JP2700243B2 - Heating equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、加熱装置に関する。
(従来の技術)
近年、アニール技術として、高エネルギー線ビームの
光エネルギーを被処理物例えば半導体ウエハ表面に吸収
させ、熱エネルギーの形に変換して被処理物の表面層の
熱処理(アニール)を行うビームアニール技術が注目さ
れており、半導体製造においては、半導体ウエハ表面層
の結晶性回復や導入不純物の活性化等に主として用いら
れている技術である。
例えば3次元素子の開発において基本となるSOI(Sil
icon On Insulator)技術は、基体表面に形成された絶
縁膜上にさらにシリコン単結晶を形成し、このシリコン
単結晶上に素子を形成する技術であり、このSOI技術に
おいて絶縁膜上に単結晶を形成する方法の一つとして、
上記ビームアニール技術が注目されている。例えば、化
学気相成長法(CVD:Chemical Vepor Deposition)等に
より絶縁膜上に形成された非単結晶シリコン層に、レー
ザ等の高エネルギー線ビームを照射して、非単結晶シリ
コン層を単結晶化する技術に応用されている。
このような半導体製造のビームアニールに使用するビ
ームアニール装置としては、上下2分割が可能な円筒状
のチャンバ内部に被処理物を予備加熱するための円板状
のサセプタを配設し、該サセプタ下面に半導体ウエハを
例えば吸着保持して、半導体ウエハ下方向からレーザ光
を走査照射してアニールを行うものがある。一般にこの
ようなビームアニール装置では、サセプタの加熱機構が
具備されており、例えばチャンバ上方に光熱源例えばIR
ランプ等が配設され、チャンバ上面に取付けられた石英
ガラス等から光熱源の輻射熱を取入れて、サセプタを例
えば500℃程度に予備加熱するように構成されている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上述した従来のビームアニール装置で
は、加熱機構からの熱やサセプタの輻射熱により、サセ
プタのみならず、その周辺機器例えば駆動系や種々のセ
ンサ、制御機器等の周辺機器をも加熱してしまい、この
熱影響により、駆動系例えばベアリングの動作不良や、
センサ等の誤動作等を招くという問題があった。またこ
れら周辺機器の熱対策が必要となるため、装置のコスト
アップにつながるという問題があった。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたも
ので、サセプタやサセプタ加熱機構から周辺機器への熱
影響が低減でき、チャンバ周辺機器の熱損傷を防止する
とともに装置のコストダウンが図れる加熱装置を提供す
ることを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明の加熱装置は、内部に処理室を形成し、透明部
材からなる加熱用の窓を有するチャンバと、
前記チャンバ内に、前記加熱用の窓と対向する如く配
設された被処理物を保持する保持部と、
前記保持部を前記チャンバ内壁に支持する支持部と、
前記チャンバの外部に設けられ、前記加熱用の窓を介
して前記保持部に熱線を照射し加熱するための加熱機構
とを備え、
前記保持部に保持された前記被処理物を、前記保持部
からの伝熱により加熱するように構成された加熱装置に
おいて、
前記保持部と、前記支持部との間に介在する断熱性の
部材と、
前記チャンバ壁または前記支持部に配設された冷却機
構と
を具備したことを特徴とするものである。
また、請求項2の加熱装置は、ほぼ円筒状に形成さ
れ、透明部材からなる加熱用の窓を有するチャンバと、
前記チャンバ内に、前記加熱用の窓と対向する如く配
設され、被処理物を保持するカーボングラファイトから
なる円板状の保持部と、
前記保持部に周設され該保持部の径方向を支持する回
転リングと、
前記回転リングと前記チャンバ内壁間に介挿されたベ
アリングと、
前記チャンバの外側に配設され、前記窓を介して前記
保持部に熱線を照射し、前記保持部を加熱することによ
って、当該保持部に保持された前記被処理物を加熱する
光熱源と、
前記回転リング内周面近傍に埋設された第1の環状の
冷却配管と、
前記チャンバ上壁表面近傍に埋設された第2の環状の
冷却配管と、
前記第1、第2の冷却配管へ冷却水を循環させる冷却
水供給部と
を具備していることを特徴とするものである。
(作 用)
チャンバ壁または支持部に配設され冷却水を導入する
冷却配管と、この冷却配管に冷却水を供給する冷却水供
給機構等からなる冷却機構と、保持部と支持部との間に
介在する断熱性の部材とにより、被処理物の保持部や加
熱機構からの熱による周辺機器の温度上昇を防止でき、
チャンバ周辺機器の熱損傷を防止するとともに装置のコ
ストダウンが図れる。
(実施例)
以下、本発明をレーザアニール装置に適用した一実施
例について第1図ないし第5図を参照して説明する。
処理室1は、例えばステンレスやアルミニウムからな
る円筒状上蓋2と、例えばアルミニウムからなる円筒状
下蓋3とにより構成されたチャンバ4に郭定されてお
り、上記上蓋2および下蓋3は、図示を省略したチャン
バ開閉機構例えばエアーシリンダにより、例えば20mm程
度相対的に開閉自在に取付けられている。
処理作業中は、この上蓋2と下蓋3が閉状態となり、
チャンバ側壁に設けられたガス導入部例えば第2図に示
したような、チャンバ内壁に沿って円弧状に形成された
ガス導入管5の内周面に複数穿設された排出口から、例
えば窒素ガスや酸素ガス等が導入されて被処理物の処理
面とほぼ平行に流れて、ガス導入管5と対向する内壁に
穿設された排気口6から排出される。排気ガスCは第3
図に示したように装置上部に設けられた排出管7に導か
れて、装置内上部の充満ガスとともに装置外へと排出さ
れる。
上蓋2の上壁および下蓋3の下壁には、夫々開口部2
a、3aが穿設されており、各開口部2a、3aには透明部材
例えば直径220mmの石英ガラス8、9が嵌込まれてい
る。
処理室1内部の中央部付近には、半導体ウエハを予備
加熱するための、例えば直径220mm、厚さ20mmの例えば
カーボングラファイトからなるサセプタ10が配設されて
おり、このサセプタ10の下面はバキュームチヤック構造
となっており、図示を省略した搬送機構により搬送され
た半導体ウエハ11をサセプタ10下面に吸着保持するよう
に構成されている。
このサセプタ10外周面には、これと間隔を保持して例
えば外径250mm、高さ50mm、肉厚10mmのステンレスから
なる回転リング12が周設されており、この回転リング12
とサセプタ10の間隔に設けられた複数の断熱性支持部
材、例えばセラミック製支持部材13により、サセプタ10
が回転リング12に保持されている。回転リング12は、そ
の外周面に設けられたベアリング14を介して上蓋内壁に
取付けられており、図示を省略したリング回転機構によ
り、サセプタに吸着保持した半導体ウエハ11のθ方向の
角度微調整を行う。
チャンバ4上方には、サセプタ10の加熱機構として、
光熱源例えば反射板15を備えた数キロワットのIRランプ
(Infrared Ray Ramp)16が配設されており、このIRラ
ンプ16からの赤外線が石英ガラス8を透過して、サセプ
タ10を例えば500℃まで予備加熱するように構成されて
いる。一方、チャンバ4下方向には、図示を省略したレ
ーザ照射機構が配設されており、このレーザ出力機構か
ら出力されたレーザ光、例えば、CW−Arガスレーザ光A
を石英ガラス9を通して半導体ウエハ8表面に走査照射
してアニール処理を行う。
ところで、このような構成のレーザアニール装置で
は、IRランプ16からの赤外線や、サセプタ10からの輻射
熱により、ベアリング14や上蓋2、チャンバ4に外設さ
れている図示を省略したセンサや制御機器等の周辺機器
が、例えば500℃の高温となるため、これら周辺機器が
高熱により損傷する恐れがあり、例えば回転リングのベ
アリング14には、潤滑油としてホンブリングリース等が
使用されており、高熱下の使用によりこのグリースが劣
化する恐れがある。このような熱的影響を低減するため
に回転リング12および上蓋2には冷却機構が設けられて
いる。
冷却機構は、回転リング12内部に設けられたリング冷
却通水路17と、上蓋2上面の内部に設けられた上蓋冷却
通水路18と、これら通水路17、18に冷却水を循環させる
循環ポンプ19とから構成されている。
リング冷却通水路17は、第4図に示すように、回転リ
ング10の内周面上部に、断面が例えば50mm角の水路をリ
ング内周に沿って環状に形成したものである。そして、
回転リング上面の少なくとも一箇所には、冷却通水路17
に連通する冷却水供給口20が穿設されており、この冷却
水供給口20上面には、側面に冷却水供給管21が挿着さ
れ、循環ポンプ19から圧送された冷却水8Bを冷却水供給
口20から冷却水通路17に導入するための、給水ジャック
22が取付けられている。冷却水Bは、この給水ジャック
22からリング冷却通水路17内に導入されて熱交換された
後、図示を省略した冷却水排出口から排出される。
上記冷却通水路17の構成は非常に簡素であるため、そ
の作製に当っては、予め回転リング12内周面に冷却溝23
を形成しておき、この冷却溝23の開口に薄リング体24を
溶着することで容易に製作することができる。
一方、上蓋2上面に設けられた上蓋冷却通水路18も上
記回転リングの冷却機構と同様な考え方で構成されてお
り、第5図に示すように、上蓋2上面に例えば、幅10m
m、深さ5mmの冷却溝25を環状に形成し、その開口に薄リ
ング体26を溶着して構成されている。尚、冷却溝25の断
面形状は、IRランプ16からの熱を効率良く吸収するため
に、上面部の面積を広く例えば幅広形状にするとよい。
これら冷却通水路17、18を循環する冷却水の温度は、
低温である程よいが、特に冷却する必要はなく、常温例
えば20℃程度でもよく、サセプタ10の温度が500℃に加
熱されている場合には、常温の冷却水でもチャンバ4上
面部および側面部近傍の温度は50〜60℃まで低下した。
従って、回転リングのベアリング14やチャンバ上蓋
2、その他チャンバ周辺機器の熱影響による損傷の恐れ
がなくなり、装置全体の耐久性を向上させることができ
る。さらには、部材や機器の選択自由度が大きくなり、
例えば高価な耐熱部材や、耐熱性機器を使用する必要が
なくなるので、装置のコストダウンも可能になる。尚、
本例の冷却機構は、その構成が簡素であるため、これに
よるコストアップは装置全体でみれば無視できる程度の
ものである。
ところで、上述実施例では、冷却機構をチャンバ上蓋
2および回転リング12に設けたが、本発明はこの取付け
位置に限定されるものではなく、例えば、チャンバ下蓋
3に取付ければチャンバ下方の温度を低下させて、図示
を省略したレーザ光学機器等への熱影響を低減できる
等、高熱部に設ければいずれの位置でも効果がある。
また、冷却通水路の構成についても上述実施例に限定
されず、例えば、回転リングやチャンバ上蓋の内部に冷
却水循環配管を埋設した構成としてもよい。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の加熱装置によれば、サ
セプタとチャンバとの間の熱影響を低減することができ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a heating device. (Prior Art) In recent years, as an annealing technique, light energy of a high-energy ray beam is absorbed by a surface of an object to be processed, for example, a semiconductor wafer, and converted into a form of thermal energy to perform heat treatment (annealing) of a surface layer of the object to be processed. Attention has been paid to a beam annealing technique to be performed, and in semiconductor manufacturing, it is a technique mainly used for recovering crystallinity of a semiconductor wafer surface layer, activating introduced impurities, and the like. For example, SOI (Sil
icon On Insulator) technology is a technology in which a silicon single crystal is further formed on an insulating film formed on the surface of a substrate and an element is formed on the silicon single crystal. In this SOI technology, a single crystal is formed on the insulating film. One of the ways to form
The above-mentioned beam annealing technique is receiving attention. For example, a non-single-crystal silicon layer formed on an insulating film by chemical vapor deposition (CVD) or the like is irradiated with a high-energy ray beam such as a laser to convert the non-single-crystal silicon layer into a single-crystal silicon layer. It is applied to the technology that is becoming As a beam annealing apparatus used for beam annealing in such semiconductor manufacturing, a disk-shaped susceptor for pre-heating an object to be processed is provided inside a cylindrical chamber which can be divided into upper and lower parts. There is a method in which, for example, a semiconductor wafer is suction-held on a lower surface, and annealing is performed by scanning and irradiating a laser beam from below the semiconductor wafer. Generally, such a beam annealing apparatus is provided with a susceptor heating mechanism.
A lamp or the like is provided, and the susceptor is preheated to, for example, about 500 ° C. by radiating heat of a photothermal source from quartz glass or the like attached to the upper surface of the chamber. (Problems to be Solved by the Invention) However, in the above-described conventional beam annealing apparatus, not only the susceptor but also its peripheral devices such as a drive system, various sensors, and control devices are generated by the heat from the heating mechanism and the radiant heat of the susceptor. Also heats peripheral devices such as, and due to this thermal effect, drive system, for example, malfunction of the bearing,
There is a problem that a malfunction of the sensor or the like is caused. In addition, since it is necessary to take measures against heat of these peripheral devices, there is a problem that the cost of the device is increased. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and can reduce the thermal effect on peripheral devices from a susceptor or a susceptor heating mechanism, prevent thermal damage to chamber peripheral devices, and reduce the cost of the apparatus. It is intended to provide a device. [Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The heating apparatus of the present invention has a processing chamber formed therein, a chamber having a heating window made of a transparent member, and the heating chamber in the chamber. A holder for holding an object to be processed, which is disposed so as to face the window for use; a support for supporting the holder on the inner wall of the chamber; and a support provided outside the chamber through the heating window. A heating mechanism for irradiating the holding section with heat rays to heat the workpiece, wherein the object to be processed held by the holding section is heated by heat transfer from the holding section. And a heat insulating member interposed between the holding portion and the support portion, and a cooling mechanism disposed on the chamber wall or the support portion. The heating device according to claim 2 is formed in a substantially cylindrical shape and has a heating window made of a transparent member. The heating device is disposed in the chamber so as to face the heating window, A disk-shaped holding portion made of carbon graphite for holding an object; a rotating ring provided around the holding portion to support a radial direction of the holding portion; and a bearing inserted between the rotating ring and the inner wall of the chamber. A light heat source that is disposed outside the chamber and irradiates the holding unit with heat rays through the window to heat the holding unit, thereby heating the workpiece held by the holding unit. A first annular cooling pipe buried near the inner peripheral surface of the rotating ring; a second annular cooling pipe buried near the surface of the upper wall of the chamber; and the first and second cooling pipes To circulate cooling water And a water supply unit. (Operation) A cooling pipe, which is provided on a chamber wall or a support section and introduces cooling water, a cooling mechanism including a cooling water supply mechanism for supplying the cooling water to the cooling pipe, and a section between the holding section and the support section. With the heat insulating member interposed in the, it is possible to prevent the temperature rise of the peripheral equipment due to the heat from the holding part of the workpiece and the heating mechanism,
This prevents thermal damage to the peripheral equipment of the chamber and reduces the cost of the apparatus. (Embodiment) An embodiment in which the present invention is applied to a laser annealing apparatus will be described below with reference to FIGS. The processing chamber 1 is defined by a chamber 4 composed of a cylindrical upper lid 2 made of, for example, stainless steel or aluminum, and a cylindrical lower lid 3 made of, for example, aluminum. The upper lid 2 and the lower lid 3 are shown in FIG. The opening / closing mechanism is omitted, for example, by an air cylinder. During the processing operation, the upper lid 2 and the lower lid 3 are closed,
A gas inlet provided on the side wall of the chamber, for example, nitrogen gas is discharged from a plurality of outlets formed on the inner peripheral surface of the gas inlet pipe 5 formed in an arc shape along the inner wall of the chamber as shown in FIG. Gas or oxygen gas is introduced, flows almost parallel to the processing surface of the processing object, and is discharged from an exhaust port 6 formed in an inner wall facing the gas introduction pipe 5. Exhaust gas C is third
As shown in the figure, the gas is guided to a discharge pipe 7 provided at the upper part of the apparatus, and is discharged to the outside of the apparatus together with the filling gas in the upper part of the apparatus. The upper wall of the upper lid 2 and the lower wall of the lower lid 3 have openings 2 respectively.
The openings 2a and 3a are provided with transparent members such as quartz glass 8 and 9 having a diameter of 220 mm. A susceptor 10 made of, for example, carbon graphite having a diameter of 220 mm and a thickness of 20 mm, for example, for preheating the semiconductor wafer is disposed near a central portion inside the processing chamber 1, and the lower surface of the susceptor 10 has a vacuum chuck. The semiconductor wafer 11 transferred by a transfer mechanism (not shown) is suction-held on the lower surface of the susceptor 10. A rotating ring 12 made of stainless steel having an outer diameter of 250 mm, a height of 50 mm, and a thickness of 10 mm is provided around the outer peripheral surface of the susceptor 10 while maintaining an interval therefrom.
And a plurality of heat-insulating support members provided at intervals between the susceptor 10 and the susceptor 10, for example, a ceramic support member 13.
Are held by the rotating ring 12. The rotating ring 12 is attached to the inner wall of the upper lid via a bearing 14 provided on the outer peripheral surface thereof, and a ring rotating mechanism (not shown) finely adjusts the angle in the θ direction of the semiconductor wafer 11 sucked and held on the susceptor. Do. Above the chamber 4, as a heating mechanism for the susceptor 10,
An IR lamp (Infrared Ray Ramp) 16 of several kilowatts provided with a light heat source such as a reflection plate 15 is provided, and infrared rays from the IR lamp 16 pass through the quartz glass 8 and cause the susceptor 10 to reach, for example, 500 ° C. It is configured to preheat. On the other hand, a laser irradiation mechanism (not shown) is provided below the chamber 4. The laser light output from the laser output mechanism, for example, a CW-Ar gas laser light A
Is irradiated on the surface of the semiconductor wafer 8 through the quartz glass 9 to perform an annealing process. By the way, in the laser annealing apparatus having such a configuration, due to infrared rays from the IR lamp 16 and radiant heat from the susceptor 10, sensors, control devices, For example, the temperature of the peripheral devices becomes high, for example, 500 ° C.Therefore, these peripheral devices may be damaged by high heat.For example, the bearing 14 of the rotating ring uses a honbling lease or the like as a lubricating oil. There is a risk that this grease will be degraded by the use of. In order to reduce such thermal effects, a cooling mechanism is provided on the rotating ring 12 and the upper lid 2. The cooling mechanism includes a ring cooling water passage 17 provided inside the rotating ring 12, an upper cover cooling water passage 18 provided inside the upper surface of the upper cover 2, and a circulation pump 19 for circulating cooling water through these water passages 17, 18. It is composed of As shown in FIG. 4, the ring cooling water passage 17 is formed by forming a water passage having a cross section of, for example, 50 mm square along the inner periphery of the ring at the upper part of the inner peripheral surface of the rotating ring 10. And
At least one location on the upper surface of the rotating ring
A cooling water supply port 20 communicating with the circulating pump 19 is provided.A cooling water supply pipe 21 is inserted into a side surface of the cooling water supply port 20 and communicates with the cooling water 8B. Water supply jack for introducing from the supply port 20 to the cooling water passage 17
22 are installed. Cooling water B
After being introduced into the ring cooling water passage 17 from 22 and subjected to heat exchange, it is discharged from a cooling water outlet not shown. Since the configuration of the cooling water passage 17 is very simple, in manufacturing the cooling water passage 17, the cooling groove 23 is previously formed on the inner peripheral surface of the rotating ring 12.
Can be easily manufactured by welding a thin ring body 24 to the opening of the cooling groove 23. On the other hand, the upper lid cooling water passage 18 provided on the upper lid 2 has the same concept as the cooling mechanism of the rotating ring. As shown in FIG.
An annular cooling groove 25 having a depth of 5 mm and a length of 5 mm is formed, and a thin ring body 26 is welded to the opening. Note that the cross-sectional shape of the cooling groove 25 may have a wide upper surface area, for example, a wide shape in order to efficiently absorb the heat from the IR lamp 16. The temperature of the cooling water circulating in these cooling water passages 17 and 18 is
The lower the temperature, the better, but it is not particularly necessary to cool, and may be room temperature, for example, about 20 ° C. If the temperature of the susceptor 10 is heated to 500 ° C., even the room temperature cooling water can be used near the upper surface and side surfaces of the chamber 4. Decreased to 50-60 ° C. Therefore, there is no possibility of damage to the bearing 14 of the rotating ring, the upper cover 2 of the chamber, and other peripheral devices of the chamber due to the heat, and the durability of the entire apparatus can be improved. Furthermore, the degree of freedom in selecting components and equipment increases,
For example, since there is no need to use expensive heat-resistant members or heat-resistant equipment, the cost of the apparatus can be reduced. still,
Since the cooling mechanism of this example has a simple configuration, the increase in cost due to this is negligible in the entire apparatus. By the way, in the above-described embodiment, the cooling mechanism is provided in the chamber upper lid 2 and the rotating ring 12, but the present invention is not limited to this mounting position. If it is provided in a high-temperature portion, the effect can be obtained at any position. For example, it is possible to reduce the influence of heat on a laser optical device or the like (not shown). Further, the configuration of the cooling water passage is not limited to the above-described embodiment. For example, a configuration may be adopted in which a cooling water circulation pipe is buried inside a rotating ring or a chamber upper lid. [Effects of the Invention] As described above, according to the heating device of the present invention, the influence of heat between the susceptor and the chamber can be reduced.
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明をレーザアニール装置に適用した一実施
例のチヤンバ周辺の構成を示す図、第2図はチャンバの
径方向断面図、第3図は排気ガスの流れを示す図、第4
図は第1図のリング冷却通水路を示す断面図、第5図は
第1図の上蓋冷却通水路を示す断面図である。
1……処理室、2……上蓋、3……下蓋、4……チャン
バ、10……サセプタ、11……半導体ウエハ、12……回転
リング、14……ベアリング、16……IRランプ、17……回
転リング冷却通水路、18……上蓋冷却通水路、19……循
環ポンプ。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing a configuration around a chamber of an embodiment in which the present invention is applied to a laser annealing apparatus, FIG. 2 is a sectional view in a radial direction of a chamber, and FIG. Diagram showing the flow, fourth
FIG. 5 is a sectional view showing the ring cooling water passage of FIG. 1, and FIG. 5 is a sectional view showing the upper lid cooling water passage of FIG. 1 processing chamber, 2 top lid, 3 bottom lid, 4 chamber, 10 susceptor, 11 semiconductor wafer, 12 rotating ring, 14 bearing, 16 IR lamp, 17… Rotating ring cooling water passage, 18… Cover cooling water passage, 19… Circulation pump.
Claims (1)
窓を有するチャンバと、 前記チャンバ内に、前記加熱用の窓と対向する如く配設
され被処理物を保持する保持部と、 前記保持部を前記チャンバ内壁に支持する支持部と、 前記チャンバの外部に設けられ、前記加熱用の窓を介し
て前記保持部に熱線を照射し加熱するための加熱機構と
を備え、 前記保持部に保持された前記被処理物を、前記保持部か
らの伝熱により加熱するように構成された加熱装置にお
いて、 前記保持部と、前記支持部との間に介在する断熱性の部
材と、 前記チャンバ壁または前記支持部に配設された冷却機構
と を具備したことを特徴とする加熱装置。 2.ほぼ円筒状に形成され、透明部材からなる加熱用の
窓を有するチャンバと、 前記チャンバ内に前記加熱用の窓と対向する如く配設さ
れ、被処理物を保持するカーボングラファイトからなる
円板状の保持部と、 前記保持部に周設され該保持部の径方向を支持する回転
リングと、 前記回転リングと前記チャンバ内壁間に介挿されたベア
リングと、 前記チャンバの外側に配設され、前記窓を介して前記保
持部に熱線を照射し、前記保持部を加熱することによっ
て、当該保持部に保持された前記被処理物を加熱する光
熱源と、 前記回転リング内周面近傍に埋設された第1の環状の冷
却配管と、 前記チャンバ上壁表面近傍に埋設された第2の環状の冷
却配管と、 前記第1、第2の冷却配管へ冷却水を循環させる冷却水
供給部と を具備していることを特徴とする加熱装置。(57) [Claims] A chamber having a processing chamber formed therein and having a heating window made of a transparent member; a holding unit disposed in the chamber so as to face the heating window and holding an object to be processed; A supporting unit that supports the unit on the inner wall of the chamber; and a heating mechanism that is provided outside the chamber and irradiates the holding unit with heat rays through the heating window to heat the holding unit. In a heating device configured to heat the held object to be processed by heat transfer from the holding unit, a heat insulating member interposed between the holding unit and the support unit, and the chamber A heating device, comprising: a cooling mechanism provided on a wall or the support portion. 2. A chamber having a heating window formed of a substantially cylindrical shape and made of a transparent member; and a disk-shaped member made of carbon graphite disposed in the chamber so as to face the heating window and holding an object to be processed. A rotating part provided around the holding part and supporting a radial direction of the holding part; a bearing inserted between the rotating ring and the inner wall of the chamber; and a rotating part disposed outside the chamber; By irradiating the holding unit with heat rays through the window and heating the holding unit, a light heat source for heating the workpiece held by the holding unit, and embedded in the vicinity of the inner peripheral surface of the rotating ring A first annular cooling pipe, a second annular cooling pipe buried near a surface of the upper wall of the chamber, and a cooling water supply unit for circulating cooling water to the first and second cooling pipes. That you have Characteristic heating device.
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