JP2629896B2 - Method of forming ferrite film - Google Patents

Method of forming ferrite film

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JP2629896B2 JP63266382A JP26638288A JP2629896B2 JP 2629896 B2 JP2629896 B2 JP 2629896B2 JP 63266382 A JP63266382 A JP 63266382A JP 26638288 A JP26638288 A JP 26638288A JP 2629896 B2 JP2629896 B2 JP 2629896B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、磁気ヘッ
ド、磁気光学素子、マイクロ波素子、磁歪素子、磁気音
響素子などに広く応用されているスピネル型フェライト
膜の作製におけるフェライト膜の形成方法に関するもの
である。
The present invention relates to a spinel widely applied to a magnetic recording medium, a magneto-optical recording medium, a magnetic head, a magneto-optical element, a microwave element, a magnetostrictive element, a magneto-acoustic element, and the like. The present invention relates to a method for forming a ferrite film in manufacturing a ferrite film.

従来の技術 フェライトめっきとは、例えば、特開昭59−111929号
公報に示されているように、固体表面に、金属イオンと
して少なくとも第1鉄イオンを含む水溶液を接触させ
て、固体表面にFeOH+またはこれと他の水酸化金属イオ
ンを吸着させ、次いで、吸着したFeOH+を酸化させるこ
とによりFeOH2+を得、これが水溶液中の水酸化金属イオ
ンとの間でフェライト結晶化反応を起こし、これによっ
て固体表面にフェライト膜を形成することをいう。
2. Description of the Related Art Ferrite plating is, for example, as described in JP-A-59-111929, by contacting an aqueous solution containing at least ferrous ion as a metal ion with a solid surface, and contacting the solid surface with FeOH. + Or other metal hydroxide ions are adsorbed, and then the adsorbed FeOH + is oxidized to obtain FeOH 2 + , which causes a ferrite crystallization reaction with the metal hydroxide ions in the aqueous solution, This means that a ferrite film is formed on the solid surface.

従来、この技術を基にめっき膜の均質化、反応速度の
向上等を図ったもの(特開昭60−140713号公報)、固体
表面に界面活性を付与して種々の固体にフェライト膜を
形成しようとするもの(特開昭61−30674号公報)、あ
るいはフェライト膜の形成速度の向上に関するもの(特
開昭61−179877号公報ないし特開昭61−222924号公報)
がある。
Conventionally, the plating film is homogenized and the reaction rate is improved based on this technology (Japanese Patent Application Laid-Open No. 140713/1985). Ferrite films are formed on various solids by imparting surface activity to the solid surface. Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 61-30674, and Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 61-222924 and Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 61-222924.
There is.

フェライトめっきは、膜を形成しようとする固体が前
述した水溶液に対して耐性があれば、何でもよい。さら
に、水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温
(水溶液の沸点以下)でスピネル型フェライト膜を作製
できるという特徴がある。そのため、他のフェライト膜
作製技術に比べて、固体の限定範囲が小さい。
Any ferrite plating may be used as long as the solid to be formed into a film has resistance to the above-mentioned aqueous solution. Further, since the reaction is carried out via an aqueous solution, a spinel ferrite film can be produced at a relatively low temperature (below the boiling point of the aqueous solution). Therefore, the limited range of the solid is smaller than that of other ferrite film manufacturing techniques.

発明が解決しようとする課題 しかし、前述したように、これまで膜の均質性あるい
は膜の生成速度等に種々の改善が提案されているが、得
られる膜の磁気特性については前述した全ての方式とも
不十分であった。つまり、スピネル型フェライトとして
の十分な磁気特性、特にソフト材料としての特性が得ら
れていない。そのため、各種電子部品等への応用・適用
等に関して大きな課題があった。
Problems to be Solved by the Invention However, as described above, various improvements have been proposed to the homogeneity of the film or the formation speed of the film. Both were inadequate. That is, sufficient magnetic properties as spinel type ferrite, especially properties as a soft material are not obtained. For this reason, there has been a major problem regarding application to various electronic components and the like.

フェライト膜の保磁力については、例えば、金属表面
技術VOL.38,No.9,1987 P.1に示されているように約100O
e以上であり、マグネタイトもMnおよびZnを含んだ(MnZ
n系)フェライトもほぼ同様の大きさである。
For the coercive force of the ferrite film, for example, as shown in Metal Surface Technology VOL. 38, No. 9, 1987 P.1, about 100 O
e and the magnetite also contained Mn and Zn (MnZ
The n-type) ferrite has almost the same size.

課題を解決するための手段 以上の課題を解決するために本発明は、金属イオンと
して少なくとも第1鉄イオンおよび第1鉄イオンを酸化
するための酸化剤の少なくとも2種類含んだ溶液を基体
に接触させる前に混合して基体に供給して、基体表面に
フェライト膜を堆積させる方法としたものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention provides a method for contacting a substrate with a solution containing at least ferrous ions as metal ions and at least two kinds of oxidizing agents for oxidizing ferrous ions. This is a method in which the ferrite film is mixed and supplied to the substrate before the deposition to deposit a ferrite film on the surface of the substrate.

作用 前述した方法によって、つまり金属イオンとして少な
くとも第1鉄イオンおよび第1鉄イオンを酸化するため
の酸化剤の少なくとも2種類含んだ溶液を基体に接触さ
せる前に混合して基体に供給して、基体表面にフェライ
ト膜を形成することによって、これまでに得られていな
かった磁気特性(ソフト特性)の優れたフェライト膜を
形成することができる。
The solution containing at least two types of ferrous ions and at least two kinds of oxidizing agents for oxidizing ferrous ions as metal ions is mixed and supplied to the substrate before contacting the substrate by the method described above, By forming a ferrite film on the substrate surface, a ferrite film having excellent magnetic properties (soft properties), which has not been obtained, can be formed.

実施例 以下、本発明の実施例について説明する。Examples Hereinafter, examples of the present invention will be described.

本発明のフェライト膜の形成方法の基本的な部分は、
公知の方法と大部分同じである。
The basic part of the method for forming a ferrite film of the present invention is as follows.
Mostly the same as known methods.

しかし、本発明では、金属イオンとして少なくとも第
1鉄イオンおよび第1鉄イオンを酸化するための酸化剤
の少なくとも2種類含んだ溶液を順次基体に供給するた
め、これまでの方法に比べると非常に小さい保磁力(あ
るいは高い透磁率)のフェライト膜を得ることができ
る。
However, in the present invention, a solution containing at least ferrous ions as metal ions and at least two kinds of oxidizing agents for oxidizing ferrous ions is sequentially supplied to the substrate. A ferrite film having a small coercive force (or high magnetic permeability) can be obtained.

公知の方法で金属イオンとして少なくとも第1鉄イオ
ンおよび第1鉄イオンを酸化するための酸化剤を用いる
方法があるが、本発明ではこれらの両者を基体に接触さ
せる前に1溶液中に存在させ、ほぼ均一に反応させてか
ら基体に供給する。そのため、これまでに認められてい
ないフェライト膜の軟質磁気特性の向上(保磁力の低下
あるいは高い透磁率)という現象を見出すことができ
た。その原因は明確ではない。
There is a known method in which at least ferrous ion and an oxidizing agent for oxidizing ferrous ion are used as metal ions. In the present invention, both of these are present in one solution before they are brought into contact with the substrate. Are supplied to the substrate after being made to react substantially uniformly. For this reason, it was possible to find a phenomenon of improving the soft magnetic properties of the ferrite film (reduced coercive force or high magnetic permeability), which has not been recognized so far. The cause is not clear.

結果的に、めっき反応(基体への堆積)前にめっき液
中で反応(例えば、酸化反応など)を行わせることが、
得られるフェライト膜の磁気特性のソフト化(低い保磁
力あるいは高い透磁率)になんらかの効果があるのでは
ないかと思われる。
As a result, a reaction (for example, an oxidation reaction) is performed in a plating solution before a plating reaction (deposition on a substrate).
It seems that there is some effect on softening the magnetic properties (low coercive force or high magnetic permeability) of the obtained ferrite film.

本発明のフェライト膜の形成方法のいくつかの例を図
を用いて説明する。
Some examples of the method for forming a ferrite film of the present invention will be described with reference to the drawings.

例えば、一例の装置の概略図を第1図に示す。3はフ
ェライト膜を形成しようとする基体である。4は基体3
を取り付けて、回転することができる回転台である。め
っき液は、基体3に供給する時点では1液であるが、め
っき反応前の不必要な反応を極力おさえ、得られるフェ
ライト膜の特性のバラツキを小さくし、あるいはコント
ロールしやすくするためには、めっきに必要な液はいく
つかに分割して準備する方がよい。この図では2分割し
た場合を示す。これらの液を混合部1で混合し、混合・
反応しためっき液をノズル2を介して、基体3に供給す
る。混合部1の混合方式としては、2つのノズルから液
を滴下させ、ロートで混合して1つの口から流出させる
方式やあるいは2本の管を1本にしてノズルから液を出
す方式など適当な方式を選択すればよい。このノズルの
形状・構造を適当に選択することによって、液を滴下あ
るいは噴霧状等で基体3に供給することができる。5お
よび6は、各めっき液を貯蔵するタンクである。また、
図に示すように基体3および回転台4等のフェライトめ
っき反応を行う部分はケースによって仕切り、場合によ
っては、非酸化性(例えば窒素)ガスをケース内に送る
ことによって、非酸化性雰囲気にすることもできる。タ
ンク6には、例えば酸化剤として亜硫酸ナトリウムNaNO
2を用い、さらに緩衝剤あるいは錯化剤として酢酸アン
モニウムCH3COONH4をいれた水溶液(酸化液)を入れ、
タンク5に少なくとも第1鉄イオンを含む水溶液(反応
液)を入れて、ポンプ等で液を混合部1に供給する。こ
の反応液にさらにNiイオンおよびZnイオンが含まれると
得られるフェライト膜はNiZn系フェライト膜であり、Mn
イオンおよびZnイオンが含まれると得られるフェライト
膜はMnZn系フェライト膜である。それ以外にも各イオン
を含めることができる。たとえば、Mg,Co,Cu,Liなどの
スピネル構造をとる元素あるいは各種の添加元素であ
る。基体3には、回転台4により回転した状態で各液が
供給される。回転台4は、ヒーター等により、50〜100
℃に加熱する。このようにして、基体3上でフェライト
結晶化反応を行わせて、基体3にフェライト膜を形成す
る。
For example, a schematic diagram of an example device is shown in FIG. Reference numeral 3 denotes a base on which a ferrite film is to be formed. 4 is the substrate 3
It is a turntable that can be attached and turned. The plating solution is one solution at the time of supply to the substrate 3, but in order to suppress unnecessary reactions before the plating reaction as much as possible and to reduce the variation in the characteristics of the obtained ferrite film, or to facilitate the control, It is better to prepare the solution necessary for plating in several parts. This figure shows a case where the image is divided into two parts. These liquids are mixed in the mixing section 1 and mixed.
The reacted plating solution is supplied to the substrate 3 via the nozzle 2. As a mixing method of the mixing section 1, an appropriate method such as a method in which a liquid is dropped from two nozzles, mixed with a funnel, and discharged from one port, or a method in which two tubes are combined into one and the liquid is discharged from the nozzle. What is necessary is just to select a method. By appropriately selecting the shape and structure of the nozzle, the liquid can be supplied to the base 3 in the form of a drop or a spray. Numerals 5 and 6 are tanks for storing the respective plating solutions. Also,
As shown in the figure, a portion for performing a ferrite plating reaction, such as the base 3 and the turntable 4, is partitioned by a case, and in some cases, a non-oxidizing (eg, nitrogen) gas is sent into the case to form a non-oxidizing atmosphere. You can also. The tank 6 contains, for example, sodium sulfite NaNO as an oxidizing agent.
With 2, put the aqueous solution containing the ammonium acetate CH 3 COONH 4 (oxidation solution) as a further buffer or complexing agent,
An aqueous solution (reaction liquid) containing at least ferrous ion is put in the tank 5 and the liquid is supplied to the mixing section 1 by a pump or the like. The ferrite film obtained when the reaction solution further contains Ni ions and Zn ions is a NiZn-based ferrite film,
The ferrite film obtained when ions and Zn ions are contained is a MnZn-based ferrite film. In addition, each ion can be included. For example, it is an element having a spinel structure, such as Mg, Co, Cu, or Li, or various additive elements. Each liquid is supplied to the base 3 while being rotated by the turntable 4. The turntable 4 is heated to 50-100
Heat to ° C. In this way, a ferrite crystallization reaction is performed on the base 3 to form a ferrite film on the base 3.

さらに、別の方法の一例の装置の概略図を第2図に示
す。混合部1、タンク5および6は、第1図のものと同
様である。めっき反応部7およびウォーターバス8が本
方法の異なる部分である。つまり、本方法では、第1図
に示した方法と異なり、回転台を使用せずにしかもめっ
き反応部分などを気体から隔離した状態で行うことがで
きる。めっき反応部7にはフェライト膜を形成しようと
する基体3が組み込まれている。めっき反応部7では、
物理的に基体3の表面上をめっき液が均一に流れるよう
にしている。混合物1およびめっき反応部7をウォータ
ーバス8内にセットすることによって、50〜100℃に加
熱する。このようにしてめっき反応部7にセットした基
体3の表面にフェライト膜を堆積させる。
Further, FIG. 2 shows a schematic view of an apparatus according to an example of another method. The mixing section 1, tanks 5 and 6 are the same as those in FIG. The plating reactor 7 and the water bath 8 are different parts of the method. That is, in the present method, unlike the method shown in FIG. 1, the plating can be performed without using a rotating table and in a state where the plating reaction portion and the like are isolated from gas. The base 3 on which a ferrite film is to be formed is incorporated in the plating reaction section 7. In the plating reaction section 7,
The plating solution is physically made to uniformly flow over the surface of the substrate 3. The mixture 1 and the plating reaction section 7 are set in a water bath 8 to be heated to 50 to 100 ° C. Thus, a ferrite film is deposited on the surface of the substrate 3 set in the plating reaction section 7.

さらに、別の方法の一例の装置の概略図を第3図に示
す。これは先に示した第2図の方法とほぼ同様である
が、基体3の一平面のある部分だけにフェライト膜を形
成する方法である。タンク5および6よりポンプを介し
て、各めっき液を混合部1に供給し、その部分でめっき
液を混合・反応させて、めっき反応部7へ送り込む。め
っき反応部7にはフェライト膜を形成しようとする基体
3の一部分が組み込まれている。めっき反応部7では、
第2図に示した方法と同様に、物理的に基体3の表面上
をめっき液が薄く均一に流れるようにしている。混合部
1、めっき反応部7および基体3をウォーターバス8内
にセットすることによって、50〜100℃に加熱する。こ
のようにして、めっき反応部7にセットした基体3の表
面の一部にフェライト膜を堆積させる。
Further, FIG. 3 shows a schematic diagram of an apparatus as an example of another method. This is almost the same as the method shown in FIG. 2, but a method in which a ferrite film is formed only on a certain portion of one surface of the substrate 3. Each of the plating solutions is supplied from the tanks 5 and 6 to the mixing section 1 via a pump, and the plating solutions are mixed and reacted at that portion and sent to the plating reaction section 7. A part of the base 3 on which a ferrite film is to be formed is incorporated in the plating reaction section 7. In the plating reaction section 7,
As in the method shown in FIG. 2, the plating solution is made to flow thinly and uniformly on the surface of the substrate 3 physically. The mixing unit 1, the plating reaction unit 7, and the substrate 3 are set in a water bath 8 to heat them to 50 to 100 ° C. Thus, a ferrite film is deposited on a part of the surface of the substrate 3 set in the plating reaction section 7.

以上、示してきた3種類の方法とも2つのめっき液を
加熱した後、1液に混合した方が基体3にバラツキの小
さい、磁気特性的にも望ましいフェライト膜を作製する
ことができた。加熱温度は約50℃〜溶液の沸点以下の範
囲である。
As described above, in any of the three types of methods described above, it was possible to produce a ferrite film having less variation in the base 3 and desirable magnetic properties by mixing two solutions after heating the two plating solutions. Heating temperatures range from about 50 ° C to below the boiling point of the solution.

基体3の材質としては、特に限定はない。いくつか例
をあげると、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフ
タレート(PET)などの各種プラスチック類、銅、ニッ
ケル、銀、金、タングステン、モリブデン、白金、パラ
ジウム、鉄、鉄合金などの金属類、各種の有機積層板、
つまり紙基材エポキシ、ガラス布基材エポキシ、ガラス
基材ポリエステル、ガラス布基材テフロン等の積層板な
ど、各種ガラス類、セラミックスなどがある。
The material of the base 3 is not particularly limited. Some examples are polyimide films, various plastics such as polyethylene terephthalate (PET), metals such as copper, nickel, silver, gold, tungsten, molybdenum, platinum, palladium, iron, iron alloys, and various organic laminates. Board,
That is, there are various kinds of glasses, ceramics, etc., such as a laminate of paper base epoxy, glass cloth base epoxy, glass base polyester, glass cloth base Teflon, and the like.

さらに、基体3の表面あらさは、中心線平均粗さ(R
a)で0.01μm以上であれば、フェライト膜の堆積速度
の向上が図れる。これは、FeOH+の吸着や酸化反応ある
いはフェライト結晶化反応に対して、特に吸着等に対し
てプラスに働らき、水溶液中で生成した微粒子が基体3
の表面、つまりフェライト結晶化反応をしている表面に
とらえられたり、あるいは集まり、さらには膜成長を促
進・加担すると考えられる。また、ある程度以上の表面
粗さを有していることによって、実質的な基体3の表面
積が増加して吸着等の反応に携わる面積の増加も影響を
与えていると考えられる。
Further, the surface roughness of the substrate 3 is determined by the center line average roughness (R
If a) is 0.01 μm or more, the deposition rate of the ferrite film can be improved. This is because the fine particles produced in the aqueous solution have a positive effect on the adsorption, oxidation reaction or ferrite crystallization reaction of FeOH + , particularly on the adsorption, etc.
, That is, the surface that is undergoing a ferrite crystallization reaction, or gathers, and further promotes and contributes to film growth. In addition, it is considered that the presence of the surface roughness of a certain degree or more increases the substantial surface area of the substrate 3 and also increases the area involved in reactions such as adsorption.

実験的に、特にフェライト膜の形成に対して相性がよ
かったものが、酸素、窒素あるいは硫黄のいずれか1つ
以上を含むものあるいは特に酸化物類である。
Experimentally, those which are particularly compatible with the formation of a ferrite film are those containing any one or more of oxygen, nitrogen, and sulfur, or especially oxides.

この酸化物としては、アルミナ(Al2O3)、ムライト
(3Al2O3・2SiO2)、ベリリア(BeO)、ステアタイト
(MgO・SiO2)、フォルステライト(2MgO・SiO2)、マ
グネシア(MgO)、チタニア(TiO2)、チタニア+ジル
コニア(ZrO2)、チタニア+マグネシア等の各種セラミ
ックス、Al2O3−SiO2・B2O3、Al2O3−PbO・SiO2・B
2O3、Al2O3−MgO・SiO2・B2O3、Al2O3−CaO・MgO・SiO2
・B2O3などのガラスセラミックス、CuO、NiOなどの金属
酸化物あるいはフェライト等の鉄を含んだ酸化物などが
ある。
Examples of this oxide include alumina (Al 2 O 3 ), mullite (3Al 2 O 3 · 2SiO 2 ), beryllia (BeO), steatite (MgO · SiO 2 ), forsterite (2MgO · SiO 2 ), and magnesia ( Various ceramics such as MgO), titania (TiO 2 ), titania + zirconia (ZrO 2 ), titania + magnesia, Al 2 O 3 —SiO 2 .B 2 O 3 , Al 2 O 3 —PbO.SiO 2 .B
2 O 3 , Al 2 O 3 −MgO ・ SiO 2・ B 2 O 3 , Al 2 O 3 −CaO ・ MgO ・ SiO 2
· B glass ceramic, such as 2 O 3, CuO, or the like metal oxide or oxides containing iron such as ferrite, such as NiO.

次に本発明の更に具体的な実施例について説明する。 Next, more specific examples of the present invention will be described.

(実施例1) イオン交換水(以下単に水とする。)2に塩化第1
鉄4g、塩化マンガン6gおよび塩化亜鉛50mgをそれぞれ溶
解した水溶液(反応液)を作製した。さらに別の溶液と
して、水2に亜硝酸ナトリウム1gと酢酸アンモニウム
10gを溶解した後、アンモニア水でpH=9に調整した水
溶液(酸化液)を作製した。
(Example 1) Chloride was added to ion-exchanged water (hereinafter simply referred to as water) 2.
An aqueous solution (reaction liquid) in which 4 g of iron, 6 g of manganese chloride, and 50 mg of zinc chloride were respectively dissolved was prepared. As another solution, 1 g of sodium nitrite and ammonium acetate were added to water 2.
After dissolving 10 g, an aqueous solution (oxidizing solution) adjusted to pH = 9 with aqueous ammonia was prepared.

これらの溶液を用いて、第1図に示すような装置でフ
ェライトめっきを行った。装置には窒素ガスを毎分1.5
で送り込み非酸化性雰囲気を得、回転台4をヒータに
より90℃一定にした。回転台4は毎分300回転の速度で
回転させた。溶液は毎分80mlの流量で滴下して供給し
た。めっきに用いた基体3はアルミナ基板である。
Using these solutions, ferrite plating was performed with an apparatus as shown in FIG. Nitrogen gas at 1.5 min / min
To obtain a non-oxidizing atmosphere, and the turntable 4 was kept at 90 ° C. by a heater. The turntable 4 was rotated at a speed of 300 revolutions per minute. The solution was supplied dropwise at a flow rate of 80 ml per minute. The substrate 3 used for plating is an alumina substrate.

比較のために、第1図に示した装置の混合部1を除い
て、2種類のめっき液を別々のノズルで、噴霧状にし
て、基体3に供給し、先に示した条件と同様に、フェラ
イトめっきを行った。
For comparison, except for the mixing section 1 of the apparatus shown in FIG. 1, two types of plating solutions were supplied to the substrate 3 in the form of sprays using separate nozzles, and were supplied under the same conditions as those described above. And ferrite plating.

本発明の方法で得たフェライト膜と比較のために作製
したフェライト膜の磁気特性を測定したところ、本発明
の方法で得たフェライト膜のHcは、比較のために作製し
た膜のHcの1/10であり、本発明の方法で得たフェライト
膜の方が、優れたソフト磁気特性を示した。
When the magnetic properties of the ferrite film obtained by the method of the present invention and the ferrite film prepared for comparison were measured, Hc of the ferrite film obtained by the method of the present invention was 1% of Hc of the film prepared for comparison. / 10, indicating that the ferrite film obtained by the method of the present invention exhibited excellent soft magnetic properties.

(実施例2) 水2に塩化第1鉄4g、塩化ニッケル4gおよび塩化亜
鉛100mgをそれぞれ溶解した反応液を作製した。さらに
酸化液として、水2に亜硝酸ナトリウム0.5gと酢酸ア
ンモニウム1gを溶解した液を作製した。
(Example 2) A reaction solution was prepared by dissolving 4 g of ferrous chloride, 4 g of nickel chloride and 100 mg of zinc chloride in water 2. Further, a liquid in which 0.5 g of sodium nitrite and 1 g of ammonium acetate were dissolved in water 2 was prepared as an oxidizing liquid.

これらの溶液を用いて、実施例1と同様に、第1図に
示すような装置でフェライトめっきを行った。
Using these solutions, ferrite plating was performed in the same manner as in Example 1 using an apparatus as shown in FIG.

めっきに用いた基体3はアルミナ基板であり、その表
面粗さは中心線平均粗さ(Ra,μm単位)で表1に示す
ような種々のものを用いた。
The substrate 3 used for plating was an alumina substrate, and various surface roughnesses thereof as shown in Table 1 in terms of center line average roughness (Ra, μm unit) were used.

各基体3のめっき膜の厚みおよびフェライト膜の堆積
速度を表1に示す。表1の値は、基体3内の14×21mmの
部分の平均膜厚である。Ra=0.01μm以上の基体(基体
No.B以降)ではこれまでにない速い堆積速度で、膜厚の
均一なフェライト膜を得ることができた。
Table 1 shows the thickness of the plating film on each substrate 3 and the deposition rate of the ferrite film. The values in Table 1 are the average film thickness of a portion of 14 × 21 mm in the base 3. Ra = 0.01μm or more substrate (substrate
No.B and later), a ferrite film with a uniform film thickness could be obtained at an unprecedentedly high deposition rate.

比較のために、前述した各種のアルミナ基板を用い
て、混合部1を除いて、2液をそれぞれ噴霧状にして、
同様にめっきを行った。得られたフェライト膜の膜厚は
ほぼ同様であったが、膜のHcは異なり、本発明の方法で
得ためっき膜の方がソフト特性が5〜10倍(Hcの比較)
であった。
For comparison, each of the two liquids was sprayed using the above-described various alumina substrates, except for the mixing section 1.
Plating was performed in the same manner. Although the thickness of the obtained ferrite film was almost the same, the Hc of the film was different, and the softness of the plated film obtained by the method of the present invention was 5 to 10 times (comparison of Hc).
Met.

(実施例3) 水2に塩化第1鉄2gと塩化ニッケル3gおよび塩化亜
鉛80mgをそれぞれ溶解し、反応液を作製した。さらに、
水2に亜硝酸ナトリウム2gと酢酸アンモニウム5gを溶
解して酸化液を作製した。
(Example 3) 2 g of ferrous chloride, 3 g of nickel chloride and 80 mg of zinc chloride were respectively dissolved in water 2 to prepare a reaction solution. further,
An oxidizing solution was prepared by dissolving 2 g of sodium nitrite and 5 g of ammonium acetate in water 2.

これらの溶液を用いて、実施例1と同様にフェライト
めっきを行った。用いた基体3は主としてMgO・SiO2、M
gO、BeO、Al2O3−SiO2・B2O3ガラスセラミックス基板、
石英ガラス板、オリイミドフィルム、ステンレス板、銅
板、銅張りガラス布基材エポキシの9種類である。得ら
れたそれぞれのめっき膜の膜厚はほぼ同じで約2.4μm
(堆積速度で0.048μm/分)であり、膜厚が均一で、十
分な付着強度を有した膜であった。
Ferrite plating was performed in the same manner as in Example 1 using these solutions. The substrate 3 used was mainly MgO.SiO 2 , M
gO, BeO, Al 2 O 3 -SiO 2 / B 2 O 3 glass ceramic substrate,
There are nine types of quartz glass plate, oriimide film, stainless steel plate, copper plate, and copper-clad glass cloth base epoxy. The thickness of each plating film obtained is about the same, about 2.4 μm
(At a deposition rate of 0.048 μm / min), a film having a uniform thickness and sufficient adhesion strength.

比較のために、第1図に示した装置の混合部1を除い
て、2つのめっき液を噴霧状にして、同様にめっきを行
った。それぞれ9種類の基体3についてめっきを行い、
得られたフェライト膜の磁気特性を測定した。
For comparison, two plating solutions were sprayed except for the mixing section 1 of the apparatus shown in FIG. 1, and plating was performed in the same manner. Plating is performed on each of the nine types of bases 3,
The magnetic properties of the obtained ferrite film were measured.

本発明の方法で得たフェライト膜と比較のために作製
したフェライト膜の磁気特性を比較したところ、両者の
Hcの比は1:8〜10であり、本発明の方法で得たフェライ
ト膜の方が、優れたソフト磁気特性を示した。
The magnetic properties of the ferrite film obtained by the method of the present invention and the ferrite film prepared for comparison were compared.
The Hc ratio was 1: 8 to 10, and the ferrite film obtained by the method of the present invention exhibited better soft magnetic properties.

(実施例4) 実施例1と同じ反応液および酸化液をそれぞれ2作
製した。
(Example 4) The same reaction liquid and oxidizing liquid as those in Example 1 were prepared respectively.

これらの溶液を用いて、第2図に示した装置を使用し
て、フェライトめっきを行った。めっき時間は1時間で
あった。用いた基体3はアルミナ基板である。
Using these solutions, ferrite plating was performed using the apparatus shown in FIG. The plating time was one hour. The substrate 3 used is an alumina substrate.

得られたフェライト膜は、実施例1で得られたフェラ
イト膜と同様の磁気特性を示した。
The obtained ferrite film showed the same magnetic characteristics as the ferrite film obtained in Example 1.

(実施例5) 実施例2と同様に反応液および酸化液を各2作製し
た。
(Example 5) As in Example 2, two reaction solutions and two oxidizing solutions were prepared.

これらの溶液を使って、第3図に示した装置を用い、
アルミナ基板にフェライトめっきを行った。めっき時間
は1時間であった。
Using these solutions, using the device shown in FIG. 3,
Ferrite plating was performed on the alumina substrate. The plating time was one hour.

得られたフェライト膜は、実施例2で得られた膜と同
様の磁気特性を示した。
The obtained ferrite film showed the same magnetic properties as the film obtained in Example 2.

発明の効果 本発明によって、前述したように、めっき液を混合し
た後、順次基体に供給して、フェライト膜を形成するこ
とによって、これまでのフェライト膜の形成方法では達
成されなかったソフトフェライトとしての磁気特性を示
すフェライト膜を作製することができる。これによっ
て、各種電子部品等への適用に十分な磁気特性を有する
フェライト膜を得ることができる。
Effect of the Invention According to the present invention, as described above, after mixing a plating solution, sequentially supplying the mixed solution to a substrate, and forming a ferrite film, a soft ferrite that has not been achieved by the conventional method of forming a ferrite film. A ferrite film exhibiting the above magnetic characteristics can be produced. Thereby, a ferrite film having magnetic properties sufficient for application to various electronic components and the like can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図,第2図および第3図は本発明のフェライト膜の
形成方法の実施例に用いた装置の概略図である。 1……混合部、2……ノズル、3……基体、4……回転
台、5,6……タンク、7……めっき反応部、8……ウォ
ーターバス。
FIGS. 1, 2 and 3 are schematic views of an apparatus used in an embodiment of the method for forming a ferrite film of the present invention. 1 ... mixing section, 2 ... nozzle, 3 ... substrate, 4 ... rotary table, 5,6 ... tank, 7 ... plating reaction section, 8 ... water bath.

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】金属イオンとして少なくとも第1鉄イオン
および第1鉄イオンを酸化するための酸化剤を少なくと
も含んだ溶液を基体に接触させる前に混合して基体に供
給して、基体表面にフェライト膜を堆積させることを特
徴とするフェライト膜の形成方法。
1. A method comprising mixing at least ferrous ions as a metal ion and a solution containing at least an oxidizing agent for oxidizing ferrous ions before contacting the substrate with the substrate and supplying the mixed solution to the substrate to form a ferrite on the surface of the substrate. A method for forming a ferrite film, comprising depositing a film.
【請求項2】基体表面の表面あらさが中心線平均粗さ
(Ra)で0.01μm以上0.8μm以下である請求項1記載
のフェライト膜の形成方法。
2. The method for forming a ferrite film according to claim 1, wherein the surface roughness of the substrate surface is not less than 0.01 μm and not more than 0.8 μm in center line average roughness (Ra).
【請求項3】基体あるいは基体表面が主として酸素、窒
素、あるいは硫黄の少なくとも1元素を含む物で構成さ
れる請求項1記載のフェライト膜の形成方法。
3. The method for forming a ferrite film according to claim 1, wherein the substrate or the surface of the substrate is mainly composed of a substance containing at least one element of oxygen, nitrogen or sulfur.
【請求項4】基体あるいは基体表面が主として酸化物で
構成される請求項1記載のフェライト膜の形成方法。
4. The method for forming a ferrite film according to claim 1, wherein the substrate or the substrate surface is mainly composed of an oxide.
【請求項5】基体あるいは基体表面が曲面である請求項
1記載のフェライト膜の形成方法。
5. The method according to claim 1, wherein the substrate or the surface of the substrate is a curved surface.
【請求項6】酸化物が主としてAl3O3である請求項4記
載のフェライト膜の形成方法。
6. The method for forming a ferrite film according to claim 4, wherein the oxide is mainly Al 3 O 3 .
【請求項7】基体あるいは基体表面が酸化物のセラミッ
クスである請求項4記載のフェライト膜の形成方法。
7. The method for forming a ferrite film according to claim 4, wherein the substrate or the substrate surface is an oxide ceramic.
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