JP2546445B2 - Method of forming TFT of optical shutter array - Google Patents
Method of forming TFT of optical shutter arrayInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明はPLZTの複屈折を利
用してディスプレイや光シャッタ等の表示装置に用いら
れ、そのPLZTに形成した光シャッタアレーを能動素
子(TFT;薄膜トランジスタ)でアクティブマトリッ
クス駆動可能とする光シャッタアレーのTFTの形成方
法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used in a display device such as a display or an optical shutter utilizing the birefringence of PLZT, and an optical shutter array formed in the PLZT is driven by an active element (TFT; thin film transistor) in an active matrix. The present invention relates to a possible method of forming a TFT of an optical shutter array.
【0002】[0002]
【従来例】近年、PZTにLaを添加した透明なセラミ
ックスのPLZT(PbO,LaO,ZrO2,Ti
O)が光シャッタやディスプレイに用いられようとして
いる。 2. Description of the Related Art In recent years, PLZT (PbO, LaO, ZrO.sub.2, Ti) which is a transparent ceramic in which La is added to PZT is used.
O) is about to be used for optical shutters and displays.
【0003】そのPLZTを用いて光シャッタアレーを
作製する場合、その光シャッタアレーを構成する光シャ
ッタを駆動する方法としては、PLZTの性質から単純
マトリックスで行なうことができないため、各光シャッ
タをアクティブマトリックス駆動する方式が採られるこ
とになる。When an optical shutter array is manufactured by using the PLZT, the method of driving the optical shutter forming the optical shutter array cannot be performed by a simple matrix due to the property of PLZT, so that each optical shutter is activated. A matrix driving method will be adopted.
【0004】ところで、例えば図6に示すように、液晶
ディスプレイ装置においては、既にTFTを能動素子1
として用いたアクティブマトリックス方式が採られてい
る。この場合、各能動素子1は各画素(液晶に相当する
部分)2の間に形成され、またその各能動素子1の駆動
ライン、つまりデータライン3およびアドレスライン4
が各画素2の間に形成されている。したがって、液晶の
場合、例えば駆動電圧が数Vであることから、その能動
素子1を小さくすることができ、各画素2の開口率に影
響を与えることもない。By the way, as shown in FIG. 6, for example, in a liquid crystal display device, a TFT is already used as an active element 1.
The active matrix method used as is adopted. In this case, each active element 1 is formed between each pixel (a portion corresponding to a liquid crystal) 2, and the drive line of each active element 1, that is, the data line 3 and the address line 4 is formed.
Are formed between each pixel 2. Therefore, in the case of liquid crystal, for example, since the driving voltage is several V, the active element 1 can be made small, and the aperture ratio of each pixel 2 is not affected.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記PLZT
の光シャッタをアクティブ方式で駆動しようとすると、
その駆動電極が数十Vから百数十Vと大きく、また各画
素の電気容量がPLZTの高誘電率を反映して液晶の各
画素2の100倍から1000倍と大きいため、その光
シャッタを駆動するTFTの能動素子はその面積が大き
くなり、各画素の開口率が低下する。However, the above PLZT
When trying to drive the optical shutter of
The drive electrode is as large as several tens of volts to hundreds of tens of volts, and the electric capacitance of each pixel is 100 to 1000 times as large as that of each pixel 2 of the liquid crystal reflecting the high dielectric constant of PLZT. The active element of the driven TFT has a large area, and the aperture ratio of each pixel is reduced.
【0006】すなわち、PLZTの光シャッタアレーを
ディスプレイ装置として用いる場合、各光シャッタ(画
素)に信号を書き込む時間(tw)と、その信号を保持
する時間(th)が2つの条件tw=C×Vd/Ia<
1/(N×f)およびth=C×Vd/Ib>1/fを
満足する必要があるからである。なお、Cは各画素の電
気容量、Vdは駆動電圧、IaはTFTの能動素子のオ
ン状態の電流、IbはTFTの能動素子のオフ状態の電
流、Nはフレームの行数、fはフレーム周波数である。That is, when the PLZT optical shutter array is used as a display device, there are two conditions tw = C × the time (tw) for writing a signal to each optical shutter (pixel) and the time (th) for holding the signal. Vd / Ia <
This is because it is necessary to satisfy 1 / (N × f) and th = C × Vd / Ib> 1 / f. Note that C is the electric capacity of each pixel, Vd is the driving voltage, Ia is the current of the active state of the TFT active element, Ib is the current of the active state of the active element of the TFT, N is the number of rows of the frame, and f is the frame frequency. Is.
【0007】ここで、現行のテレビを例にして説明する
と、上記書き込む時間がtw<50μsecであり、保
持する時間がth>30msecであることから、C×
VdについてはPLZTが液晶の最大10000倍程度
となり、その分電流Iaを大きく、Ibを小さくする必
要がある。Here, taking a current television as an example, the writing time is tw <50 μsec and the holding time is th> 30 msec.
Regarding Vd, PLZT becomes about 10,000 times as large as that of the liquid crystal, and it is necessary to increase the current Ia and decrease Ib accordingly.
【0008】ところで、図7に示すように、TFTのオ
ン状態の電流がTFTのチャネル長Lに反比例し、チャ
ネル幅Wに比例することから、そのW/Lを大きくすれ
ば、そのオン状態の電流Iaを大きくすることができ
る。なお、図7から明らかなように、その電流はドレイ
ンからソースに流れ、チャネル長LはTFTのドレイン
電極とソース電極の間の間隔(距離)に相当し、チャネ
ル幅WはTFTのドレイン電極およびソース電極の幅に
相当している。By the way, as shown in FIG. 7, the current in the ON state of the TFT is in inverse proportion to the channel length L of the TFT and in proportion to the channel width W. Therefore, if W / L is increased, the ON state of the TFT is changed. The current Ia can be increased. As is clear from FIG. 7, the current flows from the drain to the source, the channel length L corresponds to the distance (distance) between the drain electrode and the source electrode of the TFT, and the channel width W corresponds to the drain electrode of the TFT. It corresponds to the width of the source electrode.
【0009】しかし、チャネル長Lについては小さくで
きないことから、チャネル幅Wを大きくすることにな
り、しかもそのチャネル幅Wをかなり大きくしなければ
ならず、例えば10倍から100倍程度大きくしなけれ
ばならず、各画素の間に形成することが困難となり、つ
まり各画素の間隔を広くするか、各画素に渡ってTFT
を形成することになり、各画素の開口率が大きく低下す
るという問題点があった。However, since the channel length L cannot be reduced, the channel width W must be increased, and the channel width W must be increased considerably, for example, 10 times to 100 times. Therefore, it is difficult to form it between each pixel, that is, the interval between each pixel is widened, or the TFT is spread over each pixel.
Therefore, there is a problem that the aperture ratio of each pixel is greatly reduced.
【0010】この発明は上記課題に鑑みなされたもので
あり、その目的はPLZTに形成した各画素をアクティ
ブマトリックス駆動する能動素子の電流がその画素の駆
動条件を満足し、かつ各画素の開口率が低下しないよう
にした光シャッタアレーのTFTの形成方法を提供する
ことにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is that the current of an active element for driving each pixel formed in a PLZT in an active matrix satisfies the driving condition of the pixel and the aperture ratio of each pixel. It is an object of the present invention to provide a method of forming a TFT of an optical shutter array that does not reduce the above.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、PLZT基板に形成した光シャッタア
レーをアクティブマトリックス方式で駆動するために、
能動素子(薄膜トランジスタ;TFT)をPLZT基板
に形成することなく、PLZT基板に相対して透明基板
を配置し、この透明基板に能動素子、データラインおよ
びアドレスラインを形成する際、それら能動素子を前記
光シャッタアレーを構成する各光シャッタの櫛型電極と
相対する位置に1画素あたり複数個形成し、それら能動
素子を並列に接続するようにしたことを要旨とする。な
お、能動素子と櫛型電極を相対させないと、入射光が能
動素子によって阻止されてしまうので好ましくない。 In order to achieve the above object, the present invention is designed to drive an optical shutter array formed on a PLZT substrate in an active matrix system.
PLZT substrate with active elements (thin film transistor; TFT)
Transparent substrate facing the PLZT substrate without forming
Was placed, the active element in the transparent substrate, when that form the data lines and address lines, a plurality per pixel them active element in a comb-shaped electrode and the opposite position of the optical shutter constituting the optical shutter array The gist is that the active elements are individually formed and connected in parallel. What
If the active element and the comb-shaped electrode do not face each other, the incident light will
It is not preferable because it is blocked by the moving element.
【0012】[0012]
【作用】上記方法としたので、透明基板には光シャッタ
アレーを構成する光シャッタ(画素)を駆動能動素子が
その画素の電極と相対する位置に形成され、かつその電
極が櫛型電極であるので、最大その櫛の数だけ能動素子
が形成されるとともに、それら能動素子が並列に接続さ
れるため、1つの画素が複数個の能動素子で駆動され
る。したがって、能動素子の電極を大きくする必要がな
く、また各能動素子が画素の電極上に位置することか
ら、その画素の開口率の低下を防ぐことができる。[Action] Since the above method, the optical shutter (pixels) driving active element is formed on the electrode that faces the position of the pixel and its electrodes are comb electrodes constituting the optical shutter array to the transparent substrate Therefore , as many active elements as the maximum number of combs are formed and the active elements are connected in parallel, so that one pixel is driven by a plurality of active elements. Therefore, it is not necessary to enlarge the electrode of the active element, and since each active element is located on the electrode of the pixel, it is possible to prevent the reduction of the aperture ratio of the pixel.
【0013】[0013]
【実施例】以下、この発明の実施例を図1乃至図5に基
づいて説明する。図1および図2において、PLZT基
板10には櫛型の画素電極11および共通電極12を有
する光シャッタ(画素)13が形成されており、一方透
明基板14にはその画素電極11および共通電極12と
相対する位置にTFT(薄膜トランジスタ)の能動素子
15が複数個形成され、これら能動素子15は並列に接
続されている。その各画素13の間にはその能動素子1
5を駆動するためのデータライン16およびアドレスラ
イン17が形成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In FIGS. 1 and 2, an optical shutter (pixel) 13 having a comb-shaped pixel electrode 11 and a common electrode 12 is formed on a PLZT substrate 10, while the transparent substrate 14 has the pixel electrode 11 and the common electrode 12 formed thereon. A plurality of TFTs (thin film transistors) active elements 15 are formed at positions opposite to, and these active elements 15 are connected in parallel. The active element 1 is provided between each pixel 13.
Data lines 16 and address lines 17 for driving 5 are formed.
【0014】また、図3に示すように、画素13の画素
電極11と能動素子15のソース電極を接続するため
に、PLZT基板10の各画素13に隣接して電極パタ
ーン18が形成され、一方透明基板14にはその電極パ
ターン18と相対する位置に電極パターン19が形成さ
れており、その電極パターン18,19間はバンプ20
で接続されている。Further, as shown in FIG. 3, in order to connect the pixel electrode 11 of the pixel 13 and the source electrode of the active element 15, an electrode pattern 18 is formed adjacent to each pixel 13 of the PLZT substrate 10. An electrode pattern 19 is formed on the transparent substrate 14 at a position facing the electrode pattern 18, and the bump 20 is provided between the electrode patterns 18 and 19.
Connected by.
【0015】なお、上記データライン16、アドレスラ
イン17の部分および電極パターン18,19の部分
は、当該PLZT光シャッタアレー装置のカラーフィル
タのブラックマトリックス部分に相当する。The data line 16, the address line 17, and the electrode patterns 18 and 19 correspond to the black matrix portion of the color filter of the PLZT optical shutter array device.
【0016】ここで、上記画素13をアクティブマトリ
ックス駆動可能とするために、能動素子15を形成する
場合を説明する。なお、図4に示すように、マトリック
ス状に形成された画素13の画素電極11および共通電
極12が櫛型である。Here, the case where the active element 15 is formed so that the pixel 13 can be driven by the active matrix will be described. As shown in FIG. 4, the pixel electrodes 11 and the common electrodes 12 of the pixels 13 formed in a matrix are comb-shaped.
【0017】この場合、そのPLZT基板10には画素
13に隣接し、その画素電極11に接続する電極パター
ン18が形成される。一方、図5に示すように、透明基
板10には、それら各画素電極11および共通電極12
に対応する位置に能動素子15がその画素の駆動条件に
応じて複数個形成され、これら能動素子15のドレイン
電極15aを外部に引き出すデータライン16が形成さ
れ、またそれら能動素子15のゲート電極15bを外部
に引き出すアドレスライン17が形成される。さらに、
その透明基板14には、それら能動素子15のソース電
極15cと接続し、かつ上記電極パターン18と対応し
て電極パターン19が形成されている。In this case, an electrode pattern 18 adjacent to the pixel 13 and connected to the pixel electrode 11 is formed on the PLZT substrate 10. On the other hand, as shown in FIG. 5, the pixel electrode 11 and the common electrode 12 are provided on the transparent substrate 10.
A plurality of active elements 15 are formed at the positions corresponding to the above, in accordance with the driving conditions of the pixel, data lines 16 for drawing out the drain electrodes 15a of these active elements 15 to the outside are formed, and the gate electrodes 15b of these active elements 15 are formed. Is formed to the outside. further,
Electrode patterns 19 are formed on the transparent substrate 14 so as to be connected to the source electrodes 15c of the active elements 15 and correspond to the electrode patterns 18.
【0018】そして、上記PLZT基板10にはその能
動素子15を形成した透明基板14が重ねられるが、電
極パターン18,19の間はバンプ20で接続され、こ
れにより各画素の画素電極11はそのバンプ20を介し
て複数の能動素子15のソース電極15cに接続され
る。The transparent substrate 14 on which the active element 15 is formed is superposed on the PLZT substrate 10, but the electrode patterns 18 and 19 are connected by the bumps 20, so that the pixel electrode 11 of each pixel is connected. It is connected to the source electrodes 15c of the plurality of active elements 15 via the bumps 20.
【0019】したがって、データライン16およびアド
レスライン17の信号により、ある画素13を駆動する
場合、その画素13に対応する複数の能動素子15が全
てオン、あるいはオフすることになり、このオン状態の
電流Iaあるいはオフ状態の電流Tbがドレイン電極1
5aからソース電極15cに流れることになる。Therefore, when a pixel 13 is driven by signals on the data line 16 and the address line 17, a plurality of active elements 15 corresponding to the pixel 13 are all turned on or off. The current Ia or the current Tb in the off state is the drain electrode 1
5a to the source electrode 15c.
【0020】すなわち、1つの画素13を駆動する能動
素子15が複数個形成され、かつ並列に接続されている
ことから、画素13に流す電流を大きくすることがで
き、能動素子15のチャネル幅Wを大きくする必要がな
く、PLZT基板の光シャッタアレーをアクティブマト
リックス方式で駆動することが可能となる。また、各画
素13の画素電極11および共通電極12に対応して各
能動素子15を形成しているため、つまり能動素子15
のチャネル部分が画素電極11および共通電極12の上
にかかり、他の開口部分にかからないようにしているた
め、各画素13の開口率の低下に影響を与えることもな
い。That is, since a plurality of active elements 15 for driving one pixel 13 are formed and connected in parallel, the current flowing through the pixel 13 can be increased and the channel width W of the active element 15 can be increased. It is possible to drive the optical shutter array of the PLZT substrate by the active matrix method without having to increase the size. Further, since each active element 15 is formed corresponding to the pixel electrode 11 and the common electrode 12 of each pixel 13, that is, the active element 15
Since the channel portion of the pixel overlaps the pixel electrode 11 and the common electrode 12 and does not cover other opening portions, it does not affect the reduction of the aperture ratio of each pixel 13.
【0021】上記実施例では、各画素13の櫛型電極が
溝型電極になっているが、表面電極であっても、同様に
TFTを形成することができる。In the above embodiment, the comb-shaped electrode of each pixel 13 is a groove-shaped electrode, but a TFT can be formed in the same manner even if it is a surface electrode.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上説明したように、この発明の光シャ
ッタアレーのTFTの形成方法によれば、PLZT基板
に形成した各画素を駆動する能動素子を透明基板に形成
する際、その各画素の櫛型電極に相対する位置に、その
画素の駆動条件に応じて複数個のTFTの能動素子を形
成し、かつそれら能動素子を並列に接続するようにした
ので、各画素を駆動する能動素子が複数個となり、大き
い電流を流すことができ、各画素をアクティブマトリッ
クス方式で駆動することが可能となり、しかも各能動素
子が各画素の電極に上に位置することから、その画素の
開口率を低下させることもなくなるという効果がある。As described above, according to the method of forming a TFT of an optical shutter array of the present invention, when an active element for driving each pixel formed on a PLZT substrate is formed on a transparent substrate, the pixel of each pixel is formed. Since the active elements of the plurality of TFTs are formed at the position facing the comb-shaped electrode according to the driving condition of the pixel and the active elements are connected in parallel, the active element for driving each pixel is A plurality of pixels can be used to pass a large current, and each pixel can be driven by the active matrix method. Moreover, since each active element is located above the electrode of each pixel, the aperture ratio of that pixel is reduced. There is an effect that it will not be done.
【図1】この発明の一実施例を示し、光シャッタアレー
のTFTの形成方法が適用された光シャッタアレー装置
の概略的部分正面図FIG. 1 is a schematic partial front view of an optical shutter array device to which a method of forming a TFT of an optical shutter array is applied according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す光シャッタアレー装置の概略的部分
断面図FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view of the optical shutter array device shown in FIG.
【図3】図1に示す光シャッタアレー装置の概略的部分
回路図FIG. 3 is a schematic partial circuit diagram of the optical shutter array device shown in FIG.
【図4】図1に示す光シャッタアレー装置に用いられる
PLZT基板の概略的部分正面図FIG. 4 is a schematic partial front view of a PLZT substrate used in the optical shutter array device shown in FIG.
【図5】図1に示す光シャッタアレー装置に用いられる
TFFの形成基板の概略的部分正面図5 is a schematic partial front view of a TFF forming substrate used in the optical shutter array device shown in FIG.
【図6】従来の液晶ディスプレイ装置の概略的部分正面
図FIG. 6 is a schematic partial front view of a conventional liquid crystal display device.
【図7】画素を駆動する能動素子の電極を示す概略的構
成図FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing electrodes of active elements for driving pixels.
10 PLZT基板 11 画素電極(櫛型) 12 共通電極(櫛型) 13 画素 14 透明基板 15 能動素子(TFT) 15a ドレイン電極 15b ゲート電極 15c ソース電極 16 データライン 17 アドレスライン 18 電極パターン 19 電極パターン 20 バンプ 10 PLZT substrate 11 Pixel electrode (comb type) 12 Common electrode (comb type) 13 Pixel 14 Transparent substrate 15 Active element (TFT) 15a Drain electrode 15b Gate electrode 15c Source electrode 16 Data line 17 Address line 18 Electrode pattern 19 Electrode pattern 20 bump
Claims (1)
成する光シャッタアレーをアクティブマトリックス方式
で駆動するために、能動素子(薄膜トランジスタ;TF
T)、データラインおよびアドレスラインを透明基板に
形成する際、それら能動素子を前記光シャッタアレーを
構成する各光シャッタの櫛型電極と相対する位置に形成
し、かつその能動素子を1画素あたり複数個形成すると
ともに、それら能動素子を並列に接続するようにしたこ
とを特徴とする光シャッタアレーのTFTの形成方法。1. A plurality of pixels formed on a PLZT substrate are formed.
In order to drive the formed optical shutter array by the active matrix method, an active element (thin film transistor; TF
T), when the data line and the address line are formed on the transparent substrate, the active elements are formed at positions facing the comb-shaped electrodes of the optical shutters forming the optical shutter array, and the active elements are formed per pixel. A method of forming a TFT of an optical shutter array, characterized in that a plurality of active elements are connected in parallel.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3047620A JP2546445B2 (en) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | Method of forming TFT of optical shutter array |
Applications Claiming Priority (1)
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JP3047620A JP2546445B2 (en) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | Method of forming TFT of optical shutter array |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH04265923A JPH04265923A (en) | 1992-09-22 |
JP2546445B2 true JP2546445B2 (en) | 1996-10-23 |
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ID=12780258
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP3047620A Expired - Lifetime JP2546445B2 (en) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | Method of forming TFT of optical shutter array |
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JP (1) | JP2546445B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10777130B2 (en) | 2014-09-03 | 2020-09-15 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device and electronic apparatus |
US12051368B2 (en) | 2014-09-03 | 2024-07-30 | Lumitek Display Technology Limited | Organic electroluminescent device and electronic apparatus |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP3047620A patent/JP2546445B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11189224B2 (en) | 2014-09-03 | 2021-11-30 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device and electronic apparatus |
US11580907B2 (en) | 2014-09-03 | 2023-02-14 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device and electronic apparatus |
US12051368B2 (en) | 2014-09-03 | 2024-07-30 | Lumitek Display Technology Limited | Organic electroluminescent device and electronic apparatus |
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JPH04265923A (en) | 1992-09-22 |
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Legal Events
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