JP2718396B2 - Line width measurement method - Google Patents

Line width measurement method

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JP2718396B2
JP2718396B2 JP7173646A JP17364695A JP2718396B2 JP 2718396 B2 JP2718396 B2 JP 2718396B2 JP 7173646 A JP7173646 A JP 7173646A JP 17364695 A JP17364695 A JP 17364695A JP 2718396 B2 JP2718396 B2 JP 2718396B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、線幅計測方法に関し、
特に、半導体製造工程における自動パターンの線幅計測
に有効な線幅計測方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a line width measuring method,
In particular, the present invention relates to a line width measuring method effective for line width measurement of an automatic pattern in a semiconductor manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程では、通常、製品の信頼
性や歩留まりを向上させるために、フォトレジストやエ
ッチング後の形成膜のパターン線幅の計測を実施し、品
質のチェックを行っている。最近では、半導体パターン
が微細化して来ており、この計測の目的に、従来使用さ
れて来た光学式顕微鏡では分解能不足となり、高分解能
である電子顕微鏡が利用されるようになって来た。ま
た、この電子顕微鏡を用いた線幅計測の自動装置の開発
が盛んに行われている。これらの装置の寸法計測方法の
代表的なものとしては、観察パターンから得られる一次
元波形の山のピークをパターンエッジとするピーク検出
法(「高精度線幅測定装置」、Semiconductor World 1984.
12,pp87-93)や、一次元波形のスロープラインとベース
ラインを直接近似してその交点をエッジとする直線近似
法(「超LSI微小寸法測定システムMEA-3000」,Semic
onductor World 1985.1,pp120-128)等がある。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, in order to improve the reliability and yield of a product, a pattern line width of a photoresist or a formed film after etching is usually measured to check the quality. Recently, semiconductor patterns have been miniaturized, and for the purpose of this measurement, the resolution has been insufficient with a conventionally used optical microscope, and an electron microscope having a high resolution has come to be used. Further, development of automatic devices for line width measurement using this electron microscope has been actively carried out. A typical method for measuring the dimensions of these devices is a peak detection method using a peak of a one-dimensional waveform obtained from an observation pattern as a pattern edge (`` High-precision line width measurement device '', Semiconductor World 1984.
12, pp87-93) or a straight line approximation method that directly approximates the slope line and the baseline of a one-dimensional waveform and uses the intersection as an edge ("Ultra LSI Micro Dimension Measurement System MEA-3000", Semic
onductor World 1985.1, pp120-128).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上述の従来方法は、測
長に際して、測長専用パターンを使用することを前提と
している。すなわち、ピーク検出法では、パターンの片
方のエッジに対応する一次元波形に対して一つの山が存
在すること、また、直接近似法では、パターンの片方の
エッジに対応する一次元波形に対して一つのスロープラ
インと一つのベースラインで近似できることを仮定して
いる。しかし、このような仮定は単純な形状をした測長
パターンに対してのみ言えることである。一方、最近で
は、不良解析を目的とした、複雑な形状をした実際の回
路パターンの測長を行う要望が強くなっている。この場
合、複数の回路パターンが重複して存在しているため
に、エッジ付近の一次元波形も複数の山や谷を有するや
や複雑な波形になることが多い。そのため、例えば、ピ
ーク検出法では、どの山が計測したいパターンエッジに
対応するかが分からないし、直線近似法ではベースライ
ンを見つけるのが困難であるという場合が多かった。本
発明の目的は、従来の技術における上述の如き問題を解
消し、複雑なエッジ部の波形を有する回路パターンの線
幅の測長を可能とする線幅計測方法を提供することにあ
る。
The conventional method described above is based on the premise that a pattern dedicated to length measurement is used for length measurement. That is, in the peak detection method, one peak exists for the one-dimensional waveform corresponding to one edge of the pattern, and in the direct approximation method, one peak exists for the one-dimensional waveform corresponding to one edge of the pattern. It is assumed that one slope line and one baseline can be approximated. However, such an assumption can be made only for a length measurement pattern having a simple shape. On the other hand, recently, there has been a strong demand for measuring the length of an actual circuit pattern having a complicated shape for the purpose of failure analysis. In this case, since a plurality of circuit patterns overlap, the one-dimensional waveform near the edge often becomes a somewhat complicated waveform having a plurality of peaks and valleys. Therefore, for example, in the peak detection method, it is not known which peak corresponds to the pattern edge to be measured, and it is often difficult to find the baseline by the linear approximation method. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a line width measuring method that solves the above-described problems in the conventional technology and enables the line width of a circuit pattern having a complicated edge waveform to be measured.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の線幅計測方法は、電子ビームで試料上をス
キャンして第1のパターンの信号を検出する第1のステ
ップと、検出された上記第1のパターンの信号をメモリ
に記憶する第2のステップと、上記第1のパターンとは
異なる第2のパターンの信号を検出する第3のステップ
と、上記第1のパターンと第2のパターンの各信号を照
合するために、ガウスフィルタの標準偏差値を変えてそ
れぞれの近似波形を得る第4のステップと、各近似波形
の変曲点の座標を求める第5のステップと、上記第1と
第2のパターンの各近似波形毎に対応する変曲点の対を
照合により検出して、両パターンの対応点を求め、上記
第1のパターンで設定された計測すべき線幅の始点と終
点に対応する被測定パターンである第2のパターンの始
点と終点を検出し、その差を以って線幅とする第6のス
テップとを有することを特徴としている。
In order to achieve the above object, a line width measuring method according to the present invention comprises: a first step of scanning a sample with an electron beam to detect a signal of a first pattern; A second step of storing the obtained signal of the first pattern in a memory; a third step of detecting a signal of a second pattern different from the first pattern; A fourth step of changing the standard deviation value of the Gaussian filter to obtain respective approximate waveforms, and a fifth step of obtaining coordinates of an inflection point of each approximate waveform in order to match each signal of the second pattern; A pair of inflection points corresponding to each of the approximate waveforms of the first and second patterns are detected by collation, a corresponding point of both patterns is obtained, and a line width to be measured set in the first pattern is measured. Measured corresponding to the start and end points of Detecting the start and end points of the second pattern is a turn, it is characterized by having a sixth step of the following I line width difference.

【0005】[0005]

【作用】本発明に係る線幅計測方法においては、複雑な
1次元波形の大局照合と詳細照合を動的に行うようにし
たので、波形の絶対的な値や固定的な大小関係でエッジ
位置を求める従来の方式に比べて、種々の形状の波形に
対応するエッジ検出が可能になる。また、ノイズが存在
する1次元波形に対しても、フィルタサイズの下限値の
Σg,σgを適切に設定することで、それ以下の山谷を検
出することがないので、安定な位置の検出が可能になる
という効果がある。更に、特徴位置間の対応が多項式近
似で補間することにより、1次元波形が変数方向に変形
を受けた場合、例えば、電子顕微鏡の倍率の変化や被計
測パターンのエッジ断面形状の変化がある場合等でも、
位置の検出が可能であるという効果もある。さらに、照
合の際に各近似波形で変曲点を求めているが、この変曲
点はノイズの滞在時間が極めて小さいため、ノイズによ
る影響が殆んどないという利点もある。
In the line width measuring method according to the present invention, global matching and detailed matching of a complicated one-dimensional waveform are dynamically performed, so that an edge position is determined by an absolute value of a waveform or a fixed magnitude relationship. , Edge detection corresponding to waveforms of various shapes becomes possible. Also, for a one-dimensional waveform having noise, by appropriately setting the lower limit values Σ g and σ g of the filter size, peaks and valleys smaller than Σ g and σ g are not detected. There is an effect that it becomes possible. Further, when the one-dimensional waveform is deformed in the variable direction by interpolating the correspondence between the feature positions by polynomial approximation, for example, when the magnification of the electron microscope changes or the edge cross-sectional shape of the pattern to be measured changes. Etc.
There is also an effect that the position can be detected. In addition, the inflection point is obtained for each approximate waveform at the time of collation. However, since the inflection point has a very short staying time of the noise, there is an advantage that the influence of the noise is negligible.

【0006】[0006]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図3に、本発明に係る波形照合方法を採用
した計測装置の全体の構成を示す。図中、1は電子顕微
鏡(SEM)9からの被計測パターンや基準パターンのア
ナログ画像信号1sを適当なタイミングでサンプリング
して、ディジタル画像信号1dに変換するA/D変換
器、2は電子ビームの走査同期信号2sを利用して、画
像メモリ3のアドレス2aを発生させるためのアドレス
発生回路、4は基準パターンに関するデータを記憶する
ためのメモリ、5は被計測パターンに関するデータを記
憶するためのメモリ、6は本発明に係る計算手順を記憶
するためのメモリ、7はデータを処理するための計算機
(CPU)、8は計測結果を数値データ等で表示するため
の表示装置、7aはアドレスバス、7dはデータバスを
示している。まず、本実施例の計測手順の概要を説明す
る。予め用意した基準パターンを電子顕微鏡で走査し
て、そのアナログ画像信号をディジタル化し、画像メモ
リ3に記憶する。次に、メモリ6の計算手順に従って、
その画像を計算機7で処理して、基準パターンのエッジ
位置や必要データを基準パターデータメモリ4に格納す
る。計測時にも、ほぼ同様の処理手順で、被計測パター
ンの必要データを被計測パターンデータメモリ5に格納
する。次に、これらのデータを用いてパターン間の照合
を行い、基準パターンのエッジ位置に対応する被検定パ
ターンのエッジ位置を検出し、表示装置8にその結果を
表示する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 3 shows the overall configuration of a measuring device employing the waveform matching method according to the present invention. In the drawing, reference numeral 1 denotes an A / D converter which samples an analog image signal 1s of a pattern to be measured or a reference pattern from an electron microscope (SEM) 9 at an appropriate timing and converts it into a digital image signal 1d. An address generation circuit for generating the address 2a of the image memory 3 using the scan synchronization signal 2s of the above, 4 is a memory for storing data relating to the reference pattern, and 5 is a memory for storing data relating to the pattern to be measured. A memory for storing a calculation procedure according to the present invention; and a computer for processing data.
(CPU), 8 denotes a display device for displaying the measurement result as numerical data or the like, 7a denotes an address bus, and 7d denotes a data bus. First, an outline of the measurement procedure of the present embodiment will be described. A reference pattern prepared in advance is scanned by an electron microscope, its analog image signal is digitized, and stored in the image memory 3. Next, according to the calculation procedure of the memory 6,
The image is processed by the computer 7 and the edge position of the reference pattern and necessary data are stored in the reference pattern data memory 4. At the time of measurement, the required data of the measured pattern is stored in the measured pattern data memory 5 in substantially the same procedure. Next, pattern matching is performed using these data, the edge position of the test pattern corresponding to the edge position of the reference pattern is detected, and the result is displayed on the display device 8.

【0007】基準パターンの処理手順を図1(a)に示
す。第1ステップでは、画像メモリ3から基準パターン
の予め定められている位置の1次元波形、ラインプロフ
ァイル:F(X)(Xs≦X≦Xa)を取出す。図4(a)のA
がこの波形の例を示したものである。第2ステップで
は、次式で示す標準値差Σのガウスフィルタを作用させ
た近似波形:G(X:Σ)を求める。
FIG. 1A shows the procedure for processing a reference pattern. In the first step, 1-dimensional waveform position is predetermined reference pattern from the image memory 3, line profile: taking out the F (X) (X s ≦ X ≦ X a). A in FIG. 4 (a)
Shows an example of this waveform. In the second step, an approximate waveform G (X: Σ) obtained by applying a Gaussian filter having a standard value difference Σ represented by the following equation is obtained.

【数1】 第3ステップでは、d2G/dX2=0を満足する位置座標
を求める。この座標は、原波形の山と谷の変化点、すな
わち、変曲点位置を表すもので、ここでは、基準特徴位
置と呼ぶことにする。必要な標準幅差分(Σs≦Σ≦Σa)
だけ、第2,第3ステップを繰り返して、各標準偏差毎
の基準特徴位置(XΣ1,…,XΣi,…,XΣn)を求める。
(Equation 1) In the third step, position coordinates satisfying d 2 G / dX 2 = 0 are obtained. These coordinates represent the changing points of the peaks and valleys of the original waveform, that is, the positions of the inflection points, and are herein referred to as reference characteristic positions. Required standard width difference (Σ s Σ Σ Σ a )
Only the second, repeat third step, the reference feature positions for each standard deviation (X Σ1, ..., X Σi , ..., X Σn) Request.

【0008】当然、各標準偏差で基準特徴位置の個数n
は異なる。図4(a)A上に画いた細線の波形が、Σを変
化させた場合のもので、・が特徴位置を表している。な
お、図には、参考のため、山谷位置も小さい丸印で表し
ている。図から、標準偏差の大小で波形の大局/詳細を
記述できることがわかる。なお、この種の計測に用いら
れる低加速の電子顕微鏡から得られる信号はかなりS/
Nが悪いが、適当な標準偏差Σのガウスフィルタを作用
させれば、ノイズが除去された波形を得ることが可能で
ある。従って、考慮する標準偏差の最小値Σ1をこの値
にする。第4ステップでは、人間によって原波形上のエ
ッジ位置(Xd)の入力を行う。第5ステップでは、これ
までに採取した基準パターンに関するデータすなわち、
各標準偏差毎の基準特徴位置(XΣ1,…,XΣi,…,
Σn)およびその個数n,エッジ位置(Xd)をメモリ4
に格納する。
Naturally, the number n of the reference feature positions at each standard deviation
Is different. The waveform of the thin line drawn on A of FIG. 4A is obtained when Σ is changed, and indicates a characteristic position. In the figure, the valley positions are also indicated by small circles for reference. From the figure, it can be seen that the overall / detail of the waveform can be described by the magnitude of the standard deviation. Note that the signal obtained from the low-acceleration electron microscope used for this type of measurement is considerably S / S
Although N is bad, it is possible to obtain a noise-free waveform by applying a Gaussian filter having an appropriate standard deviation Σ. Therefore, the minimum value sigma 1 of consideration standard deviation to the value. In the fourth step, a human inputs an edge position (Xd) on the original waveform. In the fifth step, data on the reference pattern collected so far, that is,
Reference feature positions for each standard deviation (X Σ1, ..., X Σi , ...,
XΣn ), the number n thereof, and the edge position (Xd) are stored in the memory 4.
To be stored.

【0009】次に、被計測パターンの入力時のデータ処
理の手順について説明する。この場合も、基準パターン
の場合とほぼ同様な手順で処理が実行される。すなわ
ち、被計測パターンの電子顕微鏡からのアナログ画像信
号はディジタル化され、画像メモリ3に記憶される。そ
して、その画像データは計算機7で、メモリ6の計算手
順に従って処理される。その計算手順を、図1(b)に示
す。第1ステップでは、画像メモリ3から、被計測パタ
ーンの1次元波形(ラインプロファイル)f(x)(xs≦x
≦xa)を取出す。図4(b)のA′が、この入力波形の例
を示すもので、通常、パターンの荷電状態や倍率の若干
の違いで、たとえ、波形採取位置が基準パターンと同等
位置であっても、変形が存在する。第2ステップでは、
標準偏差σのガウスフィルタを作用させた近似波形g
(x:σ)を求める。第3ステップでは、d2g/dx2
0を満足する位置座標を求める。ここでは、この座標を
特徴位置と呼ぶことにする。そして、必要な標準偏差分
s≦σ≦σn)だけ、第2,第3ステップを繰り返し、
各標準偏差毎の特徴位置(xσ1,…,xσi,…,xσm)を
求める。当然、各標準偏差で特徴位置の個数mは異な
る。図4(b)A′上に描いた細線の波形が、σを変化さ
せた場合のもので、・印が特徴位置を表わしている。図
には、参考のため、山谷位置も小さい白丸印で表わして
いる。考慮する標準偏差の最小値σBは、この波形のノ
イズを除去する程度のものとする。第5ステップでは、
これまでに求めた被計測パターンに関するデータ、すな
わち、各標準偏差σ毎の特徴位置(xσ1,…,xσi,…,
σm)およびその個数mをメモリ5に格納する。
Next, the procedure of data processing when a pattern to be measured is input will be described. Also in this case, the processing is executed in substantially the same procedure as in the case of the reference pattern. That is, an analog image signal of the pattern to be measured from the electron microscope is digitized and stored in the image memory 3. Then, the image data is processed by the computer 7 in accordance with the calculation procedure of the memory 6. The calculation procedure is shown in FIG. In the first step, a one-dimensional waveform (line profile) f (x) ( xs ≦ x
≦ x a ). A 'in FIG. 4 (b) shows an example of this input waveform. Normally, even if the waveform sampling position is the same as the reference pattern due to slight differences in the charge state and magnification of the pattern, Deformation exists. In the second step,
Approximate waveform g with Gaussian filter with standard deviation σ
(x: σ) is obtained. In the third step, d 2 g / dx 2 =
The position coordinates satisfying 0 are obtained. Here, these coordinates will be referred to as feature positions. And the required standard deviation
Repeat the second and third steps for (σ s ≦ σ ≦ σ n )
The feature position ( xσ1 ,..., Xσi ,..., Xσm ) for each standard deviation is obtained. Naturally, the number m of characteristic positions differs depending on each standard deviation. The waveform of the thin line drawn on A 'in FIG. 4 (b) is obtained when σ is changed. In the figure, the valley positions are also indicated by small white circles for reference. The minimum value σ B of the standard deviation to be considered is such that the noise of this waveform is removed. In the fifth step,
The data on the pattern to be measured obtained so far, that is, the characteristic positions (x σ1 ,..., X σi,.
x σm ) and the number m thereof are stored in the memory 5.

【0010】次に、上述の如き手順で求めた基準パター
ンと被計測パターンのデータを照合する手順の概略を図
4(a)(b)を用いて説明する。先に説明した如く、ガウ
スフィルタの標準偏差値が大きいときには、波形の大局
的な形状を表わし(図の上方)、小さいときには、採取波
形に近い詳細な形状を表わしている(図の下方)。そこ
で、大きい標準偏差値の場合から、基準波形の基準特徴
位置と入力波形の特徴位置との照合を行っていく。具体
的な一致特徴位置の検出の方法については、後述する。
図4(a)(b)の二重丸が、第1回目の一致特徴位置であ
る。次に、この一致特徴位置間を、再度詳しく照合す
る。すなわち、波形始点〜aと波形始点〜a′,a〜b
とa′〜b′,b〜cとb′〜c′,c〜波形終点と
c′〜波形終点の一致特徴位置間部分毎に、標準偏差値
を小さくさせながら、照合していく。なお、標準偏差値
を変化させたときの各部分波形の始点,終点は、第1回
目の一致特徴位置(a,b,c/a′,b′,c′)に対応
する特徴位置の座標であるので、図4(a)(b)内の矢印
のように、若干の変動をする。この第2回目の照合結果
を、●で示した。このような照合を、標準偏差値の下限
値ΣR,σRまで、リカーシブに繰り返すことにより、大
局的照合から詳細照合を統一的に実行できる。
Next, an outline of a procedure for comparing the data of the pattern to be measured with the reference pattern obtained by the above procedure will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b). As described above, when the standard deviation value of the Gaussian filter is large, it represents the general shape of the waveform (upper part of the figure), and when it is small, it represents a detailed shape close to the sampled waveform (lower part of the figure). Therefore, the matching of the reference characteristic position of the reference waveform with the characteristic position of the input waveform is performed starting from the case of the large standard deviation value. A specific method of detecting the matching feature position will be described later.
The double circles in FIGS. 4A and 4B are the first matching feature positions. Next, the matching feature positions are collated again in detail. That is, the waveform starting point ~ a and the waveform starting point ~ a ', a ~ b
The matching is performed while reducing the standard deviation value for each part between matching feature positions of the a-b ', b-c, b-c', c-waveform end points and c'-waveform end points. The start point and the end point of each partial waveform when the standard deviation value is changed are the coordinates of the characteristic position corresponding to the first coincidence characteristic position (a, b, c / a ', b', c '). Therefore, as shown by the arrows in FIGS. The result of the second verification is indicated by ●. By repeating such matching recursively up to the lower limit values 標準R and σ R of the standard deviation values, global matching to detailed matching can be unified.

【0011】この照合手順を、プログラムにしたものを
次に示す。なお、使用言語はC言語であり、本発明の本
質に関係のない変数の宣言やデータ転送記述は省略また
は簡単化してあり、必ずしも文法に忠実ではない。 MATCH(Σai,Xa,Xiai,xa,xi) /*Σaiai:基準および入力波形の最小最大標準標準偏差値*/ /*Xa,Xi/xa,xi:基準および入力波形の最小最大変曲点探索座標*/ {/*ストップ条件−ステップ1-*/ if(Σi=下限標準偏差値){goto end;} if(σi=下限標準偏差値){goto end;} if(Σai間,Xa,Xi間に特徴位置なし){goto end:} if(σai間,xa,xi間に特徴位置なし){goto end;} /*照合-ステップ2-*/ for(σ=σn,err0=9999;σ≦σr;σ++) {for(Σ=Σn;Σ≦ΣF;Σ++) (/*標準偏差幅σ,Σの場合における、基準および入力波形のXn,X,間, x0,x1間の一致特徴位置X[i],x[i]と、そのときの誤差errを求める。*/ lesq(σ,Σ,Xn,X1,x0,xi,X[i],x[i],err); /*最小誤差の各データ(l≦i≦N)を記憶*/ if(err<err0)(σ′=σ;Σ′=Σ; X[i]→X′[i],x[i]→x′[i];err0=err;})} if(err0≧const)(/*誤差が大きい*/goto end;}/*リカーシブ照合−ステップ3-*/ for(i=1;i≦N-1;i++) (MATCH(Σn,Σ′,X′[i],X′[i+1],σn,σ′,x′[i],x′[i+1]);} end:}
[0011] The following is a program in which the collation procedure is performed. The language used is the C language, and the declaration of variables and data transfer descriptions irrelevant to the essence of the present invention are omitted or simplified, and do not always adhere to the grammar. MATCH (Σ a, Σ i, X a, X i, σ a, σ i, x a, x i) / * Σ a, Σ i, σ a, σ i: Min Max standard standard deviation of the reference and input waveforms Value * / / * X a , X i / x a , x i : coordinates of search for minimum and maximum inflection point of reference and input waveforms * / {/ * stop condition-step 1-* / if (Σ i = lower limit standard deviation Value) {goto end;} if (σ i = lower limit standard deviation) {goto end;} if (no feature position between Σ a , Σ i , X a , X i ) {goto end:} if (σ a, between sigma i, x a, no characteristic position between x i) {goto end;} / * matching - step 2 - * / for (σ = σ n, err0 = 9999; σ ≦ σ r; σ ++ ) {for (Σ = Σ n ; Σ ≦ Σ F ; Σ ++) (/ * in the case of standard deviation width σ, 間, between X n , X, and x 0 , x 1 of the reference and input waveforms matching feature position X [i], x [i ] and obtains the error err at that time. * / lesq (σ, Σ , X n, X 1, x 0, x i, X [i], x [i ], err); / * Store each data (l ≦ i ≦ N) of the minimum error * / if (err <err0) (σ ′ = σ; Σ ′ = Σ; X [i] X ′ [i], x [i] → x ′ [i]; err0 = err;})} if (err0 ≧ const) (/ * large error * / goto end;} / * recursive matching—step 3 * / for (i = 1; i ≦ N−1; i ++) (MATCH (Σ n , Σ ′, X ′ [i], X ′ [i + 1], σ n , σ ′, x ′ [ i], x '[i + 1]);} end:}

【0012】このプログラムのステップ1は、照合の停
止条件判定である。リカーシブに本プログラムがコール
され、標準偏差値の下限値となった場合に、本プログラ
ムの実行を終える。ステップ2では、標準偏差値の範囲
内の各組合せ毎に、サブルーチンlesqにて、先に求めて
あった基準特徴位置と特徴位置のデータをメモリ4やメ
モリ5から取出しながら、照合を行い、一致基準特徴位
置X[i]と特徴位置x[i]およびそのときの誤差errを出
力する。次に、このようにして求めたデータのうち、最
小の誤差を持つもののみ、その標準偏差値Σ′,σ′と
一致特徴位置X′[i],x′[i]を記憶する。なお、この
ときの最小誤差自身がある一定値(const)より大きい場
合は、両波形間の変形が大きすぎるので、求めたデータ
を無効とし、この段階の照合を終える。ステップ3で
は、前段階で求めた結果の一致特徴位置X′[i],X′
[i]を用いて、両波形の部分領域に関して、再度、照合
を行う。なお、このときの標準偏差値の上限値は、それ
ぞれ、Σ′,σ′とし、より詳細な波形照合を実行す
る。また、本プログラムの初期値は、Σ0=Σsi=Σ
n,Xa=Xs,X1=Xn,σn=σs,σ1=σs,x0=xs,
1=x0とする。
Step 1 of this program is a determination of a collation stop condition. When this program is called recursively and reaches the lower limit of the standard deviation value, the execution of this program ends. In step 2, for each combination within the range of the standard deviation value, in the subroutine lesq, the reference characteristic position and the characteristic position data previously obtained are retrieved from the memories 4 and 5, and collation is performed. The reference feature position X [i], the feature position x [i], and the error err at that time are output. Next, among the data obtained in this way, only those having the smallest error are stored with their standard deviation values Σ ′, σ ′ and coincident feature positions X ′ [i], x ′ [i]. If the minimum error itself at this time is larger than a certain value (const), the deformation between the two waveforms is too large, so that the obtained data is invalidated and the comparison at this stage is finished. In step 3, the matching feature position X '[i], X' of the result obtained in the previous stage
Using [i], the collation is performed again on the partial regions of both waveforms. At this time, the upper limits of the standard deviation values are Σ ′ and σ ′, respectively, and more detailed waveform matching is performed. The initial value of this program is Σ 0 = Σ s , Σ i = Σ
n , X a = X s , X 1 = X n , σ n = σ s , σ 1 = σ s , x 0 = x s ,
Let x 1 = x 0 .

【0013】次に、先のプログラム内のサブルーチンle
sqに対応した、標準偏差Σの基準パターンのn個の基準
特徴位置(XΣ1,…,XΣi,…,XΣn)(ただし、Xn≦X
Σ1<…<XΣi<…<XΣn≦Xi)と、標準偏差σの被
計測パターンのm個の特徴位置(xns,…,xni,…,
σm)(ただし、xσ≦xσ1<…<xσi<…<xσm
1)の照合方法を説明する。ここでは、基準パターンの
n個の基準特徴位置(XΣi,…XΣ1,…,XΣn)(図3
(a))のうちのn′個にある座標変換を施し、それらが
被計測パターンのm個の特徴位置(xσ1,…,xσi,…,
σm)(図3(b))のうちのn′個(ただし、3≦n′≦m
in[n,m])に対応すると考える。座標変換式を入力変数
Xの1次式であると仮定すれば、次式のような2乗誤差
δを最小とするときの多項式T(X)が最適な座標変換式
ということになる。
Next, the subroutine le in the previous program
sq corresponding to, n-number of reference feature positions of the reference pattern of the standard deviation Σ (X Σ1, ..., X Σi, ..., X Σn) ( provided that, X n ≦ X
Σ1 <... <X Σi <... <X Σn ≦ with X i), m pieces of feature position of a measurement pattern of the standard deviation σ (x ns, ..., x ni, ...,
x σm ) (where x σ ≦ x σ1 <... <x σi <... <x σm
The method of collating x 1) will be described. Here, n pieces of reference feature positions of the reference pattern (X Σi, ... X Σ1, ..., X Σn) ( Fig. 3
(a)) is subjected to coordinate transformations for n ′ points, and these are subjected to m characteristic positions (x σ1 ,..., x σi,.
x σm ) (FIG. 3B) (where 3 ≦ n ′ ≦ m
in [n, m]). Assuming that the coordinate transformation equation is a linear equation of the input variable X, the polynomial T (X) for minimizing the square error δ as follows is the optimal coordinate transformation equation.

【数2】 0,A1は定数である。なお、A0はシフトによる変動
を表わしており、A1は倍率やひずみによる変動を表わ
している。そして、基準パターンの基準特徴位置と被計
測パターンの特徴位置からn′個取る組合せ毎に、この
最小2乗法を適用してそのときのδを求め、α・δ/
(n′)2が最小の組合せを求める(α:定数)。ただし、
n′自身も、3からmin[n,m]まで変化させる。単に、
δの最小を求めるのではなく、重み係数α/(n′)2を付
けたのは、n′が小さければ誤差δが小さくなるという
傾向が必然的に存在するので、誤差評価を適正に行うた
めである。従って、この目的が実現されるものであるな
らば、上記係数は他のものでも良い。
(Equation 2) A 0 and A 1 are constants. Note that A 0 represents fluctuation due to shift, and A 1 represents fluctuation due to magnification or distortion. Then, for each combination taking n ′ from the reference feature position of the reference pattern and the feature position of the pattern to be measured, this least squares method is applied to obtain δ at that time, and α · δ /
(n ') 2 finds the minimum combination (α: constant). However,
n 'itself is also changed from 3 to min [n, m]. simply,
The reason why the weight coefficient α / (n ′) 2 is added instead of finding the minimum of δ is that the error δ becomes smaller as n ′ becomes smaller, so the error evaluation is performed appropriately. That's why. Therefore, the above-mentioned coefficient may be another one as long as this object is realized.

【0014】図2に、以上説明した手順を示す。第1ス
テップでは、標準偏差値がΣにおけるX0より大きく、
1より小さい特徴位置を取出す。第2ステップでは、
初期組合せ要素変数n′に3を、変数errに考え得る誤
差以上の大きな値を代入しておき、第3ステップで基準
パターンのn個の基準特徴位置(XΣ1,…,XΣi,…,X
Σn)からn′個、被計測パターンのm個の特徴位置(x
σ1,…,xσi,…,xσm)からn′個を選ぶ。第4ステッ
プでこの組合せでの最小2乗誤差δおよびδ′=α・δ
/(n′)2を計算し、第5ステップから第6ステップで、
δ′<errとなる場合のみerr=δ′とした後、そのとき
の組合せを出力引数X[i],x[i]として記憶するように
する。第7ステップでn′取る組合せがすべて終了した
かをチェックし、もし、終了していない場合は第4ステ
ップに戻り、同様に過程を繰り返す。終了した場合は、
第8ステップでn′を1増加させ、n′=min[n,m]に
なるまで上述と同様の動作を繰り返す。
FIG. 2 shows the procedure described above. In the first step, the standard deviation value is larger than X 0 in Σ,
X 1 is taken out of smaller feature location. In the second step,
3 in the initial combination element variables n ', leave substituting a value larger than the error possible in variable err, n pieces of reference feature positions of the reference pattern in the third step (X Σ1, ..., X Σi , ..., X
Σn ) and n ′ feature positions (x
σ1 ,..., xσi ,..., xσm ). In the fourth step, the least square errors δ and δ ′ = α · δ in this combination
/ (n ′) 2 , and from the fifth step to the sixth step,
After setting err = δ 'only when δ'<err, the combination at that time is stored as output arguments X [i], x [i]. In the seventh step, it is checked whether all the combinations taking n 'have been completed, and if not completed, the process returns to the fourth step and the process is repeated in the same manner. When finished,
In the eighth step, n 'is incremented by 1 and the same operation as described above is repeated until n' = min [n, m].

【0015】図5に、この方法で求めた最終的な特徴位
置間の対応を示す。この対応関係が分かれば、基準波形
におけるエッジ位置(Xd)に対応する入力波形のエッジ
位置(xd)は、適当な補間または、そこを含む部分波形
における座標変換式T(X)を用いて、容易に計算でき
る。そして、その結果を表示装置8に表示する。上記実
施例においては、1次元波形についての照合例を示した
が、本発明はこれに限られるものではなく、容易に2次
元画像の照合に適用することができる。以下、これを示
す。
FIG. 5 shows the correspondence between the final feature positions obtained by this method. If this correspondence is known, the edge position (xd) of the input waveform corresponding to the edge position (Xd) in the reference waveform can be determined by appropriate interpolation or the coordinate conversion formula T (X) in the partial waveform including the same. Easy to calculate. Then, the result is displayed on the display device 8. In the above-described embodiment, an example of collation for a one-dimensional waveform has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be easily applied to collation of a two-dimensional image. Hereinafter, this will be described.

【0016】図6(a)(b)は、2値の基準線画像P
(X,Y)と入力線画像p(x,y)の照合の例を示してい
る。なお、ここで、線画像とは、幅1画素の線で描かれ
たものを指す。このような線画像は、ある線上の起点か
らの線上座標Lを媒介変数とした関数、X=S(L)とY
=T(L)で表現できる。そこで、各標準偏差値(Σs≦Σ
≦Σa)のガウスフィルタを関数S(L)とT(L)に作用さ
せた後の関数、S′(L;Σ)とT′(L;Σ)を求めれ
ば、そのときの関数、S′(L;Σ)とT′(L;Σ)で表
現される線画像の形状は、標準偏差値の大小によって、
大局または詳細なものとなる。従って、各標準偏差値に
おける関数S′(L;Σ)とT′(L;Σ)を用いて計算で
きる曲率Θ=0、または、dΘ/dL=0を満足するL
座標LΣ1,…,LΣi,…,LΣnを基準特徴座標、同様に
求めた入力線画像のlσ1,…,lσi,…,lσm(l:線上
座標)を特徴座標とすれば、先の1次元波形の照合方法
に帰着できる。当然、1回目の照合結果を用いて線画像
を部分線画像に分解して、再度、同一過程の照合をこの
部分線画像に関して行うことになる。なお、線画像が閉
ループである場合には、基準特徴座標と特徴座標の対応
をとるときに起点を越えた対応を許す必要がある。その
ときには、越えた座標には線画の周長を加えるようにす
る。こうすれば、線画像の大局形状と詳細形状の照合
を、各線上で行うことができ、変形形状を有する線画像
の照合が可能となる。
FIGS. 6A and 6B show a binary reference line image P.
An example of collation between (X, Y) and an input line image p (x, y) is shown. Here, the line image refers to an image drawn with a line having a width of one pixel. Such a line image is represented by a function using a coordinate L on a line from a starting point on a certain line as a parameter, X = S (L) and Y
= T (L). Therefore, each standard deviation value (Σ s Σ Σ
≤ Σ a ) A function obtained by applying a Gaussian filter to the functions S (L) and T (L), and S '(L; Σ) and T'(L; Σ) are obtained. The shape of the line image represented by S ′ (L; Σ) and T ′ (L; Σ) depends on the magnitude of the standard deviation value.
It will be big or detailed. Therefore, the curvature Θ = 0 or dΘ / dL = 0 which can be calculated using the functions S ′ (L; Σ) and T ′ (L; に お け る) at each standard deviation value.
Coordinates L Σ1, ..., L Σi, ..., L reference feature coordinates .SIGMA.n, similarly determined l .sigma.1 input line image, ..., l σi, ..., l σm: if said coordinates (l line coordinates) Can be reduced to the above one-dimensional waveform collation method. Naturally, the line image is decomposed into a partial line image using the result of the first collation, and the collation in the same process is performed again on this partial line image. If the line image is a closed loop, it is necessary to allow the correspondence beyond the starting point when associating the reference feature coordinates with the feature coordinates. At that time, the perimeter of the line drawing is added to the coordinates that have been exceeded. In this way, the global shape and the detailed shape of the line image can be compared on each line, and the line image having the deformed shape can be compared.

【0017】図7に、この方法で求めた最終的な特徴位
置間の対応を示す。上記各実施例においては、フィルタ
として、ガウス型フィルタを用いたが、大局または詳細
波形を記述できるフィルタであれば、他の単純加算平均
型フィルタを用いても良い。
FIG. 7 shows the correspondence between the final feature positions obtained by this method. In each of the above embodiments, a Gaussian filter is used as a filter. However, another simple averaging filter may be used as long as it can describe a general or detailed waveform.

【0018】以上述べた如く、本発明によれば、基準1
次元波形F(X)と入力1次元信号波形f(x)とを照合し
て、前記入力1次元信号波形f(x)の特定位置を検出す
る方法において、前記基準1次元波形F(X)の各位置
で、あるフィルタサイズΣのフィルタリングを行って近
似波形G(X)を得る第1のステップと、該近似波形G
(X)における
As described above, according to the present invention, the criterion 1
In the method for detecting a specific position of the input one-dimensional signal waveform f (x) by comparing the one-dimensional waveform F (X) with the input one-dimensional signal waveform f (x), the reference one-dimensional waveform F (X) A first step of performing filtering of a filter size Σ at each position to obtain an approximate waveform G (X);
In (X)

【数3】 を満足するX座標(X1,…,Xi,…,Xn)基準特徴座標と
して求める第2のステップと、前記入力1次元信号波形
f(x)の各位置で、あるフィルタサイズσのフィルタリ
ングを行って近似波形g(x)を得る第3のステップと、
該近似波形g(x)における
(Equation 3) (X 1 ,..., X i ,..., X n ) as reference feature coordinates, and at each position of the input one-dimensional signal waveform f (x), A third step of performing filtering to obtain an approximate waveform g (x);
In the approximate waveform g (x)

【数4】 を満足するx座標(x1,…,xi,…,xn)を特徴座標とし
て求める第4のステップと、前記基準特徴座標または特
徴座標が無い場合には、照合結果を対応位置無しとする
第5のステップと、T(X)をXの多項式で表現された座
標変換式とし、前記基準特徴座標(X1,…,Xi,…,Xn)
の幾つかと、前記特徴座標(x1,…,xi,…,xm)の幾つ
かとの組合せ(X1,…,Xi,…,Xh)と(x1,…,xi,…,x
h)のうち、2乗誤差
(Equation 4) A fourth step of obtaining x coordinates (x 1 ,..., X i ,..., X n ) satisfying the following as feature coordinates; A fifth step, and T (X) is defined as a coordinate transformation expression represented by a polynomial of X, and the reference feature coordinates (X 1 ,..., X i ,.
And some of the features coordinates (x 1, ..., x i , ..., x m) combinations of several (X 1, ..., X i , ..., X h) and (x 1, ..., x i , …, X
h ), the square error

【数5】 を最小にする組合せを求め、このときの誤差δがある値
以下の場合は、その対応位置を照合結果とし、誤差δが
前記ある値を越える場合は、照合結果を対応位置無しと
する第6のステップを有するようにしている。
(Equation 5) When the error δ at this time is equal to or less than a certain value, the corresponding position is determined as a collation result. When the error δ exceeds the certain value, the collation result is determined as having no corresponding position. The steps are as follows.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複雑なエッジ部の波形を有する回路パターンの線幅を計
測する場合でも、用意された回路パターンの設定された
始点と終点に対応して、被測定回路パターンの始点と終
点を自動的に検出できるので、それらの差を以って線幅
を正確に計測することができるという効果がある。
As described above, according to the present invention,
Even when measuring the line width of a circuit pattern having a complicated edge waveform, the start point and end point of the circuit pattern to be measured can be automatically detected according to the set start point and end point of the prepared circuit pattern. Therefore, there is an effect that the line width can be accurately measured based on these differences.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例における(a)は基準パター
ン、(b)は被計測パターンの処理手順を示すフローチャ
ートである。
FIG. 1A is a flowchart showing a processing procedure of a reference pattern, and FIG. 1B is a flowchart showing a processing procedure of a pattern to be measured in an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例における基準パターンと被計
測パターンの対応の取り方の手順を示すフローチャート
である。
FIG. 2 is a flowchart showing a procedure for associating a reference pattern with a pattern to be measured in one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例を示す計測装置の構成図であ
る。
FIG. 3 is a configuration diagram of a measuring device showing one embodiment of the present invention.

【図4】本発明における基準パターン、被計測パターン
の波形およびその近似波形を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a waveform of a reference pattern and a pattern to be measured and an approximate waveform thereof according to the present invention.

【図5】最終的な特徴位置間の対応を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a final correspondence between characteristic positions.

【図6】2個の基準線画像P(X,Y)と入力線画像p
(x,y)の照合の例を示す図である。
FIG. 6 shows two reference line images P (X, Y) and an input line image p
It is a figure showing an example of collation of (x, y).

【図7】図6における特徴位置間の対応を示す図であ
る。
FIG. 7 is a diagram showing correspondence between feature positions in FIG. 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…A/D変換器、2…アドレス発生回路、3…画像メ
モリ、 4…基準パターンデータメモリ、5…被計測パターンデ
ータメモリ、 6…計算手順データメモリ、7…CPU、8…表示装
置、9…電子顕微鏡。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... A / D converter, 2 ... Address generation circuit, 3 ... Image memory, 4 ... Reference pattern data memory, 5 ... Measured pattern data memory, 6 ... Calculation procedure data memory, 7 ... CPU, 8 ... Display device, 9 ... Electron microscope.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井内 秀則 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−237307(JP,A) 特開 昭62−73105(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Hidenori Inuchi 1-280 Higashi Koikebo, Kokubunji-shi, Tokyo Inside the Central Research Laboratory of Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-62-237307 (JP, A) JP-A-62 -73105 (JP, A)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】電子ビームで試料上をスキャンして第1の
パターンの信号を検出する第1のステップと、 検出された上記第1のパターンの信号をメモリに記憶す
る第2のステップと、 上記第1のパターンとは異なる第2のパターンの信号を
検出する第3のステップと、 上記第1のパターンと第2のパターンの各信号を照合す
るために、ガウスフィルタの標準偏差値を変えてそれぞ
れの近似波形を得る第4のステップと、 各近似波形の変曲点の座標を求める第5のステップと、 上記第1と第2のパターンの各近似波形毎に対応する変
曲点の対を照合により検出して、両パターンの対応点を
求め、上記第1のパターンで設定された計測すべき線幅
の始点と終点に対応する被測定パターンである第2のパ
ターンの始点と終点を検出し、その差を以って線幅とす
る第6のステップとを有することを特徴とする線幅計測
方法。
A first step of scanning a sample with an electron beam to detect a signal of a first pattern; a second step of storing the detected signal of the first pattern in a memory; A third step of detecting a signal of a second pattern different from the first pattern, and changing a standard deviation value of a Gaussian filter to match each signal of the first pattern and the second pattern. A fourth step of obtaining respective approximate waveforms, a fifth step of obtaining coordinates of inflection points of the respective approximate waveforms, and a step of obtaining inflection points corresponding to the respective approximate waveforms of the first and second patterns. A pair is detected by collation, a corresponding point of both patterns is obtained, and a start point and an end point of a second pattern which is a pattern to be measured corresponding to a start point and an end point of a line width to be measured set in the first pattern. Is detected, and the difference is Line width measuring method characterized by having a sixth step of the line width Te.
【請求項2】用意された基準パターンを電子ビームで走
査して得た1次元波形と被計測パターンを電子ビームで
走査して得た1次元信号波形とを照合して、上記被計測
1次元信号波形の2つの特定位置を検出し、該特定位置
の差から線幅を計測する方法において、 上記基準1次元波形の各位置で、あるフィルタサイズの
フィルタリングを行って近似波形を得る第1のステップ
と、 該近似波形における変曲点のX座標を基準特徴座標とし
て求める第2のステップと、 上記被計測1次元信号波形の各位置で、あるフィルタサ
イズのフィルタリングを行って近似波形を得る第3のス
テップと、 該近似波形における変曲点のx座標を特徴座標として求
める第4のステップと、 上記基準1次元波形と被計測1次元信号波形の各近似波
形との間で生じた倍率の違いやひずみの影響を除くため
に、Xの多項式で表現された座標変換式の所定の係数を
仮定し、各係数を含んだ座標変換式の誤差が最小になる
係数を特定する第5のステップと、 該係数を含めて、各近似波形における基準特徴座標と特
徴座標の対応する組を求める第6のステップと該近似波
形における対応組から両信号波形の対応組を求め、上記
基準1次元波形で設定された計測すべき線幅の始点と終
点に対応する被計測1次元波形の始点と終点を検出する
第7のステップと被計測1次元波形の終点と始点の差を
以って被計測パターンの線幅とする第8のステップとを
有することを特徴とする線幅計測方法。
2. A one-dimensional waveform obtained by scanning a prepared reference pattern with an electron beam and a one-dimensional signal waveform obtained by scanning a pattern to be measured with an electron beam are compared. In a method of detecting two specific positions of a signal waveform and measuring a line width from a difference between the specific positions, a first filter for performing filtering of a certain filter size at each position of the reference one-dimensional waveform to obtain an approximate waveform A second step of obtaining an X coordinate of an inflection point in the approximate waveform as a reference feature coordinate; and a step of performing filtering of a certain filter size at each position of the one-dimensional signal waveform to be measured to obtain an approximate waveform. Step 3, a fourth step of obtaining the x-coordinate of the inflection point in the approximate waveform as characteristic coordinates, and a step between the reference one-dimensional waveform and each approximate waveform of the measured one-dimensional signal waveform. In order to eliminate the influence of the difference in magnification and the effect of distortion, a predetermined coefficient of a coordinate conversion equation expressed by a polynomial of X is assumed, and a coefficient that minimizes the error of the coordinate conversion equation including each coefficient is specified. And a sixth step of obtaining a corresponding set of reference feature coordinates and feature coordinates in each approximate waveform including the coefficient, and a corresponding set of both signal waveforms being obtained from the corresponding set of the approximate waveforms. Seventh step of detecting the start point and end point of the one-dimensional waveform to be measured corresponding to the start point and end point of the line width to be measured set in the one-dimensional waveform, and the difference between the end point and the start point of the one-dimensional waveform to be measured An eighth step of setting the line width of the pattern to be measured.
【請求項3】前記第6のステップにおける特徴座標の対
応する組を求める場合、各部分波形の対応組毎にフィル
タサイズを小さくし、両波形の部分領域に関して再度、
照合を行い、より詳細な波形照合を行うことを特徴とす
る請求項2に記載の線幅計測方法。
3. When finding a corresponding set of feature coordinates in the sixth step, the filter size is reduced for each corresponding set of partial waveforms, and the partial area of both waveforms is again reduced.
3. The line width measuring method according to claim 2, wherein collation is performed to perform more detailed waveform collation.
【請求項4】前記変曲点の座標を求めるステップでは、
近似波形の微分値が零になるX座標、あるいは2階微分
ないしそれ以上の微分が零になるX座標を使用すること
を特徴とする請求項1または2に記載の線幅計測方法。
4. The step of obtaining the coordinates of the inflection point,
3. The line width measuring method according to claim 1, wherein an X coordinate at which a differential value of the approximated waveform becomes zero, or an X coordinate at which a second-order derivative or higher derivative becomes zero is used.
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