JP2676730B2 - Surge absorption element for low voltage - Google Patents

Surge absorption element for low voltage

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  • Driving Mechanisms And Operating Circuits Of Arc-Extinguishing High-Tension Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は,低電圧用のサージ吸収素子に関し,特に放
電開始電圧を特別に低下せしめた低電圧用のサージ吸収
素子に関する。 [従来の技術] サージ吸収素子の使用法として一般には,該サージ吸
収素子を取り付ける回路の最大の回路電圧より高い動作
電圧にしたサージ吸収素子を取付け,該回路に雷サージ
等の瞬時的な過電圧が侵入した場合のみ該サージ吸収素
子が動作し,該回路に取付けられた電子部品を保護する
ものである。従来のサージ吸収素子では動作電圧即ち放
電開始電圧は,マイクロギャップの本数を変えること,
マイクロギャップの形状を変えることにより,調整変更
するものであった。そのために,放電電圧の調整の幅に
は限度があるものであった。 [発明が解決しようとする問題点] 本発明は,放電開始電圧が低下され,放電遅れが低減
されたサージ吸収素子を提供することを目的にする。即
ち,本発明の目的は,サージ耐圧性の低い部品及び回路
に使用できるサージ吸収素子を提供するものである。更
に,本発明は,寿命特性の向上したサージ吸収素子を提
供することを目的にする。また,本発明は,部品の信頼
性の向上したサージ吸収素子を提供することを目的にす
る。 [発明の構成] [問題点を解決するための手段] ここに、本発明の要旨とするものは、放電のためのマ
イクロギャップを設けたマイクロギャップ要素と、その
放電のための絶縁性外被体の間に作られた内部空間を有
する低電圧用のサージ吸収素子において、前記内部空間
内に、マイクロギャップ要素の少なくとも一方の電極端
子からマイクロギャップ要素の表面から一定距離離れ
て、マイクロギャップ要素を覆うように、その表面に沿
って、少なくともマイクロギャップ位置相当にまで伸び
た補助電極を設けた前記低電圧用のサージ吸収素子であ
る。 そして、補助電極の表面の少なくとも一部に、仕事関
数の低い金属或いは化合物を塗布したものが好適であ
る。 [作用] 本発明によると,マイクロギャップ式サージ吸収素子
の内部に,補助電極を組み込んだ構造を作り,過電圧が
印加された場合にサージ吸収素子のグロー放電,アーク
放電をより生じ易くするものである。本明細書におい
て、マイクロギャップ素子とは、“絶縁体と該絶縁体の
表面に設けた複数のマイクロギャップを介して分割され
た導電性薄膜を備え、所定電圧が、分割された導電性薄
膜の間にかかったときに、その間で放電が発生し、サー
ジを吸収するための素子”と言う。そして、マイクロギ
ャップ式サージ吸収素子とは、“このマイクロギャップ
素子と、該分割した導電性薄膜のマイクロギャップ素子
の両端に密着した一対の金属電極を内部に有する、外被
体による内部空間を備え、該一対の電極各々に対して結
合した外部端子を有するもので、サージ過電圧過電流が
かかったときに、内部空間内で、該金属電極間に放電が
生じ、サージを吸収する形式のサージ吸収素子”を言
う。従って、マイクロギャップとは、前記の絶縁体表面
に形成された導電性薄膜を分割する複数の溝を言うもの
である。 本発明によると,従来のマイクロギャップ式サージ吸
収素子の封止ガラス内に,リード線又は素子のキャップ
と機械的電気的に接続された金属からなる補助電極を備
えたマイクロギャップ式サージ吸収素子を利用するもの
である。このように補助電極を封止ガラス内へ入れるこ
とにより,サージ吸収素子内の電界の分布が不均一にな
りやすい構造となり,補助電極表面からの電子の放出が
起こり易くなる。そのために放電開始電圧の低下及び放
電遅れが減少する効果が生じるものである。 更に,また,補助電極を有するマイクロギャップ式サ
ージ吸収素子は,インパルスの繰り返し印加に対して寿
命延長効果がある。即ち,補助電極を有しないマイクロ
ギャップ式サージ吸収素子内の放電では,マイクロギャ
ップ付近でグロー放電を起こし,最終的にキャップ−キ
ャップ間のアーク放電に移行する。このアーク放電によ
りサージ吸収素子内のギャップ,形成成膜などが劣化す
るものである。然し乍ら,本発明によるサージ吸収素子
は補助電極を有する構造であり,アーク放電がキャップ
−補助電極間で起こり,アーク放電がギャップ及び皮膜
より浮上した位置に生じるためにアーク放電が該皮膜上
を通過しないものとなるから,サージ吸収素子の寿命特
性は向上する。 本発明による構造は,サージ吸収素子内に補助電極を
入れたもので,入れる電極の数は1つ又はそれ以上であ
る。補助電極の形状については特に限定されないが,電
子放出効果及び電界の集中性を高めるために端面が鋭く
なっているものが好適である。 また,補助電極材質としては,電気伝導度のよいFe,N
i,Ti,Zr,Ta等の金属或いはそれらの合金,若しくはステ
ンレス等の合金を利用できるが,それらに限定されるも
のではない。 本発明による補助電極の作製法は,接続法においても
特に限定されるものではないが,スポット溶接,カシメ
等によりリード線若しくはキャップに接続されるもので
ある。 以上のように本発明は補助電極を用いることにより,
放電開始電圧を下げることができる。更にまた,本発明
においては補助電極の表面に仕事関数の低い金属或いは
化合物を塗布することも考慮したものである。補助電極
の表面に仕事関数の低い物質を塗布することにより,放
電開始時の電子的放出効果を高めることを考慮したもの
である。 この補助電極の表面に塗布する物質には,アルカリ金
属,アルカリ土類金属の化合物,Ba−Al合金,TiC,ZrC,Ta
C等の物質が有効であるが,仕事関数の低いものであれ
ば特に限定されるものでない。その塗布方法についても
蒸着法,有機溶剤懸濁法等を利用できるが,塗布方法が
特に限定されるものでない。更に,本発明においては塗
布後還元する必要がある物質については,放射熱による
加熱,高周波誘導加熱等により還元することもできる。 次に,本発明の低電圧用のサージ吸収素子を,具体的
な実施例により,説明するが,本発明は,その説明によ
り限定されるものではない。 [実施例1] 本実施例を第1図に示す。本実施例では,封止ガラス
管1の中に封入された2つのキャップ2,2aを持つマイク
ロギャップ素子3からなり,そのマイクロギャップ素子
3のリード線4,4aに補助電極リード線5,5aを通して補助
電極6,6aを取り付けたもので,スポット溶接されてい
る。金属線補助電極6,6aは,図示のように,マイクロギ
ャップ素子3の表面の上に離れて一定間隔で延びている
ものである。マイクロギャップ素子表面に電界がかかっ
たとき,補助電極表面からの電子の放出が起こり易くな
り,放電開始電圧が低下し,放電遅れが生じ難くなる。 補助電極に使用される材質を変えたときの放電開始電
圧VSとインパルス放電電圧Vimpを測定した。その結果を
第1表に示す。 第1表 電極材料 VS(V) Vimp(V) Ti 165 620 Ni 160 610 Ta 160 630 Zr 155 630 なし 180 800 VSは,放電開始電圧を示し,Vimpは,標準衝撃インパ
ルス(波頭長1.2μ秒,波尾長50μ秒)で波高値5kvのイ
ンパルスを印加したときのインパルス放電電圧である。
即ち,従来の構造のサージ吸収素子では,放電開始電圧
は180Vが下限であり,標準インパルス印加のインパルス
放電電圧は,下限が800Vであったが,本発明の構造によ
りそれらが著しく改良されたことが明らかである。 次にこのインパルスを繰り返し印加して寿命試験を行
なった。その結果を第3図のグラフに示す。縦軸に放電
開始電圧をとり,横軸に印加回数をとった。繰り返しイ
ンパルス印加によりサージ吸収素子が劣化していくが,
補助電極のない従来品と比べて本発明によるサージ吸収
素子は,放電開始電圧の低下が少なく,寿命特性が改良
されていることが明らかである。 [実施例2] 第2図に示す構造のものであり,構造は実施例1と殆
ど同じであり,符号は実施例1と同じものである。即
ち,封止ガラス管(鉛ガラス)1,キャップ2,2a,マイク
ロギャップ素子3,リード線4(ジュメット線),補助電
極リード線5,補助電極6,カシメ7(金属バンド)であ
る。補助電極6にはNi板を利用し,補助電極リード線5
を介してジュメット線4にカシメ接続した。この補助電
極6にはBa−Al合金粉末をエチルセルロース2重量%の
酢酸エチル溶液に懸濁させたものに浸し乾燥したNi板を
用いている。これをガラス封入時に高周波誘電加熱を行
ない,接着剤であるエチルセルロースを分解し,Ba−Al
を補助電極表面に拡散させる。 この処理により更に放電開始電圧が低下し,放電遅れ
を低減させることができた。即ち,放電開始電圧及びイ
ンパルス放電電圧を測定したところ,それぞれVS=110
V,Vimp=460Vであった。 [発明の効果] 本発明のサージ吸収素子は,そのサージ吸収素子内部
に配置された補助電極により, 第1に,放電開始電圧が低下したサージ吸収素子が提供
されたこと, 第2に,同時に放電遅れ特性が改良されたサージ吸収素
子を提供できること, 第3に,また,本発明によりサージ耐圧が低い部品及び
回路へ使用が可能になったこと, 第4に,本発明の構造により寿命特性の向上したことな
どの技術的な効果が得られた。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a surge absorbing element for low voltage, and more particularly to a surge absorbing element for low voltage in which a discharge starting voltage is specially lowered. [Prior art] As a method of using a surge absorbing element, generally, a surge absorbing element having an operating voltage higher than the maximum circuit voltage of a circuit to which the surge absorbing element is attached is attached, and an instantaneous overvoltage such as a lightning surge is attached to the circuit. The surge absorbing element operates only when the intrusion occurs, thereby protecting the electronic components attached to the circuit. In the conventional surge absorption element, the operating voltage, that is, the discharge start voltage, changes the number of micro gaps,
Adjustments were made by changing the shape of the microgap. Therefore, the range of adjustment of the discharge voltage is limited. [Problems to be Solved by the Invention] An object of the present invention is to provide a surge absorbing element in which the discharge starting voltage is lowered and the discharge delay is reduced. That is, an object of the present invention is to provide a surge absorbing element that can be used in parts and circuits having low surge withstand voltage. Another object of the present invention is to provide a surge absorbing element with improved life characteristics. Another object of the present invention is to provide a surge absorbing element with improved reliability of parts. [Structure of the Invention] [Means for Solving Problems] Here, the gist of the present invention is to provide a microgap element provided with a microgap for discharge and an insulating jacket for the discharge. In a surge absorbing element for low voltage, which has an internal space formed between the body, in the internal space, the microgap element is separated from a surface of the microgap element by a certain distance from at least one electrode terminal of the microgap element. Is a surge absorbing element for low voltage, in which an auxiliary electrode extending to at least a microgap position is provided along the surface of the surge absorbing element. Then, it is preferable that at least a part of the surface of the auxiliary electrode is coated with a metal or compound having a low work function. [Operation] According to the present invention, a structure in which an auxiliary electrode is incorporated inside a microgap type surge absorbing element is made to facilitate glow discharge and arc discharge of the surge absorbing element when an overvoltage is applied. is there. In the present specification, a microgap element includes an “insulator and a conductive thin film divided through a plurality of microgaps provided on the surface of the insulator, and a predetermined voltage is a value for the divided conductive thin film. It is called an element that absorbs surges when discharge occurs between them when it takes time. The microgap type surge absorbing element is provided with "an internal space defined by an outer casing, which internally has this microgap element and a pair of metal electrodes that are in close contact with both ends of the divided microgap element of the conductive thin film. , A surge absorption type having an external terminal coupled to each of the pair of electrodes and absorbing a surge by generating a discharge between the metal electrodes in the internal space when a surge overvoltage and overcurrent is applied. Say "element". Therefore, the microgap means a plurality of grooves that divide the conductive thin film formed on the surface of the insulator. According to the present invention, there is provided a microgap type surge absorbing element having an auxiliary electrode made of metal mechanically and electrically connected to a lead wire or a cap of an element in a sealing glass of a conventional microgap type surge absorbing element. To use. By thus inserting the auxiliary electrode into the sealing glass, the electric field distribution in the surge absorbing element tends to be non-uniform, and electrons are easily emitted from the surface of the auxiliary electrode. Therefore, the effects of lowering the discharge start voltage and the discharge delay are produced. Furthermore, the microgap type surge absorber having the auxiliary electrode has the effect of extending the life with respect to repeated application of impulses. That is, in the discharge in the microgap type surge absorbing element having no auxiliary electrode, glow discharge occurs in the vicinity of the microgap, and finally the cap-to-cap arc discharge occurs. This arc discharge deteriorates the gap in the surge absorbing element and the film formation. However, since the surge absorbing element according to the present invention has a structure having an auxiliary electrode, arc discharge occurs between the cap and the auxiliary electrode, and arc discharge occurs at a position above the gap and the film so that the arc discharge passes over the film. Since it does not occur, the life characteristics of the surge absorber are improved. In the structure according to the present invention, the auxiliary electrodes are provided in the surge absorbing element, and the number of the inserted electrodes is one or more. The shape of the auxiliary electrode is not particularly limited, but one having a sharp end face is preferable in order to enhance the electron emission effect and the electric field concentration. In addition, as the auxiliary electrode material, Fe, N with good electrical conductivity is used.
Metals such as i, Ti, Zr, and Ta or alloys thereof, or alloys such as stainless steel can be used, but not limited to them. The method for producing the auxiliary electrode according to the present invention is not particularly limited in connection method, but it is connected to the lead wire or the cap by spot welding, caulking or the like. As described above, according to the present invention, by using the auxiliary electrode,
The discharge starting voltage can be reduced. Furthermore, in the present invention, it is considered to apply a metal or compound having a low work function to the surface of the auxiliary electrode. This is intended to enhance the electron emission effect at the start of discharge by applying a substance having a low work function to the surface of the auxiliary electrode. The substance to be applied to the surface of the auxiliary electrode is a compound of alkali metal or alkaline earth metal, Ba-Al alloy, TiC, ZrC, Ta.
Substances such as C are effective, but are not particularly limited as long as they have a low work function. As the coating method, a vapor deposition method, an organic solvent suspension method or the like can be used, but the coating method is not particularly limited. Further, in the present invention, a substance that needs to be reduced after coating can be reduced by heating with radiant heat, high frequency induction heating, or the like. Next, the surge absorbing element for low voltage of the present invention will be described with reference to specific examples, but the present invention is not limited by the description. Example 1 This example is shown in FIG. In this embodiment, a microgap element 3 having two caps 2 and 2a enclosed in a sealing glass tube 1 is used, and the lead wires 4 and 4a of the microgap element 3 have auxiliary electrode lead wires 5 and 5a. Auxiliary electrodes 6 and 6a are attached through and are spot welded. The metal line auxiliary electrodes 6 and 6a are spaced apart from each other and extend on the surface of the microgap element 3 at regular intervals, as shown in the figure. When an electric field is applied to the surface of the microgap element, electrons are likely to be emitted from the surface of the auxiliary electrode, the discharge start voltage is lowered, and the discharge delay is less likely to occur. The discharge start voltage V S and the impulse discharge voltage V imp when the material used for the auxiliary electrode was changed were measured. Table 1 shows the results. Table 1 Electrode material V S (V) V imp (V) Ti 165 620 Ni 160 610 Ta 160 630 Zr 155 630 None 180 800 V S is discharge start voltage, V imp is standard shock impulse (wave front length) This is the impulse discharge voltage when a pulse with a peak value of 5 kv is applied for 1.2 μs and a wave tail length of 50 μs.
That is, in the conventional surge absorbing element, the lower limit of the discharge start voltage is 180 V and the lower limit of the standard impulse applied impulse discharge voltage is 800 V. However, the structure of the present invention significantly improved them. Is clear. Next, this impulse was repeatedly applied to carry out a life test. The results are shown in the graph of FIG. The vertical axis indicates the firing voltage, and the horizontal axis indicates the number of times of application. The surge absorbing element deteriorates due to repeated impulse application.
It is clear that the surge absorption element according to the present invention has a smaller decrease in discharge starting voltage and improved life characteristics as compared with the conventional product having no auxiliary electrode. [Embodiment 2] It has the structure shown in FIG. 2, the structure is almost the same as that of the first embodiment, and the reference numerals are the same as those of the first embodiment. That is, a sealing glass tube (lead glass) 1, a cap 2, 2a, a microgap element 3, a lead wire 4 (Dumet wire), an auxiliary electrode lead wire 5, an auxiliary electrode 6, and a caulking 7 (metal band). Ni plate is used for the auxiliary electrode 6, and the auxiliary electrode lead wire 5
It was caulked to the Dumet wire 4 via. For this auxiliary electrode 6, a Ni plate is used, which is obtained by immersing a Ba-Al alloy powder in an ethyl acetate solution containing 2% by weight of ethyl cellulose and immersing it in a dry state. When this was sealed in glass, high-frequency dielectric heating was performed to decompose ethyl cellulose, which is an adhesive agent, and
Are diffused to the surface of the auxiliary electrode. This treatment further reduced the discharge start voltage and reduced the discharge delay. That is, when the discharge start voltage and the impulse discharge voltage were measured, respectively, V S = 110
V, V imp = 460V. EFFECTS OF THE INVENTION In the surge absorbing element of the present invention, the auxiliary electrode arranged inside the surge absorbing element firstly provides the surge absorbing element having a reduced discharge start voltage, and secondly, simultaneously. It is possible to provide a surge absorbing element with improved discharge delay characteristics. Thirdly, the present invention can be used for parts and circuits having low surge withstand voltage. Fourthly, the structure of the present invention can provide life characteristics. The technical effect such as the improvement of was obtained.

【図面の簡単な説明】 第1図は,本発明のサージ吸収素子の1例のマイクロギ
ャップ式放電管の構造を示す断面図である。 第2図は,本発明のサージ吸収素子の他の1例のマイク
ロギャップ式放電管の構造を示す断面図である。 第3図は,本発明による構造のサージ吸収素子によるイ
ンパルス繰り返し印加による放電開始電圧の変化を測定
した結果をグラフに示した図である。 [主要部分の符号の説明] 1……封止用ガラス 2……キャップ 3……マイクロギャップ 4……リード線 5……補助電極リード線 6……補助電極 7……カシメ(金属バンド)
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a microgap type discharge tube as an example of a surge absorbing element of the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing the structure of another example of the micro-gap type discharge tube of the surge absorbing element of the present invention. FIG. 3 is a graph showing a result of measuring a change in a discharge starting voltage by repeated application of an impulse by a surge absorbing element having a structure according to the present invention. [Explanation of symbols of main part] 1 ... Sealing glass 2 ... Cap 3 ... Micro gap 4 ... Lead wire 5 ... Auxiliary electrode lead wire 6 ... Auxiliary electrode 7 ... Caulking (metal band)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−167293(JP,A) 実開 昭58−52787(JP,U) 実公 昭61−16603(JP,Y2)   ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page    (56) References JP-A-60-167293 (JP, A)                 Actual Development Sho 58-52787 (JP, U)                 Actual public Sho 61-16603 (JP, Y2)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1.放電のためのマイクロギャップを設けたマイクロギ
ャップ要素と、その放電のための絶縁性外被体の間に作
られた内部空間を有する低電圧用のサージ吸収素子にお
いて、 前記内部空間内に、マイクロギャップ要素の少なくとも
一方の電極端子からマイクロギャップ要素の表面から一
定距離離れて、マイクロギャップ要素を覆うように、そ
の表面に沿って、少なくともマイクロギャップ位置相当
にまで伸びた補助電極を設けた前記低電圧用のサージ吸
収素子。 2.前記補助電極の表面の少なくとも一部に、仕事関数
の低い金属或いは化合物を塗布してあることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項に記載の低電圧用のサージ吸収
素子。
(57) [Claims] In a surge absorbing element for low voltage having a microgap element provided with a microgap for discharge and an internal space formed between the insulating jackets for the discharge, a microgap in the internal space is provided. The auxiliary electrode is provided at a distance from at least one of the electrode terminals of the gap element and at a distance from the surface of the microgap element, so as to cover the microgap element, and along the surface thereof, an auxiliary electrode extending to at least a microgap position is provided. Surge absorption element for voltage. 2. The surge absorbing element for low voltage according to claim 1, wherein a metal or a compound having a low work function is coated on at least a part of the surface of the auxiliary electrode.
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