JP2508707B2 - 光制御アンテナ装置 - Google Patents
光制御アンテナ装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q3/00—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
- H01Q3/26—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture
- H01Q3/2676—Optically controlled phased array
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- Aerials With Secondary Devices (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、透過電波の位相を媒質中の電子密度を空
間的に変えることにより部分的に変化させて主ビームの
方向を制御するアンテナ装置、特に媒質中の電子密度の
変化を光によって制御するようにしたアンテナ装置に関
するものである。
間的に変えることにより部分的に変化させて主ビームの
方向を制御するアンテナ装置、特に媒質中の電子密度の
変化を光によって制御するようにしたアンテナ装置に関
するものである。
第10図は、例えば「Microwave Journal」February（1
981）pp.45〜53に開示された従来の電子走査するアンテ
ナ装置を示す概略構成図である。図において、１はアン
テナ、21,22は球面波の位相分布、３はダイオード装荷
レンズ、４は平面波の位相分布、５は主ビームである。
981）pp.45〜53に開示された従来の電子走査するアンテ
ナ装置を示す概略構成図である。図において、１はアン
テナ、21,22は球面波の位相分布、３はダイオード装荷
レンズ、４は平面波の位相分布、５は主ビームである。
上記のアンテナ１から送信され、球面波の位相分布2
1,22を持つ電波がダイオード装荷レンズ３に入射する
と、このダイオード装荷レンズ３の働きにより、透過波
は平面波の位相分布４を持ち、角度θの方向に主ビーム
５は放射される。このダイオード装荷レンズ３は線導体
の途中に複数個のダイオードを装荷したものを空間に複
数個配置したものであり、その構成と動作について次に
説明する。
1,22を持つ電波がダイオード装荷レンズ３に入射する
と、このダイオード装荷レンズ３の働きにより、透過波
は平面波の位相分布４を持ち、角度θの方向に主ビーム
５は放射される。このダイオード装荷レンズ３は線導体
の途中に複数個のダイオードを装荷したものを空間に複
数個配置したものであり、その構成と動作について次に
説明する。
第11図（Ａ）〜（Ｃ）は第10図のアンテナ装置におけ
るダイオード装荷レンズを示す概略構成図であり、第10
図のアンテナ１側から見たものを示している。第11図
（Ａ）において、61,62,63,…はダイオード、71,72,73,
…は線導体である。また、第11図（Ｂ）と第11図（Ｃ）
は各ダイオード61,62,63,…を逆バイアスあるいは順バ
イアスにした時の各線導体を示している。
るダイオード装荷レンズを示す概略構成図であり、第10
図のアンテナ１側から見たものを示している。第11図
（Ａ）において、61,62,63,…はダイオード、71,72,73,
…は線導体である。また、第11図（Ｂ）と第11図（Ｃ）
は各ダイオード61,62,63,…を逆バイアスあるいは順バ
イアスにした時の各線導体を示している。
第12図（Ａ）及び（Ｂ）は第11図（Ａ）のダイオード
装荷レンズの等価回路図、及びそのサセプタンスを示す
特性図である。第12図（Ａ）に示す等価回路において、
サセプタンスＢは、各線導体71,72,73,…の直径をa,間
隔をd,各ダイオード61,62,63,…の装荷間隔をｐとする
と、第12図（Ｂ）の特性図に示すようになる。この特性
図から分かるように、サセプタンスＢの値は電波の自由
空間での波長をλとすると、p/λが0.5で不連続とな
り、p/λ＜0.5である逆バイアス状態で容量性となり、p
/λ＞0.5である順バイアス状態で誘導性となる。現実に
は、p/λは上記線導体の直径a,間隔ｄ及びダイオードの
装荷間隔ｐで決まるサセプタンスB1と、p/λ≫１となる
サセプタンスB2の２つの値を持ち、両者の間で透過波の
位相が異なる。上記第11図（Ａ）に示す構成のものを多
層にし、逆バイアスあるいは順バイアスにする各ダイオ
ード61,62,63,…の位置を変えることにより、第10図に
示すダイオード装荷レンズ３を通った後の電波の主ビー
ム５の方向を変えることができる。
装荷レンズの等価回路図、及びそのサセプタンスを示す
特性図である。第12図（Ａ）に示す等価回路において、
サセプタンスＢは、各線導体71,72,73,…の直径をa,間
隔をd,各ダイオード61,62,63,…の装荷間隔をｐとする
と、第12図（Ｂ）の特性図に示すようになる。この特性
図から分かるように、サセプタンスＢの値は電波の自由
空間での波長をλとすると、p/λが0.5で不連続とな
り、p/λ＜0.5である逆バイアス状態で容量性となり、p
/λ＞0.5である順バイアス状態で誘導性となる。現実に
は、p/λは上記線導体の直径a,間隔ｄ及びダイオードの
装荷間隔ｐで決まるサセプタンスB1と、p/λ≫１となる
サセプタンスB2の２つの値を持ち、両者の間で透過波の
位相が異なる。上記第11図（Ａ）に示す構成のものを多
層にし、逆バイアスあるいは順バイアスにする各ダイオ
ード61,62,63,…の位置を変えることにより、第10図に
示すダイオード装荷レンズ３を通った後の電波の主ビー
ム５の方向を変えることができる。
上記従来の電子走査するアンテナ装置は以上のように
構成されているので、ダイオードを逆バイアスにした場
合に、このダイオードのキャパシタンスが大きいと入射
電波の周波数が高くなるにつれて導通状態になり主ビー
ムの走査ができなくなる。このため、キャパシタンスの
小さいダイオードを用いる必要があるが、このようなダ
イオードは高価でありアンテナの価格が高くなる。ま
た、サセプタンスＢは線導体の直径a,間隔ｄ及びダイオ
ードの装荷間隔ｐが一義的に決まっており、ダイオード
の逆バイアスと順バイアスの２つの値しか持つことがで
きないために積層する必要がある。このため、装置の寸
法・重量が大きくなるという問題点があった。さらに、
各々のダイオードを逆バイアスあるいは順バイアスにす
るためには、個々に電源のリード線と電圧を切り換える
電源が必要であり、配線が複雑となったり、誘導雑音の
影響等により誤動作をするなどの問題点があった。
構成されているので、ダイオードを逆バイアスにした場
合に、このダイオードのキャパシタンスが大きいと入射
電波の周波数が高くなるにつれて導通状態になり主ビー
ムの走査ができなくなる。このため、キャパシタンスの
小さいダイオードを用いる必要があるが、このようなダ
イオードは高価でありアンテナの価格が高くなる。ま
た、サセプタンスＢは線導体の直径a,間隔ｄ及びダイオ
ードの装荷間隔ｐが一義的に決まっており、ダイオード
の逆バイアスと順バイアスの２つの値しか持つことがで
きないために積層する必要がある。このため、装置の寸
法・重量が大きくなるという問題点があった。さらに、
各々のダイオードを逆バイアスあるいは順バイアスにす
るためには、個々に電源のリード線と電圧を切り換える
電源が必要であり、配線が複雑となったり、誘導雑音の
影響等により誤動作をするなどの問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされた
もので、装置が小形・軽量で、かつダイオードを装荷す
ることなく電波の主ビームの方向を電子的に走査するこ
とができる光制御アンテナ装置を得ることを目的とす
る。
もので、装置が小形・軽量で、かつダイオードを装荷す
ることなく電波の主ビームの方向を電子的に走査するこ
とができる光制御アンテナ装置を得ることを目的とす
る。
この発明に係る光制御アンテナ装置は、電波を送受信
するアンテナと、このアンテナの前面に設置され、電波
の位相を空間的に変えて所定の波面に変換する位相制御
板と、この位相制御板に導体パターンを書き込む光学系
とを具備したものである。
するアンテナと、このアンテナの前面に設置され、電波
の位相を空間的に変えて所定の波面に変換する位相制御
板と、この位相制御板に導体パターンを書き込む光学系
とを具備したものである。
この発明の光制御アンテナ装置においては、位相制御
板の任意の位置に電子・正孔対の密度（以下、プラズマ
密度と呼ぶ）が非常に高い状態、すなわち金属状態を局
所的に発生させることができる。このため、位相制御板
に書き込む導体パターンを変えることにより、所定の
幅，間隔，ピッチを持つ線導体ばかりでなく、円形や矩
形などの導体を実時間で発生させることができ、装置が
小形・軽量で、かつダイオードを装荷することなく電波
の主ビームの方向を電子的に走査することができる。
板の任意の位置に電子・正孔対の密度（以下、プラズマ
密度と呼ぶ）が非常に高い状態、すなわち金属状態を局
所的に発生させることができる。このため、位相制御板
に書き込む導体パターンを変えることにより、所定の
幅，間隔，ピッチを持つ線導体ばかりでなく、円形や矩
形などの導体を実時間で発生させることができ、装置が
小形・軽量で、かつダイオードを装荷することなく電波
の主ビームの方向を電子的に走査することができる。
第１図はこの発明の一実施例である光制御アンテナ装
置を示す概略構成図である。図において、各符号1,4,5,
21,22は第10図の従来装置と同一のものである。６は位
相制御板、７は位相制御板６に導体パターンを書き込む
光学系である。
置を示す概略構成図である。図において、各符号1,4,5,
21,22は第10図の従来装置と同一のものである。６は位
相制御板、７は位相制御板６に導体パターンを書き込む
光学系である。
位相制御板６をアンテナ１の前面に設置する際、アン
テナ１から放射される球面波が平面波に近づく必要があ
り、また定在波が立つのを防止する必要がある。この２
つの条件を満足させるため、アンテナ１と位相制御板６
との距離Ｒを次式で示すように決めている。
テナ１から放射される球面波が平面波に近づく必要があ
り、また定在波が立つのを防止する必要がある。この２
つの条件を満足させるため、アンテナ１と位相制御板６
との距離Ｒを次式で示すように決めている。
ここで、Ｃは光速，fRFは電波の周波数,Dはアンテナ
１の等価的な開口径である。
１の等価的な開口径である。
今、周波数fRF＝30GHzの場合、アンテナ１としてホー
ンアンテナを用いると開口径Ｄは約9mmであるから、距
離Ｒは上記（１）式より16.2mm以上となる。実際には、
距離Ｒとして上記の値の数倍に設定する。
ンアンテナを用いると開口径Ｄは約9mmであるから、距
離Ｒは上記（１）式より16.2mm以上となる。実際には、
距離Ｒとして上記の値の数倍に設定する。
以下の説明では、電波を送受信するアンテナ１として
ホーンアンテナを例にとり、このホーンアンテナより電
波を送信する場合について説明する。また、位相制御板
６として高純度の半導体基板を例にとり説明し、さらに
導体パターンとして線導体を例にとり説明する。
ホーンアンテナを例にとり、このホーンアンテナより電
波を送信する場合について説明する。また、位相制御板
６として高純度の半導体基板を例にとり説明し、さらに
導体パターンとして線導体を例にとり説明する。
第２図は第１図の光制御アンテナ装置の具体例を示す
構成図である。図において、各符号4,5,21,22は第10図
の従来装置と同一のものである。８はホーンアンテナ、
９は光に対する反射防止膜を表面に形成した高純度の半
導体基板、10は半導体基板９上に照射する導体パターン
を計算するCPU（中央処理装置）、11はCPU10で計算した
導体パターンに比例した強度分布を持つ光画像に変換す
る空間光変調素子、12は照射光源として用いる高出力の
レーザダイオード、13はレーザダイオード12の駆動回
路、14は空間光変調素子11の駆動回路、15はCPU10から
供給された同期信号に基づいてレーザダイオード12の駆
動回路13と空間光変調素子11の駆動回路14とに制御信号
を供給する制御信号発生回路である。
構成図である。図において、各符号4,5,21,22は第10図
の従来装置と同一のものである。８はホーンアンテナ、
９は光に対する反射防止膜を表面に形成した高純度の半
導体基板、10は半導体基板９上に照射する導体パターン
を計算するCPU（中央処理装置）、11はCPU10で計算した
導体パターンに比例した強度分布を持つ光画像に変換す
る空間光変調素子、12は照射光源として用いる高出力の
レーザダイオード、13はレーザダイオード12の駆動回
路、14は空間光変調素子11の駆動回路、15はCPU10から
供給された同期信号に基づいてレーザダイオード12の駆
動回路13と空間光変調素子11の駆動回路14とに制御信号
を供給する制御信号発生回路である。
以下の説明においては、便宜上半導体基板９としてSi
を例にとり説明する。半導体基板９の厚さｔは、使用す
る電波に対する屈折率ｎとの積がその電波の1/2波長の
整数倍となるように設定する。
を例にとり説明する。半導体基板９の厚さｔは、使用す
る電波に対する屈折率ｎとの積がその電波の1/2波長の
整数倍となるように設定する。
ここで、Ｃは光速，fRFは電波の周波数である。この
ように半導体基板９の厚さｔを設定することにより、電
波が通過する際における損失は0dBに近くなる。
ように半導体基板９の厚さｔを設定することにより、電
波が通過する際における損失は0dBに近くなる。
今、fRF＝30GHzの場合に、Siではｎ＝3.6であり、所
要の厚さｔは1.4mmの整数倍となる。半導体基板９とし
て抵抗率が約6.5KΩ・cmの高純度のSiを用い、このSiの
禁止帯幅Eg＝1.12ev（λｇ＝1.11μｍ）より大きいエネ
ルギーを持つ波長の光を照射することによりプラズマを
発生させる。照射光源として波長λ＝0.94μｍのレーザ
ダイオード12を用いた場合に、Siの吸収係数αは約300c
m-1であるので、プラズマが発生する深さは1/α＝33μ
ｍであり、プラズマの発生部分での屈折率ｎは次式のよ
うに変化する。
要の厚さｔは1.4mmの整数倍となる。半導体基板９とし
て抵抗率が約6.5KΩ・cmの高純度のSiを用い、このSiの
禁止帯幅Eg＝1.12ev（λｇ＝1.11μｍ）より大きいエネ
ルギーを持つ波長の光を照射することによりプラズマを
発生させる。照射光源として波長λ＝0.94μｍのレーザ
ダイオード12を用いた場合に、Siの吸収係数αは約300c
m-1であるので、プラズマが発生する深さは1/α＝33μ
ｍであり、プラズマの発生部分での屈折率ｎは次式のよ
うに変化する。
ｎ＝nr＋jk ……（３） ここで、nr,kは屈折率ｎの実数部と虚数部である。
第３図及び第４図は第２図の光制御アンテナ装置にお
ける屈折率のプラズマ密度依存性、及び伝搬損失のプラ
ズマ密度依存性をそれぞれ示す特性図である。第３図は
上記屈折率ｎの実数部nr，虚数部ｋとプラズマ密度Ｎと
の関係を示す特性図であり、プラズマ密度Ｎ＝1016／cm
3以上ではnrとｋはＮに対してはほぼ等しく変化する。
ところで、第４図に示すようにプラズマ密度Ｎ＝1016／
cm3の近傍でSiは電波に対して損失媒質として作用す
る。なお、それ以上にプラズマ密度Ｎが高い場合には金
属状態になる。
ける屈折率のプラズマ密度依存性、及び伝搬損失のプラ
ズマ密度依存性をそれぞれ示す特性図である。第３図は
上記屈折率ｎの実数部nr，虚数部ｋとプラズマ密度Ｎと
の関係を示す特性図であり、プラズマ密度Ｎ＝1016／cm
3以上ではnrとｋはＮに対してはほぼ等しく変化する。
ところで、第４図に示すようにプラズマ密度Ｎ＝1016／
cm3の近傍でSiは電波に対して損失媒質として作用す
る。なお、それ以上にプラズマ密度Ｎが高い場合には金
属状態になる。
上記金属状態にするのに必要なプラズマ密度をNm，レ
ーザダイオード12の波長をλ，波長λでのSiの吸収係数
をα，光子を吸収してプラズマを発生する時の量子効率
をη，光の照射領域の面積をＳとすると、この時、上記
プラズマ密度Nmを発生するのに必要なレーザダイオード
12からの光電力Prは次式のようになる。
ーザダイオード12の波長をλ，波長λでのSiの吸収係数
をα，光子を吸収してプラズマを発生する時の量子効率
をη，光の照射領域の面積をＳとすると、この時、上記
プラズマ密度Nmを発生するのに必要なレーザダイオード
12からの光電力Prは次式のようになる。
ここで、ｈはプランクの定数である。一例として、λ
＝0.94μm,α＝300cm-1，η＝0.7,S＝１cm2の場合に、
プラズマ密度Nmを1018／cm3にするためには光電力Prは1
mWが必要である。以上により、半導体基板９の面積Ｓ＝
50cm2に対してレーザダイオード12から出射する全光電
力は50mW以上が必要となる。これはパルス動作するレー
ザダイオード12を用いることにより実現できる。
＝0.94μm,α＝300cm-1，η＝0.7,S＝１cm2の場合に、
プラズマ密度Nmを1018／cm3にするためには光電力Prは1
mWが必要である。以上により、半導体基板９の面積Ｓ＝
50cm2に対してレーザダイオード12から出射する全光電
力は50mW以上が必要となる。これはパルス動作するレー
ザダイオード12を用いることにより実現できる。
ところで、レーザダイオード12より出射するレーザ光
のビーム拡り角は、半値全角で20度程度のものが実現し
ており、一例としてホーンアンテナ８と半導体基板９間
の距離Ｒを80mmとすると、照射領域の面積Ｓは50cm2と
なる。このため、レーザダイオード12の前面にレンズ系
を挿入せずに半導体基板９上に所定の導体パターンを書
き込むことができる。
のビーム拡り角は、半値全角で20度程度のものが実現し
ており、一例としてホーンアンテナ８と半導体基板９間
の距離Ｒを80mmとすると、照射領域の面積Ｓは50cm2と
なる。このため、レーザダイオード12の前面にレンズ系
を挿入せずに半導体基板９上に所定の導体パターンを書
き込むことができる。
第５図は第２図の光制御アンテナ装置における空間光
変調素子と半導体基板の部分を示す斜視図である。図に
おいて、９は半導体基板、16と17a,17bは空間光変調素
子11を構成する液晶パネルと偏光子、18は液晶パネル16
を構成する各画素に空間光変調素子11の駆動回路14より
所定の電圧を与えて書き込んだ導体パターン、19はレー
ザダイオード12より出射したレーザ光を偏光子17aによ
り直線偏光のみ通過させ、これを液晶パネル16に入射さ
せてその出射光を偏光子17aと直交ニコル状態あるいは
平行ニコル状態に配置した偏光子17bを通過させ、導体
パターン18に比例した強度分布を持つ光画像に変換し、
その光画像を半導体基板９上に照射してプラズマ密度の
高い状態を発生させて作成した線導体パターンである。
なお、偏光子17a,液晶パネル16,偏光子17b及び半導体基
板９は、実際には液晶パネル16に書き込んだ導体パター
ン18の光画像を半導体基板９上に照射した時に像ぼけが
起きないように密着されるか接着されている。また、液
晶パネル16に電圧を印加するために設けられている透明
電極として、電波の通過に際し影響を与えない程度の薄
膜を用いている。
変調素子と半導体基板の部分を示す斜視図である。図に
おいて、９は半導体基板、16と17a,17bは空間光変調素
子11を構成する液晶パネルと偏光子、18は液晶パネル16
を構成する各画素に空間光変調素子11の駆動回路14より
所定の電圧を与えて書き込んだ導体パターン、19はレー
ザダイオード12より出射したレーザ光を偏光子17aによ
り直線偏光のみ通過させ、これを液晶パネル16に入射さ
せてその出射光を偏光子17aと直交ニコル状態あるいは
平行ニコル状態に配置した偏光子17bを通過させ、導体
パターン18に比例した強度分布を持つ光画像に変換し、
その光画像を半導体基板９上に照射してプラズマ密度の
高い状態を発生させて作成した線導体パターンである。
なお、偏光子17a,液晶パネル16,偏光子17b及び半導体基
板９は、実際には液晶パネル16に書き込んだ導体パター
ン18の光画像を半導体基板９上に照射した時に像ぼけが
起きないように密着されるか接着されている。また、液
晶パネル16に電圧を印加するために設けられている透明
電極として、電波の通過に際し影響を与えない程度の薄
膜を用いている。
上記のような構成により、所定の幅w,間隔d,ピッチｐ
を持つ線導体パターン19を半導体基板９上に生成するこ
とができる。従って、第２図に示すように半導体基板９
上の線導体パターン19に電波が入射すると、上記第10図
及び第12図（Ａ）及び（Ｂ）で説明したと同様の動作原
理により、透過波は平面波の位相分布４を持ち、角度θ
の方向に主ビーム５を走査することができる。なお、空
間光変調素子11への書き込みは実時間ででき、CPU10で
計算した導体パターン18に応じて上記幅w,間隔d,ピッチ
ｐの値を容易に変えることができ、さらに空間的に分布
を持たせることも容易にできる。
を持つ線導体パターン19を半導体基板９上に生成するこ
とができる。従って、第２図に示すように半導体基板９
上の線導体パターン19に電波が入射すると、上記第10図
及び第12図（Ａ）及び（Ｂ）で説明したと同様の動作原
理により、透過波は平面波の位相分布４を持ち、角度θ
の方向に主ビーム５を走査することができる。なお、空
間光変調素子11への書き込みは実時間ででき、CPU10で
計算した導体パターン18に応じて上記幅w,間隔d,ピッチ
ｐの値を容易に変えることができ、さらに空間的に分布
を持たせることも容易にできる。
第６図はこの発明の他の実施例である光制御アンテナ
装置の具体例を示す構成図である。図において、各符号
4,5,8〜15,21,22は第２図の光制御アンテナ装置と同一
のものである。20は、光画像発生器として用いた空間光
変調素子11により作成された導体パターン18の光画像を
反射し、電波を通過させ、両者を半導体基板９に入射さ
せる光・電波分離板、30は光画像を半導体基板９上に拡
大し投影する投影レンズである。
装置の具体例を示す構成図である。図において、各符号
4,5,8〜15,21,22は第２図の光制御アンテナ装置と同一
のものである。20は、光画像発生器として用いた空間光
変調素子11により作成された導体パターン18の光画像を
反射し、電波を通過させ、両者を半導体基板９に入射さ
せる光・電波分離板、30は光画像を半導体基板９上に拡
大し投影する投影レンズである。
第７図は第６図の光制御アンテナ装置における光学系
の部分を示す斜視図である。図において、各符号9,12,1
6,17a,17b,18〜20,30は第５図及び第６図の光制御アン
テナ装置と同一のものである。光・電波分離板20は、電
波が斜め方向から入射した時に通過損失を０に近くする
ように厚さが設定された誘電体基板であり、その表面に
レーザ光の波長あるいは後述するCRTの発光波長の光を
反射するための誘電体多層膜フィルタを形成したもので
ある。
の部分を示す斜視図である。図において、各符号9,12,1
6,17a,17b,18〜20,30は第５図及び第６図の光制御アン
テナ装置と同一のものである。光・電波分離板20は、電
波が斜め方向から入射した時に通過損失を０に近くする
ように厚さが設定された誘電体基板であり、その表面に
レーザ光の波長あるいは後述するCRTの発光波長の光を
反射するための誘電体多層膜フィルタを形成したもので
ある。
上記のような構成を用いることにより、上記第５図で
説明したと同様の原理によって所定の幅w,間隔d,ピッチ
ｐを持つ線導体を半導体基板９上に生成することができ
る。第６図に示すように半導体基板９上の線導体パター
ン19に電波が入射すると、上記第２図及び第５図で説明
したと同様の原理により、透過波は平面波の位相分布４
を持ち、角度θの方向に主ビーム５を走査することがで
きる。
説明したと同様の原理によって所定の幅w,間隔d,ピッチ
ｐを持つ線導体を半導体基板９上に生成することができ
る。第６図に示すように半導体基板９上の線導体パター
ン19に電波が入射すると、上記第２図及び第５図で説明
したと同様の原理により、透過波は平面波の位相分布４
を持ち、角度θの方向に主ビーム５を走査することがで
きる。
第８図はこの発明の他の実施例である光制御アンテナ
装置の具体例を示す構成図である。各符号4,5,8〜10,20
〜22,30は第６図及び第７図の光制御アンテナ装置と同
一のものである。35は、半導体基板９の禁止帯幅より大
きなエネルギーを持つ波長の発光スペクトルを持ち、か
つCPU10で計算した導体パターン18を２次元の光画像と
して表示し、光画像発生器として用いたCRT（cathode r
ay tube−陰極線管）、36はCRT35の駆動回路である。CR
T35上に導体パターン18に比例した輝度分布を持つ光画
像が表示されると、その光画像は投影レンズ30により半
導体基板９上に拡大投影される。すると、上記第２図及
び第６図で説明したと同様の原理により、照射部分だけ
半導体基板９上にプラズマ密度の高い状態を発生させる
ことができ導体パターン18を生成することができる。
装置の具体例を示す構成図である。各符号4,5,8〜10,20
〜22,30は第６図及び第７図の光制御アンテナ装置と同
一のものである。35は、半導体基板９の禁止帯幅より大
きなエネルギーを持つ波長の発光スペクトルを持ち、か
つCPU10で計算した導体パターン18を２次元の光画像と
して表示し、光画像発生器として用いたCRT（cathode r
ay tube−陰極線管）、36はCRT35の駆動回路である。CR
T35上に導体パターン18に比例した輝度分布を持つ光画
像が表示されると、その光画像は投影レンズ30により半
導体基板９上に拡大投影される。すると、上記第２図及
び第６図で説明したと同様の原理により、照射部分だけ
半導体基板９上にプラズマ密度の高い状態を発生させる
ことができ導体パターン18を生成することができる。
上記のような構成により、第８図に示すように半導体
基板９上の線導体パターン19に電波が入射すると、第２
図及び第６図で説明したと同様の原理により、透過光は
平面波の位相分布４を持ち、角度θの方向に主ビーム５
を走査することができる。
基板９上の線導体パターン19に電波が入射すると、第２
図及び第６図で説明したと同様の原理により、透過光は
平面波の位相分布４を持ち、角度θの方向に主ビーム５
を走査することができる。
なお、上記実施例では、導体パターン18として線導体
を例にとり説明したが、この発明では第９図（Ａ）及び
（Ｂ）に示すように矩形あるいは円形などの導体パター
ンを用いても良く、上記実施例と同様の効果を奏する。
を例にとり説明したが、この発明では第９図（Ａ）及び
（Ｂ）に示すように矩形あるいは円形などの導体パター
ンを用いても良く、上記実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では、電波の主ビーム５が１個の場
合を例にとり説明したが、この発明では導体パターン18
を多重加算した光画像を空間光変調素子11あるいはCRT3
5を用いて発生させることにより、電波の主ビーム５を
複数個に分割し、各々を独立に走査させたり、収束ビー
ムを合成したりする場合にも適用できる。
合を例にとり説明したが、この発明では導体パターン18
を多重加算した光画像を空間光変調素子11あるいはCRT3
5を用いて発生させることにより、電波の主ビーム５を
複数個に分割し、各々を独立に走査させたり、収束ビー
ムを合成したりする場合にも適用できる。
また、上記実施例では、電波を送信する場合を例にと
り説明したが、この発明では電波を受信する場合にも適
用できる。
り説明したが、この発明では電波を受信する場合にも適
用できる。
また、上記実施例では、アンテナ１としてホーンアン
テナ８を例にとり説明したが、この発明では複数個の素
子アンテナから成るアレーアンテナを用いた場合にも適
用できる。
テナ８を例にとり説明したが、この発明では複数個の素
子アンテナから成るアレーアンテナを用いた場合にも適
用できる。
また、上記実施例では、半導体基板９としてSiを用い
た場合について説明したが、この発明ではGaAsなどの半
導体基板を用いても良い。
た場合について説明したが、この発明ではGaAsなどの半
導体基板を用いても良い。
この発明は以上説明したとおり、光制御アンテナ装置
において、電波を送受信するアンテナと、このアンテナ
の前面に設置され、電波の位相を空間的に変えて所定の
波面に変換する位相制御板と、この位相制御板に導体パ
ターンを書き込む光学系とを具備した構成としたので、
装置が小形・軽量で、かつこの種の従来のアンテナ装置
で使用するダイオードを装荷することなく、電波の主ビ
ームの方向を電子的に走査することができる光制御アン
テナ装置が得られるという優れた効果を奏するものであ
る。
において、電波を送受信するアンテナと、このアンテナ
の前面に設置され、電波の位相を空間的に変えて所定の
波面に変換する位相制御板と、この位相制御板に導体パ
ターンを書き込む光学系とを具備した構成としたので、
装置が小形・軽量で、かつこの種の従来のアンテナ装置
で使用するダイオードを装荷することなく、電波の主ビ
ームの方向を電子的に走査することができる光制御アン
テナ装置が得られるという優れた効果を奏するものであ
る。
第１図はこの発明の一実施例である光制御アンテナ装置
を示す概略構成図、第２図は第１図の光制御アンテナ装
置の具体例を示す構成図、第３図及び第４図は第２図の
光制御アンテナ装置における屈折率のプラズマ密度依存
性、及び伝搬損失のプラズマ密度依存性をそれぞれ示す
特性図、第５図は第２図の光制御アンテナ装置における
空間光変調素子と半導体基板の部分を示す斜視図、第６
図はこの発明の他の実施例である光制御アンテナ装置の
具体例を示す構成図、第７図は第６図の光制御アンテナ
装置における光学系の部分を示す斜視図、第８図はこの
発明の他の実施例である光制御アンテナ装置の具体例を
示す構成図、第９図（Ａ）及び（Ｂ）はこの発明による
光制御アンテナ装置における導体パターンの変形例を示
す図、第10図は従来の電子走査するアンテナ装置を示す
概略構成図、第11図（Ａ）〜（Ｃ）は第10図のアンテナ
装置におけるダイオード装荷レンズを示す概略構成図、
第12図（Ａ）及び（Ｂ）は第11図（Ａ）のダイオード装
荷レンズの等価回路図、及びそのサセプタンスを示す特
性図である。 図において、１……アンテナ、３……ダイオード装荷レ
ンズ、４……平面波の位相分布、５……主ビーム、６…
…位相制御板、７……光学系、８……ホーンアンテナ、
９……半導体基板、10……CPU（中央処理装置）、11…
…空間光変調素子、12……レーザダイオード、13……レ
ーザダイオード12の駆動回路、14……空間光変調素子11
の駆動回路、15……制御信号発生回路、16……液晶パネ
ル、17a,17b……偏光子、18……導体パターン、19……
線導体パターン、20……光・電波分離板、21,22……球
面波の位相分布、30……投影レンズ、35……CRT（陰極
線管）、36……CRT35の駆動回路、61,62,63,〜……ダイ
オード、71,72,73,〜……線導体である。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
を示す概略構成図、第２図は第１図の光制御アンテナ装
置の具体例を示す構成図、第３図及び第４図は第２図の
光制御アンテナ装置における屈折率のプラズマ密度依存
性、及び伝搬損失のプラズマ密度依存性をそれぞれ示す
特性図、第５図は第２図の光制御アンテナ装置における
空間光変調素子と半導体基板の部分を示す斜視図、第６
図はこの発明の他の実施例である光制御アンテナ装置の
具体例を示す構成図、第７図は第６図の光制御アンテナ
装置における光学系の部分を示す斜視図、第８図はこの
発明の他の実施例である光制御アンテナ装置の具体例を
示す構成図、第９図（Ａ）及び（Ｂ）はこの発明による
光制御アンテナ装置における導体パターンの変形例を示
す図、第10図は従来の電子走査するアンテナ装置を示す
概略構成図、第11図（Ａ）〜（Ｃ）は第10図のアンテナ
装置におけるダイオード装荷レンズを示す概略構成図、
第12図（Ａ）及び（Ｂ）は第11図（Ａ）のダイオード装
荷レンズの等価回路図、及びそのサセプタンスを示す特
性図である。 図において、１……アンテナ、３……ダイオード装荷レ
ンズ、４……平面波の位相分布、５……主ビーム、６…
…位相制御板、７……光学系、８……ホーンアンテナ、
９……半導体基板、10……CPU（中央処理装置）、11…
…空間光変調素子、12……レーザダイオード、13……レ
ーザダイオード12の駆動回路、14……空間光変調素子11
の駆動回路、15……制御信号発生回路、16……液晶パネ
ル、17a,17b……偏光子、18……導体パターン、19……
線導体パターン、20……光・電波分離板、21,22……球
面波の位相分布、30……投影レンズ、35……CRT（陰極
線管）、36……CRT35の駆動回路、61,62,63,〜……ダイ
オード、71,72,73,〜……線導体である。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (11)
- 【請求項１】光を用いて電波の主ビームの方向を電子的
に走査する光制御アンテナ装置において、電波を送受信
するアンテナと、このアンテナの前面に所定の距離を隔
てて設置され、上記電波の位相を空間的に変えて所定の
波面に変換する位相制御板と、この位相制御板に直線状
あるいは曲線状の導体パターンを書き込む投影光学系と
から構成したことを特徴とする光制御アンテナ装置。 - 【請求項２】上記アンテナとして、ホーンアンテナある
いは複数個の素子アンテナから成るアレーアンテナを用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光制
御アンテナ装置。 - 【請求項３】上記位相制御板として、送受信する電波を
通過させ得る厚さの半導体基板を用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光制御アンテナ装置。 - 【請求項４】上記投影光学系として、上記アンテナの近
傍に設置され、上記位相制御板に所定のエネルギーと所
定の波長の光を照射する照射光源と、上記位相制御板に
密着して設置され、上記照射光源から出射される光のう
ち上記位相制御板に直線状あるいは曲線状の導体パター
ンを形成するために、部分的に上記照射光源の光を透過
する空間光変調素子とを具備したものを用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光制御アンテナ装
置。 - 【請求項５】上記照射光源として、上記半導体基板の禁
止帯幅より大きなエネルギーの光子を出射するレーザダ
イオードを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第４
項記載の光制御アンテナ装置。 - 【請求項６】上記空間光変調素子として、２次元配列し
た複数個の画素から成る液晶パネルと、この液晶パネル
の入出射面のそれぞれに直交ニコル状態あるいは平行ニ
コル状態となるように配置して張り付けられた２枚の偏
光子から構成され、上記液晶パネルの各画素に外部より
所定の電圧を印加するようにしたものを用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の光制御アンテナ装
置。 - 【請求項７】上記投影光学系として、上記位相制御板に
直線状あるいは曲線状の導体パターンを発生させるため
に光画像を発生する光画像発生器と、この光画像発生器
の発生する光画像を拡大して上記位相制御板に結像する
投影レンズと、上記アンテナと上記位相制御板との間に
挿入された上記光画像発生器の出射する出力光を反射す
ると共に、到来又は出射する電波を通過させ、上記位相
制御板に入射させる光・電波分離板とを具備したものを
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
制御アンテナ装置。 - 【請求項８】上記光画像発生器として、上記位相制御板
に所定のエネルギーの光を出射する照射光源と、上記位
相制御板に直線状あるいは曲線状の導体パターンを形成
するため、上記照射光源から出射される光を光画像に変
換する上記空間光変調素子とを具備したものを用いたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の光制御アン
テナ装置。 - 【請求項９】上記照射光源として、上記半導体基板の禁
止帯幅より大きなエネルギーを持つ波長の光を出射する
レーザダイオードを用いたことを特徴とする特許請求の
範囲第８項記載の光制御アンテナ装置。 - 【請求項１０】上記空間光変調素子として、複数個の画
素を２次元配列した上記液晶パネルと、この液晶パネル
の入出射面に直交ニコル状態あるいは平行ニコル状態と
なるように張り合わせられる２枚の偏光子と、上記液晶
パネルを構成する個々の画素に外部より所定の電圧を印
加できるようにした駆動回路から成るものを用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第８項記載の光制御アンテ
ナ装置。 - 【請求項１１】上記光画像発生器として、上記位相制御
板に電子像を形成するのに必要とするエネルギーの光子
を発生するCRT（cathode ray tube）を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第７項記載の光制御アンテナ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10501287A JP2508707B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 光制御アンテナ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10501287A JP2508707B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 光制御アンテナ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63269807A JPS63269807A (ja) | 1988-11-08 |
| JP2508707B2 true JP2508707B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=14396156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10501287A Expired - Fee Related JP2508707B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 光制御アンテナ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2508707B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004194082A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Toshiba Corp | 線状アンテナ、パルス無線装置及びパルス無線方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2678112B1 (fr) * | 1991-06-18 | 1993-12-03 | Thomson Csf | Antenne hyperfrequence a balayage optoelectronique. |
| FR2679703B1 (fr) * | 1991-07-25 | 1993-12-03 | Commissariat A Energie Atomique | Dispositif hyperfrequence a semiconducteur et a commande optique. |
| JP3415817B2 (ja) * | 2000-08-28 | 2003-06-09 | アーベル・システムズ株式会社 | 太陽電池 |
| GB0323123D0 (en) * | 2003-10-03 | 2003-11-05 | Roke Manor Research | Electronically steerable fresnel zone antenna |
| JP2007013611A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 衛星搭載フェーズドアレーアンテナ運用システム |
| GB0706301D0 (en) | 2007-03-30 | 2007-05-09 | E2V Tech Uk Ltd | Reflective means |
| CN103329354A (zh) | 2011-01-25 | 2013-09-25 | 索尼公司 | 光控微波天线 |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP10501287A patent/JP2508707B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004194082A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Toshiba Corp | 線状アンテナ、パルス無線装置及びパルス無線方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63269807A (ja) | 1988-11-08 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |