JP2630934B2 - Image display method and image display device - Google Patents

Image display method and image display device

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JP2630934B2
JP2630934B2 JP61138231A JP13823186A JP2630934B2 JP 2630934 B2 JP2630934 B2 JP 2630934B2 JP 61138231 A JP61138231 A JP 61138231A JP 13823186 A JP13823186 A JP 13823186A JP 2630934 B2 JP2630934 B2 JP 2630934B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電子発生源を用いた画像表示方法及び画像
表示装置に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an image display method and an image display device using an electron source.

[従来の技術] 従来より、例えば特公昭54−30274号公報、特開昭54
−111272号公報(USP 4259678)、特開昭56−15529号
公報(USP 4303930)、特開昭57−38528号公報等に開
示されている固体電子ビーム発生装置は、電子放射密度
が高く、高集積化が可能であるなどの特長から、これを
画像表示装置に応用する様々な提案がなされてきた。
[Prior Art] Conventionally, for example, Japanese Patent Publication No. Sho 54-30274,
The solid-state electron beam generators disclosed in JP-A-111272 (USP 4259678), JP-A-56-15529 (USP 4303930), and JP-A-57-38528 have high electron emission densities. There have been various proposals for applying this to an image display device because of its features such as integration.

[発明が解決しようとする問題点] 本発明者らは上記画像表示装置において、固体電子ビ
ーム発生装置から放出される電子量のアナログ的な制御
方法について検討した結果、集積化された電子ビーム発
生装置の各素子間の電子放出密度のばらつきが表示画像
の品位に重大な影響を与えるので、各素子間に高い均一
性が要求されるという大きな問題点が存在することを知
見した。
[Problems to be Solved by the Invention] The present inventors have studied an analog control method of the amount of electrons emitted from the solid-state electron beam generator in the above-mentioned image display device. Since the variation in the electron emission density between the elements of the device has a significant effect on the quality of the displayed image, it has been found that there is a major problem that high uniformity is required between the elements.

第5図は、この種の画像表示装置に用いられる電子ビ
ーム発生装置の印加電圧と放出電流密度の関係特性を示
す図で、この種のビーム発生装置は半導体のp−n接合
を利用しているため、印加電圧が閾値電圧V0に達するま
で電子は放出されず、閾値電圧V0を越えると放出電流は
指数関数的に増加する。更に電圧値を増加させると、電
子放出面や引き出し電極近傍の空間電荷効果の影響によ
り、放出電流密度は飽和現象を起こす。このような特性
において、固体電子ビーム発生装置の印加電圧により中
間調の再現を試みる場合、電圧−電流特性の急峻な領域
(A−B間)を用いなければならず、微小な電圧のズレ
によって発光輝度が大きく異なることになり、良好な中
間調再現は困難となる。
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the applied voltage and the emission current density of an electron beam generator used for this type of image display device. This type of beam generator utilizes a pn junction of a semiconductor. because you are, electrons to the applied voltage reaches the threshold voltage V 0 is not released, the emission current exceeds a threshold voltage V 0 increases exponentially. When the voltage value is further increased, the emission current density saturates under the influence of the space charge effect near the electron emission surface and the extraction electrode. With such characteristics, when trying to reproduce halftone by applying a voltage of the solid-state electron beam generator, a steep region (between A and B) of the voltage-current characteristics must be used. Since the light emission luminances are greatly different, it is difficult to reproduce a good halftone.

この種の固体電子ビーム発生装置は、電子発生源を1
つの基板上に多数集積し、マルチビーム化することによ
って、従来の熱放出型のカソードに差をつけることがで
きるのであるが、そのような集積化を行った場合、各電
子発生源の印加電圧−放出電流特性は、第5図の配線
A′−B′や一点鎖線A″−B″のようにバラつく。従
って、集積化された複数の電子源を同一の条件で駆動で
きず、印加電圧の変動により中間調の再現を行うことは
更に困難となる。
This type of solid-state electron beam generator uses one electron source.
By integrating many on a single substrate and forming a multi-beam, it is possible to differentiate the conventional heat emission type cathode, but when such integration is performed, the applied voltage of each electron source -The emission current characteristics vary as shown by the wiring A'-B 'and the alternate long and short dash line A "-B" in FIG. Therefore, a plurality of integrated electron sources cannot be driven under the same condition, and it becomes more difficult to reproduce halftone due to a change in applied voltage.

また、このような固体電子ビーム発生装置を多数生産
した場合、個々の固体電子ビーム源の特性がランダムに
バラつくことは容易に予想され、従って、これらを用い
て印加電圧の変動により中間調を再現するような画像表
示装置を多数生産する場合、個々の画像表示装置毎に印
加電圧と蛍光輝度の調整を必要とし、生産ラインの面で
も重大な困難を生じる。
Further, when a large number of such solid-state electron beam generators are manufactured, it is easily expected that the characteristics of the individual solid-state electron beam sources will vary at random. In the case of producing a large number of image display devices that can be reproduced, it is necessary to adjust the applied voltage and the fluorescent luminance for each image display device, which causes serious difficulties in terms of a production line.

更に、アナログ的な制御を行うためには、固体電子ビ
ーム発生装置の周辺回路にアナログ素子が多数必要とな
り、回路の複雑化とコストアップを招く欠点があった。
Further, in order to perform analog control, a large number of analog elements are required in peripheral circuits of the solid-state electron beam generator, and there is a drawback that the circuit becomes complicated and the cost increases.

本発明は、このような問題点に鑑みなされたもので、
固体電子ビーム発生装置内の各素子間での高い均一性を
必要としない、簡易な中間調再現の方法、及び該方法を
実施し得る画像表示装置を提供することを目的としてい
る。
The present invention has been made in view of such problems,
An object of the present invention is to provide a simple halftone reproduction method that does not require high uniformity among elements in a solid-state electron beam generator, and an image display device that can execute the method.

[問題点を解決するための手段] 上記目的を達成するための本発明の構成は以下の通り
である。
[Means for Solving the Problems] The configuration of the present invention for achieving the above object is as follows.

即ち、本発明の第一は、複数の電子発生源から放出さ
れる電子ビームを発光部材に照射することで画像表示を
行う画像表示方法において、入力画像信号の各画素の輝
度レベルに応じて、各画素毎に、複数の電子発生源から
電子ビームの放出パターンを制御し、且つ、該電子発生
源を、放出電流密度が飽和する領域での印加電圧にて駆
動することを特徴とする画像表示方法にある。
That is, the first of the present invention, in an image display method for performing image display by irradiating a light emitting member with electron beams emitted from a plurality of electron sources, according to the luminance level of each pixel of the input image signal, An image display characterized by controlling emission patterns of electron beams from a plurality of electron sources for each pixel, and driving the electron sources with an applied voltage in a region where the emission current density is saturated. In the way.

上記本発明第一の画像表示方法は、さらにその特徴と
して、 「前記制御された放出電子ビームは、集束されて前記
発光部材に照射される」こと、 「前記制御された放出電子ビームを、前記発光部材上
で走査する」こと、 「前記電子発光源は、冷陰極型の電子発生源である」
こと、 をも含むものである。
The first image display method of the present invention further has the following features: "the controlled emission electron beam is focused and irradiated to the light emitting member.""Scanning on a light emitting member", "the electron light emitting source is a cold cathode type electron generating source"
It also includes

また、本発明の第二は、複数の電子発生源と、該電子
発生源から放出される電子ビームの照射により発光する
発光部材とを有する画像表示装置において、1画素の複
数の輝度レベルの各々に対応して設定された複数の電子
発生源からの電子ビームの放出パターンの情報を記憶し
たメモリーと、前記メモリーから入力画像信号の各画素
の輝度レベルに応じて、前記電子ビームの放出パターン
の情報を読み出すためのアドレス発生手段と、前記メモ
リーから読み出された前記電子ビームの放出パターンの
情報に基づき前記発光部材上に電子ビームを照射するた
めの手段とを備え、且つ、前記発光部材上に電子ビーム
を照射するための手段は、前記電子発生源を、放出電流
密度が飽和する領域での印加電圧にて駆動する手段を有
することを特徴とする画像表示装置にある。
According to a second aspect of the present invention, in an image display device having a plurality of electron sources and a light emitting member which emits light by irradiation of an electron beam emitted from the electron sources, each of a plurality of luminance levels of one pixel is provided. And a memory storing information of the emission pattern of the electron beam from the plurality of electron sources set in correspondence with, and according to the luminance level of each pixel of the input image signal from the memory, Address generating means for reading information, and means for irradiating the light emitting member with an electron beam based on the information on the emission pattern of the electron beam read from the memory; and Means for irradiating the electron source with an electron beam includes means for driving the electron source with an applied voltage in a region where the emission current density is saturated. In the image display device.

上記本発明第二の画像表示装置は、さらにその特徴と
して、 「前記発光部材上に電子ビームを照射するための手段
は、前記メモリーから読み出された前記電子ビームの放
出パターンの情報に基づき放出された電子ビームを集束
する手段を有する」こと、 「前記発光部材上に電子ビームを照射するための手段
は、前記電子発生源を駆動するための手段と、電子ビー
ムを偏向するための手段とを有する」こと、 「前記電子発生源は、冷陰極型の電子発生源である」
こと、 を含むものである。
The second image display device of the present invention further has a feature that "the means for irradiating the light emitting member with an electron beam emits an electron beam based on information on the emission pattern of the electron beam read from the memory. Having means for converging the focused electron beam "," means for irradiating the light emitting member with the electron beam, means for driving the electron source, and means for deflecting the electron beam. "The electron source is a cold cathode type electron source."
It includes.

[作 用] 本発明によれば、入力画像信号の各画素の輝度レベル
に応じて、各画素毎に、複数の電子発生源からの電子ビ
ームの放出パターンを制御する、具体的には例えば、電
子ビームを放出させる電子発生源の数を制御することに
より、中間調の表示を制御する。さらに、このとき、電
子発生源のオン−オフ動作のオン時(駆動時)に、放出
電流が飽和する領域での電圧を印加する、即ち第5図に
示す印加電圧−電流密度特性における飽和特性領域(B
−C間)での印加電圧にて駆動する。このため、印加電
圧−電流密度特性における急峻な領域(A−B間)での
印加電圧を用いて中間調を表示する場合のように、個々
の電子発生源間の特性のばらつきに影響されることがな
く、良好な中間調の再現が可能となる。
[Operation] According to the present invention, an emission pattern of electron beams from a plurality of electron sources is controlled for each pixel in accordance with the luminance level of each pixel of the input image signal. By controlling the number of electron sources that emit an electron beam, the display of halftone is controlled. Further, at this time, a voltage in a region where the emission current is saturated is applied at the time of on-time (during driving) of the on-off operation of the electron generating source, that is, the saturation characteristic in the applied voltage-current density characteristic shown in FIG. Region (B
(Between −C). Therefore, as in the case where halftone is displayed by using an applied voltage in a steep region (between A and B) in the applied voltage-current density characteristics, it is affected by variations in characteristics between individual electron sources. And good halftone reproduction is possible.

[実施例] 以下、本発明の実施例を図面と共に説明する。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は、本発明の基本的な構成を示す斜視図であ
る。第1図において、画像表示装置は、固体電子ビーム
発生装置の電子発生源1が3個×3の平面状に配列され
ていて、電子発生源1から放出された電子ビームは、水
平偏向手段2と垂直偏向手段3によって制御され、蛍光
面4上を水平方向に走査されるが、電子発生源1の近傍
には、集束電極5が配設されていて、各電子発生源1か
らの電子ビームを蛍光面4上の一点に集束する。
FIG. 1 is a perspective view showing a basic configuration of the present invention. In FIG. 1, the image display apparatus has a solid-state electron beam generating apparatus in which three electron generating sources 1 are arranged in a plane of 3 × 3, and an electron beam emitted from the electron generating source 1 Is controlled by the vertical deflection means 3 to scan the phosphor screen 4 in the horizontal direction. In the vicinity of the electron source 1, a focusing electrode 5 is provided, and the electron beam from each electron source 1 is provided. At one point on the phosphor screen 4.

走査は一点に集束されて行われるが、9個の電子発生
源の電子放出−非放出は個々に独立して行われるので、
一画素中に注入される電子量はその都度制御され、中間
調が再現される。
Scanning is performed by focusing on one point. However, since the electron emission and non-emission of the nine electron sources are individually performed independently,
The amount of electrons injected into one pixel is controlled each time, and halftone is reproduced.

第2図は、9個の電子発生源によって、9段階の中間
調が表示できる一例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example in which nine levels of halftones can be displayed by nine electron sources.

第3図(a)は、本実施例における集積化された固体
電子発生源の平面図であり、第3図(b)は第3図
(a)のX−Xにおける断面図、第3図(c)は第3図
(a)のY−Yにおける断面図である。これらの各図に
おいて、30はn型基板で、内部に共通電極として低オー
ミックp型通路31が形成され、更にこの共通電極と交差
する選択電極として高ドープn形表面層32(A,B,C…
I)が形成されている。p−n接合部33は基板壁面に露
呈しないが、このp−n接合による空乏層が開口部34と
して露出している。尚、第3図(a)では、低オーミッ
クp形通路31は破線で示され、高ドープn形表面層32は
鎖線で示され、開口部34(A,B,C…I)内には、前記高
ドープn形表面層32とシリコン本体の基板30とが、V字
形凹所の壁面に沿って示されている。
FIG. 3A is a plan view of an integrated solid-state electron generating source according to the present embodiment, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 3A. FIG. 3C is a sectional view taken along line YY in FIG. 3A. In these figures, reference numeral 30 denotes an n-type substrate, in which a low ohmic p-type passage 31 is formed as a common electrode, and a highly doped n-type surface layer 32 (A, B, C…
I) is formed. The pn junction 33 is not exposed on the wall surface of the substrate, but a depletion layer due to the pn junction is exposed as an opening 34. In FIG. 3 (a), the low ohmic p-type channel 31 is indicated by a broken line, the highly doped n-type surface layer 32 is indicated by a chain line, and the openings 34 (A, B, C... I) The highly doped n-type surface layer 32 and the silicon body substrate 30 are shown along the walls of the V-shaped recess.

前記低オーミックp型通路31は、接点領域35及びコン
タクト窓36j,36k,36lを介して、接続用電極37j,37k,37l
に接続され、高ドープn形表面層32は、コンタクト窓36
a,36b,36cを介して、接続用電極37a,37b,37cに接続され
ている。そして、絶縁層38上に、前記開口部34を囲むよ
うに加速電極39が配設されている。
The low ohmic p-type passage 31 is connected to the connection electrodes 37j, 37k, 37l through the contact region 35 and the contact windows 36j, 36k, 36l.
And the highly doped n-type surface layer 32 is
They are connected to connection electrodes 37a, 37b, 37c via a, 36b, 36c. An accelerating electrode 39 is provided on the insulating layer 38 so as to surround the opening 34.

このような構成において、アバランシェ増幅作用がp
−n接合で生ずるような電圧を、マトリクス構成の接続
用電極37j〜37l及び37a〜37cに印加し、同時に前記加速
電圧39に所望の電圧を与えることにより、所望の陰極
(A,B,C…I)を選択的に動作させて、電子放出を行わ
せることができる。尚、この電子放出の詳細な機構につ
いては、前記特許に開示されている。
In such a configuration, the avalanche amplification action is p
A voltage such as that generated at the -n junction is applied to the connection electrodes 37j to 37l and 37a to 37c in a matrix configuration, and at the same time, a desired voltage is applied to the accelerating voltage 39, whereby a desired cathode (A, B, .. I) can be selectively operated to emit electrons. The detailed mechanism of this electron emission is disclosed in the patent.

第4図は、本実施例の画像表示装置の一構成例を示す
ブロック図である。第4図ハ本発明による映像信号の再
生例で、入力ビデオ信号Sは、同期分離回路41で、映像
信号Svと同期信号Stとに分離され、同期信号Stによりタ
イミングパルス発生回路42がトリガーされて、A/D変換
回路43へサンプリングパルスが出力され、映像信号S
vは、そのサンプリングパルスによって、A/D変換回路43
でデジタル化されたのち、ROMテーブル44に入力され
る。
FIG. 4 is a block diagram showing one configuration example of the image display device of the present embodiment. In reproduction of a video signal according to the fourth map segments present invention, the input video signal S is a synchronous separation circuit 41, is separated into a video signal S v and sync signal S t, the timing pulse generating circuit by a synchronization signal S t 42 Is triggered, a sampling pulse is output to the A / D conversion circuit 43, and the video signal S
v is the A / D conversion circuit 43
, And is input to the ROM table 44.

ROMテーブル44は、電子発生源(A,B,C…I)の数に対
応させて、9個用意され、下記表1の如き内容が格納さ
れている。
Nine ROM tables 44 are prepared corresponding to the number of the electron sources (A, B, C... I), and store the contents as shown in Table 1 below.

このROMテーブル44のデータは、A/D変換回路43からの
入力及びタイミングパルス発生回路42からの入力に基づ
いて記憶情報に参照され、各画素の強度に従って、電子
発生源のオン−オフ・タイミング信号が出力され、電子
発生源ドライバー45で所望の電圧に増幅されたのち、固
体電子ビーム発生源46の接続用電極(A,B,C…)に入力
され、電子ビームがオン−オフされて、放出された電子
は集束電極47により蛍光面52上の一点に集束される。垂
直偏向駆動回路48は、前記同期信号Stの垂直同期信号に
従って、所望の駆動電圧を垂直偏向電極49に印加する。
水平偏向駆動回路50は、前記同期信号Stの水平同期信号
に従い、所望の駆動電圧を水平偏向電極51に印加する。
このように制御されつつ、固体電子ビーム発生源46から
放射された電子ビームは蛍光体面52上を走査され、画像
表示が行われる。
The data in the ROM table 44 is referred to as stored information based on the input from the A / D conversion circuit 43 and the input from the timing pulse generation circuit 42, and according to the intensity of each pixel, the on-off timing of the electron generation source After a signal is output and amplified to a desired voltage by the electron source driver 45, it is input to the connection electrodes (A, B, C...) Of the solid-state electron beam source 46, and the electron beam is turned on and off. The emitted electrons are focused to one point on the phosphor screen 52 by the focusing electrode 47. Vertical deflection driving circuit 48 in accordance with the vertical synchronizing signal of the synchronizing signal S t, to apply a desired driving voltage to the vertical deflection electrode 49.
Horizontal deflection drive circuit 50 in accordance with the horizontal synchronizing signal of the synchronizing signal S t, to apply a desired driving voltage to the horizontal deflection electrode 51.
While being controlled in this manner, the electron beam emitted from the solid-state electron beam source 46 is scanned on the phosphor surface 52, and an image is displayed.

尚、本実施例では、電子ビーム発生源の個数と1画素
の分割数とが等しくされているが、電子発生源の個数を
1画素の分割数の整数倍とし、1回の水平偏向によって
画像の複数のラインを同時に再現することも可能であ
る。この場合、水平走査同期が長くなり、一画素当りの
電子ビームの照射時間を長くとれるため、高精細な画像
表示が実現できる。
In the present embodiment, the number of electron beam sources is equal to the number of divisions of one pixel. However, the number of electron sources is an integral multiple of the number of divisions of one pixel, and the image is formed by one horizontal deflection. Can be reproduced at the same time. In this case, the horizontal scanning synchronization becomes longer, and the irradiation time of the electron beam per pixel can be made longer, so that a high definition image display can be realized.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、入力画像信号
の各画素の輝度レベルに応じて、各画素毎に、複数の電
子発生源からの電子ビームの放射パターンを制御し、さ
らに、電子発生源のオン−オフ動作のオン時(駆動時)
に、放出電流が飽和する領域での電圧を印加することに
よって中間調を表示するものであるため、個々の電子発
生源間の特性のばらつきに左右されることなく良好な中
間調を簡便に再現することができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the emission pattern of the electron beam from the plurality of electron sources is controlled for each pixel according to the luminance level of each pixel of the input image signal. In addition, when the on / off operation of the electron source is on (driving)
Since the halftone is displayed by applying a voltage in the region where the emission current is saturated, a good halftone can be easily reproduced without being affected by variations in characteristics between individual electron sources. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の基本構成図、第2図は固体電子ビーム
発生源の放出パターンの説明図、第3図は固体電子発生
源の平面図及び断面図、第4図は実施例のブロック図、
第5図は電子ビーム発生装置の特性図である。 1,46;電子発生源、 2,50,51;水平偏向手段、 3,48,49;垂直偏向手段、 4,52;蛍光面、 5,47;集束電極、 43;サンプリングパルス発生回路、 44;ROMテーブル。
FIG. 1 is a basic structural view of the present invention, FIG. 2 is an explanatory view of an emission pattern of a solid-state electron beam source, FIG. 3 is a plan view and a sectional view of the solid-state electron source, and FIG. Figure,
FIG. 5 is a characteristic diagram of the electron beam generator. 1,46; electron source, 2,50,51; horizontal deflection means, 3,48,49; vertical deflection means, 4,52; phosphor screen, 5,47; focusing electrode, 43; sampling pulse generation circuit, 44 ; ROM table.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 一郎 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭49−102238(JP,A) 特開 昭52−106737(JP,A) 特開 昭60−49540(JP,A) 特開 昭49−98930(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Ichiro Nomura 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (56) References JP-A-49-102238 (JP, A) JP-A-52 -106737 (JP, A) JP-A-60-49540 (JP, A) JP-A-49-98930 (JP, A)

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】複数の電子発生源から放出される電子ビー
ムを発光部材に照射することで画像表示を行う画像表示
方法において、 入力画像信号の各画素の輝度レベルに応じて、各画素毎
に、複数の電子発生源からの電子ビームの放出パターン
を制御し、且つ、該電子発生源を、放出電流密度が飽和
する領域での印加電圧にて駆動することを特徴とする画
像表示方法。
1. An image display method for displaying an image by irradiating an electron beam emitted from a plurality of electron sources to a light emitting member, wherein each pixel is provided with an input image signal in accordance with a luminance level of each pixel. An image display method for controlling an emission pattern of an electron beam from a plurality of electron sources, and driving the electron sources with an applied voltage in a region where an emission current density is saturated.
【請求項2】前記制御された放出電子ビームは、集束さ
れて前記発光部材に照射される特許請求の範囲第1項に
記載の画像表示方法。
2. The image display method according to claim 1, wherein said controlled emission electron beam is focused and applied to said light emitting member.
【請求項3】前記制御された放出電子ビームを、前記発
光部材上で走査することを含む特許請求の範囲第1項又
は第2項に記載の画像表示方法。
3. The image display method according to claim 1, further comprising scanning the controlled emission electron beam on the light emitting member.
【請求項4】前記電子発生源は、冷陰極型の電子発生源
である特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれかに記
載の画像表示方法。
4. The image display method according to claim 1, wherein said electron source is a cold cathode type electron source.
【請求項5】複数の電子発生源と、該電子発生源から放
出される電子ビームの照射により発光する発光部材とを
有する画像表示装置において、 1画素の複数の輝度レベルの各々に対応して設定された
複数の電子発生源からの電子ビームの放出パターンの情
報を記憶したメモリーと、 前記メモリーから入力画像信号の各画素の輝度レベルに
応じて、前記電子ビームの放出パターンの情報を読み出
すためのアドレス発生手段と、 前記メモリーから読み出された前記電子ビームの放出パ
ターンの情報に基づき前記発光部材上に電子ビームを照
射するための手段とを備え、 且つ、前記発光部材上に電子ビームを照射するための手
段は、前記電子発生源を、放出電流密度が飽和する領域
での印加電圧にて駆動する手段を有することを特徴とす
る画像表示装置。
5. An image display apparatus comprising: a plurality of electron sources; and a light-emitting member which emits light when irradiated with an electron beam emitted from the electron sources, wherein each of the plurality of brightness levels corresponds to one pixel. A memory for storing information of emission patterns of electron beams from a plurality of set electron generating sources; and for reading out information of the emission patterns of the electron beams from the memory in accordance with a luminance level of each pixel of an input image signal. Address generating means, and means for irradiating the light emitting member with an electron beam based on the information on the emission pattern of the electron beam read from the memory; and The means for irradiating includes means for driving the electron source with an applied voltage in a region where the emission current density is saturated. Indicating device.
【請求項6】前記発光部材上に電子ビームを照射するた
めの手段は、前記メモリーから読み出された前記電子ビ
ームの放出パターンの情報に基づき放出された電子ビー
ムを集束する手段を有する特許請求の範囲第5項に記載
の画像表示装置。
6. The means for irradiating the light emitting member with an electron beam includes means for focusing the emitted electron beam based on information on an emission pattern of the electron beam read from the memory. Item 6. The image display device according to Item 5.
【請求項7】前記発光部材上に電子ビームを照射するた
めの手段は、前記電子発生源を駆動するための手段と、
電子ビームを偏向するための手段とを有する特許請求の
範囲第5項又は第6項に記載の画像表示装置。
7. A means for irradiating the light emitting member with an electron beam includes: means for driving the electron generating source;
7. The image display device according to claim 5, further comprising means for deflecting the electron beam.
【請求項8】前記電子発生源は、冷陰極型の電子発生源
である特許請求の範囲第5項乃至第7項のいずれかに記
載の画像表示装置。
8. The image display device according to claim 5, wherein said electron source is a cold cathode type electron source.
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