JP2671041B2 - Image forming device - Google Patents

Image forming device

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JP2671041B2 JP18019889A JP18019889A JP2671041B2 JP 2671041 B2 JP2671041 B2 JP 2671041B2 JP 18019889 A JP18019889 A JP 18019889A JP 18019889 A JP18019889 A JP 18019889A JP 2671041 B2 JP2671041 B2 JP 2671041B2
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  • Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の目的 (産業上の利用分野) この発明は静電複写機、同プリンタなど、静電転写プ
ロセスを利用する画像形成装置、とくにアモルファスシ
リコン感光体を用いた画像形成装置に使用するに適した
転写材分離装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Objects of the Invention (Industrial field of application) The present invention uses an image forming apparatus utilizing an electrostatic transfer process, such as an electrostatic copying machine and a printer, and particularly an amorphous silicon photoconductor. The present invention relates to a transfer material separating device suitable for use in a conventional image forming apparatus.

(従来技術と解決すべき課題) 像担持体表面に静電的に形成したトナー像に、紙など
の転写材を当接させるとともに、転写帯電器によって転
写バイアスを印加して像担持体側のトナー像を転写材に
転移させる工程を含む周知の画像形成装置にあっては、
転写バイアスを印加することによって転写材が像担持体
に静電的に吸着傾向となるので、転写材に、転写時とは
逆極性のバイアスを印加して、転写時に転写材が獲得し
た電荷を中和除電するための分離帯電器を、転写後の位
置に配設した画像形成装置が従来からひろく実用されて
いることはよく知られているとおりである。
(Problems to be Solved by Prior Art) Toner on the image carrier side is obtained by bringing a transfer material such as paper into contact with a toner image electrostatically formed on the surface of the image carrier and applying a transfer bias by a transfer charger. In a known image forming apparatus including a step of transferring an image to a transfer material,
Since the transfer material tends to be electrostatically attracted to the image carrier by applying the transfer bias, a bias having a polarity opposite to that at the time of transfer is applied to the transfer material so that the charge acquired by the transfer material at the time of transfer is applied. It is well known that an image forming apparatus in which a separation charging device for neutralizing and discharging is disposed at a position after transfer has been widely used in the past.

この種の分離帯電器は、交流電圧に適宜極性の直流電
圧を重畳して印加し、この時のコロナ放電によって除電
を行なうように構成するのが普通であって、このさいの
除電機能は印加する交流電圧のピーク間電圧値に依存す
るもので、この値が高いほど除電機能も優れていること
が知られている。
This type of separation charger is usually configured to superimpose an AC voltage with a DC voltage of appropriate polarity and apply the voltage, and to eliminate the charge by corona discharge at this time. It depends on the peak-to-peak voltage value of the AC voltage to be generated, and it is known that the higher this value, the better the static elimination function.

したがって、近来におけるこの種の装置の高速化傾向
からすれば、転写後の除電を出来るだけ急速かつ確実に
行なうには、上記のピーク間電圧値は可及的に大きくす
ることが望ましいことになるが、反面、この値を大きく
することは、火花放電、沿面放電などの異常放電発生の
危険を免れない。
Therefore, in view of the recent trend toward higher speeds of this type of apparatus, it is desirable to increase the peak-to-peak voltage value as much as possible in order to perform charge removal after transfer as quickly and reliably as possible. However, on the other hand, increasing this value cannot avoid the risk of abnormal discharge such as spark discharge and creeping discharge.

ところで、この種の画像形成装置に利用される感光層
についてみると、感光層材料としては、セレン、その他
の無機光導電材料、有機光導電材料(OPC)、アモルフ
ァスシリコン半導体など種々な材料が目的意図に応じて
選択使用されているが、画像形成装置の高速化傾向に適
合するものとしては、アモルファスシリコンが高感度、
高耐久性の観点から次第に賞用されるようになってきて
いる。
By the way, regarding the photosensitive layer used in this type of image forming apparatus, various materials such as selenium, other inorganic photoconductive materials, organic photoconductive materials (OPC), and amorphous silicon semiconductors are used as photosensitive layer materials. Although it is selected and used according to the intention, amorphous silicon has high sensitivity,
From the viewpoint of high durability, it is gradually being used.

ここでアモルファスシリコンを用いた感光体について
略述すると、この感光体は、その帯電極性によらず、第
6図に示すように、金属などの導電性基板8の表面に、
感光層たるアモルファスシリコン層10(層厚約25μm)
および2つの電荷注入阻止層9、11(いずれも層厚0.1
ないし1.0μm)を成膜して構成してあるのが普通であ
り、阻止層11は感光体を帯電させるためにその表面に付
与された電荷が感光層に侵入するのを阻止し、阻止層9
は感光体の帯電極性と同極性の電荷のみを通過させ、反
対極性の電荷の感光層への侵入を阻止するもので、勿論
これら阻止層の材料は感光体の帯電極性によって異な
る。
Here, the photoconductor using amorphous silicon will be briefly described. This photoconductor, as shown in FIG. 6, has a surface of a conductive substrate 8 made of metal or the like, regardless of its charging polarity.
Amorphous silicon layer 10 as photosensitive layer (layer thickness about 25 μm)
And two charge injection blocking layers 9 and 11 (both having a layer thickness of 0.1
To 1.0 μm), and the blocking layer 11 blocks the charge applied to the surface of the photoconductor to charge the photoconductor and prevents the charge from entering the photoconductive layer. 9
Means that only charges having the same polarity as that of the photoconductor are allowed to pass therethrough and blocks charges of the opposite polarity from entering the photosensitive layer. Of course, the materials of these blocking layers differ depending on the charge polarity of the photoconductor.

このようなアモルファスシリコン感光体は、たとえば
正帯電型感光体の表面に分離帯電器によって正電荷が付
与されると、その量に応じて基板と電荷注入阻止層の境
界に負電荷が誘起され、この負電極は正電荷に引かれる
が電荷注入阻止層の存在によって感光層内への侵入は阻
止される。
In such an amorphous silicon photoconductor, for example, when a positive charge is applied to the surface of a positive charge type photoconductor by a separation charger, negative charges are induced at the boundary between the substrate and the charge injection blocking layer according to the amount of the positive charge. This negative electrode is attracted to the positive charge, but the presence of the charge injection blocking layer prevents the negative electrode from entering the photosensitive layer.

このために正負電荷が引き合うので感光体内に電界が
生ずるが、異常放電の発生によって、瞬間的に過大な正
電荷が感光体表面に付与されると、これにともなって発
生する強電界によって感光層や電荷注入阻止層に絶縁破
壊がおこってピンホールが発生することがある。
For this reason, positive and negative charges are attracted to each other, so that an electric field is generated in the photoconductor, but when an excessively large positive charge is momentarily applied to the surface of the photoconductor due to the occurrence of abnormal discharge, the strong electric field generated with this causes a strong electric field to be generated in the photoconductive layer. In some cases, dielectric breakdown occurs in the charge injection blocking layer and pinholes are generated.

このようなピンホールは画質の劣化、感光体の寿命の
著しい短縮化を招来することになり好ましくない。
Such pinholes are not preferable because they lead to deterioration of image quality and remarkably shortened life of the photoconductor.

また感光体表面に負電荷が付与された場合には、基板
に誘起された正電荷は電荷注入阻止層を通過して表面の
負電荷と中和して電解の発生が抑制されて絶縁破壊は起
こりにくい。
When a negative charge is applied to the surface of the photoconductor, the positive charge induced in the substrate passes through the charge injection blocking layer and is neutralized with the negative charge on the surface, suppressing the generation of electrolysis and causing dielectric breakdown. Hard to happen.

すなわち、正帯電型感光体では正電荷帯電に対して絶
縁破壊を発生しやすく、同様に、負帯電型感光体では負
電解帯電に対して絶縁破壊を生ずるおそれがある。
That is, the positive charging type photoconductor is likely to cause dielectric breakdown with respect to the positive charge type charging, and similarly, the negative charging type photoconductor may cause dielectric breakdown with respect to the negative electrolytic charging.

ところで、従来から、転写後、転写材を感光体から分
離するさいに静電分離を行なう場合には、分離帯電器に
交流バイアスを印加しているが、このさいの交流波形は
デューティ比が1の正負のピーク電圧値が等しい場合が
普通であり、アモルファスシリコン感光体を用いた場
合、その帯電極性と同極性のバイアスが印加される時点
では、とくに異常放電にともなって絶縁破壊が発生する
おそれが大きかった。
By the way, conventionally, when the transfer material is separated from the photoconductor after the transfer by electrostatic separation, an AC bias is applied to the separation charger, but the AC waveform has a duty ratio of 1 when the separation bias is applied. It is common that the positive and negative peak voltage values of are equal, and when an amorphous silicon photoconductor is used, dielectric breakdown may occur especially at the time when a bias of the same polarity as the charging polarity is applied. Was great.

さらに、耐電圧特性をみると、OPC感光体が約20μm
の層厚の場合5KV以上(250V/μm)、Se−Te、Se−Asで
は層厚約50μmで3KV以上(60V/μm)であるのに対し
て、アモルファスシリコンは層厚25μmの場合2KV程度
である。
Furthermore, looking at the withstand voltage characteristics, the OPC photosensitive member is about 20 μm.
The layer thickness is 5 KV or more (250 V / μm), Se-Te and Se-As are about 50 μm and 3 KV or more (60 V / μm), whereas amorphous silicon is about 2 KV when the layer thickness is 25 μm. Is.

したがって、アモルファスシリコンを高速機のように
高圧のコロナに長時間曝され、メンテナンス間隔も長く
て帯電線が汚染されやすい装置に利用すると、異常放電
を発生しやすく、これによる上述のような問題を招来す
ることになる。
Therefore, if amorphous silicon is exposed to high-pressure corona for a long time like a high-speed machine and the maintenance interval is long and the charging line is easily contaminated, abnormal discharge is likely to occur, which causes the above problems. Will be invited.

また、アモルファスシリコンは比誘電率εが、OP
C、Se系のそれの約3.6に比して約10と大きく、同じ感光
体電位を得るためのコロナ放電量が大となって、コロナ
放電の高圧化を必要とすることになり、このことがまた
異常放電の発生を促進することになる。
In addition, the relative dielectric constant ε s of amorphous silicon is OP
Compared to that of C and Se system, which is about 3.6, it is as large as about 10, and the amount of corona discharge for obtaining the same photoconductor potential becomes large, which necessitates higher corona discharge. Will also promote the occurrence of abnormal discharge.

勿論膜厚を大きくして耐電圧限界をあげることによっ
て、上記のような問題を回避することも可能ではある
が、アモルファスシリコンは成膜特性が悪いので、生産
性、コスト面からいって、このようなことは現実的でな
い。
Of course, it is possible to avoid the above problems by increasing the film thickness and raising the withstand voltage limit. However, amorphous silicon has poor film forming characteristics, so from the viewpoint of productivity and cost, Such a thing is not realistic.

本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであっ
て、アモルファスシリコン感光体を用い、転写材の分離
に、分離帯電器による静電分離を行なう画像形成装置に
おいて、印加バイアスのピーク間電圧のピーク値の増大
を要することなく、異常放電の発生を招来する恐れもな
く画像形成装置の高速化を可能ならしめるような転写材
分離装置を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above situation, and in an image forming apparatus that uses an amorphous silicon photoconductor and performs electrostatic separation by a separation charger to separate a transfer material, a peak-to-peak voltage of an applied bias. It is an object of the present invention to provide a transfer material separating device that does not require an increase in the peak value and that can speed up the image forming apparatus without causing the occurrence of abnormal discharge.

(2)発明の構成 (課題を解決する技術手段、その作用) 上記の目的を達成するため、本発明は、アモルフアス
シリコン感光体と、前記感光体から転写材へ像を転写す
る転写帯電器と、像転写後前記感光体から転写材を分離
するために転写材を除電する分離帯電器とを有する画像
形成装置において、前記分離帯電器に印加する交流電圧
を、正負のピーク値の比が1、デューティ比が1の交流
電圧に対して、放電開始電圧を越える部分の正負の成分
の面積を等しくしつつ、前記感光体の帯電極性と同じ極
性側のピーク値が低くなるようにデューティ比を異なる
値に設定することを特徴とする画像形成装置(1)、ま
たは、 上記(1)のものにおいて、前記交流電圧の波形が矩
形波であることを特徴とする画像形成装置(2)、また
は、 上記(1)のものにおいて、前記交流電圧の波形が正
弦波であることを特徴とする画像形成装置(3)であ
る。
(2) Configuration of the Invention (Technical Means for Solving the Problem and Its Action) In order to achieve the above object, the present invention provides an amorphous silicon photoconductor and a transfer charger for transferring an image from the photoconductor to a transfer material. And an image forming apparatus having a separation charger for removing charge from the transfer material in order to separate the transfer material from the photoconductor after image transfer, the AC voltage applied to the separation charger has a positive / negative peak value ratio of 1. With respect to the AC voltage having a duty ratio of 1, the duty ratio is set so that the areas of the positive and negative components exceeding the discharge start voltage are equalized and the peak value on the same polarity side as the charging polarity of the photoconductor becomes low. Are set to different values, or in the above (1), the waveform of the AC voltage is a rectangular wave. Or the above ( 1) The image forming apparatus (3) is characterized in that the waveform of the AC voltage is a sine wave.

このように構成することによって、分離帯電器の除電
機能を維持したまま、感光体の帯電極性と同極性の側で
の異常放電の発生を防止し、これに起因する絶縁破壊、
画質の劣化を阻止することができる。
By configuring in this way, while maintaining the charge removal function of the separation charger, it prevents the occurrence of abnormal discharge on the side of the same polarity as the charging polarity of the photoconductor, dielectric breakdown due to this,
It is possible to prevent deterioration of image quality.

(実施例の説明) 第1図は本発明を、紙面に垂直方向に軸線を有し、矢
印A方向に回転する円筒状の感光体をそなえた複写機に
適用した実施例の、とくに転写、分離部位近傍を示す側
面図である。
(Explanation of Embodiments) FIG. 1 is a diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a copying machine having a cylindrical photoconductor having an axis line in a direction perpendicular to the plane of the drawing and rotating in the direction of arrow A. It is a side view which shows the separation site vicinity.

感光体1はアモルファスシリコンを用いた正帯電型の
像担持体とし、これに近接して転写帯電器2、分離帯電
器7が配設してあり、感光体1表面に帯電トナーによっ
て形成されたトナー像と、搬送路6によって該トナー像
とタイミングを合わせて搬送される転写材(不図示)と
が、転写帯電器2と感光体1とが対向する転写部位に到
来すると、これとともに該転写帯電器にトナーとは反対
極性の転写バイアスが印加され、よって形成される電界
の作用で感光体側のトナー像は転写材に転移する。
The photoconductor 1 is a positive charging type image carrier using amorphous silicon, and a transfer charger 2 and a separation charger 7 are arranged in the vicinity of the photoconductor 1 and formed on the surface of the photoconductor 1 by charged toner. When a toner image and a transfer material (not shown) that is conveyed by the conveying path 6 at the same timing as the toner image arrive at the transfer portion where the transfer charger 2 and the photoconductor 1 face each other, the transfer material is transferred together with the transfer material. A transfer bias having a polarity opposite to that of the toner is applied to the charger, and the toner image on the photoconductor side is transferred to the transfer material by the action of the electric field formed.

転写のさいの転写バイアスによって、転写材は感光体
表面に吸着傾向となるので、転写材の走行方向にみて転
写帯電器2の下流側に分離帯電器7を配設し、転写終了
後の転写材に、転写時とは逆極性の分離バイアスを印加
し、転写材が転写時に得た電荷を中和除電してこれを感
光体から分離したのち、これを不図示の定着部位に供給
するものとする。
Since the transfer material tends to be attracted to the surface of the photoconductor due to the transfer bias during the transfer, the separation charging device 7 is disposed downstream of the transfer charging device 2 in the running direction of the transfer material, and the transfer after the transfer is completed. A separation bias of the opposite polarity to that used during transfer is applied to the material to neutralize and remove the charge that the transfer material acquired during transfer to separate it from the photoconductor, and then supply this to a fixing portion (not shown). And

なお、感光体1の周辺には一次帯電器、画像信号付与
手段、現像器、クリーナその他画像形成に必要な部材が
配設してあることは云う迄もないが、それらは本発明に
は直接関係がないので省略してある。
Needless to say, a primary charging device, an image signal applying means, a developing device, a cleaner and other members necessary for image formation are provided around the photoconductor 1, but these are not directly related to the present invention. It is omitted because it is not relevant.

上記の装置においては、分離帯電器に分離バイアスを
印加するために、分離帯電器7に、矩形波を出力し、そ
のデューティー比を変改出来る交流電源3、コロナ電流
を制御するための直流バイアス電源4および該コロナ電
流を検知してこれが所定値になるように電源4を制御す
るコロナ制御回路5を接続してある。
In the above device, in order to apply a separation bias to the separation charger, an AC power source 3 that outputs a rectangular wave to the separation charger 7 and can change the duty ratio thereof, a DC bias for controlling the corona current. A power supply 4 and a corona control circuit 5 for detecting the corona current and controlling the power supply 4 so that the current becomes a predetermined value are connected.

第2A図は、デューティー比、t1/t2=1の矩形波を示
し、このものは、異常放電を抑制する手段を講じていな
い場合の波形であって、V0は放電開始電圧、V1、V2は正
負のピーク値、S1、S2はV0以上の部分の面積を示してお
り、基準印加電圧は、V1=V2=6.0KVとする。
FIG. 2A shows a rectangular wave with a duty ratio of t 1 / t 2 = 1 which is a waveform when no means is provided for suppressing abnormal discharge, where V 0 is the discharge start voltage, V 1 and V 2 are positive and negative peak values, S 1 and S 2 are areas of V 0 or more, and the reference applied voltage is V 1 = V 2 = 6.0 KV.

このようなものにおいて、V1を下げるとともにデュー
ティー比t1/t2を変化させることによってS1を一定に維
持し、負側のピーク値V2をあげてS2を一定に維持するこ
とによって正負のコロナ電流を一定に保つことが出来
る。
In this arrangement, maintaining the S 1 constant by varying the duty ratio t 1 / t 2 with lowering V 1, by keeping the S 2 constant by increasing the peak value V 2 of the negative side Positive and negative corona current can be kept constant.

前記のような基準値、すなわち、デューティー比t1/t
2=1、V1=V2=6.0KVの矩形波を印加して連続通紙を行
なったところ、7万枚で異常放電が発生してピンホール
が生じた。
The reference value as described above, that is, the duty ratio t 1 / t
When a rectangular wave of 2 = 1 and V 1 = V 2 = 6.0 KV was applied for continuous paper feeding, abnormal discharge occurred at 70,000 sheets and pinholes were generated.

この場合の放電開始電圧は、約3.0KVである。 The discharge starting voltage in this case is about 3.0 KV.

デューティー比を1.67に設定することによって、V1
約5.4KVに低下させることができ、この時のV2は7.0KVで
あった。
By setting the duty ratio to 1.67, V 1 can be reduced to about 5.4 KV, and V 2 at this time was 7.0 KV.

この矩形波交流を分離帯電器に印加して、連続通紙を
10万枚行なったが、異常放電の発生はなかった。
Applying this rectangular wave alternating current to the separation charger, continuous paper feeding
Although 100,000 sheets were printed, no abnormal discharge occurred.

また、デューティー比t1/t2=2.0、V1=5.25KV、V2
7.5KVとして連続10万枚通紙を行なったが、やはり異常
放電は起こらなかった。
Also, the duty ratio t 1 / t 2 = 2.0, V 1 = 5.25KV, V 2 =
After passing 100,000 sheets continuously at 7.5KV, abnormal discharge did not occur.

つぎに、デューティー比t1/t2=2.6、V1=5.1KV、V2
=8.0KVとしたところ、帯電線と帯電器のシールド板と
の間に異常放電が発生した。
Next, the duty ratio t 1 / t 2 = 2.6, V 1 = 5.1KV, V 2
= 8.0 KV, abnormal discharge occurred between the charging wire and the shield plate of the charger.

帯電器においては、帯電線とシールド板との間隔がlm
mの場合、これら両者間の耐電圧はほぼlKVであることが
経験的に知られている。
In the charger, the distance between the charging wire and the shield plate is lm
It is empirically known that in the case of m, the withstand voltage between them is approximately lKV.

帯電線とシールド板との間隔は通常7.5ないし11.0mm
に設定されているから、その耐電圧はほぼ7.5〜11.0KV
と考えて差し支えない。
The distance between the charging wire and the shield plate is usually 7.5 to 11.0 mm
The withstand voltage is almost 7.5-11.0KV
You can think of it.

したがって、前記の場合、負側で異常放電が発生した
ものと考えられ、ピーク電圧を可及的にこの値以下にす
ることが必要である。
Therefore, in the above case, it is considered that abnormal discharge has occurred on the negative side, and it is necessary to set the peak voltage to this value or less as much as possible.

以上の結果から、V1=V2=6.0KVの矩形波の場合、デ
ューティー比t1/t2を、 1.0<t1/t2≦2.0 のように設定し、正負ピーク電圧を調整することによっ
て正側での異常放電を軽減できる。特に好適な値は、t1
/t2=1.6である。
From the above results, in the case of a rectangular wave with V 1 = V 2 = 6.0KV, set the duty ratio t 1 / t 2 as 1.0 <t 1 / t 2 ≦ 2.0 and adjust the positive and negative peak voltages. This can reduce abnormal discharge on the positive side. A particularly suitable value is t 1
/ t 2 = 1.6.

つぎに、分離帯電器に印加する電圧が正弦波である実
施態様について第3A図、第3B図によって説明する。この
場合の使用する装置は第1図々示のものと同様とする。
Next, an embodiment in which the voltage applied to the separation charger is a sine wave will be described with reference to FIGS. 3A and 3B. The apparatus used in this case is similar to that shown in FIGS.

第3A図はデューティー比t1/t2が1の基本波形をしめ
すもので、ピーク電圧V1=V2=6.0KVとする。
FIG. 3A shows a basic waveform in which the duty ratio t 1 / t 2 is 1, and the peak voltage V 1 = V 2 = 6.0 KV.

この波形のまま、連続通紙を行なったところ、4万枚
で異常放電を発生して、感光層にピンホールを生じた。
When the paper was continuously fed with this waveform, abnormal discharge occurred at 40,000 sheets, and pinholes were formed in the photosensitive layer.

t1/t2=1.40、V1=5.6KV、V2=7.0KVならびにt1/t2
1.60KV、V1=5.4KV、V2=7.5KVに設定していずれも6万
枚連続通紙を行なったが、異常放電の発生はなかった。
t 1 / t 2 = 1.40, V 1 = 5.6KV, V 2 = 7.0KV and t 1 / t 2 =
1.60KV, V 1 = 5.4KV, V 2 = none set to 7.5KV was performed 60,000-sheet continuous paper feed, there was no occurrence of abnormal discharge.

さらにt1/t2の値を大きくすると負側で異常放電を発
生した。
When the value of t 1 / t 2 was further increased, abnormal discharge occurred on the negative side.

以上の結果から、1<t1/t2≦1.60に設定することに
よって、ピンホール発生を回避することができ、とくに
デューティー比t1/t2としての望ましい値は約1.4であ
る。
From the above results, by setting 1 <t 1 / t 2 ≦ 1.60, the occurrence of pinholes can be avoided, and a desirable value for the duty ratio t 1 / t 2 is about 1.4.

つぎに、感光体として負帯電型のアモルファスシリコ
ンを使用し、装置としては前記第1図のものと同様のも
のを用いた実施態様について説明する。
Next, an embodiment will be described in which negative charging type amorphous silicon is used as the photoconductor and the same device as that shown in FIG. 1 is used as the device.

負帯電型のアモルファスシリコンは負側で異常放電を
発生したときに感光層の絶縁破壊を起こしやすいので、
V2を小さく抑えることが望ましい。
Negative charging type amorphous silicon easily causes dielectric breakdown of the photosensitive layer when abnormal discharge occurs on the negative side.
It is desirable to keep V 2 small.

印加電圧の基本波形は、デューティー比t1/t2=1、V
1=V2=6.0KVの矩形波とし、これによって連続通紙を行
なったところ、7万枚で異常放電を発生してピンホール
を生じた。
The basic waveform of the applied voltage is the duty ratio t 1 / t 2 = 1 and V
A rectangular wave of 1 = V 2 = 6.0 KV was used, and when continuous paper feeding was performed by this, abnormal discharge occurred at 70,000 sheets and pinholes were generated.

つぎに、t1/t2=0.62、V1=7.0KV、V2=5.4KV、なら
びにt1/t2=0.5、V1=7.5KV、V2=5.25KVに設定して10
万枚連続通紙を行なったが異常放電は発生しなかった。
Next, set t 1 / t 2 = 0.62, V 1 = 7.0KV, V 2 = 5.4KV, and t 1 / t 2 = 0.5, V 1 = 7.5KV, V 2 = 5.25KV and set 10
After passing 10,000 sheets continuously, no abnormal discharge occurred.

さらにt1/t2の値を小さくすると正側の電圧印加時に
異常放電が発生した。
When the value of t 1 / t 2 was further reduced, abnormal discharge occurred when a positive voltage was applied.

結論として、0.5≦t1/t2<1.0に設定することによっ
て負側での異常放電の発生、ピンホールの形成を低減で
き、とくに好適な値は約0.6である。
In conclusion, by setting 0.5 ≦ t 1 / t 2 <1.0, the occurrence of abnormal discharge on the negative side and the formation of pinholes can be reduced, and a particularly preferable value is about 0.6.

第4図、第5図は、上記の実施態様のうち、矩形波を
使用した場合を示すグラフである。
FIG. 4 and FIG. 5 are graphs showing the case of using a rectangular wave in the above-mentioned embodiments.

第4図において横軸はt1/t2=1のときのV1(=V2
であって、複写速度によって適宜に設定する。
In Fig. 4, the horizontal axis is V 1 (= V 2 ) when t 1 / t 2 = 1
Therefore, it is appropriately set depending on the copying speed.

縦軸は異常放電、ピンホールを生ぜしめないための望
ましいデューティ比の値を示し、この値を計算すると以
下のようになる。
The vertical axis shows a value of a desirable duty ratio for preventing abnormal discharge and pinholes from occurring. The value is calculated as follows.

正帯電型の感光体の場合、負の場合よりも絶縁破壊を
起こし易いので、第2B図のように負側よりも正側のピー
ク値を低くするのがよい。
In the case of a positive charging type photoconductor, dielectric breakdown is more likely to occur than in the case of a negative type, so it is better to lower the peak value on the positive side than on the negative side as shown in FIG. 2B.

V(=V1=V2)はt1=t2のとき(第2A図)の正及び負
のピーク電圧、 V0は放電開始電圧、 t1′、t2′はそれぞれのデューティ比を1から変化さ
せたとき(第2B図)の正、負の電圧印加時間、 vはデューティ比を1から変化させたとき(第2B図)
の感光体の帯電極性と逆極性(ここでは負)のピーク電
圧値、 xはデューティ比を1から変化させたとき(第2B図)
の感光体の帯電極性と同極性(ここでは正)のピーク電
圧値、 S1′、S2′は、それぞれのデューティ比を1から変化
させたとき(第2B図)の電圧の正、負のV0を越える部分
の面積、 とすると、 第2A図から第2B図に変化させるときに正電流を一定に
保つ条件(S1=S1′)、負電流を一定に保つ条件(S2
S2′)より、 (V−V0)t1=(x−V0)t1′ (1) (V−V0)t2=(v−V0)t2′ (2) 第2A図ではデューティ比は1であるから、 t1/t2=1 (3) 第2A図と第2B図では交流周波数は同じであるから、 t1+t2=t1′+t2′ (4) (3)を(2)、(4)に代入してt2を消去すると、 (V−V0)t1=(v−V0)t2′ (5) 2t1=t1′+t2′ (6) 上記(5)、(6)からt2′を消去すると、 t1=(v−V0)t1′/(2v−V−V0) (7) (7)を(1)に代入すると、 x−V0=(v−V0)(V−V0)/(2v−V−V0)(8) x=(vV+vV0−2VV0)/(2v−V−V0) (9) (1)÷(2)から t1′(x−V0)/{t2′(v−V0)}=t1/t2 これに式(3)を代入して t1′/t2′=(v−V0)/(x−V0) これを式(8)に代入して t1′/t2′=(2v−V−V0)/(V−V0) (10) すなわち、正帯電型の感光体を用いた場合、好ましい
デューティ比は式(10)のようになる。
V (= V 1 = V 2 ) is the positive and negative peak voltage when t 1 = t 2 (Fig. 2A), V 0 is the discharge start voltage, and t 1 ′ and t 2 ′ are the respective duty ratios. Positive and negative voltage application time when changed from 1 (Fig. 2B), v is when duty ratio is changed from 1 (Fig. 2B)
Peak voltage value of the opposite polarity (negative here) to the charging polarity of the photoconductor, x is when the duty ratio is changed from 1 (Fig. 2B)
The peak voltage values of S 1 ′ and S 2 ′ of the same polarity (positive here) as the charging polarity of the photoconductor are positive and negative of the voltage when each duty ratio is changed from 1 (Fig. 2B). , The area of the part exceeding V 0 , is the condition to keep the positive current constant (S 1 = S 1 ′) and the condition to keep the negative current constant (S 2 =
From S 2 ′), (V−V 0 ) t 1 = (x−V 0 ) t 1 ′ (1) (V−V 0 ) t 2 = (v−V 0 ) t 2 ′ (2) Second A Since the duty ratio is 1 in the figure, t 1 / t 2 = 1 (3) Since the AC frequency is the same in Figures 2A and 2B, t 1 + t 2 = t 1 ′ + t 2 ′ (4) (3) (2), clearing the t 2 are substituted into (4), (V-V 0) t 1 = (v-V 0) t 2 '(5) 2t 1 = t 1' + t 2 ′ (6) If t 2 ′ is deleted from the above (5) and (6), t 1 = (v−V 0 ) t 1 ′ / (2v−V−V 0 ) (7) (7) becomes (1 ), X−V 0 = (v−V 0 ) (V−V 0 ) / (2v−V−V 0 ) (8) x = (vV + vV 0 −2VV 0 ) / (2v−V−V 0 ) (9) From (1) ÷ (2), t 1 ′ (x−V 0 ) / {t 2 ′ (v−V 0 )} = t 1 / t 2 Substituting equation (3) into this t 1 '/ t 2' = (v-V 0) / (x-V 0) This Wherein t 1 '/ t 2' = (2v-V-V 0) / (V-V 0) is substituted into (8) (10) That is, when a positive charging type photosensitive material, preferably a duty ratio Is as shown in equation (10).

負帯電型の感光体を用いた場合、好ましいデューティ
比は第2B図の場合とxとvとを反対にしたものであるか
ら、好適なデューティ比を同様に計算すると、 t1′/t2′=(V−V0)/(2v−V−V0) となる。
When a negative charge type photoconductor is used, the preferable duty ratio is x and v opposite to those in the case of FIG. 2B. Therefore, when the preferable duty ratio is similarly calculated, t 1 ′ / t 2 ′ = (V−V 0 ) / (2v−V−V 0 ).

第4図(後述の第5図も同様)では、V0=3.0KV、v
=7.0KVである。
In FIG. 4 (the same applies to FIG. 5 described later), V 0 = 3.0KV, v
= 7.0KV.

vが過大であると帯電器の帯電線とシールド板との間
で異常放電を発生しやすく、過小であると、帯電極性と
同極性側のピーク電圧を十分低くできないので感光体の
絶縁破壊を阻止する目的に適合しない。
If v is too large, abnormal discharge is likely to occur between the charging wire of the charger and the shield plate, and if v is too small, the peak voltage on the same polarity side as the charging polarity cannot be made sufficiently low, resulting in dielectric breakdown of the photoconductor. Does not fit the purpose of blocking.

第5図は、横軸は前記第4図と同様とし、縦軸はt1/t
2を望ましい値に設定したときの感光体の帯電極性と同
極性側のピーク電圧である。
In Fig. 5, the horizontal axis is the same as that in Fig. 4, and the vertical axis is t 1 / t.
It is the peak voltage on the same polarity side as the charging polarity of the photoconductor when 2 is set to a desired value.

この値は概略次式で表わせる。 This value can be roughly expressed by the following equation.

感光体が正帯電型の場合は前記式(9)であり x=(vV+vV0−2VV0)/(2v−V−V0) 感光体が負帯電型の場合は第2B図の場合とxとvとを
反対にしたものであるので、正帯電型の感光体を用いた
場合と同様に計算すると、 x=(vV+vV0−2VV0)/(2v−V−V0) 以上説明したように、感光体表面に形成されたトナー
像に転写材を当接させるとともに、転写バイアスを印加
してトナー像を転写材に転移させた後、分離帯電器によ
って、転写時とは逆極性のバイアス電圧を印加して転写
材を像担持体から分離させるように構成した画像形成家
の分離装置において、該分離帯電器に印加する交流波形
の、放電開始電圧以上の部分の正負側の面積を一定に維
持したままデユーティー比を変化させることによって、
感光体の帯電極性と同極性側のピーク値を低減させるこ
とが可能となり、その極性側での異常放電、これに起因
する感光体の損傷を防止することが出来る。
When the photoconductor is of the positive charging type, it is the above formula (9), and x = (vV + vV 0 −2VV 0 ) / (2v−V−V 0 ) When the photoconductor is of the negative charging type, the case of FIG. 2B and x Since v and v are opposite to each other, when calculated in the same manner as in the case of using the positive charging type photoconductor, x = (vV + vV 0 −2VV 0 ) / (2v−V−V 0 ). Then, the transfer material is brought into contact with the toner image formed on the surface of the photoconductor, and a transfer bias is applied to transfer the toner image to the transfer material. In a separation device of an image forming house configured to apply a voltage to separate a transfer material from an image carrier, the area on the positive and negative sides of the portion of the AC waveform applied to the separation charger that is equal to or higher than the discharge start voltage is constant. By changing the duty ratio while maintaining
It is possible to reduce the peak value on the same polarity side as the charging polarity of the photoconductor, and it is possible to prevent abnormal discharge on the polarity side and damage to the photoconductor due to this.

(3)発明の効果 以上説明したように、本発明によるときは、分離帯電
器によって静電的に転写材を感光体から分離させるよう
に構成した分離装置において、分離帯電器の異常放電の
発生、これに基ずく感光体の損傷を有効に阻止し、常時
安定して良好な分離作用を奏することが可能となるとと
もに、画像形成装置の高速化を容易成らしめるもので、
とくに、本発明を、アモルファスシリコン感光体を使用
する画像形成装置(これに限定されるものではないが)
に利用することによって極めて顕著な効果がある。
(3) Effects of the Invention As described above, according to the present invention, in the separating device configured to electrostatically separate the transfer material from the photoconductor by the separating charger, abnormal discharge of the separating charger occurs. Based on this, it is possible to effectively prevent damage to the photoconductor, and it is possible to achieve stable and good separation action at all times, and it is easy to speed up the image forming apparatus.
In particular, the present invention is not limited to image forming apparatus using amorphous silicon photoconductors.
It has a very remarkable effect when used for.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の実施例たる画像形成装置の要部の概略
側面図、 第2A図、第2B図は同上装置の分離帯電器に印加するバイ
アス電圧の波形を示す説明図、 第3A図、第3B図は同上装置の分離帯電器に印加するバイ
アス電圧の他の波形を示す説明図、 第4図は、第2A、2B図におけるデューティー比の設定値
を示すグラフ、 第5図はデューティー比を前図のように設定したときの
感光体の帯電極性と同極性側のピーク電圧を示すグラ
フ、 第6図はアモルファスシリコン感光体の構成を示す拡大
断面図である。 1……感光体、2……転写帯電器、3……交流電源、4
……直流電源、5……コロナ電流検知回路、7……分離
帯電器、8……感光体基板、9……電荷注入阻止層、10
……感光層、11……電荷注入阻止層。
FIG. 1 is a schematic side view of a main part of an image forming apparatus which is an embodiment of the present invention, FIGS. 2A and 2B are explanatory views showing waveforms of a bias voltage applied to a separation charger of the same apparatus, and FIG. 3A. , FIG. 3B is an explanatory view showing another waveform of the bias voltage applied to the separation charger of the same apparatus, FIG. 4 is a graph showing the set value of the duty ratio in FIGS. 2A and 2B, and FIG. 5 is a duty. FIG. 6 is a graph showing the charging polarity of the photoconductor and the peak voltage on the same polarity side when the ratio is set as in the previous figure, and FIG. 6 is an enlarged sectional view showing the configuration of the amorphous silicon photoconductor. 1 ... Photosensitive member, 2 ... Transfer charger, 3 ... AC power source, 4
...... DC power supply, 5 ...... corona current detection circuit, 7 ...... separation charger, 8 …… photoreceptor substrate, 9 …… charge injection blocking layer, 10
…… Photosensitive layer, 11 …… Charge injection blocking layer.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】アモルフアスシリコン感光体と、前記感光
体から転写材へ像を転写する転写帯電器と、像転写後前
記感光体から転写材を分離するために転写材を除電する
分離帯電器とを有する画像形成装置において、 前記分離帯電器に印加する交流電圧を、正負のピーク値
の比が1、デューティ比が1の交流電圧に対して、放電
開始電圧を越える部分の正負の成分の面積を等しくしつ
つ、前記感光体の帯電極性と同じ極性側のピーク値が低
くなるようにデューティ比を異なる値に設定することを
特徴とする画像形成装置。
1. An amorphous silicon photoconductor, a transfer charger for transferring an image from the photoconductor to a transfer material, and a separation charger for destaticizing the transfer material to separate the transfer material from the photoconductor after image transfer. In the image forming apparatus having, the AC voltage applied to the separation charger has a positive and negative component in a portion exceeding a discharge start voltage with respect to an AC voltage having a positive and negative peak value ratio of 1 and a duty ratio of 1. An image forming apparatus, wherein the duty ratios are set to different values so that the peak value on the same polarity side as the charging polarity of the photoconductor becomes low while making the areas equal.
【請求項2】前記交流電圧の波形が矩形波であることを
特徴とする「請求項1」記載の画像形成装置。
2. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the waveform of the AC voltage is a rectangular wave.
【請求項3】前記交流電圧の波形が正弦波であることを
特徴とする「請求項1」記載の画像形成装置。
3. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the waveform of the AC voltage is a sine wave.
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