JP2636261B2 - Photoconductor - Google Patents

Photoconductor

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JP2636261B2
JP2636261B2 JP24234087A JP24234087A JP2636261B2 JP 2636261 B2 JP2636261 B2 JP 2636261B2 JP 24234087 A JP24234087 A JP 24234087A JP 24234087 A JP24234087 A JP 24234087A JP 2636261 B2 JP2636261 B2 JP 2636261B2
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photoreceptor
selenium
layer
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gas
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以清 大澤
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Minolta Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、表面保護層を設けた感光体に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photoconductor provided with a surface protective layer.

従来の技術 電子写真感光体としてアモルファスセレン感光体はよ
く知られており、その耐熱性、分光感度、暗減衰等にお
ける欠点については、セレン層に砒素を添加したり、ま
た、セレン層の上にセレンテルル合金層を設けた積層構
成とすることにより改良がなされている。
2. Description of the Related Art Amorphous selenium photoreceptor is well known as an electrophotographic photoreceptor, and its disadvantages in heat resistance, spectral sensitivity, dark decay and the like are described below. Improvements have been made by adopting a laminated structure provided with a selentellurium alloy layer.

そして通常の複写機で必要とされる比視感度域におい
てはセレン砒素合金感光体が他の総ての感光体より高感
度であり、また半導体レーザー光を光源としたプリンタ
で必要とされる長波長感度域においてはセレンとセレン
テルル合金をこの順に設けた積層構成よりなる感光体が
最も高感度な感光体の一つであることが知られている。
The selenium-arsenic alloy photoreceptor is more sensitive than all other photoreceptors in the relative luminosity range required by ordinary copiers, and the length required by printers using semiconductor laser light as a light source. In the wavelength sensitivity region, it is known that a photosensitive member having a laminated structure in which selenium and a selenium-tellurium alloy are provided in this order is one of the photosensitive members having the highest sensitivity.

しかし、そのような感光体でも繰り返し使用すると画
像欠陥、白スジ等の問題が発生する。これは、セレン砒
素、セレンテルル合金がJIS−K−5400規格鉛筆硬度に
しておよそH程度と柔らかいため、繰り返し使用におけ
る転写紙、クリーニング部材、現像剤等との摩耗により
感光体表面が削れたり、傷付いたりするためである。ま
た、ペーパージャム時およびその復帰の際の人為的操作
等による苛酷な表面接触もその一因となる。
However, repeated use of such a photoreceptor causes problems such as image defects and white stripes. This is because selenium arsenide and selenium tellurium alloy are as soft as about H in pencil hardness of JIS-K-5400 standard, and the photoreceptor surface is scraped or scratched due to abrasion with transfer paper, cleaning member, developer, etc. in repeated use. It is to stick. Severe surface contact caused by manual operation at the time of paper jam and recovery from paper jam also contributes to this.

また、セレン金属は有毒であるため、削り取られたセ
レンあるいは砒素、または複写機内の熱により気化した
セレン、砒素等の金属が人体に与える影響も懸念され
る。
In addition, since selenium metal is toxic, there is a concern that the metal such as selenium or arsenic that has been scraped off, or selenium or arsenic vaporized by heat in a copying machine may affect the human body.

そこで、感光体の表面に保護層を設け上記問題点を解
消する試みが提案されているが、表面保護層にとって基
本的に重要なことは、表面保護層を設けることにより感
光体特性の低下を招かず、使用により膜剥離が生じない
ことである。
Therefore, an attempt to solve the above problem by providing a protective layer on the surface of the photoreceptor has been proposed, but what is fundamentally important for the surface protective layer is that the provision of the surface protective layer reduces the deterioration of the photoreceptor characteristics. The use does not cause peeling of the film.

特開昭60−61761号公報に記載の技術は感光活性層の
表面に、ダイヤモンド状炭素膜を被覆した感光体を開示
している。
The technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 60-61761 discloses a photoreceptor in which the surface of a photosensitive active layer is coated with a diamond-like carbon film.

しかし、上記記載の感光体は表面電位安定性が悪く、
画像濃度低下が発生しやすいという欠点が存在する。さ
らに、上記公報はアモルファスシリコンを感光活性層と
する開示であり、セレン系感光層に応用しようとすると
帯電能の低下および接着性の低下を招くという欠点が存
在する。
However, the photoreceptor described above has poor surface potential stability,
There is a disadvantage that the image density tends to decrease. Further, the above publication discloses that amorphous silicon is used as a photosensitive active layer, and there is a drawback that when it is applied to a selenium-based photosensitive layer, charging ability and adhesiveness are reduced.

特開昭53−23636号公報および特開昭53−111734号公
報に記載の技術はセレン系感光層上に、特定のケイ素化
合物を塗布して硬化させた絶縁層を設けた感光体を開示
している。
The techniques described in JP-A-53-23636 and JP-A-53-111734 disclose a photoreceptor in which a specific silicon compound is coated on a selenium-based photosensitive layer and cured to form an insulating layer. ing.

しかし上記記載の感光体は表面硬度が低いため感光体
表面が傷付きやすいという欠点が存在する。
However, the above-described photoreceptor has a disadvantage that the surface of the photoreceptor is easily damaged due to low surface hardness.

特開昭59−58437号公報に記載の技術はセレンを含む
感光層上に、SiとNまたはSiとOとの化合物を主体とす
る保護層を設けた感光体を開示している。しかし、上記
記載の感光体は耐湿性が悪く、画像流れが発生しやすい
という欠点が存在する。
The technique described in JP-A-59-58437 discloses a photoconductor in which a protective layer mainly composed of a compound of Si and N or Si and O is provided on a photosensitive layer containing selenium. However, the above-described photoreceptor has a drawback that it has poor moisture resistance and easily causes image deletion.

発明が解決しようとする問題点 従って、セレン砒素合金単層構成あるいはセレンとセ
レンテルル合金をこの順に設けた積層構成よりなる感光
体は、その表面が柔らかく傷が付きやすく、また、長期
間使用しても画像流れ等の発生しない有効な保護膜は存
在しない。
Therefore, the photoreceptor having a single-layer structure of a selenium-arsenic alloy or a laminated structure in which selenium and a selenium-tellurium alloy are provided in this order has a soft surface and is easily scratched. Also, there is no effective protective film that does not cause image deletion or the like.

そこで、本発明の第一の目的は、膜剥離の生じない表
面保護層を提供することである。
Therefore, a first object of the present invention is to provide a surface protective layer that does not cause film peeling.

本発明の他の目的は、繰り返し使用しても感光体表面
に傷が付かず、かつ表面電位安定性に優れた感光体を提
供することにある。
Another object of the present invention is to provide a photoreceptor that does not damage the surface of the photoreceptor even when used repeatedly and has excellent surface potential stability.

本発明のさらなる目的は、帯電能の低下および接着性
の低下を伴わない保護膜を有する感光体を提供すること
にある。
It is a further object of the present invention to provide a photoreceptor having a protective film without lowering the charging ability and the adhesiveness.

問題点を解決するための手段 本発明は、導電性基板上にセレン−砒素合金の単層ま
たはセレンとセレンテルル合金をこの順に設けた積層構
成よりなる感光体において、該感光体の表面に樹脂層お
よび該樹脂層上にグロー放電プラズマ重合法により生成
された非晶質炭化水素膜(a−C膜)からなる最表面層
の2層からなる表面保護層を有することを特徴とする感
光体に関する。
Means for Solving the Problems The present invention relates to a photoreceptor having a single layer of a selenium-arsenic alloy or a laminated structure in which selenium and a selenium tellurium alloy are provided in this order on a conductive substrate. And a photoreceptor characterized by having a surface protective layer composed of two outermost layers composed of an amorphous hydrocarbon film (a-C film) formed by a glow discharge plasma polymerization method on the resin layer. .

第1図は、本発明感光体の構成例を示したもので、導
電性基板(3)上に、感光層(2)、および樹脂層(1
b)および非晶質炭化水素膜(以下、「a−C膜」とい
う)よりなる最表面層(1a)からなる表面保護層(4)
が順次積層される。
FIG. 1 shows an example of the structure of the photoreceptor of the present invention, in which a photosensitive layer (2) and a resin layer (1) are formed on a conductive substrate (3).
b) and a surface protective layer (4) composed of an outermost surface layer (1a) composed of an amorphous hydrocarbon film (hereinafter referred to as "a-C film")
Are sequentially laminated.

導電性基板(3)は少なくとも最表面が導電性を有す
る素材であればよく、また、形状も円筒形、可撓性ベル
ト状、平板状等、任意の形態を採ることができる。
The conductive substrate (3) may be a material having at least the outermost surface having conductivity, and may have any shape such as a cylindrical shape, a flexible belt shape, and a flat plate shape.

感光層(2)はそれ自体公知のセレン砒素単層または
セレン層とセレンテルル合金を基板(3)上に順次積層
したものである。
The photosensitive layer (2) is a single layer of selenium arsenide or a selenium layer and a selentellurium alloy known per se, which are sequentially laminated on a substrate (3).

樹脂層(1b)は導電性基板(3)とa−C膜の接着性
を改良する働きをし、公知の樹脂、例えば熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂や光導電性樹脂等を使
用することができる。
The resin layer (1b) serves to improve the adhesiveness between the conductive substrate (3) and the a-C film, and is made of a known resin such as a thermoplastic resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a photoconductive resin. Etc. can be used.

係る樹脂としては、例えばポリエステル樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリブタジエン、アクリル樹脂、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、イオン交換オレフィン共重合体
(アイオノマー)、スチレン−ブタジエンブロック共重
合体、ポリカーボネート、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、セルロースエステル、ポリイミド等の熱可塑性樹
脂;エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フ
ェノール樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、アルキッ
ド樹脂、熱硬化性アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂;光硬
化性樹脂;ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニル
ピレン、ポリビニルアントラセン等の光硬化性樹脂等を
挙げることができ、好ましい樹脂はシリコーン樹脂、ア
クリル樹脂、メラミン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リブタジエン、エポキシ樹脂等である。
As such a resin, for example, polyester resin, polyamide resin, polybutadiene, acrylic resin, ethylene-
Thermoplastic resins such as vinyl acetate copolymer, ion exchange olefin copolymer (ionomer), styrene-butadiene block copolymer, polycarbonate, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, cellulose ester, and polyimide; epoxy resin, urethane resin Thermosetting resins such as silicone resins, phenolic resins, melamine resins, xylene resins, alkyd resins, thermosetting acrylic resins; photocurable resins; photocurable resins such as poly-N-vinylcarbazole, polyvinylpyrene and polyvinylanthracene Examples of the resin include a silicone resin, an acrylic resin, a melamine resin, a polycarbonate resin, a polybutadiene, and an epoxy resin.

これらの樹脂は、体積抵抗が1×1014Ω・cm以上ある
ことが望ましい。
It is desirable that these resins have a volume resistance of 1 × 10 14 Ω · cm or more.

樹脂層(1b)は上記樹脂を適当な溶剤中に溶解させた
溶液を感光層(2)の表面に乾燥後の膜厚が約0.05〜5
μm、好ましくは0.05〜2μm、より好ましくは0.1〜
1μmとなるように塗布乾燥することにより形成され
る。樹脂層(1b)の膜厚が0.01μmより薄いと接着性が
低下し、5μmより厚いと透光性が低下する。塗布方法
としては公知のスプレー法、ディッピング法、リング塗
布法等を適用することができる。これらの塗布方法以外
に、真空蒸着やスッパッタ法で樹脂を設けることも可能
である。
The resin layer (1b) has a thickness of about 0.05 to 5 after a solution obtained by dissolving the above resin in an appropriate solvent is dried on the surface of the photosensitive layer (2).
μm, preferably 0.05-2 μm, more preferably 0.1-
It is formed by coating and drying to a thickness of 1 μm. When the thickness of the resin layer (1b) is less than 0.01 μm, the adhesiveness decreases, and when the thickness is more than 5 μm, the light transmittance decreases. As a coating method, a known spray method, dipping method, ring coating method, or the like can be applied. In addition to these coating methods, it is also possible to provide a resin by vacuum evaporation or a sputtering method.

接着層を形成するための塗布用溶液に使用可能な溶剤
は、選択した樹脂に合わせて適宜選定すればよいが、乾
燥しやすいものが好ましく、係る溶剤としては例えばガ
ソリン、石油、ベンジン、ミネラルスピリット、石油ナ
フタ、V.M.&P.ナフタ、デカリン、テトラリン、P−シ
メンあるいはヘキサン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、トリクロ
ルエチレン、パークロルエチレン、クロロホルム、四塩
化炭素、三塩化エチレン、一塩化ベンゼン、一臭化ベン
ゼン、二塩化ベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、アミ
ルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコ
ール、2−エチルブチルアルコール、2−エチルヘキシ
ルアルコール、シクロヘキサノール、メチルアルコー
ル、メチルアミルアルコール、ベンジルアルコール、ブ
チルアルコール等のアルコール類、アセトン、アセトニ
ルアセトン、ジイソブチルケトン、ジエチルケトン、ジ
プロピルケトン、メチルアミルケトン、メチルブチルケ
トン、メチルシクロヘキサノン、メチルジプロピルケト
ン、メチルエチルケトン、メチル正ヘキシルケトン、メ
チルイソブチルケトン、メチルプロピルケトン、メシチ
ルオキシド等のケトン類、酢酸エステル類、酪酸エステ
ル類、プロピオン酸エステル類、ギ酸エステル類等のエ
ステル類、乳酸ブチル、乳酸イソプロピル、乳酸エチ
ル、オキシプロピオン酸エチル、マレイン酸ジエチル等
のアルコールエステル類、アセト酢酸エチル、ピルビン
酸エチル、イソプロピルエーテル、エチルエーテル、ジ
エチルカービトール、ジエチルセロソルブ、ブチルエー
テル等のエーテル類、アセトニルメタノール、ジアセト
ンアルコール、ジヒドロキシルアセトン、ピリビルアル
コール等のケトンアルコール類、イソプロピルセロソル
ブ、カービトール、グリシドール、セロソルブ、グリコ
ールエーテル、ベンジルセロソルブ、ブチルカービトー
ル、ブチルセロソルブ、メチルカービトール、メチルセ
ロソルブ、トリエチレングリコールモノエチルエーテル
等のエーテルアルコール類、アセタールエチルエーテー
ル、アセトニルメタノールエチルエーテル、メチルエト
オキシエチルエーテル等のケトンエーテル類、酢酸ブチ
ルカービトール、酢酸ブチルセロソルブ、酢酸カービト
ール、酢酸セロソルブ、酢酸3−メトキシブチル、酢酸
メチルカービトール、酢酸メチルセロソルブ等のエステ
ルエーテル類等またはそれらの混合溶剤が挙げられ、特
に酢酸エチル、酢酸ブチル、ヘキサン、トルエン、メチ
ルイソブチルケトン、酢酸セロソルブ、あるいはそれら
の混合溶剤が好ましい。
Solvents that can be used in the coating solution for forming the adhesive layer may be appropriately selected according to the selected resin, but those that are easy to dry are preferable. Examples of such solvents include gasoline, petroleum, benzine, and mineral spirits. , Petroleum naphtha, VM & P. Naphtha, decalin, tetralin, aliphatic hydrocarbons such as P-cymene or hexane, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, trichloroethylene, perchlorethylene, chloroform, carbon tetrachloride, Halogenated hydrocarbons such as ethylene trichloride, benzene monochloride, benzene monobromide, and benzene dichloride, amyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, 2-ethylbutyl alcohol, 2-ethylhexyl alcohol, cyclohexanol, methyl alcohol, Methyl amyl alcohol , Benzyl alcohol, alcohols such as butyl alcohol, acetone, acetonylacetone, diisobutyl ketone, diethyl ketone, dipropyl ketone, methyl amyl ketone, methyl butyl ketone, methyl cyclohexanone, methyl dipropyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl orthohexyl ketone, Ketones such as methyl isobutyl ketone, methyl propyl ketone, and mesityl oxide; esters such as acetates, butyrate, propionate, and formate; butyl lactate, isopropyl lactate, ethyl lactate, and ethyl oxypropionate , Alcohol esters such as diethyl maleate, ethyl acetoacetate, ethyl pyruvate, isopropyl ether, ethyl ether, diethyl carbitol, diethyl cellosolve, butyrate Ethers such as ethers, ketone alcohols such as acetonymethanol, diacetone alcohol, dihydroxylacetone, pyrivir alcohol, isopropyl cellosolve, carbitol, glycidol, cellosolve, glycol ether, benzyl cellosolve, butyl carbitol, butyl cellosolve, methyl car Bitol, methyl cellosolve, ether alcohols such as triethylene glycol monoethyl ether, ketone ethers such as acetal ethyl ether, acetonyl methanol ethyl ether, methyl ethoxyethyl ether, butyl carbitol acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate, Ester ethers such as cellosolve acetate, 3-methoxybutyl acetate, methyl carbitol acetate, and methyl cellosolve acetate Etc., or a mixed solvent thereof can be mentioned, in particular ethyl acetate, butyl acetate, hexane, toluene, methyl isobutyl ketone, cellosolve acetate, or a mixed solvent thereof are preferred.

接着層を形成するための塗布用溶液に使用する樹脂の
量は、該塗布用溶液に対して0.4〜20.0重量%、好まし
くは0.9〜6.0重量%、より好ましくは1.0〜5.0重量%で
ある。0.4重量%より少なくなると、所望の膜厚を得る
ために、塗布乾燥の工程を数多く繰り返す必要が生じ
る。また、20重量%より多くなると溶液の粘度が高くな
りすぎて、塗布むらが発生したり、膜厚の制御が困難に
なる等の問題が生じる。
The amount of the resin used in the coating solution for forming the adhesive layer is 0.4 to 20.0% by weight, preferably 0.9 to 6.0% by weight, more preferably 1.0 to 5.0% by weight based on the coating solution. If the amount is less than 0.4% by weight, it is necessary to repeat a number of coating and drying steps in order to obtain a desired film thickness. On the other hand, if it exceeds 20% by weight, the viscosity of the solution becomes too high, causing problems such as uneven coating and difficulty in controlling the film thickness.

a−C膜よりなる最表面層(1a)はそれ自体好適な帯
電能を有し、透光性に優れ、4H程度の硬度の高い傷の付
きにくい膜であるが、セレン砒素単層構成からなる感光
層、あるいはセレンとセレンテルル合金をこの順に設け
た積層構成よりなる感光層上に直接設けると実使用時に
膜剥離が生じやすい。しかし、本発明に従い、感光層と
a−C層の間に前記樹脂を設けることにより、a−C層
の有する好適な帯電能、透光性、硬度等の長所を維持し
ながら、かつ膜剥離の発生を防ぐことができる。
The outermost surface layer (1a) composed of an aC film is a film having a suitable chargeability itself, excellent translucency, and a high hardness of about 4H, which is hard to be damaged. If the photosensitive layer is directly provided on a photosensitive layer having a laminated structure in which selenium and a selenium-tellurium alloy are provided in this order, film peeling is likely to occur during actual use. However, according to the present invention, by providing the resin between the photosensitive layer and the a-C layer, it is possible to maintain the advantages of the a-C layer, such as favorable charging ability, light transmissivity, and hardness, and to remove the film. Can be prevented.

a−C膜中に含有される水素原子の量は特に制限はな
いが、表面保護層の構造およびグロー放電という製造面
から必然的に制約され、その量は概ね5ないし60atmic
%(以下「atm.%」と略す)となる。
Although the amount of hydrogen atoms contained in the aC film is not particularly limited, it is inevitably limited by the structure of the surface protective layer and the manufacturing aspect of glow discharge, and the amount is generally 5 to 60 atomic.
% (Hereinafter abbreviated as "atm.%").

a−C膜中に含有される炭素原子、水素原子の量は、
有機元素分析、オージェ分析、SIMS分析等の手段により
知ることができる。
The amounts of carbon atoms and hydrogen atoms contained in the a-C film are as follows:
It can be known by means such as organic element analysis, Auger analysis, and SIMS analysis.

本発明の最表面層(1a)は、0.01ないし5μm、好ま
しくは0.05ないし2μm、より好ましくは0.1ないし1
μmの厚さに形成する。
The outermost layer (1a) of the present invention has a thickness of 0.01 to 5 μm, preferably 0.05 to 2 μm, and more preferably 0.1 to 1 μm.
It is formed to a thickness of μm.

0.01μmより薄いと膜強度が低下し、傷が付きやすく
なる。また、5μmより厚いと透光性が低下し、照射光
を感光層中に有効に導くことができなくなり感度低下を
招く。
When the thickness is less than 0.01 μm, the film strength is reduced, and the film is easily scratched. On the other hand, when the thickness is more than 5 μm, the light transmittance decreases, and the irradiation light cannot be effectively guided into the photosensitive layer, resulting in a decrease in sensitivity.

最表面層(1a)はグロー放電法により形成する。最表
面層(1a)は気相状態の少なくとも炭素原子および水素
原子を含む分子を減圧下で放電し、発生したプラズマ雰
囲気中に含まれる活性中性種あるいは荷電種を基板上に
拡散、電気力あるいは磁器力等により誘導し、基板上で
の再結合反応により固相として堆積させる、いわゆるプ
ラズマ反応(以下、P−CVD反応という)することによ
りa−C膜として形成することができる。
The outermost surface layer (1a) is formed by a glow discharge method. The outermost layer (1a) discharges molecules containing at least carbon atoms and hydrogen atoms in the gaseous phase under reduced pressure, diffuses active neutral or charged species contained in the generated plasma atmosphere onto the substrate, Alternatively, it can be formed as an aC film by a so-called plasma reaction (hereinafter, referred to as a P-CVD reaction), which is induced by a porcelain force or the like and deposited as a solid phase by a recombination reaction on the substrate.

上記各分子は常温常圧において必ずしも気相で有る必
要はなく、加熱あるいは減圧等により溶融、蒸発、昇華
等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使
用可能である。
Each of the above molecules does not necessarily need to be in a gaseous phase at normal temperature and normal pressure, and any liquid or solid phase can be used as long as it can be vaporized through melting, evaporation, sublimation or the like by heating or decompression.

少なくとも炭素原子および水素原子を含む分子として
は炭化水素、例えば飽和炭化水素、不飽和炭化水素、脂
環式炭化水素、芳香族炭化水素等を用いることができ
る。
As a molecule containing at least a carbon atom and a hydrogen atom, a hydrocarbon, for example, a saturated hydrocarbon, an unsaturated hydrocarbon, an alicyclic hydrocarbon, an aromatic hydrocarbon, or the like can be used.

飽和炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、プ
ロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オク
タン、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソ
ヘキサン、ネオヘキサン、ジメチルブタン、メチルヘキ
サン、エチルペンタン、ジメチルペンタン、トリプタ
ン、メチルヘプタン、ジメチルヘキサン、トリメチルペ
ンタン、イソナノン等を用いることができる。
As the saturated hydrocarbon, for example, methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, heptane, octane, isobutane, isopentane, neopentane, isohexane, neohexane, dimethylbutane, methylhexane, ethylpentane, dimethylpentane, triptan, methyl Heptane, dimethylhexane, trimethylpentane, isonanone, and the like can be used.

不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、プロピ
レン、イソブチレン、ブテン、ペンテン、メチルブテ
ン、ヘキセン、テトラメチルエチレン、ヘプテン、オク
テン、アレン、メチルアレン、ブタジエン、ペンタジエ
ン、ヘキサジエン、シクロペンタジエン、オシメン、ア
ロシメン、ミルセン、エキサトリエン、アセチレン、メ
チルアセチレン、ブチン、ペンチン、ヘキシン、ヘプチ
ン、オクチン、ブタジイン等を用いることができる。
Examples of unsaturated hydrocarbons include, for example, ethylene, propylene, isobutylene, butene, pentene, methylbutene, hexene, tetramethylethylene, heptene, octene, arene, methylarene, butadiene, pentadiene, hexadiene, cyclopentadiene, ocimene, allocimene, myrcene. , Exatriene, acetylene, methylacetylene, butyne, pentine, hexine, heptin, octin, butadiyne and the like can be used.

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シク
ロヘプタン、シクロオクタン、シクロプロペン、シクロ
ブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプ
テン、シクロオクテン、リモネン、テルビノレン、フェ
ランドレン、シルベストレン、ツエン、カレン、ピネ
ン、ボルニレン、カンフェン、フェンチェン、シクロフ
ェンチェン、トリシクレン、ピサボレン、ジンギベレ
ン、クルクメン、フムレン、カジネンセスキベニヘン、
セリネン、カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カ
ンホレン、フィロクラデン、ポドカルプレン、ミレン等
を用いることができる。
As the alicyclic hydrocarbon, for example, cyclopropane,
Cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclopropene, cyclobutene, cyclopentene, cyclohexene, cycloheptene, cyclooctene, limonene, tervinolene, ferrandrene, silvestren, tsuen, karen, pinene, bornylene, camphene, fenchen, Cyclofenchen, tricyclene, pisabolene, zingiberene, curcumen, humulene, casinensesquibenichen,
Selinene, caryophyllene, santalen, cedren, kampholen, phyllocladene, podocarprene, millen, and the like can be used.

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチ
レン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメ
チルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼ
ン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニ
ル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメ
タン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリ
ン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン等を用
いることができる。
Examples of aromatic hydrocarbons include, for example, benzene, toluene, xylene, hemimelitene, pseudocumene, mesitylene, prenitene, isodurene, durene, pentamethylbenzene, hexamethylbenzene, ethylbenzene, propylbenzene, cumene, styrene, biphenyl, terphenyl, diphenylmethane , Triphenylmethane, dibenzyl, stilbene, indene, naphthalene, tetralin, anthracene, phenanthrene and the like can be used.

とりわけ、不飽和結合を有する化合物は反応性に富む
ため、良質な膜生成の上で好ましい。中でも、成膜性、
ガスの取り扱い易さ、コストの面で、ブタジエン並びに
プロピレンは特に好ましい。
In particular, a compound having an unsaturated bond is preferable in terms of forming a high-quality film because of its high reactivity. Among them, film-forming properties,
Butadiene and propylene are particularly preferred in terms of gas handling easiness and cost.

a−C膜中に含まれる水素原子の量は、成膜装置の形
態並びに成膜時の条件により変化し水素量が低くなる場
合としては、例えば、基板温度を高くする、圧力を低く
する、原料炭化水素ガスの希釈率を低くする、水素含有
率の低い原料ガスを用いる、印加電力を高くする、交番
電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめた直流
電界強度を高くする、等の場合が挙げられる。
The amount of hydrogen atoms contained in the aC film varies depending on the form of the film forming apparatus and the conditions during film formation, and when the amount of hydrogen decreases, for example, increasing the substrate temperature, decreasing the pressure, Lowering the dilution rate of the raw hydrocarbon gas, using a raw gas gas with a low hydrogen content, increasing the applied power, lowering the frequency of the alternating electric field, increasing the DC electric field intensity superimposed on the alternating electric field, etc. There are cases.

第2図および第3図は本発明の最表面層を形成するた
めのグロー放電分解装置の一例を示す図である。第2図
は平行平板型P−CVD装置、第3図は円筒型P−CVD装置
を示す。
2 and 3 are views showing an example of a glow discharge decomposition apparatus for forming the outermost surface layer of the present invention. FIG. 2 shows a parallel plate type P-CVD device, and FIG. 3 shows a cylindrical type P-CVD device.

まず、第2図を用いて説明する。 First, a description will be given with reference to FIG.

第2図中(701)〜(706)は常温において気相状態に
ある原料化合物およびキャリアガスを密封した第1ない
し第6タンクで、各々のタンクは第1ないし第6調節弁
(707)〜(712)と第1ないし第6流量制御器(713)
〜(718)に接続されている。
In FIG. 2, reference numerals (701) to (706) denote first to sixth tanks in which a raw material compound and a carrier gas which are in a gaseous state at ordinary temperature are sealed, and each tank has first to sixth control valves (707) to (707). (712) and the first to sixth flow controllers (713)
To (718).

キャリアガスとしては水素ガス、アルゴンガス、ヘリ
ウムガス等を用いることができる。
As a carrier gas, hydrogen gas, argon gas, helium gas, or the like can be used.

図中(719)〜(721)は常温において液相または固相
状態にある原料化合物を封入した第1ないし第3容器
で、各々の容器は気化のため、第1ないし第3加熱器
(722)〜(724)により与熱可能であり、さらに各々の
容器は第7ないし第9調節弁(725)〜(727)と第7な
いし第9流量制御器(728)〜(730)に接続されてい
る。
In the figure, reference numerals (719) to (721) denote first to third containers enclosing a raw material compound in a liquid phase or a solid state at ordinary temperature. Each of the first to third heaters (722) is used for vaporization. ) To (724), and the respective containers are connected to seventh to ninth control valves (725) to (727) and seventh to ninth flow controllers (728) to (730). ing.

これらのガスは混合器(731)で混合された後、主管
(732)を介して反応室(733)に送り込まれる。
After these gases are mixed in the mixer (731), they are sent to the reaction chamber (733) via the main pipe (732).

途中の配管は、常温において液相または固相状態であ
った原料化合物が気化したガスで、途中で凝結しないよ
うに、適宜配置された配管加熱器(734)により、与熱
可能とされている。
The piping in the middle is a gas which is a vaporized gas of the raw material compound which was in a liquid phase or a solid phase at normal temperature, and can be heated by a suitably arranged piping heater (734) so as not to condense on the way. .

反応室内には接地電極(735)と電力印加電極(736)
が対向して配置され、各々の電極は電極加熱器(737)
により与熱可能とされている。
Ground electrode (735) and power application electrode (736) in the reaction chamber
Are placed facing each other, and each electrode is an electrode heater (737)
Can be heated.

電力印加電極(736)には、高周波電力用整合器(73
8)を介して高周波電源(739)、低周波電力用整合器
(740)を介して低周波電源(741)、ローパスフィルタ
(742)を介して直流電源(743)が接続されており、接
続選択スイッチ(744)により周波数の異なる電力、例
えば、周波数1KHzないし13.56MHzの高周波電力等が印加
可能とされている。さらに、直流電力を重畳することも
可能である。
The power application electrode (736) has a matching device for high-frequency power (73
8) through the high-frequency power supply (739), through the low-frequency power matching device (740), through the low-frequency power supply (741), and through the low-pass filter (742) to the DC power supply (743). By the selection switch (744), power having different frequencies, for example, high-frequency power having a frequency of 1 KHz to 13.56 MHz can be applied. Furthermore, it is also possible to superimpose DC power.

反応室(733)内の厚力は圧力制御弁(745)により調
整可能であり、反応室(733)内の減圧は、排気系選択
弁(746)を介して、拡散ポンプ(747)、油回転ポンプ
(748)、あるいは、冷却除外装置(749)、メカニクラ
ブースタポンプ(750)、油回転ポンプ(748)により行
なわれる。
The thickness in the reaction chamber (733) can be adjusted by the pressure control valve (745), and the pressure in the reaction chamber (733) can be reduced via the exhaust system selection valve (746), the diffusion pump (747), and the oil. This is performed by a rotary pump (748) or a cooling exclusion device (749), a mechanical clutch booster pump (750), and an oil rotary pump (748).

排ガスについては、さらに適当な除外装置(753)に
より安全無害化した後、大気中に排気される。
The exhaust gas is further rendered safe and harmless by an appropriate exclusion device (753) and then exhausted to the atmosphere.

これら排気系配管についても、常温において液相また
は固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中
で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器(73
4)により、与熱可能とされている。
These exhaust pipes are also provided with pipe heaters (73) that are appropriately arranged so that the gas in which the raw material compound in the liquid or solid state at room temperature does not condense on the way.
According to 4), heating is possible.

反応室(733)も同様の理由から反応室加熱器(751)
により与熱可能とされ、内部に配された電極上に基板
(752)が設置される。
Reaction chamber heater (751) for reaction chamber (733) for the same reason
, And the substrate (752) is placed on the electrodes arranged inside.

これらの加熱器類は、使用される原料ガスの性質に応
じて配するか否かを選択すればよいが、特に、原料ガス
として常圧下での沸点が−20℃ないし+70℃の有機化合
物を用いた場合においては不要となる場合が多く、製造
装置の簡素化が可能となり好ましい。
These heaters may be selected according to the nature of the raw material gas to be used or not. In particular, an organic compound having a boiling point of -20 ° C to + 70 ° C under normal pressure is used as the raw material gas. When used, it is often unnecessary, and the manufacturing apparatus can be simplified, which is preferable.

一般に、沸点が−20℃より低い有機化合物を原料ガス
として用いた場合には、反応室(733)内部での微粉状
重合物の発生を防止するために、沸点が+70℃より高い
有機化合物を原料ガスとして用いた場合には、各種配管
内での凝結防止のために、それぞれ上述の如き各種加熱
器を配することが望ましい。
In general, when an organic compound having a boiling point lower than −20 ° C. is used as a raw material gas, an organic compound having a boiling point higher than + 70 ° C. is used in order to prevent the generation of a fine powdery polymer inside the reaction chamber (733). When used as a raw material gas, it is desirable to provide various heaters as described above in order to prevent condensation in various pipes.

第2図において基板(752)は接地電極(735)に固定
して配されているが、電力印加電極(736)に固定して
配されても良く、さらに双方に配されても良い。
In FIG. 2, the substrate (752) is fixed to the ground electrode (735). However, the substrate (752) may be fixed to the power applying electrode (736), or may be fixed to both.

第3図に示した装置も基本的には第2図に示した装置
と同様であり、反応室(733)内の形態が基板(752)が
円筒形であることに応じて変更されているものである。
基板(752)は接地電極(735)を兼ね、電力印加電極
(736)および電極加熱器(737)共に円筒形をなしてい
る。また導電性基板(752)は、外部より駆動モータ
(図示せず)を用いて、自転可能となっている。
The apparatus shown in FIG. 3 is basically the same as the apparatus shown in FIG. 2, and the configuration in the reaction chamber (733) is changed according to the fact that the substrate (752) is cylindrical. Things.
The substrate (752) also serves as a ground electrode (735), and both the power application electrode (736) and the electrode heater (737) have a cylindrical shape. Further, the conductive substrate (752) can be rotated on its own by using a drive motor (not shown) from the outside.

以上の構成において、感光体製造に供する反応室は、
拡散ポンプにより予め10-4ないし10-6Torr程度にまで減
圧し、真空度の確認と装置内部に吸着したガスの脱離を
行なう。
In the above configuration, the reaction chamber used for photoconductor production is
The pressure is previously reduced to about 10 -4 to 10 -6 Torr by a diffusion pump, and the degree of vacuum is checked and the gas adsorbed inside the apparatus is desorbed.

同時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して
配された基板を所定の温度まで昇温する。
At the same time, the electrodes and the substrate fixed to the electrodes are heated to a predetermined temperature by the electrode heater.

基板としては導電性基板上に自体公知のセレン砒素の
合金の単層ないしはセレンとセレンテルル合金と樹脂層
をこの順に設けた積層構成よりなる感光体を用いる。
As the substrate, a photosensitive member having a single layer of a known selenium arsenic alloy or a laminated structure in which a selenium, a selenium tellurium alloy, and a resin layer are provided in this order on a conductive substrate is used.

次いで、第1ないし第6タンクおよび第1ないし第3
容器から原料ガスを第1ないし第9流量制御器を用いて
定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調整弁により
反応室内を概ね0.05Torrないし5.0Torr程度の減圧状態
に保つ。
Next, the first to sixth tanks and the first to third tanks
The raw material gas is introduced from the container into the reaction chamber at a constant flow rate using the first to ninth flow controllers, and the pressure in the reaction chamber is maintained at a reduced pressure of about 0.05 Torr to 5.0 Torr by a pressure regulating valve.

ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチにより、
例えば低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力
を投入する。
After the gas flow is stabilized, the connection selection switch
For example, a low-frequency power source is selected, and low-frequency power is supplied to the power application electrode.

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固
相の非晶質炭化水素膜が形成される。
Discharge is started between the two electrodes, and a solid-phase amorphous hydrocarbon film is formed on the substrate with time.

所定の膜厚に達したところで放電を停止し、本発明に
よるa−C膜を最表面層として有する感光体を得る。
When a predetermined thickness is reached, the discharge is stopped to obtain a photoreceptor having the aC film according to the present invention as the outermost surface layer.

本発明の最表面層a−C膜中には炭素、水素以外のヘ
テロ原子、例えばフッ素、塩素、臭素あるいはヨウ素等
のハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、導電性支配物質
としての周期律表第III族元素(Ba、Al、Ga、In、
等)、周期律表第V族元素(P、AS、Sb等)を含有させ
てもよい。
In the outermost surface layer a-C film of the present invention, carbon, hetero atoms other than hydrogen, for example, halogen atoms such as fluorine, chlorine, bromine or iodine, oxygen atoms, nitrogen atoms, and the periodic table as a conductive controlling substance. Group III elements (Ba, Al, Ga, In,
Etc.) and a V element of the periodic table (P, AS, Sb, etc.).

ハロゲン原子の導入は、表面の滑り性を良くし、表面
保護層の耐フィルミング性を向上させることができる。
係る効果はフッ素原子を導入したときに特に大きい。
The introduction of a halogen atom can improve the surface slipperiness and improve the filming resistance of the surface protective layer.
Such an effect is particularly large when a fluorine atom is introduced.

酸素原子または窒素原子の導入は各原子がウィークボ
ンドを、反応中に強制的に切断して、その間を補填し、
窒素/酸素原子間、酸素/炭素原子間の強固な結合解離
をなくし、結果、水分の付着を阻止するものと考えられ
る。
The introduction of oxygen or nitrogen atoms causes each atom to forcibly break a weak bond during the reaction, filling in between,
It is considered that strong bond dissociation between nitrogen / oxygen atoms and between oxygen / carbon atoms is eliminated, and as a result, adhesion of moisture is prevented.

V族元素の添加は、相対的に表面側をN型になるよう
に導入する。そうすることにより、逆バイアス効果をも
たせることができ、帯電能の向上、暗減衰の低減および
感度の向上等が達成される。
The group V element is introduced so that the surface side becomes relatively N-type. By doing so, a reverse bias effect can be provided, and an improvement in charging ability, a reduction in dark decay, an improvement in sensitivity, and the like are achieved.

IV族元素の添加は硬度を高くするため感光体が傷付き
にくくなり、かつ耐湿性の向上に有効である。
The addition of a group IV element increases the hardness, so that the photoconductor is less likely to be damaged, and is effective in improving moisture resistance.

これらのヘテロ原子は複数用いてもよいし、目的によ
りa−C最表面層内で特定の位置だけに混入してもよい
し、濃度分布を有してもよい。
A plurality of these hetero atoms may be used, may be mixed only at a specific position in the aC outermost surface layer depending on the purpose, or may have a concentration distribution.

ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、周期律表第III
族元素あるいは周期律表第V族元素等のヘテロ原子をa
−C膜に混入させるには、これらの元素を含む適当なガ
ス状化合物を炭化水素ガスと共に、プラズマ状態にして
成膜すればよい。
Halogen atom, oxygen atom, nitrogen atom, Periodic Table III
A heteroatom such as a group V element or a group V element of the periodic table
In order to mix them into the -C film, an appropriate gaseous compound containing these elements may be formed in a plasma state together with a hydrocarbon gas.

少なくともハロゲン原子を含む分子としては、例え
ば、F2、HF、HCl、CF4、CCl4、C3F8、C3F6、CF2CH2、CF
HCFH等を用いることができる。
Examples of the molecule containing at least a halogen atom include, for example, F 2 , HF, HCl, CF 4 , CCl 4 , C 3 F 8 , C 3 F 6 , CF 2 CH 2 , CF
HCFH or the like can be used.

酸素原子および窒素原子の少なくともいずれか一方を
含む分子としては、例えば、O2、H2O、N2、NH3、N2O、N
O、CO、CO2、NH2NH2、CH3OH、CH3COCH3、CH3OCH3、HCOO
H、HCHO、CH3NH2、(CH33N、等を用いることができ
る。これらの分子は複数用いてもよい。
Examples of a molecule containing at least one of an oxygen atom and a nitrogen atom include, for example, O 2 , H 2 O, N 2 , NH 3 , N 2 O, N
O, CO, CO 2 , NH 2 NH 2 , CH 3 OH, CH 3 COCH 3 , CH 3 OCH 3 , HCOO
H, HCHO, CH 3 NH 2 , (CH 3 ) 3 N, and the like can be used. A plurality of these molecules may be used.

少なくとも周期律表第III族元素を含む分子として
は、例えば、B2H6、BCl3、BBr3、BF3、B(OC2H5
AlCl3、Al(CH3、Al(Oi−C3H7、Ga(C
2H5、In(C2H5等を用いることができる。
Examples of molecules containing at least a Group III element of the periodic table include B 2 H 6 , BCl 3 , BBr 3 , BF 3 , B (OC 2 H 5 ) 3 ,
AlCl 3, Al (CH 3) 3, Al (Oi-C 3 H 7) 3, Ga (C
2 H 5) 3, In ( C 2 H 5) can be used 3 or the like.

少なくとも周期律表第V族元素を含む分子としては、
例えば、PH3、PF3、PF5、PCl2F、PCl2F3、PCl3、PBr3
PO(OCH3、P(C2H5、POCl3、AsH3、AsCl3、As
Br3、AsF3、AsF5、AsCl3、SbH3、SbF3、SbCl3、Sb(OC2
H5等を用いることができる。
As a molecule containing at least a Group V element of the periodic table,
For example, PH 3, PF 3, PF 5, PCl 2 F, PCl 2 F 3, PCl 3, PBr 3,
PO (OCH 3 ) 3 , P (C 2 H 5 ) 3 , POCl 3 , AsH 3 , AsCl 3 , As
Br 3, AsF 3, AsF 5 , AsCl 3, SbH 3, SbF 3, SbCl 3, Sb (OC 2
H 5) 3, or the like can be used.

a−C膜中に含まれる上記ヘテロ原子の量は、プラズ
マCVD反応に用いるヘテロ原子を含む分子の量を増減す
ることにより調整することができる。a−C膜に含まれ
るヘテロ原子の量をa−C膜の深さ方向に対して不均一
に分布させるには、プラズマCVD反応中にヘテロ原子を
含む分子の量を増減することにより調整すればよい。こ
こで、ヘテロ原子の添加は0.1atm.%以上で効果が現れ
る。上限は特に制限はなく、使用する原料と、グロー放
電法という製法により必然的に定まる。
The amount of the heteroatom contained in the aC film can be adjusted by increasing or decreasing the amount of the heteroatom-containing molecule used in the plasma CVD reaction. In order to distribute the amount of hetero atoms contained in the aC film non-uniformly in the depth direction of the aC film, it is necessary to increase or decrease the amount of molecules containing hetero atoms during the plasma CVD reaction. I just need. Here, the effect appears when the addition of a hetero atom is 0.1 atm.% Or more. The upper limit is not particularly limited, and is inevitably determined by the raw materials to be used and the production method called the glow discharge method.

なお、上記ヘテロ原子の含有量はオージェ分析、元素
分析等の手段により知ることができる。
The content of the hetero atom can be determined by means such as Auger analysis and elemental analysis.

実施例1 真空蒸着装置を用い常法に従い厚さ50μmセレン砒素
合金単層構成の感光層を設けたアルミニウム導電性円筒
基板(直径80×長さ330mm)上にシリコーン樹脂(KR21
4:信越化学社製)2.5重量%と酢酸エチル97.5重量%か
ら調製した溶液を乾燥後の膜厚が0.15μmになるように
スプレー塗布し、温度85℃で1時間乾燥させてシリコー
ン樹脂層を形成した。
Example 1 A silicone resin (KR21) was placed on an aluminum conductive cylindrical substrate (80 mm in diameter × 330 mm in length) provided with a 50 μm-thick selenium arsenide alloy single-layer photosensitive layer using a vacuum deposition apparatus according to a conventional method.
4: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Spray-coat a solution prepared from 2.5% by weight and 97.5% by weight of ethyl acetate so that the film thickness after drying becomes 0.15 μm, and dry at 85 ° C. for 1 hour to form a silicone resin layer. Formed.

次に、以上により得られたシリコーン樹脂層上に、第
3図に示すグロー放電分解装置を使用し、a−C膜から
なる最表面層を形成した。
Next, an outermost surface layer made of an aC film was formed on the silicone resin layer obtained as described above, using a glow discharge decomposition apparatus shown in FIG.

まず、反応装置(733)の内部を10-6Torr程度の高真
空にした後、第1、第2調節弁(707、708)を解放し、
第1タンク(701)より水素ガス、第2タンク(702)よ
りブタジエンガスを、各々出力圧1.0kg/cm2の下で第
1、第2流量制御器(713)、(714)内へ流入させた。
そして、各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流
量を100sccm、ブタジエンガスの流量を60sccmとなるよ
うに設定して、途中混合器(731)を介して、主管(73
2)より反応室(733)内へ流入した。
First, after the inside of the reactor (733) is evacuated to a high vacuum of about 10 -6 Torr, the first and second control valves (707, 708) are opened,
Hydrogen gas from the first tank (701) and butadiene gas from the second tank (702) flow into the first and second flow controllers (713) and (714) at an output pressure of 1.0 kg / cm 2 , respectively. I let it.
Then, the scale of each flow controller is adjusted so that the flow rate of the hydrogen gas is set to 100 sccm and the flow rate of the butadiene gas is set to 60 sccm, and the main pipe (731) is passed through the intermediate mixer (731).
From 2), it flowed into the reaction chamber (733).

各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が0.5Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。
After each flow rate was stabilized, the pressure control valve (745) was adjusted so that the pressure in the reaction chamber (733) became 0.5 Torr.

一方、基板(752)としては、前記セレン砒素合金単
層構成を有するアルミニウム導電性円筒基板上にシリコ
ーン樹脂層を設けたものを用いた。該基板(752)は、
ガス導入前に約15分間をかけて室温より50℃にまで昇温
した。
On the other hand, as the substrate (752), a substrate obtained by providing a silicone resin layer on the aluminum conductive cylindrical substrate having the selenium arsenic alloy single layer structure was used. The substrate (752)
The temperature was raised from room temperature to 50 ° C. over about 15 minutes before gas introduction.

ガス流量および圧力が安定した状態で、予め接続選択
スイッチ(744)により接続しておいた低周波電源(74
1)を投入し、電力印加電極(736)に130Wattの電力を
周波数150KHzの下で印加して約2分間プラズマ重合反応
を行ない、基板(752)上に厚さ0.15μmのa−C膜を
最表面層として形成した。
With the gas flow rate and pressure stabilized, a low-frequency power source (74
1) is input, a power of 130 Watt is applied to the power application electrode (736) at a frequency of 150 KHz, a plasma polymerization reaction is performed for about 2 minutes, and an aC film having a thickness of 0.15 μm is formed on the substrate (752). It was formed as the outermost surface layer.

成膜完了後は電力印加を停止し、水素ガス以外の調節
弁を閉じ、反応室(733)内に水素ガスだけを200sccm流
入し、圧力を10Torrに保持し、約15分間で30℃まで降温
した。
After the film formation is completed, stop applying power, close the control valves other than hydrogen gas, flow only 200 sccm of hydrogen gas into the reaction chamber (733), maintain the pressure at 10 Torr, and lower the temperature to 30 ° C in about 15 minutes. did.

その後、水素ガスの調節弁を閉じ、反応室(733)内
を充分に排気し、反応室(733)の真空を破り、本発明
による表面保護層を有する感光体を取り出した。
Thereafter, the control valve for hydrogen gas was closed, the inside of the reaction chamber (733) was sufficiently evacuated, the vacuum in the reaction chamber (733) was broken, and the photoconductor having the surface protective layer according to the present invention was taken out.

以上のようにして得られたa−C膜につき有機定量分
析およびオージェ分析を行なったところ、含有される水
素原子の量は全構成原子に対して43atm.%であった。
Organic quantitative analysis and Auger analysis of the aC film obtained as described above revealed that the amount of contained hydrogen atoms was 43 atm.% Based on all constituent atoms.

感光体の特性評価: 得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をJIS−K
−5400規格に基づいて測定したところ、約6Hであり、感
光体は表面保護層により高硬度化されることが理解され
た。
Evaluation of characteristics of photoreceptor: The pencil hardness of the obtained photoreceptor surface was JIS-K
It was about 6H when measured based on the -5400 standard, and it was understood that the photoreceptor was hardened by the surface protective layer.

また、接着性をJIS−K−5400規格に基づいた基盤目
試験により判定したところ10点であったことから、本発
明による感光体の表面保護層は接着性に優れていること
が理解された。
Further, the adhesiveness was determined by a matrix test based on the JIS-K-5400 standard and found to be 10 points, indicating that the surface protective layer of the photoreceptor according to the present invention was excellent in adhesiveness. .

また、通常のカールソン方式において帯電器出力+6.
7mkVのもとで得られた感光体を+600Vに帯電し、本実施
例で得られた感光体の白色光感度を測定したところ、半
減露光量は約0.97lux・secであり、表面保護層作製前に
測定しておいた値が約0.91lux・secであったことから、
本発明による感光体の表面保護層はセレン砒素合金単層
構成からなる感光体が本来有する感度を損わないことが
確認された。
In addition, the charger output +6 in the normal Carlson method.
The photoreceptor obtained under 7 mkV was charged to +600 V, and the white light sensitivity of the photoreceptor obtained in this example was measured. The half-exposure amount was about 0.97 lux · sec. Since the value measured before was about 0.91luxsec,
It was confirmed that the surface protective layer of the photoreceptor according to the present invention did not impair the sensitivity inherent in the photoreceptor having a single-layer structure of selenium-arsenic alloy.

また、得られた感光体を温度10℃、相対湿度30%の低
温低湿雰囲気と温度50℃、相対湿度90%の高温高湿雰囲
気とが30分毎に交互に繰り返される環境下に6時間放置
したところ、表面保護層の剥離、あるいはひび割れ等は
認められず、本発明の感光体の表面保護層は、セレン砒
素合金単層構成からなる感光体との実用的な接着性に優
れた膜であることが確認された。
The obtained photoconductor was left for 6 hours in an environment in which a low-temperature and low-humidity atmosphere at a temperature of 10 ° C and a relative humidity of 30% and a high-temperature and high-humidity atmosphere at a temperature of 50 ° C and a relative humidity of 90% were alternately repeated every 30 minutes. As a result, no peeling or cracking of the surface protective layer was observed, and the surface protective layer of the photoreceptor of the present invention was a film having excellent practical adhesion to the photoreceptor having a single-layer structure of selenium arsenic alloy. It was confirmed that there was.

また本実施例で得られた感光体をミノルタカメラ社製
複写機EP650Zに搭載した実写したところ鮮明な画像が得
られ、さらに、温度35℃、相対湿度85%の環境下で実写
してもいわゆる画像流れは認められなかった。また、複
写機内での現像剤、転写紙、並びに、清掃部材との接触
においても表面保護層の剥離は認められなかった。
When the photoreceptor obtained in this example was mounted on a copying machine EP650Z manufactured by Minolta Camera Co., and a real image was obtained, a clear image was obtained. In addition, a real image was obtained under an environment of a temperature of 35 ° C. and a relative humidity of 85%. No image deletion was observed. Also, no peeling of the surface protective layer was observed in contact with the developer, the transfer paper, and the cleaning member in the copying machine.

また、通常の室内において実写を25万枚行なったとこ
ろ、最後まで鮮明な画像が得られた。また、25万枚実写
後に、オージェ分析により表面の組成分析を行ったとこ
ろセレンあるいは砒素等は検出されなかった。
When 250,000 real shots were taken in a normal room, clear images were obtained until the end. In addition, when the composition of the surface was analyzed by Auger analysis after actually photographing 250,000 sheets, selenium or arsenic was not detected.

以上のことから本発明による感光体の表面保護層は、
画像品位を損なわずに耐久性の向上と有害性の改善を達
成するものであることが確認された。
From the above, the surface protective layer of the photoreceptor according to the present invention,
It was confirmed that the improvement in durability and the harmfulness were achieved without impairing the image quality.

実施例2 真空蒸着装置を用い常法に従いセレンとセレンテルル
合金をこの順に設けた積層構成よりなる厚さ50μmの感
光層を設けたアルミニウム導電性円筒基板(直径80×長
さ330mm)を使用する以外は実施例1と同様に行った。
Example 2 Except for using an aluminum conductive cylindrical substrate (diameter 80 × length 330 mm) provided with a 50 μm-thick photosensitive layer having a laminated structure in which selenium and a selenium-tellurium alloy were provided in this order using a vacuum deposition apparatus according to a conventional method. Was performed in the same manner as in Example 1.

特性: 得られた感光体は実施例1と同様の特性を有してい
る。また、耐刷試験中常時用いたクリーニングブレード
並びに廃棄トナー等からセレン、テルル、および砒素等
は検出されなかった。このことから本発明による感光体
の表面保護層は、画像品位を損なわずに耐久性の向上と
有害性の改善を達成するものであることが確認された。
Characteristics: The obtained photoreceptor has the same characteristics as in Example 1. In addition, selenium, tellurium, arsenic and the like were not detected from the cleaning blade and the waste toner which were constantly used during the printing durability test. From this, it was confirmed that the surface protective layer of the photoreceptor according to the present invention achieves improvement in durability and harmfulness without deteriorating image quality.

実施例3 メチルエチルケトン76.1重量%、アイソパーH(エッ
ソ化学社製)20重量%との混合溶剤中にアクリルポリオ
ール(アクリディックA808:大日本インキ社製)2.0重量
%イソシアネート化合物(バーノックDN950:大日本イソ
シアネート社製)1.9重量%とを添加し、1時間撹拌し
て調製した塗布液を乾燥後の膜厚が約0.2μmとなるよ
うにディッピング塗布し、乾燥させて樹脂層を形成した
以外は、実施例1と同様に感光体を作製した。
Example 3 2.0% by weight of an acrylic polyol (Acridic A808: manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.) in a mixed solvent of 76.1% by weight of methyl ethyl ketone and 20% by weight of Isopar H (manufactured by Esso Chemical Co.) 1.9% by weight), and the mixture was stirred for 1 hour. The coating solution prepared was dipped and coated to a thickness of about 0.2 μm after drying, and dried to form a resin layer. A photoconductor was produced in the same manner as in Example 1.

特性: 得られた感光体は実施例1と同様の特性を有してい
る。また、耐刷試験中常時用いたクリーニングブレード
並びに廃棄トナー等からセレン、テルル、および砒素等
は検出されなかった。このことから本発明による感光体
の表面保護層は、画像品位を損なわずに耐久性の向上と
有害性の改善を達成するものであることが確認された。
Characteristics: The obtained photoreceptor has the same characteristics as in Example 1. In addition, selenium, tellurium, arsenic and the like were not detected from the cleaning blade and the waste toner which were constantly used during the printing durability test. From this, it was confirmed that the surface protective layer of the photoreceptor according to the present invention achieves improvement in durability and harmfulness without deteriorating image quality.

実施例4 真空蒸着装置を用い常法に従いセレンとセレンテルル
合金をこの順に設けた積層構成よりなる厚さ50μmの感
光層を設けたアルミニウム導電性円筒基板(直径80×長
さ330mm)を使用する以外は実施例3と同様に行った。
Example 4 Except for using an aluminum conductive cylindrical substrate (diameter 80 × length 330 mm) provided with a 50 μm-thick photosensitive layer having a laminated structure in which selenium and a selenium-tellurium alloy were provided in this order according to a conventional method using a vacuum deposition apparatus. Was performed in the same manner as in Example 3.

特性: 得られた感光体は実施例1と同様の特性を有してい
る。また、耐刷試験中常時用いたクリーニングブレード
並びに廃棄トナー等からセレン、テルル、および砒素等
は検出されなかった。このことから本発明による感光体
の表面保護層は、画像品位を損なわずに耐久性の向上と
有害性の改善を達成するものであることが確認された。
Characteristics: The obtained photoreceptor has the same characteristics as in Example 1. In addition, selenium, tellurium, arsenic and the like were not detected from the cleaning blade and the waste toner which were constantly used during the printing durability test. From this, it was confirmed that the surface protective layer of the photoreceptor according to the present invention achieves improvement in durability and harmfulness without deteriorating image quality.

実施例5 第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(704)より
水素で10%に希釈したホスフィンガスを100sccmで流入
させる操作を追加した以外は実施例1と同様に感光体を
作製した。
Example 5 A photoconductor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the fourth control valve (710) was opened, and a phosphine gas diluted to 10% with hydrogen was introduced from the fourth tank (704) at 100 sccm. Produced.

本実施例で得られた感光体の最表面層のa−C膜につ
き有機定量分析およびオージェ分析を行ったところ、含
有される水素原子の量は全構成原子に対して42atm.%、
リン原子の量は全構成原子に対し膜中の深さ方向におけ
る最大値で1.0atm.%であった。
Organic quantitative analysis and Auger analysis of the aC film on the outermost surface layer of the photoreceptor obtained in the present example showed that the amount of hydrogen atoms contained was 42 atm.
The amount of phosphorus atoms was 1.0 atm.% As the maximum value in the depth direction in the film with respect to all the constituent atoms.

得られた感光体を通常のカールソン方式において+60
0Vに帯電したところ帯電器出力は+5.2kVを要した。こ
のことから周期律表第V族元素、すなわちリンを添加す
ることにより小さい帯電器出力で表面電位+600Vに帯電
可能なことから、帯電能が向上したことが理解できた。
その他の特性についても実施例1と同様の特性が得られ
た。
The obtained photoreceptor is increased by +60 in a normal Carlson method.
When charged to 0 V, the charger output required +5.2 kV. From this, it can be understood that the charging ability was improved because the addition of a Group V element of the periodic table, ie, phosphorus, enabled charging to a surface potential of +600 V with a smaller charger output.
With respect to other characteristics, characteristics similar to those of Example 1 were obtained.

実施例6 真空蒸着装置を用い常法に従いセレンとセレンテルル
合金をこの順に設けた積層構成よりなる厚さ50μmの感
光層を設けたアルミニウム導電性円筒基板(直径80×長
さ330mm)を使用する以外は実施例5と同様に行った。
Example 6 Except for using an aluminum conductive cylindrical substrate (diameter 80 × length 330 mm) provided with a 50 μm-thick photosensitive layer having a laminated structure in which selenium and a selenium-tellurium alloy were provided in this order according to a conventional method using a vacuum deposition apparatus. Was performed in the same manner as in Example 5.

得られた感光体は実施例5と同様の特性を有してい
た。
The obtained photoreceptor had the same characteristics as in Example 5.

実施例7 メチルエチルケトン76.1重量%、アイソパーH(エッ
ソ化学社製)20重量%との混合溶剤中にアクリルポリオ
ール(アクリディックA808:大日本インキ社製)2.0重量
%イソシアネート化合物(バーノックDN950:大日本イソ
シアネート社製)1.9%とを添加し、1時間撹拌して調
製した塗布液を乾燥後の膜厚が約0.2μmとなるように
ディッピング塗布し、乾燥させて樹脂層を形成した以外
は、実施例7と同様に感光体を作製した。
Example 7 Acrylic polyol (Acridic A808: manufactured by Dainippon Ink) 2.0% by weight of an isocyanate compound (Bernock DN950: Dainippon Isocyanate) in a mixed solvent of 76.1% by weight of methyl ethyl ketone and 20% by weight of Isopar H (manufactured by Esso Chemical) 1.9%), and the resulting mixture was stirred for 1 hour. The coating solution prepared was dipped and coated to a thickness of about 0.2 μm after drying, and dried to form a resin layer. In the same manner as in No. 7, a photoconductor was prepared.

得られた感光体は実施例5と同様の特性を有してい
た。
The obtained photoreceptor had the same characteristics as in Example 5.

実施例8 真空蒸着装置を用い常法に従いセレンとセレンテルル
合金をこの順に設けた積層構成よりなる厚さ50μmの感
光層を設けたアルミニウム導電性円筒基板(直径80×長
さ330mm)を使用する以外は実施例7と同様に行った。
Example 8 Except for using an aluminum conductive cylindrical substrate (diameter 80 × length 330 mm) provided with a 50 μm-thick photosensitive layer having a laminated structure in which selenium and a selenium-tellurium alloy were provided in this order according to a conventional method using a vacuum deposition apparatus. Was performed in the same manner as in Example 7.

得られた感光体は実施例5と同様の特性を有してい
た。
The obtained photoreceptor had the same characteristics as in Example 5.

実施例9 真空蒸着装置を用い常法に従い厚さ50μmセレン砒素
合金単層構成の感光層を設けたアルミニウム導電性円筒
基板(直径80×長さ330mm)上に、エポキシ樹脂(エピ
クロン1050:大日本インキ社製)3.5重量%、トルエン9
6.5重量%からなる塗布溶液を乾燥後の膜厚が約0.2μm
になるようにスプレー塗布し、温度80℃で1時間乾燥さ
せてエポキシ樹脂層を形成した。
Example 9 An epoxy resin (Epiclon 1050: Dainippon Japan) was provided on an aluminum conductive cylindrical substrate (80 mm in diameter × 330 mm in length) provided with a photosensitive layer of a 50 μm-thick selenium arsenide alloy single layer structure by a vacuum deposition apparatus according to a conventional method. 3.5% by weight, toluene 9
After drying the coating solution consisting of 6.5% by weight, the film thickness is about 0.2μm
And dried at 80 ° C. for 1 hour to form an epoxy resin layer.

次に、以上により得られたエポキシ樹脂層上に、第3
図に示すグロー放電分解装置を使用し、a−C膜からな
る最表面層を形成した。
Next, on the epoxy resin layer obtained as described above,
Using the glow discharge decomposition apparatus shown in the figure, an outermost surface layer composed of an aC film was formed.

まず、反応装置(733)の内部を10-6Torr程度の高真
空にした後、第1、第2調節弁(707、708)を解放し、
第1タンク(701)より水素ガス、第2タンク(702)よ
りプロピレンガスを、各々出力圧1.0kg/cm2の下で第
1、第2流量制御器(713)、(714)内へ流入させた。
そして、各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流
量を250sccm、プロピレンガスの流量を60sccmとなるよ
うに設定して、途中混合器(731)を介して、主管(73
2)より反応室(733)内へ流入した。
First, after the inside of the reactor (733) is evacuated to a high vacuum of about 10 -6 Torr, the first and second control valves (707, 708) are opened,
Hydrogen gas from the first tank (701) and propylene gas from the second tank (702) flow into the first and second flow controllers (713) and (714) at an output pressure of 1.0 kg / cm 2 , respectively. I let it.
Then, the scale of each flow controller is adjusted so that the flow rate of the hydrogen gas is set to 250 sccm and the flow rate of the propylene gas is set to 60 sccm, and the main pipe (731) is passed through the intermediate mixer (731).
From 2), it flowed into the reaction chamber (733).

各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が2.0Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。
After each flow rate was stabilized, the pressure control valve (745) was adjusted so that the pressure in the reaction chamber (733) became 2.0 Torr.

一方、基板(752)としては、前記セレン砒素合金単
層構成を有するアルミニウム導電性円筒基板上にエポキ
シ樹脂層を設けたものを用いた。該基板(752)は、ガ
ス導入前に約15分間をかけて室温より70℃にまで昇温し
た。
On the other hand, as the substrate (752), a substrate provided with an epoxy resin layer on the aluminum conductive cylindrical substrate having the selenium arsenic alloy single layer structure was used. The substrate (752) was heated from room temperature to 70 ° C. over about 15 minutes before gas introduction.

ガス流量および圧力が安定した状態で、予め接続選択
スイッチ(744)により接続しておいた低周波電源(74
1)を投入し、電力印加電極(736)に100Wattの電力を
周波数150KHzの下で印加して約1分30秒間プラズマ重合
反応を行ない、基板(752)上に厚さ0.15μmのa−C
膜を最表面層として形成した。
With the gas flow rate and pressure stabilized, a low-frequency power source (74
1) is input, a power of 100 Watt is applied to the power application electrode (736) at a frequency of 150 KHz to perform a plasma polymerization reaction for about 1 minute and 30 seconds, and an a-C layer having a thickness of 0.15 μm is formed on the substrate (752).
The film was formed as the outermost layer.

成膜完了後は電力印加を停止し、水素ガス以外の調節
弁を閉じ、反応室(733)内に水素ガスだけを200sccm流
入し、圧力を10Torrに保持し、約15分間で30℃まで降温
した。
After the film formation is completed, stop applying power, close the control valves other than hydrogen gas, flow only 200 sccm of hydrogen gas into the reaction chamber (733), maintain the pressure at 10 Torr, and lower the temperature to 30 ° C in about 15 minutes. did.

その後、水素ガスの調節弁を閉じ、反応室(733)内
を充分に排気し、反応室(733)の真空を破り、本発明
による表面保護層を有する感光体を取り出した。
Thereafter, the control valve for hydrogen gas was closed, the inside of the reaction chamber (733) was sufficiently evacuated, the vacuum in the reaction chamber (733) was broken, and the photoconductor having the surface protective layer according to the present invention was taken out.

以上のようにして得られたa−C膜につき有機定量分
析およびオージェ分析を行なったところ、含有される水
素原子の量は全構成原子に対して43atm.%であった。
Organic quantitative analysis and Auger analysis of the aC film obtained as described above revealed that the amount of contained hydrogen atoms was 43 atm.% Based on all constituent atoms.

特性: 得られた感光体は実施例1と同様の特性を有してい
る。また、耐刷試験中常時用いたクリーニングブレード
並びに廃棄トナー等からセレン、テルル、および砒素等
は検出されなかった。このことから本発明による感光体
の表面保護層は、画像品位を損なわずに耐久性の向上と
有害性の改善を達成するものであることが確認された。
Characteristics: The obtained photoreceptor has the same characteristics as in Example 1. In addition, selenium, tellurium, arsenic and the like were not detected from the cleaning blade and the waste toner which were constantly used during the printing durability test. From this, it was confirmed that the surface protective layer of the photoreceptor according to the present invention achieves improvement in durability and harmfulness without deteriorating image quality.

実施例10 真空蒸着装置を用い常法に従いセレンとセレンテルル
合金をこの順に設けた積層構成よりなる厚さ50μmの感
光層を設けたアルミニウム導電性円筒基板(直径80×長
さ330mm)を使用する以外は実施例9と同様に行った。
Example 10 Except for using an aluminum conductive cylindrical substrate (diameter 80 × length 330 mm) provided with a 50 μm-thick photosensitive layer having a laminated structure in which selenium and a selenium-tellurium alloy were provided in this order using a vacuum deposition apparatus according to a conventional method. Was performed in the same manner as in Example 9.

特性: 得られた感光体は実施例5と同様の特性を有してい
た。また耐刷試験中常時用いたクリーニングブレード並
びに廃棄トナー等からセレン、テルル、および砒素等は
検出されなかった。このことから本発明による感光体の
表面保護層は、画像品位を損なわずに耐久性の向上と有
害性の改善を達成するものであることが確認された。
Characteristics: The obtained photoreceptor had the same characteristics as in Example 5. In addition, selenium, tellurium, arsenic and the like were not detected from the cleaning blade and the waste toner used constantly during the printing durability test. From this, it was confirmed that the surface protective layer of the photoreceptor according to the present invention achieves improvement in durability and harmfulness without deteriorating image quality.

実施例11 熱硬化性アクリル樹脂(HR620:三菱レーヨン社製)2.
8重量%、メラミン樹脂(ユーバン20HS:三井東圧社製)
0.7重量%およびメチルイソブチルケトン:セロソルブ
アセテート(1:1)の混合溶液を加えて撹拌し調製した
塗布液を、乾燥後の膜厚が約0.15μmとなるようにディ
ッピング塗布し、温度80℃で1時間乾燥させて樹脂層を
形成した以外は、実施例9と同様に感光体を作製した。
Example 11 Thermosetting acrylic resin (HR620: manufactured by Mitsubishi Rayon Co.) 2.
8% by weight, melamine resin (Uban 20HS: manufactured by Mitsui Toatsu)
A coating solution prepared by adding a mixed solution of 0.7% by weight and methyl isobutyl ketone: cellosolve acetate (1: 1) and stirring is applied by dipping so that the film thickness after drying is about 0.15 μm, and the temperature is 80 ° C. A photoconductor was prepared by the same way as that of Example 9 except that the resin layer was formed by drying for 1 hour.

特性: 得られた感光体は実施例1と同様の特性を有してい
た。また耐刷試験中常時用いたクリーニングブレード並
びに廃棄トナー等からセレン、テルル、および砒素等は
検出されなかった。このことから本発明による感光体の
表面保護層は、画像品位を損なわずに耐久性の向上と有
害性の改善を達成するものであることが確認された。
Characteristics: The obtained photoreceptor had the same characteristics as in Example 1. In addition, selenium, tellurium, arsenic and the like were not detected from the cleaning blade and the waste toner used constantly during the printing durability test. From this, it was confirmed that the surface protective layer of the photoreceptor according to the present invention achieves improvement in durability and harmfulness without deteriorating image quality.

実施例12 真空蒸着装置を用い常法に従いセレンとセレンテルル
合金をこの順に設けた積層構成よりなる厚さ50μmの感
光層を設けたアルミニウム導電性円筒基板(直径80×長
さ330mm)を使用する以外は実施例9と同様に行った。
Example 12 Except for using an aluminum conductive cylindrical substrate (diameter 80 × length 330 mm) provided with a 50 μm-thick photosensitive layer having a laminated structure in which selenium and a selenium-tellurium alloy were provided in this order using a vacuum deposition apparatus according to a conventional method. Was performed in the same manner as in Example 9.

特性: 得られた感光体は実施例1と同様の特性を有してい
た。また耐刷試験中常時用いたクリーニングブレード並
びに廃棄トナー等からセレン、テルル、および砒素等は
検出されなかった。このことから本発明による感光体の
表面保護層は、画像品位を損なわずに耐久性の向上と有
害性の改善を達成するものであることが確認された。
Characteristics: The obtained photoreceptor had the same characteristics as in Example 1. In addition, selenium, tellurium, arsenic and the like were not detected from the cleaning blade and the waste toner used constantly during the printing durability test. From this, it was confirmed that the surface protective layer of the photoreceptor according to the present invention achieves improvement in durability and harmfulness without deteriorating image quality.

実施例13 真空蒸着装置を用い常法に従い厚さ50μmセレン砒素
合金単層構成の感光層を設けたアルミニウム導電性円筒
基板(直径80×長さ330mm)上に、エポキシ樹脂(エピ
クロン1050:大日本インキ社製)3.5重量%、トルエン9
6.5重量%からなる塗布溶液を乾燥後の膜厚が約0.2μm
になるようにスプレー塗布し、温度80℃で1時間乾燥さ
せてエポキシ樹脂層を形成した。
Example 13 An epoxy resin (Epiclon 1050: Dainippon Japan) was provided on an aluminum conductive cylindrical substrate (80 mm in diameter × 330 mm in length) provided with a photosensitive layer of a 50 μm-thick selenium arsenide alloy single layer structure according to a conventional method using a vacuum evaporation apparatus. 3.5% by weight, toluene 9
After drying the coating solution consisting of 6.5% by weight, the film thickness is about 0.2μm
And dried at 80 ° C. for 1 hour to form an epoxy resin layer.

次に、以上により得られたエポキシ樹脂層上に、第3
図に示すグロー放電分解装置を使用し、a−C膜からな
る最表面層を形成した。
Next, on the epoxy resin layer obtained as described above,
Using the glow discharge decomposition apparatus shown in the figure, an outermost surface layer composed of an aC film was formed.

まず、反応装置(733)の内部を10-6Torr程度の高真
空にした後、第1、第2および第3調節弁(707、708、
709)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス、第2
タンク(702)よりブタジエンガス、第3タンク(703)
より四フッ化炭素ガスを、各々出力圧1.0kg/cm2の下で
第1、第2、および第3流量制御器(713)、(714)、
(715)内へ流入させた。そして、各流量制御器の目盛
を調整して、水素ガスの流量を100sccm、ブタジエンガ
スの流量を60sccm、四フッ化炭素ガスの流量を120sccm
となるように設定して、途中混合器(731)を介して、
主管(732)より反応室(733)内へ流入した。
First, after the inside of the reactor (733) is evacuated to a high vacuum of about 10 -6 Torr, the first, second and third control valves (707, 708,
709) and release hydrogen gas and second gas from the first tank (701).
Butadiene gas from tank (702), third tank (703)
The first, second, and third flow controllers (713), (714), respectively, under an output pressure of 1.0 kg / cm 2 ,
(715). Then, by adjusting the scale of each flow controller, the flow rate of the hydrogen gas was set at 100 sccm, the flow rate of the butadiene gas was set at 60 sccm, and the flow rate of the carbon tetrafluoride gas was set at 120 sccm.
Through the mixer (731) on the way,
It flowed into the reaction chamber (733) from the main pipe (732).

各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が0.5Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。
After each flow rate was stabilized, the pressure control valve (745) was adjusted so that the pressure in the reaction chamber (733) became 0.5 Torr.

一方、基板(752)としては、前記セレン砒素合金単
層構成を有するアルミニウム導電性円筒基板上にエポキ
シ樹脂層を設けたものを用いた。該基板(752)は、ガ
ス導入前に約15分間をかけて室温より50℃にまで昇温し
た。
On the other hand, as the substrate (752), a substrate provided with an epoxy resin layer on the aluminum conductive cylindrical substrate having the selenium arsenic alloy single layer structure was used. The substrate (752) was heated from room temperature to 50 ° C. over about 15 minutes before gas introduction.

ガス流量および圧力が安定した状態で、予め接続選択
スイッチ(744)により接続しておいた低周波電源(74
1)を投入し、電力印加電極(736)に150Wattの電力を
周波数100KHzの下で印加して約1分間プラズマ重合反応
を行ない、基板(752)上に厚さ0.10μmのa−C膜を
最表面層として形成した。
With the gas flow rate and pressure stabilized, a low-frequency power source (74
1) is applied, a power of 150 Watt is applied to the power application electrode (736) at a frequency of 100 KHz to perform a plasma polymerization reaction for about 1 minute, and an aC film having a thickness of 0.10 μm is formed on the substrate (752). It was formed as the outermost surface layer.

成膜完了後は電力印加を停止し、水素ガス以外の調節
弁を閉じ、反応室(733)内に水素ガスだけを200sccm流
入し、圧力を10Torrに保持し、約15分間で30℃まで降温
した。
After the film formation is completed, stop applying power, close the control valves other than hydrogen gas, flow only 200 sccm of hydrogen gas into the reaction chamber (733), maintain the pressure at 10 Torr, and lower the temperature to 30 ° C in about 15 minutes. did.

その後、水素ガスの調節弁を閉じ、反応室(733)内
を充分に排気し、反応室(733)の真空を破り、本発明
による表面保護層を有する感光体を取り出した。
Thereafter, the control valve for hydrogen gas was closed, the inside of the reaction chamber (733) was sufficiently evacuated, the vacuum in the reaction chamber (733) was broken, and the photoconductor having the surface protective layer according to the present invention was taken out.

以上のようにして得られた非晶質炭化水素膜につき有
機定量分析を行なったところ、含有される水素原子の量
は全構成原子に対して40atm.%、ハロゲン原子、即ち、
フッ素原子の量は全構成原子に対して3.7atm.%であっ
た。
When an organic quantitative analysis was performed on the amorphous hydrocarbon film obtained as described above, the amount of hydrogen atoms contained was 40 atm.% Based on all constituent atoms, and halogen atoms, that is,
The amount of fluorine atoms was 3.7 atm.% Based on all constituent atoms.

感光体の特性評価: 得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をJIS−K
−5400規格に基づいて測定したところ、約6Hであり、感
光体は表面保護層により高硬度化されることが理解され
た。
Evaluation of characteristics of photoreceptor: The pencil hardness of the obtained photoreceptor surface was JIS-K
It was about 6H when measured based on the -5400 standard, and it was understood that the photoreceptor was hardened by the surface protective layer.

また、接着性をJIS−K−5400規格に基づいた基盤目
試験により判定したところ10点であったことから、本発
明による感光体の表面保護層は接着性に優れていること
が理解された。
Further, the adhesiveness was determined by a matrix test based on the JIS-K-5400 standard and found to be 10 points, indicating that the surface protective layer of the photoreceptor according to the present invention was excellent in adhesiveness. .

また、通常のカールソン方式において帯電器出力+6.
8kVのもとで得られた感光体を+600Vに帯電し、本実施
例で得られた感光体の白色光感度を測定したところ、半
減露光量は約0.96lux・secであり、表面保護層作製前に
測定しておいた値が約0.90lx・secであったことから、
本発明による感光体の表面保護層はセレン砒素合金単層
構成からなる感光体が本来有する感度を損なわないこと
が確認された。
In addition, the charger output +6 in the normal Carlson method.
The photoreceptor obtained under 8 kV was charged to +600 V, and the white light sensitivity of the photoreceptor obtained in this example was measured. The half-exposure amount was about 0.96 lux · sec. Since the value measured before was about 0.90 lxsec,
It has been confirmed that the surface protective layer of the photoreceptor according to the present invention does not impair the inherent sensitivity of the photoreceptor having a selenium arsenic alloy single layer structure.

また、得られた感光体を温度10℃、相対湿度30%の低
温低湿雰囲気と温度50℃、相対湿度90%高温高湿雰囲気
とが30分毎に交互に繰り返される環境下に6時間放置し
たところ、表面保護層の剥離、あるいはひび割れ等は認
められず、本発明の感光体の表面保護層は、セレン砒素
合金単層構成からなる感光体との実用的な接着性に優れ
た膜であることが確認された。
Further, the obtained photoreceptor was left for 6 hours in an environment in which a low-temperature and low-humidity atmosphere at a temperature of 10 ° C. and a relative humidity of 30% and a high-temperature and high-humidity atmosphere at a temperature of 50 ° C. and a relative humidity of 90% were alternately repeated every 30 minutes. However, no peeling or cracking of the surface protective layer was observed, and the surface protective layer of the photoreceptor of the present invention is a film having excellent practical adhesion to the photoreceptor having a single-layer structure of selenium arsenic alloy. It was confirmed that.

また本実施例で得られた感光体をミノルタカメラ社製
複写機EP650Zに搭載し実写したところ鮮明な画像が得ら
れ、さらに、温度35℃、相対湿度85%の環境下で実写し
てもいわゆる画像流れは認められなかった。また、複写
機内での現像剤、転写紙、並びに、清掃部材との接触に
おいても表面保護層の剥離は認められなかった。
The photoreceptor obtained in this example was mounted on a copying machine EP650Z manufactured by Minolta Camera Co., and a real image was obtained, and a clear image was obtained. No image deletion was observed. Also, no peeling of the surface protective layer was observed in contact with the developer, the transfer paper, and the cleaning member in the copying machine.

また、通常の室内において実写を25万枚行なったとこ
ろ、最後まで鮮明な画像が得られた。また、25万枚実写
後に、オージェ分析により表面の組成分析を行なったと
ころセレンあるいは砒素等は検出されなかった。
When 250,000 real shots were taken in a normal room, clear images were obtained until the end. In addition, when the composition of the surface was analyzed by Auger analysis after actually photographing 250,000 sheets, selenium or arsenic was not detected.

さらに、感光体表面上にはフィルミングが発生せず、
表面滑り性が良好であることが理解された。
Furthermore, no filming occurs on the photoconductor surface,
It was understood that the surface slipperiness was good.

以上のことから本発明の表面保護層は、画像品位を損
なわずに耐久性の向上と有害性の改善を達成するもので
あることが確認された。
From the above, it was confirmed that the surface protective layer of the present invention achieves improvement in durability and harmfulness without deteriorating image quality.

比較例1および2 樹脂層を設けなかった以外は実施例1と同様にしてセ
レン砒素合金単層構成からなる感光層(比較例1)並び
にセレンとセレンテルルをこの順に設けた積層構成の感
光層(比較例2)上にa−C膜最表面層を形成し、感光
体を作製した。
Comparative Examples 1 and 2 In the same manner as in Example 1 except that the resin layer was not provided, a photosensitive layer having a single-layer structure of selenium-arsenic alloy (Comparative Example 1) and a photosensitive layer having a laminated structure in which selenium and selenium were provided in this order ( Comparative Example 2) An outermost surface layer of an aC film was formed thereon to prepare a photoconductor.

得られた感光体の表面について接着性をJIS−K−540
0規格に基づいた碁盤目試験により判定したところ2点
であったことから、本発明により接着性が向上すること
が確認された。
Adhesion of the surface of the obtained photoreceptor was determined by JIS-K-540.
As judged by a grid test based on the 0 standard, it was 2 points, and it was confirmed that the adhesiveness was improved by the present invention.

発明の効果 本発明によりセレン砒素合金の単層あるいはセレンと
セレンテルル合金をこの順に設けた積層構成よりなる感
光体の表面保護層の構成を樹脂層およびa−C膜からな
る最表面保護層の2層構成とすることにより、本来有す
る感光体特性は損なわれず、かつ表面保護層が耐剥離
性、耐久性に優れたものとなる。
Effect of the Invention According to the present invention, the surface protective layer of the photosensitive member having a single layer of selenium arsenide alloy or a laminated structure in which selenium and selenium tellurium are provided in this order is replaced with a resin layer and an outermost surface protective layer composed of an aC film. By adopting the layer structure, the inherent properties of the photoreceptor are not impaired, and the surface protective layer has excellent peeling resistance and durability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は感光体の模式的断面図を示す。 第2図および第3図は本発明に係わる感光体最表面層製
造用装置の一例を示す。 図中の記号は以下の通りである。 (1a)……最表面層 (1b)……樹脂層 (2)……感光層 (3)……導電性基板 (4)……表面保護層 (701)〜(706)……タンク (707)〜(712)……調節弁 (713)〜(718)……流量制御器 (728)〜(730)……流量制御器 (719)〜(721)……容器 (722)〜(724)……加熱器 (731)……混合器 (732)……主管 (733)……反応室 (734)……配管加熱器 (736)……電力印加電極 (737)……電極加熱器 (738)……高周波電力用整合器 (739)……高周波電源 (740)……低周波電力用整合器 (741)……低周波電源 (742)……ローパスフィルタ (743)……直流電源 (744)……接続選択スイッチ (745)……圧力調節弁 (746)……排気系選択弁 (747)……拡散ポンプ (748)……油回転ポンプ (749)……冷却除外装置 (750)……メカニカルブースターポンプ (751)……反応室加熱器 (752)……基板 (753)……除外装置
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the photoconductor. 2 and 3 show an example of an apparatus for producing the outermost surface layer of the photoreceptor according to the present invention. The symbols in the figure are as follows. (1a): outermost layer (1b): resin layer (2): photosensitive layer (3): conductive substrate (4): surface protective layer (701) to (706): tank (707) )-(712) ... Control valve (713)-(718) ... Flow controller (728)-(730) ... Flow controller (719)-(721) ... Container (722)-(724) … Heating device (731)… Mixer (732)… Main tube (733)… Reaction chamber (734)… Piping heater (736)… Electrical electrode (737)… Electrode heater (738) ) Matching device for high-frequency power (739) Matching device for high-frequency power (740) Matching device for low-frequency power (741) Low-frequency power supply (742) Low-pass filter (743) DC power supply (744) ) Connection selection switch (745) Pressure control valve (746) Exhaust system selection valve (747) Diffusion pump (748) Oil rotary pump (749) Cooling exclusion device (750) … Mechanical booster Pump (751) .... reaction chamber heater (752) ... substrate (753) ... removal systems

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 正木 賢治 大阪府大阪市東区安土町2丁目30番地 大阪国際ビル ミノルタカメラ株式会社 内 (56)参考文献 特開 昭60−61761(JP,A) 特開 昭60−225163(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Kenji Masaki 2-30 Azuchicho, Higashi-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Osaka International Building Minolta Camera Co., Ltd. (56) References JP-A-60-61761 (JP, A) Kaisho 60-225163 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】導電性基板上にセレン砒素合金の単層また
はセレンとセレンテルル合金をこの順に設けた積層構成
よりなる感光体において、該感光体の表面に樹脂層およ
び該樹脂層上にグロー放電プラズマ重合法により生成さ
れた非晶質炭化水素膜(a−C膜)からなる最表面層の
2層からなる表面保護層を有することを特徴とする感光
体。
1. A photoreceptor having a single layer of selenium-arsenic alloy or a laminated structure in which selenium and a selenium-tellurium alloy are provided in this order on a conductive substrate, a resin layer on the surface of the photoreceptor and a glow discharge on the resin layer. A photoreceptor comprising a surface protective layer composed of two outermost layers composed of an amorphous hydrocarbon film (a-C film) formed by a plasma polymerization method.
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