JP2026123647A - 細胞膜電流測定装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェルに形成された細胞膜に係る電流を測定回路によって適切に測定する。
【解決手段】細胞膜電流測定装置１は、板状のチップ１０と、チップ１０と対面するように配置された基板７６と、を備える。チップ１０における基板７６とは反対側の面１１には、細胞膜６４を形成するためのウェル２０が設けられる。チップ１０における基板７６側の面１２には、ウェル２０に配置された電極２５が露出する。基板７６には、ウェル２０に形成された細胞膜６４に係る電流Ｉを測定するための測定回路１００が設けられる。基板７６には、基板７６に固定され且つ基板７６からチップ１０に向かって直線状に延びる導通部材７０が設けられる。導通部材７０が電極２５に接触することによって、電極２５と測定回路１００とが電気的に接続される。
【選択図】図５

Description

本開示は、細胞膜電流測定装置に関する。

例えば特許文献１に示すように、細胞膜について種々の技術が開示されている。特許文献１では、板状のチップに形成されたウェル内に、人工的に細胞膜が形成される。

特開２００７－０２９９１１号公報

チップには、細胞膜を形成するためのウェルが設けられている。測定回路は、ウェルに形成された細胞膜に係る電流を、測定する。

測定回路とウェルとが互いに遠くに配置されると、ノイズ（外乱、浮遊容量など）の影響を受けて、細胞膜に係る電流を測定回路によって適切に測定できないことがある。

本開示の目的は、ウェルに形成された細胞膜に係る電流を測定回路によって適切に測定することにある。

本開示に係る細胞膜電流測定装置は、板状のチップと、前記チップと対面するように配置された基板と、を備え、前記チップにおける前記基板とは反対側の面には、細胞膜を形成するためのウェルが設けられ、前記チップにおける前記基板側の面には、前記ウェルに配置された電極が露出し、前記基板には、前記ウェルに形成された前記細胞膜に係る電流を測定するための測定回路が設けられ、前記基板には、前記基板に固定され且つ前記基板から前記チップに向かって直線状に延びる導通部材が設けられ、前記導通部材が前記電極に接触することによって、前記電極と前記測定回路とが電気的に接続される。

板状のチップと基板とは、互いに対面する。導通部材は、基板に固定されている。導通部材は、基板からチップに向かって直線状に延びている。

チップにおけるウェルの電極と基板の測定回路とを、近づけることができる。ウェルに形成された細胞膜に係る電流を、測定回路によって測定するに際して、ノイズの影響を受けにくくなる。測定回路による電流の測定精度の悪化を、抑制できる。

ウェルに形成された細胞膜に係る電流を、測定回路によって適切に測定することができる。

一実施形態に係る細胞膜電流測定装置では、前記測定回路は、前記電流を増幅させる増幅回路を有し、前記基板に沿う第１方向において、前記導通部材と前記増幅回路との距離は、前記基板の厚さよりも小さい。

コンタクトピンと増幅回路とを近づけることによって、増幅回路での増幅前にノイズが印加されてノイズ成分まで増幅され、細胞膜に係る電流の成分がノイズ成分に埋もれてしまうことを、抑制できる。

一実施形態に係る細胞膜電流測定装置では、前記ウェルは、第１ウェルと、第２ウェルと、を含み、前記電極は、前記第１ウェルに配置された第１電極と、前記第２ウェルに配置された第２電極と、を含み、前記導通部材は、前記第１電極に接触する第１導通部材と、前記第２電極に接触する第２導通部材と、を含み、前記測定回路は、前記第１ウェルに形成された前記細胞膜に係る前記電流としての第１電流を測定するための第１測定回路と、前記第２ウェルに形成された前記細胞膜に係る前記電流としての第２電流を測定するための第２測定回路と、を含み、前記第１測定回路は、前記第１電流を増幅させる第１増幅回路を有し、前記第２測定回路は、前記第２電流を増幅させる第２増幅回路を有し、前記基板に沿う第１方向において、前記第１導通部材と前記第１増幅回路との距離は、前記第１導通部材と前記第２増幅回路との距離よりも小さく、前記第１方向において、前記第２導通部材と前記第２増幅回路との距離は、前記第２導通部材と前記第１増幅回路との距離よりも小さい。

コンタクトピンと増幅回路とを近づけることによって、増幅回路での増幅前にノイズが印加されてノイズ成分まで増幅され、細胞膜に係る電流の成分がノイズ成分に埋もれてしまうことを、を抑制できる。

一実施形態に係る細胞膜電流測定装置は、前記チップと前記基板と前記導通部材とを収容する筐体を備える。

外部からのノイズの侵入を抑制できる。

本開示によれば、ウェルに形成された細胞膜に係る電流を測定回路によって適切に測定することができる。

図１は、人工細胞膜電流測定装置を断面図で示す。 図２は、人工細胞膜を形成するためのチップを示す。 図３は、人工細胞膜を示す。 図４は、人工細胞膜の形成方法を示す。 図５は、基板の上面を示す。 図６は、回路ブロック図を示す。

以下、本開示の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本開示、その適用物あるいはその用途を制限することを意図するものでは全くない。

（人工細胞膜電流測定装置）
図１は、細胞膜電流測定装置としての人工細胞膜電流測定装置１を、（図２のＰ線における）断面図で示す。人工細胞膜電流測定装置１は、チップ１０と、支持台５０と、導通部材としてのコンタクトピン７０と、基板７６と、筐体８０と、蓋８６と、支柱９９と、を備える。

（人工細胞膜チップ）
図２は、細胞膜としての人工細胞膜６４を形成するためのチップ１０（人工細胞膜チップ）を、上方Ｚａから見た図で示す。チップ１０は、板状である。板状のチップ１０は、上下方向Ｚを厚さ方向とするとともに、水平方向に延びている。本例では、チップ１０は、略四角形状に形成されている。チップ１０の上面１１は、外周部１３と、中央部１４と、を含む。中央部１４は、水平方向において、外周部１３よりも内側にある。外周部１３は、水平方向において、中央部１４よりも外側にある。

チップ１０の上面１１には、複数のウェル２０が設けられている。本例では、チップ１０の上面１１において、９６個のウェル２０が、前後に１２個、左右に８個、並んで配置されている（一部の図示を省略している）。チップ１０において、ウェル２０の個数は、１個でもよいし、２個～９５個でもよいし、９７個以上でもよい。ウェル２０は、人工細胞膜６４を形成するためにある。人工細胞膜６４は、人工的に作られた細胞膜である。

ウェル２０は、チップ１０の上面１１に形成された凹部である。ウェル２０は、第１部分２１及び第２部分２２を含む。第１部分２１は、上方Ｚａから見て略円形状である。第２部分２２は、上方Ｚａから見て略円形状である。第１部分２１と第２部分２２とは、互いに隣接するように、接続されている。

第１部分２１と第２部分２２とは、隔壁２３を介して、互いに隔てられている。隔壁２３は、第１部分２１と第２部分２２とを仕切っている（区画している）。隔壁２３には、貫通穴２４（図１参照）が設けられている。貫通穴２４は、隔壁２３を貫通している。貫通穴２４は、第１部分２１と第２部分２２とを連通している。

図１及び２に示すように、ウェル２０の底面には、電極２５が配置されている。電極２５は、チップ１０を上下方向Ｚに貫通している。電極２５は、第１部分２１の底面及び第２部分２２の底面に、それぞれ配置されている。すわなち、１つのウェル２０には、電極２５が２つある。チップ１０の下面１２には、電極２５が露出している。電極２５は、例えば、金属で形成されている。

（人工細胞膜）
図３は、人工細胞膜６４を、上方Ｚａから見た図で示す。人工細胞膜６４は、ウェル２０内に形成されている。人工細胞膜６４は、脂質二重膜からなる。人工細胞膜６４は、生体の細胞膜を模したものであって、人工的に形成されている。

ウェル２０における第１部分２１及び第２部分２２には、脂質溶液６１及びバッファ液６２が注入される。脂質溶液６１は、例えば、脂質分子を分散させた有機溶媒（油）である。バッファ液６２は、例えば、水又は水溶液である。バッファ液６２は、脂質溶液６１に混ざらない。

第１部分２１及び第２部分２２には、バッファ液６２の塊（例えば水滴）が形成される。第１部分２１及び第２部分２２では、バッファ液６２の塊の周囲に、脂質分子が並んだ脂質単分子膜６３が、自発的に形成される。

第１部分２１と第２部分２２との間における隔壁２３の貫通穴２４では、脂質単分子膜６３が重なって脂質二重膜となり、人工細胞膜６４が形成される。第１部分２１及び第２部分２２のうち、一方は生体細胞の内部を模しており、他方は生体細胞の外部を模している。

（イオンチャネル）
バッファ液６２の塊には、イオン及びタンパク質６５が分散している。タンパク質６５は、イオンチャネル６６の元になる。人工細胞膜６４にタンパク質６５が付着すると、イオンチャネル６６が形成される。

イオンチャネル６６は、人工細胞膜６４を貫通する通路である。イオンチャネル６６は、第１部分２１のバッファ液６２と第２部分２２のバッファ液６２とを、連通させる。イオンチャネル６６では、第１部分２１と第２部分２２との間で、イオンが移動する。イオンチャネル６６は、人工細胞膜６４におけるイオンの通路である。イオンとして、例えば、カリウムイオンやナトリウムイオンなどが挙げられる。イオンは、電荷を持っている。

イオンチャネル６６は、開いたり閉じたりする。イオンチャネル６６が開くと、第１部分２１と第２部分２２との間でイオンが移動する。イオンチャネル６６が開くと、イオンの移動に起因するイオン電流Ｉが流れる。

イオンチャネル６６が閉じると、第１部分２１と第２部分２２との間でイオンが移動しない。イオンチャネル６６が閉じると、イオン電流Ｉは僅かに流れる。イオンチャネル６６が閉じた場合であっても、イオン電流Ｉは、完全にゼロにはならず、人工細胞膜６４を漏れ伝わるようにして（リークして）、イオンチャネル６６を少し流れるからである。イオンチャネル６６が閉じたときのイオン電流Ｉは、イオンチャネル６６が開いたときのイオン電流Ｉよりも、小さくなる。

（人工細胞膜の形成方法）
図４は、人工細胞膜６４の形成方法を示す。なお、図４は、図２のＱ線における断面図である。人工細胞膜６４の形成方法（人工細胞膜形成方法）は、注入工程Ｓ１２（第１注入工程Ｓ１及び第２注入工程Ｓ２）を備える。

注入工程Ｓ１２では、脂質溶液６１及びバッファ液６２を、ウェル２０（第１部分２１及び第２部分２２）に対して、ピペット４０を用いて注入する。注入工程Ｓ１２は、第１注入工程Ｓ１と、第２注入工程Ｓ２と、を含む。

第１注入工程Ｓ１では、脂質溶液６１を、ウェル２０（第１部分２１及び第２部分２２）に対して、ピペット４０を用いて注入する。第２注入工程Ｓ２では、バッファ液６２を、ウェル２０（第１部分２１及び第２部分２２）に対して、ピペット４０を用いて注入する。なお、バッファ液６２は、脂質溶液６１に混ざらない。

注入工程Ｓ１２（第１注入工程Ｓ１及び第２注入工程Ｓ２）が終わると、人工細胞膜６４がウェル２０内に形成される。具体的は、人工細胞膜６４は、ウェル２０における第１部分２１と第２部分２２との間の隔壁２３の貫通穴２４において、脂質二重膜として形成される。

人工細胞膜６４の形成方法は、ロボットなどによって機械的且つ自動的に行われてもよいし、人間によって手動で行われてもよい。

（支持台）
図１に示すように、支持台５０は、チップ１０よりも下方Ｚｂに配置されている。支持台５０は、板状である。板状の支持台５０は、上下方向Ｚを厚さ方向とするとともに、水平方向に延びている。本例では、支持台５０は、略四角形状である。支持台５０の水平方向のサイズは、チップ１０の水平方向のサイズよりも大きい。支持台５０は、チップ１０を下方Ｚｂから支持する。

支持台５０には、穴５１が空けられている。穴５１は、支持台５０を上下方向Ｚに貫通している。穴５１の数は、電極２５の数と同じである。

（コンタクトピン）
図１に示すように、コンタクトピン７０は、チップ１０よりも下方Ｚｂに配置されている。詳細には、コンタクトピン７０は、支持台５０よりも、さらに下方Ｚｂに配置されている。コンタクトピン７０は、上下方向Ｚに延びている。コンタクトピン７０の数は、電極２５の数と同じである。コンタクトピン７０は、導電性を有する。コンタクトピン７０は、例えば、金属で形成されている。コンタクトピン７０は、直線状に延びている。

上述したように、ウェル２０における第１部分２１の底面及び第２部分２２の底面には、それぞれ、電極２５が配置されている。電極２５は、チップ１０の下面１２に露出している。

コンタクトピン７０は、固定ピン７１と、可動ピン７２と、を含む。固定ピン７１の下端部は、後述の基板７６に連結されている。可動ピン７２の一部は、固定ピン７１の内部に収容されている。可動ピン７２の上端部は、固定ピン７１の上端部の穴から上方Ｚａに突出したり、固定ピン７１の上端部の穴に下方Ｚｂに引っ込んだりする。固定ピン７１に対する可動ピン７２の突出及び引込は、アクチュエータ（図示せず）によって行われる。

コンタクトピン７０の固定ピン７１は、支持台５０よりも下方Ｚｂに位置する。コンタクトピン７０の可動ピン７２は、支持台５０の穴５１を、下方Ｚｂから上方Ｚａへ、貫通する。

コンタクトピン７０は、電極２５に対して下方Ｚｂから接触している。コンタクトピン７０は、支持台５０に空けられた穴５１を通って、電極２５に対して下方Ｚｂから接触する。

（基板）
基板７６は、例えば、プリント基板である。基板７６は、板状である。板状の基板７６は、上下方向Ｚを厚さ方向とするとともに、水平方向に延びている。本例では、基板７６は、略四角形状である。基板７６は、樹脂を主成分として形成されている。基板７６には、銅箔からなる配線が形成されている。

基板７６は、コンタクトピン７０よりも下方Ｚｂに配置されている。基板７６の上面７６ａは、コンタクトピン７０の固定ピン７１の下端部に、連結されている。

基板７６には、測定回路１００及びバッファ回路１１０が設けられている。測定回路１００及びバッファ回路１１０については、後述する。

（筐体）
筐体８０は、箱型である。筐体８０は、例えば略直方体状である。筐体８０は、上方Ｚａに開口８１が設けられている。本例では、開口８１は、略四角形状である。筐体８０は、チップ１０と基板７６とコンタクトピン７０とを、収容する。詳細には、筐体８０は、チップ１０（ウェル２０）と、支持台５０と、基板７６と、コンタクトピン７０と、後述の支柱９９と、を収容する。

（蓋）
蓋８６は、板状である。板状の蓋８６は、上下方向Ｚを厚さ方向とするとともに、水平方向に延びている。本例では、蓋８６は、略四角形状である。蓋８６は、筐体８０の上方Ｚａの開口８１を覆っている。蓋８６が筐体８０の開口８１を覆うことによって、筐体８０内へのノイズの侵入を防止している。蓋８６の上面には、把手８７が設けられている。把手８７は、ユーザによって掴まれる。

なお、ノイズとして、外乱や浮遊容量などがある。

（支柱）
支柱９９は、４つある。支柱９９は、上下方向Ｚに延びている。支柱９９は、支持台５０の四隅と、基板７６の四隅とを、貫通している。支持台５０及び基板７６は、支柱９９に固定されている。

（チップと基板とコンタクトピンとの関係）
基板７６は、チップ１０よりも下方Ｚｂに配置されている。チップ１０は、基板７６よりも上方Ｚａに配置されている。チップ１０と基板７６との間には、支持台５０及びコンタクトピン７０が配置されている。

基板７６は、チップ１０と対面するように配置されている。チップ１０は、基板７６と対面するように配置されている。具体的には、チップ１０と基板７６とは、支持台５０及びコンタクトピン７０を挟んだ状態で、互いに対面する。

チップ１０の上面１１は、チップ１０における基板７６とは反対側の面である。チップ１０の下面１２は、チップ１０における基板７６側の面である。基板７６の上面７６ａは、基板７６におけるチップ１０側の面である。基板７６の下面７６ｂは、基板７６におけるチップ１０とは反対側の面である。

基板７６には、コンタクトピン７０が設けられている。コンタクトピン７０は、基板７６に固定されている。詳細には、コンタクトピン７０の固定ピン７１の下端部は、基板７６の上面７６ａに固定されている。

コンタクトピン７０は、基板７６からチップ１０に向かって、直線状に延びている。詳細には、コンタクトピン７０は、基板７６の上面７６ａから、チップ１０の下面１２に露出した電極２５に向かって、上方に、直線状に延びている。コンタクトピン７０の可動ピン７２の上端部は、電極２５に接触する。

（測定回路）
図５は、基板７６の上面７６ａを示す。図６は、回路ブロック図を示す。なお、基板７６の上面７６ａに設けられる回路を実線で示し、基板７６の下面７６ｂに設けられる回路を破線で示す。

基板７６には、測定回路１００が設けられている。測定回路１００は、複数ある。測定回路１００は、ウェル２０毎に設けられている。測定回路１００の数とウェル２０の数とは、同じである。本例では、基板７６には、９６個の測定回路１００が設けられている（９６チャンネル）。また、基板７６には、９６組の（２つで１組の）コンタクトピン７０が設けられている。

測定回路１００は、ウェル２０に形成された人工細胞膜６４に係る電流としてのイオン電流Ｉを、測定するためにある。

基板７６には、バッファ回路１１０が設けられている。バッファ回路１１０は、複数ある。バッファ回路１１０は、ウェル２０毎に設けられている。バッファ回路１１０の数とウェル２０の数とは、同じである。本例では、基板７６には、９６個のバッファ回路１１０が設けられている（９６チャンネル）。

測定回路１００は、増幅回路としての上流側増幅回路１０１と、下流側増幅回路１０２と、ローパスフィルタ１０３と、を有する。ここで、１つのウェル２０に対して、２つの（一対の）電極２５が対応している。

上流側増幅回路１０１は、例えば、トランスインピーダンスアンプである。上流側増幅回路１０１は、一対の電極２５のうちの一方の電極２５に、電気的に接続されている。上流側増幅回路１０１は、増幅器として、イオン電流Ｉを増幅させる。また、上流側増幅回路１０１は、変換器として、イオン電流Ｉを電圧に変換させる。なお、「イオン電流Ｉを増幅させる」は、イオン電流Ｉを直接的に増幅させること、及びイオン電流Ｉを電圧に変換した後に当該電圧を増幅させること、を包含する。上流側増幅回路１０１は、１つの測定回路１００毎に、１つずつ設けられている。上流側増幅回路１０１は、基板７６の下面７６ｂに設けられている。

下流側増幅回路１０２は、上流側増幅回路１０１に電気的に接続されている。下流側増幅回路１０２は、上流側増幅回路１０１によりイオン電流Ｉから変換された電圧を、増幅させる。下流側増幅回路１０２は、２つの測定回路１００毎に、１つずつ設けられている。下流側増幅回路１０２は、基板７６の上面７６ａに設けられている。

ローパスフィルタ１０３は、下流側増幅回路１０２に電気的に接続されている。ローパスフィルタ１０３は、下流側増幅回路１０２により増幅された電圧を、フィルタリングする。具体的には、ローパスフィルタ１０３は、低周波数領域の電圧のみを通過させ、高周波数領域の電圧を遮断する。ローパスフィルタ１０３は、２つの測定回路１００毎に、１つずつ設けられている。ローパスフィルタ１０３は、基板７６の上面７６ａに設けられている。ローパスフィルタ１０３は、コンピュータに電気的に接続されてもよい。コンピュータは、例えば、イオンチャネル６６の開確率を求める。

バッファ回路１１０は、一対の電極２５のうちの他方の電極２５に、電気的に接続されている。また、バッファ回路１１０は、電源（図示省略）に電気的に接続されている。バッファ回路１１０は、電源から供給されてきたコマンド電圧を、各ウェル２０に分配する。バッファ回路１１０は、基板７６の下面７６ｂに設けられている。バッファ回路１１０は、基板７６を挟んで、コンタクトピン７０の真裏に配置されている。

コンタクトピン７０が電極２５に接触することによって、電極２５と測定回路１００とが電気的に接続される。同様に、コンタクトピン７０が電極２５に接触することによって、電極２５とバッファ回路１１０とが電気的に接続される。

具体的には、一対のコンタクトピン７０のうちの一方のコンタクトピン７０が、一対の電極２５のうちの一方の電極２５に接触し、且つ一対のコンタクトピン７０のうちの他方のコンタクトピン７０が、一対の電極２５のうちの他方の電極２５に接触することによって、一対の電極２５と一対のコンタクトピン７０と測定回路１００とバッファ回路１１０と電源とを含む、電気回路が構成される。

ところで、チップ１０におけるウェル２０の電極２５と基板７６の測定回路１００とが、互いに遠くに配置されると、ウェル２０に形成された人工細胞膜６４に係るイオン電流Ｉを、測定回路１００によって測定するに際して、ノイズの影響を受けやすくなる。この場合、測定回路１００によるイオン電流Ｉの測定精度が悪化する。

特に、コンタクトピン７０と上流側増幅回路１０１との距離Ｌが大きいと（コンタクトピン７０と上流側増幅回路１０１とが互いに遠くに配置されると）、イオン電流Ｉが上流側増幅回路１０１に到達するまでにノイズが印加されて、上流側増幅回路１０１によってノイズ成分までも増幅されてしまう。そのため、上流側増幅回路１０１によって信号が増幅されたとしても、イオン電流Ｉの成分がノイズ成分に埋もれてしまう。すなわち、ノイズに起因して、上流側増幅回路１０１へ悪影響が生じる。この場合、測定回路１００によるイオン電流Ｉの測定精度がさらに悪化する。

測定回路１００のうち、基板７６に沿う第１方向Ｈにおけるコンタクトピン７０からの距離は、上流側増幅回路１０１、下流側増幅回路１０２、ローパスフィルタ１０３の順で、小さい（近い）。なお、基板７６に沿う第１方向Ｈは、基板７６の延びる方向であって、本例では水平方向である。

そこで、基板７６に沿う第１方向Ｈにおいて、コンタクトピン７０と上流側増幅回路１０１との距離Ｌは、基板７６の厚さＴよりも小さい。

（ウェル、電極、コンタクトピン、測定回路）
図２の左から２列目に示すように、ウェル２０は、第１ウェル２０Ａと、第２ウェル２０Ｂと、第３ウェルと、…を含む。

図２の左から２列目に示すように、電極２５は、第１ウェル２０Ａに配置された第１電極２５Ａと、第２ウェル２０Ｂに配置された第２電極２５Ｂと、第３ウェルに配置された第３電極と、…を含む。

図５に示すように、コンタクトピン７０は、第１電極２５Ａに接触する第１コンタクトピン７０Ａと、第２電極２５Ｂに接触する第２コンタクトピン７０Ｂと、第３電極に接触する第３コンタクトピンと、…を含む。第１コンタクトピン７０Ａは、第１導通部材の一例である。第２コンタクトピン７０Ｂは、第２導通部材の一例である。

図５に示すように、測定回路１００は、第１ウェル２０Ａに形成された人工細胞膜６４に係るイオン電流Ｉとしての第１イオン電流ＩＡを測定するための第１測定回路１００Ａと、第２ウェル２０Ｂに形成された人工細胞膜６４に係るイオン電流Ｉとしての第２イオン電流ＩＢを測定するための第２測定回路１００Ｂと、第３ウェルに形成された人工細胞膜６４に係るイオン電流Ｉとしての第３イオン電流を測定するための第３測定回路と、…を含む。第１イオン電流ＩＡは、第１電流の一例である。第２イオン電流ＩＢは、第２電流の一例である。

図５に示すように、第１測定回路１００Ａは、第１イオン電流ＩＡを増幅させる第１上流側増幅回路１０１Ａを有する。第２測定回路１００Ｂは、第２イオン電流ＩＢを増幅させる第２上流側増幅回路１０１Ｂを有する。第１上流側増幅回路１０１Ａは、第１増幅回路の一例である。第２上流側増幅回路１０１Ｂは、第２増幅回路の一例である。

基板７６に沿う第１方向Ｈにおいて、第１コンタクトピン７０Ａと第１上流側増幅回路１０１Ａとの距離ＬＡＡは、第１コンタクトピン７０Ａと第２上流側増幅回路１０１Ｂとの距離ＬＡＢよりも、小さい。

基板７６に沿う第１方向Ｈにおいて、第２コンタクトピン７０Ｂと第２上流側増幅回路１０１Ｂとの距離ＬＢＢは、第２コンタクトピン７０Ｂと第１上流側増幅回路１０１Ａとの距離ＬＢＡよりも、小さい。

以上の構成の測定回路１００は、チップ１０においてウェル２０を形成する第１部分２１と第２部分２２との連結方向に長く形成されている。これにより、ウェル２０の配置間隔を短く設定することができる。

また、上流側増幅回路１０１のように隣接する測定回路１００同士でクロストークが生じる可能性がある部品においては、クロストークが生じないよう、測定回路１００同士の該当部品の間にはＧＮＤラインが設けられている。一方、ローパスフィルタ１０３にようにクロストークの心配が無い部品においては、複数の部品が１セットとなった部品を複数の測定回路１００で共有することにより測定回路１００の配置スペースを縮小させてもよい。

（作用効果）
板状のチップ１０と基板７６とは、互いに対面する。コンタクトピン７０は、基板７６に固定されている。コンタクトピン７０は、基板７６からチップ１０に向かって直線状に延びている。

チップ１０におけるウェル２０の電極２５と基板７６の測定回路１００とを、近づけることができる。ウェル２０に形成された人工細胞膜６４に係るイオン電流Ｉを、測定回路１００によって測定するに際して、ノイズの影響を受けにくくなる。測定回路１００によるイオン電流Ｉの測定精度の悪化を、抑制できる。

ウェル２０に形成された人工細胞膜６４に係るイオン電流Ｉを、測定回路１００によって適切に測定することができる。

コンタクトピン７０が直線状に延びているので、チップ１０におけるウェル２０の電極２５と基板７６の測定回路１００とを、近づけやすくなる。

特にコンタクトピン７０と上流側増幅回路１０１とが近接していることによって、上流側増幅回路１０１での増幅前にノイズが印加されてノイズ成分まで増幅され、人工細胞膜６４に係るイオン電流Ｉの成分がノイズ成分に埋もれてしまうことを、抑制できる。これにより、ノイズに起因した上流側増幅回路１０１への悪影響を抑制できる。

筐体８０は、チップ１０と基板７６とコンタクトピン７０とを、収容する。これにより、外部からのノイズの侵入を抑制できる。

（その他の実施形態）
以上、本開示を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変、置換又は組合せが可能である。

ウェル２０には、生体からなる細胞膜（生体細胞膜）が形成されてもよい。この場合、生体細胞膜電流測定装置となる。

ウェル２０は、いかなる形状でもよい。ウェル２０において、第１部分２１、第２部分２２、隔壁２３及び貫通穴２４は、必須ではない。

チップ１０は、略四角形状に限定されない。チップ１０は、例えば、略四角形状以外の多角形状や、円形状などでもよい。

導通部材は、コンタクトピン以外でもよい。

チップ１０と基板７６とを水平方向に対面するように配置してもよい。チップ１０と基板７６とを上記実施形態とは上下逆さに配置してもよい。

本開示は、細胞膜電流測定装置に適用できるので、極めて有用であり、産業上の利用可能性が高い。

Ｉ イオン電流（電流）
ＩＡ 第１イオン電流（第１電流）
ＩＢ 第２イオン電流（第２電流）
Ｈ 第１方向
Ｌ 距離
Ｔ 厚さ
１ 人工細胞膜電流測定装置（細胞膜電流測定装置）
１０ チップ
１１ 上面（面）
１２ 下面（面）
２０ ウェル
２０Ａ 第１ウェル
２０Ｂ 第２ウェル
２５ 電極
２５Ａ 第１電極
２５Ｂ 第２電極
６４ 人工細胞膜（細胞膜）
７０ コンタクトピン（導通部材）
７０Ａ 第１コンタクトピン（第１導通部材）
７０Ｂ 第２コンタクトピン（第２導通部材）
７６ 基板
８０ 筐体
１００ 測定回路
１００Ａ 第１測定回路
１００Ｂ 第２測定回路
１０１ 上流側増幅回路（増幅回路）
１０１Ａ 第１上流側増幅回路（第１増幅回路）
１０１Ｂ 第２上流側増幅回路（第２増幅回路）

Claims (4)

1. 板状のチップと、
   前記チップと対面するように配置された基板と、を備え、
   前記チップにおける前記基板とは反対側の面には、細胞膜を形成するためのウェルが設けられ、
   前記チップにおける前記基板側の面には、前記ウェルに配置された電極が露出し、
   前記基板には、前記ウェルに形成された前記細胞膜に係る電流を測定するための測定回路が設けられ、
   前記基板には、前記基板に固定され且つ前記基板から前記チップに向かって直線状に延びる導通部材が設けられ、
   前記導通部材が前記電極に接触することによって、前記電極と前記測定回路とが電気的に接続される、細胞膜電流測定装置。
2. 前記測定回路は、前記電流を増幅させる増幅回路を有し、
   前記基板に沿う第１方向において、前記導通部材と前記増幅回路との距離は、前記基板の厚さよりも小さい、請求項１に記載の細胞膜電流測定装置。
3. 前記ウェルは、第１ウェルと、第２ウェルと、を含み、
   前記電極は、前記第１ウェルに配置された第１電極と、前記第２ウェルに配置された第２電極と、を含み、
   前記導通部材は、前記第１電極に接触する第１導通部材と、前記第２電極に接触する第２導通部材と、を含み、
   前記測定回路は、前記第１ウェルに形成された前記細胞膜に係る前記電流としての第１電流を測定するための第１測定回路と、前記第２ウェルに形成された前記細胞膜に係る前記電流としての第２電流を測定するための第２測定回路と、を含み、
   前記第１測定回路は、前記第１電流を増幅させる第１増幅回路を有し、
   前記第２測定回路は、前記第２電流を増幅させる第２増幅回路を有し、
   前記基板に沿う第１方向において、前記第１導通部材と前記第１増幅回路との距離は、前記第１導通部材と前記第２増幅回路との距離よりも小さく、
   前記第１方向において、前記第２導通部材と前記第２増幅回路との距離は、前記第２導通部材と前記第１増幅回路との距離よりも小さい、請求項１又は２に記載の細胞膜電流測定装置。
4. 前記チップと前記基板と前記導通部材とを収容する筐体を備える、請求項１又は２に記載の細胞膜電流測定装置。