JP2702248B2 - 熱間静水圧加圧装置における冷却方法および冷却装置 - Google Patents

熱間静水圧加圧装置における冷却方法および冷却装置

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JP2702248B2 JP1313979A JP31397989A JP2702248B2 JP 2702248 B2 JP2702248 B2 JP 2702248B2 JP 1313979 A JP1313979 A JP 1313979A JP 31397989 A JP31397989 A JP 31397989A JP 2702248 B2 JP2702248 B2 JP 2702248B2
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    • B30B11/001Presses specially adapted for forming shaped articles from material in particulate or plastic state, e.g. briquetting presses, tabletting presses using a flexible element, e.g. diaphragm, urged by fluid pressure; Isostatic presses
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、熱間静水圧加圧装置における冷却方法およ
び冷却装置に関する。
(従来の技術) 熱間静水圧加圧(以下、HIPと略称)において、HIP処
理後の冷却工程について、その冷却時間を短縮するとと
もに被処理体を均等に冷却し、もって稼動率の向上と被
処理体の品質安定化とを図る技術として、実開昭63−12
3999号公報に開示のHIP装置がある。
すなわち、この従来のHIP装置は、第6図に示す通り
であり、この第6図において、高圧筒1と上蓋2、下蓋
3とにより画成される高圧室4内に、断熱層5と、その
内側にヒータ6を周設して炉室7となし、かつ、前記断
熱層5を気密構造の外側ケーシング8と内側ケーシング
9との少なくとも2つの倒立コップ上ケーシングを含ん
で構成し、外側ケーシング8上部に開閉可能なガス通路
8Aを、内側ケーシング9上部にガス通路9Aを設けると共
に、前記内外ケーシング8,9のガス通路8A,9A間をガス流
通可能に、かつ該断熱層5下端部を気密に構成した熱間
静水圧加圧装置において; その上端と前記断熱層5間に気体流通自由な間隔を隔
て、前記ヒータ6の内側に周設された案内筒10と;前記
下蓋3に支持部材を介して支持され、被処理体12を支持
する台板11と;その下部を前記台板11にて区画され、前
記案内筒10に囲周されて画成され、被処理体12を収容す
る空間を備えた処理室13と;前記処理室13下方に設けら
れ、前記台板11を経て該処理室13と前記炉室7とを連通
するガス流路14と;前記ガス流路14における前記台板11
下方に配設され、駆動手段にて回転される撹拌ファン15
と;前記炉室7の下部に設けられ、前記断熱層5外側の
高圧室4と該炉室7とを連通する下部ガス流路16と;前
記下部ガス流路16に配設され、駆動手段にて回転される
還流ファン17とを設けたもので、前記ガス通路8Aは開閉
弁手段18で開閉自在(連通遮断自在)とされている。
この第6図に示すHIP装置における冷却程は次の通り
である。
すなわち、HIP処理終了後の冷却工程に移行すると、
断熱層5外側ケーシング8上部のガス通路8Aを開くと共
に、撹拌ファン15および還流ファン17の回転を開始し、
撹拌ファン15にて処理室13内の圧媒ガスをその下方より
炉室7側に送り、還流ファン17にて断熱層5外側の高圧
室4側の圧媒ガスを炉室7側に送る。
このとき、高圧室4内の圧媒ガスは以下の作用を受け
ると共に、炉室7を冷却する作用をなす。
;還流ファン17にて炉室7に強制的に送り込まれた
圧媒ガスは炉室7内を上昇し、断熱層5の内外ケーシン
グ8,9上部に設けられたガス通路8A,9Aを経て断熱層5外
へ流出し、断熱層5と上蓋2および高圧筒1間の間隙を
経て流下し、その過程にて低温なる上蓋2と高圧筒1の
内壁と接触熱交換し温度低下した後、炉室7下部に設け
られた下部ガス流路16を経て炉室7内に環戻する。
炉室7内は上記断熱層5外側にて熱交換し温度低下し
た後、その下方より上方へ抜ける圧媒ガスの強制還流に
て熱を奪われ効率良く冷却される。
また、この冷却効果は還流ファン17の回転数制御によ
る流量加減にて広範囲に設定自由である。
;案内筒10に囲周された処理室13内の圧媒ガスをそ
の下方に設けたガス流路14を経て撹拌ファン15にて炉室
7側に強制的に送り出すと、炉室7内の圧媒ガスは案内
筒10上開口部より流入し、案内筒10と被処理体12間を流
下し、処理室13下方のガス流路14より流出し、前記炉室
7内を上昇する強制還流と合流して上方に導かれる。
すなわち、炉室7上方に存して比較的高温なる案内筒
10上部より該案内筒10に流入した圧媒ガスは被処理体12
と熱交換しつつ流下して、台板11にて区画された処理室
13下方のガス流路14より炉室7側に強制撹拌流として流
出し、該流出部位において前記熱交換して温度低下した
後炉室7下方より上昇する強制還流と合流して混合・撹
拌され、互いに直接熱交換して均温化されつつ炉室7上
方に上昇する。そしてこの圧媒ガスの一部は、案内筒10
上開口部より流入し、被処理体12と熱交換しつつ流下
し、下方のガス流路14より送り出されて上記と同じ強制
撹拌流としての作用をなす。
被処理体12を内包する処理室13下方の上記強制撹拌流
の流出部位より上方の炉室7内は、上記両圧媒ガス流の
混合・直接熱交換により、その冷却効率が高められると
共に、撹拌均温化効果により、前記強制還流による下方
先行冷却が軽減される。
そしてまた、これら効果は撹拌ファン15の回転数制御
による流量加減にて広範囲に設定自由である。
;案内筒10に囲周された処理室13内を流下する圧媒
ガスは被処理体12と接触して熱交換し、温度上昇しつつ
降下する。従って、全体的に下方より冷却が進展する炉
室7内においても、上記熱を補充しつつ降下する圧媒ガ
スに包まれて冷却される被処理体12は、下方先行冷却さ
れることが抑制されて、上下均等して冷却される。
さらには、撹拌ファン15による流量を著しく増大させ
ることにより、炉室7の上下方向の温度差をより縮める
ことが可能である。
(発明が解決しようとする課題) 前述した従来の技術は、それ成りに有用であるけれど
も、次のような問題点がある。
すなわち、高温のガス流体が前述した通り循環流とし
て流れるとき、耐圧能力を有する熱吸収体、すなわち高
圧室1等の温度過上昇を招き、これが設計許容限界を越
えるときは、安全上の観点から循環流を開閉弁手段18で
遮断する必要がある。
この結果として、循環流は断続的な流れとなり、耐圧
能力をもつ排熱能力を最大限に活用できず冷却能力が低
下するおそれがあった。
本発明は、前述した従来技術の利点はそのまま奏しな
がらその問題点を解決した冷却方法と冷却装置を提供す
ることが目的である。
(課題を解決するための手段) 本発明は、高圧筒と上蓋および下蓋とにより画成され
る高圧室内に、内側にヒータを有する断熱層を設けて該
断熱層内に炉室を備え、該炉室内の被処理体を圧媒ガス
でHIP処理するとともにその後に冷却する方法におい
て、前述の目的を達成するために、次の技術的手段を講
じている。
すなわち、本発明はまず第1に、下方より上方に流れ
る間に直接もしくは間接に炉室より熱を奪うとともに断
熱層の上部でかつ高圧室にて反転して下方に流下する間
に耐圧能力を有する熱吸収体に放熱する第1還流と、高
圧筒内側と炉室外部の比較的低温部を下方から上方に流
れた後、高圧筒の内面に沿って上方から下方に流下する
第2還流と、の2つの循環流を前記圧媒ガスがHIP処理
後に生起し、前記第1還流が耐圧を有する熱吸収体に達
するまでに前記第2還流と混合して冷却することを特徴
とするものであり、又、前述の方法を実施するために、
下方より上方に流れる間に直接もしくは間接に炉室より
熱を奪うとともに断熱層の上部でかつ高圧室にて反転し
て下方に流下する間に耐圧能力を有する熱吸収体に放熱
する第1還流を生起する圧媒ガスの第1還流路を備え、
高圧筒内側と炉室外部の比較的低温部を下方から上方に
流れた後、高圧筒の内面に沿って上方から下方に流下す
る第2還流を生起する圧媒ガスの第2還流路を備え、前
記第1還流が耐圧を有する熱吸収体に達するまでに前記
第2還流と混合する混合流路を前記断熱層の上部に備え
たことを特徴とするものである。
(実施例と作用) 以下、本発明を図面を参照しつつ詳述する。
第1図は本発明装置の第1実施例であり、この第1図
において、20は高圧筒で、この上・下開口部には上蓋21
および下蓋22が気密状として挿脱自在に嵌合され、ここ
に、高圧筒20と上蓋21および下蓋22とにより高圧室23が
区画され、この内部に断熱層24およびその内側にヒータ
25を周設することで炉室26を形成してHIP装置の主要部
が構成されており、被処理体27を下蓋22上の下部断熱部
28Aを備えた支持部材28に支持された台板29上に載置し
てHIP処理が行われる。
前記断熱層24は倒立コップ状の内外ケーシング30,31
を含んで、その下端部において金属リング32と溶接等に
より気密に結合することによって構成されており、内外
ケーシング30,31間には断熱材が充填されている。
更に、前記内外ケーシング30,31は金属製の気密な構
成のものであって、その上部にガス通路30A,31Aがそれ
ぞれ設けられ、また内外ケーシング30,31のガス通路30
A,31A間はガス流通可能とされてあり、かつ外側ケーシ
ング31上部のガス通路31Aは上蓋21に装設されたシリン
ダ33の上下動自由なピストン軸下端に取付けられた弁34
にて開閉される。
また、上記金属リング32はガス通路32Aを有する炉室
底面板32Bで閉塞され、その下端を下蓋22に取付けられ
断熱層24を支持すると共に、断熱層24外側の高圧室23と
炉室26側とを連通する下部ガス流路35の一部を形成する
ものである。
36は案内筒であって、該案内筒36はその上端と断熱層
24間に間隔を隔て、ヒータ25内側に配設され、その内部
に被処理体27を収容する処理室37を備えた金属製筒で、
下端をその中央部附近にガス流通孔29Aを設けた台板29
と気密に接続・支持されている。
なお、本実施例においては、案内筒36と台板29との接
続部に嵌合部を設け分離可能に接続したが、これらは気
体抵透過性で耐圧・耐熱性のある部材であれば、適宜、
温度条件等を考慮の上、他の部材が選択されてもよく、
また互の接続方法については溶接等で一体的に接続され
てもよいが、被処理体の装脱を容易とするため分離可能
であることが望ましい。
38は流路形成体であり、この第1実施例では、断熱層
24の外周部における高圧室23に、上下遮弊リング38A,38
Bを有する筒体38Cを設けることで構成されている。
39は撹拌ポンプであって、該撹拌ポンプ39は台板29下
面と支持部材28の断熱部28Aとの間に設けた空間、すな
わち台板29のガス流通孔29Aを介して処理室37と連通
し、かつ炉室26側とガス流通自由としたガス流路40内に
配設され、その回転により台板29のガス通路29Aを介し
処理室37の圧媒ガスを外周方向、すなわち炉室26側に送
り出すものである。
41は還流ポンプであって、該還流ポンプ41はガス流通
口32Aを有する前記炉室底面板32Bと流路形成体38の下遮
弊リング38Bとの間に配置され、その回転により下部ガ
ス流路35の比較的低温部のガスを下方から上方に流れた
後、高圧筒20の内面に沿って上方から下方に流下する第
2還流Bとを生起させるものである。
また還流ポンプ41の回転により圧媒ガスを上方向、す
なわち断熱層24外側の高圧室23側の圧媒ガスを炉室26側
に送る第1還流Aを促進させる。
42は回転軸であって、該回転軸42はその下端を下蓋22
に装設された可変速モータ43と連結し、台板29の支持部
材28における断熱部28Aに設けられた貫通穴を経て上方
のガス流路40内に達するよう配設され、その上端部にお
いて撹拌ポンプ39と連結し、かつ下部において還流ポン
プ41と連結してあり、可変速モータ43の回数を撹拌ポン
プ39と還流ポンプ41とに伝えると共に、両ポンプ39,40
を支持するものである。
なお、本実施例においては撹拌ポンプ39と還流ポンプ
41を1つのモータによる同軸回転のものとしたが、これ
はコンパクトでかつシンプルな構成となる利点を得んが
ためであって、2つの駆動手段を設け、それぞれの回転
数を異って選択し、それぞれ最適流量を得るべく加減速
させる構成とすることも好ましい。
そして、撹拌ポンプ39と還流ポンプ41とは、それぞれ
のガス流路40,35内に配設され、圧媒ガスの流れの方向
がそれぞれ炉室26方向である限り、その配設位置は選択
自由であるが、いずれにしても炉室26内の各同一円周上
において均等的な圧媒ガス流が得られるよう構成するこ
とが望ましい。
なお、第1図において、D,Eは第1還流Aの流路、F,G
は第2還流Bの流路を示している。
次に、前述した第1実施例の作用を説明する。
HIP処理中にあっては、外側ケーシング31のガス通路3
1Aを弁体34で閉塞し、断熱層24内部の圧媒ガスの対流を
抑制することで、該断熱層24にその断熱効果を果させ得
る状態として既知の手法によってHIP処理を行なう。
次いで、HIP処理終了後の冷却工程に移行すると、断
熱層24における外側ケーシング31上部のガス通路31Aを
開くと共に、撹拌ポンプ39および還流ポンプ41の回転を
開始し、撹拌ポンプ39にて処理室37内の圧媒ガスをその
下方より炉室26側に送り、還流ポンプ41にて、高圧筒2
0、上蓋21および下蓋22の内側と断熱層24の外側ケーシ
ング31の外側の間に、強制的に第2還流Bを駆動する。
同時に断熱層24外側の高圧室23側と炉室26側の圧媒ガス
に自然対流による第1還流Aが生じ還流ポンプ41はこれ
を促進する。本実施例では、炉内構造をシンプルに構成
するために第1還流Aを独立に駆動するポンプを設けな
かったが、要求される冷却速度に応じてこれを設置する
ことも可能である。
すなわち、第1還流Aは下方より上方に流れる間に直
接炉室26より熱を奪い、反転して下方に流下する間に耐
圧能力を有する熱吸収体である高圧筒20の内面に放熱す
る。従って、高圧筒20の内面には図示省略したが、ライ
ナを設けて冷媒を流し、ヒートシンクとしての機能を高
めることが望ましい。
一方、第2還流Bは炉室外部の比較的低温部であるガ
ス流路35を、下方から上方に流れた後に高圧筒20の内面
に沿って流下する循環流であり、前記第1還流Aが耐圧
を有する熱吸収体に達するまでに、第2還流Bとガス通
路31A付近で混合され、ここに、耐圧能力を有する熱吸
収体の表面上の流体温度(圧媒ガス温度)は第6図に示
した従来例よりも低くなり、設計許容限界を越えること
がなく、従って、第1還流Aを連続的に循環させての冷
却を可能とする。
また、第2還流Bを設けることにより耐圧を有する熱
吸収体の表面上の流量が増大し、熱伝達能も向上する。
ここで、高圧室23内の圧媒ガスの作用を詳述すると次
の通りである。
:第1還流Aは炉室26内の比較的高温になる圧媒ガ
スと断熱層24外側の比較的低温なる圧媒ガスの密度差に
起因する自然対流、および還流ポンプ41により生起させ
た流れを炉室底面板32B中に配設したガス流路32Aを経て
炉室26へ強制的に分流した流れにより生ぜしめられる。
この圧媒ガスは炉室26内を上昇し、断熱層24の内外ケー
シング30,31上部に設けられたガス通路30A,31Aを経て断
熱層24外へ流出し、断熱層24と上蓋21および高圧筒20間
の間隙を経て流下し、その過程にて低温なる上蓋21と高
圧筒20の内壁と接触熱交換し温度低下した後、炉室26下
部に設けられた下部ガス流路35を経て炉室26内に環戻す
る。
一方、第2還流Bは還流ポンプ41によって強制的に駆
動されられこの圧媒ガスは、ガス流路35の低温部の下方
から上方へ流れ、高圧筒20の内面に沿って流下して循環
され、この第2還流Bによる圧媒ガスが前記第1還流A
における圧媒ガスとガス通路30Aの付近で混合され、こ
こに、炉室26内は上記断熱層24外側にて熱交換し温度低
下した後、その下方より上方へ抜ける圧媒ガスの強制還
流にて熱を奪われ効率良く冷却される。
また、この冷却効果は還流ポンプ41の回転数制御によ
る流量加減にて広範囲に設定自由である。
;案内筒36に囲周された処理室37内の圧媒ガスは第
1図の符号Cの第3還流として循環される。
すなわち、第3還流Cの圧媒ガスは処理室37の下方に
設けたガス流路40を経て撹拌ポンプ39にて炉室26側に強
制的に送り出され、案内筒36と被処理体27間を流上し、
炉室26上部にて反転し、案内筒36外側と、断熱層内側ケ
ーシング30の間を強制的に流下し、台板29外縁近傍にて
下部より上昇する第1還流と混合しガス流路40を経て再
び撹拌ポンプ39にて炉室26側に強制的に送り出される。
該第3還流のない場合は、処理室37内において、処理
体27により加熱された比較的熱い圧媒ガスは、密度差に
より上方に流れ該処理室内に温度成層を形成し上に熱く
下に冷たい温度差が拡大するが、第3還流により炉室26
内の比較的熱い圧媒ガスを炉室26内部で循環させること
により、処理室37内の均熱撹拌を促進するものである。
さらには、撹拌ポンプ39による流量を著しく増大させ
ることにより、炉室26の上下方向の温度差をより縮める
ことが可能である。
第2図は本発明の第2実施例を示し、基本構成は第1
図を参照して詳述した第1実施例と共通するので、以
下、相違点につき説明し、共通部分は共通符号を示して
いる。
断熱層24を、大小2層構造の断熱層24A,24Bとで構成
し、第2還流Bにおける下方から上方へ流れるガス流路
Fを、断熱層内部すなわち、断熱層24A,24B間に設けて
いる。
また、炉室底面板32Bにおける複数のガス流路32Aを開
閉自在にする弁体44を設けて、該弁体44の開度調整によ
って第1還流Aと第2還流Bとの圧媒ガスの分配比率を
変化させる分配手段45が設けられている。
このため、測温計46を設けて混合後のガス温度を計測
し、この信号で制御器47によって弁体44、すなわち電磁
弁を熱電対の電圧出力により開度調整するようにされて
いる。
すなわち、低温になるほど第1還流Aの比率が増すよ
うに弁体44の開度を大とし、高圧筒20および上蓋21の冷
却能力を最大限に利用し冷却速度を増すようにしてい
る。
なお、第2図において、48は遮熱板を示している。ま
た、第2図において、弁体34は大小断熱層24A,24Bのガ
ス通路をともに開閉自在にすることもできる。
第3図は本発明の第3実施例を示し、前述した第1・
2実施例と基本構成は同一であり、高圧筒20の内面だけ
でなく上蓋21の内面にも冷媒用ライナ(図示せず)を設
けて、第2実施例における遮熱板48を省略可能にすると
ともに、混合ガスの測温のための測温計46をガス通路31
Aの付近に備えた点が相違し、その他は、第2図と同じ
であり、共通部分は共通符号で示している。
この第3実施例では、断熱層上部のガス通路31Aの出
口付近で第1還流Aの圧媒ガスと第2還流Bの圧媒ガス
とを混合することによりガス温度が低下するため、上蓋
21を熱吸収体として活用することができる。
第4図は本発明の第4実施例を示し、上蓋21と断熱層
24との間に、熱交換器49を配置して該熱交換器49を耐圧
を有する熱吸収体として機能するようにしたもので、そ
の他の構成、作用は第1実施例、第3実施例等と共通
し、共通部分は共通符号で示している。
第5図は本発明の第5実施例であり、前述した第1〜
4実施例のいずれもが、ガス通路31Aを開閉自在にする
弁体34およびこの駆動シリンダ33を備えていたのに対
し、この第5実施例では弁体34、該駆動シリンダ33をと
もに備えず、この代りに、モータ50で駆動される第2還
流ポンプ51を上蓋21に設けるとともに、金属リング32の
ガス通路32Aを開閉自在にする電磁形の弁体44を設け、
更に、モータ43を油圧ピストン51で上下動可能として炉
室底面板32Bとロッド42とをシール52で気密状態と開放
状態に変更自在にしたものである。
すなわち、この第5図に示す第5実施例では、HIP処
理中、冷却中を通じて常にガス通路31Aは開であり、弁
体44を閉塞しておくことにより、HIP処理時、炉室26内
の圧媒ガスの外部への流路はガス通路31Aのみであるか
ら炉室26内の圧媒ガスの循環はない。
HIP処理後の冷却工程においては、弁体44によってガ
ス通路32Aを開くことにより自然対流が発生し、第5図
に破線で示す第1還流Aを生じる。第2還流Bは上蓋21
に固定した新たなモータ50により駆動される第2還流ポ
ンプ51で強制的に循環され、撹拌ポンプ39で第3還流C
を生起する。断熱層24の上部ガス通路31Aに達した第1
還流Aは第2還流Bと混合し高圧筒20内面を流下しガス
通路32A付近に達し循環を繰り返し、流量調節は複数の
弁体44の開度調整により行う。
従って、この第5実施例では、第1還流A、第2還流
B、第3還流Cの流量調節を全く独立に行うことによっ
て、より高性能な均熱、急速冷却を実現することができ
る。
(発明の効果) 本発明は以上の通りであり、第6図に示した従来技術
の利点をそのまま確保して次のような特有な作用効果を
奏する。
すなわち、従来技術にあっては、急速冷却の速度を向
上させるため、第1還流の流量を増大させても耐圧能力
を有する熱吸収体の設計許容限界の要求からこの第1還
流は断続的なものとなり、第1還流の流量増大は必ずし
も冷却速度の増大をもたらさずこの関係は不定であっ
た。
これに対し、本発明では、第1還流だけでなく第2還
流を生起し、第1還流が熱吸収体に触れる前に第2還流
と混合するので、第1還流の連続的な循環による冷却が
可能となる。
従って、第1還流の増大は冷却速度の着実な増大をも
たらし、その関係は定常化でき、このことはまた、混合
ガスの温度を測定して第1還流乃至第2還流を生起させ
るポンプを駆動するモータの回転数制御により、混合ガ
ス比率を変えて冷却速度を制御することもできる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例と従来例とを示しており、第1図
から第5図は本発明の各実施例で第1図は第1実施例
の、第2図は第2実施例の、第3図は第3実施例の、第
4図は第4実施例の、第5図は第5実施例の各立面断面
図、第6図は従来例の立面断面図である。 20……高圧筒、21……上蓋、22……下蓋、23……高圧
室、24……断熱層、25……ヒータ、26……炉室、38……
流路形成体、39……撹拌ポンプ、41……還流ポンプ、A
……第1還流、B……第2還流、D,E……第1還流の流
路、F,G……第2還流の流路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中井 友充 兵庫県神戸市東灘区本庄町1丁目4―5 ―1102 (72)発明者 成川 裕 兵庫県西宮市殿山町3―25―401 (72)発明者 神田 剛 兵庫県西宮市老松町14―15―507

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】高圧筒と上蓋および下蓋とにより画成され
    る高圧室内に、内側にヒータを有する断熱層を設けて該
    断熱層内に炉室を備え、該炉室内の被処理体を圧媒ガス
    でHIP処理するとともにその後に冷却する方法におい
    て、 下方より上方に流れる間に直接もしくは間接に炉室より
    熱を奪うとともに断熱層の上部でかつ高圧室にて反転し
    て下方に流下する間に耐圧能力を有する熱吸収体に放熱
    する第1還流と、 高圧筒内側と炉室外部の比較的低温部を下方から上方に
    流れた後、高圧筒の内面に沿って上方から下方に流下す
    る第2還流と、の2つの循環流を前記圧媒ガスがHIP処
    理後に生起し、前記第1還流が耐圧を有する熱吸収体に
    達するまでに前記第2還流と混合して冷却することを特
    徴とする熱間静水圧加圧装置における冷却方法。
  2. 【請求項2】第1還流と第2還流の混合後における圧媒
    ガスの温度を測定し、その測定値により混合比率を制御
    することを特徴とする請求項(1)記載の熱間静水圧加
    圧装置における冷却方法。
  3. 【請求項3】高圧筒と上蓋および下蓋とにより画成され
    る高圧室内に、内側にヒータを有する断熱層を設けて該
    断熱層内に炉室を備え、該炉室内の被処理体を圧媒ガス
    でHIP処理するとともにその後に冷却する装置におい
    て、 下方より上方に流れる間に直接もしくは間接に炉室より
    熱を奪うとともに断熱層の上部でかつ高圧室にて反転し
    て下方に流下する間に耐圧能力を有する熱吸収体に放熱
    する第1還流を生起する圧媒ガスの第1還流路を備え、 高圧筒内側と炉室外部の比較的低温部を下方から上方に
    流れた後、高圧筒の内面に沿って上方から下方に流下す
    る第2還流を生起する圧媒ガスの第2還流路を備え、前
    記第1還流が耐圧を有する熱吸収体に達するまでに前記
    第2還流と混合する混合流路を前記断熱層の上部に備え
    たことを特徴とする熱間静水圧加圧装置における冷却装
    置。
  4. 【請求項4】前記第1還流を強制的に生起するポンプを
    備えたことを特徴とする請求項(3)記載の熱間静水圧
    加圧装置における冷却装置。
  5. 【請求項5】前記第2還流を強制的に生起するポンプを
    備えたことを特徴とする請求項(3)記載の熱間静水圧
    加圧装置における冷却装置。
  6. 【請求項6】前記炉室内の圧媒ガスを撹拌して均熱化す
    る撹拌ポンプを備えたことを特徴とする請求項(3)記
    載の熱間静水圧加圧装置における冷却装置。
  7. 【請求項7】前記第1還流と第2還流をともに強制的に
    生起するポンプを設けるとともに、断熱層の底部近傍に
    圧媒ガスの分配手段を設けたことを特徴とする請求項
    (3)記載の熱間静水圧加圧装置における冷却装置。
  8. 【請求項8】前記混合流路に、混合ガスの温度を測定す
    る測温計を設け、該測定温度に応じて混合比率を制御す
    る制御手段を設けたことを特徴とする請求項(3)記載
    の熱間静水圧加圧装置における冷却装置。
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