JP2586496B2 - Optical pickup - Google Patents
Optical pickupInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described in the following order.
A.産業上の利用分野 B.発明の概要 C.背景技術［第４図］ D.発明が解決しようとする問題点［第５図］ E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例［第１図乃至第３図］ H.発明の効果 （A.産業上の利用分野） 本発明は光ピックアップ、特に半導体基板の信号光検
知用フォトデテクタ形成領域近傍に半導体レーザが固定
され、上記信号光検知用フォトデテクタ形成領域上に上
記半導体レーザからのレーザ光を傾斜面にて記録媒体側
へ反射し傾斜面に戻った戻り光を信号光検知用フォトデ
テクタへ導びくプリズムが固定された光ピックアップに
関する。A. Industrial application fields B. Summary of the invention C. Background art [Fig. 4] D. Problems to be solved by the invention [Fig. 5] E. Means for solving problems F. Action G Embodiments (FIGS. 1 to 3) H. Effects of the Invention (A. Industrial Application Field) The present invention fixes an optical pickup, particularly a semiconductor laser in the vicinity of a signal detector detecting signal detector area of a semiconductor substrate. A prism that reflects the laser light from the semiconductor laser toward the recording medium on the inclined surface toward the recording medium side and guides the return light returning to the inclined surface to the signal light detecting photodetector on the signal light detection photodetector formation region. Related to fixed optical pickup.
（B.発明の概要） 本発明は、上記の光ピックアップにおいて、 半導体レーザから出射され傾斜面にて反射されること
なくプリズム内に入ったレーザ光が迷光として信号光検
知用フォトデテクタに入射してしまうことを防止するた
め、 半導体レーザのレーザ光出射方向を上側から見てプリ
ズムの傾斜面に対して斜めにし、戻り光を受ける信号光
検知用フォトデテクタをレーザ光出射方向から逸れたと
ころに位置させるもである。(B. Summary of the Invention) In the optical pickup described above, the laser light emitted from the semiconductor laser and entering the prism without being reflected on the inclined surface enters the signal light detection photodetector as stray light. In order to prevent this, the laser beam emission direction of the semiconductor laser is inclined with respect to the inclined surface of the prism when viewed from above, and the signal light detection photodetector that receives the return light deviates from the laser beam emission direction. It is also located.
（C.背景技術）［第４図］ 光ピックアップは式記録媒体に対して情報の記録や再
生を光学的に行うものである。そして、従来の光ピック
アップは一般にレーザからのレーザ光を対物レンズによ
り光学式記録媒体（例えばコンパクトディスク、ビデオ
ディスク等）の表面上に集束し、その光学式記録媒体か
らの戻り光をビームスプリッタにより受光装置側に反射
し、受光装置によりその戻り光を検出するようになって
いた。(C. Background Art) [FIG. 4] An optical pickup optically records and reproduces information on and from a recording medium. In general, a conventional optical pickup focuses laser light from a laser on the surface of an optical recording medium (for example, a compact disk, a video disk, or the like) using an objective lens, and returns light from the optical recording medium using a beam splitter. The light is reflected toward the light receiving device, and the return light is detected by the light receiving device.
しかし、光ピックアップの小型化、構造の簡単化の要
請に応えるべく半導体レーザと受光素子とを近接して配
置し、半導体レーザから出射されたレーザビームを受光
素子形成面にて光学式記録媒体側に反射し、光学式記録
媒体からの戻り光を受光素子にて検出して信号の読み取
りを行うことが研究され、その成果の１つが実開昭61−
158970号公報により紹介されている。However, in order to meet the demand for miniaturization and simplification of the structure of the optical pickup, the semiconductor laser and the light receiving element are arranged close to each other, and the laser beam emitted from the semiconductor laser is irradiated on the optical recording medium side at the light receiving element forming surface. It has been studied to read the signal by detecting the return light from the optical recording medium with the light receiving element, and one of the results is one of the results.
No. 158970.
そして、本願出願人会社においては上記公報に記載さ
れた技術を更に発展させたものとして一部領域に受光素
子が形成された半導体基板の受光素子が形成されていな
い領域上に半導体レーザを固着すると共に半導体基板の
受光素子形成領域上にプリズムを固着した装置を開発
し、それを特願昭61−38576、特願昭61−38575、特願昭
61−126318により提案した。In the company of the present applicant, as a further development of the technology described in the above publication, a semiconductor laser is fixed on a region where a light receiving element is not formed on a semiconductor substrate having a light receiving element formed on a partial region. At the same time, we developed a device in which a prism is fixed on the light receiving element forming area of the semiconductor substrate, and applied it to Japanese Patent Application Nos. 61-38576, 61-38575 and 61-38575.
61-126318.
第４図はそのような技術を説明するためのものであ
る。FIG. 4 illustrates such a technique.
図面において、ａは光ピックアップで、シリコン半導
体基板ｂに錫半田等によってレーザダイオードｃを固定
すると共に該半導体基板ｂに光検出器ｄ、ｅ、ｆを形成
し、断面台形のプリズムｇを接着剤ｉによって光検出器
ｄ、ｅ上に固定したものである。In the drawing, reference numeral a denotes an optical pickup which fixes a laser diode c on a silicon semiconductor substrate b by tin solder or the like, forms photodetectors d, e, and f on the semiconductor substrate b, and attaches a prism g having a trapezoidal cross section to an adhesive. It is fixed on the photodetectors d and e by i.
光検出器ｄ、ｅは、それぞれ一定の方向に並べられた
３個の光検出部d1〜d3、e1〜e3を有し、トラッキングエ
ラー検出、フォーカスエラー検出及び記録された信号の
読取りを行う。また、光検出器ｆはレーザダイオードｂ
の自動出力制御をするためのモニターとして用いられ
る。Each of the photodetectors d and e has three photodetectors d1 to d3 and e1 to e3 arranged in a predetermined direction, and performs tracking error detection, focus error detection, and reading of a recorded signal. The photodetector f is a laser diode b
It is used as a monitor for automatic output control.
このような半導体レーザ装置では、レーザダイオード
ｃから出射されたレーザビームｈの一部がプリズムｇの
傾斜面ｉで反射され、図示しない対物レンズを透過して
コンパクトディスク等の光学式記録媒体に照射され、そ
こで反射される。反射されたレーザビームｈは上記対物
レンズを通ってしてプリズムｇの傾斜面ｉに戻り、傾斜
面ｉに戻った戻り光の一部が傾斜面ｉを通過してプリズ
ムｇ内に入射する。そして、そのプリズムｇ内に入射し
た戻り光は一部がフォトデテクタｄによって受光され、
残りはフォトデテクタｄ表面にて反射される。この反射
された光はプリズムｇの上面にて内面反射されてフォト
デテクタｅによって受光される。尚、この光ピックアッ
プによるフォーカシングエラー検出及びトラッキンクエ
ラー検出の原理は前記出願の明細書及び図面によって詳
細に説明されている。In such a semiconductor laser device, a part of the laser beam h emitted from the laser diode c is reflected by the inclined surface i of the prism g, passes through an objective lens (not shown), and irradiates an optical recording medium such as a compact disk. And reflected there. The reflected laser beam h passes through the objective lens and returns to the inclined surface i of the prism g, and a part of the return light returning to the inclined surface i passes through the inclined surface i and enters the prism g. Then, a part of the return light that has entered the prism g is received by the photodetector d,
The rest is reflected on the surface of the photodetector d. The reflected light is internally reflected by the upper surface of the prism g and received by the photodetector e. The principle of focusing error detection and tracking error detection by the optical pickup is described in detail in the specification and the drawings of the above-mentioned application.
このような光ピックアップによれば非常に小型で部品
数が少く、比較的組立が容易になる。従って、第４図に
示す構造の光ピックアップはコンパクトディスクプレイ
ヤー等の低価格化、小型化に貢献することが期待でき
る。According to such an optical pickup, it is very small, has a small number of parts, and is relatively easy to assemble. Therefore, the optical pickup having the structure shown in FIG. 4 can be expected to contribute to a reduction in the cost and size of a compact disk player or the like.
（D.発明が解決しようとする問題点）［第５図］ ところで、第４図に示す光ピックアップａにはレーザ
ダイオードｃから出射され傾斜面ｉを反射することなく
してプリズムｇ内に入射したレーザ光が迷光としてフォ
トデテクタｄ、ｅに入射してしまうという問題があっ
た。第５図はその問題点を示す断面図であり、梨地で示
す部分がレーザダイオードｃから出射され傾斜面ｉで反
射されることなくプリズムｇ内に入射したレーザ光を示
す。そして、このレーザ光がフォトデテクタｄ、ｅに入
射されると信号光に対するオフセットとなる。(D. Problems to be Solved by the Invention) [FIG. 5] Meanwhile, the optical pickup a shown in FIG. 4 is emitted from the laser diode c and enters the prism g without reflecting the inclined surface i. There is a problem that the laser light enters the photodetectors d and e as stray light. FIG. 5 is a cross-sectional view showing the problem, showing a laser beam emitted from the laser diode c and incident on the prism g without being reflected by the inclined surface i. Then, when this laser light is incident on the photodetectors d and e, it becomes an offset with respect to the signal light.
即ち、半導体レーザｃからプリズムｇの傾斜面ｉへ出
射されたレーザ光はそのすべてがその傾斜面によって反
射されるわけではなく、一部のレーザ光は傾斜面ｉを通
過してプリズムｇ内に入射してしまう。そして、本来デ
ィスクの記録内容を反映する戻り光のみ検知すべきであ
るフォトデテクタd,eにその傾斜面ｉで反射されずプリ
ズムｇ内に入射した光が入ると必然的にそれがオフセッ
トとなり、正常な動作を妨げる要因となる。従って、オ
フセット成分を補償する複雑な演算回路が必要となり、
高価格の要因となる。That is, not all of the laser light emitted from the semiconductor laser c to the inclined surface i of the prism g is reflected by the inclined surface, and some of the laser light passes through the inclined surface i and enters the prism g. Will be incident. Then, when light that is not reflected by the inclined surface i and enters the prism g enters the photodetectors d and e, which should originally detect only the return light reflecting the recorded contents of the disk, it inevitably becomes an offset, It becomes a factor that hinders normal operation. Therefore, a complicated arithmetic circuit for compensating the offset component is required,
It becomes a factor of high price.
そこで、本発明は半導体レーザから出射された傾斜面
にて反射されることなくプリズム内に入ったが迷光とし
て信号光検知用フォトデテクタに入射してしまうことを
防止することを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to prevent the light entering the prism without being reflected by the inclined surface emitted from the semiconductor laser, but entering the signal light detecting photodetector as stray light.
（E.問題点を解決するための手段） 本発明光ピックアップは上記問題点を解決するため、
半導体レーザの出射方向を上側から見てプリズムの傾斜
面に対して斜めにし、戻り光を受ける信号光検知用フォ
トデテクタを出射方向から逸れたところに位置させるこ
とを特徴とする。(E. Means for Solving the Problems) The optical pickup of the present invention solves the above problems,
The emission direction of the semiconductor laser is inclined with respect to the inclined surface of the prism when viewed from above, and the signal light detecting photodetector for receiving the return light is positioned away from the emission direction.
（F.作用） 本発明光ピックアップによれば、信号光検知用フォト
デテクタがレーザ光出射方向から逸れているのでレーザ
光が傾斜面で反射されることなくプリズム内に入射して
もそのレーザ光は信号光検知用フォトデテクタに入射す
ることはない。従って、信号光検知用フォトデテクタに
は戻り光のみが入射されるようにすることができ、迷光
によるオフセットをなくすことができる。(F. Function) According to the optical pickup of the present invention, since the signal light detecting photodetector is deviated from the laser light emitting direction, even if the laser light enters the prism without being reflected by the inclined surface, the laser light is Does not enter the signal light detecting photodetector. Therefore, only the return light can enter the signal light detecting photodetector, and the offset due to stray light can be eliminated.
（G.実施例）［第１図乃至第３図］ 以下、本発明光ピックアップを図示実施例に従って詳
細に説明する。(G. Embodiment) [FIGS. 1 to 3] Hereinafter, an optical pickup of the present invention will be described in detail with reference to illustrated embodiments.
第１図及び第２図は本発明を普通の光ディスク用光ピ
ックアップに適用した一つの実施例を示すもので、第１
図は斜視図、第２図は平面図である。FIGS. 1 and 2 show one embodiment in which the present invention is applied to an ordinary optical pickup for an optical disk.
The figure is a perspective view, and FIG. 2 is a plan view.
図面において、１は半導体基板、21、22は該半導体基
板１の表面部に形成された信号光検知用フォトデテク
タ、３は半導体基板１の表面部に形成されたAPC用フォ
トデテクタ、４は半導体基板１の表面上にボンディング
された半導体レーザ、５は上記信号光検知用フォトデテ
クタ21、及び22が形成された領域上に固着されたプリズ
ム、６は該プリズム５の傾斜面である。In the drawings, 1 denotes a semiconductor substrate, 2 1, 2 2 photodetector signal light detected formed on the surface portion of the semiconductor substrate 1, APC for photodetector formed in the surface portion of the semiconductor substrate 1 is 3, 4 a semiconductor laser which is bonded on the surface of the semiconductor substrate 1, 5 is the signal light detecting photodetector 2 1, and 2 2 are fixed on which is formed a region prism, 6 in the inclined surface of the prism 5 is there.
上記半導体レーザ４はそれから出射されるレーザ光の
光軸が上側から見てプリズム５の傾斜面６に対して斜め
になるように半導体基板１に固着されている。従って、
半導体レーザ４から出射されたレーザ光は傾斜面６によ
って上側から見て入射角度と等しい出射角度で、即ち斜
めに反射されて図示しない光ディスクへ向う。The semiconductor laser 4 is fixed to the semiconductor substrate 1 such that the optical axis of the laser beam emitted from the semiconductor laser 4 is oblique to the inclined surface 6 of the prism 5 when viewed from above. Therefore,
The laser light emitted from the semiconductor laser 4 is reflected by the inclined surface 6 at an emission angle equal to the incident angle when viewed from above, that is, is reflected obliquely toward an optical disk (not shown).
そして、光ディスクで反射された戻り光は上側から見
て傾斜面６に対して斜めに入射してプリズム５内に入る
が、上記フォトデテクタ21、22の平面的位置はそのプリ
ズム５内に入射する戻り光を有効に受光し得るようにや
はり傾斜面６に対して斜めに設定されており、半導体基
板１を上側から見た信号光検知用フォトデテクタ21、22
の位置は半導体レーザ４から出射されたレーザ光の光軸
の延長線（それは迷光の光軸と一致する）から逸れてい
る。Then, the return light reflected by the optical disk is entering the prism 5 with obliquely incident on the inclined surface 6 when viewed from above, the planar placement of the photodetector 2 1, 2 2 to the prism 5 is set obliquely to still inclined surface 6 so as to effectively receiving the return light entering the photo detector signal light detection viewed semiconductor substrate 1 from the upper side 2 1, 2 2
Is deviated from the extension of the optical axis of the laser light emitted from the semiconductor laser 4 (which coincides with the optical axis of the stray light).
従って、本光ピックアップにおいては、レーザ光４か
ら出射された傾斜面６によって反射されることなくプリ
ズム５内に入射した迷光は上側から見て信号光検知用フ
ォトデテクタ21、22の存在をしないところを通り、信号
光検知用フォトデテクタ21、22にはほとんど受光されな
い。依って、信号光検知用フォトデテクタ21、22には光
ディスクで反射された戻り光のみが入射するので迷光に
よるオフセットが生じない。Thus, in this optical pickup, the presence of stray light that enters the prism 5 photodetector 2 1 signal light detected when viewed from above, 2 2 without being reflected by the inclined surface 6, which is emitted from the laser beam 4 as a place where no signal light detection photodetector 2 1, 2 2 hardly received the. Depending, the offset due to stray light does not occur since the signal light detection photodetector 2 1, only two 2 return light reflected by the optical disk to the incident.
第３図は本発明を光磁気ディスク用の光ピックアップ
に適用した実施例を示すものである。本光ピックアップ
においては半導体レーザ４の出力をモニターするフォト
デテタ３がプリズム５越しの迷光を受光することによっ
て半導体レーザ４の出力をモニターするようになってい
る。また、このプリズム５は全く別のプリズム素子5a及
び5bを互いに一つの面にて接着してなるものであり、そ
して、その互いに接着された面の一方には偏光分離多層
膜８が形成されている。FIG. 3 shows an embodiment in which the present invention is applied to an optical pickup for a magneto-optical disk. In the present optical pickup, the photodetector 3 for monitoring the output of the semiconductor laser 4 monitors the output of the semiconductor laser 4 by receiving stray light passing through the prism 5. The prism 5 is formed by bonding completely different prism elements 5a and 5b to each other on one surface, and a polarization separation multilayer film 8 is formed on one of the surfaces bonded to each other. I have.
この光磁気ディスク用の光ピックアップにおいても、
半導体レーザ４はそれから出力されたレーザ光軸がプリ
ズム５の傾斜面６に対して半導体基板１を上側から見て
斜めに入射するようにされており、傾斜面６に入射した
レーザ光は一部が傾斜面６を通過してプリズム５内に入
り迷光となるが、この迷光はAPC用フォトデテクタ３に
よって受光される。In this optical pickup for a magneto-optical disk,
The semiconductor laser 4 is configured such that the laser optical axis output from the semiconductor laser 4 is obliquely incident on the inclined surface 6 of the prism 5 when the semiconductor substrate 1 is viewed from above, and the laser light incident on the inclined surface 6 is partially Pass through the inclined surface 6 and enter the prism 5 to become stray light, which is received by the APC photodetector 3.
傾斜面６に入射したレーザ光の残りは傾斜面６で反射
され、図示しない光磁気ディスクに向って進む。そし
て、光磁気ディスクからの戻り光が傾斜面６に達してプ
リズム５の素子5bに入り偏光分離多層膜８に達する。こ
の偏光分離多層膜８に達したレーザ光はその一部が反射
されて半導体基板１表面部に形成された信号光検知用フ
ォトデテクス７によって受光される。換言すれば偏光分
離多層膜８で反射されたレーザ光を受光できる位置に信
号光検知用フォトデテクス７（第１図、第２図に示した
実施例には特に設けられていない）が設けられている。
そして、偏光分離多層膜８に達したレーザ光の残りはそ
こを通過してプリズム素子5a内に入り信号光検知用フォ
トデテクタ21に入射し、一部がこの信号光検知用フォト
デテクタによって受光される。しかして、該信号光検知
用フォトデテクタ21と信号光検知用フォトデテクタ７の
検知光量から光磁気ディスクに記録された信号の差動検
知を行うことができる。信号光検知用フォトデテクタ21
に入射した戻り光の残りはこの表面にて反射され、更に
プリズム素子5aの上面にて内面反射されて信号光検知用
フォトデテクタ22によって受光される。信号光検知用フ
ォトデテクタ21及び22によってフォーカスエラー、トラ
ッキングエラーが検出されることは第１図及び第２図に
示した実施例の場合と同じである。The rest of the laser light incident on the inclined surface 6 is reflected by the inclined surface 6 and proceeds toward a magneto-optical disk (not shown). Then, the return light from the magneto-optical disk reaches the inclined surface 6, enters the element 5 b of the prism 5, and reaches the polarization separation multilayer film 8. A part of the laser light reaching the polarization splitting multilayer film 8 is reflected and received by the signal light detecting photodetex 7 formed on the surface of the semiconductor substrate 1. In other words, a signal light detecting photodetex 7 (not particularly provided in the embodiments shown in FIGS. 1 and 2) is provided at a position where the laser beam reflected by the polarization separation multilayer film 8 can be received. I have.
The remaining laser beam that has reached the polarization separation multilayer film 8 is incident thereto prism element signal light detection photodetector 2 1 enters the 5a through a partially received by the signal light detection photodetector Is done. Thus, it is possible to perform differential detection of the signals recorded from the detection light intensity of the signal light detection photodetector 2 1 and the signal light detection photodetector 7 to the magneto-optical disk. Photodetector for signal light detection 2 1
The remaining incident returning light is reflected by the surface is received by further internal reflection by the signal light detection photodetector 2 2 at the upper surface of the prism elements 5a to. Focus error by the signal light detection photodetector 2 1 and 2 2, the tracking error is detected is the same as in the embodiment shown in FIGS. 1 and 2.
この光ピックアップにおいても信号光検知用フォトデ
テクタ21、22及び７は上側から見て傾斜面６に斜めに入
射してプリズム５内に入った戻り光を受光できるように
半導体基板１上の位置が設定されており、半導体レーザ
４から出射されたレーザ光の光軸の延長線から逸れてい
る。従って、迷光が信号光検知用フォトデテクタ21、
22、８に入射してしまう虞れは全くないことは第１図及
び第２図に示した実施例と全く同様である。Photodetector 2 1 for even signal light detected in the optical pickup, 2 2 and 7 on the semiconductor substrate 1 so as to be able to receive return light enters the prism 5 are incident obliquely on the inclined surface 6 when viewed from the upper side of The position is set and deviates from the extension of the optical axis of the laser light emitted from the semiconductor laser 4. Accordingly, the photodetector 2 1 for stray signal light detection,
2 2, possibility that would enter the 8 that no is exactly the same as the embodiment shown in FIGS. 1 and 2.
（H.発明の効果） 以上に述べたように、本発明光ピックアップは、一部
領域の表面部に信号光検知用フォトデテクタが形成され
た半導体基板の上記領域の近傍に半導体レーザが固定さ
れ、上記半導体基板の信号光検知用フォトデテクタ形成
領域上に、半導体レーザ側を向いた傾斜面にて半導体レ
ーザからのレーザ光を記録媒体側へ反射し該記録媒体か
ら傾斜面に戻った戻り光を上記信号光検知用フォトデテ
クタへ導光するプリズムを固定してなる光ピックアップ
であって、上記半導体レーザはその出射方向が上側から
見てプリズムの上記傾斜面に対して斜めになるような向
きに固定され、戻り光を受ける信号光検知用フォトデテ
クタが上記半導体レーザのレーザ光の光軸の延長線から
逸れたところに位置されてなることを特徴とするもので
ある。(H. Effects of the Invention) As described above, in the optical pickup of the present invention, the semiconductor laser is fixed in the vicinity of the above-mentioned region of the semiconductor substrate in which the signal light detecting photodetector is formed on the surface of the partial region. On the signal light detecting photodetector forming area of the semiconductor substrate, the laser light from the semiconductor laser is reflected toward the recording medium by the inclined surface facing the semiconductor laser, and the return light returns from the recording medium to the inclined surface. An optical pickup comprising a prism that guides light to the signal light detecting photodetector, wherein the semiconductor laser has an emission direction oblique to the inclined surface of the prism when viewed from above. And a signal light detecting photodetector that receives return light and is located away from an extension of the optical axis of the laser light of the semiconductor laser. .
従って、本発明光ピックアップによれば、信号光検知
用フォトデテクタが半導体レーザのレーザ光の光軸の延
長線から逸れているので半導体レーザから出射されたレ
ーザ光が傾斜面で反射されることなくプリズムｇ内に入
射してもそれは信号光検知用フォトデテクタに入射する
ことはない。従って、信号光検知用フォトデテクタには
戻り光のみが入射されるようにすることができ、迷光に
よるオフセットをなくすことができる。Therefore, according to the optical pickup of the present invention, since the signal light detecting photodetector is deviated from the extension of the optical axis of the laser light of the semiconductor laser, the laser light emitted from the semiconductor laser is not reflected on the inclined surface. Even if it enters the prism g, it does not enter the signal light detecting photodetector. Therefore, only the return light can enter the signal light detecting photodetector, and the offset due to stray light can be eliminated.
第１図及び第２図は本発明光ピックアップの一つの実施
例を示すもので、第１図は斜視図、第２図は平面図、第
３図は本発明光ピックアップの別の実施例を示す斜視
図、第４図は背景技術を示す斜視図、第５図は発明が解
決しようとする断面図である。 符号の説明 １……半導体基板、 21、22、７……信号光検知用フォトデテクタ、 ４……半導体レーザ、５……プリズム、 ６……傾斜面。1 and 2 show one embodiment of the optical pickup of the present invention. FIG. 1 is a perspective view, FIG. 2 is a plan view, and FIG. 3 is another embodiment of the optical pickup of the present invention. FIG. 4 is a perspective view showing a background art, and FIG. 5 is a sectional view to be solved by the invention. REFERENCE NUMERALS 1 ...... semiconductor substrate, 2 1, 2 2, 7 ...... signal light detection photodetector, 4 ...... semiconductor laser, 5 ...... prism, 6 ...... inclined surface.
Claims (1)
テクタが形成された半導体基板の上記領域の近傍に半導
体レーザが固定され、 上記半導体基板の信号光検知用フォトデテクタ形成領域
上に、半導体レーザ側を向いた傾斜面にて半導体レーザ
からのレーザ光を記録媒体側へ反射し該記録媒体からの
傾斜面に戻った戻り光を上記信号光検知用フォトデテク
タへ導光するプリズムを固定してなる光ピックアップで
あって、 上記半導体レーザはそのレーザ光出射方向が上側から見
てプリズムの上記傾斜面に対して斜めになるような向き
に固定され、 戻り光を受ける信号光検知用フォトデテクタが上記半導
体レーザのレーザ光の光軸の延長線から逸れたところに
位置されてなる ことを特徴とする光ピックアップA semiconductor laser is fixed in the vicinity of the above-mentioned region of a semiconductor substrate having a signal light detecting photodetector formed on the surface of a partial region, and a signal light detecting photodetector forming region of the semiconductor substrate is formed on the semiconductor laser. A prism that reflects laser light from the semiconductor laser toward the recording medium on the inclined surface facing the semiconductor laser and guides return light returning from the recording medium to the inclined surface to the signal light detecting photodetector. A fixed optical pickup, wherein the semiconductor laser is fixed so that its laser light emission direction is oblique to the inclined surface of the prism when viewed from above, and is used for signal light detection for receiving return light. An optical pickup characterized in that a photodetector is located at a position deviated from an extension of the optical axis of the laser beam of the semiconductor laser.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62169076A JP2586496B2 (en) | 1987-07-07 | 1987-07-07 | Optical pickup |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62169076A JP2586496B2 (en) | 1987-07-07 | 1987-07-07 | Optical pickup |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPS6413239A JPS6413239A (en) | 1989-01-18 |
| JP2586496B2 true JP2586496B2 (en) | 1997-02-26 |
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ID=15879878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62169076A Expired - Fee Related JP2586496B2 (en) | 1987-07-07 | 1987-07-07 | Optical pickup |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586496B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1327774A4 (en) | 2000-10-16 | 2009-05-27 | Seiko Epson Corp | Power spring mechanism and equipment having the mechanism |
-
1987
- 1987-07-07 JP JP62169076A patent/JP2586496B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6413239A (en) | 1989-01-18 |
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