JP2731825B2 - Acceleration sensor - Google Patents

Acceleration sensor

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JP2731825B2
JP2731825B2 JP3166637A JP16663791A JP2731825B2 JP 2731825 B2 JP2731825 B2 JP 2731825B2 JP 3166637 A JP3166637 A JP 3166637A JP 16663791 A JP16663791 A JP 16663791A JP 2731825 B2 JP2731825 B2 JP 2731825B2
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sensor
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diaphragm
acceleration
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賢一 木下
仁 岩田
幸雄 岩崎
清和 大瀧
貢一 糸魚川
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、圧力の作用で移動する
鋼球等の圧力応動体で可とう性を有する静水圧的圧力伝
達特性材に圧力を発生させ、この圧力をセンサチップに
伝達する構造の加速度センサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of generating pressure in a flexible hydrostatic pressure transmitting material such as a steel ball moving by the action of pressure and transmitting the pressure to a sensor chip. The present invention relates to an acceleration sensor having a structure to perform.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、三次元加速度センサは一次元加速
度センサを立方体等のブロックの3方向に3つ取り付け
た構造や同一基板面上に三次元の加速度を検出する3素
子を配置した構造等が提案されている。この種の加速度
センサとしては、特開昭63ー118667号公報、特
開昭62ー118260号公報に開示されたものがあ
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, a three-dimensional acceleration sensor has a structure in which three one-dimensional acceleration sensors are mounted in three directions on a block such as a cube or a structure in which three elements for detecting three-dimensional acceleration are arranged on the same substrate surface. Has been proposed. Examples of this type of acceleration sensor include those disclosed in JP-A-63-118667 and JP-A-62-118260.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来の多次元加速度セ
ンサは、センサの全体システムを構成する部品が多くか
つ複雑な調整を必要とするものであった。また形状が大
きいため、小型化も困難であった。更に構成部品は加工
精度が高く要求され、しかも部品点数が多いためその組
み付け性が悪くなり、センサのコストを高める要因とな
っていた。本発明の目的は、少ない部品構成で、かつ組
付・調整が容易であると共に、壊れにくい加速度センサ
を提供することである。
The conventional multidimensional acceleration sensor has many components constituting the entire sensor system and requires complicated adjustment. Also, because of the large shape, miniaturization was also difficult. Further, the component parts are required to have high processing accuracy, and the number of parts is large, so that the assemblability is deteriorated, which is a factor of increasing the cost of the sensor. An object of the present invention is to provide an acceleration sensor that has a small number of components, is easy to assemble and adjust, and is not easily broken.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の加速度センサは圧力変位により抵抗変化
を示すゲージ膜が形成されたダイヤフラムを有するシリ
コン半導体基板と、前記ダイヤフラムに対向させる開口
を有する圧力伝達部および該圧力伝達部に連通された支
持筒部からなるセンサボディと、該圧力伝達部および支
持筒部に充填され、前記ダイヤフラムに圧力を伝達させ
る可とう性の静水圧的圧力伝達特性材と、前記支持筒部
内の前記圧力伝達特性材に該支持筒部に非接触状態で保
持させ、加速度が加わったときに前記支持筒部内を移動
し、前記圧力伝達特性材に押圧力を与える圧力応動体と
を備え、前記静水圧的圧力伝達特性材はシリコンゲルに
より構成されている
In order to achieve the above object, an acceleration sensor according to the present invention has a silicon semiconductor substrate having a diaphragm on which a gauge film showing a resistance change due to pressure displacement is formed, and is opposed to the diaphragm. A sensor body including a pressure transmitting portion having an opening and a support cylinder connected to the pressure transmitting portion; and a flexible hydrostatic pressure filled in the pressure transmission portion and the support cylinder to transmit pressure to the diaphragm. The pressure transmission characteristic material and the pressure transmission characteristic material in the support cylinder are held in a non-contact state with the support cylinder, and when the acceleration is applied, the pressure transmission characteristic moves in the support cylinder and the pressure transmission characteristic is pushed by the pressure transmission characteristic. A pressure responsive element for applying pressure , wherein the hydrostatic pressure transmission characteristic material is
It is composed of

【0005】[0005]

【作用】加速度が支持筒部の軸線に一致する方向に発生
すると、圧力応動体が筒軸方向に移動し、静水圧的圧力
伝達特性材を押圧する。この圧力応動体が圧力伝達部方
向に動いたときに前記圧力伝達特性材に発生される圧力
がセンサチップのダイヤフラムに伝達される。このと
き、ダイヤフラムは圧力に応じて変位し、この変位によ
りゲージ膜12に加速度に応じた圧力値相当の抵抗変化
が起る。これを電気信号として取り出す。静水圧的圧力
伝達特性材としてシリコンゲルを用い、その自己形状保
持機能力を利用することにより、必ずしも密閉された容
器を必要としない為、構成を簡単にすることができると
ともに、取付姿勢にも制約がないから組付性が向上され
る。
When the acceleration is generated in a direction coinciding with the axis of the support cylinder, the pressure responsive body moves in the cylinder axis direction and presses the hydrostatic pressure transmission characteristic material. When the pressure responsive body moves in the direction of the pressure transmitting portion, the pressure generated in the pressure transmitting characteristic material is transmitted to the diaphragm of the sensor chip. At this time, the diaphragm is displaced in accordance with the pressure, and the displacement causes a resistance change corresponding to the pressure value in the gauge film 12 in accordance with the acceleration. This is extracted as an electric signal . Hydrostatic pressure
Silicon gel is used as the transfer characteristic material,
By using the functional capability, the sealed
Since no equipment is required, the configuration can be simplified
In both cases, there is no restriction on the mounting orientation, so the assemblability is improved.
You.

【0006】[0006]

【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図1は本発明の一実施例である三次元加速度センサ10
の構成を示す。三次元加速度センサ10は、半導体製造
技術により作製されるシリコン半導体基板からなるセン
サチップ1および圧力を前記センサチップ1に伝達する
センサボディ2を備えている。センサチップ1は、同一
のシリコンウエハ上に形成される複数個、例えば3つの
センサチップ1a,1b,1cにより構成されている。各
センサチップ1a,1b,1cは、図2に示すように、加
振によって変位するダイヤフラム11を有し、このダイ
ヤフラムの応力発生部位等に圧力変位により抵抗変化を
示すゲージ膜12を設け、このゲージ膜12を増幅回路
等の処理回路が設けられたハイブリッド集積回路(HI
C)基板20にワイヤボンド21するための配線、ボン
ディング用パッド等の電極パターン(図示せず)が設け
られている。HIC基板20は、増幅回路等の信号処理
回路が設けられており、ダイヤフラム12に加わる圧力
に応じて電気的にブリッジ接続されたゲージ12の抵抗
変化から得られる電気信号を処理してセンサ信号を出力
する。
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a three-dimensional acceleration sensor 10 according to an embodiment of the present invention.
Is shown. The three-dimensional acceleration sensor 10 includes a sensor chip 1 made of a silicon semiconductor substrate manufactured by a semiconductor manufacturing technique and a sensor body 2 transmitting pressure to the sensor chip 1. The sensor chip 1 includes a plurality of, for example, three sensor chips 1a, 1b, and 1c formed on the same silicon wafer. As shown in FIG. 2, each of the sensor chips 1a, 1b, and 1c has a diaphragm 11 that is displaced by excitation, and a gauge film 12 that shows a resistance change due to pressure displacement is provided at a stress generating portion of the diaphragm. A hybrid integrated circuit (HI) provided with a processing circuit such as an amplifier circuit
C) An electrode pattern (not shown) such as wires for bonding wires 21 and bonding pads is provided on the substrate 20. The HIC board 20 is provided with a signal processing circuit such as an amplifier circuit. The HIC board 20 processes an electric signal obtained from a resistance change of the gauge 12 electrically bridge-connected according to the pressure applied to the diaphragm 12, and converts the sensor signal into a signal. Output.

【0007】センサボディ2は、その内部にセンサチッ
プ1に圧力を伝える圧力伝達部2A,2B,2Cおよび該
圧力伝達部に連通する支持筒部3A,3B,3Cが設けら
れている。センサチップ2の一面はセンサチップ1に重
合され、この重合面には各センサチップ1のダイヤフラ
ムに独立して圧力を伝えるための圧力伝達部2A,2B,
2Cの開口2a,2b,2cが設けられている。各支持筒
部3A,3B,3Cには加速度を受けると移動する圧力応
動部材としての鋼球4(以下「Gボール」という)が配
設される。このセンサボディ2は、金属、ガラスまたは
樹脂材が使用されるが、好ましくは樹脂成形により作製
される。
The sensor body 2 is provided therein with pressure transmitting portions 2A, 2B, 2C for transmitting pressure to the sensor chip 1, and supporting cylinder portions 3A, 3B, 3C communicating with the pressure transmitting portions. One surface of the sensor chip 2 is superposed on the sensor chip 1, and the pressure transmitting portions 2 </ b> A, 2 </ b> B for transmitting pressure independently to the diaphragm of each sensor chip 1 are formed on the superposed surface.
2C openings 2a, 2b, 2c are provided. A steel ball 4 (hereinafter, referred to as a “G ball”) as a pressure responsive member that moves upon receiving an acceleration is disposed in each of the support cylinder portions 3A, 3B, and 3C. The sensor body 2 is made of metal, glass or resin, but is preferably made by resin molding.

【0008】圧力伝達部2Aは 図1Bに示すように、
Gボール4が配設されるストレイト形の第1の支持筒部
3Aに連通されており、この第1の支持筒部3Aの開口
3aは開口2aと同軸上に設けられている。そして、圧
力伝達部2Bおよび2Cは、図1Cに示すように、開口
2bおよび2cの中心を通る線に直交する方向に開口3
bおよび3cをもつエルボ形の第2および第3の支持筒
部3Bおよび3Cに連通されている。第2の支持筒部3
Bおよび第3の支持筒部3Cは、900異なる方向の圧
力を感知するように直交する面にその開口3bおよび3
cが設けられている。したがって、センサボディ2を図
示のように直方体で構成した場合は、センサチップ1と
の重合面の反対側の面に開口3a、重合面に直角な一つ
の面に開口3bおよび該一つの面と重合面の双方に直角
な他の面に開口3cをもつ支持筒部3A,3B,3Cに
よって構成される。三次元加速度センサが図1Bに示す
状態で設置される場合、開口3aおよび3cからシリコ
ンゲルが落ちるのを防止するために、蓋7が設けられ
る。特に、シリコンゲルには自己形状保持機能力がある
ので、密閉された容器内に必ずしもとじ込める必要はな
い。図1Cに示すように開放された空間に入れた場合、
取付姿勢を変えてもシリコンゲルが漏れ出ることはな
い。
As shown in FIG. 1B, the pressure transmitting section 2A
It communicates with a straight first support cylinder 3A on which the G ball 4 is provided, and the opening 3a of the first support cylinder 3A is provided coaxially with the opening 2a. Then, as shown in FIG. 1C, the pressure transmitting portions 2B and 2C have the openings 3 in a direction orthogonal to a line passing through the centers of the openings 2b and 2c.
The second and third supporting cylinder portions 3B and 3C are connected to elbow-shaped second and third supporting cylinder portions 3B and 3C having b and 3c. Second support cylinder 3
B and the third support cylinder 3C have their openings 3b and 3c in orthogonal planes to sense pressure in 900 different directions.
c is provided. Therefore, when the sensor body 2 is formed as a rectangular parallelepiped as shown in the figure, the opening 3a is formed on the surface opposite to the overlapping surface with the sensor chip 1, the opening 3b is formed on one surface perpendicular to the overlapping surface, and It is constituted by supporting cylinders 3A, 3B, 3C having openings 3c on the other surface perpendicular to both of the overlapping surfaces. If the three-dimensional acceleration sensor is installed in the state shown in FIG. 1B, silicon from the opening 3a and 3c
A lid 7 is provided to prevent the gel from falling . In particular, silicone gel has a self-shape retention function
Therefore, it is not always necessary to bind in a closed container.
No. When placed in an open space as shown in FIG. 1C,
Silicon gel does not leak even if the mounting posture is changed.
No.

【0009】本実施例では可とう性を有する静水圧的圧
力伝達特性材として、シリコンゲルを用いているが、そ
の他の材料としては低硬度ゴム系弾性体が使用可能であ
る。センサチップ1とセンサボディ2との間にはスペー
サ5が介在されており、このスペーサ5には各センサチ
ップ1a,1b,1cを独立して取り囲む窓5a,5b,5
cが設けられている。スペーサ5はセンサチップ1とセ
ンサボディ2間の接着または接合を助けるための材質、
例えばゴムが選択される。加速度センサの組立は、セン
サチップ1とセンサボディ2をスペーサ5を介在させて
接着した後、開口3a,3b,3cからスペーサ5の窓5
a,5b,5cおよび各圧力伝達部2A,2B,2Cにシリ
コンゲル6を充填させ、更に各支持筒3A,3B,3Cに
注入されたシリコンゲル中にGボール4を入れる。
In this embodiment, silicon gel is used as the hydrostatic pressure transmission characteristic material having flexibility, but a low hardness rubber-based elastic material can be used as another material. A spacer 5 is interposed between the sensor chip 1 and the sensor body 2, and the spacer 5 has windows 5a, 5b, 5 surrounding the sensor chips 1a, 1b, 1c independently.
c is provided. The spacer 5 is made of a material for assisting the bonding or joining between the sensor chip 1 and the sensor body 2,
For example, rubber is selected. The assembling of the acceleration sensor is performed by bonding the sensor chip 1 and the sensor body 2 with the spacer 5 interposed therebetween, and then opening the window 5 of the spacer 5 through the openings 3a, 3b, 3c.
a, 5b, 5c and the pressure transmitting parts 2A, 2B, 2C are filled with the silicon gel 6, and the G balls 4 are put into the silicon gel injected into the support cylinders 3A, 3B, 3C.

【0010】上記の構成において、加速度が支持筒部の
軸線に一致する方向に発生すると、当該支持筒部内のG
ボール4が図示(図1B,1C)の矢印方向に移動す
る。このGボール4の移動において、圧力伝達部方向に
動いたときシリコンゲル6を押す。このとき、シリコン
ゲル6に圧力が発生し、この圧力をスペーサ内のシリコ
ンゲルに伝えて分散させ、センサチップのダイヤフラム
に伝達する。ダイヤフラムは圧力に応じて変位し、この
変位によりゲージ膜12に加速度に応じた圧力値相当の
抵抗変化が起こり、これを電気信号として取り出す。本
実施例によれば、支持筒部を3軸方向に独立して設ける
ことにより、Gボールの動きを各軸方向のみに限定させ
ることができるから、他軸方向に加わる加速度による影
響を受けにくい。
In the above configuration, when the acceleration is generated in the direction coinciding with the axis of the support cylinder, the G in the support cylinder is changed.
The ball 4 moves in the direction of the arrow shown in FIGS. 1B and 1C. In the movement of the G ball 4, when the G ball 4 moves in the direction of the pressure transmitting portion, the silicon gel 6 is pushed. At this time, pressure is generated in the silicon gel 6, and this pressure is transmitted to the silicon gel in the spacer to be dispersed, and transmitted to the diaphragm of the sensor chip. The diaphragm is displaced in accordance with the pressure, and the displacement causes a change in resistance of the gauge film 12 corresponding to the pressure value in accordance with the acceleration, which is extracted as an electric signal. According to the present embodiment, the movement of the G ball can be limited to only each axial direction by independently providing the support cylinders in the three axial directions, so that it is hardly affected by the acceleration applied to the other axial directions. .

【0011】次に本発明の他の実施例を説明する。図2
はセンサボディをチューブ構造にした加速度センサの一
部断面を示す。HIC基板に接着22により取り付けら
れたセンサチップ1の上面にセンサボディとなるチュー
ブ30が接着により取り付けられている。チューブ2は
センサチップ1側に位置させて圧力伝達部32を、該圧
力伝達部32に連通したGボール4を収容する支持筒部
33が設けられている。圧力伝達部32は支持筒部33
に連通する該支持筒部より幅が狭い、すなわちGボール
4の径より小さい幅の圧力伝達前部32aと該圧力伝達
前部からセンサチップの周囲までラッパ状に拡がった圧
力伝達拡開部32bによって構成されている。なお、チ
ューブを直角に曲げてエルボ形にし、一方の開口側を上
記と同じ圧力伝達部とし、他方の開口側をGボールの支
持筒部として構成することもできる。この場合、ストレ
イト形およびエルボ形のチューブは、各センサチップが
それぞれ異なる方向の加速度を感知するように3軸方向
に組み合わせて配設される。
Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG.
Shows a partial cross section of an acceleration sensor in which the sensor body has a tube structure. A tube 30 serving as a sensor body is attached to the upper surface of the sensor chip 1 attached to the HIC substrate with an adhesive 22 by adhesion. The tube 2 is provided on the sensor chip 1 side. The tube 2 is provided with a pressure transmitting portion 32 and a support cylinder portion 33 for accommodating the G ball 4 communicating with the pressure transmitting portion 32. The pressure transmission part 32 is a support cylinder part 33
A pressure transmission front portion 32a having a width smaller than that of the support cylindrical portion communicating with the front end portion, ie, a width smaller than the diameter of the G ball 4; It is constituted by. The tube may be bent at a right angle to form an elbow shape, and one opening side may be configured as the same pressure transmitting portion as described above, and the other opening side may be configured as a G-ball support cylinder. In this case, the straight type and the elbow type tubes are arranged in combination in three axial directions such that each sensor chip senses acceleration in a different direction.

【0012】本実施例では、圧力伝達部のセンサチップ
との対向側に圧力伝達拡開部32bを設けたので、Gボ
ールにより押されて圧力伝達前部32aのシリコンゲル
に発生した圧力が圧力伝達拡開部32bで分散され、セ
ンサチップ1のダイヤフラム11全体に均一に圧力を作
用させることができる。図3および図4はGボールの他
の実施例である。図3は円盤をもつGボールとチューブ
構造を示す。Gボール40はシリコンゲル6中に入れる
円盤41および該円盤の中心から延びるガイド軸42か
ら構成される。一方、チューブ50は上部の開口をGボ
ール40のガイド軸40が遊嵌状態で貫通するように狭
められている。図4は椀体をもつGボールとチューブ構
造を示す。Gボール400はシリコンゲル6で蓋をする
ようにしてシリコンゲル中に入れる椀体410と該椀体
の底から延びるガイド軸420から構成される。椀体4
10は、その内部にシリコンゲルが充満させた状態で組
み付けられる。
In this embodiment, since the pressure transmitting and expanding portion 32b is provided on the side of the pressure transmitting portion facing the sensor chip, the pressure generated by the silicon gel in the pressure transmitting front portion 32a by the G ball is reduced by the pressure. The pressure is dispersed by the transmission expanding portion 32b, and pressure can be uniformly applied to the entire diaphragm 11 of the sensor chip 1. 3 and 4 show another embodiment of the G ball. FIG. 3 shows a G ball having a disk and a tube structure. The G ball 40 includes a disk 41 to be put into the silicon gel 6 and a guide shaft 42 extending from the center of the disk. On the other hand, the tube 50 is narrowed so that the guide shaft 40 of the G ball 40 passes through the upper opening in a loosely fitted state. FIG. 4 shows a G ball having a bowl and a tube structure. The G ball 400 is composed of a bowl 410 which is covered with the silicone gel 6 and is placed in the silicone gel, and a guide shaft 420 extending from the bottom of the bowl. Bowl 4
10 is assembled in a state where the inside thereof is filled with silicon gel.

【0013】本実施例によれば、Gボールがセンサチッ
プのダイヤフラム方向に対してシリコンゲルの全幅に亘
って均等に押圧力を作用させることができるため、加速
度感度を上げることができる。このようにGボールの形
状を替えることにより、加速度感度を変えることができ
る。本実施例は、本発明を三次元加速度センサに応用し
た場合であるが、1または2つのセンサチップの組み合
わせにより一次元または二次元加速度センサを構成する
こともできる。
According to this embodiment, the G ball can apply a pressing force evenly over the entire width of the silicon gel in the diaphragm direction of the sensor chip, so that the acceleration sensitivity can be increased. By changing the shape of the G ball in this manner, the acceleration sensitivity can be changed. In this embodiment, the present invention is applied to a three-dimensional acceleration sensor. However, a one-dimensional or two-dimensional acceleration sensor can be configured by combining one or two sensor chips.

【0014】[0014]

【発明の効果】上述のとおり、本発明によれば、センサ
ボティに充填された可とう性の静水圧的圧力伝達特性材
に圧力応動体を保持させ、この圧力応動体の動きに応じ
た圧力をダイヤフラムに作用させるようにしたので、圧
力応動体の形状変更により加速度感度を容易に変えるこ
とができると共に、ダイヤフラム全体が前記圧力伝達特
性材により封止されているため、加速度センサの保護が
図られる。また静水圧的圧力伝達特性材としてシリコン
ゲルを用いたことにより、開放された容器の使用が可能
となる為、構成が簡単にでき、しかも取付姿勢にも制約
がないから組付性が向上される。
As described above, according to the present invention, the pressure responsive body is held by the flexible hydrostatic pressure transmission characteristic material filled in the sensor body, and the pressure corresponding to the movement of the pressure responsive body is reduced. Since it is made to act on the diaphragm, the acceleration sensitivity can be easily changed by changing the shape of the pressure responsive body, and the acceleration sensor is protected because the entire diaphragm is sealed by the pressure transmission characteristic material. . Silicon is used as a material for hydrostatic pressure transmission.
Use of open containers is possible by using gel
The structure can be simplified, and the mounting position is restricted.
Since there is no assembly, assemblability is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の圧力センサの一実施例である三次元加
速度センサで、図1Aはセンサの全体構成を示す斜視
図、図1Bは圧力伝達部に直線的に配置されるGボール
を収容する支持筒部をもつセンサの構成を示す断面図、
図1Cは圧力伝達部に直角的に配置されるGボールを収
容する支持筒部をもつセンサの構成を示す断面図であ
る。
FIG. 1A is a perspective view showing an overall configuration of a three-dimensional acceleration sensor as an embodiment of a pressure sensor according to the present invention. FIG. 1B is a perspective view showing a general configuration of the sensor. Sectional view showing the configuration of a sensor having a supporting cylindrical portion to
FIG. 1C is a cross-sectional view showing a configuration of a sensor having a support cylinder portion that accommodates a G ball disposed at right angles to the pressure transmitting portion.

【図2】本発明の他の実施例である圧力センサの一部断
面を示す構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a partial cross section of a pressure sensor according to another embodiment of the present invention.

【図3】Gボールの他の実施例を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the G ball.

【図4】Gボールの他の実施例を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing another embodiment of the G ball.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 センサチップ(シリコン半導体基板) 2 センサボディ 2A,2B,2C 圧力伝達部 3A,3B,3C 支持筒部 4,40,400 Gボール(圧力応動体) 5 スペーサ 6 シリコンゲル(静水圧的圧力伝達特性材) 7 蓋 10 三次元加速度センサ 11 ダイヤフラム 12 ゲージ膜 20 HIC基板 30,50 チューブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sensor chip (silicon semiconductor substrate) 2 Sensor body 2A, 2B, 2C Pressure transmission part 3A, 3B, 3C Support cylinder part 4, 40, 400 G ball (pressure responder) 5 Spacer 6 Silicon gel (hydrostatic pressure transmission) Characteristic material) 7 Lid 10 3D acceleration sensor 11 Diaphragm 12 Gauge film 20 HIC substrate 30, 50 tube

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 幸雄 愛知県丹羽郡大口町大字豊田字野田1番 地 株式会社東海理化電機製作所内 (72)発明者 大瀧 清和 愛知県丹羽郡大口町大字豊田字野田1番 地 株式会社東海理化電機製作所内 (72)発明者 糸魚川 貢一 愛知県丹羽郡大口町大字豊田字野田1番 地 株式会社東海理化電機製作所内 (56)参考文献 特開 昭63−75568(JP,A) 特開 平1−197663(JP,A) 特開 平4−20867(JP,A) 実開 平4−1465(JP,U) 実開 平1−118367(JP,U) 特表 平3−501886(JP,A) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Yukio Iwasaki No. 1 Noida, Toyota, Oguchi-machi, Oguchi-machi, Niwa-gun, Aichi Prefecture Inside Tokai Rika Electric Machinery Works, Ltd. No. 1 No. 1 in Tokai Rika Electric Works, Ltd. (72) Inventor Koichi Itoigawa No. 1 No. 1 in Toyoda, Oguchi-machi, Oguchi-machi, Niwa-gun, Aichi Prefecture In-house No. 1 Tokai Rika Electric Works, Ltd. (56) References JP-A-63-75568 (JP, A) JP-A-1-197766 (JP, A) JP-A-4-20867 (JP, A) JP-A-4-1465 (JP, U) JP-A-1-118367 (JP, U) Table 3-501886 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 圧力変位により抵抗変化を示すゲージ膜
が形成されたダイヤフラムを有するシリコン半導体基板
と、前記ダイヤフラムに圧力を作用させる開口を有する
圧力伝達部および該圧力伝達部に連通された支持筒部か
らなるセンサボディと、該圧力伝達部および支持筒部に
充填され、前記ダイヤフラムに圧力を伝達させる可とう
性の静水圧的圧力伝達特性材と、前記支持筒部内の前記
圧力伝達特性材に該支持筒部に非接触状態で保持させ、
加速度が加わったときに前記支持筒部内を移動し、前記
圧力伝達特性材に押圧力を与える圧力応動体とを備え、
前記静水圧的圧力伝達特性材はシリコンゲルにより構成
されていることを特徴とする加速度センサ。
1. A silicon semiconductor substrate having a diaphragm on which a gauge film exhibiting a resistance change due to a pressure displacement is formed, a pressure transmitting portion having an opening for applying pressure to the diaphragm, and a support cylinder connected to the pressure transmitting portion. A sensor body composed of a portion, a flexible hydrostatic pressure transmission material that is filled in the pressure transmission portion and the support cylinder portion and transmits pressure to the diaphragm, and the pressure transmission characteristic material in the support cylinder portion. The support tube is held in a non-contact state,
A pressure responsive element that moves within the support cylinder when acceleration is applied, and applies a pressing force to the pressure transmission characteristic material;
The hydrostatic pressure transmission characteristic material is made of silicon gel
An acceleration sensor characterized by being performed .
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