JP2647779B2 - Spatial light modulator and method of manufacturing the same - Google Patents

Spatial light modulator and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JP2647779B2
JP2647779B2 JP1898792A JP1898792A JP2647779B2 JP 2647779 B2 JP2647779 B2 JP 2647779B2 JP 1898792 A JP1898792 A JP 1898792A JP 1898792 A JP1898792 A JP 1898792A JP 2647779 B2 JP2647779 B2 JP 2647779B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
layer
shielding layer
spatial light
light modulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1898792A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH05216059A (en
Inventor
國治 滝沢
宏 菊池
幸久 大杉
正次 丹下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIPPON GAISHI KK
Japan Broadcasting Corp
Original Assignee
NIPPON GAISHI KK
Nippon Hoso Kyokai NHK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NIPPON GAISHI KK, Nippon Hoso Kyokai NHK filed Critical NIPPON GAISHI KK
Priority to JP1898792A priority Critical patent/JP2647779B2/en
Priority to US08/010,301 priority patent/US5471331A/en
Priority to EP96104278A priority patent/EP0722112A2/en
Priority to DE69310236T priority patent/DE69310236T2/en
Priority to EP93300838A priority patent/EP0556985B1/en
Publication of JPH05216059A publication Critical patent/JPH05216059A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2647779B2 publication Critical patent/JP2647779B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、投写形ディスプレイに
用いる空間光変調素子およびその製造方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a spatial light modulator used for a projection type display and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】投写形ディスプレイの開発には、現在3
種のアプローチがある。このうち、ブラウン管を用いた
投写形ディスプレイは、ブラウン管の輝度に限界があ
り、かつ装置が大型化するという難点があるため、ディ
スプレイの大面積化には限界がある。また、薄膜トラン
ジスタアレーを持つ液晶パネルで構成される液晶投写形
ディスプレイの場合は、液晶パネルの解像度が不足して
いること、液晶パネルの開口率が低いこと、アモルファ
スシリコン薄膜からなる薄膜トランジスタアレーの耐光
性が低いこと等の問題がある。
2. Description of the Related Art At present, three types of projection type display are being developed.
There are different approaches. Among them, a projection type display using a cathode ray tube has a limitation in the brightness of the cathode ray tube and has a drawback that the device becomes large, so that there is a limit in increasing the area of the display. In addition, in the case of a liquid crystal projection display comprising a liquid crystal panel having a thin film transistor array, the resolution of the liquid crystal panel is insufficient, the aperture ratio of the liquid crystal panel is low, and the light resistance of the thin film transistor array made of an amorphous silicon thin film. Is low.

【0003】このため、空間光変調素子、小形ディスプ
レイ及び光源を拡大投写光学系に組み入れた、投写形デ
ィスプレイが有望視されている。この方式では、微弱な
画像を一度空間光変調素子に書き込み、この書き込み情
報に従って別の読み出し光を変調し、スクリーンに投写
する。
[0003] For this reason, a projection display in which a spatial light modulator, a small display, and a light source are incorporated in an enlarged projection optical system is expected to be promising. In this method, a weak image is once written on a spatial light modulator, another read light is modulated according to this write information, and projected on a screen.

【0004】こうしたタイプのディスプレイにおいて
は、光変調層にネマティック液晶を用いた、いわゆる液
晶ライトバルブが一般的である。しかし、このシステム
では、液晶層で位相変調された読み出し光のうちPおよ
びS偏波光成分のうちの一方が、偏光ビームスプリッタ
を通過し、スクリーンに投写される。このため、読み出
し光がランダムな偏波状態であるとき、その光の50%以
上が偏光ビームスプリッタで吸収されてしまう。このた
め、読み出し光の利用率が低くなるし、ビームスプリッ
タが発熱する。
In such a type of display, a so-called liquid crystal light valve using a nematic liquid crystal for a light modulation layer is generally used. However, in this system, one of the P and S polarized light components of the read light phase-modulated by the liquid crystal layer passes through the polarizing beam splitter and is projected on the screen. For this reason, when the readout light is in a random polarization state, 50% or more of the light is absorbed by the polarizing beam splitter. For this reason, the utilization rate of the reading light decreases, and the beam splitter generates heat.

【0005】この問題を解決する方法として、最近、ポ
リマー分散形液晶(PDLC;Polymer −Dipersed Liq
uid Crystal)の光散乱現象を利用した、新しい液晶ライ
トバルブが提案された。PDLCは、アクリル等の透明
ポリマー中に液晶を粒状に分散させてなる液晶材料であ
り、研究が始まってから数年しか経過していない。こう
した新形式の液晶ライトバルブであれば、PDLCに加
える印加電圧によって、読み出し光の透過と散乱とを選
択するので、偏光ビームスプリッタが不要であり、光利
用率が高い。また、液晶層の両側面に配向層を設ける必
要がないので、大面積の空間光変調素子を作製するのが
容易になる。しかも、光変調に複屈折を利用していない
ので、液晶層の厚さに不均一があっても、読み出し光の
空間一様性に大きな影響がない。
As a method for solving this problem, a polymer-dispersed liquid crystal (PDLC) has recently been proposed.
A new liquid crystal light valve using the light scattering phenomenon of uid Crystal) has been proposed. PDLC is a liquid crystal material obtained by dispersing liquid crystal particles in a transparent polymer such as acrylic, and only a few years have passed since research began. In such a new type of liquid crystal light valve, transmission or scattering of the readout light is selected by the applied voltage applied to the PDLC, so that a polarizing beam splitter is unnecessary and the light utilization is high. Further, since it is not necessary to provide alignment layers on both side surfaces of the liquid crystal layer, it is easy to manufacture a large-area spatial light modulator. In addition, since birefringence is not used for light modulation, even if the thickness of the liquid crystal layer is uneven, the spatial uniformity of the readout light is not significantly affected.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、こうした空間
光変調素子を用いた場合にも、やはり読み出し光をPD
LCからなる光変調層へと照射する。また、この読み出
し光と反対側から、書き込み光を光導電層へと照射す
る。このため、読み出し光を、光変調層と光導電層との
間で反射させ、読み出し光が光導電層側へと洩れないよ
うにしなければならない。
However, even when such a spatial light modulator is used, the readout light is still transmitted to the PD.
Irradiation is performed on the light modulation layer made of LC. Further, from the side opposite to the read light, write light is irradiated to the photoconductive layer. Therefore, the readout light must be reflected between the light modulation layer and the photoconductive layer so that the readout light does not leak to the photoconductive layer side.

【0007】この目的で、光導電層とPDLCからなる
光変調層との間に、誘電体多層膜ミラーを設けることが
知られている。しかし、誘電体多層膜は、屈折率の異な
る誘電体膜を多数重ねたものであり、その反射率は高々
九十数〜九十九%程度である。読み出し光は書き込み光
よりも遙かに大きい光強度を有するので、読み出し光の
ごく一部でも光導電層側に洩れれば、光導電層が感光
し、その抵抗が下がる。このため、読み出し光の書き込
み光に対する強度比(増幅率)を向上させるには、誘電
体多層膜を透過した読み出し光を、光導電層と光変調層
との間で効果的に遮断しなければならない。
For this purpose, it is known to provide a dielectric multilayer mirror between the photoconductive layer and the light modulation layer made of PDLC. However, the dielectric multilayer film is formed by stacking a large number of dielectric films having different refractive indices, and the reflectance is at most about ninety-nine to ninety-nine percent. Since the reading light has a much higher light intensity than the writing light, if even a small part of the reading light leaks to the photoconductive layer side, the photoconductive layer is exposed to light and its resistance decreases. Therefore, in order to improve the intensity ratio (amplification rate) of the read light to the write light, the read light transmitted through the dielectric multilayer film must be effectively blocked between the photoconductive layer and the light modulation layer. No.

【0008】本発明の課題は、透明電極と、印加電圧に
応じて読み出し光の強度、位相もしくは進行方向を変調
する液晶材料からなる光変調層を備えた空間光変調素子
において、光導電層と光変調層との間で読み出し光を効
果的に遮断することである。
An object of the present invention is to provide a spatial light modulation device comprising a transparent electrode and a light modulation layer made of a liquid crystal material for modulating the intensity, phase or traveling direction of readout light according to an applied voltage. The purpose is to effectively block read light from the light modulation layer.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、光導電層と、
この光導電層の一方の面に設けられた一方の透明電極膜
と、前記光導電層の他方の面に設けられた遮光層と、こ
の遮光層上に設けられた誘電体多層膜と、この誘電体多
層膜上に設けられた光変調層と、この光変調層の表面に
設けられた他方の透明電極膜とを少なくとも備えた空間
光変調素子であって、前記光変調層が、印加電圧に応じ
て読み出し光の強度、位相もしくは進行方法を変調する
液晶材料によって形成され、前記遮光層が、5〜45原子
%のゲルマニウムと17.5〜92.5原子%の炭素と 2.5〜7
7.5原子%のケイ素とから実質的に構成されたアモルフ
ァス膜である、空間光変調素子に係るものである。
The present invention comprises a photoconductive layer,
One transparent electrode film provided on one surface of the photoconductive layer, a light shielding layer provided on the other surface of the photoconductive layer, and a dielectric multilayer film provided on the light shielding layer; A spatial light modulator including at least a light modulation layer provided on a dielectric multilayer film and another transparent electrode film provided on a surface of the light modulation layer, wherein the light modulation layer has an applied voltage. The light-shielding layer is formed of a liquid crystal material that modulates the intensity, phase or traveling method of the readout light according to the following conditions.
The present invention relates to a spatial light modulator which is an amorphous film substantially composed of 7.5 atomic% of silicon.

【0010】液晶材料としては、ネマティック液晶、コ
レステリック液晶、スメクティック液晶、PDLCが好
ましい。光導電層は、B12SiO20単結晶、B12GeO20単結
晶、GaAs単結晶で形成することが好ましい。または、光
導電層を、GaAs膜、水素化アモルファスシリコン膜、水
素化アモルファスシリコンカーバイト膜、アモルファス
セレン膜で形成することが好ましい。
As a liquid crystal material, a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, a smectic liquid crystal, and PDLC are preferable. The photoconductive layer is preferably formed of B 12 SiO 20 single crystal, B 12 GeO 20 single crystal, or GaAs single crystal. Alternatively, the photoconductive layer is preferably formed of a GaAs film, a hydrogenated amorphous silicon film, a hydrogenated amorphous silicon carbide film, or an amorphous selenium film.

【0011】[0011]

【実施例】図1〜図5を参照しつつ、本発明の実施例に
係る空間光変調素子12A の製造過程を、順を追って説明
する。この実施例では、光導電層1Aとして、Bi12SiO20
単結晶又はBi12GeO20 単結晶を用いる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A manufacturing process of a spatial light modulator 12A according to an embodiment of the present invention will be described step by step with reference to FIGS. In this embodiment, as the photoconductive layer 1A, Bi 12 SiO 20
A single crystal or a Bi 12 GeO 20 single crystal is used.

【0012】まず、これらの単結晶からなる光導電層1A
を単結晶のウエハーから切り出し、光導電層1Aの一方の
表面に一方の透明電極膜2Aを設ける(図1)。次いで、
図2に示すように、光導電層1Aの他方の表面に、本発明
に従い、遮光層3を設ける。遮光層3の構成及び製法に
ついては、後述する。次いで、図3に示すように、遮光
層3の表面に誘電体多層膜4を蒸着によって設ける。
First, the photoconductive layer 1A made of these single crystals
Is cut out from a single crystal wafer, and one transparent electrode film 2A is provided on one surface of the photoconductive layer 1A (FIG. 1). Then
As shown in FIG. 2, a light shielding layer 3 is provided on the other surface of the photoconductive layer 1A according to the present invention. The configuration and manufacturing method of the light shielding layer 3 will be described later. Next, as shown in FIG. 3, a dielectric multilayer film 4 is provided on the surface of the light shielding layer 3 by vapor deposition.

【0013】この一方、図4に示すように、ガラス基板
7の表面に、他方の透明電極膜2Bを形成する。誘電体多
層膜4と透明電極膜2Bとを、スペーサーを含むシール材
5を挟んで対向させる。誘電体多層膜4、透明電極膜2B
及びシール材5の間に、平板形状の空間6が形成され
る。
On the other hand, as shown in FIG. 4, the other transparent electrode film 2B is formed on the surface of the glass substrate 7. The dielectric multilayer film 4 and the transparent electrode film 2B are opposed to each other with a sealing material 5 including a spacer interposed therebetween. Dielectric multilayer film 4, transparent electrode film 2B
A flat space 6 is formed between the sealing material 5.

【0014】本実施例では、透明ポリマー中に液晶粒子
を分散させてなる液晶材料である、ポリマー分散形液晶
(PDLC)を用いる。具体的な製法としては、従来の
通常のツイストネマティック液晶と同様に、注入口から
未硬化のネマティック液晶と樹脂マトリクスとの混合物
を注入し、注入口を封止して後、硬化させる。この結
果、図5に示すように、空間6内に、PDLCからなる
光変調層8が形成される。
In this embodiment, a polymer dispersed liquid crystal (PDLC), which is a liquid crystal material obtained by dispersing liquid crystal particles in a transparent polymer, is used. As a specific manufacturing method, a mixture of an uncured nematic liquid crystal and a resin matrix is injected from an injection port, and the injection port is sealed and then cured as in the case of a conventional ordinary twisted nematic liquid crystal. As a result, a light modulation layer 8 made of PDLC is formed in the space 6 as shown in FIG.

【0015】なお、シール材を用いない製法もある。即
ち、例えば、透明電極を設けた基板上に未硬化のネマテ
ィック液晶と樹脂マトリクスとの混合物を供給し、その
後、誘電体多層膜及び透明電極を付着した光導電層を重
ねて、光照射等により硬化させることもできる。もちろ
ん,その後、周辺にシール材を塗布して周辺をシールし
てもよい。この製法によれば、単に未硬化のネマティッ
ク液晶と樹脂マトリクスとの混合物をロールコート、ス
ピンコート、印刷、ディスペンサーによる塗布等で供給
すれば良いため、注入工程が簡便であり、生産性が極め
てよい。また、これらの未硬化のネマティック液晶と樹
脂マトリクスとの混合物は、基板間隙制御用のセラミッ
ク粒子、プラスチック粒子、ガラス繊維等のスペーサ
ー、顔料、色素、粘度調整剤、その他、液晶の性能に悪
影響を与えない添加剤を添加してもよい。
There is also a manufacturing method that does not use a sealing material. That is, for example, a mixture of an uncured nematic liquid crystal and a resin matrix is supplied on a substrate provided with a transparent electrode, and then, a dielectric multilayer film and a photoconductive layer to which a transparent electrode is attached are superimposed, and irradiated with light or the like. It can also be cured. Of course, after that, a sealing material may be applied to the periphery to seal the periphery. According to this manufacturing method, the mixture of the uncured nematic liquid crystal and the resin matrix may be simply supplied by roll coating, spin coating, printing, coating with a dispenser, or the like, so that the injection step is simple and the productivity is extremely high. . In addition, a mixture of these uncured nematic liquid crystals and a resin matrix has adverse effects on the performance of the liquid crystal, such as ceramic particles for controlling the substrate gap, plastic particles, spacers such as glass fibers, pigments, dyes, viscosity modifiers, and the like. Additives that do not contribute may be added.

【0016】次いで、こうした空間光変調素子の動作に
つき、図6の構成例を参照しつつ説明する。微弱な書き
込み光光源10A から発光された書き込み光は、液晶テレ
ビ11を通過して入力画像光となり、この入力画像光がレ
ンズ13A で集光され、空間光変調素子12A に照射され
る。この入力画像光は、透明電極膜2Aを通過し、光導電
層1Aに入射する。この一方、高輝度の読み出し光光源10
B から発光した読み出し光は、レンズ13B で集光され、
ミラーで反射され、レンズ13C で調節されて、光変調層
8へと入射する。
Next, the operation of such a spatial light modulator will be described with reference to the configuration example of FIG. The writing light emitted from the weak writing light source 10A passes through the liquid crystal television 11 and becomes input image light. The input image light is condensed by the lens 13A and is irradiated on the spatial light modulator 12A. This input image light passes through the transparent electrode film 2A and enters the photoconductive layer 1A. On the other hand, a high-luminance readout light source 10
The reading light emitted from B is collected by the lens 13B,
The light is reflected by the mirror, adjusted by the lens 13C, and enters the light modulation layer 8.

【0017】次いで、この入射光は、主として誘電体多
層膜4で反射され、光変調層8をもう一度通過し、レン
ズ13C で集光され、レンズ13D を通ってスクリーン14上
に投写される。
Next, the incident light is mainly reflected by the dielectric multilayer film 4, passes through the light modulation layer 8 once again, is condensed by the lens 13C, and is projected on the screen 14 through the lens 13D.

【0018】書き込み光には、液晶テレビ11によって明
暗が付けられている。光導電層1Aのうち、光が当たらな
い部分では、一対の透明電極膜2A, 2Bの間の印加電圧
は、ほとんど光導電層1Aに集中する。このため、光変調
層8にかかる印加電圧は、光変調層8のしきい値電圧に
は達さない。一方、光導電層1Aに光が当たると、その部
分では光導電層1Aの電気抵抗が大幅に下がり、光変調層
8に分配される電圧が上昇してそのしきい値を越える。
The writing light is illuminated by the liquid crystal television 11. In a portion of the photoconductive layer 1A that is not exposed to light, the voltage applied between the pair of transparent electrode films 2A and 2B is mostly concentrated on the photoconductive layer 1A. Therefore, the voltage applied to the light modulation layer 8 does not reach the threshold voltage of the light modulation layer 8. On the other hand, when the light shines on the photoconductive layer 1A, the electric resistance of the photoconductive layer 1A is greatly reduced at that portion, and the voltage distributed to the light modulating layer 8 is increased and exceeds the threshold value.

【0019】PDLCからなる光変調層8の内部では、
該光変調層8に電圧が印加されない場合、液晶分子がポ
リマーと液晶の界面に沿って配列する。液晶粒子の形状
はランダムである。光変調層8への印加電圧が低いとき
は、液晶粒子とポリマーの屈折率が大幅に異なるため、
読み出し光は光変調層8内で何度も進行方向を変え、散
乱される。一方、光変調層8への印加電圧がしきい値電
圧を越え、液晶分子が電界の方向へと配向すると、読み
出し光は散乱されずに光変調層8を通過する。
Inside the light modulation layer 8 made of PDLC,
When no voltage is applied to the light modulation layer 8, the liquid crystal molecules are arranged along the interface between the polymer and the liquid crystal. The shape of the liquid crystal particles is random. When the voltage applied to the light modulation layer 8 is low, the refractive indices of the liquid crystal particles and the polymer are significantly different.
The reading light changes its traveling direction many times in the light modulation layer 8 and is scattered. On the other hand, when the voltage applied to the light modulation layer 8 exceeds the threshold voltage and the liquid crystal molecules are oriented in the direction of the electric field, the read light passes through the light modulation layer 8 without being scattered.

【0020】こうした機構により、入力画像光における
二次元的な強弱の分布が、読み出し光における二次元的
な強弱の分布に変換される。読み出し光の強度を書き込
み光の強度よりも大きくすれば、それだけ信号増幅率が
高くなる。
With such a mechanism, the two-dimensional intensity distribution in the input image light is converted into the two-dimensional intensity distribution in the readout light. If the intensity of the reading light is made higher than the intensity of the writing light, the signal amplification factor becomes higher accordingly.

【0021】既述したように、誘電体多層膜4は、読み
出し光の九十数〜九十九%しか反射しない。このため、
読み出し光の一部が誘電体多層膜4を越えて光導電層1A
の方へと漏れる。読み出し光の強度を、書き込み光の強
度よりも強くすればするほど、上記のように光導電層1A
の方へと漏れる光も強くなり、光導電層1Aが感光する。
As described above, the dielectric multilayer film 4 reflects only 90 to 99% of read light. For this reason,
Part of the reading light passes through the dielectric multilayer film 4 and the photoconductive layer 1A.
Leaks towards you. The more the intensity of the read light is higher than the intensity of the write light, the more the photoconductive layer 1A as described above
The light leaking to the direction becomes stronger, and the photoconductive layer 1A is exposed.

【0022】従って、信号増幅率を増大させるために
は、誘電体多層膜4を透過する読み出し光を遮る遮光層
3を、光導電層1Aと誘電体多層膜4との間に設ける必要
がある。ただし、遮光層3には相反した特性が要求され
る。即ち、遮光層3は、読み出し光の吸収能力が高いも
のでなければならず、これにより、読み出し光の強度を
上げることが可能になる。しかし、読み出し光の吸収能
力が高い遮光層は、通常、光を吸収すると比抵抗が著し
く下がる。こうなると、空間光変調素子の解像度が急激
に劣化し、投写画像が不明瞭なものになる。
Therefore, in order to increase the signal amplification factor, it is necessary to provide the light shielding layer 3 for blocking the readout light passing through the dielectric multilayer film 4 between the photoconductive layer 1A and the dielectric multilayer film 4. . However, the light shielding layer 3 is required to have contradictory characteristics. That is, the light-shielding layer 3 must have a high readout light absorbing ability, thereby increasing the intensity of the readout light. However, the light-shielding layer having a high readout light absorbing ability usually remarkably lowers its specific resistance when light is absorbed. In such a case, the resolution of the spatial light modulator rapidly deteriorates, and the projected image becomes unclear.

【0023】ここで、本発明者は、上記の二律相反を解
決し、読み出し光の強度を高めつつ素子の解像度の劣化
も防止できる新しい遮光層を発見した。これにより、明
るく、かつ明瞭で解像度の高い投写画像が得られるよう
になった。本発明で用いる遮光層は、5〜45原子%のゲ
ルマニウムと17.5〜92.5原子%の炭素と 2.5〜77.5原子
%のケイ素とから実質的に構成されたアモルファス膜で
ある。「実質的に」とは、不可避的不純物は許容される
ことを意味する。
Here, the present inventor has found a new light-shielding layer which can solve the above two trade-offs and can prevent the deterioration of the resolution of the element while increasing the intensity of the reading light. As a result, a bright, clear, and high-resolution projected image can be obtained. The light-shielding layer used in the present invention is an amorphous film substantially composed of 5 to 45 atomic% of germanium, 17.5 to 92.5 atomic% of carbon, and 2.5 to 77.5 atomic% of silicon. "Substantially" means that unavoidable impurities are acceptable.

【0024】上記アモルファス膜を構成する含元素の組
成は、ゲルマニウムが12.5〜35原子%とすると更に好ま
しい。遮光層3を形成するには、モノシラン、水素化ゲ
ルマニウムと、メタン又はエタンとの混合ガスを用いた
プラズマ化学気相成長法(プラズマCVD法)によるの
が好ましい。モノシラン、水素化ゲルマニウム、メタン
(又はエタン)の流量を変えることで、遮光層の組成を
適宜変更できるからである。
More preferably, the composition of the elemental elements constituting the amorphous film is such that germanium is 12.5 to 35 atomic%. In order to form the light shielding layer 3, it is preferable to use a plasma chemical vapor deposition method (plasma CVD method) using a mixed gas of monosilane, germanium hydride, and methane or ethane. This is because the composition of the light-shielding layer can be appropriately changed by changing the flow rates of monosilane, germanium hydride, and methane (or ethane).

【0025】次に、光導電層を水素化アモルファスシリ
コン膜とした実施例について、図7〜図9を参照しつつ
説明する。まず、図7に示すように、表面を光学研磨し
たガラス基板17に、一方の透明電極膜2Aを設ける。
Next, an embodiment in which the photoconductive layer is a hydrogenated amorphous silicon film will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 7, one transparent electrode film 2A is provided on a glass substrate 17 whose surface is optically polished.

【0026】次いで、図8に示すように、一方の透明電
極膜2Aの表面に、水素化アモルファスシリコン膜からな
る光導電層1Bを設け、光導電層1Bの表面に遮光層3を設
ける。この後は、図3、図4、図5において説明した手
順に従って、誘電体多層膜4、光変調層8、他方の透明
電極膜2B、ガラス基板7を設ける。こうして、図9に示
す空間光変調素子12B を得る。
Next, as shown in FIG. 8, a photoconductive layer 1B made of a hydrogenated amorphous silicon film is provided on the surface of one transparent electrode film 2A, and a light shielding layer 3 is provided on the surface of the photoconductive layer 1B. After that, the dielectric multilayer film 4, the light modulation layer 8, the other transparent electrode film 2B, and the glass substrate 7 are provided according to the procedure described with reference to FIGS. Thus, the spatial light modulator 12B shown in FIG. 9 is obtained.

【0027】水素化アモルファスシリコン膜からなる光
導電層1Bは、プラズマCVDによって形成することが好
ましい。この際、前記したように、遮光層3もプラズマ
CVDによって形成することにすれば、透明電極膜2A
上に光導電層1Bと遮光層3とを、プラズマCVDによ
って同一装置内で連続的に形成できる。むろん、この
際、材料ガスを適宜変更する必要がある。こうした空間
光変調素子12B の動作は、前記した素子12A の動作と同
じである。
The photoconductive layer 1B made of a hydrogenated amorphous silicon film is preferably formed by plasma CVD. At this time, as described above, if the light shielding layer 3 is also formed by plasma CVD, the transparent electrode film 2A
The photoconductive layer 1B and the light-shielding layer 3 can be continuously formed on the same device by plasma CVD in the same device. Of course, at this time, it is necessary to appropriately change the material gas. The operation of the spatial light modulator 12B is the same as the operation of the element 12A described above.

【0028】次に、実際の実験結果について述べる。ま
ず、本発明の遮光層に対して適用すべきアモルファス膜
の成分比とその評価結果とについて述べる。下記表に示
すような各成分比のアモルファス膜を、材料ガスの分圧
を変えることによって成膜した。成膜法は、プラズマC
VD法とした。材料ガスの圧力を50mtorr 、放電エネル
ギーを40W又は15W又は5W、基板温度を100 ℃、膜厚
を1μm とした。これらの各アモルファス膜について、
分光光度計で光透過率を測定し、また2端子法で抵抗率
を測定した。各アモルファス膜の組成比は、オージェ電
子分光装置による定量分析によって求めた。これらの結
果を下記表1に示す。また、図10に光透過率の値につい
ての三角図を示し、図11に抵抗率の値についての三角図
を示す。
Next, actual experimental results will be described. First, the component ratio of the amorphous film to be applied to the light-shielding layer of the present invention and the evaluation results will be described. An amorphous film having each component ratio as shown in the following table was formed by changing the partial pressure of the material gas. The film formation method is plasma C
The VD method was used. The material gas pressure was 50 mtorr, the discharge energy was 40 W, 15 W or 5 W, the substrate temperature was 100 ° C., and the film thickness was 1 μm. For each of these amorphous films,
The light transmittance was measured by a spectrophotometer, and the resistivity was measured by a two-terminal method. The composition ratio of each amorphous film was determined by quantitative analysis using an Auger electron spectrometer. The results are shown in Table 1 below. FIG. 10 shows a triangular diagram for the value of light transmittance, and FIG. 11 shows a triangular diagram for the value of resistivity.

【0029】[0029]

【表1】 [Table 1]

【0030】充分な解像度を得るためには、抵抗率を10
8 Ωcm以上、更に109 Ωcm以上とすることが好ましい。
一方、目的とする光増幅率を得るためには、光透過率を
10%以下、更に望ましくは3%以下としなければならな
い。そして、上記の結果から、特にゲルマニウムの含有
量が重要であることが判明した。即ち、光透過率を10%
以下、3%以下とするためには、ゲルマニウムの含有量
を5%以上、12.5%以上とする必要があった。また、抵
抗率を108 Ωcm以上とするためには、ゲルマニウムの含
有量を45%以下、ケイ素の含有量を 2.5%以上、炭素の
含有量を17.5%以上に、抵抗率を 109Ωcm以上にするた
めにはゲルマニウムの含有量を35%以下、ケイ素の含有
量を5%以上、炭素の含有量を 2.5%以上にする必要が
あった。
In order to obtain a sufficient resolution, the resistivity must be 10
It is preferably at least 8 Ωcm, more preferably at least 10 9 Ωcm.
On the other hand, in order to obtain the desired optical amplification,
It should be less than 10%, more preferably less than 3%. From the above results, it was found that the germanium content was particularly important. That is, the light transmittance is 10%
In order to reduce the content to 3% or less, the germanium content needs to be 5% or more and 12.5% or more. Further, in order to make the resistivity 10 8 Ωcm or more, the germanium content is 45% or less, the silicon content is 2.5% or more, the carbon content is 17.5% or more, and the resistivity is 10 9 Ωcm or more. In order to achieve this, it was necessary to make the germanium content 35% or less, the silicon content 5% or more, and the carbon content 2.5% or more.

【0031】次に、遮光層の成分を種々変更すると、空
間光変調素子の光増幅率と解像度とにいかに影響するか
を実証した。
Next, it was demonstrated how various changes in the components of the light-shielding layer affect the light amplification factor and the resolution of the spatial light modulator.

【0032】まず、図1〜図5に示したような手順で、
空間光変調素子12A を作製した。ただし、光導電層1Aは
Bi12SiO20 単結晶によって形成し、その寸法は、35mm×
35mm×0.5mm とした。透明電極膜2A, 2Bは、真空蒸着法
によって形成した。遮光層3は、プラズマCVD法によ
って形成した。この条件は、以下の通りである。
First, according to the procedure shown in FIGS.
A spatial light modulator 12A was manufactured. However, the photoconductive layer 1A is
Formed by Bi 12 SiO 20 single crystal, its dimensions are 35mm ×
35 mm x 0.5 mm. The transparent electrode films 2A and 2B were formed by a vacuum evaporation method. The light shielding layer 3 was formed by a plasma CVD method. This condition is as follows.

【表2】材料ガス流量 SiH4 6.5 sccm GeH4 1.6 sccm C2H4 29.5 sccm 材料ガスの圧力 100 m torr 放電エネルギー 40 W 基板温度 100 ℃[Table 2] Material gas flow rate SiH 4 6.5 sccm GeH 4 1.6 sccm C 2 H 4 29.5 sccm Material gas pressure 100 m torr Discharge energy 40 W Substrate temperature 100 ° C

【0033】このアモルファス膜の組成比は、炭素が62
原子%、ゲルマニウムが19原子%、ケイ素が19原子%で
あった。この組成比は、オージェ電子分光装置による定
量分析によって求めた。
The composition ratio of this amorphous film is as follows:
Atomic%, germanium was 19 atomic%, and silicon was 19 atomic%. This composition ratio was determined by quantitative analysis using an Auger electron spectrometer.

【0034】誘電体多層膜4は、真空蒸着法で形成し
た。誘電体多層膜4は、TiO2薄膜とSiO2薄膜との積層体
であり、交互に合計20層重ねた。そして、以下の材料に
よってPDLCを構成し、厚さ18μm の光変調層8を得
た。
The dielectric multilayer film 4 was formed by a vacuum evaporation method. The dielectric multilayer film 4 is a laminate of a TiO 2 thin film and a SiO 2 thin film, and a total of 20 alternately stacked. Then, a PDLC was formed from the following materials to obtain a light modulation layer 8 having a thickness of 18 μm.

【表3】(ネマティック液晶) シアノビフェニル系の混合液晶 常光屈折率n0 =1.525 異常光屈折率ne =1.748 液晶分子の長軸と平行方向の比誘電率=17.6 液晶分子の長軸と垂直方向の比誘電率= 5.1 (紫外線硬化ポリマー) ウレタン系ポリマー 屈折率np =1.524 硬化波長域---350〜380nm (球状スペーサ剤) 硬化樹脂 直径----------18μmTABLE 3 (nematic liquid crystal) the long axis of the liquid crystal mixture ordinary refractive index n 0 = 1.525 extraordinary refractive index n e = 1.748 relative permittivity = 17.6 liquid crystal molecules in the long axis parallel to the direction of the liquid crystal molecules of cyanobiphenyl perpendicular Dielectric constant in direction = 5.1 (ultraviolet curable polymer) Urethane polymer Refractive index np = 1.524 Curing wavelength range --- 350 to 380 nm (spherical spacer agent) Cured resin diameter ---------- 18μm

【0035】そして、図6に示すような光学系に、空間
光変調素子12Aを組み込み評価した。また、カラー動画
像を実現できるかどうかを確認する場合には、上記の素
子12Aを計3枚作り、それぞれを図12の光学系に組み込
んだ。即ち、上記の素子12Aと同じ空間光変調素子20
B、20R、20Gを作製し、それぞれ図12の光学系に組み
込んだ。図12の光学系においては、液晶パネル21B、21
R、21Gによってそれぞれ青色光を変調し、各書込み光
を得る、これらの各書込み光が、それぞれレンズ22B、
22R、22Gを透過し、空間光変調素子20B、20R、20G
に入射する。これにより、各素子への書込みを行う。こ
の一方、白色光源23から出射した白色光が、レンズ24A
によってミラー25に集束する。この反射光のうち、青色
光がダイクロイックミラー26Bによって反射され、素子
20Bに入射する。青色光以外の可視光は、ダイクロイッ
クミラー26Bを透過する。次いで、赤色光がダイクロイ
ックミラー26Rによって反射され、素子20Rに入射す
る。緑色光は、ダイクロイックミラー26Rを透過し、素
子20Gに入射する。
Then, the spatial light modulator 12A was incorporated into an optical system as shown in FIG. 6 and evaluated. In order to confirm whether or not a color moving image can be realized, a total of three elements 12A were manufactured and each of them was incorporated into the optical system shown in FIG. That is, the same spatial light modulation element 20 as the element 12A is used.
B, 20R, and 20G were fabricated and incorporated into the optical system of FIG. 12, respectively. In the optical system of FIG. 12, the liquid crystal panels 21B, 21B
The blue light is modulated by R and 21G, respectively, and each writing light is obtained.
22R, 22G, transmitted through the spatial light modulator 20B, 20R, 20G
Incident on. Thus, writing to each element is performed. On the other hand, the white light emitted from the white light source 23 is
Focuses on the mirror 25. Of the reflected light, blue light is reflected by the dichroic mirror 26B,
It is incident on 20B. Visible light other than blue light passes through the dichroic mirror 26B. Next, the red light is reflected by the dichroic mirror 26R and enters the element 20R. The green light passes through the dichroic mirror 26R and enters the element 20G.

【0036】これらの各原色光は、光変調層8を通過
し、主として誘電体多層膜4で反射され、再度光変調層
8を通過し、レンズ24B、24Cを通ってスクリーン27上
に投写される。これにより、フルカラー画像が形成され
る。空間光変調素子の駆動電圧は50Vrms、その駆動周波
数は30Hz、書き込み光の波長は380 〜490nm 、読み出し
光の波長は400 〜490nm とした。この結果、書き込み光
強度 300μW/cm2 、読み出し光強度 0.3W/cm2 を実現で
き、光増幅率は1×103 であった。また、このときの解
像度は30lp/mm であった。
Each of these primary color lights passes through the light modulation layer 8, is mainly reflected by the dielectric multilayer film 4, passes through the light modulation layer 8 again, and is projected on the screen 27 through the lenses 24B and 24C. You. Thereby, a full-color image is formed. The driving voltage of the spatial light modulator was 50 Vrms, the driving frequency was 30 Hz, the wavelength of the writing light was 380 to 490 nm, and the wavelength of the reading light was 400 to 490 nm. As a result, a write light intensity of 300 μW / cm 2 and a read light intensity of 0.3 W / cm 2 were realized, and the optical amplification factor was 1 × 10 3 . The resolution at this time was 30 lp / mm.

【0037】また、上記において、遮光層の成膜を下記
の条件で行い、他は上記と同様にして空間光変調素子を
作成した。
In the above, a light-shielding layer was formed under the following conditions, and a spatial light modulator was prepared in the same manner as above except for the above.

【表4】SiH4 6.5 sccm GeH4 1.6 sccm CH4 40 sccm ガス圧力 50 mtorr 放電エネルギー 20 W 膜圧 3 μm こうして得たアモルファス膜の組成比は、炭素40%、ゲ
ルマニウム50%、ケイ素10%であった。そしてこの空間
光変調素子を上記のように作動させたところ、画像は非
常に不明瞭であり、3lp/mm の解像度しか得られなかっ
た。
Table 4 SiH 4 6.5 sccm GeH 4 1.6 sccm CH 4 40 sccm Gas pressure 50 mtorr Discharge energy 20 W Film pressure 3 μm The composition ratio of the amorphous film thus obtained is as follows: carbon 40%, germanium 50%, silicon 10%. there were. When the spatial light modulator was operated as described above, the image was very unclear, and only a resolution of 3 lp / mm was obtained.

【0038】また、上記において、遮光層の成膜を下記
の条件で行い、他は上記と同様にして空間光変調素子を
作製した。
In the above, a light-shielding layer was formed under the following conditions, and a spatial light modulator was manufactured in the same manner as above except for the above.

【表5】 こうして得たアモルファス膜の組成比は、炭素5%、ゲ
ルマニウム0%、ケイ素95%であった。そしてこの空間
光変調素子を上記のように作動させたところ、書き込み
光50μW/cm2 に対して、読み出し光 500μW/cm2 以上照
射すると、光導電層に光が漏れ、画像コントラストが著
しく低下したので、これ以上読み出し光強度を上げるこ
とはできなかった。光増幅率としては10倍程度であり、
大画面に投影すると暗い像しか得られなかった。
[Table 5] The composition ratio of the amorphous film thus obtained was 5% carbon, 0% germanium, and 95% silicon. And when this spatial light modulator was operated as described above, when writing light 50 μW / cm 2 and reading light 500 μW / cm 2 or more, light leaked to the photoconductive layer and image contrast was significantly reduced. Therefore, the reading light intensity could not be further increased. The optical amplification rate is about 10 times,
When projected on a large screen, only a dark image was obtained.

【0039】以下、上記と同様にして、遮光層を構成す
るアモルファス膜の組成を種々変更し、空間光変調素子
の光増幅率と解像度とを測定した。この測定結果を既に
述べた結果と共に示す。
In the same manner as described above, the composition of the amorphous film constituting the light-shielding layer was variously changed, and the light amplification factor and resolution of the spatial light modulator were measured. The measurement results are shown together with the results already described.

【0040】[0040]

【表6】 [Table 6]

【0041】この結果から明らかなように、ゲルマニウ
ムの量を5〜45%にすると、空間光変調素子の光増幅率
や解像度が良好である。特に、これが14%、19%、34%
のとき、最高の特性が得られた。ゲルマニウムの量が4
%では、光増幅率を10以上に上げようとすると、解像度
が極端に劣化した。ゲルマニウムの量が6%の例では、
比較的明るい画像が得られた。ゲルマニウムの量が44%
の例では、明るく、比較的輪郭の明瞭な画像が得られ
た。ゲルマニウムの量が46%を超えた例では、不明瞭な
ぼやけた画像しか得られなかった。
As is apparent from these results, when the amount of germanium is 5 to 45%, the light amplification factor and the resolution of the spatial light modulator are good. In particular, this is 14%, 19%, 34%
At the time, the best characteristics were obtained. The amount of germanium is 4
At%, the resolution deteriorated extremely when trying to increase the optical amplification factor to 10 or more. In the example where the amount of germanium is 6%,
A relatively bright image was obtained. Germanium content is 44%
In the example of (1), a bright and relatively clear image was obtained. In cases where the amount of germanium exceeded 46%, only indistinct and blurred images were obtained.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明によれば、光導電層と誘電体多層
膜との間に遮光層を設け、かつこの遮光層を上記の組成
からなるアモルファス膜で形成しているので、誘電体多
層膜を通過した読み出し光を効果的に吸収できる。従っ
て、読み出し光の強度を上げても、この読出出し光が光
導電層の側に洩れにくいので、読み出し光の洩れによる
光導電層の感光が生じにくい。これにより、読み出し光
の強度の書き込み光強度に対する倍率を高くすることが
できる。しかも、上記のような組成からなるアモルファ
ス膜を用いると、読み出し光の一部を吸光しても、空間
光変調素子の解像度が劣化しないので、読み出し光の強
度を高めつつその解像度も高めることができる。
According to the present invention, a light shielding layer is provided between a photoconductive layer and a dielectric multilayer film, and the light shielding layer is formed of an amorphous film having the above composition. The readout light passing through the film can be effectively absorbed. Therefore, even if the intensity of the readout light is increased, the readout light is unlikely to leak to the photoconductive layer side, so that the photoconductive layer is less likely to be exposed to the readout light. This makes it possible to increase the magnification of the read light intensity with respect to the write light intensity. In addition, when an amorphous film having the above composition is used, even if a part of the readout light is absorbed, the resolution of the spatial light modulator is not deteriorated. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】光導電層1Aの表面に一方の透明電極膜2Aを形成
した状態を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a state in which one transparent electrode film 2A is formed on the surface of a photoconductive layer 1A.

【図2】光導電層1Aに遮光層3を設けた状態を示す断面
図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which a light shielding layer 3 is provided on a photoconductive layer 1A.

【図3】遮光層3の表面に誘電体多層膜4を設けた状態
を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which a dielectric multilayer film 4 is provided on the surface of a light shielding layer 3.

【図4】誘電体多層膜4と他方の透明電極膜2Bとの間に
シール材5を設置した状態を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which a sealing material 5 is provided between a dielectric multilayer film 4 and another transparent electrode film 2B.

【図5】空間光変調素子12A を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a spatial light modulator 12A.

【図6】投写光学系の一例を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of a projection optical system.

【図7】ガラス基板17の表面に一方の透明電極膜2Aを設
けた状態を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state in which one transparent electrode film 2A is provided on the surface of a glass substrate 17.

【図8】透明電極膜2Aの表面に、光導電層1B、遮光層3
を順次設けた状態を示す断面図である。
FIG. 8 shows a photoconductive layer 1B and a light shielding layer 3 on the surface of a transparent electrode film 2A.
Is a cross-sectional view showing a state in which are sequentially provided.

【図9】空間光変調素子12B を示す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing a spatial light modulator 12B.

【図10】遮光層3の組成と光透過率との関係を示す三
角図である。
FIG. 10 is a triangular diagram showing the relationship between the composition of the light shielding layer 3 and the light transmittance.

【図11】遮光層3の組成と抵抗率との関係を示す三角
図である。
FIG. 11 is a triangular diagram showing the relationship between the composition of the light shielding layer 3 and the resistivity.

【図12】フルカラー投写光学系の一例を示す模式図で
ある。
FIG. 12 is a schematic diagram illustrating an example of a full-color projection optical system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A, 1B 光導電層 2A 一方の透明電極膜 2B 他方の透明電極膜 3 遮光層 4 誘電体多層膜 7,17 ガラス基板 8 液晶材料からなる光変調層 12A, 12B, 20B, 20R, 20G 空間光変調素子 14 スクリーン 21B, 21R, 21G 液晶パネル 23 白色光源 26B, 26R ダイクロイックミラー 1A, 1B Photoconductive layer 2A One transparent electrode film 2B The other transparent electrode film 3 Light shielding layer 4 Dielectric multilayer film 7, 17 Glass substrate 8 Light modulation layer made of liquid crystal material 12A, 12B, 20B, 20R, 20G Spatial light Modulator 14 Screen 21B, 21R, 21G LCD panel 23 White light source 26B, 26R Dichroic mirror

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大杉 幸久 愛知県名古屋市瑞穂区竹田町3丁目9番 地 日本ガイシ竹田北社宅13号 (72)発明者 丹下 正次 愛知県名古屋市瑞穂区市丘町2丁目28番 地の2 日本ガイシ市丘寮 (56)参考文献 特開 平3−217825(JP,A) 特開 昭62−40430(JP,A) 特開 昭58−199327(JP,A) 特開 昭59−81627(JP,A) 特開 平4−301819(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Yukihisa Osugi 3-9 Takeda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi, Japan No. 13, NGK Takeda-Kita Company House (72) Inventor Masaji Tange Ichioka, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi-ken 2-28, Chomachi, Gaishi-shi, Japan. JP-A-59-81627 (JP, A) JP-A-4-301819 (JP, A)

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 光導電層と、この光導電層の一方の面に
設けられた一方の透明電極膜と、前記光導電層の他方の
面に設けられた遮光層と、この遮光層上に設けられた誘
電体多層膜と、この誘電体多層膜上に設けられた光変調
層と、この光変調層の表面に設けられた他方の透明電極
膜とを少なくとも備えた空間光変調素子であって、前記
光変調層が、印加電圧に応じて読み出し光の強度、位相
もしくは進行方向を変調する液晶材料によって形成さ
れ、前記遮光層が、5〜45原子%のゲルマニウムと17.5
〜92.5原子%の炭素と 2.5〜77.5原子%のケイ素とから
実質的に構成されたアモルファス膜である、空間光変調
素子。
1. A photoconductive layer, one transparent electrode film provided on one surface of the photoconductive layer, a light shielding layer provided on the other surface of the photoconductive layer, and A spatial light modulator comprising at least a provided dielectric multilayer film, a light modulation layer provided on the dielectric multilayer film, and another transparent electrode film provided on the surface of the light modulation layer. The light modulating layer is formed of a liquid crystal material that modulates the intensity, phase or traveling direction of readout light in accordance with an applied voltage, and the light shielding layer is formed of 5-45 atomic% germanium and 17.5 atomic%.
A spatial light modulator, which is an amorphous film substantially composed of about 92.5 at% carbon and 2.5 to 77.5 at% silicon.
【請求項2】 前記遮光層が、12.5〜35原子%のゲルマ
ニウムと25〜82.5原子%の炭素と5〜62.5原子%のケイ
素とから実質的に構成されたアモルファス膜である、請
求項1記載の空間光変調素子。
2. The light-shielding layer according to claim 1, wherein the light-shielding layer is an amorphous film substantially composed of 12.5 to 35 atomic% of germanium, 25 to 82.5 atomic% of carbon, and 5 to 62.5 atomic% of silicon. Spatial light modulator.
【請求項3】 前記遮光層が、モノシラン、水素化ゲル
マニウム及びメタンの混合ガスを用いたプラズマ化学気
相成長法で形成されたアモルファス膜である、請求項1
記載の空間光変調素子。
3. The light-shielding layer is an amorphous film formed by a plasma-enhanced chemical vapor deposition method using a mixed gas of monosilane, germanium hydride and methane.
The spatial light modulator according to any one of the preceding claims.
【請求項4】 前記遮光層が、モノシラン、水素化ゲル
マニウム及びエタンの混合ガスを用いたプラズマ化学気
相成長法で形成されたアモルファス膜である、請求項1
記載の空間光変調素子。
4. The light-shielding layer is an amorphous film formed by a plasma chemical vapor deposition method using a mixed gas of monosilane, germanium hydride, and ethane.
The spatial light modulator according to any one of the preceding claims.
【請求項5】 請求項2記載の空間光変調素子を製造す
るのに際し、同一の膜形成装置の内部で、プラズマ化学
気相成長法によって前記遮光層と前記光導電層とを連続
的に形成することを特徴とする、空間光変調素子の製造
方法。
5. When manufacturing the spatial light modulator according to claim 2, the light shielding layer and the photoconductive layer are continuously formed by plasma enhanced chemical vapor deposition in the same film forming apparatus. A method for manufacturing a spatial light modulator.
JP1898792A 1992-02-04 1992-02-04 Spatial light modulator and method of manufacturing the same Expired - Lifetime JP2647779B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1898792A JP2647779B2 (en) 1992-02-04 1992-02-04 Spatial light modulator and method of manufacturing the same
US08/010,301 US5471331A (en) 1992-02-04 1993-01-28 Spatial light modulator element with amorphous film of germanium, carbon and silicon for light blocking layer
EP96104278A EP0722112A2 (en) 1992-02-04 1993-02-04 Spatial light modulator element and method of manufacturing the same
DE69310236T DE69310236T2 (en) 1992-02-04 1993-02-04 Spatial light modulator and its manufacturing processes
EP93300838A EP0556985B1 (en) 1992-02-04 1993-02-04 Spatial light modulator element and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1898792A JP2647779B2 (en) 1992-02-04 1992-02-04 Spatial light modulator and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05216059A JPH05216059A (en) 1993-08-27
JP2647779B2 true JP2647779B2 (en) 1997-08-27

Family

ID=11986938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1898792A Expired - Lifetime JP2647779B2 (en) 1992-02-04 1992-02-04 Spatial light modulator and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2647779B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2798865B2 (en) 1993-03-26 1998-09-17 日本放送協会 Method for manufacturing spatial light modulator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2798865B2 (en) 1993-03-26 1998-09-17 日本放送協会 Method for manufacturing spatial light modulator

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05216059A (en) 1993-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5477359A (en) Liquid crystal projector having a vertical orientating polyimide film
JP2784205B2 (en) Transmissive liquid crystal display
US5471331A (en) Spatial light modulator element with amorphous film of germanium, carbon and silicon for light blocking layer
JP2000305074A (en) Reflective liquid crystal display
US5245453A (en) Liquid crystal modulator having a photoconductor and/or a dielectric mirror composed of hydrogenated amorphous silicon carbide
KR19980071636A (en) Electrically Conductive Anti-glare Polarizer
US5420706A (en) Electro-optical device having improved light shielding and method for forming the same
JPH04134323A (en) Optical writing type liquid crystal display element
JP2647779B2 (en) Spatial light modulator and method of manufacturing the same
JP2647780B2 (en) Spatial light modulator and method of manufacturing the same
JP2798865B2 (en) Method for manufacturing spatial light modulator
JP3137435B2 (en) Liquid crystal panel and liquid crystal projection television using the same
JP3313142B2 (en) Liquid crystal panel and projection display device using the same
JP2870826B2 (en) Active matrix liquid crystal display device and projection type active matrix liquid crystal display device
JPH05216060A (en) Space optical modulating element and production thereof
JP2786564B2 (en) Method for manufacturing spatial light modulator
JPH06273772A (en) Projection type liquid crystal display device
JPH06102499A (en) Electrode substrate and liquid crystal panel and liquid crystal projection type television formed by using the same
JP2792984B2 (en) Projection type liquid crystal display
JP3073657B2 (en) Liquid crystal light valve and projection type liquid crystal display device using the same
JP3241118B2 (en) Liquid crystal display element and liquid crystal display device using the same
JP2946538B2 (en) Projection type active matrix liquid crystal display
JPH0588153A (en) Liquid crystal panel and liquid crystal display device formed by using this panel
KR101165467B1 (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
JPH11190849A (en) Color liquid crystal element