JP2690354B2 - Optical coupling method between optical semiconductor chip and optical fiber - Google Patents

Optical coupling method between optical semiconductor chip and optical fiber

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JP2690354B2 JP9749689A JP9749689A JP2690354B2 JP 2690354 B2 JP2690354 B2 JP 2690354B2 JP 9749689 A JP9749689 A JP 9749689A JP 9749689 A JP9749689 A JP 9749689A JP 2690354 B2 JP2690354 B2 JP 2690354B2
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Description

【発明の詳細な説明】 概要 光半導体チップと光ファイバの光学的結合方法に関
し、 作業性が良好で、高い光結合効率を長期間安定に維持
するのに適した光学的結合方法の提供を目的とし、 光ファイバを被固定物上に密着固定した後、この光フ
ァイバに強力なレーザ光を導き、光ファイバから出射し
たレーザ光の上記被固定物への照射部分を溶融させて貫
通孔を形成し、上記被固定物の貫通孔形成部分に光半導
体チップを取り付けるようにして構成する。
The present invention relates to an optical coupling method for an optical semiconductor chip and an optical fiber, and an object thereof is to provide an optical coupling method which has good workability and is suitable for maintaining high optical coupling efficiency stably for a long period of time. After closely fixing the optical fiber to the object to be fixed, guide a powerful laser beam to this optical fiber and melt the irradiation part of the laser light emitted from the optical fiber to the object to be fixed to form a through hole. Then, the optical semiconductor chip is attached to the through hole forming portion of the fixed object.

産業上の利用分野 本発明は光半導体チップと光ファイバの光学的結合方
法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical coupling method for an optical semiconductor chip and an optical fiber.

一般的な光通信システムにおいては、送信側で伝送情
報に基づき半導体レーザ(LD)及び発光ダイオード(LE
D)等の発光系光半導体の出射光の強度等を変調し、変
調された光を光ファイバからなる光伝送路により受信側
に伝送し、受信側でフォトダイオード(PD)等の受光系
光半導体により光−電気変換することによって、伝送情
報を再生するようにしている。光信号の効率的な送信及
び受信を行うためには、これら発光系及び受光系光半導
体と光ファイバとが高い光結合効率で光学的に結合され
ていることが必要であり、高い光結合効率を長期間安定
に維持することが出来る光半導体チップと光ファイバの
光学的結合方法が要望されている。
In a general optical communication system, a semiconductor laser (LD) and a light emitting diode (LE
D), etc. Light emitting system Modulates the intensity of the light emitted from the semiconductor, etc., and transmits the modulated light to the receiving side through an optical transmission line consisting of an optical fiber, and the receiving side receives light from the receiving system such as a photodiode (PD) Transmission information is reproduced by converting light to electricity by a semiconductor. In order to perform efficient transmission and reception of optical signals, it is necessary that these light emitting system and light receiving system optical semiconductors and the optical fiber are optically coupled with high optical coupling efficiency. There is a demand for an optical coupling method for an optical semiconductor chip and an optical fiber, which is capable of maintaining stable for a long time.

従来の技術 光半導体チップと光ファイバの従来の光学的結合方法
を第8図により説明する。まず、基板51上に固定された
キャリア52にPDチップ等の光半導体チップ53を固定して
おき、テーパ先球光ファイバ54のテーパ先球部54aから
出射した光が高い光結合効率で光半導体チップ53に入射
するようにテーパ先球光ファイバ54の位置調整を行った
後、溶融・凝固させた半田55によりテーパ先球光ファイ
バ54を基板51上に固定するものである。光半導体チップ
53が受光系のものである場合には、上述のようにテーパ
先球光ファイバ54から出射した光の光−電気変換効率を
モニタリングしながらテーパ先球光ファイバ54の位置調
整を行うが、光半導体チップ53が発光系のものである場
合には、チップ駆動電力とテーパ先球光ファイバ54に入
射した光との電気−光変換効率をモニタリングしながら
テーパ先球光ファイバ54の位置調整を行う。尚、従来技
術において、光半導体チップ53を固定した後にテーパ先
球光ファイバ54の位置調整を行うようにしているのは、
この方がテーパ先球光ファイバ54を基板51に固定した後
に光半導体チップ53の位置調整を行うよりも容易だから
である。
2. Description of the Related Art A conventional optical coupling method between an optical semiconductor chip and an optical fiber will be described with reference to FIG. First, the optical semiconductor chip 53 such as a PD chip is fixed to the carrier 52 fixed on the substrate 51, and the light emitted from the taper tip spherical portion 54a of the taper tip spherical optical fiber 54 is an optical semiconductor with high optical coupling efficiency. After the position of the tapered spherical optical fiber 54 is adjusted so as to be incident on the chip 53, the tapered spherical optical fiber 54 is fixed on the substrate 51 by the melted and solidified solder 55. Optical semiconductor chip
When 53 is a light receiving system, the position of the tapered spherical optical fiber 54 is adjusted while monitoring the optical-electrical conversion efficiency of the light emitted from the tapered spherical optical fiber 54 as described above. When the semiconductor chip 53 is of a light emitting system, the position of the tapered spherical optical fiber 54 is adjusted while monitoring the electric-optical conversion efficiency between the chip driving power and the light incident on the tapered spherical optical fiber 54. . In the prior art, the position of the tapered spherical optical fiber 54 is adjusted after fixing the optical semiconductor chip 53.
This is because it is easier than adjusting the position of the optical semiconductor chip 53 after fixing the tapered spherical optical fiber 54 to the substrate 51.

発明が解決しようとする課題 上記従来方法は、光ファイバと光半導体チップとの光
結合効率をモニタリングしながら光ファイバの位置調整
を行うことを要するから、作業性が良好でない。又、光
ファイバと基板との間に光ファイバの位置調整範囲分の
厚みで半田が介在しているので、光ファイバに定常的な
外力が加わっていると、その力が小さいものであって
も、半田にクリープが生じて光ファイバと光半導体チッ
プとの相対的な位置関係が変化し、光ファイバと光半導
体チップとの光結合効率が経時的に変化する。従って、
従来方法は、高い光結合効率を長期間安定に維持するに
適していない。
Problems to be Solved by the Invention The conventional method described above is not good in workability because it is necessary to adjust the position of the optical fiber while monitoring the optical coupling efficiency between the optical fiber and the optical semiconductor chip. Further, since the solder is interposed between the optical fiber and the substrate in a thickness corresponding to the position adjustment range of the optical fiber, even if the external force is constantly applied to the optical fiber, even if the force is small. The creep occurs in the solder, the relative positional relationship between the optical fiber and the optical semiconductor chip changes, and the optical coupling efficiency between the optical fiber and the optical semiconductor chip changes over time. Therefore,
The conventional method is not suitable for maintaining high optical coupling efficiency stably for a long period of time.

本発明はこのような事情に鑑みて創作されたもので、
作業性が良好で、高い光結合効率を長期間安定に維持す
るのに適した光半導体チップと光ファイバの光学的結合
方法の提供を目的としている。
The present invention has been created in view of such circumstances,
An object of the present invention is to provide an optical coupling method of an optical semiconductor chip and an optical fiber, which has good workability and is suitable for maintaining high optical coupling efficiency stably for a long period of time.

課題を解決するための手段 第1図は本発明の原理説明図であり、この図により本
発明方法を説明する。
Means for Solving the Problem FIG. 1 is an explanatory view of the principle of the present invention, and the method of the present invention will be described with reference to this drawing.

まず、同図(a)に示すように、光ファイバ1を被固
定物2上に密着固定した後、この光ファイバ1に強力な
レーザ光を導き、光ファイバ1から出射したレーザ光の
被固定物2への照射部分を溶融させて貫通孔3を形成す
る。
First, as shown in FIG. 1A, after the optical fiber 1 is closely fixed on the object 2 to be fixed, a powerful laser beam is guided to the optical fiber 1 to fix the laser beam emitted from the optical fiber 1. The through hole 3 is formed by melting the irradiated portion of the object 2.

そして、同図(b)に示すように、被固定物2の貫通
孔3形成部分に光半導体チップ4を取り付ける。
Then, as shown in FIG. 3B, the optical semiconductor chip 4 is attached to the portion of the fixed object 2 where the through hole 3 is formed.

作用 本発明の構成によれば、光半導体チップと光学的に結
合すべき光ファイバに被固定物を溶融させるのに十分な
パワーのレーザ光を導き、この強力なレーザ光の光路上
に貫通孔を形成するようにしているので、この貫通孔の
位置を目安に光半導体チップを被固定物に固定すること
が出来、光結合効率をモニタリングしながらの光ファイ
バ又は光半導体チッポの位置調整が不要になる。その結
果、光半導体チップと光ファイバとを光学的に結合する
に際しての作業性が良好になる。
Effect According to the configuration of the present invention, a laser beam having sufficient power for melting an object to be fixed is guided to an optical fiber to be optically coupled with an optical semiconductor chip, and a through hole is formed on an optical path of this strong laser beam. Since the optical semiconductor chip can be fixed to the object by using the position of this through hole as a guide, it is not necessary to adjust the position of the optical fiber or optical semiconductor chip while monitoring the optical coupling efficiency. become. As a result, the workability in optically coupling the optical semiconductor chip and the optical fiber is improved.

又、光ファイバを位置調整することなく先に被固定物
上に密着固定するようにしているので、光ファイバと被
固定物間の介在物のクリープ等による光ファイバと光半
導体チップの相対的位置関係の経時的な変動が防止さ
れ、当初の高い光結合効率を長期間安定に維持すること
が出来るようになる。
In addition, since the optical fiber is fixed in close contact with the object to be fixed without adjusting the position, the relative position of the optical fiber and the optical semiconductor chip due to creep of inclusions between the optical fiber and the object to be fixed. It is possible to prevent the relationship from changing with time, and to maintain the initially high optical coupling efficiency stably for a long period of time.

実 施 例 以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第2図により、本発明方法の実施例における手順を説
明する。まず、同図(a),(b)にそれぞれ側面図及
び正面図を示すように、金属、セラミックス等の材質か
らなる基板11にU字溝11aを形成しておく。次に、同図
(c)に示すように、端面を斜めに研磨して全反射面12
aとして光ファイバ12を基板のU字溝11aに固定する。こ
の固定は、光ファイバ12の側面及びU字溝11aをメタラ
イズ処理しておき、溶融・凝固させた半田13により行う
ことが出来る。この場合、光ファイバの全反射面12aに
おける反射光軸が基板11に対して垂直になるようにし、
又、半田13にクリープが生じないように、光ファイバ12
を基板のU字溝11aに十分密着させておく。そして、同
図(d)に示すように、光ファイバ12の光軸OA1に沿っ
て、基板11を溶融させるのに十分なパワーを持ったYAG
レーザ(波長は1.06μm又は1.15μm)等のレーザ光を
光ファイバ12に導き入れる。こうすると、レーザ光は光
ファイバの全反射面12aで全反射して側面から光ファイ
バの中心軸に例えば垂直な方向に出射されるから、その
光路上にある基板11にレーザ光が照射されて加熱部分が
溶融・蒸発し、貫通孔11bが形成される。この場合、光
ファイバ12の側面等にゴミが付着していると、ゴミが燃
焼してファイバ側面に焼き付き、出射レーザ光のパワー
が低下したり、或いは、最悪の場合光ファイバが加熱さ
れて破損したりするので、基板11に貫通孔11bを形成す
るに際しては、真空中或いはN2等の不活性ガス中で作業
を行うのが望ましい。最後に、同図(e)に示すよう
に、この例では光半導体チップとしてPD(フォトダイオ
ード)チップ14をその受光面の中心が貫通孔11bの中心
と一致するように貫通孔11b形成部分に取り付ける。一
般に貫通孔11bを形成するのに使用したレーザ光の光路
とPDチップ14に入射させるべき光の光路とは一致するか
ら、上述のように貫通孔11bの位置を目安にPDチップ14
を取り付けることによって、光結合効率のモニタリング
を行いながらの位置調整をすることなしに、光ファイバ
12とPDチップ14との光学的な結合をなすことが出来る。
The procedure in the embodiment of the method of the present invention will be described with reference to FIG. First, a U-shaped groove 11a is formed in a substrate 11 made of a material such as metal or ceramics, as shown in a side view and a front view in FIGS. Next, as shown in FIG. 3C, the end face is obliquely polished to complete the total reflection surface 12
As a, the optical fiber 12 is fixed to the U-shaped groove 11a of the substrate. This fixing can be performed by using a solder 13 that has been melted and solidified after metalizing the side surface of the optical fiber 12 and the U-shaped groove 11a. In this case, the reflection optical axis of the total reflection surface 12a of the optical fiber is perpendicular to the substrate 11,
Also, to prevent creep in the solder 13, the optical fiber 12
Is sufficiently adhered to the U-shaped groove 11a of the substrate. Then, as shown in FIG. 3D, a YAG having sufficient power to melt the substrate 11 along the optical axis OA 1 of the optical fiber 12.
Laser light such as a laser (wavelength is 1.06 μm or 1.15 μm) is introduced into the optical fiber 12. By doing so, the laser light is totally reflected by the total reflection surface 12a of the optical fiber and emitted from the side surface in a direction perpendicular to the central axis of the optical fiber, for example, so that the substrate 11 on the optical path is irradiated with the laser light. The heated portion is melted and evaporated to form the through hole 11b. In this case, if dust adheres to the side surface of the optical fiber 12, etc., the dust burns and sticks to the side surface of the fiber, the power of the emitted laser light decreases, or in the worst case, the optical fiber is heated and damaged. Therefore, when forming the through hole 11b in the substrate 11, it is desirable to work in a vacuum or in an inert gas such as N 2 . Finally, as shown in FIG. 6E, in this example, a PD (photodiode) chip 14 as an optical semiconductor chip is formed in the portion where the through hole 11b is formed so that the center of the light receiving surface thereof coincides with the center of the through hole 11b. Install. Generally, the optical path of the laser light used to form the through hole 11b and the optical path of the light to be incident on the PD chip 14 match, so that the PD chip 14 should be positioned with the position of the through hole 11b as a guide as described above.
By installing the optical fiber, you can adjust the optical fiber without adjusting the position while monitoring the optical coupling efficiency.
Optical coupling between 12 and PD chip 14 can be made.

第3図は本発明の実施例において使用することが出来
るPDチップの斜視図である。このPDチップ14は、光−電
気変換機能を有する受光部21と、受光部21の外周に沿っ
て設けられた概略円環状の電極22と、電極22の反対側に
設けられた接地電極23とを具備して構成されている。24
は電極22と図示しない電子回路とを電気的に接続するた
めのボンディングワイヤである。この実施例で特徴的な
ことは、電極22の上面に電極22と同心円状に円環状の突
起22aを形成している点である。円環状の突起22aは、例
えば、電極22を厚めに形成しておき、これをエッチング
により部分的に除去することによって、電極22と一体に
成形することが出来る。この円環状の突起22aを設けて
おくことにより、以下のような効果が生じる。
FIG. 3 is a perspective view of a PD chip that can be used in the embodiment of the present invention. The PD chip 14 includes a light receiving portion 21 having a photoelectric conversion function, a substantially annular electrode 22 provided along the outer periphery of the light receiving portion 21, and a ground electrode 23 provided on the opposite side of the electrode 22. It is configured to include. twenty four
Is a bonding wire for electrically connecting the electrode 22 and an electronic circuit (not shown). A feature of this embodiment is that an annular projection 22a is formed on the upper surface of the electrode 22 concentrically with the electrode 22. The annular protrusion 22a can be formed integrally with the electrode 22 by, for example, forming the electrode 22 thicker and partially removing the electrode 22 by etching. By providing the annular projection 22a, the following effects are produced.

第4図は本発明の実施例におけるPDチップ14取り付け
部の断面構成図である。本実施例ではPDチップの電極22
に円環状の突起22aを形成しているので、PDチップ14を
容易に基板11に固定することが出来る。即ち、円環状の
突起22aの外径と基板の貫通孔11bにおけるPDチップ取り
付け部の内径とをほぼ一致させておくことにより、円環
状の突起22aを貫通孔11bにはめこむだけで容易にPDチッ
プ14の基板11に対する位置の確定をなすことが出来、こ
の状態で例えばダイボンディングによりPDチップ14を基
板11に対して固定することが出来る。
FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram of the PD chip 14 mounting portion in the embodiment of the present invention. In this embodiment, the electrode 22 of the PD chip is
Since the annular projection 22a is formed on the substrate, the PD chip 14 can be easily fixed to the substrate 11. That is, by making the outer diameter of the annular protrusion 22a and the inner diameter of the PD chip mounting portion in the through hole 11b of the substrate substantially match, it is possible to easily insert the annular protrusion 22a into the through hole 11b. The position of the chip 14 with respect to the substrate 11 can be determined, and in this state, the PD chip 14 can be fixed to the substrate 11 by die bonding, for example.

このように、本実施例によれば、光ファイバ12とPDチ
ップ14との光結合効率をモニタリングしながらの位置調
整を全く要せずに、光ファイバ12の導波光を高い光結合
効率でPDチップ14に入射させることが出来るので、作業
性が向上する。又、光ファイバ12と基板のU字溝11aと
の距離についての調整しろが不要であるから、光ファイ
バ12をU字溝11aに密着させて、クリープ等に起因する
光結合効率の変動を防止することが出来、当初の光結合
効率を長期間安定に維持することが出来る。
As described above, according to the present embodiment, the guided light of the optical fiber 12 can be transmitted with high optical coupling efficiency without any position adjustment while monitoring the optical coupling efficiency between the optical fiber 12 and the PD chip 14. Since it can be made incident on the chip 14, workability is improved. Further, since it is not necessary to adjust the distance between the optical fiber 12 and the U-shaped groove 11a of the substrate, the optical fiber 12 is brought into close contact with the U-shaped groove 11a to prevent the fluctuation of the optical coupling efficiency due to creep or the like. Therefore, the initial optical coupling efficiency can be stably maintained for a long period of time.

第5図により本発明方法の他の実施例における手順を
説明する。この実施例は、光ファイバとLD(半導体レー
ザ)チップとを光学的に結合するものである。まず、導
図(a)に示すように、厚肉部31aと薄肉部31bとの間に
突起部31cが形成されている基板31に、テーパ先球部32a
が形成されている光ファイバ32を、テーパ先球部32aが
基板の突起部32cに対向するように、前実施例と同様に
して固定する。次に、同図(b)に示すように、光ファ
イバ32の光軸OA2に沿って強力なレーザ光を導き入れ、
その出射光路上に位置する基板の突起部31cに貫通孔31d
を形成する。この場合、テーパ先球部32aの集光作用に
より、光ファイバ32から出射したレーザ光を数μm〜10
数μmのビーム系に絞ることが出来るので、レーザ光照
射部分の光パワー密度を高めることが出来、比較的にパ
ワーが小さいレーザ光により貫通孔31dを形成すること
が出来る。そして、同図(c)に示すように、基板の貫
通孔31d形成部分にLDチップアセンブリ33を取り付け
る。
The procedure in another embodiment of the method of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, an optical fiber and an LD (semiconductor laser) chip are optically coupled. First, as shown in the diagram (a), the tapered tip spherical portion 32a is formed on the substrate 31 in which the protrusion 31c is formed between the thick portion 31a and the thin portion 31b.
The optical fiber 32 in which is formed is fixed in the same manner as in the previous embodiment so that the tapered tip spherical portion 32a faces the protrusion 32c of the substrate. Next, as shown in FIG. 2B, a powerful laser beam is introduced along the optical axis OA 2 of the optical fiber 32,
The through hole 31d is formed in the protrusion 31c of the substrate located on the outgoing optical path.
To form In this case, the laser light emitted from the optical fiber 32 is several μm to 10 μm due to the converging action of the tapered tip spherical portion 32 a.
Since it can be narrowed down to a beam system of several μm, the optical power density of the laser light irradiation portion can be increased, and the through hole 31d can be formed by the laser light having a relatively small power. Then, as shown in FIG. 3C, the LD chip assembly 33 is attached to the portion of the substrate where the through hole 31d is formed.

第6図は第5図に示す実施例において使用することが
出来るLDチップアセンブリ33の斜視図、第7図はLDチッ
プアセンブリ33取り付け部の断面構成図である。LDチッ
プアセンブリ33は、その端部に板状突起41を有するヒー
トシンク42と、ヒートシンク42上にダイボンディングに
より固定されたLDチップ43とを具備して構成されてお
り、ヒートシンクの板状突起41には、LDチップの活性層
43aの端面が対向する位置に光通過孔41aが形成されてい
る。又、光通過孔41aの周囲には、LDチップ43の出射光
軸を中心として円環状の突起41bが形成されている。
尚、光通過孔41a及び円環状の突起41bは、金属材からな
るヒートシンクの板状突起41をエッチングして形成する
ことが出来る。
FIG. 6 is a perspective view of an LD chip assembly 33 that can be used in the embodiment shown in FIG. 5, and FIG. 7 is a sectional configuration diagram of an LD chip assembly 33 mounting portion. The LD chip assembly 33 is configured by including a heat sink 42 having a plate-like protrusion 41 at its end and an LD chip 43 fixed onto the heat sink 42 by die bonding, and the plate-like protrusion 41 of the heat sink. Is the active layer of the LD chip
A light passage hole 41a is formed at a position where the end faces of 43a face each other. Further, an annular protrusion 41b is formed around the light passage hole 41a with the emission optical axis of the LD chip 43 as the center.
The light passage hole 41a and the annular protrusion 41b can be formed by etching the plate-like protrusion 41 of the heat sink made of a metal material.

このように、LDチップアセンブリに円環状の突起41b
を形成しておくことにより、前実施例と同様、円環状の
突起41bを基板31の貫通孔31dにはめこむだけで、容易に
LDチップ43の位置の確定をなすことができる。
In this way, the LD chip assembly has an annular protrusion 41b.
By forming the above, it is possible to easily insert the annular protrusion 41b into the through hole 31d of the substrate 31 as in the previous embodiment.
The position of the LD chip 43 can be determined.

発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、作業性が良好
で、高い光結合効率を長期間安定に維持するのに適した
光半導体チップと光ファイバの光学的結合方法の提供が
可能になるという効果を奏する。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, it is possible to provide an optical coupling method for an optical semiconductor chip and an optical fiber, which has good workability and is suitable for maintaining high optical coupling efficiency stably for a long period of time. It has the effect of being possible.

尚、第2図に示す実施例のように、光ファイバ端面を
斜めに研磨して光ファイバを基板に対して平行に固定す
るようにすれば、光ファイバを実装するのに要する体積
が減少し、装置の小型化が可能になるという効果もあ
る。
As in the embodiment shown in FIG. 2, if the end face of the optical fiber is polished obliquely to fix the optical fiber in parallel with the substrate, the volume required for mounting the optical fiber is reduced. Another advantage is that the device can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の原理説明図、 第2図は本発明の実施例における手順を示す図、 第3図は本発明の実施例において使用することが出来る
PDチップの斜視図、 第4図は本発明の実施例におけるPDチップ取り付け部の
断面構成図、 第5図は本発明の他の実施例における手順を示す図、 第6図は本発明の他の実施例において使用することが出
来るLDチップアセンブリの斜視図、 第7図は本発明の他の実施例におけるLDチップアセンブ
リ取り付け部の断面構成図、 第8図は従来技術の説明図である。 1,12,32……光ファイバ、 2……被固定物、 3,11b,31d……貫通孔、 4……光半導体チップ、 11,31……基板、 14……PD(フォトダイオード)チップ、 33……LD(半導体レーザ)チップアセンブリ、 43……LDチップ。
FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a procedure in the embodiment of the present invention, and FIG. 3 can be used in the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a perspective view of a PD chip, FIG. 4 is a sectional configuration diagram of a PD chip attachment portion in an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a diagram showing a procedure in another embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 7 is a perspective view of an LD chip assembly that can be used in this embodiment, FIG. 7 is a sectional configuration diagram of an LD chip assembly mounting portion in another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an explanatory view of the prior art. 1,12,32 …… Optical fiber, 2 …… Fixed object, 3,11b, 31d …… Through hole, 4 …… Optical semiconductor chip, 11,31 …… Board, 14 …… PD (photodiode) chip , 33 …… LD (semiconductor laser) chip assembly, 43 …… LD chip.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】光ファイバ(1)を被固定物(2)上に密
着固定した後、 この光ファイバ(1)に強力なレーザ光を導き、光ファ
イバ(1)から出射したレーザ光の上記被固定物(2)
への照射部分を溶融させて貫通孔(3)を形成し、 上記被固定物(2)の貫通孔(3)形成部分に光半導体
チップ(4)を取り付けるようにしたことを特徴とする
光半導体チップと光ファイバの光学的結合方法。
1. An optical fiber (1) is adhered and fixed on an object (2) to be fixed, and then a powerful laser beam is guided to the optical fiber (1) to emit the laser beam emitted from the optical fiber (1). Fixed object (2)
The light is characterized in that a portion irradiated with the light is melted to form a through hole (3), and an optical semiconductor chip (4) is attached to the through hole (3) forming portion of the fixed object (2). Optical coupling method for semiconductor chip and optical fiber.
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