JP2601262B2 - Multi electron beam imaging device - Google Patents

Multi electron beam imaging device

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JP2601262B2
JP2601262B2 JP61252026A JP25202686A JP2601262B2 JP 2601262 B2 JP2601262 B2 JP 2601262B2 JP 61252026 A JP61252026 A JP 61252026A JP 25202686 A JP25202686 A JP 25202686A JP 2601262 B2 JP2601262 B2 JP 2601262B2
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守 宮脇
仁 織田
伸俊 水澤
竜一 新井
恭彦 石渡
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  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、撮像装置、特に複数の電子ビーム発生源を
用いたマルチ電子ビーム撮像装置に関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an imaging apparatus, and more particularly to a multi-electron beam imaging apparatus using a plurality of electron beam sources.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

この種の装置の電子放出源としては、従来、例えば、
特公昭54−30274号公報、特開昭54−111272号公報(米
国特許第4,259,678号明細書)、特開昭56−15529号公報
(米国特許第4,303,930号明細書)、あるいは、特開昭5
7−38528号公報等に開示されている。
Conventionally, as an electron emission source of this type of device, for example,
JP-B-54-30274, JP-A-54-111272 (U.S. Pat.No. 4,259,678), JP-A-56-15529 (U.S. Pat.No. 4,303,930), or JP-A-5-30
It is disclosed in JP-A-7-38528.

また、マルチ電子ビーム撮像管に関しては、本出願人
により同時出願された本願発明者らと同一発明者らによ
る特願「マルチ電子ビーム撮像管」明細書に開示されて
いる。
Further, the multi-electron beam imaging tube is disclosed in the specification of a multi-electron beam imaging tube filed by the present applicant and filed by the same inventor as the present inventors.

また、従来のテレビカメラを入力とする画像処理装置
においては、1台のテレビカメラしか用いていないた
め、画像の分解能および視野は、テレビ(TV)カメラ固
有の画素数によって一義的に決められる。
Further, in a conventional image processing apparatus having a television camera as an input, only one television camera is used. Therefore, the resolution and the field of view of an image are uniquely determined by the number of pixels unique to the television (TV) camera.

この場合に、まず全体の概略を捕えその結果を判断し
て、任意の部分のクローズアップ画面を得ようとすれ
ば、第5図にTVカメラ配置側説明図を示すように、テレ
ビカメラTVCのズームレンズを動かして倍率を変化さ
せ、かつテレビカメラTVCの向きあるいは被撮像物体を
置いたステージSTGを移動させる等の方式がとられる。
なお、後の信号処理はメモリFMを介してコンピュータCP
Uにより実行される。
In this case, first of all, if an attempt is made to obtain a close-up screen of an arbitrary part by grasping the whole outline and judging the result, as shown in the explanatory view of the TV camera arrangement side in FIG. A method of moving the zoom lens to change the magnification and moving the stage STG on which the direction of the TV camera TVC or the object to be imaged is placed is adopted.
The subsequent signal processing is performed by the computer CP via the memory FM.
Executed by U.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、このような方式にあっては、所望のズ
ーミング及びステージの移動は機械的なサーボ機構を用
いるため、高速かつ高精度の制御を行うことが難かし
く、また信頼性ならびに保守性に欠ける短所があった。
However, in such a method, since a desired zooming and stage movement uses a mechanical servo mechanism, it is difficult to perform high-speed and high-precision control, and lacks reliability and maintainability. was there.

また、第6図に別の応用配置例を示すように、複数の
テレビカメラTVCでステージSTG上の被撮影物体を複数の
領域に分割してとらえ、それぞれのカメラTVCに後続す
るメモリFM及びコンピュータCPUによって、画像信号を
処理する方法も考えられる。
Further, as shown in another application arrangement example in FIG. 6, an object to be shot on the stage STG is divided into a plurality of regions by a plurality of television cameras TVC, and a memory FM and a computer which follow each camera TVC are taken. A method of processing an image signal by the CPU is also conceivable.

この方法によれば、一台のテレビカメラの持つ画素数
によって決められる分解能の限界を補うことはできる
が、カメラTVCの台数の増大に伴ってメモリFMの増大、
すなわち記憶容量の増大を必然的に伴う。
According to this method, the resolution limit determined by the number of pixels of one TV camera can be compensated, but the memory FM increases with the increase in the number of cameras TVC,
That is, the storage capacity is inevitably increased.

このため、ハード量の増加並びにこれに伴うコストの
増大、及びコンピュータCPUからのアクセス時間の増加
などの欠点が生ずる。
For this reason, there are disadvantages such as an increase in the amount of hardware and an accompanying cost, and an increase in access time from the computer CPU.

また、例えば、特開昭60−103779号公報においては、
配置例を第7図に示すように、複数台のカメラTVCを用
意し、全体の概略を見る場合は、各カメラTVCの出力信
号をサンプリングし、部分の詳細を見る場合は、巧みに
各カメラTVCの出力信号を合成する信号制御回路SCTが提
案されている。
Also, for example, in JP-A-60-103779,
As shown in Fig. 7, an example of arrangement is provided with a plurality of camera TVCs. For a general overview, output signals of each camera TVC are sampled. A signal control circuit SCT for synthesizing an output signal of a TVC has been proposed.

しかしながら、以上のような複数台のカメラを利用す
ることにより装置の複雑化、各カメラが分担する領域境
界の位置合わせの難しさ、さらには、カメラのレンズの
収差のため部分領域周辺に像画歪曲による合成画像の不
自然さなど多くの問題があった。
However, the use of a plurality of cameras as described above complicates the apparatus, makes it difficult to align the boundaries of the areas shared by the cameras, and furthermore, the image around the partial area due to the aberration of the camera lens. There are many problems such as unnaturalness of the synthesized image due to distortion.

本発明は、以上のような従来例の問題点に着目してな
されたもので、上述欠点を除去すると同時に、1撮像装
置(1カメラ)で全画面の概略画像を得ることもまた部
分的な詳細画像を得ることも容易にできる小形かつ低コ
ストのマルチ電子ビーム撮像装置の提供を目的としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the conventional example, and it is also possible to partially remove the above-mentioned disadvantages and obtain a schematic image of the entire screen with one imaging device (one camera). It is an object of the present invention to provide a small and low-cost multi-electron beam imaging apparatus that can easily obtain a detailed image.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

このため、本発明においては、被写体の撮像光を画像
信号に変換する光電変換手段と、前記光電変換手段の各
画素に対応してマトリックス状に配設され前記光電変換
手段に対して電子ビームを照射することで画像信号を読
み出す複数の電子ビーム発生手段とを備えたマルチ電子
ビーム撮像装置において、前記光電変換手段の1画面中
の部分的な読み出し領域を指定する第1の指定手段と、
前記光電変換手段から読み出す画素間隔を指定する第2
の指定手段と、前記第1の指定手段により指定された前
記光電変換手段の1画面中の部分的な読み出し領域及び
前記第2の指定手段により指定された前記光電変換手段
から読み出す画素間隔に対応する画像信号を前記光電変
換手段から順次読み出すように前記複数の電子ビーム発
生手段が前記光電変換手段を照射するように制御する制
御手段と、を有するよう構成することにより、前記目的
を達成しようとするものである。
For this reason, in the present invention, photoelectric conversion means for converting imaging light of a subject into an image signal, and an electron beam provided to the photoelectric conversion means in a matrix corresponding to each pixel of the photoelectric conversion means. In a multi-electron beam imaging apparatus including a plurality of electron beam generating units that read out image signals by irradiating, a first specifying unit that specifies a partial readout area in one screen of the photoelectric conversion unit,
A second designating a pixel interval to be read from the photoelectric conversion means;
Corresponding to a partial reading area in one screen of the photoelectric conversion means specified by the first specifying means and a pixel interval read from the photoelectric conversion means specified by the second specifying means. Control means for controlling the plurality of electron beam generating means to irradiate the photoelectric conversion means so as to sequentially read image signals to be read from the photoelectric conversion means, thereby achieving the object. Is what you do.

〔作用〕[Action]

以上のような本発明構成により、メモリの記憶容量の
増大や、複雑な信号処理を必要とせずに、簡単かつ低コ
ストで1画面中の任意の読み出し領域から任意の画素間
隔で読み出した画像信号を得ることができる。
According to the configuration of the present invention as described above, an image signal read from an arbitrary read area in one screen at an arbitrary pixel interval at a simple and low cost without increasing the storage capacity of a memory or requiring complicated signal processing. Can be obtained.

〔実施例〕〔Example〕

以下に、本発明を実施例に基づいて説明する。第1図
に、本発明に係る制御回路の一実施例のブロック図、第
2図に、本発明に使用するマルチ電子ビーム撮像管の一
例の構成概要図を示す。
Hereinafter, the present invention will be described based on examples. FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of a control circuit according to the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram of an example of a multi-electron beam imaging tube used in the present invention.

(撮像管の構成/原理)(第2図) まず、本発明の使用する上記撮像管の構成概要を説明
する。PECは光電変換部で、透光性基板FP、透光性導電
膜TSPおよび光導電体層PCの積層より成る。また、電子
ビーム発生部SEGは、m行×n列個をマトリックス状に
配設した複数の電子ビーム発生源SEG1、1、SE
G1、2、−−−、SEGm,nより成る。EBは発生した電子
ビームを表わす。
(Configuration / Principle of Image Pickup Tube) (FIG. 2) First, an outline of the configuration of the above image pickup tube used in the present invention will be described. PEC is a photoelectric conversion unit, which is formed by laminating a light-transmitting substrate FP, a light-transmitting conductive film TSP, and a photoconductor layer PC. The electron beam generator SEG includes a plurality of electron beam generators SEG 1,1 , SEG in which m rows × n columns are arranged in a matrix.
G1,2 , ---, SEG m, n . EB represents the generated electron beam.

また、OUTは電子ビームEBにより照射された光導電体P
C上の位置の出力画像信号端子、DRCは、列方向の電子ビ
ーム発生源SEGnに駆動信号を与える列方向ドライバ、C1
〜Cnは、列方向ドライバDRCに与えられる列制御信号
線、C1〜Cmは、列方向ドライバDRCにより変換された列
駆動信号線、CENBLは、列駆動信号の出力を可能にする
列駆動イネーブル信号線、DRRは、行方向の電子ビーム
発生源SEGmに駆動信号を与える行方向ドライバ、r1〜rm
は、行方向ドライバDRRに与えられる行制御信号線、R1
〜Rmは、行方向ドライバDRRにより変換された行駆動信
号線、RENBLは、行駆動信号の出力を可能にする行駆動
イネーブル信号線、である。
OUT is the photoconductor P irradiated by the electron beam EB.
An output image signal terminal at a position on C, DRC is a column-direction driver for providing a drive signal to the electron beam source SEG n in the column direction, C 1
-C n, the column control signal line provided in the column direction driver DRC, C 1 -C m, the column drive signal line converted by the column drivers DRC, CENBL the column to allow the output of the column drive signals A drive enable signal line, DRR is a row direction driver for providing a drive signal to the row direction electron beam source SEG m , r 1 to r m
Is a row control signal line provided to the row direction driver DRR, R 1
To R m is converted row driving signal line by the row direction driver DRR, RENBL is row drive enable signal line which allows the output of the row drive signals are.

以上の構成によるこの撮像管の撮像原理は、行、列方
向ドライバDRR、DRCに行、列制御信号r、cとイネーブ
ル信号RENBL、CENBLを与えると、対応する行、列駆動信
号R、Cがオンし、その交点にある電子ビーム発生源SE
Gm,nが駆動され、電子ビームEBを射出する。この電子ビ
ームEBは、第2図の構成においては、直進し光導電体層
PCに入射する。一方、被写体は不図示のレンズ系を通し
て光導電体層PCに光学像を形成しており、光導電効果に
より、対応する電荷分布に光導電体層PC上で変換されて
いるので電子ビームEBに照射されると、照射された位置
の電荷分布に応じて、電流が出力端子OUTより出力され
る。
The imaging principle of the imaging tube having the above configuration is as follows. When row and column control signals r and c and enable signals RENBL and CENBL are given to the row and column direction drivers DRR and DRC, the corresponding row and column drive signals R and C are changed. ON, the electron beam source SE at the intersection
G m, n is driven to emit an electron beam EB. The electron beam EB travels straight in the configuration of FIG.
It enters the PC. On the other hand, the subject forms an optical image on the photoconductor layer PC through a lens system (not shown), and is converted into a corresponding charge distribution on the photoconductor layer PC by a photoconductive effect. Upon irradiation, a current is output from the output terminal OUT according to the charge distribution at the irradiated position.

(制御回路の構成)(第1図) つぎに、第1図において、CLKは、上記電子ビーム発
生源SEGを駆動するための基本クロック、XCNTは、電子
ビーム発生源SEGm,n位置を列方向に指定するためのカウ
ンタ、YCNTは、電子ビーム発生源SEGm,n位置を行方向に
指定するためのカウンタである。XSR、XER、YSR、YER
は、それぞれ、電子ビーム発生部SEGの矩形領域を指定
するためのレジスタであり、XSRは、列方向の開始座標
位置を格納するレジスタ、XERは、列方向の終了座標位
置を格納するレジスタ、YSRは、行方向の開始座標位置
を格納するレジスタ、YERは、行方向の終了座標位置を
格納するレジスタである。また、XIR、YIRは、それぞれ
間隔を指定するためのレジスタであり、XIRは、列方向
の間隔を格納するレジスタ、YIRは、行方向の間隔を格
納するレジスタである。さらに、XSC、XEC、YSC、YEC
は、それぞれ比較器であり、XSCは、カウンタXCNTの値
とレジスタXSRとの値を比較し、XECは、カウンタXCNTの
値とレジスタXERとの値を比較し、YSCは、カウンタYCNT
の値とレジスタYSRとの値を比較し、YECは、カウンタYC
NTの値とレジスタYERとの値を比較する。XENB、YENB
は、各プログラマブルカウンタであり、それぞれレジス
タXIR、YIRの値をあらかじめロードして使用する。ENBL
は、各プロクラマブルカウンタXENB、YENBのキャリー信
号の論理積であり、上記の行、列イネーブル信号RENB、
CENBに接続される。XDCR、YDCRは各デコーダであり、そ
れぞれ、カウンタXCNT、YCNTの値をデコードし、上記の
列、行方向各ドライバDRC、DRRに制御信号C1、−−−、
Cn;r1、−−−、rmとして供給するものである。
(Configuration of Control Circuit) (FIG. 1) Next, in FIG. 1, CLK is a basic clock for driving the electron beam source SEG, and XCNT is a column of electron beam source SEG m, n positions. A counter for designating the direction, YCNT, is a counter for designating the position of the electron beam source SEG m, n in the row direction. XSR, XER, YSR, YER
XSR is a register for storing a starting coordinate position in the column direction, XER is a register for storing an ending coordinate position in the column direction, and YSR is a register for specifying a rectangular area of the electron beam generating unit SEG. Is a register for storing the starting coordinate position in the row direction, and YER is a register for storing the ending coordinate position in the row direction. XIR and YIR are registers for designating intervals, respectively. XIR is a register for storing intervals in the column direction, and YIR is a register for storing intervals in the row direction. XSC, XEC, YSC, YEC
Are comparators, XSC compares the value of the counter XCNT with the value of the register XSR, XEC compares the value of the counter XCNT with the value of the register XER, and YSC
Is compared with the value in the register YSR.
Compare the value in NT with the value in register YER. XENB, YENB
Are programmable counters, which are used by loading the values of the registers XIR and YIR in advance. ENBL
Is the logical product of the carry signals of the programmable counters XENB, YENB, and the row and column enable signals RENB,
Connected to CENB. XDCR and YDCR are respective decoders, which decode the values of the counters XCNT and YCNT, respectively, and control signals C 1 , ---,.
C n; r 1, ---, and supplies as r m.

(制御回路の動作)(第1,3,4図) 上記構成を利用して、まず、被撮像領域の全画面の概
略画面を撮影する全画面モード時における方向を説明す
る。第3図に、この場合における電子ビーム発生部SEG
の動作説明図を示す。この場合まず、図示のように、矩
形領域開始座標点として(1、1)、終了座標点として
(M、N)、間隔として(m、n)を指定する。これら
の値は、前記各レジスタに次のように格納される。すな
わち、レジスタXSRに1、レジスタXERにN、レジスタXI
Rにn、レジスタYSRに1、レジスタYERにM、レジスタY
IRにmである。次に各レジスタXIR、YIRの値を各プログ
ラマブルカウンタXENB、YENBにロードしておく、以上が
初期設定であり、つぎに画像信号を得るためにクロック
CLKを発生させる。クロックCLKはカウンタXCNTの値を1
ずつ上昇させ、カウント値がNを越えるとキャリーを発
生し、カウンタYCNTの値をインクリメントさせる。カウ
ンタXCNTの値は比較器XSCによりレジスタXSRの値と比較
され、カウント値が大きければイネーブル信号が出力さ
れる。このカウント値は、全画面撮影モードでは常に値
1以上であるので、常にイネーブル信号が出力されてい
る。また、カウンタXCNTの値は比較器XECにより、レジ
スタXERの値と比較され、カウント値が小さければ、イ
ネーブル信号が出力される。全画面モードの時、カウン
ト値は列方向の最大値Nより小さいので、常にイネーブ
ル信号が出力されている。両比較器XSC、XECがイネーブ
ル信号を出力している時には、クロックCLKはプログラ
マブルカウンタXENBへ伝達され、その値をインクリメン
トする。プログラマブルカウンタXENBはレジスタXIRの
値を周期としてカウントするので、値nごとにキャリー
をイネーブル信号として発生する。カウンタYCNT、各比
較器YSC、YEC、各レジスタYSR、YER、YIRの類似の動作
により、プログラマブルカウンタYENBはイネーブル信号
を発生する。両プグラマブルカウンタXENB、YENBのイネ
ーブル信号は論理積をとられ、イネーブル信号ENBLを発
生する。このときの電子ビーム発生源位置は各エコーダ
XDCR、YDCRによりデコードされており、イネーブル信号
とともにマルチ電子ビーム撮像管に供給される。この結
果、光電変換部PECの光導電体層PC上に形成されている
被写体の電荷分布は全画面にわたってn、m画素ごとに
間引いて電気信号に変換されることになる。
(Operation of Control Circuit) (FIGS. 1, 3, and 4) Using the above-described configuration, first, a direction in a full-screen mode for capturing a schematic screen of the entire screen of the imaging target area will be described. FIG. 3 shows the electron beam generator SEG in this case.
FIG. In this case, first, as shown in the figure, (1, 1) is designated as a rectangular area start coordinate point, (M, N) is designated as an end coordinate point, and (m, n) is designated as an interval. These values are stored in the registers as follows. That is, the register XSR is 1, the register XER is N, the register XI
N for R, 1 for register YSR, M for register YER, register Y
M for IR. Next, the values of the registers XIR and YIR are loaded into the programmable counters XENB and YENB. The above is the initial setting.
Generate CLK. The clock CLK indicates the value of the counter XCNT as 1
When the count value exceeds N, a carry occurs and the value of the counter YCNT is incremented. The value of the counter XCNT is compared with the value of the register XSR by the comparator XSC, and if the count value is large, an enable signal is output. Since the count value is always equal to or greater than 1 in the full-screen shooting mode, the enable signal is always output. Further, the value of the counter XCNT is compared with the value of the register XER by the comparator XEC, and if the count value is small, an enable signal is output. In the full screen mode, since the count value is smaller than the maximum value N in the column direction, the enable signal is always output. When both comparators XSC and XEC are outputting the enable signal, the clock CLK is transmitted to the programmable counter XENB, and the value is incremented. Since the programmable counter XENB counts the value of the register XIR as a cycle, a carry is generated as an enable signal for each value n. The similar operation of the counter YCNT, the comparators YSC and YEC, and the registers YSR, YER and YIR causes the programmable counter YENB to generate an enable signal. The enable signals of both programmable counters XENB and YENB are ANDed to generate an enable signal ENBL. The position of the electron beam source at this time is
It is decoded by XDCR and YDCR, and is supplied to the multi-electron beam imaging tube together with an enable signal. As a result, the charge distribution of the subject formed on the photoconductor layer PC of the photoelectric conversion unit PEC is converted into an electric signal by thinning out every n and m pixels over the entire screen.

つぎに、第4図に、部分画面モード時における電子ビ
ーム発生部SEGの動作説明図を示すように、詳細部分画
像を撮影する場合には、矩形領域開始座標値(p、q)
を各レジスタXSR、YSRに、また、終了座標値(s、t)
を各レジスタXER、YERに格納する。また間隔値を行列方
向ともに1と指定し、各レジスタXIR、YIRに格納する。
このように設定しておけば、前述の概略全画面撮影モー
ドにおける動作と同様に、矩形領域内で、かつ指定間隔
ごとにイネーブル信号が出力され、所望矩形領域内の各
電子ビーム発生源SEGm,nが駆動されることになる。
Next, as shown in FIG. 4, which illustrates the operation of the electron beam generator SEG in the partial screen mode, when capturing a detailed partial image, the rectangular area start coordinate values (p, q)
In each register XSR, YSR, and the end coordinate value (s, t).
Is stored in the registers XER and YER. Also, the interval value is designated as 1 in both the matrix direction and stored in the registers XIR and YIR.
With this setting, the enable signal is output within the rectangular area and at specified intervals, similarly to the operation in the above-described general full-screen imaging mode, and each electron beam source SEG m in the desired rectangular area is output. , n will be driven.

なお、上記実施例においては、全画面の概略画像およ
び部分の詳細画像を得る2つのモードの場合について説
明したが矩形領域、間隔の指定により、被写体の任意の
部分を、任意の間引き率でサンプリングした画像を得る
ことができることは言うまでもない。
In the above embodiment, the description has been given of the case of the two modes for obtaining the schematic image of the entire screen and the detailed image of the part. However, by specifying the rectangular area and the interval, any part of the subject can be sampled at an arbitrary thinning rate. Needless to say, the obtained image can be obtained.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上、説明したように、本発明によれば、被写体の撮
像光を画像信号に変換する光電変換手段と、前記光電変
換手段の各画素に対応してマトリックス状に配設され前
記光電変換手段に対して電子ビームを照射することで画
像信号を読み出す複数の電子ビーム発生手段とを備えた
マルチ電子ビーム撮像装置において、前記光電変換手段
の1画面中の部分的な読み出し領域を指定する第1の指
定手段と、前記光電変換手段から読み出す画素間隔を指
定する第2の指定手段と、前記第1の指定手段により指
定された前記光電変換手段の1画面中の部分的な読み出
し領域及び前記第2の指定手段により指定された前記光
電変換手段から読み出す画素間隔に対応する画像信号を
前記光電変換手段から順次読み出すように前記複数の電
子ビーム発生手段が前記光電変換手段を照射するように
制御する制御手段と、を有するように構成したため、メ
モリの記憶容量の増大や、複雑な信号処理を必要とせず
に、簡単かつ低コストで1画面中の任意の読み出し領域
から任意の画素間隔で読み出した画像信号を得ることが
できる。
As described above, according to the present invention, according to the present invention, a photoelectric conversion unit that converts imaging light of a subject into an image signal, and the photoelectric conversion unit that is arranged in a matrix corresponding to each pixel of the photoelectric conversion unit. A multi-electron beam imaging device including a plurality of electron beam generating means for reading out an image signal by irradiating an electron beam with the electron beam; Designation means; second designation means for designating a pixel interval to be read from the photoelectric conversion means; a partial readout area in one screen of the photoelectric conversion means designated by the first designation means; The plurality of electron beam generating units are configured to sequentially read from the photoelectric conversion unit image signals corresponding to pixel intervals to be read from the photoelectric conversion unit designated by the designation unit. And control means for controlling the photoelectric conversion means to irradiate the light, so that the memory capacity of the memory is not increased and complicated signal processing is not required. , An image signal read at an arbitrary pixel interval from the read region can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、本発明に係る制御回路の一実施例のブロック
図、第2図は、マルチ電子ビーム撮像管の一例の構成概
略図、第3図および第4図は、それぞれ本実施例の全画
面モードおよび部分画面モードにおける電子ビーム発生
部の各動作説明図、第5図ないし第7図は、それぞれ従
来のTVカメラ応用配置3例の各説明図である。 PEC……光電変換部 SEG……電子ビーム発生部 SEGm,n……各電子ビーム発生源
FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of a control circuit according to the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram of an example of a multi-electron beam imaging tube, and FIGS. FIGS. 5 to 7 are explanatory diagrams of three examples of a conventional TV camera application arrangement in the full screen mode and the partial screen mode, respectively. FIGS. PEC Photoelectric conversion unit SEG Electron beam generation unit SEG m, n Each electron beam generation source

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水澤 伸俊 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 新井 竜一 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 石渡 恭彦 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−120589(JP,A) 特開 昭54−154927(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Nobutoshi Mizusawa 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Ryuichi Arai 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Incorporated (72) Inventor Yasuhiko Ishiwatari 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (56) References JP-A-61-120589 (JP, A) JP-A-54-154927 (JP) , A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】被写体の撮像光を画像信号に変換する光電
変換手段と、前記光電変換手段の各画素に対応してマト
リックス状に配設され前記光電変換手段に対して電子ビ
ームを照射することで画像信号を読み出す複数の電子ビ
ーム発生手段とを備えたマルチ電子ビーム撮像装置にお
いて、 前記光電変換手段の1画面中の部分的な読み出し領域を
指定する第1の指定手段と、 前記光電変換手段から読み出す画素間隔を指定する第2
の指定手段と、 前記第1の指定手段により指定された前記光電変換手段
の1画面中の部分的な読み出し領域及び前記第2の指定
手段により指定された前記光電変換手段から読み出す画
素間隔に対応する画像信号を前記光電変換手段から順次
読み出すように前記複数の電子ビーム発生手段が前記光
電変換手段を照射するように制御する制御手段と、 を有することを特徴とするマルチ電子ビーム撮像装置。
A photoelectric conversion means for converting imaging light of a subject into an image signal; and irradiating the photoelectric conversion means with an electron beam arranged in a matrix corresponding to each pixel of the photoelectric conversion means. A multi-electron beam imaging device comprising: a plurality of electron beam generating means for reading image signals in a first electronic device; a first specifying device for specifying a partial readout area in one screen of the photoelectric conversion device; Second to specify the pixel interval to read from
Corresponding to a partial readout area in one screen of the photoelectric conversion unit designated by the first designation unit and a pixel interval read from the photoelectric conversion unit designated by the second designation unit. Control means for controlling the plurality of electron beam generating means to irradiate the photoelectric conversion means so that image signals to be read are sequentially read from the photoelectric conversion means.
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