JP2533497B2 - Power control method - Google Patents
Power control methodInfo
- Publication number
- JP2533497B2 JP2533497B2 JP61188454A JP18845486A JP2533497B2 JP 2533497 B2 JP2533497 B2 JP 2533497B2 JP 61188454 A JP61188454 A JP 61188454A JP 18845486 A JP18845486 A JP 18845486A JP 2533497 B2 JP2533497 B2 JP 2533497B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- power
- power amplifier
- bias voltage
- drive amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電力増幅器の電力制御の方法に係り、特
に、駆動増幅器と電力増幅器の間に帯域フイルタを挿入
した無線機送信部の、安定な電力制御の方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power control method for a power amplifier, and more particularly, to a stable transmitter of a radio device having a band filter inserted between a drive amplifier and a power amplifier. Power control method.
従来、自動車電話器の送信部は、第２図に示すような
構成が採用されている。このような構成をとる送信部の
電力制御は、実開昭60-22016に示されるように、電力増
幅器の電源電圧を制御する方法がとられている。2. Description of the Related Art Conventionally, a transmitting unit of an automobile telephone has a structure as shown in FIG. As the power control of the transmitter having such a configuration, a method of controlling the power supply voltage of the power amplifier is adopted as shown in Japanese Utility Model Laid-Open No. 60-22016.
これに対し、ポータブル用移動電話において第３図に
示すように、駆動増幅器と電力増幅器の間に帯域フイル
タを挿入することで送信部を従来のものに比べ、大幅に
小形化したものもある（特願昭61-16711）。On the other hand, in some portable mobile phones, as shown in FIG. 3, by inserting a band filter between the drive amplifier and the power amplifier, the transmission unit is made much smaller than the conventional one ( Japanese Patent Application No. 61-16711).
ここで、上述の如く小型化した送信部の構成に、従来
のように、前述した電力増幅器の電源電圧を制御する電
力制御の方法を採用すると、以下のような問題が発生す
る。（以下、素子としてMOS-FETを使用し、電力制御用
バイアス電圧としてゲート電圧を使用した場合を例にし
て述べる。） 電力増幅器のゲート電圧を制御した場合、第４図に示
したように、Ｐ点よりみた、電力増幅器４−３の入力電
圧安在波比（VSWR）の変化、すなわち、入力インピーダ
ンスの変化が大きくなる。このインピーダンスの変化は
前述の如くして小型化された送信部構成では、駆動増幅
器４−１に対しては、帯域フイルタ４−２を介して、負
荷インピーダンス変動となる。一般に、増幅器は、出力
負荷変動に対しては、不安定となり、発振を起こしやす
い。Here, if the power control method for controlling the power supply voltage of the power amplifier as described above is adopted in the configuration of the miniaturized transmission unit as described above, the following problems occur. (Hereinafter, a case where MOS-FET is used as an element and a gate voltage is used as a bias voltage for power control will be described as an example.) When the gate voltage of a power amplifier is controlled, as shown in FIG. The change in the input voltage standing wave ratio (VSWR) of the power amplifier 4-3 viewed from the point P, that is, the change in the input impedance becomes large. In the configuration of the transmission unit which is miniaturized as described above, this change in impedance causes a load impedance variation with respect to the drive amplifier 4-1 via the band filter 4-2. In general, an amplifier becomes unstable with respect to output load fluctuations and easily oscillates.
本発明の目的は、本構成の小形化を妨げずにこの不安
定要因（発振）を防止することにある。An object of the present invention is to prevent this instability factor (oscillation) without hindering downsizing of the present configuration.
上記目的は、電力増幅器の、初段能動素子を含む、少
なくとも１個以上の能動素子のバイアス電圧を一定に保
ち、他の残りの能動素子のバイアス電圧と、駆動増幅器
のバイアス電圧を変化させて電力制御することで達成さ
れる。The above-described object is to keep the bias voltage of at least one active element including the first-stage active element of the power amplifier constant and change the bias voltage of the other remaining active elements and the bias voltage of the drive amplifier to reduce the power consumption. It is achieved by controlling.
電力増幅器の初段能動素子を含む、少なくとも１個以
上の能動素子のバイアス電圧を固定することにより、電
力制御によつて駆動増幅器の負荷インピーダンスが変動
することはない。それによつて、駆動増幅器は安定化
し、発振しなくなる。By fixing the bias voltage of at least one active element including the first-stage active element of the power amplifier, the load impedance of the drive amplifier does not change due to the power control. Thereby, the drive amplifier is stabilized and does not oscillate.
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。１
−１は駆動増幅器、１−２はSAWバンドパスフィルタ（B
PF）、１−３は電力増幅器、１−４は駆動増幅器の電力
制御用バイアス端子（ここでは、ゲート電圧端子）、１
−５は電力増幅器のゲートバイアス端子、１−６はバイ
ポーラトランジスタ、１−７〜1-10はMOS-FETである。
また、1-11は駆動増幅器のドレイン電圧端子、1-12は電
力増幅器のドレイン電圧端子、1-13は入力端子1-14は出
力端子である。本実施例においては、駆動増幅器1-11の
電力制御用バイアス端子１−４に印加するバイアス電圧
を可変とし電力制御を行ない、電力増幅器1-12のゲート
バイアス端子に印加するゲート電圧は一定としている。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. 1
-1 is a drive amplifier, 1-2 is a SAW bandpass filter (B
PF), 1-3 is a power amplifier, 1-4 is a bias terminal (here, a gate voltage terminal) for power control of a drive amplifier, 1
-5 is a gate bias terminal of the power amplifier, 1-6 is a bipolar transistor, and 1-7 to 1-10 are MOS-FETs.
Further, 1-11 is a drain voltage terminal of the drive amplifier, 1-12 is a drain voltage terminal of the power amplifier, 1-13 is an input terminal 1-14, and an output terminal. In this embodiment, the bias voltage applied to the power control bias terminal 1-4 of the drive amplifier 1-11 is variable to perform power control, and the gate voltage applied to the gate bias terminal of the power amplifier 1-12 is constant. There is.
第５図は、電力増幅器４−３に印加するバイアス電圧
を制御した場合の電力増幅器４−３の入力VSWRの変化を
示す図である。第５図中、縦軸に電力増幅器４−３の入
力VSWRを、横軸に送信部の入力端子４−６に入力される
信号の周波数（fo：動作周波数，fl≪fo）をとり、初段
のMOS-FET4-11に印加するゲート電圧VGを0V,1.0V,2.0V,
3.0V,3.5Vにそれぞれ可変した場合を●，△，□，×，
○で示している。FIG. 5 is a diagram showing changes in the input VSWR of the power amplifier 4-3 when the bias voltage applied to the power amplifier 4-3 is controlled. In FIG. 5, the vertical axis represents the input VSWR of the power amplifier 4-3, and the horizontal axis represents the frequency (f o : operating frequency, f l << f o ) of the signal input to the input terminal 4-6 of the transmitter. Then, the gate voltage V G applied to the first stage MOS-FET 4-11 is 0V, 1.0V, 2.0V,
When changing to 3.0V and 3.5V respectively, ●, △, □, ×,
It is indicated by ○.
従来のように、電力増幅器４−３のゲートバイアス端
子に印加するゲート電圧を制御すると、第５図に示すよ
うに、電力増幅器４−３の入力VSWRが動作周波数foの前
後で大きく変化する。電力増幅器４−３の入力インピー
ダンスの変化は、SAW-BPF4-2を通して第４図中のＱ点に
伝達される。従って、駆動電力増幅器４−１の負荷イン
ピーダンスが変動することになる。また、駆動増幅器４
−１が安定に動作するのは、実験により入力VSWR≦1.5
程度であった。従って、電力増幅器４−３の初段のMOS-
FET4-11のゲート電圧VGを可変すると電力増幅器４−３
の入力VSWRが1.5以上となる可能性があり、1.5以上とな
ると駆動増幅器４−１が不安定となり発振する。As in the prior art, by controlling the gate voltage applied to the gate bias terminal of the power amplifier 4-3, as shown in FIG. 5, the input VSWR of the power amplifier 4-3 is greatly changed before and after the operating frequency f o . The change in the input impedance of the power amplifier 4-3 is transmitted to the point Q in FIG. 4 through the SAW-BPF4-2. Therefore, the load impedance of the drive power amplifier 4-1 changes. In addition, the drive amplifier 4
-1 operates stably because input VSWR ≤ 1.5
It was about. Therefore, the first stage MOS- of the power amplifier 4-3
When the gate voltage V G of FET4-11 is changed, the power amplifier 4-3
There is a possibility that the input VSWR of 1 will be 1.5 or more, and if it becomes 1.5 or more, the drive amplifier 4-1 becomes unstable and oscillates.
かかる問題を解決のために、SAW-BPFの周辺に減衰器
を入れるか、又は、サーキュレータを挿入することが考
えられるが、小型化を妨げる。In order to solve such a problem, an attenuator or a circulator may be inserted around the SAW-BPF, but this hinders miniaturization.
そこで、本発明においては、電力増幅器の少なくとも
初段の能動素子のバイアス電圧を一定にし、駆動増幅器
のバイアス電圧（或いは、駆動増幅器のバイアス電圧と
電力増幅器の残りの能動素子のバイアス電圧）を可変と
して電力制御を行なう。第１図に示した一実施例では、
電力増幅器1-12の初段のMOS-FET1-9のバイアス電圧（こ
こでは、ゲート電圧）と後段のMOS-FET1-10のバイアス
電圧を共に一定にし、駆動増幅器1-11のバイアス電圧を
可変として電力制御を行なっている。他の実施例とし
て、電力増幅器1-12の初段のMOS-FET1-9のバイアス電圧
を一定とし、駆動増幅器1-11のバイアス電圧と電力増幅
器1-12の後段のMOS-FET1-10のバイアス電圧の両電圧を
可変として電力制御を行なう。上記各実施例において
は、共に初段のMOS-FET1-9バイアス電圧が一定に保たれ
ているため、電力制御による駆動増幅器1-11の負荷変動
は起らない。従って、駆動増幅器1-11の負荷変動による
不安定要因（発振）を除去できる。Therefore, in the present invention, the bias voltage of at least the first stage active element of the power amplifier is made constant, and the bias voltage of the drive amplifier (or the bias voltage of the drive amplifier and the bias voltage of the remaining active elements of the power amplifier) is made variable. Perform power control. In one embodiment shown in FIG. 1,
The bias voltage (here, the gate voltage) of the MOS-FET 1-9 in the first stage of the power amplifier 1-12 and the bias voltage of the MOS-FET 1-10 in the latter stage are made constant, and the bias voltage of the drive amplifier 1-11 is made variable. Power is controlled. As another embodiment, the bias voltage of the MOS-FET 1-9 in the first stage of the power amplifier 1-12 is kept constant, the bias voltage of the drive amplifier 1-11 and the bias of the MOS-FET 1-10 in the latter stage of the power amplifier 1-12 are set. Power control is performed by changing both voltages. In each of the above-mentioned embodiments, since the bias voltage of the first stage MOS-FET 1-9 is kept constant, the load variation of the drive amplifier 1-11 due to the power control does not occur. Therefore, the instability factor (oscillation) due to the load variation of the drive amplifier 1-11 can be removed.
本発明によれば、電力制御時に起こる駆動増幅器の負
荷変動をなくすことができるので、小形化を妨げずに、
駆動増幅器を安定化する効果がある。According to the present invention, it is possible to eliminate the load fluctuation of the drive amplifier that occurs during power control, so that without downsizing,
It has the effect of stabilizing the drive amplifier.
第１図は本発明の一実施例になる送信系の増幅器部分の
ブロツク図、第２図は従来の自動車電話の送信部の構成
を示すブロツク図、第３図は帯域フイルタを駆動増幅器
直後に入れた送信系の構成を示すブロツク図、第４図は
駆動増幅器，電力増幅器の両方のバイアス電圧を制御す
る電力制御の方法を示す説明図、第５図は電力増幅部の
バイアス電圧を制御した場合の入力VSWRの変化を示す図
である。 １−１……駆動増幅器、１−２……SAW帯域フイルタ、
１−３……電力増幅器、１−４……電力制御用ゲートバ
イアス端子、１−５……電力増幅器ゲートバイアス端
子、１−６……バイポーラトランジスタ、１−7,1−8,1
−9,1-10……MOS-FET。FIG. 1 is a block diagram of an amplifier part of a transmission system according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing a structure of a transmission part of a conventional car telephone, and FIG. 3 is a band filter immediately after a drive amplifier. A block diagram showing the configuration of the inserted transmission system, FIG. 4 is an explanatory diagram showing a power control method for controlling the bias voltage of both the drive amplifier and the power amplifier, and FIG. 5 is controlling the bias voltage of the power amplifier section. It is a figure which shows the change of input VSWR in the case. 1-1 ... drive amplifier 1-2 ... SAW band filter,
1-3 ... Power amplifier, 1-4 ... Power control gate bias terminal, 1-5 ... Power amplifier gate bias terminal, 1-6 ... Bipolar transistor, 1-7, 1-8, 1
−9,1-10 …… MOS-FET.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 千葉 裕 勝田市大字稲田1410番地 株式会社日立 製作所東海工場内 (72)発明者 阿部 義男 横浜市戸塚区吉田町292番地 日立ビデ オエンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−138110（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hiroshi Chiba 1410 Inada, Katsuta City, Inada Tokai Plant, Hitachi, Ltd. (72) Yoshio Abe, 292 Yoshidacho, Totsuka-ku, Yokohama Hitachi Video Engineering Co., Ltd. 56) References JP-A-59-138110 (JP, A)
Claims (2)
めの駆動増幅器と、上記電力増幅器と上記駆動増幅器と
の間に配置された帯域フィルタとからなる無線機の送信
部において、上記電力増幅器に印加するバイアス電圧を
一定に保ち、上記駆動増幅器に印加するバイアス電圧の
みの電圧制御を行ない、上記無線機の送信部の電力制御
を行なうことを特徴とする電力制御方法。1. A power amplifier, comprising: a power amplifier; a drive amplifier for driving the power amplifier; and a bandpass filter disposed between the power amplifier and the drive amplifier. The power control method is characterized in that the bias voltage applied to the drive amplifier is kept constant and only the bias voltage applied to the drive amplifier is controlled to control the power of the transmitter of the wireless device.
めの駆動増幅器と、上記電力増幅器と上記駆動増幅器と
の間に配置された帯域フィルタとからなる無線機の送信
部において、上記電力増幅器は複数の能動素子の多段接
続からなり、上記複数の能動素子のうち初段の能動素子
を含む少なくとも１個以上の能動素子のバイアス電圧を
一定に保ち、上記駆動増幅器のバイアス電圧と上記複数
の能動素子のうち残りの能動素子のバイアス電圧との双
方の電圧制御を行ない、上記無線機の送信部の電力制御
を行なうことを特徴とする電力制御方法。2. A power amplifier, a drive amplifier for driving the power amplifier, and a band-pass filter arranged between the power amplifier and the drive amplifier, wherein the power amplifier comprises: Is a multi-stage connection of a plurality of active elements, and keeps the bias voltage of at least one active element including the first-stage active element constant among the plurality of active elements constant, and the bias voltage of the drive amplifier and the plurality of active elements. A power control method characterized by performing both voltage control of the bias voltage of the remaining active elements of the elements and power control of the transmitter of the radio device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61188454A JP2533497B2 (en) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | Power control method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61188454A JP2533497B2 (en) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | Power control method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6346008A JPS6346008A (en) | 1988-02-26 |
| JP2533497B2 true JP2533497B2 (en) | 1996-09-11 |
Family
ID=16223983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61188454A Expired - Lifetime JP2533497B2 (en) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | Power control method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533497B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6954106B2 (en) | 2001-02-22 | 2005-10-11 | Niigata Semitsu Co., Ltd. | FET band amplifier |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05344021A (en) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Nec Corp | Radio equipment |
| JP2788859B2 (en) * | 1994-11-24 | 1998-08-20 | 埼玉日本電気株式会社 | Mobile phone |
| US6489862B1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-12-03 | Agilent Technologies, Inc. | Method for reducing noise generated in a power amplifier |
| KR20040022254A (en) * | 2002-09-03 | 2004-03-12 | (주)나리지 온 | Power amplifier device for including power control device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60116719A (en) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Manufacture of steel for oil well pipe having superior corrosion resistance |
| JPS60130207A (en) * | 1983-12-19 | 1985-07-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Power gain control system |
-
1986
- 1986-08-13 JP JP61188454A patent/JP2533497B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6954106B2 (en) | 2001-02-22 | 2005-10-11 | Niigata Semitsu Co., Ltd. | FET band amplifier |
| US7049895B2 (en) | 2001-02-22 | 2006-05-23 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | FET band amplifier |
| CN1311625C (en) * | 2001-02-22 | 2007-04-18 | 新泻精密株式会社 | FET band amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6346008A (en) | 1988-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2609310B2 (en) | Transmission circuit | |
| EP0740422A2 (en) | Power control circuit for transmission apparatus | |
| EP0675605A2 (en) | Dual mode transmission system | |
| JP2533497B2 (en) | Power control method | |
| US20020193134A1 (en) | Power control apparatus for mobile terminal | |
| JPH11251934A (en) | Transmission power control system for portable telephone set | |
| JP2788859B2 (en) | Mobile phone | |
| JP2557631B2 (en) | Radio receiver | |
| JPS61102805A (en) | Linear amplification system | |
| JPH0537528Y2 (en) | ||
| JP2906708B2 (en) | Automatic level control circuit | |
| JPH07115381A (en) | Transmitting power control circuit of portable telephone terminal | |
| JPH07321694A (en) | Communication equipment of time-division multiplex access duplex operation system | |
| JPS6112132A (en) | Transmission output control circuit | |
| JPS62233929A (en) | Suface acoustic wave oscillation circuit with agc circuit | |
| JPH0722912Y2 (en) | Mobile radio equipment | |
| JPH09321636A (en) | Transmission output level control circuit | |
| JPH0595226A (en) | Oscillation circuit and frequency conversion circuit | |
| JPH10145141A (en) | Quartz oscillation method | |
| JP2000013251A (en) | Transmission circuit | |
| JPH04284722A (en) | Power amplifier | |
| KR20000013423U (en) | Low power consumption mobile communication terminal | |
| JPH08307298A (en) | Tv signal processor for catv system | |
| JPH03145338A (en) | Transmitter | |
| JPH0448808A (en) | Power amplifier for radio transmitter |