JP2709973B2 - Heat dissipation mechanism of transistor - Google Patents
Heat dissipation mechanism of transistorInfo
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Description
本発明は電子装置に使用されるトランジスタの放熱機
構に関する。The present invention relates to a heat dissipation mechanism of a transistor used in an electronic device.
従来、トランジスタの放熱機構として、第7図に示す
機構が知られている。 金属ケースの側壁72に垂直にプリント基板71が架橋さ
れている。そのプリント基板71にはトランジスタ70が、
プリント基板71に垂直に立設されている。トランジスタ
70の柱状ケース73の頭部から良伝熱体で構成された帽子
状の放熱キャップ74が被せられ、その放熱キャップ74は
その上部で良伝熱体の放熱プレート75に接触して固定さ
れている。そして、放熱プレート75は金属ケースの側壁
72に固定されている。Conventionally, a mechanism shown in FIG. 7 has been known as a transistor heat dissipation mechanism. A printed board 71 is cross-linked vertically to the side wall 72 of the metal case. The transistor 70 is on the printed board 71,
It stands upright on the printed circuit board 71. Transistor
A cap-shaped heat dissipation cap 74 made of a good heat transfer material is covered from the head of the columnar case 73 of 70, and the heat dissipation cap 74 is fixed in contact with a heat dissipation plate 75 of the good heat transfer material at its upper part. I have. And the heat radiation plate 75 is the side wall of the metal case
Fixed to 72.
従来の放熱機構は、上記したように、プリント基板71
の上部に、トランジスタ70の約高さ分だけ離れた放熱プ
レート75が存在する。このため、プリント基板71上に配
設された電子回路に対する浮遊容量が増加し、電子回路
に電気的悪影響を与えるという問題が存在した。 そこで、放熱プレート75とプリント基板71との距離を
長くとると、放熱キャップ74がトランジスタ70の高さ方
向に厚みのある形状とならざるを得ない。このため、放
熱プレート75が金属ケースの側壁72に固定される時に、
固定位置がわずかにずれても、放熱キャップ74が傾斜
し、トランジスタのリード部分にストレスが加わり部品
故障の原因となり、また、取付けが困難となる。逆に、
ストレスを防ぎ取付けを容易にするためには、トランジ
スタ70の柱状ケース73と放熱キャップ74との間にクリア
ランスを設ける必要がある。このクリアランスにより柱
状ケース73と放熱キャップ74との間に熱伝導が悪くな
り、放熱効率が良くないという問題がある。 更に、トランジスタ70の放熱源はトランジスタチップ
の載置される基板76付近となる。このため、放熱効果を
良くするには、放熱キャップ74をその基板76の付近まで
深く被せる必要がある。しかし、そのようにすると、プ
リント基板71上に配設された電子回路と放熱キャップ74
との距離が近くなり、浮遊容量が増加するという問題が
ある。 本発明は上記課題を解決するために成されたものであ
り、その目的は、電気的特性を劣化することなく、トラ
ンジスタの放熱効率を向上させることである。The conventional heat dissipating mechanism, as described above,
A heat-dissipating plate 75 that is separated by about the height of the transistor 70 exists on the upper side of the transistor 70. For this reason, there is a problem that the stray capacitance with respect to the electronic circuit provided on the printed circuit board 71 increases, which adversely affects the electronic circuit. Therefore, if the distance between the heat radiating plate 75 and the printed board 71 is increased, the heat radiating cap 74 must be formed in a shape having a thickness in the height direction of the transistor 70. Therefore, when the heat radiation plate 75 is fixed to the side wall 72 of the metal case,
Even if the fixing position is slightly shifted, the heat dissipation cap 74 is inclined, and stress is applied to the lead portion of the transistor, which causes a component failure and makes the mounting difficult. vice versa,
In order to prevent stress and facilitate mounting, it is necessary to provide a clearance between the columnar case 73 of the transistor 70 and the heat dissipation cap 74. Due to this clearance, heat conduction between the columnar case 73 and the heat dissipation cap 74 is deteriorated, and there is a problem that heat dissipation efficiency is not good. Further, the heat radiation source of the transistor 70 is near the substrate 76 on which the transistor chip is mounted. Therefore, in order to improve the heat dissipation effect, it is necessary to cover the heat dissipation cap 74 deeply near the substrate 76. However, in such a case, the electronic circuit disposed on the printed board 71 and the heat dissipation cap 74
And the stray capacitance increases. The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to improve the heat dissipation efficiency of a transistor without deteriorating electrical characteristics.
上記課題を解決するための請求項1の発明の構成は、
プリント基板を支持している金属ケースの壁面に形成さ
れた孔に、トランジスタの柱状ケースの底面が壁面の内
面とほぼ同一面にあるように、トランジスタを壁面に垂
直、即ち、プリント基板の面に平行に金属ケースの外側
に向けて貫通させ、柱状ケースの直径よりもやや小さい
直径の項を中央部に有した柱状体であって、孔の周囲の
肉部において、孔と側面外部とを連絡し、孔の軸方向に
伸びたスリットを有した良伝熱体で形成された放熱リン
グを、トランジスタの柱状ケースの根本部まで強制的に
貫通させることで、スリットの間隙が拡大されることに
抗する肉部に発生する弾性力により、その柱状ケースの
根本部においてその柱状ケースの側壁に密着させたこと
を特徴とする。 又、請求項2の発明は、請求項1の発明に加えて、加
熱リングの端面を金属ケースの壁面に高熱伝導を保持す
るように密接固定したことを特徴とする。 又、請求項3の発明は、請求項1に加えて、良伝熱体
で形成され、放熱リングの上面と接触する頂部とその頂
部の両側に形成され金属ケースの壁面の外面に接触する
基底部が角波形状に連続して形成された抑板により、放
熱リングの上面からその放熱リングを金属ケースの壁面
方向に抑えて、放熱リングを固定したことを特徴とす
る。 さらに、請求項4の発明は、金属ケースの壁面に形成
された孔に対応する位置に孔の形成された良伝熱体で形
成された放熱プレートを金属ケースの壁面の外部に接合
し、その放熱プレートと密着固定するうよにトランジス
タに貫通する放熱リングを配設したことである。The configuration of the invention of claim 1 for solving the above-mentioned problem is as follows.
The transistor is perpendicular to the wall, i.e., on the surface of the printed circuit board, so that the bottom of the columnar case of the transistor is substantially flush with the inner surface of the wall in the hole formed in the wall of the metal case supporting the printed circuit board. It is a columnar body with a term of diameter slightly smaller than the diameter of the columnar case at the center, penetrating parallel to the outside of the metal case, and connecting the hole and the outside of the side surface at the meat around the hole. Then, by forcibly penetrating the heat dissipating ring formed of a good heat conductor having a slit extending in the axial direction of the hole to the root of the columnar case of the transistor, the gap between the slits is enlarged. It is characterized in that the columnar case is brought into close contact with the side wall of the columnar case at the root portion of the columnar case by the elastic force generated in the opposed meat portion. According to a second aspect of the present invention, in addition to the first aspect, the end surface of the heating ring is closely fixed to the wall surface of the metal case so as to maintain high heat conduction. According to a third aspect of the present invention, in addition to the first aspect, a top portion formed of a good heat transfer member and in contact with the upper surface of the heat radiating ring, and a base formed on both sides of the top portion and in contact with the outer surface of the wall surface of the metal case. The heat radiating ring is fixed by suppressing the heat radiating ring from the upper surface of the heat radiating ring toward the wall surface of the metal case by using a suppressing plate having a portion continuously formed in a square wave shape. Further, according to the invention of claim 4, a heat dissipation plate formed of a good heat transfer body having holes formed at positions corresponding to the holes formed on the wall surface of the metal case is joined to the outside of the wall surface of the metal case. That is, a heat radiating ring penetrating through the transistor is provided so as to be tightly fixed to the heat radiating plate.
請求項1及び2の発明では、トランジスタチップで発
生した熱は、トランジスタの柱状ケース、放熱リングの
順に伝わり空気中に放熱され、一部は放熱リングから金
属ケースへ伝わる。金属ケースへ伝わった熱も最終的に
は空気中へ放熱される。 請求項3の発明では、トランジスタチップで発生した
熱は、トランジスタの柱状ケース、放熱リングの順に伝
わり、空気中へ放熱されると共に、抑板、金属ケースへ
伝わり最終的に空気中へ放熱される。 請求項4の発明では、トランジスタチップで発生した
熱は、トランジスタの柱状ケース、放熱リングの順に伝
わり、空気中に放熱されると共に、放熱プレートへ伝達
される。放熱プレートへ伝わった熱は空気中へ放熱され
ると共に、一部は金属ケースへ伝達され最終的に空気中
へ放熱される。According to the first and second aspects of the present invention, the heat generated in the transistor chip is transmitted to the columnar case of the transistor and the heat radiating ring in this order and is radiated to the air, and a part of the heat is transmitted from the heat radiating ring to the metal case. The heat transmitted to the metal case is finally radiated into the air. According to the third aspect of the invention, the heat generated in the transistor chip is transmitted to the columnar case of the transistor and the heat radiating ring in this order and is radiated to the air, and further transmitted to the suppressing plate and the metal case and finally radiated to the air. . According to the fourth aspect of the invention, heat generated in the transistor chip is transmitted to the columnar case of the transistor and the heat radiating ring in this order, is radiated into the air, and is transmitted to the heat radiating plate. The heat transmitted to the heat radiating plate is radiated into the air, and part of the heat is transmitted to the metal case and finally radiated into the air.
上述した構成の放熱機構は、全て、金属ケースの外部
に設けられているので、プリント基板上の電子回路との
間における浮遊容量の増加、漏れインダクタンスの増加
等の電気的干渉が防止される。又、電気的干渉が防止さ
れるので、放熱リング、抑板、放熱プレート等を大きく
できるため、放熱効果が向上する。更に、トランジスタ
はプリント基板の面に平行にその端面に面して配設され
るので、トランジスタを金属ケースの外部に配設して
も、プリント基板に対する配線が短くて良く、高周波特
性を劣化させることはない。 請求項1、2、3の発明では、ケースの直径よりもや
や小さい直径の孔を中央部に有し、孔の周囲の肉部にお
いて軸方向に伸びたスリットを有した放熱リングを柱状
ケースの根本部まで強制的に貫通させ、スリットの間隙
が拡大されることに抗する肉部に発生する弾性力によ
り、その柱状ケースの根本部においてその柱状ケースの
側壁に密着させている。従って、柱状ケースの外周面と
放熱リングの孔の内周面とが強固に密着する結果、トラ
ンジスタの放熱効果が極めて高くなる。さらに、そのよ
うに強固に密着させることを目的とした、放熱リングの
柱状ケースへの装着を極めて容易に実行することができ
る。 又、請求項3の発明では、放熱リングの上面と接触す
る頂部とその頂部の両側に形成され金属ケースの壁面の
外面に接触する基底部が角波形状に連続して形成された
抑板により、放熱リングの上面からその放熱リングを金
属ケースの壁面方向に抑えて、放熱リングを固定してい
る。よって、トランジスタの固定が容易になると共に、
放熱リング、抑板、金属ケースへの放熱経路が形成され
る結果、放熱効果が高くなる。Since all of the above-described heat radiation mechanisms are provided outside the metal case, electrical interference such as an increase in stray capacitance and an increase in leakage inductance with an electronic circuit on a printed circuit board is prevented. Also, since electrical interference is prevented, the size of the heat radiating ring, suppression plate, heat radiating plate, and the like can be increased, so that the heat radiating effect is improved. Further, since the transistor is disposed parallel to the surface of the printed circuit board and facing the end surface, even if the transistor is disposed outside the metal case, the wiring to the printed circuit board may be short, and the high-frequency characteristics deteriorate. Never. According to the first, second and third aspects of the present invention, a heat radiation ring having a hole having a diameter slightly smaller than the diameter of the case at the center and a slit extending in the axial direction in a wall around the hole is provided in the columnar case. The columnar case is forcibly penetrated to the root portion, and the elasticity generated in the flesh portion against the expansion of the gap between the slits makes the columnar case adhere to the side wall of the columnar case at the root portion. Therefore, as a result of the outer peripheral surface of the columnar case and the inner peripheral surface of the hole of the heat radiation ring being firmly adhered to each other, the heat radiation effect of the transistor becomes extremely high. Further, the mounting of the heat radiating ring to the columnar case for the purpose of firmly adhering to the radiating ring can be performed very easily. According to the third aspect of the present invention, the top portion contacting the upper surface of the heat radiating ring and the base formed on both sides of the top portion and contacting the outer surface of the wall surface of the metal case are continuously formed in a square wave shape. The heat radiating ring is fixed by holding the heat radiating ring from the upper surface of the heat radiating ring toward the wall surface of the metal case. Therefore, while fixing the transistor becomes easy,
As a result, the heat dissipation path is formed to the heat dissipation ring, the suppression plate, and the metal case, so that the heat dissipation effect is enhanced.
以下、本発明を具体的な一実施例に基づいて説明す
る。 第2発明に関する実施例について説明する。第2図に
おいて、電子装置の箱型の金属ケース10は、側壁11と底
板12を有しており、内部には、電子回路の配設されたプ
リント基板13が配設されている。 第1図に示すように、プリント基板13は金属ケース10
の側壁11の高さ方向の中間部において、側壁11に対して
垂直な方向に架橋された状態で配設されている。側壁11
のプリント基板13の端面131が対面する部分には、孔14
が開けられており、その孔14に柱状ケース21を有したト
ランジスタ20が側壁11の外側に向かって貫通される。 トランジスタ20の柱状ケース21には、第3図に示す形
状の放熱リング30が貫通される。その放熱リング30の孔
31は柱状ケース21の外径よりやや小さくできており、肉
部には長さ方向に切断するスリット32が形成されてい
る。 放熱リング30が柱状ケース21に強制的に貫通される
時、放熱リング30の孔31は、スリット32により拡大す
る。この結果、放熱リング30の有する弾性力により放熱
リング30はトランジスタ20の柱状ケース21に強固に密接
される。柱状ケース21の側壁と放熱リング30の内壁とが
密着していると共に、放熱リング30の端面と基板22とが
密着している。この結果、トランジスタチップ27で発生
した熱は、効率良く放熱リング30に伝達される。 抑板40は、第4図に示すように、長軸に垂直な断面が
角波形状に製造されており、基底部41、42と頂部43とで
構成されている。頂部43には孔44が形成されており、そ
の孔44にトランジスタ20の柱状ケース21の頭部23が突出
される。 押板40は金属ケース10の側壁11に基底部41と42が接触
するように螺子45により螺子絞め固定される。抑板40
は、螺子絞め固定された状態で、自己の弾性力により放
熱リング30を金属ケース10に強く押しつけ、放熱リング
30の上面33と抑板40の頂部43、放熱リング30の底面34と
金属ケース10の側壁11とが強力に密接する。 この結果、トランジスタ10の発生する熱は、柱状ケー
ス21、放熱リング30、抑板40の頂部43、その基底部41、
金属ケース10の側壁11、金属ケース10の底板12という経
路を通り放熱される。又、放熱リング30、金属ケース10
の側壁11という経路を通っても並行に放熱される。 このように、金属ケース10の外側にトランジスタ20を
突出させると共に、放熱リング30、抑板40等の放熱機構
を金属ケース10の外部に形成したので、放熱機構による
プリント基板13に配設される電子回路への電気的干渉が
排除される。 又、トランジスタ20とプリント基板13との電気接続
は、リード24,25,26により、プリント基板13の端部で接
続される。又、柱状ケース21は基板22により金属ケース
10にはんだ接続される。エミッタのリード26は貫通コン
デンサ28を貫通しており、貫通コンデンサ28のアース電
極は基板22と電気的に接続されている。このように、ト
ランジスタ20の各リード24,25,26はプリント基板13に接
近したところで接続されているので、トランジスタを金
属ケース10の外部に設けたにもかかわらず高周波特性は
悪化しない。 尚、上記実施例において、孔44は、特に設けることな
く、頂部43を高くすることで、柱状ケース21の頂部23を
上から覆うようにしても良い。 孔44を設けた場合には、以下の利点がある。トランジ
スタ20の取付状態を目視確認することが容易である。孔
44によりトランジスタ20の組付け位置の位置決めが容易
である。孔44からトランジスタ20の頭部23を突出させる
ことで、装置の寸法を小さくできる。 又、押板40は、第5図に示すように、トランジスタ20
の配設される部分にのみ形成して、底板12と接触しない
ようにしても良い。 第6図は第3発明に関する実施例を示した図である。 金属ケース10及びその側壁11の構成は、上記実施例と
同様である。 本実施例では、その側壁11に、平板の良伝熱体で形成
された放熱プレート50が配設されている。その放熱プレ
ート50には、トランジスタ20の貫通する孔51が開けられ
ている。トランジスタ20は、上記実施例と同様に側壁11
の孔14及び放熱プレート50の孔51を外側に貫通してい
る。そして、トランジスタ20の柱状ケース21には、上記
実施例と同様な構成の放熱リング30aが密接した状態で
貫通されている。その放熱リング30aは螺子52により放
熱プレート50に螺子絞め固定されている。このような構
成の放熱機構では、トランジスタ20で発生した熱は柱状
ケース21、放熱リング30a、放熱プレート50という経路
を通って放熱される。 又、放熱プレート50は、底板12に接合するように下部
においてL字形状に作成しているが、側壁11にのみ接触
する平板形状でも良い。 第1発明の実施例は、上記の第3発明における放熱プ
レート50を介在させずに、金属ケース10の側壁11に放熱
リング30を直に螺子絞め固定することで実現できる。Hereinafter, the present invention will be described based on a specific example. An embodiment according to the second invention will be described. In FIG. 2, a box-shaped metal case 10 of an electronic device has a side wall 11 and a bottom plate 12, and a printed circuit board 13 on which an electronic circuit is provided is provided inside. As shown in FIG. 1, the printed circuit board 13 is a metal case 10
At a middle portion in the height direction of the side wall 11, the side wall 11 is provided so as to be bridged in a direction perpendicular to the side wall 11. Side wall 11
In the portion of the printed circuit board 13 facing the end face 131, a hole 14 is provided.
The transistor 20 having the columnar case 21 in the hole 14 is penetrated toward the outside of the side wall 11. A heat radiating ring 30 having the shape shown in FIG. 3 penetrates through the columnar case 21 of the transistor 20. The hole of the heat dissipation ring 30
31 is slightly smaller than the outer diameter of the columnar case 21, and a slit 32 is formed in the flesh portion for cutting in the length direction. When the heat radiating ring 30 is forcibly penetrated through the columnar case 21, the hole 31 of the heat radiating ring 30 is enlarged by the slit 32. As a result, the heat dissipation ring 30 is firmly and closely contacted with the columnar case 21 of the transistor 20 by the elastic force of the heat dissipation ring 30. The side wall of the columnar case 21 and the inner wall of the heat radiating ring 30 are in close contact with each other, and the end face of the heat radiating ring 30 and the substrate 22 are in close contact with each other. As a result, heat generated in the transistor chip 27 is efficiently transmitted to the heat radiation ring 30. As shown in FIG. 4, the suppression plate 40 has a cross section perpendicular to the long axis manufactured in a square wave shape, and is composed of base portions 41 and 42 and a top portion 43. A hole 44 is formed in the top 43, and the head 23 of the columnar case 21 of the transistor 20 projects through the hole 44. The pressing plate 40 is screwed down and fixed by the screw 45 so that the base portions 41 and 42 come into contact with the side wall 11 of the metal case 10. Board 40
With the screw tightened and fixed, the heat dissipation ring 30 is strongly pressed against the metal case 10 by its own elastic force,
The upper surface 33 of the plate 30 and the top 43 of the suppressing plate 40, the bottom surface 34 of the heat radiating ring 30, and the side wall 11 of the metal case 10 are in strong close contact. As a result, the heat generated by the transistor 10 is generated by the columnar case 21, the heat radiating ring 30, the top 43 of the suppressor 40, its base 41,
The heat is radiated through a path of the side wall 11 of the metal case 10 and the bottom plate 12 of the metal case 10. Heat dissipation ring 30, metal case 10
The heat is also radiated in parallel through the path of the side wall 11. As described above, since the transistor 20 protrudes outside the metal case 10 and the heat dissipation mechanism such as the heat dissipation ring 30 and the suppression plate 40 is formed outside the metal case 10, the transistor 20 is disposed on the printed circuit board 13 by the heat dissipation mechanism. Electrical interference to electronic circuits is eliminated. The electrical connection between the transistor 20 and the printed circuit board 13 is connected at the end of the printed circuit board 13 by the leads 24, 25, and 26. The columnar case 21 is a metal case
Soldered to 10. The emitter lead 26 passes through the feedthrough capacitor 28, and the ground electrode of the feedthrough capacitor 28 is electrically connected to the substrate 22. As described above, since the leads 24, 25, and 26 of the transistor 20 are connected near the printed circuit board 13, the high-frequency characteristics do not deteriorate even though the transistor is provided outside the metal case 10. In the above embodiment, the hole 44 may not be provided, and the top portion 43 may be raised to cover the top portion 23 of the columnar case 21 from above. When the holes 44 are provided, there are the following advantages. It is easy to visually confirm the mounting state of the transistor 20. Hole
44 makes it easy to position the transistor 20 in the assembling position. By projecting the head 23 of the transistor 20 from the hole 44, the size of the device can be reduced. The pressing plate 40 is, as shown in FIG.
May be formed only at the portion where the bottom plate 12 is disposed so as not to contact the bottom plate 12. FIG. 6 is a diagram showing an embodiment according to the third invention. The configuration of the metal case 10 and the side wall 11 thereof is the same as in the above embodiment. In the present embodiment, a heat dissipation plate 50 formed of a flat good heat conductor is disposed on the side wall 11. The heat radiation plate 50 has a hole 51 through which the transistor 20 passes. The transistor 20 has the side wall 11 similar to the above embodiment.
And the hole 51 of the heat dissipation plate 50 penetrates outward. A heat dissipation ring 30a having the same configuration as that of the above embodiment is penetrated through the columnar case 21 of the transistor 20 in a state of being in close contact therewith. The heat radiating ring 30a is screwed and fixed to the heat radiating plate 50 by a screw 52. In the heat dissipation mechanism having such a configuration, the heat generated by the transistor 20 is dissipated through a path including the columnar case 21, the heat dissipation ring 30a, and the heat dissipation plate 50. Further, the heat dissipation plate 50 is formed in an L-shape at the lower portion so as to be joined to the bottom plate 12, but may be a flat shape that contacts only the side wall 11. The embodiment of the first invention can be realized by directly screwing and fixing the heat radiation ring 30 to the side wall 11 of the metal case 10 without interposing the heat radiation plate 50 in the above third invention.
第1図は、本発明の具体的な一実施例に係るトランジス
タの放熱機構を示す機構図、第2図は放熱機構の全体を
示した斜視図、第3図は放熱リングを示した斜視図、第
4図は抑板を示した斜視図、第5図は第1実施例の変形
例に係る放熱機構を示す機構図、第6図は他の実施例に
係る放熱機構を示した機構図、第7図は従来のトランジ
スタの放熱機構を示した機構図である。 10……金属ケース、11……側壁 12…底板、13……プリント基板、14……孔 20……トランジスタ、21……柱状ケース 22……基板、30……放熱リング、40……抑板FIG. 1 is a mechanism diagram showing a heat dissipation mechanism of a transistor according to a specific embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing the entire heat dissipation mechanism, and FIG. 3 is a perspective view showing a heat dissipation ring. FIG. 4 is a perspective view showing a suppressor, FIG. 5 is a mechanism diagram showing a heat radiating mechanism according to a modification of the first embodiment, and FIG. 6 is a mechanism diagram showing a heat radiating mechanism according to another embodiment. FIG. 7 is a mechanism diagram showing a conventional heat dissipation mechanism of a transistor. 10: Metal case, 11: Side wall 12: Bottom plate, 13: Printed circuit board, 14: Hole 20: Transistor, 21: Columnar case 22: Substrate, 30: Heat dissipating ring, 40: Suppression plate
Claims (4)
間に架橋されて配設されたプリント基板とを有する電子
装置に用いられた柱状ケースを有するトランジスタの放
熱機構において、 前記プリント基板の端面が対向する前記金属ケースの壁
面に孔を形成し、 前記トランジスタを、前記柱状ケースの底面が前記壁面
の内面とほぼ同一面にあるように、前記壁面に垂直な方
向に前記金属ケースの外側に向けてその孔を貫通させて
配設し、 前記柱状ケースの直径よりもやや小さい直径の孔を中央
部に有した柱状体であって、前記孔の周囲の肉部におい
て、前記孔と側面外部とを連絡し、前記孔の軸方向に伸
びたスリットを有した良伝熱体で形成された放熱リング
を、前記トランジスタの柱状ケースの根本部まで強制的
に貫通させることで、前記スリットの間隙が拡大される
ことに抗する肉部に発生する弾性力により、その柱状ケ
ースの根本部においてその柱状ケースの側壁に密着させ
たことを特徴とするトランジスタの放熱機構。1. A heat dissipation mechanism for a transistor having a columnar case used in an electronic device having a box-shaped metal case and a printed circuit board provided between the wall surfaces of the metal case. A hole is formed in a wall surface of the metal case having an end surface facing the outside, and the transistor is disposed outside the metal case in a direction perpendicular to the wall surface so that a bottom surface of the columnar case is substantially flush with an inner surface of the wall surface. A column having a hole having a diameter slightly smaller than the diameter of the columnar case in the center thereof, and a wall around the hole, the hole and the side surface being provided. By communicating with the outside, a heat radiation ring formed of a good heat conductor having a slit extending in the axial direction of the hole is forcibly penetrated to the root of the columnar case of the transistor, By the elastic force generated in the meat portion resisting the gap between slits is enlarged, the heat radiation mechanism of the transistor, characterized in that in close contact with the side wall of the columnar case the base portion of the columnar case.
壁面に高熱伝導を保持するように密接固定されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のトランジス
タの放熱機構。2. The transistor heat dissipation mechanism according to claim 1, wherein an end face of said heat dissipation ring is closely fixed to a wall surface of said metal case so as to maintain high heat conduction.
成され、前記放熱リングの上面と接触する頂部とその頂
部の両側に形成され前記金属ケースの壁面の外面に接触
する基底部が角波形状に連続して形成された抑板によ
り、前記放熱リングの上面からその放熱リングを前記金
属ケースの壁面方向に抑えて、放熱リングを固定した ことを特徴とするトランジスタの放熱機構。3. The metal case according to claim 1, further comprising: a top portion formed of a good heat transfer member and in contact with an upper surface of the heat radiating ring; and a base portion formed on both sides of the top portion and in contact with an outer surface of a wall surface of the metal case. A heat dissipating mechanism for a transistor, wherein a heat dissipating ring is fixed by suppressing the heat dissipating ring from a top surface of the heat dissipating ring toward a wall surface of the metal case by a suppressor formed continuously in a square wave shape.
間に架橋されて配設されたプリント基板とを有する電子
装置に用いられた柱状ケースを有するトランジスタの放
熱機構において、 前記プリント基板の端面が対向する前記金属ケースの壁
面に孔を形成し、 その孔に対応する位置に孔の形成された良伝熱体で形成
された放熱プレートを前記金属ケースの壁面の外部に接
合し、 前記トランジスタを前記壁面に垂直な方向に前記ケース
の外側に向けて、前記金属ケースの孔及び前記放熱プレ
ートの孔を貫通させ、良伝熱体で形成されたリング状の
放熱リングを、前記トランジスタの柱状ケースに貫通さ
せ、その放熱リングの底面を前記放熱プレートに接触固
定させ、その柱状ケースの根本部において、その柱状ケ
ースの側壁に密着させたことを特徴とするトランジスタ
の放熱機構。4. A heat dissipation mechanism for a transistor having a columnar case used in an electronic device having a box-shaped metal case and a printed circuit board disposed between the wall surfaces of the metal case, A hole is formed in the wall surface of the metal case whose end face is opposed, and a heat dissipation plate formed of a good heat transfer body having a hole formed at a position corresponding to the hole is joined to the outside of the wall surface of the metal case. A transistor is directed to the outside of the case in a direction perpendicular to the wall surface, the holes of the metal case and the holes of the heat radiating plate are penetrated, and a ring-shaped heat radiating ring formed of a good heat conductor is formed on the transistor. That the bottom surface of the heat dissipation ring is fixedly contacted with the heat dissipation plate, and that the bottom surface of the case is in close contact with the side wall of the case. Heat radiation mechanism of the transistor, characterized.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2043862A JP2709973B2 (en) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | Heat dissipation mechanism of transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2043862A JP2709973B2 (en) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | Heat dissipation mechanism of transistor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03246959A JPH03246959A (en) | 1991-11-05 |
JP2709973B2 true JP2709973B2 (en) | 1998-02-04 |
Family
ID=12675510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2043862A Expired - Fee Related JP2709973B2 (en) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | Heat dissipation mechanism of transistor |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2709973B2 (en) |
Family Cites Families (1)
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---|---|---|---|---|
JPS5234942Y2 (en) * | 1971-11-26 | 1977-08-09 |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2043862A patent/JP2709973B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03246959A (en) | 1991-11-05 |
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