JP2637974B2 - Microwave band variable attenuator - Google Patents

Microwave band variable attenuator

Info

Publication number
JP2637974B2
JP2637974B2 JP62091029A JP9102987A JP2637974B2 JP 2637974 B2 JP2637974 B2 JP 2637974B2 JP 62091029 A JP62091029 A JP 62091029A JP 9102987 A JP9102987 A JP 9102987A JP 2637974 B2 JP2637974 B2 JP 2637974B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
variable attenuator
diodes
line
balun
coplanar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62091029A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS63257303A (en
Inventor
勲夫 泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP62091029A priority Critical patent/JP2637974B2/en
Publication of JPS63257303A publication Critical patent/JPS63257303A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2637974B2 publication Critical patent/JP2637974B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Attenuators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイオードを用いたマイクロ波帯可変減衰器
に関し、特に高い周波数でも広帯域特性が得られかつ小
型に構成できるバランス形可変減衰器に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave variable attenuator using a diode, and more particularly to a balanced variable attenuator capable of obtaining a wideband characteristic even at a high frequency and having a small size.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、ピンダイオードを用いたマイクロ波帯可変減衰
器が提案されており、その一例を第4図(a)及び
(b)に示す。第4図(a)は平面構成図、同図(b)
は側断面図である。これらの図において、11はストリッ
プラインであり、誘電体基板15上に構成され、かつこれ
と並列にピンダイオード12が接続されている。また、13
は接地のためのスルーホールボンディング、14はピンダ
イオード12にバイアス電圧を印加するためのバイアス線
路である。なお、上記したスルーホールボンディング13
はサイドボンディングで構成されることもある。
Conventionally, a microwave band variable attenuator using a pin diode has been proposed, an example of which is shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). FIG. 4 (a) is a plan view and FIG. 4 (b)
Is a side sectional view. In these figures, reference numeral 11 denotes a strip line, which is formed on a dielectric substrate 15, and to which a pin diode 12 is connected in parallel. Also, 13
Is a through-hole bonding for grounding, and 14 is a bias line for applying a bias voltage to the pin diode 12. In addition, the above-mentioned through-hole bonding 13
May be configured by side bonding.

この可変減衰器では、ピンダイオード12は通電電流に
より抵抗値が変化するため、バイアス線路14からの電圧
を制御してピンダイオードの抵抗値を制御することによ
り、可変減衰器として動作する。
In this variable attenuator, since the resistance value of the pin diode 12 changes due to the flowing current, the pin diode 12 operates as a variable attenuator by controlling the voltage from the bias line 14 to control the resistance value of the pin diode.

また、他の例として、第7図に示すように、梯子形3d
Bブランチライン結合器を用いたバランス形可変減衰器
も提案されている。即ち、梯子形3dBブランチライン結
合器21にピンダイオード22,23を接続し、更にバイアス
線路24を接続しており、このバイアス線路24に印加され
る電圧により、ピンダイオード22,23の抵抗値を変化さ
せ、入力ポートからの信号を減衰させて可変減衰器とし
て動作させている。
As another example, as shown in FIG.
A balanced variable attenuator using a B branch line coupler has also been proposed. That is, pin diodes 22 and 23 are connected to the ladder-shaped 3 dB branch line coupler 21, and a bias line 24 is further connected.The voltage applied to the bias line 24 reduces the resistance of the pin diodes 22 and 23. By changing it, the signal from the input port is attenuated and operated as a variable attenuator.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

上述した従来の可変減衰器の中、前者の構成において
は、接地のためのスルーホールボンディング13構造は、
低い周波数帯においては近似的に完全接地と考えてよい
が、周波数が高くなると誘導性リアクタンスとして動作
する。このため、第5図の等価回路に示すように抵抗体
17に誘導性リアクタンス16が直列に接続されたことにな
り、この結果第6図に示すように周波数特性が劣化し、
広帯域な特性が得られないという問題がある。
Among the conventional variable attenuators described above, in the former configuration, the through-hole bonding 13 structure for grounding is:
In a low frequency band, it may be considered that the ground is completely grounded. Therefore, as shown in the equivalent circuit of FIG.
As a result, the inductive reactance 16 is connected in series to 17, and as a result, the frequency characteristic deteriorates as shown in FIG.
There is a problem that broadband characteristics cannot be obtained.

また、後者の可変減衰器では、上記したような問題の
発生は少ないが、梯子型3dBブランチライン結合器を用
いているために回路の寸法が大きくなるという問題があ
る。
In the latter variable attenuator, the above-mentioned problems are less likely to occur, but there is a problem that the size of the circuit becomes large because a ladder-type 3 dB branch line coupler is used.

本発明は周波数特性を改善するとともに回路の小型化
を達成することができるマイクロ波帯可変減衰器を提供
することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a microwave variable attenuator capable of improving frequency characteristics and achieving downsizing of a circuit.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明のマイクロ波帯可変減衰器は、1/4波長3線条
コプレーナバランと、このコプレーナバランの不平衡端
に接続された入力端と、前記コプレーナバランの平衡端
に一端部が接続されてそれぞれの線路長がλ/2異なる一
対のストリップ線路と、これらストリップ線路の他端部
において互いに対向するように接続された一対のダイオ
ードと、これらダイオードの接続端に一端部が接続さ
れ、他端部が出力端として構成されて前記各ダイオード
に制御電圧を印加するバイアスラインとを備え、前記入
力端に入力された信号を前記制御電圧に応じて減衰させ
た上でこれらを合成して前記出力端から出力信号を得る
ように構成している。
A microwave band variable attenuator according to the present invention includes a quarter-wavelength three-wire coplanar balun, an input terminal connected to an unbalanced end of the coplanar balun, and one end connected to the balanced end of the coplanar balun. A pair of strip lines having different line lengths of λ / 2, a pair of diodes connected to each other at the other ends of the strip lines, and one end connected to a connection end of these diodes, A bias line configured to apply a control voltage to each of the diodes, the signal being input to the input terminal is attenuated in accordance with the control voltage, and these are combined to produce the output. The output signal is obtained from the end.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例であり、第1図(a)にお
いて、1は1/4波長の3線条コプレーナバランを用い不
平衡−平衡バランであり、第1図(b)にAA線に沿う断
面構造を示すように、その裏面の接地導体6に点線で示
す空間領域6aを形成してコプレーナバランを構成してい
る。このコプレーナバラン1の平衡端には、ストリップ
線路4a,4bを接続しており、これらストリップ線路は、
ここではストリップ線路4bの線路長をストリップ線路4a
よりもλ/2長く設定している。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. In FIG. 1 (a), reference numeral 1 denotes an unbalanced-balanced balun using a 線 wavelength three-wire coplanar balun. A coplanar balun is formed by forming a space region 6a indicated by a dotted line in the ground conductor 6 on the back surface so as to show a cross-sectional structure along the line AA. Strip lines 4a and 4b are connected to the balanced end of the coplanar balun 1, and these strip lines are
Here, the line length of the strip line 4b is set to the strip line 4a.
Is set longer than λ / 2.

更に、前記ストリップ線路4a,4bにはピンダイオード
2,3を対向するように接続しており、かつこれらピンダ
イオード2,3間にはDCバイアスライン5を接続してい
る。
Furthermore, a pin diode is connected to the strip lines 4a and 4b.
2, 3 are connected to face each other, and a DC bias line 5 is connected between these pin diodes 2, 3.

このような回路における可変減衰器としての動作を次
に示す。
The operation of such a circuit as a variable attenuator will be described below.

入力ポートより入力された信号は、コプレーナバラン
1で不平衡−平衡変換され、互いに等振幅逆位相の信号
に2分された後、夫々ストリップ線路4a,4bを通ってピ
ンダイオード2,3に印加される。この際、ストリップ線
路4bはストリップ線路4aよりλ/2長いため、ピンダイオ
ード2,3には等振幅、等位相で印加される。また、ピン
ダイオード2,3には、バイアスライン5を介してバイア
ス電圧が印加されているため、電圧に比例してピンダイ
オードの抵抗値が変化し、入力RF信号は減衰されかつ各
ダイオード2,3の出力が合成されて出力信号として取出
される。この等価回路を第2図に示す。
The signal input from the input port is unbalanced-balanced converted by the coplanar balun 1 and divided into two signals having the same amplitude and opposite phases, and then applied to the pin diodes 2 and 3 through the strip lines 4a and 4b, respectively. Is done. At this time, since the strip line 4b is longer than the strip line 4a by λ / 2, the strip diodes 4 and 3 are applied to the pin diodes 2 and 3 with the same amplitude and the same phase. Also, since a bias voltage is applied to the pin diodes 2 and 3 via the bias line 5, the resistance value of the pin diodes changes in proportion to the voltage, the input RF signal is attenuated, and The three outputs are combined and extracted as an output signal. This equivalent circuit is shown in FIG.

したがって、この可変減衰器は平衡モードで動作し、
接地電流は流れないため、RF接地のためのスルーホール
ボンディング或いはサイドボンディングによる高周波帯
での特性劣化が生じることもなく、第3図にその周波数
特性を示すように、広帯域な特性を有する。更にコプレ
ーナバランを使用しているため、従来の梯子形3dBブラ
ンチライン結合器を用いたバランス形可変減衰器に比
し、小型に構成できる。
Therefore, this variable attenuator operates in balanced mode,
Since the ground current does not flow, the characteristics do not deteriorate in a high frequency band due to through-hole bonding or side bonding for RF grounding, and have a wide band characteristic as shown in FIG. Further, since a coplanar balun is used, the size can be reduced compared to a balanced variable attenuator using a conventional ladder type 3 dB branch line coupler.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明は、1/4波長3線条コプレ
ーナバランにλ/2波長異なるストリップ線路を介してダ
イオードを接続し、これら各ダイオードに制御電圧を印
加して信号を制御電圧に応じて減衰させかつこれらを合
成して出力信号に得るように構成しているので、平衡モ
ードで動作するために接地電流が流れず高周波帯での特
性劣化がなく、しかも梯子型結合器を使用しないために
小型に構成できるという効果がある。
As described above, according to the present invention, diodes are connected to quarter-wavelength three-wire coplanar baluns via strip lines having different wavelengths of λ / 2, and a control voltage is applied to each of these diodes to change a signal according to the control voltage. Since it is configured to attenuate and combine these to obtain an output signal, it operates in balanced mode, so that ground current does not flow, there is no deterioration in characteristics in the high frequency band, and no ladder type coupler is used Therefore, there is an effect that it can be made compact.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す図で、同図(a)は平
面構成図、同図(b)は(a)図のAA線断面図、第2図
は第1図の構成の等価回路図、第3図はその周波数特性
図、第4図は従来構造を示す図で、同図(a)はその平
面構成図、同図(b)はその側断面図、第5図は第4図
の構成の等価回路図、第6図はその周波数特性図、第7
図は従来の他の構成の平面構成図である。 1……コプレーナバラン、2,3……ピンダイオード、4a,
4b……ストリップ線路、5……DCバイアスライン、6…
…外部導体、6a……空間領域、11……ストリップライ
ン、12……ピンダイオード、13……スルーホールボンデ
ィング、14……バイアス線路、15……誘電体基板、16…
…誘導性リアクタンス、17……抵抗、21……梯子型3dB
ブランチライン結合器、22,23……ピンダイオード、24
……バイアス線路。
FIG. 1 is a view showing an embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a plan view, FIG. 1 (b) is a sectional view taken along line AA of FIG. 1 (a), and FIG. 3, FIG. 3 is a diagram showing the frequency characteristic thereof, FIG. 4 is a diagram showing a conventional structure, FIG. 5 (a) is a plan view, FIG. 3 (b) is a side sectional view, and FIG. Is an equivalent circuit diagram of the configuration of FIG. 4, FIG. 6 is a frequency characteristic diagram thereof, and FIG.
The figure is a plan view of another conventional configuration. 1 ... coplanar balun, 2,3 ... pin diode, 4a,
4b: Strip line, 5: DC bias line, 6 ...
... outer conductor, 6a ... space area, 11 ... strip line, 12 ... pin diode, 13 ... through-hole bonding, 14 ... bias line, 15 ... dielectric substrate, 16 ...
... Inductive reactance, 17 ... Resistance, 21 ... Ladder type 3dB
Branch line coupler, 22, 23 ... Pin diode, 24
…… Bias line.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】1/4波長3線条コプレーナバランと、この
コプレーナバランの不平衡端に接続された入力端と、前
記コプレーナバランの平衡端に一端部が接続されてそれ
ぞれの線路長がλ/2異なる一対のストリップ線路と、こ
れらストリップ線路の他端部において互いに対向するよ
うに接続された一対のダイオードと、これらダイオード
の接続端に一端部が接続され、他端部が出力端として構
成されて前記各ダイオードに制御電圧を印加するバイア
スラインとを備え、前記入力端に入力された信号を前記
制御電圧に応じて減衰させた上でこれらを合成して前記
出力端から出力信号を得るように構成したことを特徴と
するマイクロ波帯可変減衰器。
A coplanar balun having a quarter-wavelength, an input terminal connected to an unbalanced end of the coplanar balun, and one end connected to the balanced end of the coplanar balun and having a line length of λ. A pair of different strip lines, a pair of diodes connected to each other at the other end of these strip lines, one end is connected to the connection end of these diodes, and the other end is configured as an output end And a bias line for applying a control voltage to each of the diodes, attenuating a signal input to the input terminal according to the control voltage, and combining them to obtain an output signal from the output terminal. A microwave variable attenuator characterized by having such a configuration.
JP62091029A 1987-04-15 1987-04-15 Microwave band variable attenuator Expired - Lifetime JP2637974B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62091029A JP2637974B2 (en) 1987-04-15 1987-04-15 Microwave band variable attenuator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62091029A JP2637974B2 (en) 1987-04-15 1987-04-15 Microwave band variable attenuator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63257303A JPS63257303A (en) 1988-10-25
JP2637974B2 true JP2637974B2 (en) 1997-08-06

Family

ID=14015094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62091029A Expired - Lifetime JP2637974B2 (en) 1987-04-15 1987-04-15 Microwave band variable attenuator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2637974B2 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5354445A (en) * 1976-10-28 1978-05-17 Fujitsu Ltd In-phase hybrid having 90°-phase shifter added
JPS58104515A (en) * 1981-12-17 1983-06-22 Clarion Co Ltd Diode variable attenuation circuit
JPS59134901A (en) * 1983-01-24 1984-08-02 Nec Corp Microwave balun

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63257303A (en) 1988-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3516024A (en) Interdigitated strip line coupler
US3939430A (en) Integrated circuit, image and sum enhanced balanced mixer
US4311966A (en) Distributed amplifier for microwave frequencies
US3958193A (en) Tapered septum waveguide transducer
JPH0815241B2 (en) Microwave variable attenuator
US4288766A (en) Microwave circuit
JPS6053921B2 (en) Strip line phase shifter
JP2637974B2 (en) Microwave band variable attenuator
US4825177A (en) Microwave amplifier and other microwave components
JPH0767042B2 (en) Branch circuit
JP2003101313A (en) 180° hybrid directional coupler and balanced mixer
JP3521866B2 (en) Power distributor
JPS6242403B2 (en)
JP2002135014A (en) Branch circuit, high-pass filter, and branching filter
JPH0540561Y2 (en)
JP3170334B2 (en) High frequency transformer and mixer using the same
JP2621652B2 (en) Directional coupler and detection circuit
JPS61172403A (en) Reflection type variable attenuator
JPS60173901A (en) Diode line switching device
JPS6224963Y2 (en)
JPS6359606B2 (en)
JPH0375085B2 (en)
JPS585009A (en) Single mixer
JPS61147601A (en) Broad band dummy load for large power
JPS62254503A (en) Millimeter wave attenuator