JP2537574Y2 - Semiconductor laser module - Google Patents

Semiconductor laser module

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JP2537574Y2
JP2537574Y2 JP1990070789U JP7078990U JP2537574Y2 JP 2537574 Y2 JP2537574 Y2 JP 2537574Y2 JP 1990070789 U JP1990070789 U JP 1990070789U JP 7078990 U JP7078990 U JP 7078990U JP 2537574 Y2 JP2537574 Y2 JP 2537574Y2
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【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、ペルチェ効果を利用したペルチェ素子に関
し、特に半導体レーザモジュールに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a Peltier device using the Peltier effect, and more particularly to a semiconductor laser module.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ペルチェ素子とは、ペルチェ効果(異種の導体の接点
に電流を流すとき、該接点においてジュール熱以外の熱
の発生または吸収が起こる現象)を利用した素子であ
り、主に半導体部品等の冷却に使用されるものである。
特に半導体レーザ(LD)に安定した発光をさせるために
は、このペルチェ素子による冷却が必要である。
A Peltier element is an element that utilizes the Peltier effect (a phenomenon in which heat is generated or absorbed other than Joule heat at a contact between different types of conductors when a current flows through the contact), and is mainly used for cooling semiconductor components and the like. What is used.
In particular, in order to cause a semiconductor laser (LD) to emit light stably, cooling by this Peltier element is necessary.

第4図はこの種のペルチェ素子11を示す図である。 FIG. 4 shows a Peltier element 11 of this type.

同図に示すようにこのペルチェ素子11は、2つの異な
る導体A,Bを交互に接続するとともに、その接点a,b,c,
d,eが交互に上下となるように構成されている。
As shown in the figure, the Peltier element 11 connects two different conductors A and B alternately, and has contacts a, b, c,
It is configured such that d and e are alternately up and down.

そしてこのペルチェ素子11に同図の左側から電流Iを
流すと、上側の接点a,c,eで吸熱が生じ、下側の接点b,d
で発熱が生じる。なお導体A,Bの種類によっては吸熱と
発熱が逆になる。
When a current I flows through the Peltier element 11 from the left side of the figure, heat is absorbed at the upper contacts a, c, and e, and the lower contacts b, d
Generates heat. Note that heat absorption and heat generation are reversed depending on the types of the conductors A and B.

ここである接点における単位時間に発生する熱量Q
(マイナスならば吸熱)は、該接点に流す電流をIとす
れば、 Q=PAB・I 但しPABは導体A,B間のペルチェ係数が成り立つ。
Here, the heat quantity Q generated per unit time at the contact point
(If negative, endothermic), if the current flowing through the contact is I, Q = P AB · I where P AB is a Peltier coefficient between conductors A and B.

第5図はこのようなペルチェ素子11を利用した平面状
ペルチェ素子85を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a planar Peltier device 85 using such a Peltier device 11. As shown in FIG.

同図に示すようにこの平面状ペルチェ素子85は、前記
第4図に示すペルチェ素子11を並列に複数個(同図にお
いては5個)並べ、その上下面導熱板86,87で挾んで構
成されている。
As shown in the figure, the planar Peltier element 85 is constituted by arranging a plurality of Peltier elements 11 shown in FIG. 4 in parallel (five in FIG. 4), and sandwiching the upper and lower heat conduction plates 86 and 87. Have been.

そしてそれぞれのペルチェ素子11に一方の側から電流
Iを流せば、一方の導熱板86(又は87)は冷却され、他
方の導熱板87(又は86)は加熱されるのである。
When a current I is applied to each Peltier element 11 from one side, one heat conducting plate 86 (or 87) is cooled and the other heat conducting plate 87 (or 86) is heated.

〔考案が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

ところで、半導体レーザ(LD)や発光ダイオード(LE
D)やフォトダイオード(PD)等の素子90の多くは、第
6図にその斜視図を示すように、CAN TYPEに構成されて
おり、円筒型をしている。
By the way, semiconductor laser (LD) and light emitting diode (LE
Many of the elements 90 such as D) and photodiode (PD) are configured in a CAN TYPE as shown in a perspective view in FIG. 6, and have a cylindrical shape.

このため上記平面状ペルチェ素子85をこれら円筒型の
素子90に取り付ける場合には、例えば第7図に示すよう
に、素子90と平面状ペルチェ素子85の間に熱伝導用部品
88を介在せしめる必要があった。しかしながらこのよう
に構成すると、部品点数が増えるばかりか、その製造コ
ストも高くなり、また素子90の冷却効率も悪くなるとい
う問題点があった。
Therefore, when attaching the planar Peltier element 85 to these cylindrical elements 90, for example, as shown in FIG.
It was necessary to intervene 88. However, with this configuration, there are problems that not only the number of components increases, but also the manufacturing cost increases, and the cooling efficiency of the element 90 deteriorates.

またこの平面状ペルチェ素子85は、平面状であり周囲
の空間に対してオープンであるため、第8図に示すよう
に、該平面状ペルチェ素子85で発生した熱は素子90に伝
わるだけでなく、空間に伝わって逃げ易く、また一方の
面で生じた熱が他方の面に回り込み易い。このため発生
した熱がロスしてしまうという問題点もあった。
Further, since the planar Peltier element 85 is planar and open to the surrounding space, the heat generated by the planar Peltier element 85 not only transfers to the element 90 but also as shown in FIG. The heat is easily transmitted to the space and escapes, and the heat generated on one surface is easily spilled to the other surface. For this reason, there has been a problem that generated heat is lost.

さらに第9図に示すように、この平面状ペルチェ素子
85の一方の面に物体91を接触させた場合、該物体91にと
っては平面状ペルチェ素子85との接触面からのみ熱の出
入りが生じることとなる。このため該物体91内部に温度
勾配が生じ易いという問題点もあった。
Further, as shown in FIG. 9, this planar Peltier device
When the object 91 is brought into contact with one surface of the 85, heat flows into and out of the object 91 only from the contact surface with the planar Peltier element 85. Therefore, there is also a problem that a temperature gradient is easily generated inside the object 91.

本考案は上述の点に鑑みてなされたものでり、円筒型
の素子に取り付け易く、また発生した熱がロスしにく
く、さらに冷却・加熱を行なう物体内部に温度勾配が生
じにくい円筒型ペルチェ素子を用いてなる半導体レーザ
モジュールを提供することにある。
The present invention has been made in view of the above points, and is a cylindrical Peltier element which is easy to be attached to a cylindrical element, hardly loses generated heat, and hardly generates a temperature gradient inside an object to be cooled and heated. And a semiconductor laser module using the same.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記問題点を解決するため本考案は、異なる材料から
なる導体を交互に接続することで該導体に所定方向の電
流を流したときに発熱する接点群と吸熱する接点群とを
設けるとともに各導体を前記発熱する接点群と吸熱する
接点群の内のいずれか一方の群が内側となり他方の群が
外側となるように筒状に形成し且つ該導体の内周面と外
周面にそれぞれ前記各接点群に接触する熱伝導筒を取り
付けてなる円筒型ペルチェ素子と、半導体レーザと、集
光レンズと、光アイソレータとを具備し、前記半導体レ
ーザと集光レンズと光アイソレータの外形形状をいずれ
も前記円筒型ペルチェ素子の内側の熱伝導筒の内部形状
と略同一寸法形状に形成し、該熱伝導筒内に前記半導体
レーザと集光レンズと光アイソレータを収納した。
In order to solve the above problems, the present invention provides a contact group that generates heat when a current flows in a predetermined direction by alternately connecting conductors made of different materials, and a contact group that absorbs heat. The heat-generating contact group and the heat-absorbing contact group are formed in a cylindrical shape such that one of the groups is inside and the other group is outside, and the conductors are formed on the inner and outer peripheral surfaces of the conductor, respectively. It comprises a cylindrical Peltier element having a heat conduction tube in contact with the contact group, a semiconductor laser, a condenser lens, and an optical isolator, and each of the semiconductor laser, the condenser lens, and the optical isolator has an outer shape. The semiconductor laser, the condenser lens, and the optical isolator were housed in the heat conduction cylinder in a shape substantially the same as the internal shape of the heat conduction cylinder inside the cylindrical Peltier element.

〔作用〕[Action]

上記の如く円筒型ペルチェ素子1,8を構成することに
より、円筒形の物体(例えばCAN TYPEの半導体レーザ)
を冷却する場合、円筒型ペルチェ素子1,8の内部に該物
体を収納するだけで該物体を直接且つ簡単に冷却するこ
とができる。
By configuring the cylindrical Peltier elements 1 and 8 as described above, a cylindrical object (for example, a semiconductor laser of CAN type)
Can be cooled directly and simply by storing the object inside the cylindrical Peltier elements 1 and 8.

また円筒の内周面の全てで吸熱(或いは発熱)が生
じ、また該内周面は半ば密閉されている。従って、外部
空間との間で生ずる熱のロスが少なくなり、また外周面
で生じる熱の回り込みが少なくなる。
In addition, heat is absorbed (or generated) by the entire inner peripheral surface of the cylinder, and the inner peripheral surface is partially closed. Therefore, the heat loss generated between the outer space and the external space is reduced, and the heat flowing around the outer peripheral surface is reduced.

また円筒内に収納された物体は、該物体の外周面全体
から冷却或いは加熱される。このため該物体内に温度勾
配が生じにくくなる。
The object stored in the cylinder is cooled or heated from the entire outer peripheral surface of the object. Therefore, a temperature gradient hardly occurs in the object.

さらに円筒の内周面より外周面の法がその表面積が広
いのでその放熱効率が良くなる。
Further, since the surface area of the outer peripheral surface is larger than that of the inner peripheral surface of the cylinder, the heat radiation efficiency is improved.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本考案の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は本考案の1実施例に用いる円筒型ペルチェ素
子1を示す図であり、同図(a)は分解斜視図、同図
(b)は斜視図、同図(c)は側断面図である。
FIG. 1 is a diagram showing a cylindrical Peltier element 1 used in one embodiment of the present invention, wherein FIG. 1 (a) is an exploded perspective view, FIG. 1 (b) is a perspective view, and FIG. FIG.

同図に示すようにこの円筒型ペルチェ素子1は、交互
に連結された導体C,Dと熱伝導筒2,3によって構成されて
いる。
As shown in FIG. 1, the cylindrical Peltier element 1 is composed of conductors C and D and heat conductive tubes 2 and 3 connected alternately.

ここで導体Cは、径の異なる2つの円筒部4,5を一体
に連結した形状を有している。
Here, the conductor C has a shape in which two cylindrical portions 4 and 5 having different diameters are integrally connected.

また導体Dは導体Cと同一形状であり、径の異なる2
つの円筒部6,7を一体に連結した形状を有している。
The conductor D has the same shape as the conductor C, and has a different diameter.
It has a shape in which two cylindrical portions 6, 7 are integrally connected.

ここで導体Cと導体Dは、両者の接点において有効な
ペルチェ効果が生ずるように、異なる材料で構成されて
いる。
Here, the conductor C and the conductor D are made of different materials so that an effective Peltier effect occurs at the contact point between them.

また熱伝導筒2,3は熱伝導立の高いセラミック等で作
製され、熱伝導筒2の内径は前記導体C,Dの円筒部5,6の
外形とほぼ同一であり、熱伝導筒3の外形は前記導体C,
Dの円筒部4,7の内径とほぼ同一である。
The heat conducting cylinders 2 and 3 are made of a ceramic or the like having a high heat conduction. The inner diameter of the heat conducting cylinder 2 is almost the same as the outer shape of the cylindrical portions 5 and 6 of the conductors C and D. The outer shape is the conductor C,
It is almost the same as the inner diameter of the cylindrical portions 4 and 7 of D.

そしてこの円筒型ペルチェ素子1は、導体Cと導体D
を交互に両者の径が一致するように接続した後、その外
周に熱伝導筒2を、内周に熱伝導筒3をそれぞれ挿入し
て固定することによって作製される。
The cylindrical Peltier element 1 has a conductor C and a conductor D
Are alternately connected so that their diameters match each other, and then the heat conductive tube 2 is inserted into the outer periphery and the heat conductive tube 3 is inserted into the inner periphery and fixed.

そして例えば同図(c)に示す矢印方向に電流Iを流
せば、円筒型ペルチェ素子1の外周側の熱伝導筒2では
発熱(或いは吸熱)が生じ、内周側の熱伝導筒3では吸
熱(或いは発熱)が生じるのである。
If, for example, a current I is passed in the direction of the arrow shown in FIG. 3C, heat generation (or heat absorption) occurs in the heat conduction cylinder 2 on the outer peripheral side of the cylindrical Peltier element 1, and heat absorption occurs in the heat conduction cylinder 3 on the inner peripheral side. (Or heat).

次に第2図は本考案の他の実施例を示す分解斜視図で
ある。
Next, FIG. 2 is an exploded perspective view showing another embodiment of the present invention.

同図に示すようにこの円筒型ペルチェ素子8は、内筒
となる第1の熱伝導筒9の外周上の軸線方向に、前記第
4図に示すペルチェ素子11を複数個並列に取り付け、さ
らにその外周に外筒となる第2の熱伝導筒10を被せて固
定することによって作製されている。
As shown in the figure, this cylindrical Peltier element 8 has a plurality of Peltier elements 11 shown in FIG. 4 attached in parallel in the axial direction on the outer periphery of a first heat conduction cylinder 9 serving as an inner cylinder. It is manufactured by covering and fixing a second heat conduction cylinder 10 as an outer cylinder on its outer periphery.

ここで第1の熱伝導筒9と第2の熱伝導筒10はいずれ
も熱伝導率の高いセラミック等で作製されている。
Here, the first heat conduction cylinder 9 and the second heat conduction cylinder 10 are both made of ceramic having a high thermal conductivity.

そしてこの複数のペルチェ素子11に例えば同図に示す
矢印方向から電流Iを流せば、第1の熱伝導筒9に接し
た全ての接点で吸熱(或いは発熱)が生じ、第2の熱伝
導筒10に接した全ての接点で発熱(或いは吸熱)が生じ
る。
When a current I is applied to the plurality of Peltier elements 11 in, for example, the direction of the arrow shown in the figure, heat is absorbed (or generated) at all the contacts in contact with the first heat conduction cylinder 9 and the second heat conduction cylinder Heat generation (or heat absorption) occurs at all the contacts in contact with 10.

これによって第1の熱伝導筒9は冷却(或いは加熱)
され、第2の熱伝導筒10は加熱(或いは冷却)されるこ
ととなる。
Thereby, the first heat conduction cylinder 9 is cooled (or heated).
Then, the second heat conduction cylinder 10 is heated (or cooled).

第3図はこれら円筒型ペルチェ素子1或いは8を用い
て構成した半導体レーザモジュールを示す概略側断面図
である。
FIG. 3 is a schematic side sectional view showing a semiconductor laser module constituted by using these cylindrical Peltier elements 1 or 8.

同図に示すようにこの半導体レーザモジュールは、CA
N TYPEの円筒型の半導体レーザ20の直前に、該半導体レ
ーザ20から発射されたレーザ光を平行光とする集光レン
ズ21を配設し、さらにその前に戻り光を排除する光アイ
ソレータ22を配設して構成されている。
As shown in FIG.
Immediately before the N-type cylindrical semiconductor laser 20, a condensing lens 21 for collimating the laser light emitted from the semiconductor laser 20 is provided, and before that, an optical isolator 22 for eliminating return light is provided. It is arranged and configured.

そしてこれら半導体レーザ20と集光レンズ21と光アイ
ソレータ22の外周は、円筒状に構成されている。
The outer circumferences of the semiconductor laser 20, the condenser lens 21, and the optical isolator 22 are formed in a cylindrical shape.

従ってこれら半導体レーザモジュールの各部品は、本
考案にかかる円筒型ペルチェ素子1或いは8内に容易に
組み込める。
Therefore, each component of the semiconductor laser module can be easily incorporated into the cylindrical Peltier device 1 or 8 according to the present invention.

そしてこの円筒型ペルチェ素子1或いは8によって、
半導体レーザ20と光アイソレータ22の温度調整が図られ
るのである。
And by this cylindrical Peltier element 1 or 8,
The temperature of the semiconductor laser 20 and the optical isolator 22 is adjusted.

ところで発熱する半導体レーザ20を組み込んだ半導体
レーザモジュールではモジュール内のごく限られた部分
のみの発熱となり、半導体レーザモジュール内での温度
勾配が大きくなってその特性が変化してしまう恐れがあ
る。
By the way, in a semiconductor laser module in which the semiconductor laser 20 that generates heat is incorporated, heat is generated only in a very limited part in the module, and there is a possibility that the temperature gradient in the semiconductor laser module becomes large and its characteristics change.

また温度勾配により各光学部品の位置精度(半導体レ
ーザモジュールの位置精度はμm単位の精度を必要とす
る)に影響を与え、位置誤差によって半導体レーザモジ
ュール全体の性能を劣化してしまう恐れがある。
Also, the temperature gradient affects the positional accuracy of each optical component (the positional accuracy of the semiconductor laser module requires an accuracy in the order of μm), and the positional error may degrade the performance of the entire semiconductor laser module.

これに対して上記半導体レーザモジュールは、円筒型
ペルチェ素子1の内周に熱伝導筒3を取り付けて半導体
レーザ20の発熱を吸収することで半導体レーザモジュー
ル各部の温度勾配をなくすとともに半導体レーザモジュ
ール全体の温度を一定にすることで、各光学部品の特性
を一定にするとともに位置精度をμm単位で一定にでき
る。
On the other hand, in the above-mentioned semiconductor laser module, the heat conduction tube 3 is attached to the inner periphery of the cylindrical Peltier element 1 to absorb the heat generated by the semiconductor laser 20, thereby eliminating the temperature gradient of each part of the semiconductor laser module and the entire semiconductor laser module. By keeping the temperature constant, the characteristics of each optical component can be kept constant and the positional accuracy can be kept constant in units of μm.

従って、半導体レーザ20の安定した発光が確保でき、
また光アイソレータ22と集光レンズ21の温度が一定に保
たれ、また各光学部品に位置ずれは生じず、各光学部品
の特性のみならず半導体レーザモジュール全体の特性も
安定する。
Therefore, stable light emission of the semiconductor laser 20 can be secured,
In addition, the temperature of the optical isolator 22 and the condenser lens 21 is kept constant, and no displacement occurs in each optical component, so that not only the characteristics of each optical component but also the characteristics of the entire semiconductor laser module are stabilized.

そして以上の円筒型ペルチェ素子1或いは8によれ
ば、該円筒型ペルチェ素子1或いは8の内周面の全てで
吸熱(或いは発熱)が生じ、また該内周面は半ば密閉さ
れているので、外部空間との間で生ずる熱のロスが少な
くなり、また外周面で生じる熱の内周面側への回り込み
が少なくなる。
According to the cylindrical Peltier element 1 or 8, heat absorption (or heat generation) occurs on the entire inner peripheral surface of the cylindrical Peltier element 1 or 8, and the inner peripheral surface is semi-sealed. The loss of heat generated between the outer space and the outer space is reduced, and the amount of heat generated on the outer circumferential surface to the inner circumferential surface side is reduced.

一方円筒型ペルチェ素子1或いは8内に収納された素
子は、該素子は外周面全体から冷却或いは加熱されるた
め、該素子内に温度勾配が生じにくくなる。
On the other hand, since the element housed in the cylindrical Peltier element 1 or 8 is cooled or heated from the entire outer peripheral surface, a temperature gradient hardly occurs in the element.

さらに円筒型ペルチェ素子1或いは8の内周面より外
周面の方がその表面積が広いのでその放熱効率が良くな
る。
Further, since the outer peripheral surface has a larger surface area than the inner peripheral surface of the cylindrical Peltier element 1 or 8, the heat radiation efficiency is improved.

以上本考案に係る円筒型ペルチェ素子の実施例を詳細
に説明したが、本考案はこれに限定されるものではなく
種々の変形が可能であり、要は、所定方向の電流を流し
たときに発熱する接点群と、吸熱する接点群を具備する
ペルチェ素子であって、前記発熱する接点群と吸熱する
接点群の内のいずれか一方の群が内側となり他方の群が
外側となるように前記ペルチェ素子を筒状に形成する構
造を有するものであればどのような形状・構造であって
もよいのである。
Although the embodiment of the cylindrical Peltier device according to the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited to this, and various modifications are possible, in short, when a current in a predetermined direction is applied. A Peltier element including a heat-generating contact group and a heat-absorbing contact group, wherein one of the heat-generating contact group and the heat-absorbing contact group is inside and the other group is outside. Any shape and structure may be used as long as it has a structure in which the Peltier element is formed in a cylindrical shape.

〔考案の効果〕[Effect of the invention]

以上詳細に説明したように、本考案にかかる半導体レ
ーザモジュールによれば、以下のような優れた効果を有
する。
As described in detail above, the semiconductor laser module according to the present invention has the following excellent effects.

半導体レーザと集光レンズと光アイソレータの外形形
状をいずれも円筒型ペルチェ素子の内側の熱伝導筒の内
部形状と略同一寸法形状に形成したので、該円筒型ペル
チェ素子内部に直接半導体レーザ等を組み込むだけでモ
ジュール化でき、その組み立てを容易にできるばかり
か、部品点数を少なくできる。
Since the outer shapes of the semiconductor laser, the condenser lens, and the optical isolator were all formed to have substantially the same dimensions as the inner shape of the heat conducting tube inside the cylindrical Peltier device, a semiconductor laser or the like was directly placed inside the cylindrical Peltier device. It can be modularized simply by assembling, and not only can its assembly be facilitated, but also the number of parts can be reduced.

円筒型ペルチェ素子の内周に熱伝導筒を取り付けると
同時に該熱伝導筒の外周に接点群を接触したので、該熱
伝導筒の内周に接触する半導体レーザの発熱を効率良く
吸収できて半導体レーザモジュール各部の温度勾配をな
くすとともに半導体レーザモジュール全体の温度を一定
にすることができ、各光学部品の特性を一定にするとと
もに位置精度をμm単位で一定にできる。特に半導体レ
ーザモジュールは光学部品なので、微小な温度変化やμ
m単位の位置誤差であってもその光学的特性が大きく変
化するので、上記円筒型ペルチェ素子による温度の冷却
と均一化は重要である。
Since the heat conduction cylinder was attached to the inner periphery of the cylindrical Peltier element and the contact group contacted the outer periphery of the heat conduction cylinder at the same time, the heat generated by the semiconductor laser contacting the inner periphery of the heat conduction cylinder could be efficiently absorbed and the semiconductor The temperature gradient of each part of the laser module can be eliminated, the temperature of the entire semiconductor laser module can be kept constant, the characteristics of each optical component can be kept constant, and the positional accuracy can be kept constant in μm. Especially, since the semiconductor laser module is an optical component, it is necessary to
Even if the positional error is in the unit of m, its optical characteristics change greatly. Therefore, it is important to cool and equalize the temperature by the cylindrical Peltier element.

円筒型ペルチェ素子の内部は半ば密閉状態となるた
め、該円筒型ペルチェ素子の外周面で生じた熱や外部空
間の熱は該内部に影響しにくく、熱のロスが少なくな
り、冷却効率(或いは加熱効率)が向上する。
Since the inside of the cylindrical Peltier element is in a semi-closed state, heat generated on the outer peripheral surface of the cylindrical Peltier element and heat of the external space hardly affect the inside, heat loss is reduced, and cooling efficiency (or cooling efficiency) is reduced. Heating efficiency) is improved.

また円筒型ペルチェ素子の内部に収納された物体は、
該物体の外周面全体が冷却或いは加熱されるため、該物
体内に温度勾配が生じにくくなる。
The object stored inside the cylindrical Peltier device is
Since the entire outer peripheral surface of the object is cooled or heated, a temperature gradient hardly occurs in the object.

さらに円筒型ペルチェ素子の内周面より外周面の方が
その表面積が広いのでその放熱効率が良くなる。
Further, since the outer peripheral surface has a larger surface area than the inner peripheral surface of the cylindrical Peltier element, the heat radiation efficiency is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本考案の1実施例に用いる円筒型ペルチェ素子
1を示す図、第2図は本考案の他の実施例を示す分解斜
視図、第3図は円筒型ペルチェ素子1或いは8を用いて
構成した半導体レーザモジュールを示す概略側断面図、
第4図はベルチェ素子11を示す斜視図、第5図はペルチ
ェ素子11を利用した平面状ペルチェ素子85を示す斜視
図、第6図はCAN TYPEの半導体レーザ等の素子90を示す
斜視図、第7図は平面状ペルチェ素子85を素子90に取り
付ける1例を示す概略側断面図、第8図は平面状ペルチ
ェ素子85で発生した熱の周囲の空間への伝導状態を示す
図、第9図は平面状ペルチェ素子85の一方の面に物体91
を接触させた場合の該物体91内部の温度状態を示す図で
ある。 図中、1,8…円筒型ペルチェ素子、A,B,C,D…導体、I…
電流、である。
FIG. 1 is a view showing a cylindrical Peltier element 1 used in one embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view showing another embodiment of the present invention, and FIG. Schematic side sectional view showing a semiconductor laser module configured using,
FIG. 4 is a perspective view showing the Peltier element 11, FIG. 5 is a perspective view showing a planar Peltier element 85 using the Peltier element 11, FIG. 6 is a perspective view showing an element 90 such as a semiconductor laser of CAN TYPE. FIG. 7 is a schematic side sectional view showing an example of attaching the planar Peltier element 85 to the element 90, FIG. 8 is a view showing a state of conduction of heat generated by the planar Peltier element 85 to the surrounding space, and FIG. The figure shows an object 91 on one side of a planar Peltier element 85.
FIG. 3 is a diagram showing a temperature state inside the object 91 when the object 91 is brought into contact with the object. In the figure, 1,8 ... cylindrical Peltier element, A, B, C, D ... conductor, I ...
Current.

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】異なる材料からなる導体を交互に接続する
ことで該導体に所定方向の電流を流したときに発熱する
接点群と吸熱する接点群とを設けるとともに各導体を前
記発熱する接点群と吸熱する接点群の内のいずれか一方
の群が内側となり他方の群が外側となるように筒状に形
成し且つ該導体の内周面と外周面にそれぞれ前記各接点
群に接触する熱伝導筒を取り付けてなる円筒型ペルチェ
素子と、半導体レーザと、集光レンズと、光アイソレー
タとを具備し、 前記半導体レーザと集光レンズと光アイソレータの外形
形状をいずれも前記円筒型ペルチェ素子の内側の熱伝導
筒の内部形状と略同一寸法形状に形成し、該熱伝導筒内
に前記半導体レーザと集光レンズと光アイソレータを収
納したことを特徴とする半導体レーザモジュール。
1. A contact group that generates heat and a heat-absorbing contact group when a current of a predetermined direction is supplied to the conductor by alternately connecting conductors made of different materials, and the heat-generating contact group. And a heat sink that contacts the contact groups on the inner and outer peripheral surfaces of the conductor, respectively. A cylindrical Peltier device having a conductive tube attached thereto, a semiconductor laser, a condenser lens, and an optical isolator, and the outer shapes of the semiconductor laser, the condenser lens, and the optical isolator are all the same as those of the cylindrical Peltier device. A semiconductor laser module, wherein the semiconductor laser module, the condensing lens, and the optical isolator are housed in the heat conduction cylinder, and have the same dimensions as the inner heat conduction cylinder.
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