JP2530251B2 - Thermal head array - Google Patents
Thermal head arrayInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は感熱記録装置に使用するサーマルヘッドア
レイに関するものである。The present invention relates to a thermal head array used in a thermal recording apparatus.
［従来の技術］ 第２図は従来のサーマルヘッドアレイの回路構成を示
す接続図で、図において、（１）はサーマルヘッドアレ
イの発熱抵抗体、（２）はシフトレジスタ、（３）はラ
ッチ、（４）はドライバ、（５）は直流電源、（７）は
スイッチ、（70），（71），（72）はそれぞれスイッチ
（７）の接点、（８−１），（８−２），・・・はそれ
ぞれ逆流阻止用ダイオード、（９−１），（９−２），
・・・はそれぞれ電源側リード導体、（10−１），（10
−２）・・・はそれぞれ接地側リード導体である。な
お、シフトレジスタ（２）には外部回路からデータ信号
とクロック信号とが入力され、ラッチ（３）にはシフト
レジスタ（２）のデータをラッチ（３）へ書き込む時点
を制御するラッチ信号が入力され、ドライバ（４）には
対応するラッチ（３）の論理に従ってドライバ（４）が
動作する時間を制御するストローブ信号が入力される。[Prior Art] FIG. 2 is a connection diagram showing a circuit configuration of a conventional thermal head array. In the figure, (1) is a heating resistor of the thermal head array, (2) is a shift register, and (3) is a latch. , (4) is a driver, (5) is a DC power source, (7) is a switch, (70), (71) and (72) are contacts of the switch (7), (8-1) and (8-2). ), ... are reverse current blocking diodes, (9-1), (9-2),
... are the lead conductors on the power supply side, (10-1), (10
-2) ... are ground side lead conductors. It should be noted that the shift register (2) receives a data signal and a clock signal from an external circuit, and the latch (3) receives a latch signal for controlling the time when the data in the shift register (2) is written to the latch (3). Then, the strobe signal for controlling the time when the driver (4) operates according to the logic of the corresponding latch (3) is input to the driver (4).
シフトレジスタ（２），ラッチ（３），ドライバ
（４）の動作によって、複数の接地側リード導体のうち
の、どのリード導体を接地するかを制御する。シフトレ
ジスタ（２），ラッチ（３），ドライバ（４）は、通常
ICで構成されるので、これらを総称して制御回路IC
（６）ということとする。The operation of the shift register (2), the latch (3) and the driver (4) controls which lead conductor of the plurality of ground side lead conductors is grounded. The shift register (2), latch (3) and driver (4) are usually
As they are composed of ICs, they are collectively referred to as control circuit ICs.
(6).
接点（71）側の電源を仮にＡ相電源，接点（72）側の
電源を仮にＢ相電源ということにすると、例えばスイッ
チ（７）において接点（70）と（71）が接続されている
とき、制御回路IC（６）によって接地側リード導体（10
−１）を接地したとすれば、電流は（９−１）−R1−
（10−１）とに流れ、発熱抵抗体（１）のR1の部分が発
熱する。また、このときスイッチ（７）において接点
（70）と（72）とを接続し、Ｂ相電源に給電したとき
は、発熱抵抗体（１）のR2の部分が発熱する。Let us say that the power source on the contact (71) side is the A-phase power source and the power source on the contact (72) side is the B-phase power source, for example, when the contacts (70) and (71) are connected in the switch (7). , The control circuit IC (6) controls the ground side lead conductor (10
If -1) is grounded, the current is (9-1) -R1-
(10-1), and the R1 portion of the heating resistor (1) generates heat. Further, at this time, when the contacts (70) and (72) are connected in the switch (7) and power is supplied to the B-phase power source, the R2 portion of the heating resistor (1) generates heat.
［発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来のサーマルヘッドアレイは以上のよ
うに構成されており、逆流阻止用ダイオード（８−
１），（８−２）・・・、電源側リード導体（９−
１），（９−２）・・・、発熱抵抗体（１）、接地側リ
ード導体（10−１），（10−２）・・・、制御回路IC
（６）は、セラミック基板上に形成されることが多く、
セラミック基板上に熱絶縁層（図示せず）を形成し、そ
の上に発熱抵抗体（１），導体パターン（９），（10）
を形成し、その上に耐摩耗層（図示せず）を形成してい
る。[Problems to be Solved by the Invention] The conventional thermal head array as described above is configured as described above, and the reverse current blocking diode (8-
1), (8-2) ..., Power supply side lead conductor (9-
1), (9-2) ..., Heating resistor (1), Ground side lead conductors (10-1), (10-2) ..., Control circuit IC
(6) is often formed on a ceramic substrate,
A heat insulation layer (not shown) is formed on the ceramic substrate, and the heating resistor (1), conductor patterns (9), (10) are formed on the heat insulation layer.
Is formed, and an abrasion resistant layer (not shown) is formed thereon.
また、接点（71）、,72）からの電源配線と、ドライ
バ（４）内の各ドライバの接地電極を直流電源（５）の
負側電極に接続する接地配線は、電気抵抗の小さい回路
にする必要があるが、セラミック基板上に電気抵抗の小
さい回路を形成することは困難であり、そのため、セラ
ミック基板外に設ける導体によって構成し、セラミック
基板上の回路と外部の導体との間とはフレキシブル基板
上に形成した導体パターンを介して接続しているが、こ
の場合セラミック基板上のＡ相電源用リード導体に接続
しＢ相電源用リード導体には接触しないＡ相配線パター
ンと、セラミック基板上のＢ相電源用リード導体に接続
しＡ相電源用リード導体には接触しないＢ相配線パター
ンとを、互いに絶縁してフレキシブル基板上に設ける必
要があり、フレキシブル基板の構造が複雑でコスト高に
なる。In addition, the power supply wiring from the contacts (71), 72) and the ground wiring connecting the ground electrode of each driver in the driver (4) to the negative electrode of the DC power supply (5) should be a circuit with low electric resistance. However, it is difficult to form a circuit with low electrical resistance on the ceramic substrate.Therefore, the circuit provided on the outside of the ceramic substrate is used to form a circuit between the circuit on the ceramic substrate and the external conductor. The connection is made through the conductor pattern formed on the flexible substrate, but in this case, the A-phase wiring pattern is connected to the A-phase power supply lead conductor on the ceramic substrate and does not contact the B-phase power supply lead conductor, and the ceramic substrate. The B-phase wiring pattern that is connected to the above-mentioned B-phase power supply lead conductor and does not contact the A-phase power supply lead conductor must be insulated from each other and provided on the flexible board. Structure of the substrate is complicated and costly.
また、スイッチ（７）は通常半導体スイッチ素子によ
って構成されるが、サーマルヘッドアレイの発熱抵抗体
（１）に流す全電流がこのスイッチ（７）を通過するた
め、電流容量の大きさ半導体スイッチ素子を使用せざる
を得ない等の問題点があった。Further, the switch (7) is usually composed of a semiconductor switching element, but since the entire current flowing through the heating resistor (1) of the thermal head array passes through this switch (7), the semiconductor switching element has a large current capacity. There was a problem that there was no choice but to use.
この発明はかかる課題を解決するためになされたもの
で、フレキシブル基板に形成する電源配線パターンを単
一の配線パターンにでき、フレキシブル基板の構造を簡
略化できるサーマルヘッドアレイを得ることを目的とし
ている。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to obtain a thermal head array that can simplify the structure of the flexible substrate by allowing the power supply wiring pattern formed on the flexible substrate to be a single wiring pattern. .
［課題を解決するための手段］ この発明に係わるサーマルヘッドアレイは、セラミッ
ク基板上の全てのＡ相電源逆流阻止用ダイオードを、複
数の群に群分けし、各群に対応してＡ相電源接断用半導
体スイッチ素子をセラミック基板上に設け、全てのＢ相
電源逆流阻止用ダイオードを複数の群に群分けし、各群
に対応してＢ相電源接断用半導体スイッチ素子をセラミ
ック基板上に設け、セラミック基板外に設ける電源用導
体はＡ相電源およびＢ相電源に共通な単一の導体とし、
この単一の電源用導体からフレキシブル基板を介してＡ
相電源接断用半導体スイッチ素子およびＢ相電源接断用
半導体スイッチ素子に電源を接続することとした。[Means for Solving the Problem] In a thermal head array according to the present invention, all the A-phase power supply reverse current blocking diodes on a ceramic substrate are divided into a plurality of groups, and the A-phase power supply is provided corresponding to each group. The semiconductor switching elements for disconnection are provided on the ceramic substrate, all the B-phase power supply reverse current blocking diodes are divided into groups, and the semiconductor switching elements for B-phase power supply disconnection are arranged on the ceramic substrate corresponding to each group. , The power supply conductor provided outside the ceramic substrate is a single conductor common to the A-phase power supply and the B-phase power supply,
From this single power source conductor through flexible board
A power supply is connected to the semiconductor switch element for disconnecting the phase power supply and the semiconductor switch element for disconnecting the B-phase power supply.
［作用］ フレキシブル基板を介してセラミック基板に接続する
電源が単一のものとなり、フレキシブル基板の構造を簡
略化できる。[Operation] A single power source is connected to the ceramic substrate through the flexible substrate, and the structure of the flexible substrate can be simplified.
［実施例］ 以下、この発明の実施例を図面を用いて説明する。第
１図はこの発明の一実施例を示す接続図で、第２図と同
一符号は同一又は相当部分を示し、（20），（21）はＡ
相電源逆流阻止用ダイオードおよびＢ相電源逆流阻止用
ダイオードを群分けした場合の１群を示し、（30）はＡ
相電源接断用半導体スイッチ素子、（31）はＢ相電源接
断用半導体スイッチ素子、（40）は切換信号送出回路、
（50）はＡ相電源、（51）はＢ相電源、（52）は電源配
線、（53）は接地配線である。Embodiments Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a connection diagram showing an embodiment of the present invention. The same reference numerals as those in FIG. 2 designate the same or corresponding parts, and (20) and (21) are A
1 group when the phase power source reverse current blocking diode and the B phase power source reverse current blocking diode are grouped. (30) is A
Semiconductor switch element for disconnecting phase power, (31) Semiconductor switch element for disconnecting B phase power, (40) Switching signal sending circuit,
(50) is an A-phase power supply, (51) is a B-phase power supply, (52) is a power supply wiring, and (53) is a ground wiring.
切換信号送出回路（40）から送出する信号によって半
導体スイッチ素子（30）がオンのときは（31）がオフに
なるように、（31）がオンのときは（30）がオフになる
ように制御される。The signal sent from the switching signal sending circuit (40) turns off (31) when the semiconductor switch element (30) is on, and turns off (30) when (31) is on. Controlled.
従って、第１図に示す回路の動作は、第２図に示す回
路の動作と同様になる。ただ、第２図の回路では外部の
電源用導体からフレキシブル基板を介してセラミック基
板に接続すべき電源は、Ａ相電源とＢ相電源との２種類
であるのに対し、第１図の回路では、これが電源配線
（52）ただ１種類であるため、フレキシブル基板の構造
を簡略化できる。Therefore, the operation of the circuit shown in FIG. 1 is similar to that of the circuit shown in FIG. However, in the circuit of FIG. 2, the power source to be connected to the ceramic substrate from the external power source conductor via the flexible substrate is of two types, the A-phase power source and the B-phase power source, whereas the circuit of FIG. Since this is only one type of power supply wiring (52), the structure of the flexible substrate can be simplified.
全体の逆流阻止用ダイオードを何群に群分けするか
は、使用する半導体スイッチ素子（30），（31）の電流
容量によって定めることができ、例えば2A容量のFETを
半導体スイッチ素子として使用し、１個のダイオードに
流す電流を25mAとすれば、80個のダイオードを１群とす
ることができる。The number of groups into which the entire reverse current blocking diode is divided can be determined by the current capacity of the semiconductor switch elements (30) and (31) to be used. For example, using a 2A capacity FET as a semiconductor switch element, If the current flowing through each diode is 25 mA, then 80 diodes can be grouped together.
また、逆流阻止用ダイオード（８）がダイオードアレ
イと称せられるアレイに群分けされている場合には、各
ダイオードアレイに対しＡ相電源用半導体スイッチ素子
（30）とＢ相電源用半導体スイッチ素子（31）を各１個
を設ければ良い。When the backflow prevention diodes (8) are grouped into an array called a diode array, the A-phase power semiconductor switching element (30) and the B-phase power semiconductor switching element (30) are provided for each diode array. 31) may be provided one each.
［発明の効果］ この発明は以上説明したように、外部導体とセラミッ
ク基板とを接続するフレキシブル基板の構造を簡略化で
きると共に、半導体スイッチ素子１個あたりの容量を小
さくして半導体スイッチ素子を小型化でき、外部電源と
の接続の簡略化や外部電源自身の簡略化、すなわち電源
回路の単純化に役立つ等の効果がある。[Effects of the Invention] As described above, the present invention can simplify the structure of the flexible substrate that connects the external conductor and the ceramic substrate, and can reduce the capacitance per semiconductor switching device to reduce the size of the semiconductor switching device. This has the effect of simplifying the connection with the external power supply and the external power supply itself, that is, the power supply circuit.
第１図はこの発明の一実施例を示す接続図、第２図は従
来のサーマルヘッドアレイの回路構成を示す接続図。 １……発熱抵抗体、８……逆流阻止用ダイオード、９…
…電源側リード導体、10……接地側リード導体、30……
Ａ相電源用半導体スイッチ素子、31……Ｂ相電源用半導
体スイッチ素子、50……Ａ相電源、51……Ｂ相電源、52
……電源配線。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示すもの
とする。FIG. 1 is a connection diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a connection diagram showing a circuit configuration of a conventional thermal head array. 1 ... Heating resistor, 8 ... Reverse current blocking diode, 9 ...
… Power supply side lead conductor, 10 …… Ground side lead conductor, 30 ……
A-phase power semiconductor switch element, 31 ... B-phase power semiconductor switch element, 50 ... A-phase power source, 51 ... B-phase power source, 52
...... Power wiring. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
Claims (2)
の発熱抵抗体の直線に直角な方向で等間隔に該発熱抵抗
体に接続されるリード導体を形成し、この等間隔のリー
ド導体を１本おきに交互に接地側リード導体及び電源側
リード導体とし、さらに電源側リード導体を１本おきに
Ａ相電源用リード導体及びＢ相電源用リード導体として
なるサーマルヘッドアレイにおいて、 すべてのＡ相電源側リード導体を複数の群に群分けし、
この各群に対応して基板状に形成されるとともに当該群
内の各Ａ相電源側リード導体がそれぞれ接続されるＡ相
電源用リード導体と、 すべてのＢ相電源側リード導体を複数の群に群分けし、
この各群に対応して基板上に形成されるとともに当該群
内の各Ｂ相電源側リード導体がそれぞれ接続されるＢ相
電源用リード導体と、 上記基板に形成された上記各Ａ相電源用リード導体にそ
の一端が接続されたＡ相電源切断用半導体スイッチ素子
と、 上記基板に形成された上記各Ｂ相電源用リード導体にそ
の一端が接続されたＢ相電源切断用半導体スイッチ素子
と、 上記基板上に形成され、上記Ａ相及びＢ相の電源切断用
半導体スイッチ素子の他端を共通の電源線に接続するた
めの導体パターンと、 上記基板に形成され、各Ａ相電源切断用半導体スイッチ
素子を並列に制御する信号線パターン及び各Ｂ相電源切
断用半導体スイッチ素子を並列に制御する信号線パター
ンと、 を有したサーマルヘッドアレイ。1. A linear heating resistor is formed on a substrate, and lead conductors connected to the heating resistor are formed at equal intervals in a direction perpendicular to the straight line of the heating resistor. In a thermal head array in which every other lead conductor is alternately used as a ground side lead conductor and a power source side lead conductor, and every other power source side lead conductor is used as an A phase power source lead conductor and a B phase power source lead conductor, Group all A-phase power supply side lead conductors into multiple groups,
A group of A-phase power supply lead conductors, which are formed in a substrate shape corresponding to each group and to which the respective A-phase power supply side lead conductors in the group are respectively connected, and a plurality of B-phase power supply side lead conductors. Grouped into
A lead conductor for a B-phase power source, which is formed on the substrate corresponding to each group and to which each B-phase power source side lead conductor in the group is connected, and each of the A-phase power source formed on the substrate. A phase A power supply disconnection semiconductor switch element having one end connected to a lead conductor, and a phase B power supply disconnection semiconductor switch element having one end connected to each of the B phase power supply lead conductors formed on the substrate, Conductor patterns formed on the substrate for connecting the other ends of the A-phase and B-phase power-off semiconductor switching elements to a common power line, and semiconductors formed on the substrate for A-phase power-off A thermal head array having: a signal line pattern for controlling switch elements in parallel; and a signal line pattern for controlling semiconductor switch elements for disconnecting each B-phase power source in parallel.
止用ダイオードが挿入されてなる請求項第１項記載のサ
ーマルヘッドアレイ。2. The thermal head array according to claim 1, wherein a reverse current blocking diode is inserted in each power source side lead conductor.
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| JPH04141453A JPH04141453A (en) | 1992-05-14 |
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