JP2594112B2 - Positive photosensitive resin composition - Google Patents

Positive photosensitive resin composition

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JP2594112B2
JP2594112B2 JP63126809A JP12680988A JP2594112B2 JP 2594112 B2 JP2594112 B2 JP 2594112B2 JP 63126809 A JP63126809 A JP 63126809A JP 12680988 A JP12680988 A JP 12680988A JP 2594112 B2 JP2594112 B2 JP 2594112B2
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寛治 西島
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Description

【発明の詳細な説明】 技 術 分 野 本発明は新規なポジ型感光性樹脂組成物にかかり、さ
らに詳しくはイミノスルホネート基を含む樹脂からな
り、プリント配線板、集積回路などの製造に用いられる
微細加工用レジスト、あるいは平版印刷版などに有用な
新規ポシ型感光性樹脂組成物に関するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a novel positive photosensitive resin composition, and more particularly, to a resin containing an iminosulfonate group, which is used for manufacturing printed wiring boards, integrated circuits, and the like. The present invention relates to a novel photosensitive resin composition useful for a resist for fine processing or a lithographic printing plate.

従 来 技 術 紫外線などの活性放射線により光分解で可溶性となる
所謂ポジ型感光性樹脂は一般にネガ型の感光性組成物よ
りも解像力に優れているため、プリント配線板や集積回
路などの製造時のエッチング保護材料として広く実用さ
れている。これらポジ型感光性樹脂組成物としてはアル
カリ可溶性のノボラック樹脂にキノンジアジド化合物を
添加したものがもっとも一般的であるが、素材が縮合重
合法で作られるノボラック樹脂であるため性能上のバラ
ツキが大きく、分子量が比較的低いにもかかわらず軟化
温度が高いため、レジストフィルムが脆いとか、キノン
ジアジド化合物を多量に添加するため感度が塩化ゴム系
ネガ型のホトレジストより低くなるなどの問題があり、
これらを改良するための試みとしてキノンジアジドスル
ホニル基をジヒドロキシ化合物に組み込んだ化合物(特
開昭58−182632号)あるいはビスフェノール型化合物と
キノンジアジドスルホニルクロライドの縮合物(特開昭
58−203434号)をアルカリ可溶性ノボラック樹脂と組合
せて、感度の向上がはかられている。しかしながらノボ
ラック樹脂を使用することによる欠点は依然改善されて
いない。アルカリ可溶性ノボラック樹脂の代わりにモノ
オレフィン系不飽和化合物とα,β−エチレン性不飽和
カルボン酸の共重合体で、数平均分子量500〜10,000の
アクリル樹脂を用い、これとキノンジアジド化合物を組
み合わせることも提案されているが(特開昭58−43451
号)、フィルム性能の均一化、レジストの機械的物性、
アルカリ現像性のコントロールに難点があり、実用化に
至っていない。さらにまた、これらの技術ではキノンジ
アジド化合物が有機溶媒には溶解するがアルカリ水溶液
には溶解せず、紫外線照射により同化合物がケテンを経
てインデンカルボン酸となり、アルカリ水溶液に溶解性
となる性質を利用するものであるが、キノンジアジドの
光分解が吸収波長域400nm付近の紫外線により行われる
ことから短波長域の光線により高分解能を期待し得ない
といった問題点をかかえている。
2. Description of the Related Art A so-called positive photosensitive resin, which becomes soluble by photodecomposition due to actinic radiation such as ultraviolet rays, generally has a higher resolution than a negative photosensitive composition, so it is used for manufacturing printed wiring boards and integrated circuits. Is widely used as an etching protection material. As these positive-type photosensitive resin compositions, those obtained by adding a quinonediazide compound to an alkali-soluble novolak resin are most common.However, since the material is a novolak resin made by a condensation polymerization method, there is a large variation in performance, Although the softening temperature is high despite the relatively low molecular weight, there is a problem that the resist film is brittle or the sensitivity is lower than that of the chloride type negative photoresist because a large amount of a quinonediazide compound is added.
As an attempt to improve these, a compound in which a quinonediazidosulfonyl group is incorporated into a dihydroxy compound (JP-A-58-182632) or a condensate of a bisphenol-type compound and quinonediazide-sulfonyl chloride (JP-A-58-182)
No. 58-203434) in combination with an alkali-soluble novolak resin to improve sensitivity. However, the disadvantages of using novolak resins have not been improved. In place of the alkali-soluble novolak resin, an acrylic resin having a number average molecular weight of 500 to 10,000 is used as a copolymer of a monoolefinic unsaturated compound and an α, β-ethylenically unsaturated carboxylic acid, and this may be combined with a quinonediazide compound. It has been proposed (JP-A-58-43451).
No.), uniform film performance, mechanical properties of resist,
There is a difficulty in controlling alkali developability, and it has not been put to practical use. Furthermore, in these technologies, the quinonediazide compound is dissolved in an organic solvent, but not in an aqueous alkali solution, and utilizes the property that the compound becomes indenecarboxylic acid via ketene by ultraviolet irradiation and becomes soluble in an aqueous alkali solution. However, since photodecomposition of quinonediazide is carried out by ultraviolet light having an absorption wavelength range of about 400 nm, there is a problem that high resolution cannot be expected with light in a short wavelength range.

尚、ポジ型感光性樹脂組成物としては他にもオルトニ
トロカルビノールエステル基を有するポリマーを利用す
る技術(例えば特公昭58−2696号、特開昭60−17445号
など)あるいは光分解で生成する酸を利用し、第2の光
分解反応を生起させて可溶化する方法(例えば特開昭55
−126236号、特開昭61−141442号など)など各種のもの
が知られているが、前者にあっては感光性が充分でな
く、また後者にあっては経時安定性が悪いなど種々の欠
点があり、いずれも実用化されてはいない。
In addition, as a positive photosensitive resin composition, a technique using a polymer having an ortho-nitrocarbinol ester group (for example, Japanese Patent Publication No. 58-2696, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-17445, etc.) or photodecomposition is used. A second photolysis reaction is used to solubilize the acid (see, for example,
-126236, JP-A-61-141442, etc.) are known. However, in the former, various types such as insufficient photosensitivity and in the latter, poor stability over time, etc. There are drawbacks, none of which have been put to practical use.

発明が解決しようとする問題点 そこで可撓性、密着性に優れた樹脂をベースとし、経
時安定性に優れ、吸収波長域をより短波長域、例えば20
0nmから現在実用化されている400nmまでの広範囲に変化
させることができ、短波長域での高分解能を期待するこ
とができ、解像力に優れたポジ型感光性樹脂組成物が要
望されておりかかる課題に応えることが本発明目的であ
る。
Problems to be Solved by the Invention Therefore, flexibility, based on a resin excellent in adhesion, excellent in stability over time, the absorption wavelength range to a shorter wavelength range, for example, 20
Positive photosensitive resin compositions that can be varied over a wide range from 0 nm to 400 nm currently in practical use, can be expected to have high resolution in a short wavelength range, and have excellent resolution have been demanded. It is an object of the present invention to meet the challenge.

問題点を解決するための手段 本発明に従えば、上記目的が側鎖中あるいは主鎖末端
に、少なくとも1つの 式 (式中R1およびR2は夫々同一または異なる基で、水素、
アルキル、アシル、フェニル基、ナフチル基、アントリ
ル基またはベンジル基を表し、あるいはR1とR2が共同で
脂環族環を形成することができる) で表されるイミノスルホネート基を有し、分子中のイミ
ノスルホネート基含量が1.5X10-4〜2.5X10-3当量/gの範
囲内にあり、該イミノスルホネート基の光分解で生じる
スルホン酸の作用で重合を引き起こすような官能基を含
まない、数平均分子量が700〜5000の範囲内の、ポリエ
ステル樹脂、エポキシ樹脂およびエポキシ化ポリブタジ
エン樹脂からなる群より選ばれる気体樹脂からなるポジ
型感光性樹脂組成物により達成せられる。
Means for Solving the Problems According to the present invention, the object is to provide at least one compound represented by the formula (Wherein R 1 and R 2 are the same or different groups and each represents hydrogen,
An alkyl, acyl, phenyl, naphthyl, anthryl or benzyl group, or R 1 and R 2 can form an alicyclic ring together) The iminosulfonate group content in the range of 1.5 X 10 -4 ~ 2.5 X 10 -3 equivalents / g, does not contain a functional group that causes polymerization by the action of sulfonic acid generated by photolysis of the imino sulfonate group, It is achieved by a positive photosensitive resin composition comprising a gas resin selected from the group consisting of a polyester resin, an epoxy resin and an epoxidized polybutadiene resin having a number average molecular weight in the range of 700 to 5,000.

より具体的には上記樹脂はポリエステル樹脂、エポキ
シ樹脂あるひあエポキシ化ポリブタジエン樹脂からなる
骨格樹脂の少なくとも1つの側鎖中あるいは主鎖末端に
上記式(I)で表されるイミノスルホネート基を有し、
スルホン酸で開環重合を起こす官能基、例えばグリシジ
ル基およびエピチオプロピル基を含まず、樹脂分子中の
イミノスルホネート基含量が1.5×10-4〜2.5×10-3当量
/g、好ましくは2.5×10-4〜1.5×10-3の範囲内にあり、
光分解で 式 の基が離脱することによりアルカリ可溶性となるもので
ある。
More specifically, the resin has an iminosulfonate group represented by the above formula (I) in at least one side chain or at the terminal of the main chain of a skeleton resin composed of a polyester resin, an epoxy resin, and a non-epoxidized polybutadiene resin. And
It does not contain a functional group that causes ring-opening polymerization with sulfonic acid, for example, a glycidyl group and an epithiopropyl group, and has an iminosulfonate group content in a resin molecule of 1.5 × 10 −4 to 2.5 × 10 −3 equivalent.
/ g, preferably in the range of 2.5 × 10 -4 to 1.5 × 10 -3 ,
Expression by photolysis Is alkali-soluble when the group is removed.

尚、上記のアルカリ可溶目的に対しポリエステル樹
脂、エポキシ樹脂、エポキシ化ポリブタジエン樹脂は通
常数平均分子量が700〜5000の範囲内にあるものが特に
好ましいことも見出されているが、感光基量あるいはこ
れら樹脂中に存在せしめうる任意の他官能基との割合な
どからこの分子量は流動的であり、要はそれ自体アルカ
リ不溶性高分子体で、式(II)の基が離脱せしめられた
際に実用的な溶解速度でアルカリ可溶ならしめられる限
り、またスルホン酸で開環重合せしめられるエポキシ環
などが残存せぬ限り、任意の前記樹脂が好都合に使用せ
られる。
Incidentally, it has been found that polyester resins, epoxy resins, and epoxidized polybutadiene resins for the above alkali-solubility purpose are usually particularly preferably those having a number-average molecular weight in the range of 700 to 5,000. Alternatively, the molecular weight is fluid due to the ratio with any other functional groups that can be present in these resins, and is essentially an alkali-insoluble polymer itself, which is used when the group of the formula (II) is released. Any of the above resins can be conveniently used as long as it is alkali-soluble at a practical dissolution rate and as long as an epoxy ring or the like which is subjected to ring-opening polymerization with sulfonic acid does not remain.

本発明にかかる樹脂は側鎖中あるいは主鎖末端に、 式 (式中R1、R2は夫々前述せる通り) で表される光分解性のイミノスルホネート基を有するア
ルカリ不溶性高分子体で、スルホン酸で開環重合を起こ
す官能基を含まぬ点で新規樹脂である。本発明者らは先
に、 式 で表されるイミノスルホネート基を有するビニル樹脂
が、テトラヒドロフランなどの溶剤に可溶でフィルムを
形成し、紫外線照射で 基が離脱せしめられ、生成したスルホン酸によりグリシ
ジル基の架橋反応で高分子化され溶剤不溶性となるた
め、ネガ型の感光性樹脂として有用であることを見出
し、ジャーナル オブ ポリマー サイエンス Vol.2
6,119〜124(1986)に発表した。本研究は上記のイミノ
スルホネート基の光分解反応をさらに進展せしめたもの
であるが、 式 (式中R1、R2は夫々前述せる通り) で表されるイミノスルホネート基の光吸収波長域がR1
よびR2の置換基により約200〜400nmの間で変化せしめら
れること、式 で表される基の離脱により、アルカリ不溶性高分子体が
分子内にスルホン酸基で開環重合を起こす官能基を含ま
ぬ限りアルカリ可溶性高分子体に変化せしめられること
を見出し、ポジ型感光性樹脂組成物として極めて有用で
あることを知り、本発明を完成させたものである。尚、
本発明の樹脂は分子内にスルホン酸で開環重合を起こす
官能基を含まぬ点において前記ネガ型感光材としてのビ
ニル樹脂と明確に区別せられる。
The resin according to the present invention is represented by the following formula: (Wherein R 1 and R 2 are as described above) are alkali-insoluble polymers having a photodegradable iminosulfonate group, and are new in that they do not contain a functional group that causes ring-opening polymerization with sulfonic acid. Resin. We have previously given the formula A vinyl resin having an iminosulfonate group represented by is soluble in a solvent such as tetrahydrofuran to form a film, and irradiated with ultraviolet light. The group was removed and the resulting sulfonic acid was polymerized by the cross-linking reaction of the glycidyl group to become solvent-insoluble, and was found to be useful as a negative photosensitive resin.Journal of Polymer Science Vol. 2
6, 119-124 (1986). In this study, the photodecomposition reaction of the above iminosulfonate group was further advanced. (Wherein R 1 and R 2 are as described above, respectively) The light absorption wavelength range of the iminosulfonate group represented by the formula is changed between about 200 and 400 nm by the substituents of R 1 and R 2 , It was found that by the removal of the group represented by the formula, the alkali-insoluble polymer can be converted to an alkali-soluble polymer as long as it does not contain a functional group that causes ring-opening polymerization with a sulfonic acid group in the molecule. The present invention was found to be extremely useful as a resin composition, and completed the present invention. still,
The resin of the present invention is clearly distinguished from the vinyl resin as the negative photosensitive material in that the resin does not contain a functional group that causes ring-opening polymerization with sulfonic acid in the molecule.

本発明にかかる樹脂は、例えば式 (式中R1およびR2は夫々同一または異なる基で、水素、
アルキル、アシル、フェニル基、ナフチル基、アントリ
ル基またはベンジル基を表し、あるいはR1とR2が共同で
脂環族環を形成することができる) で表されるケトンにヒドロキシルアミンを反応させて得
られる、 式 で表されるオキシム化合物にα,β−エチレン性不飽和
結合を有するスルホン酸ハライド CH2=CH−Y−SO2X (V) (式中Xはハロゲン、Yは有機基) を塩基、例えばピリジンの存在下に反応させて得られ
る、式 (式中R1、R2、Yは夫々前述せる通り) で表されるイミノスルホネート基を有するモノマーを用
いることにより、容易に製造することができる。すなわ
ち不飽和基を有する多塩基酸を用いて得られる不飽和ポ
リエステル樹脂に上記のイミノスルホネート基を有する
モノマーを付加反応せしめることによりポリエステル樹
脂が得られるし、またエポキシ樹脂およびエポキシ化ポ
リブタジエン樹脂の場合には、例えばアクリル酸などを
エポキシ基に反応させてα,β−エチレン性不飽和結合
を導入し、それに前記のイミノスルホネート基を有する
モノマーを付加反応せしめることにより好都合に製造せ
られる。
The resin according to the present invention has, for example, the formula (Wherein R 1 and R 2 are the same or different groups and each represents hydrogen,
Represents an alkyl, acyl, phenyl, naphthyl, anthryl or benzyl group, or R 1 and R 2 can form an alicyclic ring together) with hydroxylamine Obtain the expression A sulfonic acid halide having an α, β-ethylenically unsaturated bond in an oxime compound represented by the formula: CH 2 CHCH—Y—SO 2 X (V) (where X is a halogen, Y is an organic group) is a base, for example Formula obtained by reacting in the presence of pyridine, (Wherein R 1 , R 2 , and Y are each as described above) by using a monomer having an iminosulfonate group represented by the following formula: That is, a polyester resin can be obtained by subjecting the above-mentioned monomer having an iminosulfonate group to an addition reaction with an unsaturated polyester resin obtained using a polybasic acid having an unsaturated group, and in the case of epoxy resin and epoxidized polybutadiene resin Can be conveniently prepared by, for example, reacting an acrylic acid or the like with an epoxy group to introduce an α, β-ethylenically unsaturated bond, and then subjecting the monomer having an iminosulfonate group to an addition reaction.

式(V)で表されるスルホン酸ハライドは容易に入手
可能あるいは合成容易なα,β−エチレン性不飽和結合
とスルホン酸を有する化合物、例えばアリルスルホン
酸、メタリルスルホン酸、スチレンスルホン酸、ビニル
スルホン酸あるいは2−アクリルアミド−2−メチルプ
ロパンスルホン酸のカリウム塩に五塩化燐を反応せしめ
る方法(ジャーナル オブ ポリマー サイエンス 2
1,781(1985))などにより容易に得られる。
The sulfonic acid halide represented by the formula (V) is a compound having an α, β-ethylenically unsaturated bond and a sulfonic acid that is easily available or easily synthesized, for example, allylsulfonic acid, methallylsulfonic acid, styrenesulfonic acid, Method of reacting phosphorus pentachloride with vinyl sulfonic acid or potassium salt of 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid (Journal of Polymer Science 2)
1 , 781 (1985)).

式(IV)で表わされるオキシムとしては各種の化合物
が公知であり、例えば下記の如きものが有利に用いられ
る。2−プロパノンオキシム、アセトアルドキシム、メ
チルエチルケトオキシム、3−ヘプタノンオキシム、シ
クロヘキサノンオキシム、1,2−シクロヘキサンジオン
ジオキシム、ビアセチルモノオキシム、アセトフェノン
オキシム、P−クロロアセトフェノンオキシム、P−ニ
トロアセトフェノンオキシム、O−ニトロアセトフェノ
ンオキシム、P−メチルアセトフェノンオキシム、P−
フェニルアセトフェノンオキシム、ベンゾフェノンオキ
シム、メチルα−ナフチルケトオキシム、9−アントリ
ルベンジルケトオキシム、テトラロンオキシム、フルオ
レノンオキシムなど。上述のイミノスルホネート基を有
するモノマーと用いる代わりに本発明にかかる樹脂は、
例えばスルホン基を側鎖あるいは主鎖末端に有する樹脂
をハロゲン化し、次いで式(IV)で示されるオキシム化
合物を反応させることにより製造することもできる。
As the oxime represented by the formula (IV), various compounds are known, and for example, the following compounds are advantageously used. 2-propanone oxime, acetoaldoxime, methyl ethyl ketoxime, 3-heptanone oxime, cyclohexanone oxime, 1,2-cyclohexanedione dioxime, biacetyl monooxime, acetophenone oxime, P-chloroacetophenone oxime, P-nitroacetophenone oxime , O-nitroacetophenone oxime, P-methylacetophenone oxime, P-
Phenylacetophenone oxime, benzophenone oxime, methyl α-naphthyl ketoxime, 9-anthrylbenzyl ketoxime, tetralone oxime, fluorenone oxime and the like. Instead of using the above-mentioned monomer having an iminosulfonate group, the resin according to the present invention is:
For example, it can be produced by halogenating a resin having a sulfone group at the side chain or at the terminal of the main chain, followed by reaction with an oxime compound represented by the formula (IV).

本発明にかかる樹脂には既に述べた如く、 式 で表されるイミノスルホネート基が分子中に1.5×10-4
〜2.5×10-3当量/g、好ましくは2.5×10-4〜1.5×10-3
当量/g含まれる必要がある。というのはイミノスルホネ
ート基量がこの範囲より少ないと光分解後、アルアリ液
処理した場合、樹脂の溶解性が低く、また上記範囲より
多いと溶解性が過度となり、いずれもシャープなコント
ラスト増が得られないからである。
As described above, the resin according to the present invention has the formula The iminosulfonate group represented by 1.5 × 10 -4 in the molecule
~ 2.5 × 10 -3 eq / g, preferably 2.5 × 10 -4 to 1.5 × 10 -3
Equivalent / g must be included. This is because if the amount of iminosulfonate group is less than this range, the solubility of the resin will be low when treated with an Ali Ali solution after photolysis, and if it is more than the above range, the solubility will be excessive, resulting in a sharp increase in contrast. It is not possible.

また本発明の樹脂中にはスルホン酸で開環重合を起こ
す官能基、例えばグリシジル基およびエピチオプロピル
基をペンダント基として含んではならない。というのは
かかる基が存在すると光分解で生成するスルホン酸基が
触媒となり、それら官能基が開環反応し樹脂がアルカリ
現像液に溶解せず、ポジ型感光性樹脂として用い得ぬか
らである。スルホン酸基で開環重合を起こさない基は勿
論、樹脂中に任意に存在せしめることができる。
The resin of the present invention must not contain a functional group that causes ring-opening polymerization with sulfonic acid, such as a glycidyl group and an epithiopropyl group, as a pendant group. This is because, when such a group is present, the sulfonic acid group generated by photolysis serves as a catalyst, and the functional group does not dissolve in an alkali developing solution due to a ring opening reaction and cannot be used as a positive photosensitive resin. . A sulfonic acid group that does not cause ring-opening polymerization can of course be arbitrarily present in the resin.

本発明の樹脂はまた、光分解で 基が分離せしめられるとスルホン酸を生じアルカリ可溶
性ならしめられる。かかる可溶性は、主として使用する
骨格樹脂の分子量により制御せられることが好ましく、
数平均分子量でポリエステル、エポキシ、エポキシ化ポ
リブタジエン樹脂の場合は約700〜5000で該目的を達成
することができ、これら分子量範囲のものは樹脂のフロ
ー性、光分解後のアルカリ液溶解性などの点で特に好ま
しい。
The resin of the present invention also When the group is separated, a sulfonic acid is generated and the alkali-soluble substance is obtained. Such solubility is preferably controlled mainly by the molecular weight of the skeletal resin used,
In the case of polyester, epoxy, and epoxidized polybutadiene resin with a number average molecular weight, the purpose can be achieved with about 700 to 5000, and those having a molecular weight range of such as resin flowability, alkali solution solubility after photolysis, etc. It is particularly preferred in that respect.

アミノ基を含む官能基を使用する場合には光分解後、
酸現像することができる。
When using a functional group containing an amino group, after photolysis,
Acid development can be performed.

本発明の樹脂はいずれも活性放射線により が分解され、−SO3Hと を生成する特徴を有し、しかもオキシムの種類により光
吸収極大波長を約200〜400nmの範囲内に自由に選定しう
る特徴を有するすなわちオキシムとして例えば2−プロ
パノンオキシムを選定した場合の吸収極大は190nm;シク
ロヘキサノンオキシムでは192nm;1,2−シクロヘキサン
ジオンジオキシムでは237nm;ビアセチルモノオキシムで
は228nm;アセトフェノンオキシムでは242nm;ベンゾフェ
ノンオキシムでは252nm;フルオレノンオキシムでは254n
m;360nm;テトラロンオキシムでは254nmの如く吸収極大
長域が異なるので露光装置に合わせて樹脂の選択が可能
であり、また一般的に短波長域の活性光線を用いること
により高解像度の良好なポジ像を得ることができる。
All of the resins of the present invention are exposed to actinic radiation. Is decomposed into -SO 3 H And the characteristic that the light absorption maximum wavelength can be freely selected within the range of about 200 to 400 nm depending on the type of the oxime, that is, the absorption maximum when, for example, 2-propanone oxime is selected as the oxime. 190 nm; 192 nm for cyclohexanone oxime; 237 nm for 1,2-cyclohexanedione dioxime; 228 nm for biacetyl monooxime; 242 nm for acetophenone oxime; 252 nm for benzophenone oxime; 254 n for fluorenone oxime
m; 360 nm; tetralone oxime has a different maximum absorption maximum region such as 254 nm, so that the resin can be selected according to the exposure equipment. A positive image can be obtained.

本発明の感光性樹脂組成物は各種溶媒に溶解して作ら
れるが、例えば溶媒としてエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルな
どのグリコールエーテル類;エチレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテートなどのセロソルブエステル類;ト
ルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類;酢酸エチ
ル、酢酸ブチルなどのエステル類を挙げることができ
る。
The photosensitive resin composition of the present invention is prepared by dissolving in various solvents. Examples of the solvent include glycol ethers such as ethylene glycol monoethyl ether and ethylene glycol monobutyl ether; ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate. Cellosolve esters; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone; and esters such as ethyl acetate and butyl acetate.

本発明の感光性樹脂組成物の現象液には水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、メタケイ酸ナ
トリウムなどの無機アルカリ類;エチルアミン、n−プ
ロピルアミンなどの第一級アミン類;ジエタノールアミ
ン、ジ−n−プロピルアミンなどの第二級アミン類;ト
リエチルアミン、トリエタノールアミンなどの第三級ア
ミン類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモ
ニウム塩等のアルカリ類の水溶液または酸現像に対して
は酢酸、シュウ酸、クエン酸、ホウ酸、リン酸等の酸性
水溶液が用いられる。
The phenomenon liquid of the photosensitive resin composition of the present invention includes inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate and sodium metasilicate; primary amines such as ethylamine and n-propylamine; diethanolamine and diethanolamine. Secondary amines such as -n-propylamine; tertiary amines such as triethylamine and triethanolamine; aqueous solutions of alkalis such as quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide; For acid development, an acidic aqueous solution of acetic acid, oxalic acid, citric acid, boric acid, phosphoric acid or the like is used.

本発明にかかる樹脂組成物はいずれも可撓性に富み、
従って基材との密着性に優れ、感光基が樹脂中に組み込
まれているため経時安定性に優れ、吸収波長を200〜400
nmまでに自由に変更可能で短波長域では高分解能であ
り、解像力に優れたポジ型感光性樹脂組成物となり、プ
リント配線板集積回路などの製造での微細レジスト、平
版印刷版での感光材として極めて有用である。
All the resin compositions according to the present invention are rich in flexibility,
Therefore, excellent adhesion to the substrate, excellent stability over time because the photosensitive group is incorporated in the resin, absorption wavelength 200 ~ 400
Positive photosensitive resin composition that can be changed freely down to nm and has high resolution in the short wavelength range and excellent resolution. Fine resist in the manufacture of integrated circuits for printed wiring boards, photosensitive material in lithographic printing plates Is extremely useful.

以下、実施例により本発明を説明する。実施例におい
て使用されている部および%は、特に言及されていない
限りいずれも重量による。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples. All parts and percentages used in the examples are by weight unless otherwise stated.

合成例1 a)テトラロンオキシムp−スチレンスルホネートの合
成 内容積500mlのセパラブルフラスコにピリジン250部、
テトラロンオキシム96部を加え10℃以下に冷却し、p−
スチレンスルホニルクロライド120部を徐々に滴下し、2
0℃以下で3時間反応した。内容物を5%塩酸氷水中250
0部に滴下撹拌し、クロロホルム500部を加えて抽出した
後、溶媒を滅圧除去し反応生成物を得、IR、NMRスペク
トルよりテトラロンオキシムp−スチレンスルホネート
であることを確認した。
Synthesis Example 1 a) Synthesis of tetralone oxime p-styrene sulfonate 250 parts of pyridine in a separable flask having an internal volume of 500 ml,
Add 96 parts of tetralone oxime, cool to 10 ° C or less,
120 parts of styrenesulfonyl chloride are gradually dropped, and 2
The reaction was performed at 0 ° C. or lower for 3 hours. 250% of 5% hydrochloric acid in ice water
After 0 parts of the mixture was dropped and stirred, and 500 parts of chloroform was added for extraction, the solvent was decompressed and removed to obtain a reaction product. From IR and NMR spectra, it was confirmed that the product was tetralone oxime p-styrene sulfonate.

b)イミノスルホネート基を有するポリエステル樹脂の
合成 内容積1のセパラブルフラスコに無水マレイン酸7
3.5部、アジピン酸110部、ネオペンチルグルコール295
部、キシレン14部、ジブチル錫オキシド0.2部を加え、1
40℃に昇温して1時間保った後、3時間かけて200℃ま
で内温を上げ、カルボン酸の酸価が20になるまで反応を
つづけた。これを80℃まで下げてからキシレン160部と
エチレングリコールモノブチルエーテル80部を加え、別
に調整したスチレン20部と上記a)で得られたテトラロ
ンオキシムp−スチレンスルホネート140部、t−ブチ
ルパーオキシ2−エチルヘキサノエート9部とジ−t−
ブチルパーオキシド4.5部の混合液を滴下し140℃で3時
間反応し分子量約3200、固形分70.4%のイミスルホネー
ト基を有する変性ポリエステル樹脂が得られた。
b) Synthesis of polyester resin having iminosulfonate group Maleic anhydride 7 was placed in a separable flask having an internal volume of 1.
3.5 parts, adipic acid 110 parts, neopentyl glycol 295
1 part, xylene 14 parts and dibutyltin oxide 0.2 part
After the temperature was raised to 40 ° C and maintained for 1 hour, the internal temperature was raised to 200 ° C over 3 hours, and the reaction was continued until the acid value of the carboxylic acid reached 20. After the temperature was lowered to 80 ° C., 160 parts of xylene and 80 parts of ethylene glycol monobutyl ether were added, and 20 parts of styrene separately prepared and 140 parts of tetralone oxime p-styrene sulfonate obtained in the above a), t-butyl peroxy 9 parts of 2-ethylhexanoate and di-t-
A mixed solution of 4.5 parts of butyl peroxide was added dropwise and reacted at 140 ° C. for 3 hours to obtain a modified polyester resin having an imisulfonate group having a molecular weight of about 3200 and a solid content of 70.4%.

合成例2 a)アセトフェノンオキシム2−アクリルアミド−2−
メチルプロパンスルホネートの合成 合成例1a)におけるテロラロンオキシム96部をアセト
フェノンオキシム81部、p−スチレンスルホニルクロラ
イド120部を2−アクリルアミド−2−メチルプロパン
スルホニルクロライド140部にそれぞれ替えて合成例1
a)と同様の操作を行うことより、アセトフェノンオキ
シム2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホネ
ートが得られた。
Synthesis Example 2 a) Acetophenone oxime 2-acrylamide-2-
Synthesis of Methylpropanesulfonate Synthesis Example 1 in which Synthesis Example 1 a) was replaced with 96 parts of terolalone oxime and 81 parts of acetophenone oxime, and 120 parts of p-styrenesulfonyl chloride with 140 parts of 2-acrylamide-2-methylpropanesulfonyl chloride.
By performing the same operation as in a), acetophenone oxime 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonate was obtained.

b)イミノスルホネート基を有するポリエステル樹脂の
合成 内容積2のセパラブルフラスコに無水マレイン酸7
3.5部、アゼライン酸141部、水添ビスフェノールA240
部、1.6ヘキサンジオール118部、キシレン20部、ジブチ
ル錫オキシド0.部を加え140℃に昇温して1時間保った
後、3時間かけて200℃まで内温を上げ、カルボン酸の
酸価が30になるまで反応をつづけた。これを80℃まで下
げてからキシレン200部とエチレングリコールモノブチ
ルエーテル90部を加え、別に調製したスチレン20部と上
記a)で得られたアセトフェノオキシム2−アクリルア
ミド2−メチルプロパンスルホネート162部、t−ブチ
ルパーオキシ2−エチルヘキサノエート9部とジ−t−
ブチルパーオキシド4.5部の混合液を滴下し140℃で3時
間反応し分子量約3000、固形分70.0%のイミノスルホネ
ート基を有する変性ポリエステル樹脂が得られた。
b) Synthesis of polyester resin having iminosulfonate group Maleic anhydride 7 was placed in a separable flask having an internal volume of 2.
3.5 parts, azelaic acid 141 parts, hydrogenated bisphenol A240
Parts, 1.6 parts of hexanediol, 118 parts of xylene, and 20 parts of xylene, and 0.1 part of dibutyltin oxide. The mixture was heated to 140 ° C and maintained for 1 hour. Then, the internal temperature was raised to 200 ° C over 3 hours, and the acid value of the carboxylic acid was increased. The reaction continued until the number reached 30. After the temperature was lowered to 80 ° C., 200 parts of xylene and 90 parts of ethylene glycol monobutyl ether were added, and 20 parts of styrene prepared separately and 162 parts of acetophenoxime 2-acrylamide 2-methylpropane sulfonate obtained in the above a) were added. 9 parts of -butylperoxy 2-ethylhexanoate and di-t-
A mixture of 4.5 parts of butyl peroxide was added dropwise and reacted at 140 ° C. for 3 hours to obtain a modified polyester resin having an iminosulfonate group having a molecular weight of about 3000 and a solid content of 70.0%.

合成例3 b)イミノスルホネート基を有するエポキシ樹脂の合成 内容積1のセパラブルフラスコにエチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセート150部、エポキシ当量950
のビスフェノールAタイプのエポキシ樹脂285部を加え1
50℃で溶解させ温度を100℃に下げてから、メタクリル
酸26部、塩化テトラメチルアンモニウム3部、ハイドロ
キノン0.02部を加えて2時間反応した。温度を80℃に下
げ合成例5a)で得られたメチルエチルケトオキシムメタ
リルスルホネート67部、ジオキサン150部およびアゾビ
スイソブチロニトリル5部の混合液を2時間かけて滴下
した後、分子量約2200、固形分55.1%のイミノスルホネ
ート基を有するエポキシ樹脂が得られた。
Synthesis Example 3 b) Synthesis of epoxy resin having iminosulfonate group In a separable flask having an internal volume of 1, 150 parts of ethylene glycol monoethyl ether acetate, epoxy equivalent of 950
285 parts of bisphenol A type epoxy resin
After dissolving at 50 ° C. and lowering the temperature to 100 ° C., 26 parts of methacrylic acid, 3 parts of tetramethylammonium chloride and 0.02 part of hydroquinone were added and reacted for 2 hours. The temperature was lowered to 80 ° C., and a mixture of 67 parts of methyl ethyl ketoxime methallyl sulfonate obtained in Synthesis Example 5a), 150 parts of dioxane and 5 parts of azobisisobutyronitrile was added dropwise over 2 hours. An epoxy resin having a solid content of 55.1% and having iminosulfonate groups was obtained.

合成例4 b)イミノスルホネート基を有するエポキシ樹脂の合成 内容積1のセパラブルフラスコにエチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート200部、エポキシ当量1
900のビスフェノールAタイプのエポキシ樹脂380部を加
え150℃で溶解させ、温度を100℃に下げてから、メタク
リル酸18部、塩化テトラメチルアンモニウム3部、ハイ
ドロキノン0.02部を加えて2時間反応した。温度を80℃
に下げテトラロンオキシムp−スチレンスルホネート66
部、ジオキサン150部およびアゾビスイソブチロニトリ
ル5部の混合液を2時間かけて滴下した後、分子量約37
00、固形分56.4%のイミノスルホネート基を有するエポ
キシ樹脂がえられた。
Synthesis Example 4 b) Synthesis of epoxy resin having iminosulfonate group In a separable flask having an internal volume of 1, 200 parts of ethylene glycol monoethyl ether acetate, an epoxy equivalent of 1
380 parts of bisphenol A type epoxy resin 900 were added and dissolved at 150 ° C., the temperature was lowered to 100 ° C., and 18 parts of methacrylic acid, 3 parts of tetramethylammonium chloride and 0.02 part of hydroquinone were added and reacted for 2 hours. 80 ℃
Tetralone oxime p-styrene sulfonate 66
, A mixture of 150 parts of dioxane and 5 parts of azobisisobutyronitrile was added dropwise over 2 hours.
An epoxy resin having an iminosulfonate group having a solid content of 56.4% was obtained.

合成例5 b)イミノスルホネート基を有するエポキシ樹脂の合成 内容積1のセパラブルフラスコにエチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート180部、エポキシ当量9
50のビスフェノールAタイプのエポキシ樹脂285部を加
え150℃で溶解させ、温度を100℃に下げてから、アクリ
ル酸22部、塩化テトラメチルアンモニウム3部、メトキ
ノン0.02部を加えて2時間反応した。温度を80℃に下げ
合成例2a)で得られたアセトフェノオキシム2−アクリ
ルアミド−2−メチルプロパンスルホネート97部、ジオ
キサン140部およびアゾビスイソブチロニトリル5部の
混合液を2時間かけて滴下した後、分子量約2000、固形
分55.2%のイミスルホネート基を有するエポキシ樹脂が
得られた。
Synthesis Example 5 b) Synthesis of epoxy resin having iminosulfonate group In a separable flask having an internal volume of 1, 180 parts of ethylene glycol monoethyl ether acetate, epoxy equivalent of 9
50 bisphenol A type epoxy resin (285 parts) was added and dissolved at 150 ° C., the temperature was lowered to 100 ° C., and acrylic acid (22 parts), tetramethylammonium chloride (3 parts) and methoquinone (0.02 part) were added and reacted for 2 hours. The temperature was lowered to 80 ° C., and a mixture of 97 parts of acetophenoxime 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonate obtained in Synthesis Example 2a), 140 parts of dioxane and 5 parts of azobisisobutyronitrile was added dropwise over 2 hours. After that, an epoxy resin having a molecular weight of about 2000 and a solid content of 55.2% and having imisulfonate groups was obtained.

合成例6 b)イミノスルホネート基を有するポリブタジエン樹脂
の合成 内容積1のセパラブルフラスコに出光ポリブタジン
エンR−45EPT(出光石油化学社製、エポキシ化ポリブ
タジエン)435部、エチレングリコールモノメチルエー
テルアセテート150部を加え100℃で溶解させ、アクリル
酸22部、塩化テロラメチルアンモニウム3部、ハイドロ
キノン0.02部を加えて2時間反応した。温度を80℃に下
げクルオレノンオキシムp−スチレンスルホネート120
部、ジオキサン150部およびアゾビスイソブチロニトリ
ル5部の混合液を2時間かけて滴下した後、分子量約40
00固形分65.2%のイミノスルホネート基を有するポリブ
タジエン樹脂が得られた 合成例7 b)イミノスルホネート基を有するポリブタジエン樹脂
の合成 内容積1のセパラブルフラスコに出光ポリブタジエ
ンR−45EPT(出光石油化学社製、エポキシ化ポリブタ
ジエン)290部、エチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート150部を加え100℃で溶解させ、メタクリル
酸17部塩化テトラメチルアンモニウム2部、ハイドロキ
ノン0.02部を加えて2時間反応した。温度を80℃に下げ
ベンゾフェノンオキシムp−スチレンスルホネート73
部、ジオキサン150部およびアゾビスイソブチロニトリ
ル4部の混合液を2時間かけて滴下した後、分子量約36
00固形分55.4%のイミノスルホネート基を有するポリブ
タジエン樹脂が得られた。
Synthesis Example 6 b) Synthesis of polybutadiene resin having iminosulfonate group To a separable flask having an internal volume of 1, 435 parts of Idemitsu polybutadiene R-45EPT (epoxidized polybutadiene manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.) and 150 parts of ethylene glycol monomethyl ether acetate were added. The mixture was dissolved at 100 ° C., and 22 parts of acrylic acid, 3 parts of teramethylammonium chloride, and 0.02 part of hydroquinone were added and reacted for 2 hours. The temperature was lowered to 80 ° C and the chlorenone oxime p-styrene sulfonate 120
, 150 parts of dioxane and 5 parts of azobisisobutyronitrile were added dropwise over 2 hours, and then a molecular weight of about 40 parts was obtained.
A polybutadiene resin having an iminosulfonate group having a solid content of 65.2% was obtained. Synthesis Example 7 b) Synthesis of a polybutadiene resin having an iminosulfonate group Idemitsu polybutadiene R-45EPT (manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.) , 290 parts of epoxidized polybutadiene) and 150 parts of ethylene glycol monoethyl ether acetate were added and dissolved at 100 ° C, and 17 parts of methacrylic acid, 2 parts of tetramethylammonium chloride, and 0.02 parts of hydroquinone were added and reacted for 2 hours. The temperature was lowered to 80 ° C. and benzophenone oxime p-styrene sulfonate 73 was used.
, A mixture of 150 parts of dioxane and 4 parts of azobisisobutyronitrile was added dropwise over 2 hours, and then a molecular weight of about 36 was obtained.
A polybutadiene resin having an iminosulfonate group having a solid content of 55.4% was obtained.

実施例1 合成例1b)で得られたイミノスルホネート基を有する
変性ポリエステル樹脂40部をエチレングリコールモノエ
チルエーテル40部とメチルエチルケトン40部の混合溶媒
に溶解し、孔径0.2μmのミリポアフィルターで濾過し
て感光液を調製した。このようにして調製した感光液を
スピンナーを使用してシリコン酸化膜ウエハー上に塗布
した後、80℃出10分オーブン中で乾燥し、膜厚1.3μm
の塗膜を得た。
Example 1 40 parts of the modified polyester resin having an iminosulfonate group obtained in Synthesis Example 1b) was dissolved in a mixed solvent of 40 parts of ethylene glycol monoethyl ether and 40 parts of methyl ethyl ketone, and the solution was filtered through a Millipore filter having a pore size of 0.2 μm. A photosensitive solution was prepared. The photosensitive solution thus prepared was applied on a silicon oxide film wafer using a spinner, and then dried in an oven at 80 ° C. for 10 minutes to form a film having a thickness of 1.3 μm.
Was obtained.

この感光層にラインアンドスペースパターンを密着
し、254nmでの光強度が約10mW/cm2である低圧水銀ラン
プを60秒間照射し、2%テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液で25℃、60秒間現像したところ、電子顕
微鏡による観察によって0.8μmのラインアンドスペー
スまで解像され、またレジストの剥離、割れは認められ
なかった。またこの感光液の3ケ月経時後の評価を行っ
たところ、上記と同様の結果が得られた。
A line-and-space pattern was adhered to the photosensitive layer, irradiated with a low-pressure mercury lamp having a light intensity of about 10 mW / cm 2 at 254 nm for 60 seconds, and developed with a 2% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 60 seconds. However, by observation with an electron microscope, it was resolved to a line and space of 0.8 μm, and no peeling or cracking of the resist was observed. When the photosensitive solution was evaluated for three months, the same results as above were obtained.

実施例2 合成例2b)で得られたイミノスルホネート基を有する
変性ポリエステル樹脂40部をエチレングリコールモノエ
チルエーテル40部とメチルエチルケトン40部の混合溶媒
に溶解し、孔径0.2μmのミリポアフィルターで濾過し
て感光液を調製した。このようにして調製した感光液を
スピンナーを使用してシリコン酸化膜ウエハー上に塗布
した後、80℃で10分オーブン中で乾燥し、膜厚1.3μm
の塗膜を得た。
Example 2 40 parts of the modified polyester resin having an iminosulfonate group obtained in Synthesis Example 2b) was dissolved in a mixed solvent of 40 parts of ethylene glycol monoethyl ether and 40 parts of methyl ethyl ketone, and the solution was filtered through a Millipore filter having a pore size of 0.2 μm. A photosensitive solution was prepared. The photosensitive solution thus prepared was applied on a silicon oxide film wafer using a spinner, and then dried in an oven at 80 ° C. for 10 minutes to form a film having a thickness of 1.3 μm.
Was obtained.

この感光層にラインアンドスペースパターンを密着し
254nmでの光強度が約10mW/cm2である低圧水銀ランプを6
0秒照射し、2%テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で25℃、60秒間現像したところ、電子顕微鏡に
よる観察によって0.9μmのラインアンドスペースまで
現像され、またレズトの剥離、割れは認められなかっ
た。またこの感光液の3ケ月経時後の評価を行ったとこ
ろ、上記と同様の結果が得られた。
Adhere a line and space pattern to this photosensitive layer
The low-pressure mercury lamp light intensity at 254nm is about 10 mW / cm 2 6
Irradiation for 0 second and development with a 2% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 60 seconds revealed that the film was developed to a line and space of 0.9 μm by observation with an electron microscope, and that no peeling or cracking of the lens was observed. When the photosensitive solution was evaluated for three months, the same results as above were obtained.

実施例3 合成例3b)で得られたイミノスルホネート基を有するエ
ポキシ樹脂40部をエチレングリコールモノエチルエーテ
ル24部とメチレエチルケトン24部の混合溶媒に溶解し、
孔径0.2μmのミリポアフィルターで濾過して感光液を
調製したこのようにして調製した感光液をスピンナーを
使用してシリコン酸化膜ウエハー中に塗布した後、80℃
で10分オーブン中で乾燥し、膜厚1.2μmの塗膜を得
た。
Example 3 40 parts of the epoxy resin having an iminosulfonate group obtained in Synthesis Example 3b) was dissolved in a mixed solvent of 24 parts of ethylene glycol monoethyl ether and 24 parts of methyl ethyl ketone,
A photosensitive solution was prepared by filtration through a millipore filter having a pore size of 0.2 μm. The photosensitive solution thus prepared was applied to a silicon oxide film wafer using a spinner, and then heated to 80 ° C.
And dried in an oven for 10 minutes to obtain a coating film having a thickness of 1.2 μm.

この感光層にラインアンドスペースパターンを密着し
254nmでの光強度が約10mW/cm2である低圧水銀ランプを1
00秒間照射し、2%テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で25℃、60秒間現像したところ、電子顕微鏡
による観察によって0.6μmのラインアドスペースまで
解像され、またレジストの剥離、割れは認められなかっ
た。またこの感光液の3ケ月経時後の評価を行ったとこ
ろ、上記と同様の結果が得られた。
Adhere a line and space pattern to this photosensitive layer
1 low-pressure mercury lamp light intensity at 254nm is about 10 mW / cm 2
Irradiation for 00 seconds and development with a 2% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 60 seconds, the image was resolved to 0.6 μm line ad space by observation with an electron microscope, and no peeling or cracking of the resist was observed. . When the photosensitive solution was evaluated for three months, the same results as above were obtained.

実施例4 合成例4b)で得られたイミノスルホネート基を有する
エポキシ樹脂40部をエチレングリコールモノエチルエー
テル24部とメチルエチルケトン24部の混合溶媒に溶解
し、孔径0.2μmのミリポアフィルターで濾過して感光
液を調製した。このようにして調製した感光液をスピン
ナーを使用してシリコン酸化膜ウエハー上に塗布した
後、80℃で10分オーブン中で乾燥し、膜厚1.2μmの塗
膜を得た。
Example 4 40 parts of the epoxy resin having an iminosulfonate group obtained in Synthesis Example 4b) was dissolved in a mixed solvent of 24 parts of ethylene glycol monoethyl ether and 24 parts of methyl ethyl ketone, and the solution was filtered through a Millipore filter having a pore diameter of 0.2 μm and exposed to light. A liquid was prepared. The thus prepared photosensitive solution was applied on a silicon oxide film wafer using a spinner, and then dried in an oven at 80 ° C. for 10 minutes to obtain a coating film having a thickness of 1.2 μm.

この感光層にラインアンドスペースパターンを密着し
254nmでの光強度が約10mW/cm2である低圧水銀ランプを6
0秒間照射し、2%テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で25℃、60秒間現像したところ、電子顕微鏡
による観察によって0.8μmのラインアンドスペースま
で解像され、またレジストの剥離、割れは認められなか
った。またこの感光液の3ケ月経時後の評価を行ったと
ころ、上記と同様の結果が得られた。
Adhere a line and space pattern to this photosensitive layer
The low-pressure mercury lamp light intensity at 254nm is about 10 mW / cm 2 6
Irradiation for 0 second, and development with a 2% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 60 seconds, the image was resolved to 0.8 μm line and space by observation with an electron microscope, and no peeling or cracking of the resist was observed. . When the photosensitive solution was evaluated for three months, the same results as above were obtained.

実施例5 合成例5b)で得られたイミノスルホネート基を有する
エポキシ樹脂40部をエチレングリコールモノエチルエー
テル24部とメチルエチルケトン24部の混合溶媒に溶解
し、孔径0.2μmのミリポアフィルターで濾過して感光
液を調製した。このようにして調製した感光液をスピン
ナーを使用してシリコン酸化膜ウエハー上に塗布した
後、80℃で10分オーブン中で乾燥し、膜厚1.3μmの塗
膜を得た。
Example 5 40 parts of the epoxy resin having an iminosulfonate group obtained in Synthesis Example 5b) was dissolved in a mixed solvent of 24 parts of ethylene glycol monoethyl ether and 24 parts of methyl ethyl ketone, and the solution was filtered through a 0.2 μm pore diameter Millipore filter and exposed. A liquid was prepared. The photosensitive solution thus prepared was applied on a silicon oxide film wafer using a spinner, and then dried in an oven at 80 ° C. for 10 minutes to obtain a film having a thickness of 1.3 μm.

この感光層にラインアンドスペースパターンを密着し
254nmでの光強度が約10mW/cm2である低圧水銀ランプを6
0秒間照射し、2%テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で25℃、60秒間現像したところ、電子顕微鏡
による観察によって0.8μmのラインアンドスペースま
で解像され、またレジストの剥離、割れは認められなか
った。またこの感光液の3ケ月経時後の評価を行ったと
ころ、上記と同様の結果が得られた。
Adhere a line and space pattern to this photosensitive layer
The low-pressure mercury lamp light intensity at 254nm is about 10 mW / cm 2 6
Irradiation for 0 second, and development with a 2% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 60 seconds, the image was resolved to 0.8 μm line and space by observation with an electron microscope, and no peeling or cracking of the resist was observed. . When the photosensitive solution was evaluated for three months, the same results as above were obtained.

実施例6 合成例6b)で得られたイミノスルホネート基を有する
ポリブジエン樹脂40部をエチレングリコールモノエチル
エーテル32部とメチルエチルケトン32部の混合溶媒に溶
解し、孔径0.2μmのミリポアフィルターで濾過して感
光液を調製した。このようにして調製した感光液をスピ
ンナーを使用してシリコン酸化膜ウエハー上に塗布した
後、80℃で10分オーブン中で乾燥し、膜厚1.3μmの塗
膜を得た。
Example 6 40 parts of the polybutadiene resin having an iminosulfonate group obtained in Synthesis Example 6b) were dissolved in a mixed solvent of 32 parts of ethylene glycol monoethyl ether and 32 parts of methyl ethyl ketone, and the solution was filtered through a Millipore filter having a pore size of 0.2 μm and exposed to light. A liquid was prepared. The photosensitive solution thus prepared was applied on a silicon oxide film wafer using a spinner, and then dried in an oven at 80 ° C. for 10 minutes to obtain a film having a thickness of 1.3 μm.

この感光層にラインアンドスペースパターンを密着
し、365nmの光強度が約5mW/cm2である高圧水銀ランプを
40秒間照射し、2%テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で25℃、60秒間現像したところ、電子顕微鏡
による観察によって0.8μmのラインアンドスペースま
で解像され、またレジストの剥離、割れは認められなか
った。またこの感光液の3ケ月経時後の評価を行ったと
ころ、上記と同様の結果が得られた。
A line-and-space pattern is adhered to this photosensitive layer, and a high-pressure mercury lamp with a 365 nm light intensity of about 5 mW / cm 2 is used.
Irradiation for 40 seconds and development with a 2% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 60 seconds resulted in resolution to 0.8 μm line and space by observation with an electron microscope, and no peeling or cracking of the resist was observed. . When the photosensitive solution was evaluated for three months, the same results as above were obtained.

実施例7 合成例7b)で得られたイミノスルホネート基を有する
ポリブタジエン樹脂40部をエチレングリコールモノエチ
ルエーテル24部とメチルエチルケトン24部の混合溶媒に
溶解し、孔径0.2μmのミリポアフィルターで濾過して
感光液を調製した。このようにして調製した感光液をス
ピンナーを使用してシリコン酸化膜ウエハー上に塗布し
た後、80℃で10分オーブン中で乾燥し、膜厚1.3μmの
塗膜を得た。
Example 7 40 parts of the polybutadiene resin having an iminosulfonate group obtained in Synthesis Example 7b) was dissolved in a mixed solvent of 24 parts of ethylene glycol monoethyl ether and 24 parts of methyl ethyl ketone, and the solution was filtered through a Millipore filter having a pore size of 0.2 μm and exposed to light. A liquid was prepared. The photosensitive solution thus prepared was applied on a silicon oxide film wafer using a spinner, and then dried in an oven at 80 ° C. for 10 minutes to obtain a film having a thickness of 1.3 μm.

この感光層にラインアンドスペースパターンを密着
し、254nmでの光強度が約10mW/cm2である高圧水銀ラン
プを60秒間照射し、2%テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液で25℃、60秒間現像したところ、電子顕
微鏡による観察によって0.9μmのラインアンドスペー
スまで解像され、またレジストの剥離、割れは認められ
なかった。またこの感光液の3ケ月経時後の評価を行っ
たところ、上記と同様と結果が得られた。
A line-and-space pattern was adhered to the photosensitive layer, irradiated with a high-pressure mercury lamp having a light intensity at 254 nm of about 10 mW / cm 2 for 60 seconds, and developed with a 2% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 60 seconds. However, by observation with an electron microscope, it was resolved to a line and space of 0.9 μm, and no peeling or cracking of the resist was observed. When the photosensitive solution was evaluated after lapse of three months, the same results as above were obtained.

フロントページの続き (72)発明者 石川 勝清 大阪府寝屋川市池田中町19番17号 日本 ペイント株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−251652(JP,A) 特開 平1−124848(JP,A)Continuation of the front page (72) Inventor Katsumi Ishikawa 19-17 Ikedanakamachi, Neyagawa-shi, Osaka Japan Paint Co., Ltd. (56) References JP-A-61-251652 (JP, A) JP-A-1-124848 (JP) , A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】側鎖中あるいは主鎖末端に、少なくとも1
つの 式 (式中R1およびR2は夫々同一または異なる基で、水素、
アルキル、アシル、フェニル基、ナフチル基、アントリ
ル基またはベンジル基を表し、あるいはR1とR2が共同で
脂環族環を形成することができる) で表されるイミノスルホネート基を有し、分子中のイミ
ノスルホネート基含量が1.5X10-4〜2.5X10-3当量/gの範
囲内にあり、該イミノスルホネート基の光分解で生じる
スルホン酸の作用で重合を引き起こすような官能基を含
まない、数平均分子量が700〜5000の範囲内の、ポリエ
ステル樹脂、エポキシ樹脂およびエポキシ化ポリブタジ
エン樹脂からなる群より選ばれる気体樹脂からなるポジ
型感光性樹脂組成物。
1. The method according to claim 1, wherein at least one
Two expressions (Wherein R 1 and R 2 are the same or different groups and each represents hydrogen,
An alkyl, acyl, phenyl, naphthyl, anthryl or benzyl group, or R 1 and R 2 can form an alicyclic ring together) The iminosulfonate group content in the range of 1.5 X 10 -4 ~ 2.5 X 10 -3 equivalents / g, does not contain a functional group that causes polymerization by the action of sulfonic acid generated by photolysis of the imino sulfonate group, A positive photosensitive resin composition comprising a gas resin selected from the group consisting of a polyester resin, an epoxy resin, and an epoxidized polybutadiene resin having a number average molecular weight in the range of 700 to 5,000.
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