JP2520526Y2 - Solenoid drive circuit - Google Patents
Solenoid drive circuitInfo
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- solenoid
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Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案はソレノイド駆動回路に係り、特にソレノイド
を制御するスイッチング素子がソレノイドに直列に接続
されたソレノイド駆動回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solenoid drive circuit, and more particularly to a solenoid drive circuit in which a switching element for controlling the solenoid is connected in series to the solenoid.
従来の技術 リレー・テープレコーダのリールブレーキ機構等の駆
動にはソレノイドが用いられている。従来、このような
ソレノイドを駆動するために第２図、第３図に示すよう
な回路が用いられていた。2. Description of the Related Art Solenoids are used to drive the reel brake mechanism of relays and tape recorders. Conventionally, circuits as shown in FIGS. 2 and 3 have been used to drive such solenoids.
第２図、第３図に示す回路で２はソレノイド部を示
し、ソレノイド部２は、ソレノイド2a及び鉄芯2bよりな
る。In the circuits shown in FIGS. 2 and 3, reference numeral 2 denotes a solenoid portion, and the solenoid portion 2 includes a solenoid 2a and an iron core 2b.
ソレノイド2aの一端はスイッチング素子であるNPNト
ランジスタQ1のコレクタと接続され、ソレノイド2aの他
の一端は電源Vccと接続され、NPNトランジスタQ1のエミ
ッタは接地される。また、NPNトランジスタQ1のベース
は抵抗R1を介して端子T1と接続される。また、ソレノイ
ド2aのトランジスタQ1のオンからオフ時に生じる逆起電
力によりトランジスタQ1のコレクタ電圧が上昇し、トラ
ンジスタQ1が破壊しないように第２図の回路ではソレノ
イド2aにダイオードD2を並列に接続し、第３図の回路で
はトランジスタQ1に並列にツェナーダイオードD3を接続
していた。One end of the solenoid 2a is connected to the collector of the NPN transistor Q 1 which is a switching element, the other end of the solenoid 2a is connected to the power supply Vcc, and the emitter of the NPN transistor Q 1 is grounded. The base of NPN transistor Q 1 is connected to the terminal T 1 via the resistor R 1. The collector voltage of the transistor Q the transistor Q 1 from 1 on the back electromotive force generated during off increases the solenoid 2a, parallel diode D 2 to the solenoid 2a is a circuit of FIG. 2 as the transistor Q 1 is not broken In the circuit of FIG. 3, the Zener diode D 3 was connected in parallel with the transistor Q 1 .
考案が解決しようとする課題 しかるに、従来のソレノイド駆動回路はダイオードを
介してソレノイドに生じる逆起電力を制御させ、スイッ
チング素子の破壊を防止していた。第２図の回路ではダ
イオードD2を介し、トランジスタQ1がオフ後はソレノイ
ドの抵抗成分で逆起電力が消費されて、その間電流が流
れつづけるため応答速度が遅くなってしまう。第３図の
回路ではツェナーダイオードD3のツェナー電圧まで昇圧
し、その間にく逆起電力はコイル自身の抵抗成分である
程度消費され、ツェナーダイオードD3がツェナー電圧に
達するとトランジスタQ1のコレクタ耐圧を越えないよう
ツェナーダイオードD3に電流が流れ、残りのエネルギー
がツェナーダイオードD3を通して消費される。このた
め、ダイオードの容量を大きくする必要があり、そのた
めダイオードの特性が第４図（Ａ）に示すように鈍くな
り、保護電圧の設定に注意が必要となる。また、大電流
がスイッチング素子及びダイオードに流れるため、スイ
ッチング素子及びダイオードを共に放熱させる必要があ
り、その放熱構造が複雑となってしまう等の問題点があ
った。However, the conventional solenoid drive circuit controls the back electromotive force generated in the solenoid through the diode to prevent the switching element from being destroyed. In the circuit of FIG. 2 , after the transistor Q 1 is turned off, the counter electromotive force is consumed by the resistance component of the solenoid through the diode D 2, and the current continues to flow during that time, resulting in a slow response speed. In the circuit of FIG. 3 , the Zener voltage of the Zener diode D 3 is boosted to the counter voltage, and the counter electromotive force is consumed to some extent by the resistance component of the coil itself. When the Zener diode D 3 reaches the Zener voltage, the collector breakdown voltage of the transistor Q 1 A current flows through the Zener diode D 3 so as not to exceed the current, and the remaining energy is consumed through the Zener diode D 3 . For this reason, it is necessary to increase the capacitance of the diode, and the characteristics of the diode become dull as shown in FIG. 4 (A), and attention must be paid to the setting of the protection voltage. Further, since a large current flows through the switching element and the diode, it is necessary to radiate the switching element and the diode together, which causes a problem that the heat radiation structure becomes complicated.
本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、応答速度
が速く、かつ、その構造を容易とすることができるソレ
ノイド駆動回路を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a solenoid drive circuit which has a high response speed and can be easily structured.
課題を解決するための手段 本考案は制御端子に供給される信号に応じて電流入出
力端子間がオン・オフするスイッチング素子と、該スイ
ッチング素子の該電流入出力端子間に直列に接続された
ソレノイドとを有し、該スイッチング素子をオン・オフ
することにより該ソレノイドに流れる電流を制御するソ
レノイド駆動回路において、 前記ソレノイドに生じる逆起電力により前記スイッチ
ング素子の前記電流入出力端子間をオンするオン信号を
生成し、該オン信号を前記スイッチング素子の制御端子
に供給するスイッチング制御手段を具備し、 前記スイッチング制御手段により生成された前記オン
信号に応じて前記スイッチング素子の電流入出力端子間
をオンして前記スイッチング素子の前記電流入出力端子
間を介して前記ソレノイドに生じる前記逆起電力を放電
する構成としてなる。Means for Solving the Problems The present invention has a switching element that is turned on / off between current input / output terminals according to a signal supplied to a control terminal, and is connected in series between the current input / output terminals of the switching element. A solenoid drive circuit having a solenoid and controlling a current flowing through the solenoid by turning on / off the switching element, a counter electromotive force generated in the solenoid turns on between the current input / output terminals of the switching element. A switching control unit that generates an ON signal and supplies the ON signal to a control terminal of the switching element is provided. Between the current input / output terminals of the switching element according to the ON signal generated by the switching control unit. It is turned on and occurs in the solenoid through the current input / output terminals of the switching element. Comprising a structure for discharging the counter electromotive force.
作用 スイッチング素子制御手段はソレノイドに生じる逆起
電力によりスイッチング素子をオンさせるオン信号を生
成し、生成したオン信号をスイッチング素子の制御端子
に供給し、スイッチング素子をオンする。このため、ソ
レノイドにより生じる逆起電力がスイッチング素子を介
して放電され、スイッチング素子に過大な電圧が印加さ
れることがないため、スイッチング素子を破壊してしま
うことがない。Action The switching element control means generates an ON signal for turning on the switching element by the counter electromotive force generated in the solenoid, supplies the generated ON signal to the control terminal of the switching element, and turns on the switching element. Therefore, the counter electromotive force generated by the solenoid is not discharged through the switching element, and an excessive voltage is not applied to the switching element, so that the switching element is not destroyed.
実施例 第１図は本考案の一実施例の回路図を示す。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.
２はソレノイド部を示す。ソレノイド部２はソレノイ
ド部2aと鉄芯部2bとよりなり、鉄芯部2bはソレノイド2a
に挿入されている。ソレノイド部２はソレノイド2aに電
流を流すことにより、ソレノイド2aに磁界を発生させる
もので、例えば、テープレコーダ等のリールブレーキ機
構等に用いられる。2 shows a solenoid part. The solenoid portion 2 is composed of a solenoid portion 2a and an iron core portion 2b, and the iron core portion 2b is the solenoid 2a.
Has been inserted. The solenoid section 2 generates a magnetic field in the solenoid 2a by passing a current through the solenoid 2a, and is used in, for example, a reel brake mechanism such as a tape recorder.
ソレノイド部２のソレノイド2aの一端は電源Vccに接
続され、他の一端はスイッチング素子であるNPNトラン
ジスタQ1のコレクタに接続される。NPNトランジスタQ1
のエミッタは接地され、制御端子となるベースは制御入
力抵抗R1を介して端子T1に接続される。One end of the solenoid 2a of the solenoid unit 2 is connected to the power supply Vcc, and the other end is connected to the collector of the NPN transistor Q 1 which is a switching element. NPN transistor Q 1
The emitter is grounded, and the base serving as a control terminal is connected to the terminal T 1 via the control input resistor R 1 .
また、トランジスタQ1のベースはツェナー電圧発生用
抵抗R2を介して接地されると共に、スイッチング素子制
御回路１を介して、ソレノイド部２のソレノイド2aの一
端とトランジスタQ1のコレクタとの接続点に接続され
る。The base of the transistor Q 1 is grounded via the Zener voltage generating resistor R 2 , and the connection point between the one end of the solenoid 2a of the solenoid section 2 and the collector of the transistor Q 1 is connected via the switching element control circuit 1. Connected to.
スイッチング素子制御回路１はツェナーダイオードD1
ツェナー電圧発生用抵抗R2及びベース流入電流制限用抵
抗R3とよりなり、ツェナーダイオードD1のアノード側が
トランジスタQ1のベースに接続され、カソード側は抵抗
R3を介してソレノイド2aに接続される。The switching element control circuit 1 is a Zener diode D 1
It consists of a Zener voltage generating resistor R 2 and a base inflow current limiting resistor R 3 , the anode side of the Zener diode D 1 is connected to the base of the transistor Q 1 , and the cathode side is a resistor.
It is connected to the solenoid 2a via R 3 .
次に回路の動作について説明する。端子T1に供給され
る制御信号がハイレベルになると、トランジスタQ1がオ
ンになり、ソレノイド2aに電流が流れ、鉄芯2bに磁界が
発生する。次に端子T1に供給される信号がハイレベルか
らローレベルになるとトランジスタQ1はオフになり、ソ
レノイド2aに流れていた電流は遮断され、ソレノイドに
蓄えられたエネルギー量によりソレノイド2aには逆起電
力が生じる。この逆起電力によりトランジスタQ1のコレ
クタ電圧が急激に上昇することになる。トランジスタQ1
のコレクタ電圧が上昇し、ツェナーダイオードD1に印加
される電圧がツェナー電圧以上になり、ツェナーダイオ
ードD1がオンになると、トランジスタQ1のベースに電流
が供給され、トランジスタQ1がオンになる。Next, the operation of the circuit will be described. When the control signal supplied to the terminal T 1 becomes high level, the transistor Q 1 is turned on, current flows in the solenoid 2a, and a magnetic field is generated in the iron core 2b. Next, when the signal supplied to the terminal T 1 changes from the high level to the low level, the transistor Q 1 is turned off, the current flowing in the solenoid 2a is cut off, and the energy stored in the solenoid causes a reverse current to the solenoid 2a. Electromotive force is generated. This back electromotive force causes the collector voltage of the transistor Q 1 to rise rapidly. Transistor Q 1
Collector voltage increases, the voltage applied to the Zener diode D 1 is more than the zener voltage, the zener diode D 1 is turned on, current is supplied to the base of the transistor Q 1, the transistor Q 1 is turned on .
トランジスタQ1がオンになると、ソレノイド2aは約ツ
ェナー電圧に保持されトランジスタQ1を破壊することな
く、ソレノイド2aに生じた逆起電力分をソレノイド2aの
抵抗成分で消費させることができる。このようにソレノ
イド2aに生じた昇圧電圧によりトランジスタQ1を制御し
て、トランジスタQ1自身を保護する構成であり、ソレノ
イド2aに生じる逆起電力により、トランジスタQ1が破壊
することがなく、また、トランジスタQ1自体が過電圧分
のエネルギーを消費するためトランジスタQ1を制御する
素子の電力容量は小さくて済み、従って、その特性は第
４図（Ｂ）に示すようにシャープな特性とすることがで
きるため、電圧保護特性をシャープにすることができ
る。When the transistor Q 1 is turned on, the solenoid 2a is held at about Zener voltage, and the counter electromotive force generated in the solenoid 2a can be consumed by the resistance component of the solenoid 2a without destroying the transistor Q 1 . In this way, the transistor Q 1 is controlled by the boosted voltage generated in the solenoid 2a to protect the transistor Q 1 itself, and the transistor Q 1 is not destroyed by the counter electromotive force generated in the solenoid 2a. Since the transistor Q 1 itself consumes energy for the overvoltage, the power capacity of the element controlling the transistor Q 1 can be small, and therefore its characteristics should be sharp as shown in FIG. 4 (B). Therefore, the voltage protection characteristic can be sharpened.
また、大電流が流れるのはスイッチング素子であるト
ランジスタQ1だけであり、従って、発熱部品もトランジ
スタQ1だけと考えることができ、放熱構造が簡単で済
み、小型が容易となる。Further, a large current flows only in the transistor Q 1 which is a switching element, and therefore, the heat-generating component can be considered to be only the transistor Q 1 , so that the heat radiation structure is simple and the miniaturization is easy.
なお、ソレノイド2aの昇圧速度に対しトランジスタQ1
の応答速度が十分に早ければ、トランジスタQ1のベース
に大電流が流れ込む前にトランジスタQ1をオンにでき、
コレクタより電流を放電できるため、電流制限用の抵抗
R3は不要となる。Note that the transistor Q 1
If the response speed of is sufficiently fast, the transistor Q 1 can be turned on before a large current flows into the base of the transistor Q 1 ,
Since the current can be discharged from the collector, it is a resistor for limiting the current.
R 3 is no longer needed.
なお、本実施例ではスイッチング素子としてはPNPト
ランジスタQ1を用いたがこれに限ることはなく、FET
（電界効果トランジスタ）等の他のスイッチング素子で
構成してもよい。Although the PNP transistor Q 1 is used as the switching element in this embodiment, the switching element is not limited to this.
Other switching elements such as (field effect transistor) may be used.
また、ソレノイド2aはリレー等のソレノイドでもよ
い。Further, the solenoid 2a may be a solenoid such as a relay.
考案の効果 上述の如く、本考案によれば、スイッチング素子制御
手段によりソレノイドに逆起電力が発生したときにはス
イッチング素子の制御端子にオン信号が供給され、スイ
ッチング素子の電流入出力端子がオンし、ソレノイドに
発生した逆起電力を放電することができ、スイッチング
素子の制御端子に大電流を流すことなく逆起電力を放電
でき、スイッチング素子の破壊を防止できる等の特長を
有する。As described above, according to the present invention, when a back electromotive force is generated in the solenoid by the switching element control means, an ON signal is supplied to the control terminal of the switching element and the current input / output terminal of the switching element is turned on. The back electromotive force generated in the solenoid can be discharged, the back electromotive force can be discharged without causing a large current to flow through the control terminal of the switching element, and the switching element can be prevented from being destroyed.
第１図は本考案の一実施例の回路図、第２図は従来の一
例の回路図、第３図は従来の他の一例の回路図、第４図
はツェナーダイオードの電圧−電流特性図である。 Q1…NPNトランジスタ、D1…ツェナーダイオード、１…
スイッチング素子制御回路、２…ソレノイド部、2a…ソ
レノイド。1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional example, FIG. 3 is a circuit diagram of another conventional example, and FIG. 4 is a voltage-current characteristic diagram of a Zener diode. Is. Q 1 … NPN transistor, D 1 … Zener diode, 1…
Switching element control circuit, 2 ... Solenoid part, 2a ... Solenoid.
Claims (1)
出力端子間がオン・オフするスイッチング素子と、該ス
イッチング素子の該電流入出力端子間に直列に接続され
たソレノイドとを有し、該スイッチング素子をオン・オ
フすることにより該ソレノイドに流れる電流を制御する
ソレノイド駆動回路において、 前記ソレノイドに生じる逆起電力により前記スイッチン
グ素子の前記電流入出力端子間をオンするオン信号を生
成し、該オン信号を前記スイッチング素子の制御端子に
供給するスイッチング制御手段を具備し、 前記スイッチング制御手段により生成された前記オン信
号に応じて前記スイッチング素子の電流入出力端子間を
オンして前記スイッチング素子の前記電流入出力端子間
を介して前記ソレノイドに生じる前記逆起電力を放電す
る構成としてなるソレノイド駆動回路。1. A switching element for turning on / off between current input / output terminals according to a signal supplied to a control terminal, and a solenoid connected in series between the current input / output terminals of the switching element. A solenoid drive circuit for controlling a current flowing through the solenoid by turning on / off the switching element, generating an on signal for turning on between the current input / output terminals of the switching element by a back electromotive force generated in the solenoid. Switching control means for supplying the ON signal to a control terminal of the switching element, and switching between the current input / output terminals of the switching element in response to the ON signal generated by the switching control means. Discharges the counter electromotive force generated in the solenoid through the current input / output terminals of the element Solenoid drive circuit comprising a configuration that.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990067155U JP2520526Y2 (en) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | Solenoid drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP1990067155U JP2520526Y2 (en) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | Solenoid drive circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425205U JPH0425205U (en) | 1992-02-28 |
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Family
ID=31600479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990067155U Expired - Lifetime JP2520526Y2 (en) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | Solenoid drive circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2520526Y2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3800854B2 (en) * | 1999-03-19 | 2006-07-26 | 日産自動車株式会社 | Inductive load drive circuit |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5984808U (en) * | 1982-11-30 | 1984-06-08 | パイオニア株式会社 | solenoid drive circuit |
| JPH0661941B2 (en) * | 1985-11-13 | 1994-08-17 | 沖電気工業株式会社 | Printing head drive method |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP1990067155U patent/JP2520526Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0425205U (en) | 1992-02-28 |
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