JP2537791B2 - Microwave oscillator - Google Patents
Microwave oscillatorInfo
- Publication number
- JP2537791B2 JP2537791B2 JP61051180A JP5118086A JP2537791B2 JP 2537791 B2 JP2537791 B2 JP 2537791B2 JP 61051180 A JP61051180 A JP 61051180A JP 5118086 A JP5118086 A JP 5118086A JP 2537791 B2 JP2537791 B2 JP 2537791B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- circuit
- microwave oscillator
- gate
- gate terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は発振器の共振回路あるいは帰還容量回路にFE
Tを用いたマイクロ波発振器に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention is applicable to a resonance circuit or a feedback capacitance circuit of an oscillator with an FE.
The present invention relates to a microwave oscillator using T.
従来の技術 負性抵抗型発振器や帰還型発振器の発振周波数を電圧
制御で可変する方法として、それらの発振器の共振回路
や帰還容量回路に可変容量ダイオードを用いるのが一般
的である。例えば、半導体発振素子と可変容量ダイオー
ドを用いて発振周波数を電圧制御できるマイクロ波発振
器として、第５図に示すような回路構成が使われてい
た。2. Description of the Related Art As a method of varying the oscillation frequency of a negative resistance oscillator or a feedback oscillator by voltage control, it is common to use a variable capacitance diode in the resonance circuit or feedback capacitance circuit of those oscillators. For example, a circuit configuration as shown in FIG. 5 has been used as a microwave oscillator in which the oscillation frequency can be voltage controlled by using a semiconductor oscillator and a variable capacitance diode.
第５図において、１は負性抵抗回路で、半導体発振素
子であるFET2とその周辺回路（図示せず）からなる。３
は共振回路で、インダクタ４と可変容量ダイオード５か
らなり、共振回路３は負性抵抗回路１に接続されてい
る。そして、可変容量ダイオード５に印加する電圧を制
御することにより共振回路３の共振周波数を変化させて
マイクロ波発振器の発振周波数を制御している。In FIG. 5, reference numeral 1 denotes a negative resistance circuit, which is composed of a FET 2 which is a semiconductor oscillating element and its peripheral circuit (not shown). Three
Is a resonance circuit, which is composed of an inductor 4 and a variable capacitance diode 5, and the resonance circuit 3 is connected to the negative resistance circuit 1. Then, the resonance frequency of the resonance circuit 3 is changed by controlling the voltage applied to the variable capacitance diode 5 to control the oscillation frequency of the microwave oscillator.
発明が解決しようとする問題点 以上のような従来の可変容量ダイオードを用いるマイ
クロ波発振器では、負性抵抗回路１をマイクロ波モノリ
シック集積回路（以上、MMICと略記）化できても、可変
容量ダイオード５を含む共振回路３をMMIC化することは
困難であった。従って、マイクロ波発振器６全体をMMIC
化することは困難であるという問題点を有していた。Problems to be Solved by the Invention In the microwave oscillator using the conventional variable capacitance diode as described above, even if the negative resistance circuit 1 can be formed into a microwave monolithic integrated circuit (hereinafter, abbreviated as MMIC), the variable capacitance diode is used. It was difficult to make the resonance circuit 3 including 5 into an MMIC. Therefore, the entire microwave oscillator 6 is
However, there is a problem that it is difficult to make it.
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、共振回路
あるいは帰還容量回路の可変容量素子を含めて発振周波
数を電圧制御できるマイクロ波発振器をMMIC化すること
を目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a microwave oscillator that can control the oscillation frequency including the variable capacitance element of the resonance circuit or the feedback capacitance circuit as a MMIC.
問題点を解決するための手段 本発明は、マイクロ波発振器の共振回路や帰還容量回
路の可変容量素子にFETを用いたもので、FETのゲート・
ソース間容量あるいはゲート・ドレイン間容量がゲート
・ソース間電圧あるいはゲート・ドレイン間電圧により
可変できることを利用したものである。しかも、このFE
Tをマイクロ波発振器の発振信号の増幅回路としても共
用させ、マイクロ波発振器の出力端子と負性抵抗回路と
を、このFETによりアイソレーションするようにしたも
のである。Means for Solving the Problems The present invention uses a FET as a variable capacitance element of a resonance circuit or a feedback capacitance circuit of a microwave oscillator.
It is based on the fact that the source-capacitance or the gate-drain capacitance can be changed by the gate-source voltage or the gate-drain voltage. Moreover, this FE
T is also used as an amplifier circuit for the oscillation signal of the microwave oscillator, and the output terminal of the microwave oscillator and the negative resistance circuit are isolated by this FET.
作用 本発明は上記した構成により、共振回路や帰還容量回
路の可変容量素子をもMMIC化できるため、マイクロ波発
振器全体をMMIC化できるものである。しかも、負荷変動
に強いMMIC化発振器を構成できるものである。Action The present invention can make the variable capacitance elements of the resonance circuit and the feedback capacitance circuit also be MMICs with the above-described configuration, so that the entire microwave oscillator can be made MMICs. Moreover, it is possible to construct an MMIC oscillator that is resistant to load fluctuations.
実 施 例 第１図は本発明のマイクロ波発振器第１の実施例であ
る。第１図において、11は負性抵抗回路でFET12とその
周辺回路（図示せず）からなっている。13は増幅機能を
あわせもつ共振回路でFET12のゲート端子14に接続され
ている。15はFETでFET15のゲート端子16とFET12のゲー
ト端子14間にはインダクタ17が接続されており、ストリ
ップ線路17の有するインダクタンスLgとFET15の有する
ゲート・ソース間容量Cgにより形成される直列共振回路
の共振周波数に近い周波数で負性抵抗回路11が発振す
る。18は増幅器13′の出力整合回路でストリップ線路で
構成され、発振電力は増幅器13′で増幅されて出力端子
19から出力される。20,21は直流阻止キャパシタ、22は
高周波短絡キャパシタ、23はFET15のゲート・バイアス
抵抗、24はゲート・バイアス端子、25はFET15のドレイ
ン・バイアス端子である。Practical Example FIG. 1 shows a microwave oscillator according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a negative resistance circuit, which is composed of a FET 12 and its peripheral circuit (not shown). Reference numeral 13 is a resonance circuit which also has an amplification function and is connected to the gate terminal 14 of the FET 12. Reference numeral 15 is an FET, and an inductor 17 is connected between the gate terminal 16 of the FET 15 and the gate terminal 14 of the FET 12, and the inductor L g of the strip line 17 and the gate-source capacitance C g of the FET 15 are connected in series. The negative resistance circuit 11 oscillates at a frequency close to the resonance frequency of the resonance circuit. Reference numeral 18 is an output matching circuit of the amplifier 13 ', which is composed of a strip line.
It is output from 19. 20 and 21 are DC blocking capacitors, 22 is a high frequency short-circuit capacitor, 23 is a gate bias resistance of the FET 15, 24 is a gate bias terminal, and 25 is a drain bias terminal of the FET 15.
上記第１図に示した実施例では、負性抵抗回路11とと
もに、共振回路13はFETで構成されているため、マイク
ロ波発振器全体を容易にMMIC化できる。また、FET15に
より負性抵抗回路11とマイクロ波発振器の出力端子19と
はアイソレーションされているため、マイクロ波発振器
は負荷変動に強い。In the embodiment shown in FIG. 1, since the resonance circuit 13 is composed of the FET together with the negative resistance circuit 11, the entire microwave oscillator can be easily made into an MMIC. Further, since the negative resistance circuit 11 and the output terminal 19 of the microwave oscillator are isolated by the FET 15, the microwave oscillator is resistant to load fluctuations.
第２図は本発明のマイクロ波発振器の第２の実施例で
あり、第１図と同一箇所には同一番号を付して説明す
る。第２図において、11′は負性抵抗回路でFET12とそ
の周辺回路（図示せず）からなっている。26は増幅機能
をあわせもつ共振回路でFET12のゲート端子14に接続さ
れている。15はFETでFET15のゲート端子16とFET12のゲ
ート端子14間にはストリップ線路17が接続され、ゲート
端子14とゲート端子16とは直流的に接続されている。負
性抵抗回路11′とはストリップ線路17の有するインダク
タンスLgとFET15の有するゲート・ソース間容量Cgによ
り形成される共振回路の共振周波数 に近い周波数で発振する。18は増幅器13′の出力整合回
路でストリップ線路で構成され発振電力は増幅器13′で
増幅されて出力端子19から出力される。21は直流阻止キ
ャパシタ、22は高周波短絡キャパシタ、23はFET12およ
びFET15のゲート・バイアス抵抗、24はゲート・バイア
ス端子、25はFET15のドレイン・バイアス端子である。FIG. 2 shows a second embodiment of the microwave oscillator of the present invention. The same parts as those in FIG. In FIG. 2, 11 'is a negative resistance circuit, which is composed of a FET 12 and its peripheral circuit (not shown). Reference numeral 26 is a resonance circuit which also has an amplification function and is connected to the gate terminal 14 of the FET 12. Reference numeral 15 is an FET, and a strip line 17 is connected between the gate terminal 16 of the FET 15 and the gate terminal 14 of the FET 12, and the gate terminal 14 and the gate terminal 16 are DC-connected. Negative resistance circuit 11 'is the resonance frequency of the resonance circuit formed by the inductance L g of the strip line 17 and the gate-source capacitance C g of the FET 15. It oscillates at a frequency close to. Reference numeral 18 is an output matching circuit of the amplifier 13 ', which is composed of a strip line. The oscillation power is amplified by the amplifier 13' and output from the output terminal 19. Reference numeral 21 is a DC blocking capacitor, 22 is a high frequency short-circuit capacitor, 23 is a gate bias resistance of FET 12 and FET 15, 24 is a gate bias terminal, and 25 is a drain bias terminal of FET 15.
上記第２図に示した実施例では、第１図に示した効果
に加えて、ゲート・バイアス端子24に印加されるゲート
・バイアス電圧はFET15とFET12の両方に作用するため、
FET15のゲート・ソース間容量Cgのみならず、FET12のゲ
ート・ソース間容量Cg′もゲート・バイアス電圧に対し
て変化するため、マイクロ波発振器の発振周波数の可変
範囲を広くできる効果を有する。In the embodiment shown in FIG. 2 above, in addition to the effect shown in FIG. 1, since the gate bias voltage applied to the gate bias terminal 24 acts on both the FET 15 and the FET 12,
Not only the gate-source capacitance C g of the FET15 but also the gate-source capacitance C g ′ of the FET12 changes with the gate bias voltage, which has the effect of widening the variable range of the oscillation frequency of the microwave oscillator. .
第３図は本発明のマイクロ波発振器の第３の実施例で
あり、第１図と同一箇所には同一番号を付して説明す
る。第３図において31は負性抵抗回路、13は共振回路で
あり、負性抵抗回路31以外の回路構成は第１図と全く同
一である。負性抵抗回路31はFET12のドレイン接地型回
路構成になっている。FET12のソース端子32に終端が接
地されたチョーク線路33とソース・バイアス抵抗34が直
列に接続されている。FET12のゲート端子14は高抵抗35
を介して接地されている。FET12のドレイン端子36には
高周波短絡キャパシタ37で終端を高周波的に接地された
ドレイン・インダクタ38が接続されている。39はマイク
ロ波発振器の出力端子、40はFET12のドレイン・バイア
ス端子である。FIG. 3 shows a third embodiment of the microwave oscillator of the present invention. The same parts as those in FIG. In FIG. 3, 31 is a negative resistance circuit, 13 is a resonance circuit, and the circuit configuration other than the negative resistance circuit 31 is exactly the same as that in FIG. The negative resistance circuit 31 has a drain-grounded circuit configuration of the FET 12. A choke line 33 whose terminal is grounded and a source bias resistor 34 are connected in series to the source terminal 32 of the FET 12. Gate terminal 14 of FET12 has high resistance 35
Grounded through. The drain terminal 36 of the FET 12 is connected to a drain inductor 38 whose terminal is grounded at a high frequency by a high frequency short-circuit capacitor 37. 39 is the output terminal of the microwave oscillator, and 40 is the drain / bias terminal of the FET 12.
上記第３図に示した実施例では、負性抵抗回路31とと
もに、共振回路13はFETで構成されているため、マイク
ロ波発振器全体を容易にMMIC化できる。また、出力端子
が２ケ所（出力端子19,39）あり、それらの出力端子19,
39はアイソレーションされているため、発振出力を２分
配するための分配器が不要になると同時に、負荷相互の
影響を除去することができる。In the embodiment shown in FIG. 3, since the resonance circuit 13 is composed of the FET together with the negative resistance circuit 31, the entire microwave oscillator can be easily made into an MMIC. Also, there are two output terminals (output terminals 19, 39).
Since 39 is isolated, a divider for dividing the oscillation output into two becomes unnecessary, and at the same time, the influence of mutual loads can be eliminated.
第４図は本発明のマイクロ波発振器の第４の実施例で
あり、第２図と同一箇所には同一番号を付して説明す
る。第４図において41は負性抵抗回路、26は共振回路で
あり、負性抵抗回路41以外の回路構成は第２図と全く同
じである。負性抵抗回路41はFET12のドレイン接地型回
路構成になっている。FET12のソース端子42に終端が接
地されたチョーク線路43が接続されている。FET12のド
レイン端子46には高周波短絡キャパシタ47で終端を高周
波的に接地されたドレイン・インダクタ48が接続されて
いる。49はマイクロ波発振器の出力端子、50はFET12の
ドレイン・バイアス端子である。FIG. 4 shows a fourth embodiment of the microwave oscillator of the present invention. The same parts as those in FIG. In FIG. 4, 41 is a negative resistance circuit, 26 is a resonance circuit, and the circuit configuration other than the negative resistance circuit 41 is exactly the same as in FIG. The negative resistance circuit 41 has a drain-grounded circuit configuration of the FET 12. A choke line 43 whose end is grounded is connected to the source terminal 42 of the FET 12. The drain terminal 46 of the FET 12 is connected to a drain inductor 48 whose end is grounded at high frequency by a high frequency short-circuit capacitor 47. 49 is an output terminal of the microwave oscillator, and 50 is a drain / bias terminal of the FET 12.
上記第４図に示した実施例では、負性抵抗回路41とと
もに、共振回路26はFETで構成されているため、マイク
ロ波発振器全体を容易にMMIC化できる。また、出力端子
が２ケ所（出力端子19,49）あり、それらの出力端子19,
49はアイソレーションされているため、発振出力を２分
配するための分配器が不要になると同時に、負荷相互の
影響を除去することができる。更に、ゲート・バイアス
端子24に印加されるゲート・バイアス電圧はFET15とFET
12の両方に作用するため、FET15のゲート・ソース間容
量Cgのみならず、FET12のゲート・ソース間容量Cg′も
ゲート・バイアス電圧に対して変化するため、マイクロ
波発振器の発振周波数の可変範囲を広くできる効果を有
する。In the embodiment shown in FIG. 4, since the resonance circuit 26 is composed of the FET together with the negative resistance circuit 41, the entire microwave oscillator can be easily made into an MMIC. Also, there are two output terminals (output terminals 19, 49).
Since 49 is isolated, a divider for dividing the oscillation output into two is unnecessary, and at the same time, the mutual influence of the loads can be eliminated. Further, the gate bias voltage applied to the gate bias terminal 24 is FET15 and FET
To affect both 12, not only the gate-source capacitance C g of FET 15, to vary with capacitive C g 'even if the gate bias voltage between the gate and source of the FET 12, the oscillation frequency of the microwave oscillator This has the effect of widening the variable range.
以上説明した実施例で、負性抵抗回路に共振回路を接
続した構成の負性抵抗型のマイクロ波発振器となってい
るが、必ずしも実施例で説明した構成によらなくてもよ
い。例えば、FETによる帰還容量回路と、FET増幅器で構
成される帰還型マイクロ波発振器でもよいことは言うま
でもない。又、第３から第４の実施例では負性抵抗回路
としてFETのドレイン接地型になっているが、必ずしも
ドレイン接地型である必要はなく、負性抵抗回路として
機能すればソース接地型でもゲート接地型でもよいこと
は言うまでもない。In the embodiment described above, the negative resistance type microwave oscillator has the configuration in which the resonance circuit is connected to the negative resistance circuit, but it does not necessarily have to be the configuration described in the embodiment. For example, it goes without saying that a feedback type microwave oscillator composed of a feedback capacitance circuit using an FET and an FET amplifier may be used. Further, in the third to fourth embodiments, the negative resistance circuit is the drain ground type of the FET, but it is not always necessary to be the drain ground type, and if it functions as the negative resistance circuit, the source ground type may be used. It goes without saying that it may be a ground type.
発明の効果 以上のように本発明による実施例では、共振回路ある
いは帰還容量回路に用いる可変容量素子にFETのゲート
・ソース間容量あるいはゲート・ドレイン間容量を用い
ているので、FETで構成される負性抵抗回路や帰還増幅
器とともにマイクロ波発振器全体をMMIC化できる。しか
も、マイクロ波発振器の出力端子と負性抵抗回路との間
には可変容量素子と増幅素子の機能を共用したFETが介
在するように構成されているため、負荷変動に強い発振
器が実現できるものである。As described above, in the embodiment according to the present invention, since the gate-source capacitance or the gate-drain capacitance of the FET is used for the variable capacitance element used in the resonance circuit or the feedback capacitance circuit, it is configured by the FET. The entire microwave oscillator can be integrated into an MMIC together with the negative resistance circuit and the feedback amplifier. Moreover, since the FET sharing the functions of the variable capacitance element and the amplification element is interposed between the output terminal of the microwave oscillator and the negative resistance circuit, an oscillator resistant to load fluctuations can be realized. Is.
第１図は本発明の第１の実施例におけるマイクロ波発振
器の構成図、第２図は本発明の第２の実施例によるマイ
クロ波発振器の構成図、第３図，第４図はそれぞれ本発
明の第３、第４の実施例におけるマイクロ波発振器の構
成図、第５図は従来のマイクロ波発振器の構成図であ
る。 11,11′,31,41……負性抵抗回路、12,15……FET、13,2
6,53,63……共振回路、13′……増幅器、14,16……ゲー
ト端子、17……ストリップ線路、18……出力整合回路、
19,39,49……出力端子、20,21……直流阻止キャパシ
タ、22,37,47……高周波短絡キャパシタ、23,35……ゲ
ート・バイアス抵抗、24……ゲート・バイアス端子、2
5,40,50……ドレイン・バイアス端子、32,42……ソース
端子、33,43……チョーク線路、34……ソース・バイア
ス抵抗、36,46,51,61……ドレイン端子、38,48……ドレ
イン・インダクタ。FIG. 1 is a configuration diagram of a microwave oscillator according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram of a microwave oscillator according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. FIG. 5 is a configuration diagram of a microwave oscillator according to the third and fourth embodiments of the invention, and FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional microwave oscillator. 11,11 ′, 31,41 …… Negative resistance circuit, 12,15 …… FET, 13,2
6,53,63 …… Resonance circuit, 13 ′ …… Amplifier, 14,16 …… Gate terminal, 17 …… Strip line, 18 …… Output matching circuit,
19,39,49 …… Output terminal, 20,21 …… DC blocking capacitor, 22,37,47 …… High frequency short-circuit capacitor, 23,35 …… Gate bias resistance, 24 …… Gate bias terminal, 2
5,40,50 …… Drain bias terminal, 32,42 …… Source terminal, 33,43 …… Choke line, 34 …… Source bias resistance, 36,46,51,61 …… Drain terminal, 38, 48 …… Drain inductor.
フロントページの続き (72)発明者 田中 年秀 門真市大字門真1006番地 松下電器産業 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭54−78060（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−51292（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−186360（ＪＰ，Ａ) 実開 昭49−80145（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭44−19161（ＪＰ，Ｂ１)Front page continuation (72) Inventor Toshihide Tanaka 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) Reference JP-A-54-78060 (JP, A) JP-A-51-51292 (JP, A) ) Japanese Patent Laid-Open No. 59-186360 (JP, A) Actually developed 49-80145 (JP, U) JP-B 44-19161 (JP, B1)
Claims (4)
１のFETによる負性抵抗回路を構成し、第２のFETを増幅
素子としてのみならず、前記第２のFETの第２のゲート
端子にゲート・バイアス電圧を加えることにより可変容
量素子としても機能させて、前記負性抵抗回路内の第１
のFETの第１のゲート端子にインダクタと前記第２のFET
の可変容量素子とによる直列共振回路を接続するととも
に、前記第２のFETを発振信号の増幅回路としても動作
させたことを特徴とするマイクロ波発振器。Claim: What is claimed is: 1. A first FET is made to function as an amplifying element to form a negative resistance circuit by the first FET, and the second FET is used not only as an amplifying element, but also as a second FET of the second FET. The gate bias voltage is applied to the gate terminal so that the gate terminal also functions as a variable capacitance element, and
And an inductor at the first gate terminal of the second FET and the second FET
And a series resonance circuit formed by the variable capacitance element, and the second FET is also operated as an oscillation signal amplification circuit.
の第２のゲート端子とを接続し、第１のゲート端子と第
２のゲート端子とに共通のゲート・バイアス電圧を加え
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマイク
ロ波発振器。2. A first gate terminal of the first FET and a second FET
2. The microwave oscillator according to claim 1, further comprising a common gate bias voltage applied to the first gate terminal and the second gate terminal by connecting the second gate terminal to the second gate terminal. .
１のFETの第１のゲート端子より前記第１のFET側を見た
インピーダンスを負性抵抗性にしたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のマイクロ波発振器。3. The first FET is a grounded-drain type, and the impedance viewed from the first gate terminal of the first FET toward the first FET is negative resistance. The microwave oscillator according to claim 1.
のFETの第１のゲート端子より前記第１のFET側を見たイ
ンピーダンスを負性抵抗性にしたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のマイクロ波発振器。4. The source-grounded type of the first FET, the first FET
2. The microwave oscillator according to claim 1, wherein the impedance of the FET as viewed from the first gate side of the FET is negative resistance.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61051180A JP2537791B2 (en) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | Microwave oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61051180A JP2537791B2 (en) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | Microwave oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62207006A JPS62207006A (en) | 1987-09-11 |
| JP2537791B2 true JP2537791B2 (en) | 1996-09-25 |
Family
ID=12879639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61051180A Expired - Lifetime JP2537791B2 (en) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | Microwave oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2537791B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4728908A (en) * | 1987-01-05 | 1988-03-01 | American Telephone And Telegraph Company | Oscillator circuit utilizing multiple semiconductor devices |
| JP4305618B2 (en) * | 2002-12-06 | 2009-07-29 | 日本電気株式会社 | Negative resistance circuit and active filter |
| JP4921897B2 (en) * | 2006-09-05 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | Magnetic sensor |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4980145U (en) * | 1972-10-30 | 1974-07-11 | ||
| JPS5151292A (en) * | 1975-05-14 | 1976-05-06 | Hitachi Ltd | KAHENYORY OSOSHI |
| JPS5478060A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-21 | Fujitsu Ltd | Microwave oscillator |
| JPS59186360A (en) * | 1983-04-07 | 1984-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | Monolithic microscopic integrated circuit |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP61051180A patent/JP2537791B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62207006A (en) | 1987-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2892452B2 (en) | Amplifier circuit | |
| JPH0669002B2 (en) | High frequency amplifier | |
| JP3381283B2 (en) | Variable reactance circuit and variable matching circuit using the same | |
| JP2537791B2 (en) | Microwave oscillator | |
| JPH06232657A (en) | High frequency amplifier | |
| JP3006252B2 (en) | Semiconductor amplifier | |
| JPS6115617Y2 (en) | ||
| JPH08204472A (en) | High frequency amplifier circuit | |
| JPH01101008A (en) | Crystal oscillation circuit | |
| JPH02202205A (en) | Integrated semiconductor circuit | |
| JPH0766659A (en) | Microwave amplifier | |
| JPH05175758A (en) | Microwave integrated circuit device | |
| JP3325732B2 (en) | Voltage controlled piezoelectric oscillator | |
| JPH0246011A (en) | High frequency/high output mixing integrated circuit | |
| JPH0535923B2 (en) | ||
| JPH0766609A (en) | Impedance matching circuit | |
| JPH06276038A (en) | High frequency low noise amplifier | |
| JP3830235B2 (en) | High frequency amplifier | |
| JP2633368B2 (en) | Microwave integrated circuit | |
| JPH01269304A (en) | Output impedance control circuit | |
| JP2925567B2 (en) | High frequency oscillator | |
| JPS5947485B2 (en) | FET self-oscillation mixing circuit | |
| JPH0271602A (en) | Oscillation circuit | |
| JPS6256004A (en) | Microwave oscillator | |
| JPS62209905A (en) | Frequency variable mechanism for oscillator |