JP2647383B2 - Waveform generator - Google Patents

Waveform generator

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JP2647383B2
JP2647383B2 JP62111468A JP11146887A JP2647383B2 JP 2647383 B2 JP2647383 B2 JP 2647383B2 JP 62111468 A JP62111468 A JP 62111468A JP 11146887 A JP11146887 A JP 11146887A JP 2647383 B2 JP2647383 B2 JP 2647383B2
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KASHIO KEISANKI KK
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KASHIO DENSHI KOGYO KK
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【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

〔発明の技術分野〕 本発明は、周期的な複数の信号を生成する波形生成装
置に関する。 〔従来技術及びその問題点〕 従来、例えば液晶プリンタ等においては、液晶光シャ
ッタ(以後LCSと記す)に設けられた多数のマイクロシ
ャッタの開閉により画像データの光書込みを行い静電潜
像の形成を行っている。 そして、光書込みを高速に行うために低周波数fLと高
周波数fHの2周波駆動により液晶光シャッタを制御して
いる。さらに、駆動素子、配線数、実装面積を減少して
小型化を図るために時分割駆動を行っている。 第17図は、そのような液晶光シャッタを時分割により
2周波駆動するための駆動信号及びタイミング信号を生
成するための液晶プリンタ内のLCS駆動信号生成回路を
示すブロック図である。さらに第18図(a)は上記LCS
駆動信号生成回路の動作を示すタイミングチャート、第
18図(b)はROM2(後述)内に格納されているデータDS
TATUSの内容を示す図である。以上のような第17図、第1
8図(a)、(b)を参照しながら従来のLCS駆動信号生
成回路の構成及び動作を説明する。 まず、第17図において、カウンタ401はn進(n≦
2m)のカウンタであり、インバータ404を介して入力す
るクロック信号φの反転クロック信号に同期して0〜
n−1のカウントを行い出力端子Q0(LSB)〜Qm-1(MS
B)からブロックアドレス信号BLADRをROM(Read Only M
emory)402のアドレス入力端子A0〜Am-1に出力する。ブ
ロックアドレス信号BLADRは、第18図(a)に示すよう
に0〜n−1の値を持ち、0〜n−1の順にクロック信
号の立ち上がりエッジでサイクリックに周期TWでROM4
02に入力される。ROM402内には、第18図(b)に示すよ
うにアドレス0〜n−1にデータDSTATUSが格納されて
いる。ROM402の端子▲▼(Chip Enable)と端子▲
▼(Output Enable)は共にアースされており、常
にアクティブ(Lレベル)となっているので、アドレス
入力端子A0〜Am-1にブロックアドレス信号BLADRが入力
する毎に、ROM402のデータ出力端子D0〜D7からブロック
アドレスBLADRに対応したデータDSTATUSがラッチ403の
データ入力端子D0〜D7に出力される。 また、ROM402には入力端子Am、Am+1が設けられてお
り、入力端子Am、Am+1にページ選択信号を入力すること
によって4種類のページを選択することができる。従っ
て、ページ毎にデータDSTATUSの内容を変えて記憶して
おくことによって、4種類(LCS駆動信号COM1、COM2、P
T1、PT2、タイミング信号DSEL、▲▼、TWSX)の
組を生成することができる。 ラッチ403の端子CKには、クロック信号φが入力して
おり、クロック信号φの立ち上がりに同期してデータ入
力端子D0〜D7にROM402の出力端子D0〜D7から出力される
データDSTATUSが入力し、次のクロック信号φと立ち上
がりまで保持される。ラッチ403に入力したデータDSTAT
USは、出力端子Q0〜Q6からそれぞれ、LCS駆動信号PT1、
PT2、COM1、COM2、及びタイミング信号DSEL、▲
▼、TWSXとなって出力される。また、ラッチ403の出力
端子Q7からは、前記n進カウンタ1のリセット信号が、
第18図(b)に示すデータDST(n−1)がラッチ403に
入力した際にn進カウンタ1のリセット端子Rに出力さ
れる。従って、n進カウンタ1は0〜n−1(ROM402の
アドレス)までカウンタした後に、ROM402からラッチ40
3に出力されるデータDST(n−1)のビット7の値“1"
によってリセットされる(第18図(b)参照)。ラッチ
403から出力されるLCS駆動信号COM1、COM2、PT1、PT2は
図示していない記録制御部に出力され、記録制御部を介
してLCSの時分割による2周波駆動の制御に使用され
る。 このように、従来のLCS駆動信号生成回路において
は、ROM2に固定的に記憶されたデータDSTATUSによりLCS
駆動信号COM1、COM2、PT1、PT2、及びタイミング信号DS
EL、▲▼、TWSX等のLCS駆動波形を生成してい
る。しかしながら、液晶技術の進歩や仕様変更等により
液晶光シャッタで使用する液晶材料の改良、変更等によ
り液晶光シャッタの動作特性が変化する場合がある。こ
の時、従来のLCS駆動信号生成回路のように、ROM2に記
憶されたデータDSTATUSにより固定的なLCS駆動波形しか
生成できない波形生成装置では、液晶材料の変更、改良
に伴うLCS駆動波形の仕様変更に迅速に対処することが
難しく、また、最適なLCS駆動波形を生成できないとい
う問題があった。 〔発明の目的〕 本発明は、上記従来の問題点に鑑み、外部からデータ
を書き換えることにより、多様な駆動波形を得ることが
できると共に、仕様に応じた最適な駆動波形を外部制御
により簡単に生成することができる波形生成装置を提供
することを目的とする。 〔発明の要点〕 上記目的は本発明によれば、アドレス発生手段と、波
形を指定するコードデータと、該コードデータの展開ス
テップ数を指定するステップデータを1フレームのデー
タとして複数フレームのデータを記憶し前記アドレス発
生手段の発生したアドレスに応じて前記1フレームのデ
ータを出力する第1の記憶手段と、前記コードデータと
生成すべき波形の基本周波数信号とから作成されるアド
レスまたは前記アドレス発生手段の発生するアドレスの
一方を選択して出力する選択手段と、該選択手段の出力
が入力され波形データを出力する書き換え可能な第2の
記憶手段と、前記第1の記憶手段から出力される前記ス
テップデータを基に1フレームの期間を計測し計測値に
応じて前記アドレス発生手段に次の1フレームのデータ
の出力を指示する計測手段とを具備することを特徴とす
る波形生成装置を提供することにより達成される。 〔実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。 第1図(a),(b),(c)は、本発明の一実施例
であるLCS駆動信号生成回路の回路構成を示すブロック
図である。同図(a)において、メモリ1、メモリ2は
4ビット×32ワード構成のスタティックRAMであり、メ
モリ1にはマクロコードMAC(x)及びそのマクロコー
ドMAC(x)の展開ステップ数ST(x)H、ST(x)L
が、メモリ2にはLCS駆動波形生成用のデータDSTATUSが
格納されている。 ここで、メモリ1に格納されるマクロコードMAC
(x)、展開ステップ数ST(x)H、ST(x)Lの構成
を第4図(a)に示す。同図(a)に示すように、メモ
リ1にはブロックアドレス(BLADR)順にST(0)L、S
T(0)H、MAC(0)、MAC(1)、ST(2)L、・・
・、ST(14)L、ST(14)H、MAC(14)、MAC(15)が
格納されており、同図(b)に示すアドレス(BLADR)
=2x〜2x+3に格納されるST(x)L、ST(x)H、MA
C(x)、MAC(x+1)で1フレームを構成している
(但し、xは0、2、・・・・12、14の偶数)。ここ
で、ST(x)L、ST(x)Hはそれぞれ展開ステップ数
の下位4ビット、上位4ビットであり、展開ステップ数
は8ビットデータである。尚、以後展開ステップ数〔ST
(x)L、ST(x)HをST(x)と表わす。従って、0
≦ST(x)≦255となり、展開ステップ数ST(x)は論
理上0ステップから255ステップまでを指定することが
できる。第4図(c)に、展開ステップ数ST(x)L、
ST(x)H、MAC(x)、MAC(x+1)の具体的なデー
タ例を示す。 メモリ1の接続構成について説明すると、まず、アド
レス信号入力端子A0〜A4には、それぞれアップカウンタ
3のQA〜QE出力(BLADR)が入力する。なお、QAが最下
位ビット、QEが最上位ビットである。また、データ入力
端子WD0〜WD3は入力データバスiDB0−3と接続されてお
り、入力データバスiDB0−3を介しメモリ1へマクロコ
ードMAC(x)、MAC(x+1)及びマクロコードMAC
(x)、MAC(x+1)の展開ステップ数ST(x)L、S
T(x)Hの書き込みが行われる。また、メモリ1から
読み出されたマクロコードMAC(x)、MAC(x+1)及
びその展開ステップ数ST(x)L、ST(x)Hはデータ
出力端子RD0〜RD3からそれぞれラッチ4−1、4−2、
4−3、4−4へ出力されると共に、データセレクタ5
へ出力される。さらに、データセレクタ部6から出力さ
れる書込信号▲▼によりマクロコードMAC
(x)、MAC(x+1)及びその展開ステップ数ST
(x)L、ST(x)Hの読み出し/書き込みが行われ
る。 次にアップカウンタ3は、0〜31をカウントするアッ
プカウンタであり、データセレクタ部6から端子CK、R
にそれぞれパルス信号BLCLK、リセット信号RBLADRが入
力されており、パルス信号BLCLKの立ち上がりによりカ
ウントを行い、リセット信号RBLADR(Hレベル)により
初期値(0)にリセットされる。また、アップカウンタ
3は、カウント値BLADRをブロックアドレス信号として
メモリ1へ出力しておりカウント値BLADRが“3"、“31"
のときに信号BLAD(3)、BLAD(31)をHレベルにして
それぞれ同図(b)に示すナンドゲート7、アンドゲー
ト8に加える。さらに、アップカウンタ3のカウント値
BLADRの下位2ビットの信号がそれぞれ端子QA、QBから
デコーダ9に出力される。 デコーダ9は端子Gの値が“1"(Hレベル)の時に端
子A,Bに出力する値に応じてQ0〜Q3のいずれかの端子を
Lレベルにするデコーダである。デコーダ9の端子A,B
には前述したようにアップカウンタ3のカウント値BLAD
Rの下位2ビットが入力しているので、デコーダ9はBLA
DRが“2x+0"の時に端子Q0の出力を、“2x+1"の時に端
子Q1の出力を、“2x+2"の時に端子Q2の出力を、“2x+
3"の時に端子Q3の出力をそれぞれLレベルとする(但
し、xは0〜14の偶数)。端子Q2の出力(MACLL)、端
子Q3の出力(MACHL)、端子Q0の出力(STLL)、端子Q1
の出力(STHL)は、それぞれラッチ4−1、4−2、4
−3、4−4の端子CKに加わる。ラッチ4−1、4−
2、4−3、4−4はいずれも端子CKの立ち上がり(L
レベル→Hレベル)で4ビットの入力データDをラッチ
する。ラッチ4−3、4−4の出力は、データセレクタ
部6の出力するセレクト信号ISELがLレベルになるかま
たはダウンカウンタ10のカウント値が“0"になった時に
クロック信号▲▼の立ち上がりでダウンカウンタ10
にセットされる。ダウンカウンタ10は8ビット入力(端
子a〜h)のダウンカウンタであり、最大28=128回の
カウントを行う。そして、カウント値が“4"になった時
に端子ST(4)の出力をHレベルにし同図(b)に示す
アンドゲート8に加え、カウント値が“1"になった時に
端子ST(01)の出力をHレベルにしてアンドゲート11に
加える。さらに、カウント値が“0"の時にキャリー信号
STCYをHレベルとし、ナンドゲート7、フリップフロッ
プ12の端子Kに加える。また、データセレクタ13は後述
するISELがHレベルの時にフリップフロップ14の出力す
るセレクト信号SELMACによりラッチ4−1の出力及びク
ロック信号φ、またはラッチ4−2の出力及びクロッ
ク信号φのいずれかを選択しデータアドレス信号DADR
としてメモリ2に出力する。データセレクタ13の回路構
成を第2図(a)に示す。同図(a)に示す回路図にお
いて、入力端子A0〜A3にラッチ4−1の出力するマクロ
コードMAC(x)が入力端子B0〜B3に、ラッチ4−2の
出力するマクロコードMAC(x+1)が、入力端子C0〜C
4にアップカウンタ3の出力するブロックアドレス信号B
LADRが、入力端子Dに入力するクロック信号φが、外
部端子Gにデータセレクタ部6の出力する内部セレクト
信号ISELが、セレクト端子Sにフリップフロップ14の出
力するマクロデータセレクト信号SELMACが入力してい
る。データセレクタ13の動作を第2図(b)により説明
すると、端子S(SELMAC)=“0"(Lレベル)かつ端子
G(ISEL)=“1"(Hレベル)の時、出力端子Y0〜Y4
ら{A0〜A3入力(ラッチ4−1の出力するマクロコード
MAC(x))、D入力(クロック信号φ)}が、端子
S(SELMAC)=“1"(Hレベル)かつ端子G(ISEL)=
“1"(Hレベル)の時、出力端子Y0〜Y4から{B0〜B3
力(ラッチ4−2の出力するマクロコードMAC(x+
1))、D入力(クロック信号φ)}が、端子G(IS
EL)=“0"の時、出力端子Y0〜Y4から{C0〜C4入力(ア
ップカウンタ3の出力するブロックアドレス信号BLAD
R)}がアドレス信号DADRとしてメモリ2のアドレス信
号入力端子A0〜A4へ出力される。 次に、メモリ2はデータセレクタ部6から入力する書
込信号▲▼により、データセレクタ13から入力
するアドレス信号DADRの指定するアドレスに格納された
データDDATAの読み出し/書込みを行う。メモリ2のデ
ータ入力端子WD0〜WD3は入力データバスiDB0−3と接続
されており、▲▼がLレベルの時に入力データ
バスiDB0−3を介してマクロデータDDATAの書き込みが
行われる。また、メモリ2から読み出された4ビットの
マクロデータDDATAは下位2ビットがデータ出力端子RD0
〜RD1から同図(b)に示すデータセレクタ15へ、上位
2ビットがデータ出力端子RD2〜RD3からデータセレクタ
16へ出力される。データセレクタ15,16の回路構成を第
3図に示す。同図に示すように、データセレクタ15,16
は端子GがLレベルの時は、Y0,Y1出力がHレベルに固
定される。また端子GがHレベルでかつセレクタ端子S
がLレベルである時A0,A1入力が、HレベルであればB0,
B1入力が選択され、それぞれY0,Y1出力となる。本実施
例においては、データセレクタ15のセレクト端子Sに外
部からの制御信号PTSELが、データセレクタ16のセレク
ト端子Sにフリップフロップ17のQ出力(DSELQ)が入
力している。また、メモリ2の端子RD0とデータセレク
タ15の端子A0,B1が、メモリ2の端子RD1とデータセレク
タ15の端子A1,B0が、メモリ2の端子RD2とデータセレク
タ16の端子A0,B1が、メモリ2の端子RD3とデータセレク
タ16の端子A1,B0がそれぞれ接続されており、データセ
レクタ15のY0,Y1出力がそれぞれラッチ18の端子D1,D2
データセレクタ16のY0,Y1出力がそれぞれラッチ18の端
子D3,D4に入力している。従って、データセレクタ15はP
TSELの制御によりメモリ2のRD0,RD1出力とラッチ18の
入力端子D1,D2との接続の切り換えを行う。また、後述
するようにDSELQが周期TWの前半でLレベル、周期TW
後半でHレベルとなるので周期TWの前半にはメモリ2の
RD2,RD3出力がラッチ18のD3,D4入力となり、周期TWの後
半には、RD3,RD2出力ラッチ18のD3,D4入力となる。 ラッチ18には、前述したデータセレクタ15,16のY0,Y1
出力の他に、フリップフロップ17の出力(DSELQ)、フ
リップフロップ12の出力(▲▼)、ナンドゲ
ート19の出力(▲▼)が、それぞれ端子D5
D7に入力している。ラッチ18は、端子CKに外部から入力
するクロック信号φの立ち上がりに同期して端子D1
D7からデータを入力する。 ラッチ18のQ1〜Q7出力はバッファ部20を介しLCS駆動
信号PT1,PT2,COM1,COM2、及びタイミング信号DSEL,▲
▼,▲▼とし後述する記録制御部200に
出力され、Q7出力の反転である▲▼出力はタイミン
グ信号LTWSXとして後述するビデオインターフェイス部4
0に出力される。 更に、ダウンカウンタ10の出力するキャリー信号STCY
は同図(b)に示すインバータ21、ナンドゲート7、フ
リップフロップ12の端子kに入力している。インバータ
21の出力は、エネーブル付きトグルフリップフロップで
あるリップフロップ14の端子Eに入力しており、フリッ
プフロップ14は、キャリー信号STCYがHレベルすなわち
インバータ21の出力がLレベルの時に、エネーブルとな
り、端子CKに入力する外部クロック信号▲▼の立ち
上がり毎にフリップフロップ14のQ出力(SELMAC)は反
転する。SELMAC、STCY、BLAD(3)の入力するナンドゲ
ート7の出力は、エネーブル付トグルフリップフロップ
であるフリップフロップ17の端子Eに入力しており、フ
リップフロップ17のQ出力(DSELQ)は、SELMAC、STC
Y、BLAD(3)が全てHレベルである時に端子CKに入力
する外部クロック信号▲▼の立ち上がりにより反転
する。 また、フリップフロップ14、17のリセット端子Rには
データセレクタ部6の出力するセレクト信号▲
▼が入力しており、▲▼がHレベルとなること
により(外部制御状態)、SELMAC、DSELQはLレベルと
なる。 また、ダウンカウンタ10の出力するST01、フリップフ
ロップ14のQ出力(SELMAC)及び外部クロック信号φ
はアンドゲート11に入力しており、ST01及びSELMACがH
レベルの間、クロック信号φがアンドゲート11を通過
してパルス信号iBLCLKとなりデータセレクタ部6に入力
する。また、フリップフロップ14のQ出力(SELMAC)、
フリップフロップ17のQ出力(DSELQ)、アップカウン
タ3の出力するBLAD(31)、ダウンカウンタ10の出力す
るST4はアンドゲート8に入力しており、アンドゲート
8の出力(TSXQ)は周期TWの後半(TW/2)においてSELM
AC及びDSELQがHレベルでかつBLAD(31)がHレベルで
ある時にST4がHレベルになるとHレベルとなってフリ
ップフロップ12の端子Jに加わる。フリップフロップ12
は、J−K型のフリップフロップであり、端子Kにはダ
ウンカウンタ10の出力するキャリー信号STCYが入力して
いる。フリップフロップ12のQ出力(▲▼)
はラッチ18の端子D6に入力しており出力はナンドゲー
ト19に入力する。ナンドゲート19にはデータセレクタ部
6の出力するISELが入力しており、ISELがHレベルの時
に(内部制御状態)フリップフロップ12のQ出力がナン
ドゲート19を通過して、▲▼となってラッチ
18の端子D7に入力する。 データセレクタ部6は、外部から入力するセレクト信
号iSELを反転して▲▼をフリップフロップ14,1
7のリセット端子Rに出力するインバータ6a、インバー
タ6aの出力する▲▼を反転してISELをダウンカ
ウンタ10、ナンドゲート19に出力するインバータ6b、ア
ンドゲート11の出力するパルス信号iBLCLKかつインバー
タ6bの出力するISELがHレベル時に、外部クロック信号
φを通過させナンドゲート21に出力するナンドゲート
6c、インバータ6aの出力する▲▼かつ外部セレ
クト信号MEMSELがHレベルの時に、外部から入力する書
込信号XMWRを通過させ▲▼としてナンドゲート
21及びメモリ1の端子WEに出力するナンドゲート6d、イ
ンバータ6aの出力する▲▼がHレベルのときに
外部から入力するリセット信号XRBLADを通過させアップ
カウンタ3のリセット端子Rにリセット信号RBLADRとし
て出力するアンドゲート6e、インバータ6bの出力する▲
▼がHレベルの時にアンドゲート11の出力する
パルス信号iBLCLKを通過させるアンドゲート6f、インバ
ータ6aの出力するISELがHレベルの時に外部から入力す
るパルス信号XBLCLKを通過させるアンドゲート6g、アン
ドゲート6fの出力するiBLCLK、アンドゲート6gの出力す
るXBLCLKを入力してどちらか一方をアップカウンタ3の
クロック端子CKに出力するオアゲート6h、及び外部セレ
クト信号MEMSELを入力し反転するインバータ6i、更にイ
ンバータ6iの出力かつ▲▼(インバータ6aの出
力)がHの時に、書込制御信号XMWRを反転して通過させ
書込制御信号▲▼としてメモリ2の端子WEに加
えるナンドゲート6jとから成っている。 更に、データセレクタ5は外部セレクト信号MEMSELに
よりメモリ1の出力データ端子RD0〜RD3から読み出され
たデータまたはメモリ2の出力データ端子RD0〜RD3から
読み出されたデータを選択して出力データバスODB0−3
上に出力するセレクタである。 次に、ビデオインターフェイス部40の構成を第1図
(c)を参照しながら説明する。ビデオインターフェイ
ス部40は、外部からビデオデータHLTXDを同じく外部か
ら入力するクロック▲▼に同期してラッチ
し、バッファリングを行って記録制御部200(後述)に
出力すると共に、クロック▲▼を分周して
2つのクロック信号▲▼、▲▼を生成
し記録制御部200に出力するインターフェイス回路であ
る。さらに詳しくその回路構成を説明するとビデオデー
タHLTXDはインバータ40aにより反転させられた後、フリ
ップフロップ40bのD入力となる。また、外部から入力
するクロック信号▲▼はインバータ40cに
より反転した後、フリップフロップ40bのクロック端子C
Kに入力し、前記ビデオデータHLTXDの反転信号▲
▼は、前記クロック信号▲▼の立ち下
がりによりラッチ40bにラッチされる。フリップフロッ
プ40bのQ出力はインバータ40dに反転させられた後、バ
ッファ40eによりビデオデータLXTDとして記録制御部200
に出力される。 一方、インバータ40cの出力するクロック信号▲
▼の反転信号HLTXCKはフリップフロップ40fの
端子T及びインバータ40gにも入力する。フリップフロ
ップ40fとフリップフロップ40hはカスケード接続されて
おり、HLTXCKはフリップフロップ40f、40hにより1/4に
分周され、フリップフロップ40hのQ出力はナンドゲー
ト40i、フリップフロップ40kの端子Sに入力する。ま
た、フリップフロップ40hの出力はナンドゲート40jに
入力し、フリップフロップ40kのQ出力はナンドゲート4
0i、40jに入力している。さらにナンドゲート40i、40j
にはインバータ40gを介して▲▼が入力し
ており、前記ラッチ18の▲▼出力(LTWSX)がイン
バータ40rを介しフリップフロップ40f、40h、40kのリセ
ット端子Rに入力している。ナンドゲート40i、40jの出
力はそれぞれバッファ40l、40mを介しクロック信号▲
▼、▲▼として記録制御部200に入力す
る。 クロック信号▲▼、▲▼は、HLTXCK
に同期して交互に2クロックパルスが発生するクロック
信号である。 次に、以上のように構成されたLCS駆動信号生成回路
の動作説明を行う。 起動時においては、iSEL及びDRVENがLレベルにリセ
ットされる。まず、データセレクタ15、16の端子GにL
レベルのDRVENが加わることにより、データセレクタ15,
16のY0,Y1出力は全て、Hレベルに固定される。このこ
とにより、LCSの信号電極(不図示)に加わるLCS駆動信
号PT1,PT2,LCSの共通電極(不図示)に加わるLCS駆動信
号COM1,COM2は同電位となり、LCSに不測の電圧、特に直
流電圧が印加されることが防止される。また、iSELがL
レベルにリセットされることにより、外部制御モードが
選択され、外部から入力するパルス信号XBLCLK、ブロッ
クアドレス信号XBLAD、書込制御信号XMWR、及びセレク
ト信号MENSELが有効となる。また、データセレクタ部6
を介し▲▼がHレベルとなることによりフリッ
プフロップ14,17のQ出力(SELMAC,DSELQ)がLレベル
となり、外部クロック信号φがアンドゲート11を通過
できず内部パルス信号iBLCLKの発生が中止する。更に、
ISELがLレベルとなってデータセレクタ13の端子Gに加
わるので、データセレクタ13はC0〜C4入力(アップカウ
ンタ3から出力されるブロックアドレス信号BLADR)を
選択し、メモリ2のアドレス信号入力端子A0〜A4に出力
する。また、SELMAC、DSELQがLレベルとなってアンド
ゲート8に加わるので、アンドゲート8の出力TSXQがL
レベルに固定されフリップフロップ12の端子Jに加わ
る。このため、フリップフロップ12のQ出力(▲
▼)がLレベルに固定されるようになり、ラッチ1
8、バッファ部20を介し出力されるパルス信号▲
▼の発生は中止される。このため、後述説明するよう
に、記録制御部200は、ビデオインターフェイス部40か
ら入力するビデオ信号の入力を中止する。iSELをLレベ
ルとして、リセット信号XRBLAD(Hレベル)を入力する
ことによりデータセレクタ部6を介し、アップカウンタ
3のリセット端子RにRBLADR(Hレベル)が加えられ、
アップカウンタ3が“00000 B"(Bは2進値を示す記
号)にリセットされる。そして、外部からパルス信号XB
LCLKをデータセレクタ部6に入力することにより、デー
タセレクタ部6からパルス信号BLCLKがアップカウンタ
3のクロック端子CKに加えられ、アップカウンタ3がカ
ウントされる。アップカウンタ3のカウント値はブロッ
クアドレス信号BLADRとしてメモリ1のアドレス信号入
力端子A0〜A4及びデータセレクタ13の端子C0〜C4に入力
する。そして、データセレクタ13を介し、メモリ2のア
ドレス信号入力端子A0〜A4にブロックアドレス信号BLAD
Rが供給される。 初期設定時において、メモリ1、メモリ2のいずれか
に最初にデータを書き込むかは限定されないが、メモリ
2に最初にデータを書き込む方が望ましい。従って、外
部からセレクト信号MEMSELをLレベルとし、外部書込制
御信号XMWRのパルス入力により、データセレクタ部6か
ら書込信号▲▼がメモリ2の端子WEに加わるよ
うにする。 以下、簡単にメモリ2へのマクロデータDDATAの書込
の方法を説明する(iSEL=DRVEN=MEMSEL=Lレベル) 入力データバスiDB0−3を介し、メモリ2のデータ
入力端子WD0〜WD3にマクロデータDDATAを出力する。 外部書込制御信号XMWRのパルス入力によりデータセ
レクタ部6を介し、書込信号▲▼(Lレベル)
をメモリ2の端子WEに加える。このことにより、マクロ
データDDATAがブロックアドレス信号BLADRの指定するア
ドレスに書き込まれる。 外部からパルス信号XBLCLKを加えデータセレクタ部
6を介しパルス信号BLCLKをアップカウンタ3のクロッ
ク端子CKに加える。そのことによりアップカウンタ3を
カウントし、ブロックアドレス信号BLADRを進める。 以上、〜の動作により、1ブロックのマクロデー
タDDATAがメモリ2に書き込まれる。 そして、〜の動作を繰り返し行って、全ブロック
のマクロデータDDATAをメモリ2に書き込む。 尚、書き込み終了後データセレクタ5、出力データバ
スODB0−3を介して、書き込みを行なったマクロデータ
DDATAをメモリ2から読み出して、マクロデータDDATAの
内容を確認する(ベリファイ)。 ベリファイの結果、全ブロックのマクロデータDDATA
が正しいことが確認されたら、メモリセレクト信号MEMS
ELをHレベルに切り換えメモリ1に展開ステップ数ST
(x)L、ST(x)H、マクロコードMAC(x)、MAC
(x+1)を上記〜とほぼ同様の動作によりメモリ
1に書き込む。メモリ1へのデータ書込動作において
は、上記の動作において、入力データバスiDB0−3に
展開ステップ数ST(x)L、ST(x)H、マクロコード
MAC(x)、MAC(x+1)を順次出力する。そして、メ
モリ2への書き込みと同様メモリへ1書き込んだデータ
を、データセレクタ5、出力データバスODB0−3を介し
読み出し、書き込んだ展開ステップ数ST(x)L、ST
(x)H、マクロコードMAC(x)、MAC(x+1)が全
て正しいかどうか確認し、正しいことが確認されたら、
iSELをHレベルとし、内部制御に切り換える。尚、DRVE
Nは、iSELをHレベルとした後、少なくとも1周期(T
w)後にHレベルとする。 そのことにより、LCS駆動信号PT1,PT2,COM1,COM2及び
タイミング信号DSEL,▲▼,HTWSXは正常に動作す
る。 次に本実施例の1周期(TW)の動作を第5図及び第6
図のタイミングチャートを参照しながら説明する。 メモリ1には、前述したように第4図(a)に示すよ
うな32ブロックのDSTATUSすなわち8フレーム分のDSTAT
USが格納されている。この8フレーム分のDSTATUSを周
期の前半(TW/2)と後半(TW/2)で用いるので、1周期
(TW)は16フレームとなる。第5図は、周期TWの後半の
最終フレーム(第16フレーム)の後半からのタイミング
チャートであり、第6図は一周期(TW)のタイミングチ
ャートである。 第16フレームの後半において、ダウンカウンタ10のカ
ウント値STCNTが“1"になると、ダウンカウンタ10からS
T01がHレベルとなってアンドゲート11に加わる。ST01
は、カウント値STCNTが“1"及び“0"の間、Hレベルが
維持される。この時、フリップフロップ14のQ出力(SE
LMAC)はHレベルであり、クロック信号φがアンドゲ
ート11を通過して、パルス信号iBLCLKとなってデータセ
レクタ部6に入力する。 iBLCLKがデータセレクタ部6に入力すると、第5図に
示すようにデータセレクタ部6からアップカウンタ3の
端子CKに入力するBLCLKに4個のクロックパルスが発生
し、アップカウンタ3からBLCLKの立ち上がり毎にBLADR
=0,1,2,3がメモリ3へ出力される。また、この時ISEL
はHレベルなのでデータセレクタ部6のナンドゲート6c
から、iBLCLKがHレベルの間クロック信号φがナンド
ゲート6c,21を介しデコーダ9の端子Gに入力し、デコ
ーダ9はクロック信号φがHレベルの期間アクティブ
となる。 アップカウンタ3からBLADR(=0)がメモリ1に出
力されると、メモリ1はST(0)Lを出力する。この
時、クロック信号φに同期してデコーダ9からパルス
信号STLLがラッチ4−3に出力される。ラッチ4−3
は、STLLの立ち上がりによりメモリ1の出力するST
(0)Lを入力し、ST(0)Lをダウンカウンタ10の端
子a〜dに出力する。次に、アップカウンタ10からBLAD
R(=1)がメモリ1に出力されると、同様してメモリ
1から出力されたST(0)Hは、デコーダ部9の出力す
るパルス信号STHLの立ち上がりによりラッチ4−4にラ
ッチされ、ラッチ4−4からST(0)Hがダウンカウン
タ10の端子e〜hに出力される。 以下、同様にBLCLKの立ち上がりによりアップカウン
タ3からメモリ1にBLADR(=3)、BLADR(=4)が出
力されデコーダ9の出力するパルス信号MACLL,MACHLに
よりメモリ1の出力するMAC(0),MAC(1)がそれぞ
れラッチ4−1、4−2にラッチされる。ラッチ4−
1、4−2は、それぞれMAC(0),MAC(1)をデータ
セレクタ13の端子A0〜A3、B0〜B3に出力する。 第5図のタイミングチャートにおいてLSTDはラッチ4
−3及び4−4がダウンカウンタ10に出力する展開ステ
ップ数を、LMACはラッチ4−1及び4−2に出力するマ
クロコードを示している。同図において、ST(0)は、
〔ST(0)L,ST(0)H〕の8ビットデータを示してい
る。ダウンカウンタ10のカウント値ST(CNTが“0"にな
ると、キャリー信号STCYがHレベルとなりダウンカウン
タ10は、LSTD{この場合、ST(0)}を入力する。 また、Hレベルのキャリー信号STCYは、ダウンカウン
タ10からインバータ21、ナンドゲート7、フリップフロ
ップ12の端子Kに加えられる。このため、インバータ21
の出力(Lレベル)がフリップフロップ14の端子Eに加
わり、フリップフロップ14はエネーブルとなり、クロッ
ク信号▲▼の立ち上がり(クロック信号φの立ち
下がり)によりフリップフロップ14のQ出力(SELMAC)
はHレベルからLレベルに反転する。SELMACがLレベル
になると、データセレクタ13によりラッチ4−1の出力
(MAC(0))が選択されデータセレクタ13の端子A0〜A
3にクロック信号φと共に入力する。また、ナンドゲ
ート7の出力(Lレベル)がフリップフロップ17の端子
Eに加わり、フリップフロップ17のQ出力(DSELQ)は
クロック信号▲▼の立ち上がりによりHレベルから
Lレベルに反転する。このため、データセレクタ16によ
りメモリ2のデータ出力端子RD2,RD3とラッチ18の端子D
3,D4が接続される。更に、メモリ2のデータ出力端子RD
0,RD1とラッチ18の端子D1,D2との接続関係は外部セレク
ト信号PTSELに基づいたデータセレクタ15の選択により
決定されるが、以後、PTSELがLレベルであるものとし
て説明する。PTSELがLレベルの時、メモリ2のデータ
出力端子RD0,RD1はデータセレクタ15によりそれぞれラ
ッチ18の端子D1,D2に接続される。 次に、ダウンカウンタ10はクロック信号▲▼の立
ち上がりで(この時、STCYはHレベル)、ST(0)をカ
ウント値STCNTとしてセットし、以後クロック信号▲
▼の立ち上がりに同期してカウントダウンを行う。ダ
ウンカウンタ10が、ST(0)から0までカウントダウン
する間{Tφ×(ST(0)+1)}、データセレクタ
13を介しマクロコードMAC(0)及びクロック信号φ
の5ビットから成るアドレス信号DADRで指定されるマク
ロデータDDATAがメモリ2から読み出されデータセレク
タ15,16を介しラッチ18の端子D1〜D4に入力する。クロ
ック信号φはメモリ2のアドレス信号入力端子A0〜A4
の最上位ビットA4の入力となるので、メモリ2のアドレ
ス信号DADRはクロック信号φが“0"(Lレベル),
“1"(Hレベル)と変化する毎にDADR0,DADR0+16と変
化する(尚、DADR0は、クロック信号φが“0"の時の
アドレス信号DADRであり、第9図にはDADRi,DADRi+16
で指定される2個のマクロデータをDDATAi(i=0,1,2,
・・・)として示している。従って、高周波信号fHの周
期TfHは、Tφと等しい。 ラッチ18の端子D1〜D4に入力するマクロデータDDATA
は、ラッチ18の出力端子Q1〜Q4からそれぞれLCS駆動信
号PT1、PT2、COM1、COM2となって記録制御部200に出力
される。 ここで、メモリ1のブロックアドレスBLADR=0〜31
に第4図(c)に示す展開ステップ数ST(x)L、ST
(x)H、マクロコードMAC(x)、MAC(x+1)が格
納され、メモリ2のアドレスDADR=0〜31に示す第4図
(d)に示すマクロデータDDATAが格納されていた場
合、第9図に示すようなLCS駆動信号COM1,COM2,PT1,PT2
がラッチ18のデータ出力端子Q1〜Q4から記録制御部200
へ出力される。 第4図(d)に示すアドレスDADR0〜31に格納された
マクロデータDDATAにより生成される信号波形PT1,PT2,C
OM1,COM2を第7図(a)に示す。 第7図(a)において、DADR0及びDADR1はメモリ2の
アドレスDADRを示しており、同列に記されたDADR0及びD
ADR1の指定するアドレスに格納された2つのマクロデー
タDDATAを展開することにより同図(a)に示す信号波
形PT1,PT2,COM1,COM2が得られる。また、縦軸は電圧値
を示しており、fH,*fHは高周波信号(*fHはfHの位相
差180゜の信号)である。Y1,Y2出力は、OFF−OFF駆動セ
グメント電極信号PT1,ON−ON駆動セグメント電極信号PT
2に対応しており、Y3,Y4出力は共通電極信号のCOM1,COM
2に対応している。LCSの後述する信号電極にY1(PT
1)、Y2(PT2)を、後述する共通電極にY3(COM1)、Y4
(COM2)を入力した場合のLCSのマイクロシャッタに加
わる電圧は波形を第7図(b)に示す。同図において、
 [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a waveform generation device for generating a plurality of periodic signals.
About the installation. [Prior art and its problems] Conventionally, for example, a liquid crystal printer
(Hereinafter referred to as LCS).
Optical data writing of image data by opening and closing the shutter
An image is being formed. In order to perform optical writing at high speed, low frequency fLAnd high
Frequency fHControl the liquid crystal optical shutter by the two-frequency drive of
I have. Furthermore, drive elements, the number of wires, and the mounting area are reduced.
Time-division driving is performed to reduce the size. FIG. 17 shows such a liquid crystal optical shutter by time division.
Generates drive signal and timing signal for two-frequency drive
LCS drive signal generation circuit in the liquid crystal printer
FIG. FIG. 18 (a) shows the LCS
FIG. 9 is a timing chart showing the operation of the drive signal generation circuit,
FIG. 18 (b) shows data DS stored in ROM2 (described later).
It is a figure which shows the content of TATUS. Fig. 17 and 1
8 Conventional LCS drive signal generation with reference to FIGS.
The configuration and operation of the circuit will be described. First, in FIG. 17, the counter 401 is n-ary (n ≦
Twom) Is a counter, input through the inverter 404
0 in synchronization with the inverted clock signal of the clock signal φ
Count n-1 and output terminal Q0(LSB) to Qm-1(MS
B) from block address signal BLADR to ROM (Read Only M
emory) 402 address input terminal A0~ Am-1Output to B
The lock address signal BLADR is as shown in FIG.
Have values of 0 to n-1 and clock signals in the order of 0 to n-1.
Cycle T at the rising edge of the signalWIn ROM4
Entered in 02. In the ROM 402, as shown in FIG.
Data DSTATUS is stored at addresses 0 to n-1
I have. ROM402 terminal ▲ ▼ (Chip Enable) and terminal ▲
▼ (Output Enable) are both grounded,
Is active (L level).
Input terminal A0~ Am-1Block address signal BLADR is input to
Every time, the data output terminal D of the ROM 4020~ D7Block from
The data DSTATUS corresponding to the address BLADR is
Data input terminal D0~ D7Is output to Also, input terminal Am, Am + 1Is provided
Input terminal Am, Am + 1Input the page selection signal to
, Four types of pages can be selected. Follow
Change the contents of the data DSTATUS for each page
By setting, four types (LCS drive signals COM1, COM2, P
T1, PT2, timing signals DSEL, ▲ ▼, TWSX)
Sets can be generated. The clock signal φ is input to the terminal CK of the latch 403.
Data input in synchronization with the rise of the clock signal φ.
Force terminal D0~ D7Output terminal D of ROM4020~ D7Output from
Data DSTATUS is input and the next clock signal φ rises
It is held until the glue. Data DSTAT input to latch 403
US is output terminal Q0~ Q6From the LCS drive signal PT1,
PT2, COM1, COM2 and timing signal DSEL, ▲
▼, output as TWSX. Also, the output of latch 403
Terminal Q7From the reset signal of the n-ary counter 1
The data DST (n-1) shown in FIG.
When input, it is output to the reset terminal R of the n-ary counter 1.
It is. Therefore, the n-ary counter 1 is 0 to n-1 (the ROM 402
Address), and then latch 40 from ROM402.
Value of bit 7 of data DST (n-1) output to 3 is "1"
(See FIG. 18 (b)). latch
LCS drive signals COM1, COM2, PT1, PT2 output from 403 are
It is output to a recording control unit (not shown) and
Used to control two-frequency drive by LCS time division
You. Thus, in the conventional LCS drive signal generation circuit,
Is LCS by data DSTATUS fixedly stored in ROM2.
Drive signals COM1, COM2, PT1, PT2 and timing signal DS
LCS drive waveforms such as EL, ▲ ▼, and TWSX are generated.
You. However, due to advances in liquid crystal technology and changes in specifications,
Improvements and changes in the liquid crystal material used in the liquid crystal optical shutter
Operating characteristics of the liquid crystal optical shutter may change. This
At this time, the data is stored in ROM2 like the conventional LCS drive signal generation circuit.
Only fixed LCS drive waveforms based on stored data DSTATUS
Change or improve liquid crystal material for waveform generators that cannot generate
Can quickly respond to changes in LCS drive waveform specifications
It is difficult to generate the optimal LCS drive waveform
There was a problem. [Object of the invention] In view of the above-mentioned conventional problems, the present invention
To obtain various drive waveforms.
External control of optimal drive waveforms according to specifications
Provides a waveform generator that can be generated more easily
The purpose is to do. [Summary of the Invention] The above object is achieved according to the present invention by address generation means,
Code data specifying the shape, and
Step data for specifying the number of steps
Data of a plurality of frames as a
The data of the one frame is determined according to the address generated by the generating means.
First storage means for outputting data, the code data,
An ad created from the fundamental frequency signal of the waveform to be generated
Address or the address generated by the address generation means.
Selecting means for selecting and outputting one of them, and output of the selecting means
Is input and outputs waveform data.
Storage means, and the switch output from the first storage means.
Measure the period of one frame based on the step data and obtain the measured value
The next one frame of data to the address generating means
Measuring means for instructing the output of
This is achieved by providing a waveform generating device. Examples Examples of the present invention will be described below with reference to the drawings.
I will tell. FIGS. 1A, 1B and 1C show an embodiment of the present invention.
Block showing the circuit configuration of the LCS drive signal generation circuit
FIG. In FIG. 2A, memory 1 and memory 2 are
This is a static RAM with a 4-bit x 32-word configuration.
Mori 1 has a macro code MAC (x) and its macro code
ST (x) H, ST (x) L
However, data DSTATUS for generating LCS drive waveform is stored in memory 2.
Is stored. Here, the macro code MAC stored in the memory 1
(X), configuration of the number of development steps ST (x) H, ST (x) L
Is shown in FIG. 4 (a). As shown in FIG.
ST (0) L, S in the order of block address (BLADR)
T (0) H, MAC (0), MAC (1), ST (2) L, ...
・, ST (14) L, ST (14) H, MAC (14), MAC (15)
The stored address (BLADR) shown in FIG.
= 2x to 2x + 3, ST (x) L, ST (x) H, MA
One frame is composed of C (x) and MAC (x + 1)
(However, x is an even number of 0, 2,..., 12, 14). here
Where ST (x) L and ST (x) H are the number of development steps, respectively.
Lower 4 bits and upper 4 bits of
Is 8-bit data. The number of expansion steps [ST
(X) L and ST (x) H are expressed as ST (x). Therefore, 0
≤ ST (x) ≤ 255, and the number of development steps ST (x) is
In theory, you can specify from 0 to 255 steps
it can. FIG. 4 (c) shows the number of development steps ST (x) L,
Specific data of ST (x) H, MAC (x), MAC (x + 1)
An example is shown below. The connection configuration of the memory 1 will be described first.
Signal input terminal A0~ AFourEach have an up counter
3 QA~ QEOutput (BLADR) is input. Note that QAIs at the bottom
Bit, QEIs the most significant bit. Also enter data
Terminals WD0 to WD3 are connected to input data bus iDB0-3.
To the memory 1 via the input data bus iDB0-3.
Mode MAC (x), MAC (x + 1) and macro code MAC
(X), number of development steps ST (x) L, S of MAC (x + 1)
Writing of T (x) H is performed. Also, from memory 1
The read macro codes MAC (x), MAC (x + 1) and
ST (x) L and ST (x) H are the data
Latches 4-1 and 4-2 from output terminals RD0 to RD3, respectively.
4-3, 4-4 and a data selector 5
Output to Further, the data output from the data selector unit 6 is output.
Macro code MAC
(X), MAC (x + 1) and the number of development steps ST
Read / write of (x) L, ST (x) H is performed
You. Next, the up counter 3 counts from 0 to 31.
CK, R
Pulse signal BLCLK and reset signal RBLADR
And is triggered by the rise of the pulse signal BLCLK.
And reset by the reset signal RBLADR (H level).
It is reset to the initial value (0). Also an up counter
3 uses the count value BLADR as the block address signal
Output to memory 1 and count value BLADR is “3”, “31”
And set the signals BLAD (3) and BLAD (31) to H level
The NAND gate 7 and the AND gate shown in FIG.
To Step 8. Furthermore, the count value of the up counter 3
The lower two bits of the BLADR signal areA, QBFrom
Output to the decoder 9. When the value of the terminal G is “1” (H level), the decoder 9
Depending on the value to be output to the slaves A and B,
This is a decoder for setting to L level. Terminals A and B of decoder 9
Has the count value BLAD of the up counter 3 as described above.
Since the lower 2 bits of R are input, the decoder 9
When DR is “2x + 0”, the output of terminal Q0 is output.
When the output of the child Q1 is “2x + 2”, the output of the terminal Q2 is “2x +
At 3 ", the output of terminal Q3 is set to L level (however,
And x is an even number from 0 to 14). Output of terminal Q2 (MACLL), end
Output of child Q3 (MACHL), output of terminal Q0 (STLL), terminal Q1
Outputs (STHL) are latches 4-1, 4-2, 4
-3, 4-4. Latches 4-1 and 4-
2, 4-3, and 4-4 are the rising edges (L
Latch 4-bit input data D at level → H level
I do. Outputs of the latches 4-3 and 4-4 are data selectors.
Check that the select signal ISEL output from the
Or when the count value of the down counter 10 becomes “0”
Down counter 10 at rising edge of clock signal ▲ ▼
Is set to The down counter 10 has an 8-bit input (terminal
Down counters for children a to h), up to 28= 128 times
Perform a count. And when the count value becomes "4"
The output of the terminal ST (4) is set to the H level as shown in FIG.
When the count value becomes "1" in addition to AND gate 8
Set the output of terminal ST (01) to H level to AND gate 11.
Add. Furthermore, when the count value is “0”, the carry signal
Set STCY to H level, NAND gate 7, flip-flop
To the terminal K of the loop 12. The data selector 13 will be described later.
When ISEL is at H level, the output of flip-flop 14
Output and latch of latch 4-1 by select signal SELMAC
Lock signal φ3Or the output of latch 4-2 and the clock.
Signal φ3Data address signal DADR
Is output to the memory 2. Circuit structure of data selector 13
The result is shown in FIG. In the circuit diagram shown in FIG.
And input terminal A0~ AThreeOutput from latch 4-1
Code MAC (x) is input terminal B0~ BThreeAnd the latch 4-2
The macro code MAC (x + 1) to be output is input terminal C0~ C
FourThe block address signal B output from the up counter 3
LADR generates the clock signal φ input to the input terminal D.3But outside
Internal select output from data selector 6 to external terminal G
The signal ISEL is output from the flip-flop 14 to the select terminal S.
Input macro data select signal SELMAC
You. The operation of the data selector 13 will be described with reference to FIG.
Then, the terminal S (SELMAC) = "0" (L level) and the terminal
When G (ISEL) = "1" (H level), output terminal Y0~ YFourOr
La A0~ AThreeInput (macro code output from latch 4-1)
MAC (x)), D input (clock signal φ3)} Is the terminal
S (SELMAC) = "1" (H level) and terminal G (ISEL) =
When “1” (H level), output terminal Y0~ YFourFrom {B0~ BThreeEntering
Force (macro code MAC (x +
1)), D input (clock signal φ3)} Is connected to terminal G (IS
EL) = "0", output terminal Y0~ YFourFrom {C0~ CFourInput (A
Block address signal BLAD output from the top counter 3
R)} is the address signal of memory 2 as the address signal DADR.
Signal input terminal A0~ AFourOutput to Next, the memory 2 stores the data input from the data selector 6.
Input from data selector 13 by input signal ▲ ▼
To the address specified by the address signal DADR
Reads / writes data DDATA. Memory 2 data
Data input terminal WD0~ WDThreeIs connected to the input data bus iDB0-3
Input data when ▲ ▼ is at L level
Writing of macro data DDATA via bus iDB0-3
Done. The 4-bit data read from the memory 2
The lower two bits of the macro data DDATA are the data output terminals RD0
~ RD1To the data selector 15 shown in FIG.
2 bits are the data output terminal RDTwo~ RDThreeData selector from
Output to 16. The circuit configuration of the data selectors 15 and 16
It is shown in FIG. As shown in FIG.
When terminal G is at L level, Y0, Y1Output fixed at H level
Is determined. Further, the terminal G is at the H level and the selector terminal S
A when L is at L level0, A1B if input is H level0,
B1Inputs selected, each Y0, Y1Output. This implementation
In the example, the external terminal is connected to the select terminal S of the data selector 15.
Control signal PTSEL from the
Input terminal S receives the Q output (DSELQ) of flip-flop 17
I'm working. Also, the terminal RD of the memory 20And data select
Terminal 15 of terminal 150, B1Is the terminal RD of the memory 2.1And data select
Terminal 15 of terminal 151, B0Is the terminal RD of the memory 2.TwoAnd data select
Terminal A of terminal 160, B1Is the terminal RD of the memory 2.ThreeAnd data select
Terminal A of terminal 161, B0Are connected to each other,
Rector 15 Y0, Y1The output is the terminal D of the latch 18, respectively.1, DTwoTo
Y of data selector 160, Y1Each output is at the end of a latch 18.
Child DThree, DFourIs being entered. Therefore, the data selector 15 sets P
RD of memory 2 by TSEL control0, RD1Output and latch 18
Input terminal D1, DTwoSwitch the connection with. Also described below
DSELQ has a period TWL level, period T in the first half ofWof
H level in the latter half, so period TWIn the first half of memory 2
RDTwo, RDThreeOutput is D of latch 18Three, DFourInput, period TWAfter
Half, RDThree, RDTwoD of output latch 18Three, DFourInput. The latch 18 has the Y of the data selectors 15 and 16 described above.0, Y1
In addition to the output, the output of flip-flop 17 (DSELQ)
Output of lip flop 12 (▲ ▼)
The output of port 19 (▲ ▼) is connected to terminal DFive~
D7Is being entered. Latch 18 is externally input to terminal CK
Clock signal φ1Terminal D in synchronization with the rising edge of1~
D7Input data from. Latch 18 Q1~ Q7Output is LCS driven via buffer unit 20
Signals PT1, PT2, COM1, COM2 and timing signal DSEL, ▲
▼ and ▲ ▼ for recording control unit 200 described later
Output, Q7The output is the inverse of the output.
Video interface unit 4 described below as the
Output to 0. Furthermore, carry signal STCY output from down counter 10
Is the inverter 21, the NAND gate 7, and the inverter shown in FIG.
Input to terminal k of lip flop 12. Inverter
21 outputs are toggle flip-flops with enable
Input to terminal E of a certain lip flop 14,
The flip-flop 14 detects that the carry signal STCY is at the H level,
When the output of the inverter 21 is at the L level, it is enabled.
Rising of the external clock signal ▲ ▼ input to the terminal CK.
The Q output (SELMAC) of flip-flop 14 is
Turn over. ND to be input to SELMAC, STCY, BLAD (3)
The output of port 7 is a toggle flip-flop with enable
Is input to the terminal E of the flip-flop 17
Q output (DSELQ) of lip flop 17 is SELMAC, STC
Input to terminal CK when Y and BLAD (3) are all H level
Inverted by the rising edge of the external clock signal ▲ ▼
I do. Also, the reset terminals R of the flip-flops 14 and 17
Select signal ▲ output from data selector unit 6
▼ is input and ▲ ▼ is H level
(External control state), SELMAC and DSELQ become L level
Become. ST01, flip-flop output from the down counter 10
Q output of rop 14 (SELMAC) and external clock signal φ1
Is input to AND gate 11, ST01 and SELMAC are H
During the level, the clock signal φ1Passes through AND Gate 11
Pulse signal iBLCLK and input to the data selector 6
I do. Also, the Q output of the flip-flop 14 (SELMAC),
Q output of flip-flop 17 (DSELQ), up-count
BLAD (31) output from the counter 3 and the output
ST4 is input to AND gate 8 and
The output of 8 (TSXQ) is cycle TWThe second half of (TW/ 2) at SELM
AC and DSELQ are at H level and BLAD (31) is at H level
At some point, when ST4 goes high, it goes high and free.
It is added to the terminal J of the flip-flop 12. Flip-flops12
Is a JK type flip-flop, and
The carry signal STCY output from the counter 10
I have. Q output of flip-flop 12 (▲ ▼)
Is the terminal D of the latch 18.6And the output is
Enter in the address 19. The data selector section is provided on the NAND gate 19.
When ISEL output from 6 is input and ISEL is at H level
(Internal control state) The Q output of flip-flop 12
After passing through gate 19, it becomes ▲ ▼ and latches
18 terminal D7To enter. The data selector section 6 receives a select signal input from the outside.
Invert number iSEL and flip ▲ ▼ to flip-flop 14,1
Inverter 6a that outputs to reset terminal R of 7
Invert the ▲ ▼ output from the
Counter 10, inverter 6b that outputs to NAND gate 19,
Pulse signal iBLCLK output from the
External clock signal when ISEL output from
φ0Gate that passes through and outputs to NAND gate 21
6c, ▲ ▼ output from inverter 6a and external selector
When the signal MEMSEL is at the H level,
Pass through signal XMWR
The NAND gate 6d that outputs to the terminal 21 and the terminal WE of the memory 1
When ▲ ▼ output from inverter 6a is at H level
Passed through external reset signal XRBLAD
A reset signal RBLADR is applied to the reset terminal R of counter 3
AND gate 6e that outputs the signal and ▲ that outputs the inverter 6b
Output from AND gate 11 when ▼ is at H level
AND gate 6f for passing pulse signal iBLCLK,
Input from outside when ISEL output from
6g that passes the pulse signal XBLCLK
IBLCLK output by gate 6f and output gate of AND gate 6g
And input one of them to the up counter 3
OR gate 6h to output to clock terminal CK and external select
Inverter 6i that inputs and inverts the
Output of inverter 6i and ▲ ▼ (output of inverter 6a
Force) is H, the write control signal XMWR is inverted and passed
As a write control signal ▲ ▼, it is applied to the terminal WE of the memory 2.
Nando gate 6j. Further, the data selector 5 receives the external select signal MEMSEL.
Output data terminal RD of memory 10~ RDThreeRead from
Data or output data terminal RD of memory 20~ RDThreeFrom
Select the read data and output data bus ODB0-3
It is a selector to output above. Next, the configuration of the video interface unit 40 is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. Video interface
The video unit 40 receives video data HLTXD from the outside
Latch in synchronization with clock ▲ ▼
Then, buffering is performed and the recording control unit 200 (described later) performs buffering.
Output and divide the clock ▲ ▼
Generates two clock signals ▲ ▼, ▲ ▼
Interface circuit for outputting to the recording control unit 200.
You. The circuit configuration will be described in more detail.
HLTXD is inverted by the inverter 40a and then
D input of flip-flop 40b. Also, input from outside
Clock signal ▲ ▼ to the inverter 40c
After inversion, the clock terminal C of the flip-flop 40b
K, the inverted signal of the video data HLTXD.
▼ indicates the falling of the clock signal ▲ ▼
The beam is latched by the latch 40b. Flip-flop
After the Q output of the loop 40b is inverted by the inverter 40d,
Record control unit 200 as video data LXTD by buffer 40e.
Is output to On the other hand, the clock signal ▲ output from the inverter 40c
▼ inverted signal HLTXCK is the flip-flop 40f
Input also to terminal T and inverter 40g. Flip flow
Flip-flop 40f and flip-flop 40h are cascaded
HLTXCK is 1/4 by flip-flops 40f and 40h
Divided and the Q output of flip-flop 40h is NAND gate
To the terminal S of the flip-flop 40k. Ma
The output of flip-flop 40h is connected to NAND gate 40j.
Input, Q output of flip-flop 40k is NAND gate 4
Input to 0i and 40j. In addition, NAND gates 40i and 40j
Input ▲ ▼ through the inverter 40g
Output of the latch 18 (LTWSX)
Barta 40rThrough flip-flops 40f, 40h, 40k
Input terminal R. Exit of Nandgate 40i, 40j
The force is applied to the clock signal via buffers 40l and 40m, respectively.
Input to the recording control unit 200 as ▼ and ▲ ▼
You. Clock signals ▲ ▼, ▲ ▼ are HLTXCK
Clock that generates two clock pulses alternately in synchronization with
Signal. Next, the LCS drive signal generation circuit configured as described above
The operation of will be described. At startup, iSEL and DRVEN reset to L level.
Is set. First, L is applied to the terminals G of the data selectors 15 and 16.
With the addition of the level DRVEN, the data selector 15,
16 Y0, Y1All outputs are fixed at H level. this child
And the LCS drive signal applied to the LCS signal electrode (not shown)
LCS drive signal applied to common electrodes (not shown) of PT1, PT2, LCS
Signals COM1 and COM2 have the same potential, and an unexpected voltage, especially
The application of the current voltage is prevented. Also, if iSEL is L
External control mode is reset by resetting
Pulse signal XBLCLK, block signal
Address signal XBLAD, write control signal XMWR, and select
Signal MENSEL becomes valid. The data selector 6
▲ ▼ becomes H level via
Q output (SELMAC, DSELQ) of flip-flops 14 and 17 is L level
And the external clock signal φ1Passes through AND Gate 11
No, the generation of the internal pulse signal iBLCLK is stopped. Furthermore,
ISEL becomes L level and is applied to terminal G of data selector 13.
Data selector 13 is C0~ CFourInput (up cow
Block address signal BLADR output from
Select the address signal input terminal A of the memory 20~ AFourOutput to
I do. Also, SELMAC and DSELQ become L level and
Since it is added to the gate 8, the output TSXQ of the AND gate 8 becomes L
Fixed to level and applied to terminal J of flip-flop 12.
You. Therefore, the Q output of the flip-flop 12 (▲
▼) is fixed at L level, and latch 1
8, the pulse signal output via the buffer unit ▲
The occurrence of ▼ is stopped. For this reason, as will be described later.
In addition, the recording control unit 200
Stop inputting the video signal to be input. iSEL L level
The reset signal XRBLAD (H level)
In this way, the up-counter
RBLADR (H level) is added to the reset terminal R of 3
If the up counter 3 is “00000 B” (B is a binary
Number). Then, from outside, the pulse signal XB
By inputting LCLK to the data selector section 6, the data
Pulse signal BLCLK from the data selector section 6 is an up-counter
3 clock terminal CK, and the up counter 3
Undone. The count value of up counter 3 is
Input address signal of memory 1 as address signal BLADR
Force terminal A0~ AFourAnd terminal C of data selector 130~ CFourEnter in
I do. Then, via the data selector 13, the memory 2 is accessed.
Dress signal input terminal A0~ AFourBlock address signal BLAD
R is supplied. At the time of initial setting, either memory 1 or memory 2
Although it is not limited whether data is written first to the memory,
It is preferable to write data to the first data. Therefore, outside
Set the select signal MEMSEL from the
By the pulse input of the control signal XMWR, the data selector 6
Write signal ▲ ▼ is applied to terminal WE of memory 2.
To do. Hereinafter, simply write the macro data DDATA to the memory 2
(ISEL = DRVEN = MEMSEL = L level)
Input terminal WD0~ WDThreeTo output macro data DDATA. The data input is controlled by the pulse input of the external write control signal XMWR.
Write signal ▲ ▼ (L level)
To the terminal WE of the memory 2. This allows the macro
Data DDATA is the address specified by the block address signal BLADR.
Written on the dress. Data selector section by applying pulse signal XBLCLK from outside
6 to the pulse signal BLCLK of the up-counter 3.
To the terminal CK. As a result, the up counter 3
Count and advance the block address signal BLADR. As described above, the macro data of one block is
Data DDATA is written to the memory 2. Then, the operation of ~ is repeated, and all blocks are
Is written into the memory 2. After the writing is completed, the data selector 5 and the output data
Macro data written via data ODB0-3
DDATA is read from the memory 2 and the macro data DDATA
Check the contents (verify). As a result of verification, macro data DDATA of all blocks
Is correct, the memory select signal MEMS
Switch EL to H level and expand to memory 1 ST steps
(X) L, ST (x) H, macro code MAC (x), MAC
(X + 1) is stored in memory
Write to 1. In writing data to memory 1
Is connected to the input data bus iDB0-3 in the above operation.
Number of expansion steps ST (x) L, ST (x) H, macro code
MAC (x) and MAC (x + 1) are sequentially output. And
Data written to memory 1 as well as writing to memory 2
Through the data selector 5 and the output data bus ODB0-3.
Number of read and written expansion steps ST (x) L, ST
(X) H, macro code MAC (x), MAC (x + 1) are all
Is correct, and if it is,
Set iSEL to H level and switch to internal control. In addition, DRVE
N is at least one cycle (T
w) Change to H level later. As a result, the LCS drive signals PT1, PT2, COM1, COM2 and
Timing signals DSEL, ▲ ▼, HTWSX operate normally
You. Next, one cycle (TW5) and 6).
This will be described with reference to the timing chart in FIG. As shown in FIG. 4 (a), as shown in FIG.
32 blocks of DSTATUS, that is, 8 frames of DSTAT
US is stored. The DSTATUS for these 8 frames
The first half of the period (TW/ 2) and the latter half (TW/ 2), so one cycle
(TW) Is 16 frames. FIG. 5 shows the period TWLate
Timing from the latter half of the last frame (16th frame)
Fig. 6 shows one cycle (TW) Timing
It is a chart. In the latter half of the 16th frame, the
When the count value STCNT becomes “1”, the down counter 10
T01 becomes H level and is applied to the AND gate 11. ST01
Means that while the count value STCNT is “1” and “0”, the H level
Will be maintained. At this time, the Q output of the flip-flop 14 (SE
LMAC) is at the H level and the clock signal φ1Butge
After passing through the port 11, it becomes a pulse signal iBLCLK and the data
Input to the lector unit 6. When iBLCLK is input to the data selector section 6, FIG.
As shown in FIG.
Four clock pulses are generated on BLCLK input to terminal CK
Then, every time the BLCLK rises from the up counter 3, BLADR
= 0, 1, 2, 3 are output to the memory 3. Also at this time ISEL
Is the H level, the NAND gate 6c of the data selector 6
From the clock signal φ while iBLCLK is at the H level.0Is Nando
Input to terminal G of decoder 9 via gates 6c and 21
Is a clock signal φ.0Is active during H level
Becomes BLADR (= 0) is output to memory 1 from up counter 3.
When input, the memory 1 outputs ST (0) L. this
When the clock signal φ0Pulse from decoder 9 in synchronization with
The signal STLL is output to the latch 4-3. Latch 4-3
Is the ST output from the memory 1 when the STLL rises.
(0) L is input, and ST (0) L is input to the end of the down counter 10.
Output to children a to d. Next, the BLAD
When R (= 1) is output to the memory 1, the memory
ST (0) H output from 1 is output from the decoder 9
Latch 4-4
And ST (0) H is down-counted from latch 4-4.
The data is output to terminals e to h of the data 10. Hereafter, similarly, the up-counting is performed by the rising edge of BLCLK.
BLADR (= 3) and BLADR (= 4) are output from memory 3 to memory 1.
To the pulse signals MACLL and MACHL output from the decoder 9
MAC (0) and MAC (1) output from memory 1
And latched by the latches 4-1 and 4-2. Latch 4-
1, 4-2 are the data of MAC (0) and MAC (1), respectively.
Selector 13 terminal A0~ AThree, B0~ BThreeOutput to In the timing chart of FIG. 5, LSTD is latch 4
-3 and 4-4 output to the down counter 10.
LMAC outputs the number of maps to latches 4-1 and 4-2.
It shows a black code. In the figure, ST (0) is
It shows 8-bit data of [ST (0) L, ST (0) H].
You. The count value ST of the down counter 10 (CNT becomes “0”
Then, carry signal STCY goes to H level and counts down.
The data 10 receives the LSTD {in this case, ST (0)}. The H level carry signal STCY is
10 to inverter 21, NAND gate 7, flip-flop
To the terminal K of the tap 12. Therefore, the inverter 21
(L level) is applied to the terminal E of the flip-flop 14.
The flip-flop 14 is enabled and the clock
Rising of clock signal ▲ ▼ (clock signal φ2Standing
Q output of flip-flop 14 due to falling) (SELMAC)
Is inverted from H level to L level. SELMAC is L level
, The output of the latch 4-1 is output by the data selector 13.
(MAC (0)) is selected and the terminal A of the data selector 130~ A
ThreeClock signal φ3Enter with Also,
The output (L level) of port 7 is the terminal of flip-flop 17
In addition to E, the Q output (DSELQ) of flip-flop 17
From H level by rising of clock signal ▲ ▼
Invert to L level. Therefore, the data selector 16
Data output terminal RD of memory 2Two, RDThreeAnd terminal D of latch 18
Three, DFourIs connected. Further, the data output terminal RD of the memory 2
0, RD1And terminal D of latch 181, DTwoConnection with external select
Selection of the data selector 15 based on the
Will be determined, but it is assumed that PTSEL is
Will be explained. When PTSEL is L level, data in memory 2
Output terminal RD0, RD1Are respectively set by the data selector 15.
Switch 18 terminal D1, DTwoConnected to. Next, the down counter 10 starts the clock signal ▲ ▼.
At this time (STCY is H level), ST (0) is
Set the count value as STCNT, and then
Countdown is performed in synchronization with the rising edge of ▼. Da
Counter 10 counts down from ST (0) to 0
{Tφ2× (ST (0) +1)}, data selector
13, the macro code MAC (0) and the clock signal φ3
MAC address specified by the 5-bit address signal DADR
Data DDATA is read from memory 2 and data select
Terminal D of latch 18 via1~ DFourTo enter. Black
Signal φ3Is the address signal input terminal A of the memory 2.0~ AFour
Most significant bit A ofFourInput from the memory 2
Signal DADR is the clock signal φ3Is “0” (L level),
DADR every time it changes to “1” (H level)0, DADR0Strange with +16
(DADR0Is the clock signal φ3Is “0”
The address signal DADR is shown in FIG.i, DADRi+16
The two macro data specified byi(I = 0,1,2,
...). Therefore, the high-frequency signal fHLap of
Period TfHIs Tφ3Is equal to Terminal D of latch 181~ DFourMacro data DDATA to be input to
Is the output terminal Q of the latch 18.1~ QFourLCS drive signal from
No. PT1, PT2, COM1, COM2 and output to the recording control unit 200
Is done. Here, the block address BLADR of the memory 1 is 0 to 31.
The number of development steps ST (x) L, ST shown in FIG.
(X) H, macro code MAC (x), MAC (x + 1)
FIG. 4 showing the addresses DADR = 0 to 31 of the memory 2
If the macro data DDATA shown in (d) is stored
In this case, the LCS drive signals COM1, COM2, PT1, PT2 as shown in FIG.
Is the data output terminal Q of the latch 18.1~ QFourFrom the recording control unit 200
Output to The data stored in the addresses DADR0 to DADR31 shown in FIG.
Signal waveforms PT1, PT2, C generated by macro data DDATA
OM1 and COM2 are shown in FIG. In FIG. 7 (a), DADR0And DADR1Is the memory 2
Indicates the address DADR, and the DADR described in the same column0And D
ADR1Macro data stored at the address specified by
By expanding DDATA, the signal wave shown in FIG.
PT1, PT2, COM1, and COM2 are obtained. The vertical axis is the voltage value
And fH, * fHIs the high-frequency signal (* fHIs fHPhase of
Signal with a difference of 180 °). Y1, YTwoOutput is OFF-OFF drive
Segment electrode signal PT1, ON-ON drive segment electrode signal PT
2 and YThree, YFourOutput is common electrode signal COM1, COM
It corresponds to 2. Y is applied to the signal electrode of LCS described later.1(PT
1), YTwo(PT2) to YThree(COM1), YFour
(COM2) is added to the micro shutter of LCS when input.
FIG. 7 (b) shows a waveform of such a voltage. In the figure,

〔0〕は無電界であることを示している。 LCSの開閉制御は、第7図(b)に示す電圧波形をLCS
に印加することにより行われる(2周波駆動)。 次に、第8図(a)に示す駆動波形COM1,COM2,PT1,PT
2を生成しようとする場合、第7図(a)に示された駆
動波形では、第8図(a)のTd,Teの区間の波形を生成
することはできない。この場合には、メモリ2に格納さ
れるマクロデータDDATAの内容を第8図(b)に示すよ
うに変更する。第4図(d)と第8図(b)を比較する
とわかるように、第8図(b)においては、第4図
(d)におけるアドレスDADR=8,9,24,25のマクロデー
タDDATAの内容を変更した。メモリ2のアドレスDADR=
0〜31に格納されたマクロデータDDATAを展開して第8
図(a)に示す駆動波形を得るために、メモリ1のブロ
ックアドレスBLADR=0〜31に格納すべきデータDATATUS
の内容を第8図(c)に示す。 ところで、アップカウンタ3からBLADR(=3)がメ
モリ1に出力されると、この時BLAD(3)がHレベルと
なってナンドゲート7に加わる。第5図のタイミングチ
ャートに示すように、SELMAC,STCYが共にHレベルの時
にBLAD(3)がHレベルとなるのでナンドゲート7から
フリップフロップ17の端子EにLレベルが加わり、フリ
ップフロップ17のQ出力(DSELQ)は▲▼の立ち上
がり(φの立ち下がり)で第6図のタイミングチャー
トに示すようにHレベルからLレベルに反転する。この
ため、データセレクタ16によりメモリ2のRD2,RD3出力
はそれぞれラッチ18の端子D3,D4の入力となる。アンド
ゲート7の出力は次にBLADR“3"となって、BLAD(3)
が再びHレベルにならないと、Lレベルにならないの
で、フリップフロップ17のQ出力(DSELQ)は周期の前
半(TW/2)の間Lレベルに維持される。したがって、周
期の前半においてはメモリ2のRD2,RD3出力がラッチ18
のD3,D4入力となる。 更に、カウントダウンが行われダウンカウンタ10のカ
ウント値STCNTが再び“1"になると、ST01が、Lレベル
からHレベルに変化する。しかし、この時はSELMACはL
レベルなので、クロック信号φはアンドゲート11を通
過できず、iBLCLKにクロックパルスは発生しない。従っ
て、アップカウンタ3の出力するBLADRは“3"のままで
ある。次にダウンカウンタ10のカウント値STCNTが“0"
になると、キャリー信号STCYがHレベルとなってインバ
ータ21に加わり、インバータ21を介しフリップフロップ
14がエネーブルとなり、クロック信号▲▼の立ち上
がり(φの立ち下がり)によりフリップフロップ14の
Q出力(STEMAC)はLレベルからHレベルに変化する。
データセレクタ13は、HレベルのSELMACが端子Sに加わ
ると、ラッチ4−2の出力するマクロコードMAC(1)
を選択しメモリ1の端子B0〜B3に出力する。一方、前記
クロック信号▲▼の立ち上がりによりダウンカウン
タ10にはラッチ4−3、4−4の出力するステップ数ST
(0)が再びセットされるので、第1フレームの後半に
おいて前述した第1フレームの前半と同様にマクロコー
ドMAC(1)及びクロック信号φから成るアドレス信
号DADRの指定するアドレスに格納されたマクロデータDD
ATAによりTφ×(ST(0)+1)の期間、信号波形
が生成されラッチ18及びバッファ部20を介し記録制御部
200に出力される。 そして、再びダウンカウンタ10によりカウントダウン
が行われ、カウント値STCNTが“1",“0"の時にST01が再
びHレベルとなり、前述した第16フレームの後半と同様
の動作によりBLCLKに4つの連続するパルスが発生し、
アップカウンタ3から、BLADR=4〜7がメモリ1へ出
力される。そして、STLL,STHLの立ち上がりによりステ
ップ数ST(2)がラッチ4−3、4−4にラッチされ、
MACLLの立ち上がりによりマクロコードMAC(2)がラッ
チ4−3に、MACHLの立ち上がりによりマクロコードMAC
(3)がラッチ4−4にラッチされる。また、ダウンカ
ウンタ10のカウント値が“0"になるとダウンカウンタ10
かキャリー信号STCY(Hレベル)が発生し、クロック信
号▲▼の立ち上がり(φの立ち下がり)で、ラッ
チ4−3、4−4の出力するステップ数ST(2)がダウ
ンカウンタ10にセットされ、クロック信号▲▼の立
ち上がりによりフリップフロップ14のQ出力(SELMAC)
がHレベルからLレベルに変化しラッチ4−1の出力す
るマクロデータMAC(2)及びクロック信号φが1デ
ータセレクタ13より選択されアドレス信号DADRとなって
メモリ2に入力する。以後、第1フレームと同様にして
第2フレームの前半においてTφ×(ST(2)+1)
の期間マクロデータMAC(2)及びクロック信号φ
基づいて、第2フレームの後半においてTφ×(ST
(2)+1)の期間、マクロデータMAC(3)及びクロ
ック信号φに基づいて、メモリ2からマクロデータDD
ATAが読み出され信号波形PT1,PT2,COM1,COM2が生成され
る。 このように、データセレクタ部6から、1フレームの
動作が終了する毎に、4パルスのBLCLKが発生し、このB
LCLKに同期してアップカウンタ3から連続する4ブロッ
クのアドレス(BLADR)がメモリ1に出力される。そし
て、メモリ1から読み出されたステップ数ST(x)L,ST
(x)Hがそれぞれラッチ4−3、4−4に、マクロデ
ータMAC(x)、(x+1)がそれぞれラッチ4−1、
4−2に、それぞれデコーダ9の出力するラッチ信号ST
LL、STHL、MACLL、MACHLの立ち上がりで入力し保持され
る。尚、xは0〜n/2−2の偶数、すなわち本実施例で
はn=32より、xは0〜14の偶数である。メモリ2のア
ドレス信号入力端子A0〜A4には、フリップフロップ14の
出力するSELMACの制御により、フレームの前半にマクロ
データMAC(x)及びクロック信号φが、フレームの
後半にマクロデータMAC(x+1)及びクロック信号φ
が入力し、フレームの前半にマクロデータMAC(x)
及びクロック信号φの指定するアドレスのフレームの
後半にマクロデータMAC(x+1)及びクロック信号φ
の指定するアドレスのマクロデータDDATAがメモリ2
から読み出され、LCS駆動信号PT1、PT2、COM1、COM2が
生成される。 また、フレームの周期はステップ数ST(x)によって
規定され、フレームの前半、後半共にTφ×(ST
(x)+1)となる。メモリ1に第4図(c)に示すデ
ータDSTATUSを格納し第4図(d)に示すマクロデータD
DATAをメモリ2に格納した場合に生成されるLCS駆動信
号COM1、COM2、PT1、PT2の周期TWの前半(TW/2)の波形
例を第9図に示す。同図においてfL、fL1は低周波信
号、fH、*fHは高周波信号であり、*fHはfHの位相を18
0゜ずらした波形である。メモリ2のアドレス信号DADR
は、クロック信号φにより変化するので、fHの周波数
TfHはクロック信号φの周期Tφと等しい。また、
第5図に示すようにφの周期はφの2倍となってい
るので、第9図に示すようにTfH=2Tφである。 また、周期TWの前半(TW/2)が終了すると、データセ
レクタ部6から4パルスのBLCLKが発生し、アップカウ
ンタ3からBLADR=0,1,2,3がメモリ11へ出力される。そ
して、BLADRが“3"になると、アップカウンタ3からBLA
D(3)がHレベルとなってナンドゲート7を介しフリ
ップフロップ17の端子Eに加わるのでフリップフロップ
17のQ出力(DSELRQ)のレベルが変化し(Lレベル→H
レベル)、データセレクタ18によりメモリ2のRD2,RD3
出力が夫々ラッチ18のD4、D3入力に切り換えられる。周
期TWの後半(TW/2)においても、前半(TW/2)と同様メ
モリ2に格納されたマクロデータDDATAがステップ数ST
(0)〜ST(7)に基づいて展開されるが、メモリ2の
RD2,RD3が出力がデータセレクタ16により切り換えられ
たために、第9図に示すようにCOM1とCOM2の波形が周期
TWの前半(TW/2)と後半(TW/2)では入れ換わる。 そしてメモリ2に格納されたマクロデータDDATAによ
って生成されたLCS駆動信号PT1,PT2,COM1,COM2は、クロ
ック信号φの立ち上がりに同期してラッチ18、バッフ
ァ部20を介し記録制御部200(後述)に出力される。 一方、第6図のタイミングチャートに示すように、周
期TWの後半(TW/2)の最終フレーム(第16フレーム)の
後半において、アップカウンタ3の出力するブロックア
ドレスBLADRが最終アドレス(“31")となり、ダウンカ
ウンタ10の出力するカウント値STCNTが“4"になるとBLA
D(31)、ST4がHレベルとなりアンドゲート8の出力
(TSXQ)がHレベルとなってフリップフロップ12の端子
Jに加わり、STCYがLレベルなので▲▼の立ち上が
りでフリップフロップ12のQ出力(▲▼)は
Hレベル、出力はLレベルに反転する。このため、ナ
ンドゲート19の出力(▲▼)がLレベルから
Hレベルに変化する。TSXQは、STCNTが“3"になるとL
レベルに変化し、フリップフロップ12のQの出力(▲
▼)は、φの立ち上がりでラッチ18にラッチ
され、バッファ部20を介して▲▼として記録制御
部200に出力される。 この時、前記▲▼はφの立ち上がりで、
ラッチ18にラッチされ、バッファ部20を介し▲
▼として外部装置(図示せず)に出力される。また、
▲▼の反転信号LTWSXがビデオ・インターフ
ェイス部40のバッファ40rに出力される。 次に、カウント値STCNTが“0"になると、ダウンカウ
ンタ10からキャリー信号STCYがHレベルとなってフリッ
プフロップ12の端子Kに加わり、端子Jに加わるTSXQが
Lレベルなのでクロック信号φの立ち上がりでフリッ
プフロップ12のQ出力がHレベルに反転する。このた
め、ナンドゲート19の出力▲▼は再びLレベ
ルとなる。 またキャリー信号STCYはアンドゲート7にも加わり、
アンドゲート7からフリップフロップ17の端子EにLレ
ベルが加わるので、φの立ち上がりでフリップフロッ
プ17のQ出力(DSELQ)がHレベルからLレベルに反転
する。DSELQは、φの立ち上がりでラッチ18にラッチ
されバッファ部20を介してDSELとして記録制御部200に
出力される。 一方、ビデオインターフェイス部40は、▲
▼がLレベルの期間、クロック信号▲▼の
立ち下がりに同期して外部装置(不図示)から1ライン
分のビデオデータHLTXDをラッチ40bに入力し、インバー
タ40d、バッファ40eを介しビデオデータLTXDとして記録
制御部200に出力する。また、クロック信号HLTXCKから
フリップフロップ40f、40h、40k、インバータ40g、ナン
ドゲート40i、40jにより2つのクロック信号▲
▼、▲▼を生成し、それぞれバッファ40l、40m
を介し記録制御部200に出力する。クロック信号▲
▼、▲▼は前述したように交互に2クロッ
クパルスづつ発生する。 記録制御部200は、後述詳しく説明するように、一周
期TWの間にビデオインターフェイス部40から1ライン分
のビデオデータLTXDをクロック信号▲▼、▲
▼に同期して受信する。そして、ビデオデータLT
XDの値を基に、LCS駆動信号生成回路から入力するLCS駆
動信号PT1、PT2の選択を行ってLCSの信号電極に印加
し、LCS内の各マイクロシャッタの開閉制御を行い光書
込みを行っている。また、この時LCS駆動信号COM1、COM
2はLCSの共通電極に印加される。後述詳しく説明する
が、PTSELがLの場合には、LCS駆動信号PT1はLCSの各マ
イクロシャッタを閉にするLCSオフ駆動信号、LCS駆動信
号PT2はLCSの各マイクロシャッタを開にするLCSオン駆
動信号であり、LCS駆動信号COM1、COM2はそれぞれ周期T
Wの前半(TW/2)、後半(TW/2)にLCSを選択する信号で
ある。 また、光書込みによる画像形成の方法にはLCSが閉で
光照射が行われなかった箇所を黒として記録する正規現
像方式と、LCSが開で光照射が行われた箇所を黒として
記録する反転現像方式があるが、本実施例では外部CPU
(不図示)等の制御により正規現像方式の場合にはPTSE
LをLレベルとし、反転現像方式の場合にはPTSEL=Hレ
ベルとすることにより、上記いずれの現像方式において
もビデオデータLTXDのビットが“1"の場合には黒ドット
を記録するように統一することが可能である。 以下、前述した本実施例のLCS駆動信号生成回路を適
用した記録装置100について説明を行う。 第10図は記録装置100の概略構成図であり、第10図に
従って記録装置100の構成を説明する。 同図において、感光体ドラム101はアルミ等の金属よ
りなる円筒形の素管の外周面に光導電性感光体を塗布も
しくは蒸着して構成されており、記録動作時には図示矢
印方向Bに回転する。感光体ドラム101の周面近傍には
帯電器102、光記録ヘッド103、現像器104、転写器105、
クリーナ106等が配設されている。 帯電器102は回転移動する感光体ドラム101の表面にコ
ロナ放電を行って、感光体ドラム101の表面を所定電位
に帯電するものであり、光記録ヘッド103は所定電位に
帯電された感光体ドラム101の表面に記録すべき画像に
応じた光照射を行って静電潜像を形成する(光記録ヘッ
ド103の詳細については後述する)。 感光体ドラム101の表面に形成された静電潜像はトナ
ーを収容した現像器104により現像されてトナー像とな
る。 このトナー像は図示しない搬送手段によりトナー像と
同期して搬送されてくる転写紙107と重なり、転写器105
のコロナ放電により転写紙107上に転写される。 転写紙107上に転写されたトナー像は図示しない定着
器により転写紙上に定着され、トナー像の定着された転
写紙107は機外に排出される。また、転写の際に転写紙1
07に転写されずに感光体ドラム101の表面に残留したト
ナーはクリーナ106により感光体ドラム101の表面より除
去される。 次に、第11図は前記光記録ヘッド103の断面図であ
る。以下、同図を参照しながら光記録ヘッド103の構成
を説明する。 光記録ヘッド103内には液晶光シャッタ111が設けられ
ている。第12図は液晶光シャッタ111の構成を示す斜視
図である。同図に示すように、液晶光シャッタ111は下
ガラス基板131と上ガラス基板132の間に液晶剤(図示せ
ず)を封入して構成されている。下ガラス基板131の上
面には信号電極133が形成され、上ガラス基板132の下面
には信号電極133とほぼ直交する方向に延びる共通電極
(図示せず)が2本形成されており、信号電極133と共
通電極の交差部にマイクロシャッタ134が形成されてい
る。 各マイクロシャッタ134は、共通電極に所定の駆動信
号を供給し、各信号電極133にマイクロシャッタ134を開
閉させるための開閉駆動信号を供給することにより、個
別に開閉される。 次に、再び第11図に戻って説明を行うと、液晶光シャ
ッタ111に光を照射するための光源である螢光灯112はラ
ンプケース113内に収容されており、ランプケース113内
の空間は螢光灯112を冷却するために空気が流通するよ
うに構成されている。液晶光シャッタ111は精度良く位
置決めされるようにヘッドベース114の位置決め基準部
に固定され、また結像レンズアレイ115も液晶光シャッ
タ111との位置関係を定めるためにヘッドベース114の所
定位置に固定されている。 ランプケース113の両側には駆動回路基板116が設けら
れており、駆動回路基板116上には駆動のための回路をL
SI化したLCS駆動LSI117が搭載されている。また駆動回
路基板116のランプケース113に対向する面の下端部には
上述のLCS駆動LSI117より引き出された導電パターン
(図示ぜす)が信号電極133の配設ピッチと等しいピッ
チで形成されている。 この駆動回路基板116の導電パターンと液晶光シャッ
タ111の信号電極133とは、上述のピッチと等しいピッチ
で形成された接続パターンを有する可とう性コネクタで
あるフィルム状電極コネクタ118で接続されている。 ランプケース113の上方には共通電極駆動信号を供給
するための駆動回路基板119が設けられており、駆動回
路基板119には論理レベルの信号波形を実際に共通電極
に印加する20数ボルトの信号波形に変換するハイボルテ
ージ・ドライバ120が搭載され、駆動回路基板119と共通
電極とは図示しないコネクタにより接続されている。 第13図は、液晶光シャッタ111の部分拡大図である。
また同図におけるA−A′線における液晶光シャッタ11
1の断面図を第14図として示している。 信号電極133は酸化スズ、酸化インジウム等の透明導
電部133aとクロム、金等の金属電極133bとで構成され、
共通電極135も同様に透明導電部135aに金属電極135bと
で構成されている。この透明導電部133bと135bの対向す
る部分にマイクロシャッタ134が形成され、両電極に印
加される信号によりこのマイクロシャッタ134が開閉さ
れる。 各信号電極133は2本の共通電極135と対向するため、
各信号電極133上には2つのマイクロシャッタ134が形成
される。これは各マイクロシャッタ134を開閉させるた
めのドライバ数を削減するために、時分割駆動を行って
いるからである。 また、マイクロシャッタ135は極めて高速に開閉しな
ければならないので、第14図に示す液晶剤136として、
印加する電界の周波数に応じて誘電異方性の反転する液
晶剤(誘電異方性をゼロとする周波数を交差周波数と称
し、以下交差周波数とfcと略記する)と2色性色素の混
合物を用い、駆動方法としてはfcよりも高い周波数の信
号(以下fHと略記する)及びfcよりも低い周波数の信号
(以下fLと略記する)、或いはfHとfLとを組合せた信号
を用いて液晶を駆動するいわゆる2周波駆動を用いてい
る。 次に、第15図(a)は、液晶光シャッタ111の開閉制
御により光書込みを行う記録制御部200の回路構成を示
すブロック図である。 同図において、134−1、134−2は前記マイクロシャ
ッタ134と同一のマイクロシャッタ、135−1、135−2
は前記共通電極135と同一の共通電極である。 同図(a)に示すように、本実施例により生成された
LCS駆動信号PT1、PT2、タイミング信号DSEL、▲
▼は、制御バスCBを介してLCS駆動LSI217に入力する。 また、LCS駆動信号COM1、COM2はそれぞれ第15図
(b)に示すハイボルテージ・ドライバ220の入力端子I
10、I11に入力し、ハイボルテージドライバ220により20
数ボルトにレベルシフトされマイクロシャッタ135−
1、135−2に印加される。交互に2パルスづつ発生す
るクロック信号▲▼と▲▼はそれぞれ
上段と下段のLCS駆動LSI217に出力される。従って、前
記ビデオインターフェイス部40から転送されたビデオデ
ータLTXD(最初の1ビットデータから、番号1から順に
シリアルナンバーが付けられているものとする)は、
{1,2}、{5,6}、{9,10}、・・・番目のビットデー
タが上段のLCS駆動LSI217に{3,4}、{7,8}、{11,1
2}・・・番目のビットデータが下段のLCS駆動LSI217に
入力する。 次に、第16図(a)は、前記LCS駆動LSI217の回路構
成を示すブロック図である。 シフトレジスタ301は、前記クロック信号▲
▼(▲▼)の立ち上がりに同期して1ライン分
のビデオデータLTXDを入力する。シフトレジスタ301の
最終出力(Q1出力)は、バッファ302を介してカスケー
ド接続された次のLCS駆動LSI217(図示せず)へ入力す
る。ラッチ303は、クロック信号CK2の立ち下がりにより
シフトレジスタ301から1ライン分のビデオデータLTXD
を入力し、偶数ビットのデータ(D2,D4,・・・D158,D
160)をデータ遅延制御部304へ、奇数ビットのデータ
(D1,D3,・・・D157,D159)をマルチプレクサ305の端子
A1〜A80へ出力する。マルチプレクサ305は、第16図
(b)に示すように、セレクト信号DSELによりA入力ま
たはB入力の選択を行い更に選択したA入力またはB入
力の値により、LCS駆動信号PT1、PT2のいずれかを選択
して端子W1〜W80よりハイボルテージドライバ306に出力
する。ハイボルテージドライバ306は、入力するLCS駆動
信号PT1またはPT2のレベルシフトを行いY1〜Y80出力を
液晶光シャッタ111の信号電極133に印加する。 次に、以上のように構成された記録制御部200の動作
を第9図のタイミングチャートを参照しながら説明す
る。ビデオインターフェイス部40は、第9図に示す▲
▼がLレベルの間LCS駆動LSI217にビデオデー
タLTXDを出力する。LCS駆動LSI217は、ビデオインター
フェイス部40から出力されるクロック信号▲
▼、▲▼の立ち下がりに同期してビデオデータ
LTXDをシフトレジスタ301に入力する。ビデオインター
フェイス部40から1ライン分のビデオデータLTXDの転送
が終了すると、第9図に示すように▲▼にパルス
が発生し、そのパルスの立ち下がりで1ライン分のビデ
オデータLTXDがシフトレジスタ301からラッチ303に転送
され、シフトレジスタ301は新たなビデオデータLTXDの
入力が可能となる。 このように、1周期TWの間に1ライン分のビデオデー
タLTXDがLCS駆動LSI217のシフトレジスタ301に入力す
る。また、前回受信したビデオデータLTXDの奇数ビット
は、▲▼の立ち上がりでラッチ303からマルチプ
レクサ305の端子A1〜A80に入力する。また、ビデオデー
タLTXDの偶数ビットは、同じきく▲▼の立ち下が
りでデータ遅延制御部304に入力する。データ遅延制御
部304内においてフリップフロップ304aが2段にカスケ
ード接続されており、ビデオデータLTXDの偶数ビット
は、奇数ビットに対し2周期TW分遅れてマルチプレクサ
305に入力する。これは、マイクロシャッタを千鳥配列
し、千鳥の副走査方向のピッチを2.5ラインに設定して
いるからである。 また、第9図に示すようにDSELは周期TWの前半でLレ
ベル、後半でHレベルであるので、マルチプレクサ305
は周期TWの前半にはビデオデータLTXDの奇数ビットの各
データに応じて、LCS駆動信号PT1、PT2のいずれかを選
択してハイボルテージ・ドライバ306に出力し、ハイボ
ルテージ・ドライバ306を介し各マイクロシャッタ234−
1、234−2の開閉を行い光書込みを行う。 液晶光シャッタ111の共通電極135−1、135−2に
は、それぞれ第9図のタイミンングチャートに示すCOM
1、COM2がハイボルテージ・ドライバ220を介して印加さ
れる。 また、PTSELがLの場合LCS駆動信号PT1はLCSの閉信
号、PT2はLCSの開信号であり、ビデオデータLTXDのビッ
トデータが“1"の時、信号電極233にPT1が印加され、選
択されたマイクロシャッタ234−1または234−2が閉と
なり光書込みは行われず、“0"の時は信号電極233にPT2
が印加され選択されたマイクロシャッタ234−1または2
34−2が開となり光書込みが行われる。従って、正規現
像方式の場合、ビデオデータLTXDのビットデータが“1"
であれば黒ドットが形成され、“0"であれば白ドットが
形成される。 周期TWの後半においても、2ライン分遅れたビデオデ
ータLTXDの偶数ビットのデータにより、前半と同様な動
作により光書込みが行なわれる。 以上の説明でわかるように、本実施例ではメモリ1に
格納されているマクロコードMAC(x)にデータセレク
タ13を介しクロック信号φを付加することにより、メ
モリ2のアドレス信号DADRを生成する、そして、そのア
ドレス信号DADRの指定するマクロデータDDATAをメモリ
2から読み出し波形を生成している。クロック信号φ
は、“0"または“1"の2値をとるので、1個のマクロコ
ードMAC(x)のデコードにより2ワードのマクロデー
タDDATA(4×2ビット)がメモリ2から読み出され
る。従って、n個のマクロコードMAC(x)をデコード
するために必要なメモリの容量M0は、 M0=4ビット×2ワード×n〔bits〕 ……(1.1) となる。 メモリ2は、メモリ1に格納されたn=16個のマクロ
コードMAC(x)をデコードするので、メモリ2の容量M
2は式(1.1)より M2=4×2×16=128〔bits〕 ……(1.2) となっており、一般的なゲートアレイによりメモリ2を
構成した場合、スタティックRAMでは約800ゲート、擬似
スタティックRAMでは約500ゲートで構成できる。 1個のマクロコードMAC(x)のデコードにより、ク
ロック信号φに同期して2ワードのマクロデータDDAT
Aが読み出されマクロデータDDATAの各ビットがLCS駆動
信号PT1,PT2,COM1,COM2の波形を生成する。この時、1
は“0"か“1"の2種類の値をとるため、連続する2ワー
ドのマクロデータDDATAの各ビットにより2×2=4種
類の波形が生成される。すなわち、(“1",“1")、
(“0",“0")、(“1",“0")、(“0",“1")の4種
類である。これらの波形を第7図に示すように低周波要
素fL,*fL、高周波要素fH,*fHと定義する。従って、LC
S駆動信号PT1,PT2,COM1,COM2の組み合せは4×4×4×
4=256通りとなる、しかしながら、実際LCSのマイクロ
シャッタに印加される電圧波形はPT1−COM1、PT1−COM
1、PT2−COM1、PT2−COM2間の電圧差となるので、マイ
クロシャッタに印加される電圧波形の種類として256÷
2=128種類が考えられる。しかし、実際には10通りの
組み合せで十分であり、メモリ2の容量は、 M0=4×2×10=80〔bits〕 ……(1.3) でよい。 前述した第8図(a),第9図に示すLCS駆動波形COM
1,COM2,PT1,PT2は、それぞれ6通り、8通りの波形の組
み合せである。メモリ2の容量は32ワードなので第8図
(a)に示すLCS駆動波形を得るために、メモリ1,2には
それぞれ第8図(c),(b)に示すデータを格納して
いる。 同図(c)を見れば明らかなように、この時メモリ1
には、8種類のマクロコードMAC(0)=“13"、MAC
(1)=“15"、MAC(2)=“12"、MAC(3)=“1
4"、MAC(4)=“9"、MAC(5)=“8"、MAC(6)=M
AC(7)=“7"、MAC(8)=MAC(9)=MAC(10)=M
AC(11)=MAC(12)=MAC(13)=MAC(14)=MAC(1
5)=“6"が格納されている。8通りの波形の組み合せ
を得るための最小構成のメモリ2の容量は16ワード(=
2ワード×8)であるが、本実施例ではメモリ1,2の容
量は32ワードなのでそれぞれ第8図(c),(b)に示
すようにデータを格納した。 メモリ1内のステップ数ST(X)L、ST(x)H、マ
クロコードMAC(x)、MAC(x+1)、メモリ2内のマ
クロデータDDATAはどちらも、外部からマイクロプロセ
ッサ等により書換え可能なので、無限の組み合せの駆動
波形を得ることができる。このため、記録装置内の液晶
ヘッダで使用されるLCSの液晶材料の改良、変更に迅速
に対応することができる。 また、LCSパネルは電気光学特性上40〜60℃付近に暖
め、保温して用いることが望ましく、電子写真プリンタ
でLCSパネルを光シャッタとして用いる場合、電源投入
時に光源を点灯させウォームアップすると共に、その光
源の輻射熱によりLCSパネルを加熱補助するようにして
いる。この時、LCSが、ゲスト・ホスト形のようにノー
マリーオフ形(通常時、マイクロシャッタは閉)であれ
ば問題はないが、偏光板を直交ニコルに配置したツイス
ト−ネマティック形や複屈折形のようなノーマリーオン
形(通常時、マイクロシャッタは開)である場合、光源
の光がLCSを通過し感光体に照射されるため、感光体が
劣化してしまう。このため、感光体を回転させて、感光
体の劣化を防止するようにしている。このような場合、
ノーマリーオン形のLCSの各マイクロシャッタを完全に
オフ(閉)するような特殊な駆動波形をマイクロシャッ
タに印加することにより、感光体ドラムを回転させる必
要が無くなる。 また、2周波駆動によりLCSのマイクロシャッタの開
閉制御を行う場合、高周波信号fHの周波数が数+KHz〜
数百KHzと高いため、LCSパネルの電極が電流により自己
発熱することが見られるが、これを見込んでLCSパネル
が適正温度(40℃〜60℃)以上になるのを防ぐため、ウ
ォームアップ時にLCSのマイクロシャッタに特殊な駆動
波形を加え、LCSパネルが適正温度で安定するようにす
ることが望ましい。 このように、ウォームアップ時等のように、通常の使
用時とは異なる条件下において特殊な駆動波形をLCSの
マイクロシャッタに印加する場合、従来の波形生成装置
ではROM2の容量を増す必要があった。しかし、本発明で
はメモリ1に格納されるステップ数ST(x)H、MAC
(x)、MAC(x+1)及びメモリ2に格納されるマク
ロデータDDATAの書換えが可能なので、ウォームアップ
時と使用時においてマクロデータDDATAの内容を変える
ことにより、メモリ容量を増加することなく特殊な駆動
波形を生成することができる。 尚、本実施例ではメモリ1,2にRAMを用いたが、EEPROM
(Electrical Erasable Programable Read Only Memor
y)を用いてもよい。またEEPROMを用いた場合、起動時
にデータを書き込む処理が不用となる利点がある。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、波形を生成する
デコーダを書換え可能なメモリにより構成したので、以
下のような効果が得られる。 a.ほぼ無限の組み合せの波形が得られる。 b.外部制御によりメモリ内のデータを書換えることが可
能なのでLCSの駆動波形の生成に用いる場合、液晶材料
の改良、変更等に伴う駆動波形の変更にも迅速に対応で
き保守が容易になる。 c.ノーマリーオン型のLCSにより光書込みを行う記録装
置のLCS駆動波形生成に用いる場合、ウォームアップ時
にLCSのマイクロシャッタを閉にする波形をLCSのマイク
ロシャッタに加えることにより、ウォームアップ時の、
光源によるLCSパネルの加熱補助の際、感光体を回転さ
せる必要がなくなり制御が簡単になる。また、感光体の
劣化も防止できる。
[0] indicates that there is no electric field. LCS open / close control uses the voltage waveform shown in FIG.
(Two-frequency drive). Next, the driving waveforms COM1, COM2, PT1, PT shown in FIG.
2 is to be generated, the drive shown in FIG.
In the dynamic waveform, the waveform of the section of Td and Te in Fig. 8 (a) is generated.
I can't. In this case, it is stored in the memory 2.
The contents of the macro data DDATA to be displayed are shown in FIG.
To change. Compare FIG. 4 (d) and FIG. 8 (b)
8 (b), FIG.
Macro data of address DADR = 8, 9, 24, 25 in (d)
Changed the contents of DDATA. Memory 2 address DADR =
Expand macro data DDATA stored in 0-31 to
In order to obtain the drive waveform shown in FIG.
Data to be stored in the block address BLADR = 0 to 31 DATATUS
8 (c). By the way, BLADR (= 3)
When output to memory 1, BLAD (3) goes high at this time.
And joins the NAND gate 7. Timing chart of Fig. 5
As shown in the chart, when both SELMAC and STCY are at H level
BLAD (3) goes to H level, so from NAND gate 7
The L level is applied to the terminal E of the flip-flop 17, and
Q output of flip-flop 17 (DSELQ) rises to ▲ ▼
Glue (φ2The timing chart shown in Fig. 6
As shown in FIG. this
Therefore, the RD of the memory 2 isTwo, RDThreeoutput
Is the terminal D of the latch 18, respectively.Three, DFourInput. and
The output of gate 7 then becomes BLADR "3" and BLAD (3)
Will not go low unless it goes high again
And the Q output (DSELQ) of the flip-flop 17 is before the cycle.
Half (TW/ 2) is maintained at the L level. Therefore,
RD of memory 2 in the first half of the periodTwo, RDThreeOutput latched 18
DThree, DFourInput. Further, a countdown is performed, and the countdown of the down counter 10 is performed.
When the count value STCNT becomes “1” again, ST01 goes low.
To H level. However, at this time, SELMAC is L
Level, so the clock signal φ1Through AND gate 11
No clock pulse is generated in iBLCLK. Follow
Therefore, the BLADR output from the up counter 3 remains “3”.
is there. Next, the count value STCNT of the down counter 10 is set to “0”.
The carry signal STCY goes to H level and
Data 21 and a flip-flop via an inverter 21.
14 is enabled and clock signal ▲ ▼ rises
Glue (φ2Of the flip-flop 14)
The Q output (STEMAC) changes from L level to H level.
In the data selector 13, the SELMAC of the H level is added to the terminal S.
Then, the macro code MAC (1) output from the latch 4-2
To select terminal B of memory 1.0~ BThreeOutput to On the other hand,
Down count by rising of clock signal ▲ ▼
The number of steps ST output by the latches 4-3 and 4-4 is stored in the data
(0) is set again, so in the second half of the first frame
Macro code in the same way as the first half of the first frame
Clock MAC (1) and clock signal φ3Address signal consisting of
Macro data DD stored at the address specified by the signal DADR
Tφ by ATA2× (ST (0) +1) period, signal waveform
Is generated through the latch 18 and the buffer unit 20.
Output to 200. Then, it is counted down by the down counter 10 again.
Is performed and ST01 is restarted when the count value STCNT is “1” or “0”.
And H level, same as the latter half of the 16th frame
Generates four consecutive pulses on BLCLK,
BLADR = 4 to 7 are output to memory 1 from up counter 3.
Is forced. Then, when STLL and STHL rise,
The number of taps ST (2) is latched by the latches 4-3 and 4-4,
Macro code MAC (2) is lagged by the rise of MACLL.
In macro 4-3, the macro code MAC is generated by the rise of MACHL.
(3) is latched by the latch 4-4. In addition,
When the count value of the counter 10 becomes “0”, the down counter 10
Or carry signal STCY (H level) is generated and clock signal
▲ ▼ rise (φ2Falling)
The number of steps ST (2) output by the switches 4-3 and 4-4 is down.
Is set in the counter 10 and the clock signal
Q output of flip-flop 14 due to rising (SELMAC)
Changes from the H level to the L level, and the output of the latch 4-1 is output.
Macro data MAC (2) and clock signal φ3Is 1 day
Data selector 13 and becomes the address signal DADR.
Input to memory 2. After that, in the same way as the first frame
Tφ in the first half of the second frame2× (ST (2) +1)
Period macro data MAC (2) and clock signal φ3To
Tφ in the second half of the second frame2× (ST
In the period of (2) +1), the macro data MAC (3) and the macro data
Signal φ3Based on the macro data DD from the memory 2
ATA is read and signal waveforms PT1, PT2, COM1, and COM2 are generated.
You. As described above, the data selector unit 6 outputs one frame.
Each time the operation is completed, four pulses of BLCLK are generated,
4 blocks from the up counter 3 in synchronization with LCLK
The memory address (BLADR) is output to the memory 1. Soshi
And the number of steps ST (x) L, ST read from the memory 1
(X) H is stored in the latches 4-3 and 4-4, respectively.
Data MAC (x) and (x + 1) are latches 4-1 and
4-2, latch signal ST output from decoder 9
Input and hold at the rising edge of LL, STHL, MACLL, MACHL
You. Note that x is an even number from 0 to n / 2-2, that is, in this embodiment,
Is n = 32, and x is an even number from 0 to 14. Memory 2
Dress signal input terminal A0~ AFourThe flip-flop 14
Macro control in the first half of the frame by controlling the output SELMAC
Data MAC (x) and clock signal φ3But in the frame
In the latter half, the macro data MAC (x + 1) and the clock signal φ
3Is input and the macro data MAC (x) is input in the first half of the frame.
And the clock signal φ3Of the frame of the address specified by
In the latter half, the macro data MAC (x + 1) and the clock signal φ
3Macro data DDATA at the address specified by
And the LCS drive signals PT1, PT2, COM1, COM2
Generated. The frame cycle is determined by the number of steps ST (x).
Stipulated, Tφ for both the first and second half of the frame2× (ST
(X) +1). The data shown in FIG.
Data DSTATUS and macro data D shown in FIG.
LCS drive signal generated when DATA is stored in memory 2
No. COM1, COM2, PT1, PT2 period TWThe first half of (TW/ 2) waveform
An example is shown in FIG. In the figure, fL, FL1Is a low frequency signal
Number, fH, * FHIs a high frequency signal and * fHIs fHPhase of 18
This is a waveform shifted by 0 °. Memory 2 address signal DADR
Is the clock signal φ3FHFrequency
TfHIs the clock signal φ3Period Tφ3Is equal to Also,
As shown in FIG.3Is φ2Is twice as large as
Therefore, as shown in FIG.H= 2Tφ2It is. Also, the period TWThe first half of (TW/ 2) is completed,
4 pulses of BLCLK are generated from the
The BLADR = 0, 1, 2, and 3 are output from the counter 3 to the memory 11. So
Then, when the BLADR becomes “3”, the BLA
D (3) goes to the H level and is free via the NAND gate 7.
Flip-flop because it is added to terminal E of flip-flop 17
17 Q output (DSELRQ) level changes (L level → H
Level), RD of memory 2 by data selector 18Two, RDThree
The output is D of latch 18 respectively.Four, DThreeSwitch to input. Week
Period TWThe second half of (TW/ 2) in the first half (TW/ 2)
The macro data DDATA stored in memory 2 is the number of steps ST
(0) to ST (7),
RDTwo, RDThreeOutput is switched by data selector 16.
Therefore, the waveforms of COM1 and COM2
TWThe first half of (TW/ 2) and the latter half (TW/ 2) is replaced. Then, the macro data DDATA stored in the memory 2 is used.
LCS drive signals PT1, PT2, COM1, and COM2 generated by
Signal φ1Latch 18, buffer in synchronization with rising edge of
The data is output to the recording control unit 200 (described later) via the recording unit 20. On the other hand, as shown in the timing chart of FIG.
Period TWThe second half of (TW/ 2) of the last frame (16th frame)
In the latter half, the block address output from the up counter 3
Dress BLADR becomes the final address (“31”) and
When the count value STCNT output from the counter 10 becomes "4", BLA
D (31), ST4 becomes H level and the output of AND gate 8
(TSXQ) becomes H level and the terminal of flip-flop 12
Joining J, the rise of ▲ ▼ because STCY is L level
The Q output of the flip-flop 12 (▲ ▼)
The H level and the output are inverted to the L level. For this reason,
The output of gate 19 (▲ ▼) from L level
It changes to H level. TSXQ becomes L when STCNT becomes “3”.
Level, and the output of Q of the flip-flop 12 (▲
▼) is φ1Latch at latch 18 at rising edge
And recording control as ▲ ▼ through the buffer unit 20
Output to the unit 200. At this time, ▲ ▼ is φ1At the rise of
Latched by the latch 18,
▼ is output to an external device (not shown). Also,
The inverted signal LTWSX of ▲ ▼ is the video interface
The data is output to the buffer 40r of the base unit 40. Next, when the count value STCNT becomes “0”,
The carry signal STCY from the
TSXQ added to the terminal K of the flop 12 and to the terminal J
The clock signal φ2Flicker at the rise of
The Q output of the flop 12 is inverted to the H level. others
Therefore, the output ▲ ▼ of the NAND gate 19 becomes L level again.
It becomes. The carry signal STCY is also applied to the AND gate 7,
L level from AND gate 7 to terminal E of flip-flop 17
Since a bell is added, φ2Flip-flop at the rise of
Q output (DSELQ) of step 17 is inverted from H level to L level
I do. DSELQ is φ1Latch at latch 18 at rising edge
Is sent to the recording control unit 200 as DSEL via the buffer unit 20.
Is output. On the other hand, the video interface unit 40
While ▼ is at the L level, the clock signal ▲ ▼
One line from an external device (not shown) in synchronization with the fall
Input video data HLTTD for the latch 40b.
Recorded as video data LTXD via data buffer 40d and buffer 40e
Output to control unit 200. Also, from the clock signal HLTXCK
Flip-flops 40f, 40h, 40k, inverters 40g,
Two clock signals by the gates 40i and 40j
Generate ▼, ▲ ▼, buffer 40l, 40m respectively
To the recording control unit 200 via the. Clock signal ▲
▼ and ▲ ▼ are alternately two clocks as described above.
Each pulse occurs. As described in detail below, the recording control unit 200
Period TW1 line from the video interface 40 during
Video data LTXD from the clock signals ▲ ▼, ▲
Receive in sync with ▼. And the video data LT
Based on the value of XD, the LCS drive input from the LCS drive signal generation circuit
Select the motion signals PT1 and PT2 and apply to the LCS signal electrodes
Control the opening and closing of each micro shutter in the LCS
Is included. At this time, the LCS drive signals COM1, COM
2 is applied to the common electrode of the LCS. I will explain in detail later
However, when PTSEL is L, the LCS drive signal PT1 is
LCS off drive signal to close micro shutter, LCS drive signal
No.PT2 is LCS on drive to open each micro shutter of LCS
LCS drive signals COM1 and COM2 have a period T
WThe first half of (TW/ 2), latter half (TW/ 2) with signal to select LCS
is there. LCS is closed for the method of image formation by optical writing.
Normal light that records the area where light irradiation was not performed as black
The image method and the area where light irradiation was performed when the LCS was open were set as black
There is a reversal development method for recording, but in this embodiment, an external CPU
(Not shown), etc. in the case of the regular development system, PTSE
L is set to L level, and PTSEL = H level
In any of the above developing methods,
Also, if the bit of video data LTXD is “1”, a black dot
It is possible to unify to record Hereinafter, the LCS drive signal generation circuit of the present embodiment described above is applied.
The recording device 100 used will be described. FIG. 10 is a schematic configuration diagram of the recording apparatus 100, and FIG.
Therefore, the configuration of the recording device 100 will be described. In FIG. 1, the photosensitive drum 101 is made of metal such as aluminum.
A photoconductive photoreceptor can be applied to the outer peripheral surface of
Or, it is composed by vapor deposition.
It rotates in the marking direction B. Near the peripheral surface of the photosensitive drum 101
Charging device 102, optical recording head 103, developing device 104, transfer device 105,
A cleaner 106 and the like are provided. The charger 102 is mounted on the surface of the rotating photosensitive drum 101.
The surface of the photosensitive drum 101 is subjected to a predetermined potential
The optical recording head 103 is charged to a predetermined potential.
For images to be recorded on the surface of the charged photosensitive drum 101
Irradiates light to form an electrostatic latent image (optical recording head
The details of the node 103 will be described later). The electrostatic latent image formed on the surface of the photosensitive drum 101 is a toner image.
The toner image is developed by the developing device 104 containing
You. This toner image is combined with the toner image by transport means (not shown).
The transfer paper 107 overlaps with the transfer paper 107 conveyed in synchronization and
Is transferred onto the transfer paper 107 by the corona discharge. The toner image transferred onto the transfer paper 107 is fixed (not shown).
The fixing device fixes the toner image on the transfer paper and the toner image.
The paper 107 is discharged outside the machine. Also, transfer paper 1
07, the toner remaining on the surface of the photosensitive drum 101 without being transferred
The cleaner is removed from the surface of the photosensitive drum 101 by the cleaner 106.
Left. Next, FIG. 11 is a sectional view of the optical recording head 103.
You. Hereinafter, the configuration of the optical recording head 103 will be described with reference to FIG.
Will be described. A liquid crystal optical shutter 111 is provided in the optical recording head 103.
ing. FIG. 12 is a perspective view showing the configuration of the liquid crystal optical shutter 111.
FIG. As shown in FIG.
A liquid crystal agent (not shown) is interposed between the glass substrate 131 and the upper glass substrate 132.
) Is enclosed. Above lower glass substrate 131
The signal electrode 133 is formed on the surface, and the lower surface of the upper glass substrate 132
Has a common electrode extending in a direction substantially orthogonal to the signal electrode 133.
(Not shown) are formed and shared with the signal electrode 133.
A micro shutter 134 is formed at the intersection of the through electrodes.
You. Each micro-shutter 134 applies a predetermined drive signal to the common electrode.
Signal, and open the micro shutter 134 for each signal electrode 133.
By supplying an open / close drive signal for closing,
It is opened and closed separately. Next, returning to FIG. 11, the explanation will be continued.
A fluorescent lamp 112, which is a light source for irradiating light to the
Lamp case 113
In this space, air flows to cool the fluorescent lamp 112
It is configured as follows. The liquid crystal optical shutter 111 is accurately positioned
The positioning reference part of the head base 114 to be positioned
The imaging lens array 115 is also
Head base 114 to determine the positional relationship with the
Fixed in place. A drive circuit board 116 is provided on both sides of the lamp case 113.
The drive circuit is mounted on the drive circuit board 116.
The LCS drive LSI 117 which is SI is installed. Also drive times
The lower end of the surface of the circuit board 116 facing the lamp case 113
Conductive pattern drawn from the above LCS drive LSI 117
(Shown) is equal to the pitch of the signal electrodes 133.
It is formed of j. The conductive pattern of the drive circuit board 116 and the liquid crystal light shutter
Pitch with the signal electrode 133 of the
A flexible connector having a connection pattern formed of
They are connected by a film electrode connector 118. A common electrode drive signal is supplied above the lamp case 113
A drive circuit board 119 is provided for
On the circuit board 119, a logic level signal waveform is actually
To convert to a signal waveform of more than 20 volts applied to
Driver 120 is mounted and shared with the drive circuit board 119
The electrodes are connected by a connector (not shown). FIG. 13 is a partially enlarged view of the liquid crystal optical shutter 111.
Further, the liquid crystal optical shutter 11 along the line AA 'in FIG.
FIG. 14 is a sectional view of FIG. The signal electrode 133 is made of a transparent conductive material such as tin oxide or indium oxide.
It is composed of an electrical part 133a and a metal electrode 133b of chrome, gold or the like,
Similarly, the common electrode 135 has a transparent conductive portion 135a and a metal electrode 135b.
It is composed of The transparent conductive portions 133b and 135b face each other.
Micro-shutters 134 are formed in the
The micro-shutter 134 is opened and closed by the applied signal.
It is. Since each signal electrode 133 faces two common electrodes 135,
Two micro shutters 134 are formed on each signal electrode 133
Is done. This opens and closes each micro shutter 134
In order to reduce the number of drivers for
Because there is. Also, the micro shutter 135 does not open and close extremely fast.
Therefore, as the liquid crystal agent 136 shown in FIG. 14,
Liquid whose dielectric anisotropy is inverted according to the frequency of the applied electric field
Crystals (The frequency at which the dielectric anisotropy is zero is called the crossover frequency
And the crossing frequency and fcAbbreviation) and dichroic dyes
Compound, and the driving method is fcHigher frequency signal
Issue (hereinafter fHAbbreviated as) and fcLower frequency signal
(Hereinafter fLAbbreviated)) or fHAnd fLSignal combined with
A so-called dual frequency drive for driving the liquid crystal using
You. Next, FIG. 15 (a) shows the opening / closing control of the liquid crystal optical shutter 111.
The circuit configuration of the recording control unit 200 that performs optical writing by
FIG. In the figure, reference numerals 134-1 and 134-2 denote the microchassis.
135-1, 135-2 identical to the shutter 134
Is the same common electrode as the common electrode 135. As illustrated in FIG.
LCS drive signals PT1, PT2, timing signal DSEL, ▲
▼ is input to the LCS drive LSI 217 via the control bus CB. The LCS drive signals COM1 and COM2 are
Input terminal I of high voltage driver 220 shown in (b)
Ten, I11And the high voltage driver 220
Micro-shutter 135-shifted to a few volts
1, 135-2. Generates two pulses alternately
Clock signals ▲ ▼ and ▲ ▼
Output to the upper and lower LCS drive LSIs 217. Therefore, before
The video data transferred from the video interface unit 40
Data LTXD (from the first 1-bit data, starting with number 1)
Serial number).
{1,2}, {5,6}, {9,10}, ... bit data
{3,4}, {7,8}, {11,1
2} ... th bit data is transferred to the lower LCS drive LSI 217
input. Next, FIG. 16A shows a circuit configuration of the LCS driving LSI 217.
It is a block diagram showing composition. The shift register 301 receives the clock signal ▲
One line in synchronization with the rise of ▼ (▲ ▼)
Input video data LTXD. Shift register 301
Final output (Q1Output) is cascaded through buffer 302
Input to the next connected LCS drive LSI 217 (not shown).
You. The latch 303 is activated by the falling edge of the clock signal CK2.
One line of video data LTXD from shift register 301
And input the even-bit data (DTwo, DFour, ... D158, D
160) To the data delay control unit 304,
(D1, DThree, ... D157, D159A) the terminal of the multiplexer 305
A1~ A80Output to Multiplexer 305, FIG.
As shown in (b), A signal is input to A input by select signal DSEL.
Or B input, and select A input or B input
Select LCS drive signal PT1 or PT2 according to force value
Then terminal W1~ W80Output to higher voltage driver 306
I do. The high voltage driver 306 is used for input LCS drive
Level shift of signal PT1 or PT2 and Y1~ Y80Output
It is applied to the signal electrode 133 of the liquid crystal optical shutter 111. Next, the operation of the recording control unit 200 configured as described above
Will be described with reference to the timing chart of FIG.
You. The video interface unit 40 includes a ▲ shown in FIG.
While ▼ is at L level, video data is
Output LTXD. The LCS drive LSI 217 is
Clock signal output from the face unit ▲
Video data synchronized with falling of ▼, ▲ ▼
LTXD is input to the shift register 301. Video interface
Transfer of one line of video data LTXD from the face unit 40
Is completed, a pulse changes to ▲ ▼ as shown in FIG.
Is generated, and one line of video is generated at the falling edge of the pulse.
Data LTXD is transferred from shift register 301 to latch 303
The shift register 301 stores new video data LTXD.
Input is possible. Thus, one cycle TWOne line of video data between
LTXD is input to the shift register 301 of the LCS drive LSI 217.
You. Also, the odd bits of the video data LTXD received last time
Multiplies from latch 303 at the rise of ▲ ▼
Lexa 305 terminal A1~ A80To enter. Video Day
The even bit of LTXD is the same
Then, it is input to the data delay control unit 304. Data delay control
In the section 304, the flip-flop 304a
Video data LTXD
Is 2 cycles T for odd bitsWMinutes late multiplexer
Enter in 305. This is a zigzag array of micro shutters
And set the staggered pitch in the sub-scanning direction to 2.5 lines.
Because there is. In addition, as shown in FIG.WL in the first half of
Since the bell is at the H level in the latter half, the multiplexer 305
Is the period TWIn the first half of each of the odd bits of the video data LTXD
Select one of the LCS drive signals PT1 and PT2 according to the data.
Output to the high voltage driver 306,
Each micro shutter 234−
1, 234-2 is opened and closed to perform optical writing. To the common electrodes 135-1 and 135-2 of the liquid crystal optical shutter 111
Is the COM shown in the timing chart of Fig. 9.
1, COM2 is applied via high voltage driver 220
It is. When PTSEL is L, the LCS drive signal PT1 is LCS closed.
Signal, PT2 is an open signal of LCS, and the bit of video data LTXD is
When the trigger data is “1”, PT1 is applied to the signal electrode 233,
When the selected micro shutter 234-1 or 234-2 is closed
No optical writing is performed, and when “0”, PT2
Is applied and the selected micro shutter 234-1 or 2
34-2 is opened and optical writing is performed. Therefore,
In the case of the image method, the bit data of the video data LTXD is “1”
If, black dots are formed, and if "0", white dots are formed.
It is formed. Period TWIn the latter half of the video
The same operation as the first half is performed by the even-bit data of data LTXD.
Optical writing is performed depending on the operation. As can be seen from the above description, in the present embodiment, the memory 1
Data select to stored macro code MAC (x)
Clock signal φ3By adding
Generates an address signal DADR for memory 2 and outputs the address signal DADR.
Macro data DDATA specified by the dress signal DADR
2, a readout waveform is generated. Clock signal φ3
Takes one of two values, “0” or “1”.
Macro data of 2 words by decoding the macro code MAC (x)
Data DDATA (4 × 2 bits) is read from memory 2
You. Therefore, decoding n macrocodes MAC (x)
The memory capacity M0 required to perform the operation is as follows: M0 = 4 bits × 2 words × n [bits] (1.1) The memory 2 is composed of n = 16 macros stored in the memory 1.
Since the code MAC (x) is decoded, the capacity M of the memory 2 is
2 is M2 = 4 × 2 × 16 = 128 [bits] (1.2) according to the equation (1.1).
When configured, about 800 gates for static RAM, pseudo
Static RAM can be configured with about 500 gates. By decoding one macro code MAC (x),
Lock signal φ32-word macro data DDAT in synchronization with
A is read and each bit of macro data DDATA is driven by LCS
The waveforms of the signals PT1, PT2, COM1, and COM2 are generated. At this time, 1
Takes two values, “0” or “1”, so two consecutive words
2 × 2 = 4 types depending on each bit of macro data DDATA
Kind of waveform is generated. That is, (“1”, “1”),
(“0”, “0”), (“1”, “0”), (“0”, “1”)
Kind. These waveforms are shown in FIG.
Element fL, * fL, High frequency element fH, * fHIs defined. Therefore, LC
Combination of S drive signals PT1, PT2, COM1, COM2 is 4 × 4 × 4 ×
4 = 256 ways, however, actually LCS micro
The voltage waveform applied to the shutter is PT1-COM1, PT1-COM
1.Because the voltage difference between PT2-COM1 and PT2-COM2,
256 ÷ as the type of voltage waveform applied to the black shutter
2 = 128 types are conceivable. But actually there are 10 ways
The combination is sufficient, and the capacity of the memory 2 may be M0 = 4 × 2 × 10 = 80 [bits] (1.3). The LCS drive waveform COM shown in FIGS. 8A and 9 described above.
1, COM2, PT1, PT2 are 6 waveform sets and 8 waveform sets respectively.
It is a combination. Fig. 8 because the capacity of memory 2 is 32 words
In order to obtain the LCS drive waveform shown in (a), the memories 1 and 2
The data shown in FIGS. 8 (c) and (b) are stored, respectively.
I have. As can be seen from FIG.
Has eight types of macro codes MAC (0) = "13", MAC
(1) = "15", MAC (2) = "12", MAC (3) = "1"
4 ", MAC (4) =" 9 ", MAC (5) =" 8 ", MAC (6) = M
AC (7) = "7", MAC (8) = MAC (9) = MAC (10) = M
AC (11) = MAC (12) = MAC (13) = MAC (14) = MAC (1
5) = "6" is stored. Eight combinations of waveforms
The capacity of the memory 2 of the minimum configuration for obtaining the data is 16 words (=
2 words × 8), but in this embodiment, the contents of the memories 1 and 2 are used.
Since the amount is 32 words, they are shown in Fig. 8 (c) and (b) respectively.
The data was stored as follows. The number of steps ST (X) L, ST (x) H,
Black code MAC (x), MAC (x + 1),
Chromadata DDATA are both external microprocessors.
Drive with an infinite number of combinations
Waveform can be obtained. Therefore, the liquid crystal in the recording device
Improve and change LCS liquid crystal materials used in headers quickly
Can be handled. In addition, the LCS panel is heated to around 40-60 ° C due to electro-optical characteristics.
It is desirable to use it while keeping it warm.
Power on when using LCS panel as optical shutter
Sometimes the light source is turned on to warm up and the light
To help heat the LCS panel with the radiant heat of the source
I have. At this time, the LCS is not
Marie-off type (Micro shutter is normally closed)
There is no problem if it is twisted, but the polarizing plate is arranged in crossed Nicols
Normally on, such as tonematic and birefringent
When the shape (usually the micro shutter is open)
Light passes through the LCS and irradiates the photoreceptor.
Will deteriorate. For this reason, the photoconductor is rotated
I try to prevent my body from deteriorating. In such a case,
Completely shutter each normally-on type LCS micro shutter
A special drive waveform that turns off (closes)
Application to the photoconductor drum to rotate the photoreceptor drum.
It is no longer necessary. In addition, the LCS micro shutter is opened by two-frequency drive.
When performing close control, the high-frequency signal fHFrequency is a number + KHz ~
Due to the high frequency of several hundred KHz, the electrodes of the LCS panel
Heat is seen, but in anticipation of this, LCS panel
To prevent the temperature from rising above the appropriate temperature (40 ° C to 60 ° C).
Special drive for LCS micro shutter at warm-up
Add waveforms to ensure that the LCS panel is stable at the proper temperature.
Is desirable. In this way, normal use such as during warm-up
Special drive waveforms for LCS under different conditions
When applying to the micro shutter, the conventional waveform generator
Then it was necessary to increase the capacity of ROM2. However, in the present invention
Is the number of steps ST (x) H, MAC stored in the memory 1.
(X), MAC (x + 1) and the MAC stored in the memory 2
Warm-up because rewriting of data DDATA is possible
The contents of the macro data DDATA between time and use
Special drive without increasing memory capacity
Waveforms can be generated. In this embodiment, RAMs are used for the memories 1 and 2.
(Electrical Erasable Programable Read Only Memor
y) may be used. Also, when using EEPROM,
There is an advantage that the process of writing data to the memory becomes unnecessary. [Effect of the Invention] As described above, according to the present invention, a waveform is generated.
Since the decoder is composed of rewritable memory,
The following effects are obtained. a. Almost infinite combinations of waveforms can be obtained. b. Data in memory can be rewritten by external control
Liquid crystal material when used to generate LCS drive waveforms
Quickly respond to changes in drive waveforms due to improvements and changes in
Maintenance becomes easier. c. Recording device that performs optical writing with normally-on type LCS
When used to generate LCS drive waveforms for
To close the LCS micro shutter
B) By adding to the shutter,
The photoconductor is rotated when the light source assists the heating of the LCS panel.
There is no need to perform this, and control is simplified. Also, the photoconductor
Deterioration can also be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図(a)〜(c)は、本発明の実施例の回路構成を
示すブロック図、 第2図(a),(b)は、データセレクタ13の回路構成
図、 第3図は、データセレクタ15,16の回路構成図、 第4図(a)は、本実施例のメモリ1に格納されたデー
タの形式を示す図、 第4図(b)は、1フレームのデータ構成を示す図、 第4図(c)は、メモリ1に格納されたデータの具体例
を示す図、 第4図(d)は、メモリ2に格納されたデータの具体例
を示す図、 第5図、第6図は、本実施例の動作を示すタイミングチ
ャート、 第7図(a)は、マクロデータDDATAにより生成されるL
CS駆動信号PT1,PT2,COM1,COM2の波形を示す図、 第7図(b)は、上記LCS駆動信号COM1,COM2,PT1,PT2に
よりLCSのマイクロシャッタに印加される電圧波形を示
す図、 第8図(a)は、本実施例により生成されるLCS駆動波
形の具体例を示す図、 第8図(b),(c)は、それぞれ上記LCS駆動波形を
生成するためにメモリ2、メモリ2に格納されるデータ
の内容を示す図、 第9図は、本実施例の一周期TWの動作を示すタイミング
シャッタ、 第10図は、記録装置100の概略構成図、 第11図は、光記録ヘッド103の断面図、 第12図は、液晶光シャッタ111の構成を示す斜視図、 第13図は、液晶光シャッタ111の部分拡大図、 第14図は、液晶光シャッタ111の断面図、 第15図(a)は、記録制御部200の回路構成を示すブロ
ック図、 第15図(b)は、ハイボルテージ・ドライバ220の回路
構成図、 第16図(a)は、LCS駆動LSI217の回路構成を示すブロ
ック図、 第16図(b)は、マルチプレクサ305の回路構成図、 第17図は、従来のLCS駆動信号生成回路の回路構成を示
すブロック図、 第18図(a)は、上記LCS駆動信号生成回路の回路構成
を示すブロック図、 第18図(b)は、ROM402に格納されているDSTATUS内容
を示す図である。 1,2……メモリ、 3……アップカウンタ、 4−1,4−2、4−3、4−4、18……ラッチ、 5,13,15,16……データセレクタ、 6……データセレクタ部、 7,19……ナンドゲート、 9……デコーダ、 10……ダウンカウンタ、 12,14,17……フリップフロップ、 21……インバータ、 8,11……アンドゲート.
1 (a) to 1 (c) are block diagrams showing a circuit configuration of an embodiment of the present invention, FIGS. 2 (a) and 2 (b) are circuit configuration diagrams of a data selector 13, and FIG. FIG. 4A is a diagram showing a format of data stored in the memory 1 of the present embodiment, and FIG. 4B is a diagram showing a data configuration of one frame. FIG. 4 (c) is a diagram showing a specific example of data stored in the memory 1, FIG. 4 (d) is a diagram showing a specific example of data stored in the memory 2, FIG. FIG. 6 is a timing chart showing the operation of the present embodiment, and FIG. 7 (a) is a timing chart showing L generated by the macro data DDATA.
FIG. 7B is a diagram showing waveforms of the CS drive signals PT1, PT2, COM1, and COM2. FIG. 7B is a diagram showing voltage waveforms applied to the micro shutter of the LCS by the LCS drive signals COM1, COM2, PT1, and PT2. FIG. 8A is a diagram showing a specific example of an LCS drive waveform generated according to the present embodiment. FIGS. 8B and 8C are diagrams each showing a memory 2 for generating the LCS drive waveform. diagram showing the contents of data stored in the memory 2, FIG. 9 is a timing shutter illustrating the operation of one cycle T W of the present embodiment, FIG. 10 is a schematic structural view of a recording apparatus 100, FIG. 11 12, a cross-sectional view of the optical recording head 103, FIG. 12 is a perspective view showing the configuration of the liquid crystal optical shutter 111, FIG. 13 is a partially enlarged view of the liquid crystal optical shutter 111, and FIG. FIG. 15 (a) is a block diagram showing a circuit configuration of the recording control unit 200, and FIG. 15 (b) is a high voltage driver 220. 16 (a) is a block diagram showing a circuit configuration of the LCS drive LSI 217, FIG. 16 (b) is a circuit configuration diagram of the multiplexer 305, and FIG. 17 is a conventional LCS drive signal generation FIG. 18 (a) is a block diagram showing a circuit configuration of the LCS drive signal generation circuit, and FIG. 18 (b) is a diagram showing DSTATUS contents stored in a ROM 402. It is. 1,2 ... Memory, 3 ... Up counter, 4-1,4-2, 4-3, 4-4, 18 ... Latch, 5,13,15,16 ... Data selector, 6 ... Data Selector section, 7,19 ... Nand gate, 9 ... Decoder, 10 ... Down counter, 12,14,17 ... Flip-flop, 21 ... Inverter, 8,11 ... And gate.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03K 5/156 H04N 5/66 102 H04N 5/66 102 Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number in the agency FI Technical display location H03K 5/156 H04N 5/66 102 H04N 5/66 102

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】アドレス発生手段と、 波形を指定するコードデータと、該コードデータの展開
ステップ数を指定するステップデータを1フレームのデ
ータとして複数フレームのデータを記憶し前記アドレス
発生手段の発生したアドレスに応じて前記1フレームの
データを出力する第1の記憶手段と、 前記コードデータと生成すべき波形の基本周波数信号と
から作成されるアドレスまたは前記アドレス発生手段の
発生するアドレスの一方を選択して出力する選択手段
と、 該選択手段の出力が入力され波形データを出力する書き
換え可能な第2の記憶手段と、 前記第1の記憶手段から出力される前記ステップデータ
を基に1フレームの期間を計測し計測値に応じて前記ア
ドレス発生手段に次の1フレームのデータの出力を指示
する計測手段とを具備することを特徴とする波形生成装
置。
An address generating means, code data for specifying a waveform, and step data for specifying the number of development steps of the code data are stored as data of one frame, and data of a plurality of frames are stored. First storage means for outputting the data of the one frame in accordance with an address, and selecting one of an address generated from the code data and a fundamental frequency signal of a waveform to be generated or an address generated by the address generation means A rewritable second storage unit to which the output of the selection unit is input and outputs waveform data; and a frame of one frame based on the step data output from the first storage unit. Measuring means for measuring a period and instructing the address generating means to output data of the next one frame in accordance with the measured value. A waveform generating apparatus comprising:
【請求項2】前記第2の記憶手段は、RAMであることを
特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載の波形生成装
置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein said second storage means is a RAM.
【請求項3】前記第2の記憶手段は、EEPROMであること
を特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載の波形生成
装置。
3. The waveform generator according to claim 1, wherein said second storage means is an EEPROM.
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