside the wafer 3 is overheated, and due to the overheating and the temperature difference (about 1 to 4 °) with the region above the wafer 3, the membrane 6 expands and contracts thermally, and the membrane 6 There is a possibility that the upper X-ray absorber pattern 7 is displaced. As a result, highly accurate pattern transfer (X-ray exposure) becomes difficult.
本発明の技術的課題は、このような問題を解消し、Ｘ
線マスクの過熱を防止し、かつ全体が均一な温度となる
ようにすることで、高精度なパターン転写を可能とする
ことにある。The technical problem of the present invention is to solve such a problem,
An object of the present invention is to make it possible to transfer a pattern with high accuracy by preventing overheating of a line mask and making the temperature of the line mask uniform.
第１図は本発明によるＸ線露光装置およびＸ線露光方
法の基本原理を説明する断面図である。ウェハー３を保
持するチャック１を支持するために、ホルダー10を設
け、このホルダー10の外周の拡張領域10aを、Ｘ線マス
ク４の放熱体にしている。すなわち、ウェハー３の外周
のＸ線マスク４が被さる領域まで、ホルダー10を拡張す
る。また、この拡張領域10aの上面10bを、ウェハー３の
面と同一面上に揃えてから、Ｘ線によるパター転写を行
なう。FIG. 1 is a sectional view for explaining the basic principle of an X-ray exposure apparatus and an X-ray exposure method according to the present invention. A holder 10 is provided to support the chuck 1 holding the wafer 3, and an extended area 10 a on the outer periphery of the holder 10 is used as a heat radiator of the X-ray mask 4. That is, the holder 10 is extended to a region on the outer periphery of the wafer 3 covered by the X-ray mask 4. After aligning the upper surface 10b of the extended region 10a with the surface of the wafer 3, the pattern transfer by X-rays is performed.
このうように、放熱体となるホルダー拡張領域10aの
上面10bとウェハー３の面を揃えるには、ウェハー３を
保持するウェハーチャック１を、上下機構11を介して配
設し、上下機構11によって、ウェハー上面を、ウェハー
ホルダーの拡張領域10aの面10bと同一面に揃える。As described above, in order to align the upper surface 10b of the holder extension region 10a serving as a heat radiator with the surface of the wafer 3, the wafer chuck 1 holding the wafer 3 is disposed via the up-down mechanism 11, and the up-down mechanism 11 Then, the upper surface of the wafer is aligned with the surface 10b of the extended area 10a of the wafer holder.
このように、ウェハー３の外側には、ホルダー10の拡
張領域10aを設けて、その上面とウェハー３の面を同一
面に揃えてから、Ｘ線マスク４による露光を行なう。そ
のため、Ｘ線マスク４の下側のウェハー３の存在しない
領域は、拡張領域10aが存在し、かつＸ線マスク４と拡
張領域10aとの間の隙間も、Ｘ線マスク４とウェハー３
との隙間と同一なため、Ｘ線マスク４の下側のウェハー
３の存在しない領域も、ウェハー３側と同じ条件で、Ｘ
線マスク４から拡張領域10aに熱が伝導し、放熱され
る。As described above, the extended region 10a of the holder 10 is provided outside the wafer 3, and the upper surface thereof and the surface of the wafer 3 are aligned on the same plane, and then the exposure with the X-ray mask 4 is performed. Therefore, in the region where the wafer 3 does not exist below the X-ray mask 4, the extension region 10 a exists, and the gap between the X-ray mask 4 and the extension region 10 a also increases.
In the area where the wafer 3 does not exist under the X-ray mask 4, X
Heat is conducted from the line mask 4 to the extension region 10a, and is radiated.
その結果、Ｘ線によりＸ線マスク４が加熱されても、
Ｘ線マスク４が放熱され、かつ温度が均一化し、Ｘ線マ
スク４の過熱や温度差に起因するメンブレン６の伸縮や
歪みによるＸ線吸収体パターン７の位置ずれなどの問題
が解消され、精密なパターン転写が可能となる。As a result, even if the X-ray mask 4 is heated by X-rays,
The X-ray mask 4 is dissipated heat and the temperature is made uniform, and problems such as displacement of the X-ray absorber pattern 7 due to expansion and contraction or distortion of the membrane 6 due to overheating of the X-ray mask 4 and temperature difference are solved. Pattern transfer becomes possible.
また、Ｘ線マスク４とウェハー３面および拡張領域10
aの上面との隙間を等しくするために、ウェハー３を保
持するウェハーチャック１を、上下機構11を介して、拡
張領域10aを有するホルダー10の内側に配設し、上下機
構11によって、ウェハー上面を、ウェハーホルダーの拡
張領域10aの上面10bと同一面と揃うように操作する。Further, the X-ray mask 4, the surface of the wafer 3 and the extended area 10
In order to equalize the gap with the upper surface of a, the wafer chuck 1 holding the wafer 3 is disposed inside the holder 10 having the extended area 10a via the vertical mechanism 11, and the upper and lower mechanisms 11 Is operated so as to be flush with the upper surface 10b of the extended region 10a of the wafer holder.
そのため、ウェハー３を交換するたびに、上下機構11
を調整するのみで、容易にかつ確実にウェハー面と拡張
領域面10bを揃え、効率的にパターン転写を行なうこと
ができる。Therefore, every time the wafer 3 is replaced,
By simply adjusting the distance, the wafer surface and the extended area surface 10b can be easily and reliably aligned, and pattern transfer can be performed efficiently.
次に本発明によるＸ線露光方法が実際上どのように具
体化されるかを実施例で説明する。第２図は本発明方法
を実施するＸ線落光装置の断面図、第３図は要部の平面
図である。Next, how the X-ray exposure method according to the present invention is actually embodied will be described with reference to examples. FIG. 2 is a sectional view of an X-ray light falling device for implementing the method of the present invention, and FIG. 3 is a plan view of a main part.
Ｘ−Ｙステージ12上に、ホルダー10が載置されてい
る。このホルダー10は、Ｘ線マスク４の放熱のために、
外周に環状の拡張領域10aを有し、その内側において、
例えばピエゾ素子などから成る上下機構11を介して、ウ
ェハーチャック１が載置されている。チャック１には、
真空吸引孔２を有しているため、ウェハー３は、チャッ
ク１に真空吸着によって、保持される。On the XY stage 12, the holder 10 is mounted. This holder 10 is used for heat radiation of the X-ray mask 4.
It has an annular expansion region 10a on the outer circumference, and inside it,
The wafer chuck 1 is placed via an up-down mechanism 11 composed of, for example, a piezo element. Chuck 1 has
Since the wafer 3 has the vacuum suction holes 2, the wafer 3 is held on the chuck 1 by vacuum suction.
拡張領域10aの上面10bは、予め充分な平坦度で加工さ
れており、かつ充分な精度で水平にセットされている。The upper surface 10b of the extension region 10a is previously processed with sufficient flatness, and is set horizontally with sufficient accuracy.
13は隙間検出用のギャップセンサであり、その検出信
号を、上下位置制御回路14に入力することで、各上下機
構11…を制御し、ウェハー３の上下位置を調節する。ま
ず、Ｘ−Ｙステージ12を駆動して、ホルダー10の拡張領
域10aの上面10bをギャップセンサ13の下に移動し、ギャ
ップセンサ13と上面10bとの間のギャップを測定する。Reference numeral 13 denotes a gap sensor for detecting a gap. The detection signal is input to an up / down position control circuit 14 to control the up / down mechanisms 11 to adjust the up / down position of the wafer 3. First, the XY stage 12 is driven to move the upper surface 10b of the extended area 10a of the holder 10 below the gap sensor 13, and measures the gap between the gap sensor 13 and the upper surface 10b.
次いでＸ−Ｙステージ12を駆動して、ギャップセンサ
13の下に、ウェハー３を移動し、ギャップセンサ13とウ
ェハー面とのギャップを測定する。このとき、ギャップ
センサ13からの検出信号を上下位置制御回路14に入力
し、ギャップ測定を行ないながら、各上下機構11…を制
御することで、ウェハー３の上下位置を調節する。Ｘ−
Ｙステージ12を駆動することで、このギャップ測定を、
ウェハー３上で３個所ていど行ない、ウェハー３面を放
熱用拡張領域10aの上面10bと同一高さに合わせる。Next, the XY stage 12 is driven, and the gap sensor
The wafer 3 is moved under the position 13 and the gap between the gap sensor 13 and the wafer surface is measured. At this time, the detection signal from the gap sensor 13 is input to the vertical position control circuit 14, and the vertical position of the wafer 3 is adjusted by controlling each of the vertical mechanisms 11 while performing the gap measurement. X-
By driving the Y stage 12, this gap measurement
The process is repeated at three places on the wafer 3, and the surface of the wafer 3 is adjusted to the same height as the upper surface 10b of the heat dissipation extension region 10a.
このようにして、高さ合わせをした後に、ステッパー
を用い、ステップ・アンド・リピート法で、マスクパタ
ーンを転写することにより、Ｘ線マスク４の温度上昇や
温度むらが抑制され、Ｘ線マスク４のメンブレン６の熱
伸縮や変形が未然に防止される。After the height adjustment, the mask pattern is transferred by a step-and-repeat method using a stepper, whereby the temperature rise and the temperature unevenness of the X-ray mask 4 are suppressed, and the X-ray mask 4 Thermal expansion and deformation of the membrane 6 is prevented.
15はビームラインであり、シンクロトロン放射光を導
くために、高真空になっており、先端には、Ｘ線の減衰
の少ないベリリウムから成る窓板16を有している。Reference numeral 15 denotes a beam line, which is in a high vacuum in order to guide synchrotron radiation, and has a window plate 16 made of beryllium with little attenuation of X-rays at its tip.
第４図は、第２図の実施例装置において、Ｘ線の低減
衰性にすぐれたHeガスの雰囲気で、100mW/cm2の照度の
シンクロトロン放射光を用いて、Ｘ線露光を行なった場
合の、Ｘ線マスク４とウェハー３との間のギャップの値
とＸ線マスク４の温度上昇との関係を示す特性図であ
る。Ｘ線マスク４とウェハー３とのギャップを70μｍに
すると、Ｘ線マスク４は0.5℃温度上昇する。FIG. 4 shows an X-ray exposure using synchrotron radiation with an illuminance of 100 mW / cm 2 in an atmosphere of He gas having excellent X-ray attenuation in the apparatus of the embodiment shown in FIG. FIG. 9 is a characteristic diagram showing a relationship between a value of a gap between the X-ray mask 4 and the wafer 3 and a temperature rise of the X-ray mask 4 in the case. When the gap between the X-ray mask 4 and the wafer 3 is set to 70 μm, the temperature of the X-ray mask 4 rises by 0.5 ° C.
したがって、Ｘ線マスク４内における温度分布を0.5
℃以内に抑制するものと仮定すると、ウェハー３の面と
放熱用面10bとの高さ精度は、70μｍ以内に高さ合わせ
すれば足りる。Therefore, the temperature distribution in the X-ray mask 4 is reduced by 0.5
Assuming that the temperature is controlled to within ° C., the height accuracy between the surface of the wafer 3 and the heat radiation surface 10b only needs to be adjusted within 70 μm.
前記の装置において、雰囲気を空気、あるいは窒素と
し、100mW/cm2の照度のシンクロトロン放射光を用いた
場合は、ウェハー上面と放熱用面10bとの高さ精度は、1
2μｍ以内に高さ合わせしなければならない。このよう
にＸ線の減衰性が大きい雰囲気では、Ｘ線マスク４とウ
ェハー３および放熱用面10bとの間の位置合わせに非常
に高精度が要求される。In the above apparatus, when the atmosphere is air or nitrogen and synchrotron radiation having an illuminance of 100 mW / cm 2 is used, the height accuracy between the upper surface of the wafer and the heat radiation surface 10b is 1
The height must be adjusted within 2 μm. In such an atmosphere where the X-ray attenuation is large, very high precision is required for the positioning between the X-ray mask 4 and the wafer 3 and the heat radiation surface 10b.
以上のように本発明によれば、ウェハー３の外側の、
Ｘ線マスク４がウェハー３からはみ出す領域に、ホルダ
ー10の拡張領域10aなどから成る放熱体を設け、該放熱
体の上面10bとウェハー３の面を同一面上に揃えた状態
で、Ｘ線露光を行なうようにしている。そのため、Ｘ線
マスク４は、ウェハー３より外側の領域も効果液に放熱
され、ウェハー３上の領域も、外側の領域も同等の温度
分布となり、過熱や温度差によるメンブレン６の伸縮や
歪みが抑制され、Ｘ線によるパターン転写を高精度に行
なうことができる。As described above, according to the present invention, the outside of the wafer 3
In a region where the X-ray mask 4 protrudes from the wafer 3, a radiator including an extended region 10a of the holder 10 is provided, and the upper surface 10b of the radiator and the surface of the wafer 3 are aligned on the same plane. I do it. Therefore, in the X-ray mask 4, the area outside the wafer 3 is also radiated to the effect liquid, and the area on the wafer 3 and the outside area have the same temperature distribution, and the expansion and contraction and distortion of the membrane 6 due to overheating and temperature difference are prevented. Thus, pattern transfer by X-rays can be performed with high accuracy.
また、ウェハー３を保持するチャック１を、上下機構
11上に設けることで、ウェハー上面を、ウェハーホルダ
ーの放熱用拡張領域10aの上面10bと容易にかつ精度良く
同一面に揃えることができ、高精度Ｘ線露光を効率良く
行なえる。Also, the chuck 1 for holding the wafer 3 is moved up and down by a vertical mechanism.
By providing on the upper surface 11, the upper surface of the wafer can be easily and accurately aligned with the upper surface 10b of the heat-radiating extension region 10a of the wafer holder, and high-precision X-ray exposure can be performed efficiently.
第１図は本発明によるＸ線露光装置およびＸ線露光方法
の基本原理を説明する断面図、 第２図は本発明方法を実施する装置を例示する断面図、 第３図は同装置の要部平面図、 第４図はＸ線マスク〜ウェハー間隙間とＸ線マスクの温
度上昇との関係を示す図、 第５図は従来のＸ線によるＸ線露光装置を示す断面図、 第６図は同装置におけるＸ線露光方法を示す平面図であ
る。 図において、１はウェハーチャック、３はウェハー、４
はＸ線マスク、５はＸ線、６はメンブレン、７はＸ線吸
収体のパターン、８…はチップ、９はＸ線マスク下の空
間、10はホルダー、10aは拡張領域（放熱体）、10bは拡
張領域（放熱体）の上面、11は上下機構、12はＸ−Ｙス
テージ、13はギャップセンサ、14は上下位置制御回路を
それぞれ示す。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating the basic principle of an X-ray exposure apparatus and an X-ray exposure method according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an apparatus for performing the method of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a view showing the relationship between the gap between the X-ray mask and the wafer and the temperature rise of the X-ray mask. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional X-ray exposure apparatus using X-rays. FIG. 2 is a plan view showing an X-ray exposure method in the apparatus. In the figure, 1 is a wafer chuck, 3 is a wafer, 4
Is an X-ray mask, 5 is an X-ray, 6 is a membrane, 7 is an X-ray absorber pattern, 8 is a chip, 9 is a space under the X-ray mask, 10 is a holder, 10a is an extended area (radiator), 10b is the upper surface of the extension area (heat radiator), 11 is the vertical mechanism, 12 is the XY stage, 13 is the gap sensor, and 14 is the vertical position control circuit.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−183514（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−155622（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−240913（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−94514（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−113517（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-2-183514 (JP, A) JP-A-1-155622 (JP, A) JP-A-2-240913 (JP, A) JP-A-2- 94514 (JP, A) JP-A-2-113517 (JP, A)
Claims (2)
スク（４）を用いて、ステップ・アンド・リピート法
で、パターンを転写するＸ線露光装置において、 前記ウェハー（３）の外側の、前記Ｘ線マスク（４）が
前記ウェハー（３）からはみ出す領域に、放熱体（10
a）を設け、 該放熱体の上面（10b）と前記ウェハー（３）の上面を
同一面上に揃えてなることを特徴とするＸ線露光装置。1. An X-ray exposure apparatus for transferring a pattern by a step-and-repeat method using an X-ray mask (4) arranged in close proximity on a wafer (3). In a region where the X-ray mask (4) protrudes from the wafer (3), a radiator (10)
An X-ray exposure apparatus, comprising: (a) providing an upper surface (10b) of the radiator and an upper surface of the wafer (3) on the same surface.
ェハーホルダー（10）の内側に、ウェハー（３）を保持
するウェハーチャック（１）を、上下機構（11）を介し
て配設し、 該上下機構（11）によって、ウェハー上面を、ウェハー
ホルダーの拡張領域（10a）の上面（10b）と同一面に揃
えてから、Ｘ線マスク（４）によるパターンの転写を行
なうことを特徴とするＸ線露光方法。2. A wafer chuck (1) for holding a wafer (3) is arranged via a vertical mechanism (11) inside a wafer holder (10) having an annular extension area (10a) on the outer periphery. The upper and lower mechanisms (11) align the upper surface of the wafer with the upper surface (10b) of the extended area (10a) of the wafer holder, and then transfer the pattern by the X-ray mask (4). X-ray exposure method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173694A JP2748980B2 (en) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | X-ray exposure apparatus and X-ray exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173694A JP2748980B2 (en) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | X-ray exposure apparatus and X-ray exposure method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338027A JPH0338027A (en) | 1991-02-19 |
| JP2748980B2 true JP2748980B2 (en) | 1998-05-13 |
Family
ID=15965381
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1173694A Expired - Lifetime JP2748980B2 (en) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | X-ray exposure apparatus and X-ray exposure method |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2748980B2 (en) |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP1173694A patent/JP2748980B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0338027A (en) | 1991-02-19 |
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