JP2598105Y2 - Vacuum processing equipment - Google Patents

Vacuum processing equipment

Info

Publication number
JP2598105Y2
JP2598105Y2 JP1993058272U JP5827293U JP2598105Y2 JP 2598105 Y2 JP2598105 Y2 JP 2598105Y2 JP 1993058272 U JP1993058272 U JP 1993058272U JP 5827293 U JP5827293 U JP 5827293U JP 2598105 Y2 JP2598105 Y2 JP 2598105Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
vacuum vessel
gas
positive
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1993058272U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0721761U (en
Inventor
勉 永山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP1993058272U priority Critical patent/JP2598105Y2/en
Publication of JPH0721761U publication Critical patent/JPH0721761U/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2598105Y2 publication Critical patent/JP2598105Y2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この考案は、例えばイオン注入装
置、イオンビームエッチング装置、薄膜形成装置等のよ
うに、真空中で被処理体を処理する装置であって、被処
理体が収納される真空容器内に気体を導入して当該真空
容器内を大気圧状態に戻す、いわゆるベントするように
した真空処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to an apparatus for processing an object to be processed in a vacuum, such as an ion implantation apparatus, an ion beam etching apparatus, a thin film forming apparatus, etc., in which the object to be processed is housed. The present invention relates to a so-called vented vacuum processing apparatus for introducing a gas into a vacuum vessel to return the inside of the vacuum vessel to an atmospheric pressure state.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2は、従来の真空処理装置の一例を示
す概略正面断面図である。1は真空バルブ2を介して真
空ポンプ3によって真空排気される真空容器で、この真
空容器1内には例えばウエハのような被処理体4を載置
したキャリア5が収納されている。6は前記真空容器1
の上部に設けられた気体導入口で、バルブ7および図示
しないフィルタなどを介して、例えば窒素ガスのような
ベント用の気体8を充填したガスボンベ(図示せず)に
つながれている。なお、10はキァリア5を載せる載置
台、11はその昇降用のシャフトで、これら載置台10
およびシャフト11は、図示しない昇降機構によって上
下に昇降される。は被処理体4の搬出入口を開閉する
シャッターである。
2. Description of the Related Art FIG. 2 is a schematic front sectional view showing an example of a conventional vacuum processing apparatus. Reference numeral 1 denotes a vacuum container which is evacuated by a vacuum pump 3 via a vacuum valve 2 and contains a carrier 5 on which an object 4 such as a wafer is placed, for example. 6 is the vacuum vessel 1
Is connected to a gas cylinder (not shown) filled with a vent gas 8 such as nitrogen gas through a valve 7 and a filter (not shown). Reference numeral 10 denotes a mounting table on which the carrier 5 is mounted, and 11 denotes a shaft for elevating the mounting table.
The shaft 11 is moved up and down by a lifting mechanism (not shown). Reference numeral 9 denotes a shutter for opening and closing the loading / unloading port of the object 4 to be processed.

【0003】この真空容器1は、図示例では、被処理体
4を大気圧側Aと当該処理体4を処理、例えばイオン注
入する処理室(図示せず)との間で出し入れするための
エアロック室を構成している。
[0003] In the illustrated example, the vacuum vessel 1 is provided with air for moving the object 4 between the atmospheric pressure side A and a processing chamber (not shown) for processing the object 4, for example, ion implantation. It constitutes a lock room.

【0004】この真空処理装置の動作の一例を説明する
と、シャッター9を開き、大気圧状態にある真空容器1
内に未処理の被処理体4を載置したキャリア5を収納し
た後、前記シャッター9を閉じるとともに真空バルブ2
を開いて真空ポンプ3で真空容器1内を真空排気する。
前記真空容器1内が所望の真空度に達した後、隣接する
処理室との間に設けられた扉(図示せず)を開き前記被
処理体4を、前記処理室内へ搬送した後、この扉を閉じ
処理室内で被処理体4に所望のイオン注入を行う。その
後、扉を開き処理済みの被処理体4を処理室から真空容
器1内のキャリア5内に搬送し、扉を閉じる。その後、
バルブ7を開いて、真空容器1内に気体導入口6から気
体8を導入して、真空容器1内を大気圧状態に戻し、大
気圧となった後大気側のシャッター9を開き、被処理体
4を大気圧側に搬出する。これにより、前述の元の状態
に戻る。
[0004] An example of the operation of the vacuum processing apparatus will be described. The shutter 9 is opened, and the vacuum vessel 1 under atmospheric pressure is opened.
After storing the carrier 5 on which the unprocessed object 4 is placed, the shutter 9 is closed and the vacuum valve 2 is closed.
Is opened, and the inside of the vacuum vessel 1 is evacuated by the vacuum pump 3.
After the inside of the vacuum chamber 1 reaches a desired degree of vacuum, a door (not shown) provided between the vacuum chamber 1 and an adjacent processing chamber is opened, and the object 4 is transferred into the processing chamber. The door is closed and desired ions are implanted into the processing target 4 in the processing chamber. Thereafter, the door is opened, the processed object 4 is transferred from the processing chamber into the carrier 5 in the vacuum vessel 1, and the door is closed. afterwards,
The valve 7 is opened, the gas 8 is introduced into the vacuum vessel 1 from the gas inlet 6, and the inside of the vacuum vessel 1 is returned to the atmospheric pressure state. The body 4 is carried out to the atmospheric pressure side. As a result, the above state is restored.

【0005】[0005]

【考案が解決しようとする課題】ところで、このような
真空処理装置においては、前述のように気体導入口6か
ら真空容器1内へ気体8を導入することとなるので、真
空容器1内で被処理体4と気体8との摩擦により被処理
体4が帯電し、真空容器1内の内部に溜まっているパー
ティクル(微小粒子)を吸着するといった問題がある。
また、真空容器1内の壁面も帯電し、パーティクルが付
着し、これが被処理体4に吸着されてコンタミネーショ
ン(汚染)の原因となる。しかもこのような問題は、真
空容器1内の大気圧化の高速化を狙って気体8の圧力お
よび流量を大きくすると一層大きくなる傾向にある。
In such a vacuum processing apparatus, the gas 8 is introduced from the gas inlet 6 into the vacuum vessel 1 as described above. There is a problem in that the processing target 4 is charged by friction between the processing target 4 and the gas 8 and adsorbs particles (fine particles) accumulated inside the vacuum vessel 1.
Further, the wall surface inside the vacuum vessel 1 is also charged, and particles adhere thereto, and these particles are adsorbed by the object to be processed 4 to cause contamination (contamination). In addition, such a problem tends to be further increased when the pressure and the flow rate of the gas 8 are increased in order to speed up the atmospheric pressure in the vacuum vessel 1.

【0006】そこでこの考案は、真空容器内に気体を導
入することに伴う被処理体および壁面の帯電を抑制し、
パーティクルの吸着や付着を抑えることができるように
した真空処理装置を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention suppresses the charging of the object and the wall surface caused by introducing a gas into the vacuum vessel,
An object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus capable of suppressing adsorption and adhesion of particles.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この考案の真空処理装置は、前記真空容器内に設け
られていて正イオンおよび負イオンを発生させるイオン
発生器と、前記真空容器内に設けられていて当該真空容
器内の正、負イオンのバランス状況を検出するセンサー
部と、このセンサー部からの信号を受けて前記真空容器
内の正、負イオンのバランスが常に保たれるように前記
イオン発生器を制御する制御部とを備えることを特徴と
する。
In order to achieve the above object, a vacuum processing apparatus according to the present invention is provided in the vacuum vessel.
An ion generator for generating positive ions and negative ions have been, the vacuum containers provided in the vacuum chamber
Sensor that detects the balance of positive and negative ions in the chamber
Section and a vacuum vessel receiving a signal from the sensor section.
So that the balance between positive and negative ions in the
A control unit for controlling the ion generator .

【0008】[0008]

【作用】上記構成によれば、イオン発生器から供給され
る正イオンおよび負イオンによって、真空容器内の壁面
や被処理体上に存在する静電荷が中和され、除電が行わ
れる。その結果、真空容器内の壁面や被処理体へのパー
ティクルの付着や吸着を抑えることができる。
According to the above arrangement, the positive charges and the negative ions supplied from the ion generator neutralize the electrostatic charges existing on the wall surface in the vacuum vessel and on the object to be processed, and the charge is removed. As a result, adhesion and adsorption of particles to the wall surface in the vacuum vessel and the object to be processed can be suppressed.

【0009】[0009]

【実施例】図1は、この考案の一実施例に係る真空処理
装置の概略構成を示す正面断面図である。図2の従来例
と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下に
おいては当該従来例との相違点を主に説明する。
FIG. 1 is a front sectional view showing a schematic configuration of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Parts that are the same as or correspond to those in the conventional example of FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and differences from the conventional example will be mainly described below.

【0010】この実施例においては、前述したような真
空容器1内の天井部に、正イオンおよび負イオンを発生
させるイオン発生器20を設けている。このイオン発生
器20は、この実施例では、図示しない電源から直流で
正の高電圧が印加される針端電極21と、同電源から直
流で負の高電圧が印加される針端電極21とを備えてお
り、これらの針端電極21と接地導体との間のコロナ放
電によって、正イオンおよび負イオンをバランス良く発
生させ、それを真空容器1内へ供給するものである。更
にこのイオン発生器20は、センサー部22で、真空容
器1内の正、負イオンのバランス状況を検出し、図示し
ない制御部に信号を送出し、正、負イオンのバランスが
常に正しく保たれるような自己制御機能を有している。
In this embodiment, an ion generator 20 for generating positive ions and negative ions is provided on the ceiling of the vacuum vessel 1 as described above. In this embodiment, the ion generator 20 includes a needle end electrode 21 to which a DC positive high voltage is applied from a power supply (not shown) and a needle end electrode 21 to which a DC negative high voltage is applied from the same power supply. The positive electrode and the negative ion are generated in good balance by corona discharge between the needle end electrode 21 and the ground conductor, and the positive ions and the negative ions are supplied into the vacuum vessel 1. Further, in the ion generator 20, the sensor unit 22 detects the balance of positive and negative ions in the vacuum vessel 1 and sends a signal to a control unit (not shown) so that the balance between positive and negative ions is always kept correct. It has a self-control function as described below.

【0011】上記のように構成すると、バルブ7を開い
て気体導入口6から気体8を真空容器1内に導入して大
気圧状態に戻す際に、前述したようにして真空容器1内
の被処理体4や真空容器1の壁面が帯電しても、イオン
発生器20から供給される正イオンおよび負イオンによ
って、この真空容器1内の壁面や被処理体4上に存在す
る静電荷が中和され、除電が行われる。その結果、真空
容器1内の壁面や被処理体4へのパーティクルの付着や
吸着を抑えることができる。
With the above construction, when the valve 7 is opened to introduce the gas 8 from the gas inlet 6 into the vacuum vessel 1 and return to the atmospheric pressure state, as described above, the gas in the vacuum vessel 1 is removed. Even if the processing body 4 and the wall surface of the vacuum vessel 1 are charged, the positive charges and the negative ions supplied from the ion generator 20 cause the electrostatic charges existing on the wall surface in the vacuum vessel 1 and the processing object 4 to be medium. And the charge is removed. As a result, it is possible to suppress adhesion and adsorption of particles to the wall surface in the vacuum vessel 1 and the object 4 to be processed.

【0012】また、真空容器1内を常にパーティクルの
少ないクリーンな状態に保つことができ、クリーニング
作業を軽減できる。
Further, the inside of the vacuum vessel 1 can be always kept in a clean state with few particles, and the cleaning operation can be reduced.

【0013】その結果、被処理体4に対するコンタミネ
ーションを低減することができる。また、真空容器1内
に導入する気体8の圧力および流量を大きくして真空容
器1内の大気圧化の高速化、すなわちスループットの向
上を図ることができる。
As a result, contamination of the object to be processed 4 can be reduced. Further, by increasing the pressure and flow rate of the gas 8 introduced into the vacuum vessel 1, the speed of the atmospheric pressure in the vacuum vessel 1 can be increased, that is, the throughput can be improved.

【0014】なお、気体8は、清浄な気体であればよ
く、窒素ガス以外のものであってもよいのは勿論であ
る。
The gas 8 only needs to be a clean gas, and of course may be other than nitrogen gas.

【0015】また、装置によっては、エアロック室を設
けずに、被処理体を処理する処理室と大気圧側との間で
被処理体を直接出し入れする場合もあり、そのような場
合は処理室に気体を導入してベントする事になるが、こ
のような場合にもこの考案を適用することができるのは
勿論である。この場合、前記真空容器1を処理室として
形成すれば良い。
Further, depending on the apparatus, the object to be processed may be directly taken in and out between the processing chamber for processing the object to be processed and the atmospheric pressure side without providing the air lock chamber. Although the gas is introduced into the chamber and venting is performed, it goes without saying that the present invention can be applied to such a case. In this case, the vacuum vessel 1 may be formed as a processing chamber.

【0016】[0016]

【考案の効果】以上のようにこの考案によれば、真空容
器内にイオン発生器を設けたので、このイオン発生器か
ら供給される正イオンおよび負イオンによって、真空容
器内の壁面や被処理体上に存在する静電荷が中和され、
除電が行われる。即ち、真空容器内に気体を導入するこ
とに伴う被処理体および真空容器内壁面の帯電を抑制す
ることができる。その結果、真空容器内の壁面や被処理
体へのパーティクルの付着や吸着を抑えることができ
る。しかも、上記のようなセンサー部と制御部とを備え
ているので、真空容器内の正、負イオンのバランス(均
衡)を常に保つことができる。
As described above, according to the present invention, since the ion generator is provided in the vacuum vessel, the positive ions and the negative ions supplied from the ion generator cause the wall surface in the vacuum vessel and the processing target to be processed. The static charge present on the body is neutralized,
Static elimination is performed. That is, gas is introduced into the vacuum vessel.
To suppress the charging of the workpiece and the inner wall of the vacuum vessel
Can be As a result, adhesion and adsorption of particles to the wall surface in the vacuum vessel and the object to be processed can be suppressed. Moreover, it has a sensor unit and a control unit as described above.
The balance of positive and negative ions in the vacuum vessel
Balance) can always be maintained.

【0017】また、真空容器内を常にパーティクルの少
ないクリーンな状態に保つことがき、クリーニング作業
を軽減できる外、被処理体のチャージアップが軽減でき
る。
Further, the inside of the vacuum container can be always kept in a clean state with few particles, so that the cleaning operation can be reduced and the charge-up of the object to be processed can be reduced.

【0020】その結果、被処理体に対するコンタミネー
ションを低減することができるとともに、チャージアッ
プに起因する被処理体表面の絶縁破壊が防止できる。ま
た、真空容器内に導入する気体の圧力および流量を大き
くして真空容器内の大気圧化の高速化を図ることがで
き、スループットが向上する。
As a result, contamination to the object to be processed can be reduced, and dielectric breakdown of the surface of the object to be processed due to charge-up can be prevented. In addition, the pressure and flow rate of the gas introduced into the vacuum vessel are increased to increase the speed of the atmospheric pressure in the vacuum vessel, thereby improving the throughput.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この考案の一実施例に係る真空処理装置の概
略構成を示す正面断面図である。
FIG. 1 is a front sectional view showing a schematic configuration of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 従来の真空処理装置の一例を示す概略正面断
面である。
FIG. 2 is a schematic front sectional view showing an example of a conventional vacuum processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 真空容器 4 被処理体 6 気体導入口 8 気体 20 イオン発生器 21 針端電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum container 4 Object to be processed 6 Gas inlet 8 Gas 20 Ion generator 21 Needle end electrode

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/50 C23F 4/00 H01J 37/317 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) C23C 14/00-14/58 C23C 16/50 C23F 4/00 H01J 37/317

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】 真空に排気される真空容器であってその
中に被処理体が収納されるものの内部に、気体導入口か
ら気体を導入して当該真空容器内を大気圧状態に戻すよ
うにした真空処理装置において、前記真空容器内に設け
られていて正イオンおよび負イオンを発生させるイオン
発生器と、前記真空容器内に設けられていて当該真空容
器内の正、負イオンのバランス状況を検出するセンサー
部と、このセンサー部からの信号を受けて前記真空容器
内の正、負イオンのバランスが常に保たれるように前記
イオン発生器を制御する制御部とを備えることを特徴と
する真空処理装置。
1. A vacuum vessel evacuated to a vacuum, in which an object to be processed is housed therein, by introducing a gas from a gas inlet to return the inside of the vacuum vessel to an atmospheric pressure state. Vacuum processing apparatus, provided in the vacuum vessel
An ion generator for generating positive ions and negative ions have been, the vacuum containers provided in the vacuum chamber
Sensor that detects the balance of positive and negative ions in the chamber
Section and a vacuum vessel receiving a signal from the sensor section.
So that the balance between positive and negative ions in the
A vacuum processing apparatus comprising: a control unit that controls an ion generator .
JP1993058272U 1993-10-01 1993-10-01 Vacuum processing equipment Expired - Fee Related JP2598105Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1993058272U JP2598105Y2 (en) 1993-10-01 1993-10-01 Vacuum processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1993058272U JP2598105Y2 (en) 1993-10-01 1993-10-01 Vacuum processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0721761U JPH0721761U (en) 1995-04-21
JP2598105Y2 true JP2598105Y2 (en) 1999-08-03

Family

ID=13079554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1993058272U Expired - Fee Related JP2598105Y2 (en) 1993-10-01 1993-10-01 Vacuum processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2598105Y2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0721761U (en) 1995-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100662959B1 (en) Plasma processing machine and method thereof
US8147664B2 (en) Sputtering apparatus
TWI479046B (en) Plasma processing device
JPH10219434A (en) Film of vacuum chamber for reducing evacuation time and basic pressure
JP3012328B2 (en) Method and apparatus for protecting a substrate in a pressure sealed chamber from contaminants in a gas
JPH05106020A (en) Shield preparation for reducing fine particle in physical vapor deposition room
US5976312A (en) Semiconductor processing apparatus
JP2598105Y2 (en) Vacuum processing equipment
JP2002353086A (en) Apparatus and method for manufacturing semiconductor
JP3243807B2 (en) Ion irradiation equipment
JPH07161598A (en) Vacuum processing apparatus
US5529627A (en) Coating apparatus
JP4164154B2 (en) Ionization sputtering equipment
JPH0542507B2 (en)
US20030111342A1 (en) Sputter coating apparatus
JP3851154B2 (en) Substrate transport method and apparatus for load lock device
JP2003007797A (en) Vacuum treatment device
JPH0982493A (en) Plasma processing device
JP2006028563A (en) Cathodic-arc film deposition method, and film deposition system
JP4288127B2 (en) Plasma processing equipment
JP2579588Y2 (en) Sputtering equipment
KR20240002931A (en) Dust collection method
JP2665973B2 (en) Plasma processing equipment
JPS61214431A (en) Vacuum treatment equipment
JP4521607B2 (en) External cathode electrode type sputtering system

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R323113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees