JP2024089063A - Reduced pressure drying device - Google Patents

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JP2024089063A JP2022204186A JP2022204186A JP2024089063A JP 2024089063 A JP2024089063 A JP 2024089063A JP 2022204186 A JP2022204186 A JP 2022204186A JP 2022204186 A JP2022204186 A JP 2022204186A JP 2024089063 A JP2024089063 A JP 2024089063A
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Abstract

Figure 2024089063000001

【課題】生産性の低下を避けつつ、冷却部の冷却面に液状の溶媒が過度に蓄積されることに起因しての悪影響を避ける技術を提供する。
【解決手段】基板9の上面に塗布された塗布膜90を乾燥させるための減圧乾燥装置1は、基板9を収容するチャンバ10と、チャンバ10内において、基板9を支持する支持部20と、チャンバ10から気体を吸引して、チャンバ10内の圧力を低下させる減圧機構30と、支持部20によって支持された基板9の上面に対面し基板9より大きい冷却面40aを冷却する冷却部40と、を備える。冷却部40の冷却面40aは、基板9の塗布膜90が形成され得る領域ACに基板9の厚み方向において対向する対向領域RCと、対向領域RCの外側の外側領域ROと、を有している。冷却部40は、対向領域RCの温度よりも外側領域ROの温度が高くなるように構成されている。
【選択図】図1

Figure 2024089063000001

A technology is provided that avoids adverse effects caused by an excessive accumulation of liquid solvent on the cooling surface of a cooling section while avoiding a decrease in productivity.
[Solution] A reduced-pressure drying apparatus 1 for drying a coating film 90 applied to an upper surface of a substrate 9 includes a chamber 10 for accommodating the substrate 9, a support part 20 for supporting the substrate 9 within the chamber 10, a pressure reduction mechanism 30 for sucking gas from the chamber 10 to reduce the pressure within the chamber 10, and a cooling part 40 for cooling a cooling surface 40a that faces the upper surface of the substrate 9 supported by the support part 20 and is larger than the substrate 9. The cooling surface 40a of the cooling part 40 has a facing region RC that faces a region AC of the substrate 9 where the coating film 90 can be formed in the thickness direction of the substrate 9, and an outer region RO outside the facing region RC. The cooling part 40 is configured so that the temperature of the outer region RO is higher than the temperature of the facing region RC.
[Selected Figure] Figure 1

Description

本開示は減圧乾燥装置に関する。 This disclosure relates to a reduced pressure drying device.

従来から、各種の基板に塗布されたフォトレジスト等の塗布膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置が知られている。各種の基板には、例えば、各種のデバイスを形成するためのガラス基板、セラミック基板、半導体ウエハ、電子デバイス基板または印刷用の印刷版等の種々の基板が適用される。各種のデバイスには、例えば、半導体装置、表示パネル、太陽電池パネル、磁気ディスク、または光ディスク等が適用される。表示パネルには、例えば、液晶表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示パネル、プラズマ表示パネル、または電界放出ディスプレイ等が適用される。 Conventionally, reduced pressure drying apparatuses that reduce pressure and dry coating films such as photoresist applied to various substrates are known. The various substrates include, for example, glass substrates for forming various devices, ceramic substrates, semiconductor wafers, electronic device substrates, and printing plates for printing. The various devices include, for example, semiconductor devices, display panels, solar cell panels, magnetic disks, and optical disks. The display panels include, for example, liquid crystal display panels, organic electroluminescence (EL) display panels, plasma display panels, and field emission displays.

減圧乾燥装置を用いて塗布膜を乾燥する際には、例えば、チャンバ内において複数のピンが基板を支持している状態で、チャンバの底部の排気口を介して真空ポンプでチャンバ内から排気を行う。該排気により、チャンバ内の圧力が低下する。チャンバ内の圧力が低下すると、塗布膜の溶媒が蒸発するので、塗布膜を乾燥させることができる。そして、例えば、真空度が所定値に到達するとチャンバ内からの排気を停止し、チャンバ内に気体を供給することでチャンバ内を大気圧に戻す。気体には、例えば、窒素気体等の不活性気体または空気等が適用される。 When drying a coating film using a reduced pressure drying device, for example, with multiple pins supporting a substrate inside the chamber, a vacuum pump evacuates the chamber through an exhaust port at the bottom of the chamber. This exhaust reduces the pressure inside the chamber. When the pressure inside the chamber decreases, the solvent in the coating film evaporates, allowing the coating film to dry. Then, for example, when the degree of vacuum reaches a predetermined value, exhaust from the chamber is stopped and gas is supplied into the chamber to return the pressure inside the chamber to atmospheric pressure. For example, an inert gas such as nitrogen gas or air is used as the gas.

ところで、減圧乾燥装置では、減圧初期においてチャンバ内の圧力を急激に低下させると、基板上の塗布膜に突沸が生じる可能性がある。突沸が発生すると、例えば、塗布膜の膜厚がばらつき得る。 However, in a reduced pressure drying apparatus, if the pressure inside the chamber is suddenly reduced at the beginning of the decompression process, bumping may occur in the coating film on the substrate. If bumping occurs, for example, the thickness of the coating film may vary.

特許文献1に記載された減圧乾燥装置は、このような突沸の発生を抑制することができる。特許文献1に記載の減圧乾燥装置では、基板を支持する支持ピンを昇降させる昇降部が設けられている。昇降部は減圧初期において支持ピンを上昇させることにより、基板とチャンバの天井面との間隔を狭くする。これにより、基板と天井面との間の圧力の低下速度が小さくなり、突沸の発生を抑制することができる。 The reduced pressure drying apparatus described in Patent Document 1 is able to suppress the occurrence of such bumping. The reduced pressure drying apparatus described in Patent Document 1 is provided with a lifting section that raises and lowers the support pins that support the substrate. The lifting section raises the support pins at the beginning of the decompression, thereby narrowing the gap between the substrate and the ceiling surface of the chamber. This reduces the rate at which the pressure between the substrate and the ceiling surface drops, making it possible to suppress the occurrence of bumping.

特開2022-086766号公報JP 2022-086766 A

しかしながら、基板と天井面との間隔が狭くなると、基板上の塗布膜からの溶媒蒸気が基板と天井面との間の空間に滞留してしまう。特に、塗布膜の中央付近からの溶媒蒸気は滞留しやすい。つまり、塗布膜の周縁付近からの溶媒蒸気は、濃度拡散により、水平方向で外側に流れ得るものの、塗布膜の中央付近では濃度勾配が小さいのでそのまま滞留してしまう。このため、塗布膜の溶媒は、その中央部分よりも周縁部分において蒸発しやすくなる。つまり、塗布膜の乾燥ムラを招いてしまう。乾燥ムラは、例えば、乾燥した塗布膜の膜厚のばらつきを生じさせる、という問題がある。 However, when the distance between the substrate and the ceiling surface becomes narrow, the solvent vapor from the coating film on the substrate becomes trapped in the space between the substrate and the ceiling surface. In particular, the solvent vapor from near the center of the coating film is prone to stagnation. That is, although the solvent vapor from near the periphery of the coating film can flow outward in the horizontal direction due to concentration diffusion, it remains trapped near the center of the coating film because the concentration gradient is small near the center. For this reason, the solvent in the coating film is more likely to evaporate in the periphery than in the center. In other words, this leads to uneven drying of the coating film. Uneven drying can cause problems, such as variations in the thickness of the dried coating film.

上記問題を解決するために、本発明者は、上記天井面を冷却することによって冷却面とする技術について検討している。この技術によれば、冷却面に凝集された液状の溶媒の作用によって、上記乾燥ムラを抑制することができる。一方で、本発明者は、天井面を単純に冷却面にしただけでは、冷却面に液状の溶媒が過度に蓄積されることがあるという新たな問題を見出している。特に、溶媒を気化させにくい箇所にこの蓄積が生じると、それを気化させることによって除去するのに長時間を要してしまい、その結果、生産性が低下してしまう。一方で、それを適宜除去しないと、蓄積された液状の溶媒が減圧乾燥の実施において悪影響を及ぼすことがあり、例えば、基板上に落下すると、当該基板を用いた製品の品質が損なわれてしまう。特に、工業用途では、長いインターバルを空けることなく減圧乾燥装置を繰り返し動作させる必要があるのが通常であり、その結果、1回の動作では蓄積量が少なくとも、動作が繰り返されるにつれて、冷却面に液状の溶媒が過度に蓄積されやすい。 In order to solve the above problem, the inventor has been studying a technique for cooling the ceiling surface to form a cooling surface. According to this technique, the liquid solvent condensed on the cooling surface can suppress the above uneven drying. On the other hand, the inventor has found a new problem that liquid solvent may accumulate excessively on the cooling surface if the ceiling surface is simply made into a cooling surface. In particular, if this accumulation occurs in a place where it is difficult to evaporate the solvent, it takes a long time to remove it by evaporating it, resulting in a decrease in productivity. On the other hand, if it is not removed appropriately, the accumulated liquid solvent may have a negative effect on the implementation of reduced pressure drying. For example, if it falls on a substrate, the quality of the product using the substrate will be impaired. In particular, in industrial applications, it is usually necessary to repeatedly operate the reduced pressure drying device without leaving a long interval, and as a result, although the amount of accumulation is at least in one operation, the liquid solvent is likely to accumulate excessively on the cooling surface as the operation is repeated.

本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、生産性の低下を避けつつ、冷却部の冷却面に液状の溶媒が過度に蓄積されることに起因しての悪影響を避ける技術を提供することを目的とする。 This disclosure has been made in consideration of the above-mentioned problems, and aims to provide a technology that avoids the adverse effects caused by excessive accumulation of liquid solvent on the cooling surface of the cooling section while avoiding a decrease in productivity.

第1の態様は、基板の上面に塗布された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内において、前記基板を支持する支持部と、前記チャンバから気体を吸引して、前記チャンバ内の圧力を低下させる減圧機構と、前記支持部によって支持された前記基板の前記上面に対面し前記基板より大きい冷却面を冷却する冷却部と、を備え、前記冷却部の前記冷却面は、前記基板の前記塗布膜が形成され得る領域に前記基板の厚み方向において対向する対向領域と、前記対向領域の外側の外側領域と、を有しており、前記冷却部は、前記対向領域の温度よりも前記外側領域の温度が高くなるように構成されている。 The first aspect is a reduced pressure drying device for drying a coating film applied to the upper surface of a substrate, comprising a chamber for accommodating the substrate, a support part for supporting the substrate within the chamber, a decompression mechanism for sucking gas from the chamber to reduce the pressure within the chamber, and a cooling part for cooling a cooling surface that faces the upper surface of the substrate supported by the support part and is larger than the substrate, the cooling surface of the cooling part having a facing region that faces the region of the substrate where the coating film can be formed in the thickness direction of the substrate, and an outer region outside the facing region, and the cooling part is configured so that the temperature of the outer region is higher than the temperature of the facing region.

第2の態様は、第1の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記冷却部は、前記冷却面を冷却するために冷媒が流れる経路と、前記経路へ前記冷媒が導入される入口と、前記経路から前記冷媒が導出される出口と、を有しており、平面視で、前記冷却部の前記経路は前記対向領域と前記外側領域とにまたがっており、前記冷却部の前記入口は前記対向領域に位置しており、前記冷却部の前記出口は前記外側領域に位置している。 The second aspect is a reduced pressure drying device according to the first aspect, in which the cooling section has a path through which a refrigerant flows to cool the cooling surface, an inlet through which the refrigerant is introduced into the path, and an outlet through which the refrigerant is discharged from the path, and in a plan view, the path of the cooling section spans the opposing region and the outer region, the inlet of the cooling section is located in the opposing region, and the outlet of the cooling section is located in the outer region.

第3の態様は、第2の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記冷却部の前記経路は、平面視で渦巻き状に延びている。 The third aspect is a reduced pressure drying device according to the second aspect, in which the path of the cooling section extends in a spiral shape in a plan view.

第4の態様は、第2または第3の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記冷却部は、平面視で前記外側領域に位置する断熱部材を有しており、前記断熱部材は前記経路と前記冷却面とを隔てるように位置している。 The fourth aspect is a reduced pressure drying device according to the second or third aspect, in which the cooling section has an insulating member located in the outer region in a plan view, and the insulating member is located so as to separate the path from the cooling surface.

第5の態様は、第1から第4のいずれかの態様に係る減圧乾燥装置であって、前記冷却部は、平面視で前記外側領域に位置するヒータを有している。 The fifth aspect is a reduced pressure drying device according to any one of the first to fourth aspects, in which the cooling section has a heater located in the outer region in a plan view.

上記各態様によれば、冷却部の冷却面において、基板の塗布膜が形成され得る領域に基板の厚み方向において対向する対向領域の温度よりも、対向領域の外側の外側領域の温度が高くされる。これにより、対向領域において求められる溶媒の凝集は可能としつつも、外側領域における液状の溶媒の蓄積が抑制される。本発明者の検討によれば外側領域に比して対向領域においては溶媒が速やかに気化しやすいので、外側領域における液状の溶媒の蓄積さえ抑制されれば、液状の溶媒の過度な蓄積を避けるための処理に長時間を費やす必要がなくなる。よって、生産性の低下を避けつつ、冷却部の冷却面に液状の溶媒が過度に蓄積されることに起因しての悪影響を避けることができる。 According to each of the above aspects, the temperature of the outer region outside the facing region on the cooling surface of the cooling unit is made higher than the temperature of the facing region facing the region on the substrate where the coating film can be formed in the thickness direction of the substrate. This allows for the desired condensation of the solvent in the facing region, while suppressing the accumulation of liquid solvent in the outer region. According to the inventor's research, the solvent is more likely to evaporate quickly in the facing region than in the outer region, so as long as the accumulation of liquid solvent in the outer region is suppressed, there is no need to spend a long time on processing to prevent excessive accumulation of liquid solvent. Therefore, it is possible to avoid a decrease in productivity while avoiding the adverse effects caused by excessive accumulation of liquid solvent on the cooling surface of the cooling unit.

第1実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。1 is a diagram illustrating an example of a vertical cross section of a reduced-pressure drying apparatus according to a first embodiment. 第1実施形態に係る減圧乾燥装置の横断面の一例を概略的に示す図である。1 is a diagram illustrating an example of a cross section of a reduced pressure drying apparatus according to a first embodiment. FIG. 第1実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を示す図である。1 is a diagram showing an example of a vertical cross section of a reduced-pressure drying apparatus according to a first embodiment. FIG. 基板の一例を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an example of a substrate. 基板の一部分の縦断面の一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of a vertical cross section of a portion of a substrate. 第1実施形態に係る減圧乾燥装置の上面の一例を概略的に示す図である。1 is a diagram illustrating an example of a top surface of a reduced-pressure drying apparatus according to a first embodiment. FIG. 制御部において実現される機能を概念的に示したブロック図である。4 is a block diagram conceptually showing functions realized in a control unit. FIG. 第1実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。4 is a flowchart showing an example of the flow of reduced pressure drying processing according to the first embodiment. 第1減圧処理におけるチャンバ内の様子の一例を概略的に示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a state inside a chamber during a first depressurization process. 第1減圧処理におけるチャンバ内のうちの冷却面および基板の近傍を拡大して示す図である。1 is an enlarged view showing the vicinity of a cooling surface and a substrate in a chamber during a first depressurization process; FIG. 比較構造に係るチャンバの天板部および基板を拡大して示す図である。FIG. 13 is an enlarged view showing a top plate portion and a substrate of a chamber according to a comparative structure. 比較構造における上部空間内の溶媒蒸気の濃度分布の一例を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing an example of a concentration distribution of solvent vapor in an upper space in a comparative structure. 冷却部が冷却している状態での上部空間内の溶媒蒸気の濃度分布の一例を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing an example of a concentration distribution of solvent vapor in the upper space when the cooling unit is cooling. 第2減圧処理におけるチャンバ内の様子の一例を概略的に示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a state inside the chamber during a second depressurization process. 図9に示す処理状態の比較例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a comparative example of the processing state illustrated in FIG. 9 . 図14に示す処理状態の比較例を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a comparative example of the processing state shown in FIG. 14 . 第2実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating an example of a vertical cross section of a reduced pressure drying apparatus according to a second embodiment. 第2実施形態に係る減圧乾燥装置の上面の一例を概略的に示す図である。13 is a diagram illustrating an example of a top surface of a reduced-pressure drying apparatus according to a second embodiment. FIG. 第3実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating an example of a vertical cross section of a reduced-pressure drying apparatus according to a third embodiment. 第3実施形態に係る減圧乾燥装置の上面の一例を概略的に示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an example of the upper surface of a reduced-pressure drying apparatus according to a third embodiment. 第4実施形態に係る減圧乾燥装置の上面の一例を概略的に示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an example of the upper surface of a reduced-pressure drying apparatus according to a fourth embodiment. 第5実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a vertical cross section of a reduced pressure drying apparatus according to a fifth embodiment. 第5実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。13 is a flowchart showing an example of the flow of reduced pressure drying processing according to the fifth embodiment. 第6実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a vertical cross section of a reduced pressure drying apparatus according to a sixth embodiment. 第7実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。FIG. 23 is a diagram illustrating an example of a vertical cross section of a reduced pressure drying apparatus according to a seventh embodiment. 第8実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。FIG. 23 is a diagram illustrating an example of a vertical cross section of a reduced pressure drying apparatus according to an eighth embodiment.

以下、本開示の一実施形態および各種変形例について、図面を参照しつつ説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。また、本明細書において、下方向は、重力方向であり、上方向は、重力方向とは逆の方向である。上方向および下方向を総称して上下方向とも言う。平面視は平面レイアウトを意味する。何らかの部材の平面レイアウトは、当該部材を平面へ射影することによって得られる2次元的レイアウトのことである。当該平面は、上下方向に垂直な面であってよい。 An embodiment and various modified examples of the present disclosure will be described below with reference to the drawings. In the drawings, parts having similar configurations and functions are given the same reference numerals, and duplicated explanations will be omitted in the following description. The drawings are shown diagrammatically, and the sizes and positional relationships of various structures in each drawing are not accurately illustrated. Furthermore, in this specification, the downward direction is the direction of gravity, and the upward direction is the direction opposite to the direction of gravity. The upward and downward directions are also collectively referred to as the up-down direction. A planar view means a planar layout. A planar layout of a certain component is a two-dimensional layout obtained by projecting the component onto a plane. The plane may be a surface perpendicular to the up-down direction.

<1.第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係る減圧乾燥装置1の縦断面の一例を概略的に示す図である。図2は、第1実施形態に係る減圧乾燥装置1の横断面の一例を概略的に示す図である。図3は、第1実施形態に係る減圧乾燥装置1の縦断面の一例を概略的に示す図である。図1の縦断面と図3の縦断面とは、約90度異なる方向からそれぞれ見たときの減圧乾燥装置1の構成を示している。図3では、図面の煩雑化を避けるために、後述する減圧機構30、給気部60、圧力計70および制御部80に関する構成が便宜的に省略されている。
<1. First embodiment>
FIG. 1 is a diagram that shows an example of a vertical section of the reduced pressure drying apparatus 1 according to the first embodiment. FIG. 2 is a diagram that shows an example of a transverse section of the reduced pressure drying apparatus 1 according to the first embodiment. FIG. 3 is a diagram that shows an example of a vertical section of the reduced pressure drying apparatus 1 according to the first embodiment. The vertical section in FIG. 1 and the vertical section in FIG. 3 show the configuration of the reduced pressure drying apparatus 1 when viewed from directions that are different by about 90 degrees. In FIG. 3, in order to avoid complication of the drawing, configurations related to a decompression mechanism 30, an air supply unit 60, a pressure gauge 70, and a control unit 80, which will be described later, are omitted for convenience.

減圧乾燥装置1は、基板9の上面に形成された塗布膜90(図5参照)を乾燥させる装置である。 The reduced pressure drying device 1 is a device that dries the coating film 90 (see Figure 5) formed on the upper surface of the substrate 9.

基板9には、例えば、ガラス基板、半導体ウエハ、またはセラミック基板等が適用される。基板9は、例えば、第1主面としての第1面F1(図4および図5参照)と、この第1面F1とは逆の第2主面としての第2面F2(図5参照)と、を有する平板状の基板である。減圧乾燥装置1では、基板9の第1面F1が基板9の上面とされ、基板9の第2面F2が基板9の下面とされる。ここでは、基板9に矩形のガラス基板が適用された具体例を適宜挙げて説明する。基板9の第1面F1には、例えば、予め有機材料および溶媒を含む処理液が塗布されることで、塗布膜90が部分的に形成されている。処理液の塗布は、例えば、スリットコータまたはインクジェット装置等で行われる。処理液には、例えば、ポリイミド前駆体と溶媒とを含む液(PI液ともいう)またはレジスト液等の塗布液が適用される。ポリイミド前駆体には、例えば、ポリアミド酸(ポリアミック酸)等が適用される。溶媒には、例えば、NMP(N-メチル-2-ピロリドン:N-Methyl-2-Pyrrolidone)が適用される。また、例えば、減圧乾燥装置1が有機ELディスプレイの製造工程に適用される場合には、塗布膜90が、減圧乾燥装置1で乾燥されることによって有機ELディスプレイパネルの正孔注入層、正孔輸送層、または発光層となる態様が採用されてもよい。 The substrate 9 may be, for example, a glass substrate, a semiconductor wafer, or a ceramic substrate. The substrate 9 is, for example, a flat substrate having a first surface F1 (see FIGS. 4 and 5) as a first main surface and a second surface F2 (see FIG. 5) as a second main surface opposite to the first surface F1. In the reduced pressure drying device 1, the first surface F1 of the substrate 9 is the upper surface of the substrate 9, and the second surface F2 of the substrate 9 is the lower surface of the substrate 9. Here, a specific example in which a rectangular glass substrate is applied to the substrate 9 will be described as appropriate. A coating film 90 is partially formed on the first surface F1 of the substrate 9 by, for example, applying a treatment liquid containing an organic material and a solvent in advance. The treatment liquid is applied, for example, by a slit coater or an inkjet device. The treatment liquid may be, for example, a liquid containing a polyimide precursor and a solvent (also called a PI liquid) or a coating liquid such as a resist liquid. The polyimide precursor may be, for example, a polyamic acid (polyamic acid). For example, NMP (N-Methyl-2-Pyrrolidone) is used as the solvent. In addition, for example, when the reduced pressure drying apparatus 1 is applied to the manufacturing process of an organic EL display, a mode may be adopted in which the coating film 90 becomes a hole injection layer, a hole transport layer, or a light emitting layer of an organic EL display panel by being dried in the reduced pressure drying apparatus 1.

図4は、基板9の一例を示す斜視図である。図5は、基板9の一部分の縦断面の一例を示す図である。図4に示されるように、基板9は、例えば、平面視において、縦横の長さが異なる長方形状の形態を有する。基板9には、デバイス等の製品を実際に形成するのに用いられる領域(形成領域ともいう)A1が、複数配列されていてよい。図4の例では、上面視において、基板9には、4つの矩形状の形成領域A1が、2行2列のマトリックス状に配列されている。ただし、形成領域A1の形状、数、配置は、この例に限定されるものではない。塗布膜90は、減圧乾燥装置1による減圧乾燥工程よりも前の塗布工程において、スリットコータまたはインクジェット装置等によって、形成領域A1の各々の上面に、所望のパターンに従って形成される。所望のパターンには、例えば、回路のパターンが適用される。なお図4においては、パターンを捨象して塗布膜90が示されている。パターンを捨象せずに考慮すると、図5で示されるように、形成領域A1の各々の上面としての第1面F1は、塗布膜90に覆われた領域(被覆領域ともいう)A3と、塗布膜90に覆われていない露出した領域(露出領域ともいう)A4と、を有してよい。また、基板9のうちの形成領域A1の周囲および隣り合う形成領域A1の間の領域は、上面としての第1面F1に塗布膜90が形成されていない領域(非塗布領域ともいう)A2となっている。非塗布領域A2は、塗布膜90に覆われていない露出した領域(露出領域)A4でもある。 4 is a perspective view showing an example of the substrate 9. FIG. 5 is a view showing an example of a vertical cross section of a portion of the substrate 9. As shown in FIG. 4, the substrate 9 has, for example, a rectangular shape with different vertical and horizontal lengths in a plan view. The substrate 9 may have a plurality of regions (also called formation regions) A1 used to actually form products such as devices. In the example of FIG. 4, in a top view, four rectangular formation regions A1 are arranged in a matrix of two rows and two columns on the substrate 9. However, the shape, number, and arrangement of the formation regions A1 are not limited to this example. The coating film 90 is formed according to a desired pattern on the upper surface of each of the formation regions A1 by a slit coater or inkjet device in a coating process prior to the reduced pressure drying process by the reduced pressure drying device 1. For example, a circuit pattern is applied to the desired pattern. Note that in FIG. 4, the coating film 90 is shown with the pattern omitted. 5, the first surface F1 as the upper surface of each of the formation regions A1 may have a region A3 covered with the coating film 90 (also called a covered region) and an exposed region A4 not covered with the coating film 90 (also called an exposed region). The region around the formation region A1 and between adjacent formation regions A1 on the substrate 9 is a region A2 (also called a non-coated region) where the coating film 90 is not formed on the first surface F1 as the upper surface. The non-coated region A2 is also an exposed region A4 not covered with the coating film 90.

基板9の第1面F1は、塗布膜90が形成され得る一の領域ACを有している。領域ACは、形成領域A1を包含する領域として定義されてよく、例えば、図4に示されているように、形成領域A1を包含する最小の長方形状を有する領域として定義されてよい。第1面F1のうちのどの範囲までが領域ACであるかの判別が困難である場合は第1面F1の全体が領域ACとみなされてよいが、典型的には、デバイス等の製品を形成する目的で第1面F1の縁まで完全に基板9を活用することは困難であり、第1面F1は領域ACの周りにマージン領域AOを有する。 The first surface F1 of the substrate 9 has an area AC where the coating film 90 can be formed. Area AC may be defined as an area that includes the formation area A1, for example, as shown in FIG. 4, as an area having the smallest rectangular shape that includes the formation area A1. If it is difficult to determine the extent of the first surface F1 that is area AC, the entire first surface F1 may be considered as area AC, but typically, it is difficult to fully utilize the substrate 9 up to the edge of the first surface F1 for the purpose of forming a product such as a device, and the first surface F1 has a margin area AO around area AC.

<1-1.減圧乾燥装置の構成の概要>
次に減圧乾燥装置1の構成について概説する。図1および図2に示されるように、減圧乾燥装置1は、チャンバ10と、支持部20と、減圧機構30と、第1昇降部100と、冷却部40と、制御部80とを含んでいる。
<1-1. Overview of the configuration of the reduced pressure drying device>
Next, a description will be given of an outline of the configuration of the reduced pressure drying apparatus 1. As shown in Fig. 1 and Fig. 2, the reduced pressure drying apparatus 1 includes a chamber 10, a support unit 20, a decompression mechanism 30, a first lifting unit 100, a cooling unit 40, and a control unit 80.

チャンバ10は、基板9を収容するための部分である。支持部20はチャンバ10内に設けられており、基板9を水平姿勢で支持する。ここでいう水平姿勢とは、基板9の厚み方向が上下方向に沿う姿勢である。 The chamber 10 is a portion for housing the substrate 9. The support portion 20 is provided within the chamber 10 and supports the substrate 9 in a horizontal position. The horizontal position here means that the thickness direction of the substrate 9 is aligned in the vertical direction.

減圧機構30はチャンバ10内の気体を吸引して、気体をチャンバ10の外部に排出する。この吸引により、チャンバ10内の圧力が低下する。チャンバ10内の圧力が低下することにより、基板9の上面としての第1面F1上の塗布膜90の溶媒が蒸発し、塗布膜90が乾燥する。 The pressure reducing mechanism 30 sucks in the gas in the chamber 10 and expels the gas to the outside of the chamber 10. This suction reduces the pressure in the chamber 10. As the pressure in the chamber 10 decreases, the solvent in the coating film 90 on the first surface F1, which serves as the upper surface of the substrate 9, evaporates, and the coating film 90 dries.

冷却部40は冷却面40aを冷却する。冷却面40aは、支持部20によって支持された基板9の上面としての第1面F1と対面する面である。冷却部40が冷却面40aを冷却することにより、冷却面40aの温度を低下させることができる。冷却面40aは、支持部20によって支持された基板9の上面に対面し基板9より大きい。言い換えれば、平面視において、冷却面40aは基板9の上面を包含する。冷却面40aは縁EDを有する。図1の例では、冷却面40aはチャンバ10の天井面に相当する。冷却面40aは、例えば、水平な平坦面である。 The cooling unit 40 cools the cooling surface 40a. The cooling surface 40a faces the first surface F1, which is the upper surface of the substrate 9 supported by the support unit 20. The cooling unit 40 cools the cooling surface 40a, thereby lowering the temperature of the cooling surface 40a. The cooling surface 40a faces the upper surface of the substrate 9 supported by the support unit 20 and is larger than the substrate 9. In other words, in a plan view, the cooling surface 40a encompasses the upper surface of the substrate 9. The cooling surface 40a has an edge ED. In the example of FIG. 1, the cooling surface 40a corresponds to the ceiling surface of the chamber 10. The cooling surface 40a is, for example, a horizontal flat surface.

基板9の上面としての第1面F1上の塗布膜90から蒸発した溶媒の蒸気(以下、溶媒蒸気と呼ぶ)は、冷却面40aにおいて冷却されて凝縮し得る。このため、冷却面40aには液状の溶媒91(後に説明する図9も参照)が付着し得る。この凝縮によって、後に詳述するように、塗布膜90の乾燥ムラの発生を抑制することができる。また、チャンバ10内の圧力のさらなる低下により、冷却面40aに付着した溶媒91を蒸発させることもできる。この凝縮および蒸発についても後に詳述する。 The solvent vapor (hereinafter referred to as solvent vapor) evaporated from the coating film 90 on the first face F1 as the upper face of the substrate 9 can be cooled and condensed on the cooling surface 40a. As a result, liquid solvent 91 (see also FIG. 9 described later) can adhere to the cooling surface 40a. This condensation can suppress the occurrence of uneven drying of the coating film 90, as described in detail later. In addition, by further reducing the pressure inside the chamber 10, the solvent 91 adhered to the cooling surface 40a can also be evaporated. This condensation and evaporation will also be described in detail later.

図1の例では、第1昇降部100は支持部20を昇降させる。具体的には、第1昇降部100は上昇位置H1と下降位置H2との間で支持部20を昇降させる。上昇位置H1は、支持部20によって支持された基板9と冷却面40aとの間隔が第1間隔となるときの支持部20の位置である。図1の例では、上昇位置H1に位置する支持部20および基板9を仮想線で示している。下降位置H2は、支持部20によって支持された基板9と冷却面40aとの間隔が第1間隔よりも広い第2間隔となるときの支持部20の位置である。つまり、第1昇降部100は、基板9と冷却面40aとの間隔が第1間隔となる第1状態と、基板9と冷却面40aとの間隔が第2間隔となる第2状態との間で、支持部20を昇降させる。第1間隔は例えば10mm以下であり、より具体的な一例として5mm程度である。第2間隔は例えば第1間隔の5倍以上であってもよく、10倍以上であってもよい。数値の具体例を説明すると、第2間隔は例えば50mm以上であり、より具体的な一例として、80mm程度である。 In the example of FIG. 1, the first lifting unit 100 lifts and lowers the support unit 20. Specifically, the first lifting unit 100 lifts and lowers the support unit 20 between an elevated position H1 and a lowered position H2. The elevated position H1 is the position of the support unit 20 when the distance between the substrate 9 supported by the support unit 20 and the cooling surface 40a is a first distance. In the example of FIG. 1, the support unit 20 and the substrate 9 positioned at the elevated position H1 are shown by imaginary lines. The lowered position H2 is the position of the support unit 20 when the distance between the substrate 9 supported by the support unit 20 and the cooling surface 40a is a second distance wider than the first distance. In other words, the first lifting unit 100 lifts and lowers the support unit 20 between a first state in which the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a is a first distance, and a second state in which the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a is a second distance. The first distance is, for example, 10 mm or less, and a more specific example is about 5 mm. The second interval may be, for example, 5 times or more, or 10 times or more, the first interval. To give a specific example of a numerical value, the second interval is, for example, 50 mm or more, and a more specific example is about 80 mm.

後に詳述するように、減圧初期において、第1昇降部100は支持部20を上昇位置H1に位置させる。その後、第1昇降部100は支持部20を下降位置H2に下降させる。この技術的意義についても後に詳述する。 As will be described in detail later, in the initial stage of decompression, the first lifting unit 100 positions the support unit 20 at the raised position H1. Thereafter, the first lifting unit 100 lowers the support unit 20 to the lowered position H2. The technical significance of this will be described in detail later.

また、図1および図2の例では、減圧乾燥装置1は、給気部60と、底面整流板50と、側面整流板51と、圧力計70と、をさらに含んでいる。給気部60はチャンバ10内に気体を供給する。これにより、チャンバ10内の圧力を大気圧に戻すことができる。底面整流板50および側面整流板51はチャンバ10内に設けられており、チャンバ10内の気流を整える。圧力計70はチャンバ10内の圧力を計測し、その計測結果を示す電気信号を制御部80に出力する。制御部80は上述の減圧乾燥装置1の各種構成を制御する。例えば、制御部80は、圧力計70によって計測された圧力に基づいて減圧機構30を制御して、チャンバ10内の圧力を調整する。また、制御部80は冷却部40を制御して、冷却面40aの温度を調整し、第1昇降部100を制御して、支持部20の位置を調整する。 1 and 2, the reduced pressure drying apparatus 1 further includes an air supply unit 60, a bottom rectifying plate 50, a side rectifying plate 51, and a pressure gauge 70. The air supply unit 60 supplies gas into the chamber 10. This allows the pressure in the chamber 10 to be returned to atmospheric pressure. The bottom rectifying plate 50 and the side rectifying plate 51 are provided in the chamber 10 and adjust the air flow in the chamber 10. The pressure gauge 70 measures the pressure in the chamber 10 and outputs an electric signal indicating the measurement result to the control unit 80. The control unit 80 controls various components of the reduced pressure drying apparatus 1 described above. For example, the control unit 80 controls the decompression mechanism 30 based on the pressure measured by the pressure gauge 70 to adjust the pressure in the chamber 10. The control unit 80 also controls the cooling unit 40 to adjust the temperature of the cooling surface 40a and the first lifting unit 100 to adjust the position of the support unit 20.

次に、減圧乾燥装置1の各構成の詳細な一例について述べる。 Next, a detailed example of each component of the reduced pressure drying device 1 will be described.

<1-1-1.チャンバ10>
チャンバ10には、基板9を収容するための内部空間10sを有する耐圧容器が適用される。チャンバ10は、例えば、図示を省略した装置フレーム上に固定されている。チャンバ10の形状は、例えば、扁平な直方体状である。チャンバ10は、例えば、略正方形状の底板部11と、4つの側壁部12と、略正方形状の天板部13と、を有する。4つの側壁部12は、例えば、底板部11の4つの端辺と、天板部13の4つの端辺とを、上下方向に接続している。例えば、4つの側壁部12のうちの1つの側壁部12には、搬入出口14と、この搬入出口14を開閉するゲート部(ゲートバルブともいう)15と、が設けられている。ゲート部15は、例えば、開閉駆動部16に連結もしくは接続されている。図3では、図面の煩雑化を避けるために、開閉駆動部16が概念的に示されている。開閉駆動部16には、例えば、エアシリンダ等の駆動装置が適用される。ここでは、例えば、開閉駆動部16の動作によって、ゲート部15は、搬入出口14を閉鎖している位置(閉鎖位置ともいう)と、搬入出口14を開放している位置(開放位置ともいう)との間で移動することができる。
<1-1-1. Chamber 10>
A pressure-resistant vessel having an internal space 10s for accommodating a substrate 9 is applied to the chamber 10. The chamber 10 is fixed on, for example, an apparatus frame (not shown). The shape of the chamber 10 is, for example, a flat rectangular parallelepiped. The chamber 10 has, for example, a substantially square bottom plate portion 11, four side wall portions 12, and a substantially square top plate portion 13. The four side wall portions 12 connect, for example, four end sides of the bottom plate portion 11 and four end sides of the top plate portion 13 in the up-down direction. For example, one of the four side wall portions 12 is provided with a transfer port 14 and a gate portion (also called a gate valve) 15 for opening and closing the transfer port 14. The gate portion 15 is, for example, linked or connected to an opening/closing drive portion 16. In FIG. 3, the opening/closing drive portion 16 is conceptually shown in order to avoid complication of the drawing. A driving device such as an air cylinder is applied to the opening/closing drive unit 16. Here, for example, by the operation of the opening/closing drive unit 16, the gate unit 15 can move between a position where the loading/unloading opening 14 is closed (also referred to as a closed position) and a position where the loading/unloading opening 14 is open (also referred to as an open position).

ここで、例えば、ゲート部15が閉鎖位置に位置する状態では、チャンバ10の内部空間10sが密閉される。例えば、ゲート部15が開放位置に位置する状態では、搬入出口14を介して、チャンバ10の内部空間10sへの基板9の搬入およびチャンバ10の内部空間10sからの基板9の搬出を行うことができる。 Here, for example, when the gate portion 15 is in the closed position, the internal space 10s of the chamber 10 is sealed. For example, when the gate portion 15 is in the open position, the substrate 9 can be loaded into the internal space 10s of the chamber 10 and unloaded from the internal space 10s of the chamber 10 via the loading/unloading port 14.

<1-1-2.支持部20>
支持部20は、チャンバ10の内部空間10sに位置しており、チャンバ10の内部空間10sに収容された基板9を下方から支持することができる。支持部20は、例えば、複数の支持プレート21と、複数の支持ピン22と、を有する。複数の支持プレート21は、例えば、水平方向に間隔をあけて配列されている。各支持プレート21の上面には、複数の支持ピン22が立設されている。複数の支持ピン22は平面視において2次元的に分散配置される。複数の支持プレート21は、支持部20のベースとなる部分である。基板9は複数の支持プレート21の上方に配置され、複数の支持ピン22の上端部が基板9の下面としての第2面F2に接触することで、基板9が水平姿勢で支持される。
<1-1-2. Support portion 20>
The support portion 20 is located in the internal space 10s of the chamber 10 and can support the substrate 9 accommodated in the internal space 10s of the chamber 10 from below. The support portion 20 includes, for example, a plurality of support plates 21. The support plates 21 are arranged, for example, at intervals in the horizontal direction. Each support plate 21 has a plurality of support pins 22 standing upright on its upper surface. The support pins 22 are two-dimensionally distributed in a plan view. The support plates 21 are bases of the support portion 20. The substrate 9 is disposed above the support plates 21. The upper ends of the support pins 22 come into contact with a second face F2, which serves as the lower face of the substrate 9, thereby supporting the substrate 9 in a horizontal position.

<1-1-3.減圧機構30>
図1および図2に示されるように、チャンバ10の底板部11のうち基板9と上下方向において対向する部分には、例えば、4つの排気口16a,16b,16c,16dが設けられている。減圧機構30は、例えば、排気配管31と、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdと、主バルブVeと、真空ポンプ32と、を有する。排気配管31は、例えば、4つの個別配管31a,31b,31c,31dと、1つの主配管31eと、を有する。例えば、個別配管31aの一端は、排気口16aに接続しており、個別配管31bの一端は、排気口16bに接続しており、個別配管31cの一端は、排気口16cに接続しており、個別配管31dの一端は、排気口16dに接続している。例えば、4つの個別配管31a,31b,31c,31dのそれぞれの他端は、合流して主配管31eの一端に接続されている。例えば、主配管31eの他端は、真空ポンプ32に接続している。例えば、個別バルブVaは、個別配管31aの経路上に設けられており、個別バルブVbは、個別配管31bの経路上に設けられており、個別バルブVcは、個別配管31cの経路上に設けられており、個別バルブVdは、個別配管31dの経路上に設けられている。例えば、主バルブVeは、主配管31eの経路上に設けられている。
<1-1-3. Pressure reducing mechanism 30>
1 and 2, for example, four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d are provided in a portion of the bottom plate portion 11 of the chamber 10 that faces the substrate 9 in the up-down direction. The pressure reducing mechanism 30 has, for example, an exhaust pipe 31, four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd, a main valve Ve, and a vacuum pump 32. The exhaust pipe 31 has, for example, four individual pipes 31a, 31b, 31c, and 31d, and one main pipe 31e. For example, one end of the individual pipe 31a is connected to the exhaust port 16a, one end of the individual pipe 31b is connected to the exhaust port 16b, one end of the individual pipe 31c is connected to the exhaust port 16c, and one end of the individual pipe 31d is connected to the exhaust port 16d. For example, the other ends of the four individual pipes 31a, 31b, 31c, and 31d are joined together and connected to one end of a main pipe 31e. For example, the other end of the main pipe 31e is connected to a vacuum pump 32. For example, the individual valve Va is provided on the path of the individual pipe 31a, the individual valve Vb is provided on the path of the individual pipe 31b, the individual valve Vc is provided on the path of the individual pipe 31c, and the individual valve Vd is provided on the path of the individual pipe 31d. For example, the main valve Ve is provided on the path of the main pipe 31e.

ここで、例えば、ゲート部15によって搬入出口14を閉鎖した状態で、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdの少なくとも1つと、1つの主バルブVeとを開放し、真空ポンプ32を動作させると、チャンバ10内の気体が、排気配管31を介してチャンバ10の外部へ排出される。これにより、例えば、チャンバ10の内部空間10sの圧力を低下させることができる。4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdは、例えば、4つの排気口16a,16b,16c,16dからの排気量(吸引流量)を、個別に調節するためのバルブである。4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdのそれぞれには、例えば、制御部80からの指令に基づいて開状態と閉状態との間で切り替えられる弁(開閉弁ともいう)が適用される。主バルブVeは、例えば、4つの排気口16a,16b,16c,16dからの合計の排気量を調整するためのバルブである。主バルブVeには、例えば、制御部80からの指令に基づいて開度が調節され得る弁(開度制御弁ともいう)が適用される。 Here, for example, when the gate unit 15 closes the loading/unloading port 14, at least one of the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd and one main valve Ve are opened, and the vacuum pump 32 is operated, the gas in the chamber 10 is discharged to the outside of the chamber 10 through the exhaust pipe 31. This allows, for example, the pressure in the internal space 10s of the chamber 10 to be reduced. The four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd are, for example, valves for individually adjusting the exhaust amount (suction flow rate) from the four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d. Each of the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd is, for example, a valve (also called an on-off valve) that can be switched between an open state and a closed state based on a command from the control unit 80. The main valve Ve is, for example, a valve for adjusting the total exhaust amount from the four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d. The main valve Ve is, for example, a valve whose opening can be adjusted based on a command from the control unit 80 (also called an opening control valve).

<1-1-4.第1昇降部100>
第1実施形態では、第1昇降部100はチャンバ10内において支持部20を昇降させる。換言すれば、第1昇降部100は、支持部20を昇降させることができる機構(昇降機構ともいう)を有する。図1では、図面の煩雑化を避けるために、第1昇降部100が概念的に示されている。第1昇降部100には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。図3に示されるように、第1昇降部100は、例えば、本体部100aと、移動部100bと、を有する。本体部100aは、例えば、チャンバ10の外部において、図示を省略した装置フレームに固定されている。移動部100bは、例えば、本体部100aに対して、上下方向に移動することができる。移動部100bには、例えば、棒状の部材等が適用される。移動部100bは、例えば、チャンバ10の底板部11の貫通孔11hに挿通された状態で位置している。そして、例えば、移動部100bの上端部に、支持部20が固定されている。ここでは、例えば、底板部11の下面と移動部100bとの間にベローズ等が設けられれば、底板部11と移動部100bとの隙間が密閉され得る。例えば、支持部20が複数の支持プレート21を有する場合には、移動部100bは、支持プレート21ごとに支持プレート21に固定されており且つ底板部11の貫通孔11hに挿通された棒状の部分(棒状部ともいう)と、複数の棒状部を連結している部分(連結部ともいう)と、連結部に接続されており且つ本体部100aに摺動可能に支持された部分(摺動部ともいう)と、を有する。第1昇降部100が支持部20を昇降させることにより、支持部20によって支持された基板9も昇降する。
<1-1-4. First lifting section 100>
In the first embodiment, the first lifting unit 100 lifts and lowers the support unit 20 in the chamber 10. In other words, the first lifting unit 100 has a mechanism (also called a lifting mechanism) that can lift and lower the support unit 20. In FIG. 1, the first lifting unit 100 is conceptually shown in order to avoid complication of the drawing. A driving device such as a linear motor or an air cylinder is applied to the first lifting unit 100. As shown in FIG. 3, the first lifting unit 100 has, for example, a main body unit 100a and a moving unit 100b. The main body unit 100a is fixed to an apparatus frame (not shown) outside the chamber 10. The moving unit 100b can move, for example, in the vertical direction relative to the main body unit 100a. For example, a rod-shaped member or the like is applied to the moving unit 100b. The moving part 100b is positioned, for example, in a state where it is inserted into the through hole 11h of the bottom plate part 11 of the chamber 10. And, for example, the support part 20 is fixed to the upper end part of the moving part 100b. Here, for example, if a bellows or the like is provided between the lower surface of the bottom plate part 11 and the moving part 100b, the gap between the bottom plate part 11 and the moving part 100b can be sealed. For example, when the supporting part 20 has a plurality of supporting plates 21, the moving part 100b has a rod-shaped part (also called a rod-shaped part) fixed to the supporting plate 21 for each supporting plate 21 and inserted into the through hole 11h of the bottom plate part 11, a part (also called a connecting part) connecting the plurality of rod-shaped parts, and a part (also called a sliding part) connected to the connecting part and slidably supported by the main body part 100a. When the first lifting part 100 lifts and lowers the supporting part 20, the substrate 9 supported by the supporting part 20 also lifts and lowers.

<1-1-5.冷却部40>
図1を参照して、冷却部40の冷却面40aは、基板9の塗布膜90が形成され得る領域AC(図4参照)に基板9の厚み方向(言い換えれば上下方向)において対向する対向領域RCと、対向領域RCの外側の外側領域ROと、を有している。冷却部40は、対向領域RCの温度よりも外側領域ROの温度が高くなるように構成されている。具体的には、冷却部40は、以下のように構成されている。
<1-1-5. Cooling section 40>
1, the cooling surface 40a of the cooling unit 40 is a facing area that faces an area AC (see FIG. 4) of the substrate 9 where a coating film 90 can be formed in the thickness direction of the substrate 9 (in other words, the vertical direction). The cooling unit 40 has a facing region RC and an outer region RO outside the facing region RC. The cooling unit 40 is configured so that the temperature of the outer region RO is higher than the temperature of the facing region RC. Specifically, The cooling unit 40 is configured as follows.

冷却部40(図1)は、冷却面40aを冷媒を用いて冷却する構成を有している。具体的には、冷却部40は、冷却部材41と、冷媒供給配管42と、冷媒回収配管43と、冷媒冷却源44とを含む。冷却部材41の内部には、冷却面40aを冷却するために冷媒が流れる経路46が形成されている。なお、図3と、後述の図9および図14とにおいては、図面の煩雑化を避けるために、冷却部40の具体的な構成の図示を省略している。冷却部材41は板状形状を有する。この場合、冷却部材41は冷却板とも呼ばれ得る。冷却部材41は、その厚み方向が上下方向に沿う姿勢で、天板部13の上面に取り付けられている。冷却部材41は平面視において例えば長方形状を有する。冷却部材41の下面は天板部13の上面に密着しているとよい。冷却部材41は熱伝導率の高い材料(例えば金属など)によって形成され得る。 The cooling unit 40 (FIG. 1) has a configuration for cooling the cooling surface 40a using a refrigerant. Specifically, the cooling unit 40 includes a cooling member 41, a refrigerant supply pipe 42, a refrigerant recovery pipe 43, and a refrigerant cooling source 44. Inside the cooling member 41, a path 46 is formed through which the refrigerant flows to cool the cooling surface 40a. Note that in FIG. 3 and in FIGS. 9 and 14 described below, the specific configuration of the cooling unit 40 is omitted from illustration in order to avoid complication of the drawings. The cooling member 41 has a plate-like shape. In this case, the cooling member 41 may also be called a cooling plate. The cooling member 41 is attached to the upper surface of the top plate portion 13 with its thickness direction aligned along the vertical direction. The cooling member 41 has, for example, a rectangular shape in a plan view. The lower surface of the cooling member 41 may be in close contact with the upper surface of the top plate portion 13. The cooling member 41 may be formed of a material with high thermal conductivity (for example, metal, etc.).

冷媒冷却源44には冷媒回収配管43の下流端から冷媒が流入する。冷媒は、液体であってもよく、気体であってもよい。具体的な一例として、冷媒には水を適用することができる。冷媒冷却源44は冷媒を冷却し、冷却後の冷媒を冷媒供給配管42の上流端に供給する。冷媒冷却源44は例えばヒートポンプであってもよい。冷媒冷却源44によって冷却された冷媒は冷媒供給配管42の上流端に流入し、冷媒供給配管42を通じて経路46に流入する。低温の冷媒が経路46を流れることにより、冷媒が冷却部材41と熱交換して冷却部材41を冷却する。この冷却部材41は天板部13と熱交換するので、天板部13も冷却される。経路46を流れることによって温められた冷媒は、冷媒回収配管43を通じて再び冷媒冷却源44に流入し、冷媒冷却源44によって再び冷却される。 The refrigerant flows into the refrigerant cooling source 44 from the downstream end of the refrigerant recovery pipe 43. The refrigerant may be liquid or gas. As a specific example, water can be used as the refrigerant. The refrigerant cooling source 44 cools the refrigerant and supplies the cooled refrigerant to the upstream end of the refrigerant supply pipe 42. The refrigerant cooling source 44 may be, for example, a heat pump. The refrigerant cooled by the refrigerant cooling source 44 flows into the upstream end of the refrigerant supply pipe 42 and flows into the path 46 through the refrigerant supply pipe 42. As the low-temperature refrigerant flows through the path 46, the refrigerant exchanges heat with the cooling member 41 to cool the cooling member 41. Since the cooling member 41 exchanges heat with the top plate portion 13, the top plate portion 13 is also cooled. The refrigerant warmed by flowing through the path 46 flows back into the refrigerant cooling source 44 through the refrigerant recovery pipe 43 and is cooled again by the refrigerant cooling source 44.

冷却部40がチャンバ10の天板部13を冷却すると、天板部13の下面(つまり、チャンバ10の天井面)である冷却面40aも冷却される。図1の例では、冷却部材41は平面視において基板9よりも大きなサイズを有する。つまり、平面視において冷却部材41の輪郭は基板9の輪郭を囲う。冷却部材41が平面視において長方形状を有している場合には、冷却部材41の長辺は基板9の長辺よりも長く、冷却部材41の短辺は基板9の短辺よりも長い。これにより、冷却部材41は、冷却面40aの対向領域RCの全面を十分に冷却することができる。上記長方形状は、正方形状であってもよい。この場合、冷却部材41の1辺は基板9の短辺よりも長くてもよい。これによれば、支持部20上に配置される基板9の向きにかかわらず、平面視において、冷却部材41は基板9よりも大きい。このため、基板9の向きにかかわらず、冷却部材41は、冷却面40aの対向領域RCの全面を適切に冷却することができる。 When the cooling unit 40 cools the top plate portion 13 of the chamber 10, the cooling surface 40a, which is the lower surface of the top plate portion 13 (i.e., the ceiling surface of the chamber 10), is also cooled. In the example of FIG. 1, the cooling member 41 has a size larger than the substrate 9 in a plan view. That is, the outline of the cooling member 41 surrounds the outline of the substrate 9 in a plan view. When the cooling member 41 has a rectangular shape in a plan view, the long side of the cooling member 41 is longer than the long side of the substrate 9, and the short side of the cooling member 41 is longer than the short side of the substrate 9. This allows the cooling member 41 to sufficiently cool the entire surface of the opposing region RC of the cooling surface 40a. The rectangular shape may be a square shape. In this case, one side of the cooling member 41 may be longer than the short side of the substrate 9. According to this, regardless of the orientation of the substrate 9 placed on the support portion 20, the cooling member 41 is larger than the substrate 9 in a plan view. Therefore, regardless of the orientation of the substrate 9, the cooling member 41 can adequately cool the entire surface of the facing region RC of the cooling surface 40a.

図6は、第1実施形態に係る減圧乾燥装置1の上面の一例を概略的に示す図であり、その内部構成の一部も示している。図1および図6を参照して、本実施形態1においては、冷却部40は、経路46としての複数の経路46a~46dと、経路46a~46dのそれぞれへ冷媒が導入される入口47a~47dと、経路46a~46dのそれぞれから冷媒が導出される出口48a~48dと、を有している。入口47a~47d(図6)および出口48a~48d(図6)は、冷却部材41の上面(図1参照)に形成されている。入口47a~47dのそれぞれは冷媒供給配管42a~42dの下流端に接続されており、出口48aから48dのそれぞれは冷媒回収配管43a~43dの上流端に接続されている。冷媒供給配管42の上流端および冷媒回収配管43の下流端は、冷媒冷却源44に接続されている。 Figure 6 is a diagram showing an example of the upper surface of the reduced pressure drying device 1 according to the first embodiment, and also shows a part of the internal configuration. With reference to Figures 1 and 6, in this embodiment 1, the cooling section 40 has a plurality of paths 46a to 46d as a path 46, inlets 47a to 47d through which the refrigerant is introduced into each of the paths 46a to 46d, and outlets 48a to 48d through which the refrigerant is discharged from each of the paths 46a to 46d. The inlets 47a to 47d (Figure 6) and the outlets 48a to 48d (Figure 6) are formed on the upper surface of the cooling member 41 (see Figure 1). Each of the inlets 47a to 47d is connected to the downstream end of the refrigerant supply pipes 42a to 42d, and each of the outlets 48a to 48d is connected to the upstream end of the refrigerant recovery pipes 43a to 43d. The upstream end of the refrigerant supply pipe 42 and the downstream end of the refrigerant recovery pipe 43 are connected to the refrigerant cooling source 44.

平面視で、経路46a~46dの各々は、対向領域RCと外側領域ROとにまたがっている。入口47a~47dの各々は対向領域RCに位置している。出口48a~48dの各々は外側領域ROに位置している。経路46a~46dの各々は、平面視で渦巻き状に延びていてよい。 In plan view, each of the paths 46a to 46d spans the opposing region RC and the outer region RO. Each of the inlets 47a to 47d is located in the opposing region RC. Each of the outlets 48a to 48d is located in the outer region RO. Each of the paths 46a to 46d may extend in a spiral shape in plan view.

上記のように冷却部が構成されることによって、冷却された冷媒が対向領域RCから外側領域ROへと流れるにつれて冷媒の温度が上昇する。よって、対向領域RCの方が外側領域ROよりも強く冷却される。よって、対向領域RCの温度よりも外側領域ROの温度が高くなる。例えば、対向領域RCにおけるすべての箇所での温度と比較しても、外側領域ROにおける縁EDでの温度の方が高くてよい。言い換えれば、対向領域RCにおける最高温度に比して、外側領域ROにおける縁EDでの温度が高くてよい。 By configuring the cooling section as described above, the temperature of the refrigerant increases as the cooled refrigerant flows from the facing region RC to the outer region RO. Thus, the facing region RC is cooled more strongly than the outer region RO. Thus, the temperature of the outer region RO is higher than the temperature of the facing region RC. For example, the temperature at the edge ED of the outer region RO may be higher than the temperature at all points in the facing region RC. In other words, the temperature at the edge ED of the outer region RO may be higher than the maximum temperature in the facing region RC.

<1-1-6.底面整流板50>
底面整流板50は、減圧機構30によるチャンバ10内の減圧時に、内部空間10sにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、底面整流板50は、支持部20に支持される基板9と、チャンバ10の底板部11との間に位置するように配置されている。底面整流板50は、例えば、チャンバ10の底板部11に、図示を省略した複数の支柱を介して固定されている。図2に示されるように、例えば、底面整流板50は、平面視において正方形状の形状を有する。そして、例えば、底面整流板50の平面視における各辺の長さは、長方形状の基板9の短辺よりも長い。このため、例えば、支持部20上に配置される基板9の向きにかかわらず、平面視において、底面整流板50は、基板9よりも大きい。また、底面整流板50は、例えば、第1昇降部100の移動部100bが挿通された状態にある貫通孔50hを有している。貫通孔50hにおいて、底面整流板50と移動部100bとは、ごく小さな間隔をあけて位置している。
<1-1-6. Bottom surface current plate 50>
The bottom flow regulating plate 50 is a plate for regulating the flow of gas in the internal space 10s when the pressure inside the chamber 10 is reduced by the pressure reducing mechanism 30. For example, the bottom flow regulating plate 50 is a plate for regulating the flow of gas in the internal space 10s when the substrate 9 is supported by the support portion 20. and the bottom plate 11 of the chamber 10. The bottom flow plate 50 is fixed to the bottom plate 11 of the chamber 10 via a plurality of pillars (not shown), for example. As shown in FIG. 2, for example, the bottom surface current plate 50 has a square shape in a plan view. And, for example, the length of each side of the bottom surface current plate 50 in a plan view is a rectangular shape. For this reason, for example, regardless of the orientation of the substrate 9 placed on the support portion 20, the bottom flow straightening plate 50 is larger than the substrate 9 in a plan view. The plate 50 has, for example, a through hole 50h through which the moving part 100b of the first lifting part 100 is inserted. At the through hole 50h, the bottom flow plate 50 and the moving portion 100b are positioned with a very small gap therebetween.

<1-1-7.側面整流板51>
側面整流板51は、底面整流板50とともに、減圧機構30によるチャンバ10内の減圧時に、内部空間10sにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、側面整流板51は、下降位置H2に位置した支持部20によって支持される基板9と、チャンバ10の側壁部12との間に位置するように配置されている。ここでは、例えば、支持部20に支持される基板9の周囲を囲むように、4つの側面整流板51が配置されている。例えば、4つの側面整流板51は、全体として、基板9を包囲する四角筒状の整流板を形成している。また、例えば、底面整流板50および4つの側面整流板51は、全体として、有底筒状の箱状の整流板を形成している。なお、図1の例では、側面整流板51の上端は、上昇位置H1に位置した支持部20によって支持される基板9の第2面F2よりも下方に位置している。このため、支持部20が上昇位置H1に位置する第1状態では、基板9は4つの側面整流板51によって包囲されていない。
<1-1-7. Side airflow plate 51>
The side flow plate 51, together with the bottom flow plate 50, is a plate for regulating the flow of gas in the internal space 10s when the pressure inside the chamber 10 is reduced by the pressure reduction mechanism 30. For example, the side flow plate 51 is in the lowered position H2 The support 20 is disposed between the substrate 9 supported by the support 20 and the side wall 12 of the chamber 10. Four side rectifying plates 51 are arranged so as to surround the substrate 9. For example, the four side rectifying plates 51 as a whole form a rectangular tubular rectifying plate surrounding the substrate 9. The bottom surface straightening plate 50 and the four side surface straightening plates 51 as a whole form a cylindrical box-shaped straightening plate with a bottom. In the example of FIG. 1, the upper end of the side surface straightening plate 51 is in the raised position. It is located below the second surface F2 of the substrate 9 supported by the support portion 20 located at H1. Therefore, in the first state in which the support portion 20 is located at the raised position H1, the substrate 9 is not surrounded by the four side flow straightening plates 51.

ここで、例えば、支持部20が下降位置H2に位置した第2状態でのチャンバ10内の減圧時には、基板9の直上の気体は主として側面整流板51の上端に向かって流れる(後に説明する図14も参照)。該気体は、側面整流板51と側壁部12との間の空間、底面整流板50と底板部11との間の空間、および排気口16a,16b,16c,16dをこの記載の順に通って、チャンバ10の外部へ排出される。このように、気体が基板9から離れた空間を流れることで、基板9の近傍に気流が形成されにくくなる。そして、基板9の周縁部において集中的な気流の発生が生じにくくなる。これにより、例えば、基板9の上面に形成された塗布膜90の乾燥ムラの発生が抑制され得る。 Here, for example, when the pressure in the chamber 10 is reduced in the second state in which the support portion 20 is located at the lowered position H2, the gas directly above the substrate 9 mainly flows toward the upper end of the side straightening plate 51 (see also FIG. 14 described later). The gas passes through the space between the side straightening plate 51 and the side wall portion 12, the space between the bottom straightening plate 50 and the bottom plate portion 11, and the exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d in the order described above, and is discharged to the outside of the chamber 10. In this way, the gas flows through a space away from the substrate 9, making it difficult for an air flow to be formed near the substrate 9. And it becomes difficult for a concentrated air flow to occur at the periphery of the substrate 9. This can suppress, for example, the occurrence of uneven drying of the coating film 90 formed on the upper surface of the substrate 9.

また、ここで、例えば、図2に示されるように、平面視において、4つの排気口16a,16b,16c,16dが、いずれも正方形状の底面整流板50の対角線52上に位置している構成が採用される。この場合には、例えば、各排気口16a,16b,16c,16dによって、底面整流板50の中央(2本の対角線52の交点)に対して対称な気流が形成され得る。これにより、例えば、チャンバ10の内部空間10sにおいて、より均一な気流が形成され得る。 Furthermore, as shown in FIG. 2, a configuration is adopted in which the four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d are all located on the diagonals 52 of the square-shaped bottom surface straightening plate 50 in a plan view. In this case, for example, each exhaust port 16a, 16b, 16c, and 16d can form an airflow that is symmetrical with respect to the center of the bottom surface straightening plate 50 (the intersection of the two diagonals 52). This can form a more uniform airflow, for example, in the internal space 10s of the chamber 10.

<1-1-8.給気部60>
給気部60は、チャンバ10内に気体を供給する動作(給気ともいう)を行う部分である。図1で示されるように、チャンバ10の底板部11には、例えば、給気口16fが設けられている。給気口16fは、例えば、底面整流板50の下方に位置している。給気部60は、給気口16fに接続された給気配管61と、給気バルブVfと、給気源62と、を有する。例えば、給気配管61の一端は、給気口16fに接続している。例えば、給気配管61の他端は、給気源62に接続している。例えば、給気バルブVfは、給気配管61の経路上に設けられている。
<1-1-8. Air supply section 60>
The gas supply unit 60 is a part that performs an operation of supplying gas (also referred to as gas supply) into the chamber 10. As shown in FIG. 1, for example, a gas supply port 16f is provided on the bottom plate portion 11 of the chamber 10. The gas supply port 16f is located, for example, below the bottom surface straightening plate 50. The gas supply unit 60 has a gas supply pipe 61 connected to the gas supply port 16f, a gas supply valve Vf, and a gas supply source 62. For example, one end of the gas supply pipe 61 is connected to the gas supply port 16f. For example, the other end of the gas supply pipe 61 is connected to the gas supply source 62. For example, the gas supply valve Vf is provided on the path of the gas supply pipe 61.

ここで、例えば、給気バルブVfを開放すると、給気源62から給気配管61および給気口16fを介して、チャンバ10の内部空間10sに気体が供給される。これにより、チャンバ10内の圧力を上昇させることができる。給気源62から供給される気体は、例えば、窒素気体等の不活性気体であってもよいし、クリーンドライエアであってもよい。クリーンドライエアは、例えば、一般的な環境における空気に対してパーティクルおよび水分を除去する清浄化を施すことで準備され得る。 Here, for example, when the air supply valve Vf is opened, gas is supplied from the air supply source 62 to the internal space 10s of the chamber 10 via the air supply pipe 61 and the air supply port 16f. This makes it possible to increase the pressure inside the chamber 10. The gas supplied from the air supply source 62 may be, for example, an inert gas such as nitrogen gas, or may be clean dry air. The clean dry air may be prepared, for example, by purifying the air in a general environment to remove particles and moisture.

<1-1-9.圧力計70>
圧力計70は、チャンバ10の内部空間10sの圧力を計測するセンサである。図1に示されるように、圧力計70はチャンバ10の一部分に取り付けられている。圧力計70はチャンバ10の内部空間10sの圧力を計測し、その計測結果を制御部80へ出力することができる。
<1-1-9. Pressure gauge 70>
The pressure gauge 70 is a sensor that measures the pressure in the internal space 10s of the chamber 10. As shown in Fig. 1, the pressure gauge 70 is attached to a part of the chamber 10. The pressure gauge 70 can measure the pressure in the internal space 10s of the chamber 10 and output the measurement result to the control unit 80.

<1-1-10.制御部80>
制御部80は、減圧乾燥装置1の各部の動作を制御するためのユニット(電子回路)である。制御部80は、減圧機構30、冷却部40、給気部60および第1昇降部100等の構成を制御することができる。制御部80は、例えば、CPU(Central Processing Unit)等のプロセッサ801、RAM(Random Access Memory)等のメモリ802、およびハードディスクドライブ等の記憶部803を有するコンピュータによって構成されている。記憶部803には、例えば、減圧乾燥装置1において基板9上の塗布膜90を減圧によって乾燥させる処理(減圧乾燥処理ともいう)を実行させるためのコンピュータプログラム(プログラムともいう)803pおよび各種のデータが記憶されている。記憶部803は、例えば、プログラム803pを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。制御部80は、例えば、記憶部803からメモリ802にプログラム803pおよびデータを読み出して、プロセッサ801においてプログラム803pおよびデータに従った演算処理を行うことで、減圧乾燥装置1の各部の動作を制御する。このため、例えば、プログラム803pは、減圧乾燥装置1において制御部80に含まれるプロセッサ801によって実行されることで、減圧乾燥処理を実行させることができる。
<1-1-10. Control unit 80>
The control unit 80 is a unit (electronic circuit) for controlling the operation of each part of the reduced pressure drying apparatus 1. The control unit 80 can control the configuration of the reduced pressure mechanism 30, the cooling unit 40, the air supply unit 60, the first lifting unit 100, and the like. The control unit 80 is configured by a computer having, for example, a processor 801 such as a CPU (Central Processing Unit), a memory 802 such as a RAM (Random Access Memory), and a storage unit 803 such as a hard disk drive. The storage unit 803 stores, for example, a computer program (also called a program) 803p for executing a process (also called a reduced pressure drying process) for drying the coating film 90 on the substrate 9 by reducing pressure in the reduced pressure drying apparatus 1, and various data. The storage unit 803 stores, for example, the program 803p, and serves as a non-transient storage medium readable by a computer. The control unit 80 controls the operation of each part of the reduced-pressure drying apparatus 1, for example, by reading out a program 803p and data from the storage unit 803 to the memory 802 and performing arithmetic processing in accordance with the program 803p and the data in the processor 801. Therefore, for example, the program 803p can be executed by the processor 801 included in the control unit 80 in the reduced-pressure drying apparatus 1 to execute the reduced-pressure drying process.

また、制御部80には、例えば、入力部804、出力部805、通信部806およびドライブ807が接続されていてもよい。入力部804は、例えば、ユーザの動作等に応答して各種の信号を制御部80に入力する部分である。入力部804には、例えば、ユーザの操作に応じた信号を入力する操作部、ユーザの音声に応じた信号を入力するマイク、およびユーザの動きに応じた信号を入力する各種センサ等が含まれ得る。出力部805は、例えば、各種の情報をユーザが認識可能な態様で出力する部分である。出力部805には、例えば、表示部、プロジェクタ、およびスピーカ等が含まれ得る。表示部は、入力部804と一体化されたタッチパネルであってもよい。通信部806は、例えば、有線もしくは無線の通信手段等によってサーバ等の外部の装置との間で各種の情報の送受信を行う部分である。例えば、通信部806によって外部の装置から受信したプログラム803pが記憶部803に記憶されてもよい。ドライブ807は、例えば、磁気ディスクまたは光ディスク等の可搬性の記憶媒体807mの着脱が可能な部分である。このドライブ807は、例えば、記憶媒体807mが装着されている状態で、この記憶媒体807mと制御部80との間におけるデータの授受を行う。例えば、プログラム803pが記憶された記憶媒体807mがドライブ807に装着されることで、記憶媒体807mから記憶部803内にプログラム803pが読み込まれて記憶されてもよい。ここでは、記憶媒体807mは、例えば、プログラム803pを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。 The control unit 80 may also be connected to, for example, an input unit 804, an output unit 805, a communication unit 806, and a drive 807. The input unit 804 is, for example, a unit that inputs various signals to the control unit 80 in response to a user's operation, etc. The input unit 804 may include, for example, an operation unit that inputs a signal according to a user's operation, a microphone that inputs a signal according to the user's voice, and various sensors that input signals according to the user's movement. The output unit 805 is, for example, a unit that outputs various information in a manner that can be recognized by the user. The output unit 805 may include, for example, a display unit, a projector, and a speaker. The display unit may be a touch panel integrated with the input unit 804. The communication unit 806 is, for example, a unit that transmits and receives various information to and from an external device such as a server by wired or wireless communication means, etc. For example, the program 803p received from an external device by the communication unit 806 may be stored in the storage unit 803. The drive 807 is a part to which a portable storage medium 807m, such as a magnetic disk or optical disk, can be attached and detached. When the storage medium 807m is attached, the drive 807 exchanges data between the storage medium 807m and the control unit 80. For example, when the storage medium 807m storing the program 803p is attached to the drive 807, the program 803p may be read from the storage medium 807m and stored in the storage unit 803. Here, the storage medium 807m stores the program 803p, for example, and serves as a non-transitory storage medium that can be read by a computer.

図7は、制御部80において実現される機能を概念的に示したブロック図である。図7に示されるように、制御部80は、例えば、開閉駆動部16、第1昇降部100、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vd、主バルブVe、真空ポンプ32、給気バルブVf、冷却部40および圧力計70と、それぞれ電気的に接続されている。制御部80は、例えば、圧力計70から出力される計測値を参照しつつ、上記各部の動作を制御することができる。 Figure 7 is a block diagram conceptually illustrating the functions realized by the control unit 80. As shown in Figure 7, the control unit 80 is electrically connected to, for example, the opening/closing drive unit 16, the first lifting unit 100, the four individual valves Va, Vb, Vc, Vd, the main valve Ve, the vacuum pump 32, the air supply valve Vf, the cooling unit 40, and the pressure gauge 70. The control unit 80 can control the operation of each of the above-mentioned units, for example, by referring to the measurement values output from the pressure gauge 70.

図7に概念的に示したように、制御部80は、実現される機能的な構成として、例えば、開閉制御部81、昇降制御部82、切替制御部83、排気制御部84、ポンプ制御部85、給気制御部86および冷却制御部87を有する。例えば、開閉制御部81は、開閉駆動部16の動作を制御する。例えば、昇降制御部82は、第1昇降部100の動作を制御する。例えば、切替制御部83は、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdの開閉状態を個別に制御する。例えば、排気制御部84は、主バルブVeの開閉状態および開度を制御する。例えば、ポンプ制御部85は、真空ポンプ32の動作を制御する。例えば、給気制御部86は、給気バルブVfの開閉状態を制御する。例えば、冷却制御部87は、冷却部40の動作を制御する。制御部80における各部の機能は、例えば、上述したプログラム803p等に従った演算処理をプロセッサ801が行うことで実現される。 7, the control unit 80 has, for example, an opening/closing control unit 81, a lifting control unit 82, a switching control unit 83, an exhaust control unit 84, a pump control unit 85, an air supply control unit 86, and a cooling control unit 87 as functional configurations to be realized. For example, the opening/closing control unit 81 controls the operation of the opening/closing drive unit 16. For example, the lifting control unit 82 controls the operation of the first lifting unit 100. For example, the switching control unit 83 individually controls the opening/closing state of the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd. For example, the exhaust control unit 84 controls the opening/closing state and the opening degree of the main valve Ve. For example, the pump control unit 85 controls the operation of the vacuum pump 32. For example, the air supply control unit 86 controls the opening/closing state of the air supply valve Vf. For example, the cooling control unit 87 controls the operation of the cooling unit 40. The functions of each unit in the control unit 80 are realized, for example, by the processor 801 performing arithmetic processing according to the above-mentioned program 803p, etc.

<1-2.減圧乾燥処理>
次に、減圧乾燥装置1を用いた基板9の減圧乾燥処理について説明する。図8は、第1実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。この減圧乾燥処理のフローは、例えば、制御部80に含まれるプロセッサ801においてプログラム803pが実行されることで実現される。ここでは、例えば、図8のステップS1からステップS8の処理がこの記載の順に行われる。
<1-2. Reduced pressure drying treatment>
Next, a reduced-pressure drying process for the substrate 9 using the reduced-pressure drying apparatus 1 will be described. Fig. 8 is a flow chart showing an example of the flow of the reduced-pressure drying process according to the first embodiment. This flow of the reduced-pressure drying process is realized, for example, by executing a program 803p in a processor 801 included in the control unit 80. Here, for example, the processes from step S1 to step S8 in Fig. 8 are performed in the order described.

減圧乾燥装置1を用いて減圧乾燥処理を行う際には、例えば、まず、基板9をチャンバ10内に搬入する(ステップS1)。このとき、基板9の上面には、未乾燥の塗布膜90が形成されている状態にある。ステップS1では、例えば、ゲート部15が制御部80の制御下で搬入出口14を開放し、図示を省略した搬送ロボットが、フォーク状のハンドに基板9を載置しつつ、チャンバ10の搬入出口14を介して、チャンバ10の内部空間10sへ基板9を搬入する。この時点では、支持部20は、例えば、下降位置H2に位置している。なお、側面整流板51が搬送ロボットと干渉しないように、側面整流板51が移動可能に構成されてもよい。搬送ロボットは、例えば、支持部20の複数の支持プレート21の間へフォーク状のハンドを挿入しつつ、支持部20上に基板9を載置し、その後、チャンバ10の外部にフォークを退避させる。そして、ゲート部15は制御部80の制御下で搬入出口14を閉鎖する。以上のように、ステップS1では、チャンバ10内に配置された複数の支持ピン22に基板9を載置する工程(載置工程ともいう)が行われる。 When performing the reduced pressure drying process using the reduced pressure drying apparatus 1, for example, first, the substrate 9 is loaded into the chamber 10 (step S1). At this time, an undried coating film 90 is formed on the upper surface of the substrate 9. In step S1, for example, the gate unit 15 opens the loading/unloading port 14 under the control of the control unit 80, and a transport robot (not shown) loads the substrate 9 on a fork-shaped hand and loads the substrate 9 into the internal space 10s of the chamber 10 through the loading/unloading port 14 of the chamber 10. At this point, the support unit 20 is located, for example, at the lowered position H2. Note that the side straightening plate 51 may be configured to be movable so that it does not interfere with the transport robot. For example, the transport robot loads the substrate 9 on the support unit 20 while inserting a fork-shaped hand between the multiple support plates 21 of the support unit 20, and then retracts the fork to the outside of the chamber 10. Then, the gate unit 15 closes the loading/unloading port 14 under the control of the control unit 80. As described above, in step S1, a process of placing the substrate 9 on a plurality of support pins 22 arranged in the chamber 10 (also called a placing process) is performed.

次に、減圧乾燥装置1は冷却処理を行う(ステップS2)。冷却処理は、冷却面40aを冷却する処理である。具体的には、制御部80が冷却部40を動作させることにより、冷却部40が冷却面40aを冷却し、冷却面40aの温度を低下させる。冷却部40は冷却面40aの温度を目標温度まで低下させる。例えば、冷却面40aの対向領域RCの中央部が摂氏15度程度とされ、冷却面40aの外側領域ROの縁EDが摂氏20度程度とされる。冷却部40は、基板9に対する減圧乾燥処理が完了するまで冷却面40aに対する冷却動作を継続してもよい。なお、冷却部40により冷却動作は、ステップS1よりも前に開始されてもよい。 Next, the reduced pressure drying apparatus 1 performs a cooling process (step S2). The cooling process is a process of cooling the cooling surface 40a. Specifically, the control unit 80 operates the cooling unit 40, which causes the cooling unit 40 to cool the cooling surface 40a and lower the temperature of the cooling surface 40a. The cooling unit 40 lowers the temperature of the cooling surface 40a to a target temperature. For example, the center of the facing region RC of the cooling surface 40a is set to about 15 degrees Celsius, and the edge ED of the outer region RO of the cooling surface 40a is set to about 20 degrees Celsius. The cooling unit 40 may continue the cooling operation on the cooling surface 40a until the reduced pressure drying process on the substrate 9 is completed. The cooling operation by the cooling unit 40 may be started prior to step S1.

次に、減圧乾燥装置1は第1間隔調整処理を行う(ステップS3)。第1間隔調整処理は、基板9と冷却面40aとの間隔を第1間隔にする処理である。具体的には、制御部80が第1昇降部100を制御して、支持部20を上昇位置H1に上昇させる。支持部20が上昇位置H1に位置する第1状態では、基板9は側面整流板51の上端よりも上方に位置する(図1も参照)。 Next, the reduced pressure drying apparatus 1 performs a first gap adjustment process (step S3). The first gap adjustment process is a process for adjusting the gap between the substrate 9 and the cooling surface 40a to a first gap. Specifically, the control unit 80 controls the first lifting unit 100 to raise the support unit 20 to the raised position H1. In the first state in which the support unit 20 is located at the raised position H1, the substrate 9 is located above the upper end of the side straightening plate 51 (see also FIG. 1).

次に、減圧乾燥装置1は第1減圧処理を行う(ステップS4:第1工程に相当)。第1減圧処理は、チャンバ10内の圧力を第1圧力(以下、第1目標圧力と呼ぶ)まで低下させる処理である。第1目標圧力は標準大気圧よりも低く、例えば10kPa以上に設定される。具体的には、制御部80は減圧機構30にチャンバ10内の気体を小さい第1吸引流量で吸引させることにより、チャンバ10内の圧力を低下させる。例えば、制御部80が主バルブVeの開度を後述の第2減圧処理時の開度よりも小さくしてもよい。これによれば、第1減圧処理において、チャンバ10内の圧力はより低い低下速度で低下する。 Next, the reduced pressure drying apparatus 1 performs a first decompression process (corresponding to step S4: first process). The first decompression process is a process for reducing the pressure in the chamber 10 to a first pressure (hereinafter referred to as the first target pressure). The first target pressure is set to be lower than the standard atmospheric pressure, for example, 10 kPa or higher. Specifically, the control unit 80 reduces the pressure in the chamber 10 by having the decompression mechanism 30 suck the gas in the chamber 10 at a small first suction flow rate. For example, the control unit 80 may reduce the opening of the main valve Ve to a smaller opening than during the second decompression process described below. This allows the pressure in the chamber 10 to decrease at a slower rate during the first decompression process.

ステップS3では、例えば、制御部80が、複数の個別バルブVa,Vb,Vc,Vdのそれぞれの開閉状態を個別に適宜制御してもよい。これにより、基板9の乾燥ムラの発生を抑制するように、チャンバ10内の気流を制御することができる。 In step S3, for example, the control unit 80 may individually and appropriately control the open/closed state of each of the multiple individual valves Va, Vb, Vc, and Vd. This makes it possible to control the airflow within the chamber 10 so as to prevent uneven drying of the substrate 9.

図9および図10は、第1減圧処理におけるチャンバ10内の様子の一例を概略的に示す図である。図9は、チャンバ10の全体を示しており、図10は、チャンバ10内のうちの冷却面40aおよび基板9の近傍を拡大して示している。 Figures 9 and 10 are schematic diagrams showing an example of the state inside the chamber 10 during the first decompression process. Figure 9 shows the entire chamber 10, and Figure 10 shows an enlarged view of the cooling surface 40a and the vicinity of the substrate 9 inside the chamber 10.

図9に示されるように、第1減圧処理において、支持部20が上昇位置H1に位置する第1状態では、基板9と冷却面40aとの間隔は非常に狭い。そのため、上部空間10s1内の圧力の低下速度がより低くなり、基板9の上面上の塗布膜90における突沸の発生を抑制することができる。 As shown in FIG. 9, in the first decompression process, in the first state where the support part 20 is located at the raised position H1, the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a is very narrow. Therefore, the rate at which the pressure in the upper space 10s1 decreases becomes slower, and the occurrence of bumping in the coating film 90 on the upper surface of the substrate 9 can be suppressed.

一方で、第1状態では、支持部20によって支持された基板9は側面整流板51の上端よりも上方に位置している。このため、側面整流板51による整流機能は、基板9と冷却面40aとの間の上部空間10s1にはほとんど作用しない。従って、側面整流板51による乾燥ムラの発生抑制効果はあまり招来できない。第1状態では、基板9よりも下方の下部空間10s2は広いので、下部空間10s2内の気体は速やかに排出される。具体的には、下部空間10s2内の気体は側面整流板51とチャンバ10の側壁部12との間を通って、チャンバ10から排出される。図9では、この気流を模式的に破線の矢印で示している。 On the other hand, in the first state, the substrate 9 supported by the support portion 20 is located above the upper end of the side straightening plate 51. Therefore, the straightening function of the side straightening plate 51 hardly works on the upper space 10s1 between the substrate 9 and the cooling surface 40a. Therefore, the side straightening plate 51 does not have much effect on suppressing the occurrence of uneven drying. In the first state, the lower space 10s2 below the substrate 9 is wide, so the gas in the lower space 10s2 is quickly exhausted. Specifically, the gas in the lower space 10s2 passes between the side straightening plate 51 and the side wall portion 12 of the chamber 10 and is exhausted from the chamber 10. In FIG. 9, this airflow is shown diagrammatically by dashed arrows.

第1減圧処理によって、チャンバ10内の圧力は低下するので、基板9の上面上の塗布膜90の溶媒は蒸発する。図10では、塗布膜90からの溶媒蒸気の流れを破線の矢印で模式的に示している。第1減圧処理においては、冷却部40が冷却面40aを冷却しているので、塗布膜90からの溶媒蒸気は冷却面40aにおいて冷却されて凝縮する。つまり、図10に示されるように、冷却面40aに液状の溶媒91が付着する。言い換えれば、冷却面40aの目標温度は、チャンバ10内の圧力が第1目標圧力となる状態で、溶媒蒸気が凝縮する程度の温度に設定される。より具体的な一例として、冷却面40aの目標温度は、溶媒の蒸気圧曲線において圧力が第1目標圧力となるときの温度以下に設定される。これにより、冷却面40aのうち塗布膜90と対面する領域には、溶媒91がほぼ均一に一様に付着し得る。このように、上部空間10s1内の溶媒蒸気が冷却面40aで凝縮することにより、上部空間10s1内の溶媒蒸気の濃度が低下し、その上面視における溶媒蒸気の濃度分布がより均一化される。 The first decompression process reduces the pressure in the chamber 10, so that the solvent in the coating film 90 on the upper surface of the substrate 9 evaporates. In FIG. 10, the flow of solvent vapor from the coating film 90 is shown diagrammatically by dashed arrows. In the first decompression process, the cooling unit 40 cools the cooling surface 40a, so that the solvent vapor from the coating film 90 is cooled and condensed on the cooling surface 40a. That is, as shown in FIG. 10, liquid solvent 91 adheres to the cooling surface 40a. In other words, the target temperature of the cooling surface 40a is set to a temperature at which the solvent vapor condenses when the pressure in the chamber 10 is the first target pressure. As a more specific example, the target temperature of the cooling surface 40a is set to a temperature at which the pressure becomes the first target pressure on the vapor pressure curve of the solvent. As a result, the solvent 91 can be adhered almost uniformly to the area of the cooling surface 40a that faces the coating film 90. In this way, the solvent vapor in the upper space 10s1 condenses on the cooling surface 40a, reducing the concentration of the solvent vapor in the upper space 10s1 and making the concentration distribution of the solvent vapor more uniform when viewed from above.

比較のために、冷却部40が設けられていない比較構造について説明する。図11は、比較構造に係るチャンバ10の天板部13および基板9を拡大して示す図である。図10の例では、チャンバ10の天板部13の下面13aは冷却部40によって冷却されていない。天板部13の下面13aの温度は例えばおおむね常温である。 For comparison, a comparative structure in which a cooling unit 40 is not provided will be described. FIG. 11 is an enlarged view of the top plate 13 and substrate 9 of the chamber 10 in the comparative structure. In the example of FIG. 10, the lower surface 13a of the top plate 13 of the chamber 10 is not cooled by the cooling unit 40. The temperature of the lower surface 13a of the top plate 13 is, for example, approximately room temperature.

第1減圧処理においては、基板9と下面13aとの間隔は狭いので、塗布膜90からの溶媒蒸気はすぐに天板部13の下面13aに衝突する。このため、上部空間10s1のうちの塗布膜90の中央部分と対向する中央領域では、溶媒蒸気が留まりやすい。一方、上部空間10s1のうちの塗布膜90の周縁部分と対向する周縁領域では、濃度拡散により溶媒蒸気は水平方向に流出することができる。そのため、塗布膜90の周縁部分は中央部分に比べて蒸発しやすくなる。つまり、塗布膜90に乾燥ムラが生じ得る。 In the first decompression process, the gap between the substrate 9 and the lower surface 13a is narrow, so the solvent vapor from the coating film 90 immediately collides with the lower surface 13a of the top plate portion 13. For this reason, the solvent vapor is likely to remain in the central region of the upper space 10s1 that faces the central portion of the coating film 90. On the other hand, in the peripheral region of the upper space 10s1 that faces the peripheral portion of the coating film 90, the solvent vapor can flow out horizontally due to concentration diffusion. For this reason, the peripheral portion of the coating film 90 is more likely to evaporate than the central portion. In other words, uneven drying of the coating film 90 may occur.

図12は、比較構造における上部空間10s1内の溶媒蒸気の濃度分布の一例を示す図である。図12(a)は、上面視における溶媒蒸気の濃度分布を示し、図12(b)は、側面視における溶媒蒸気の濃度分布を示している。図12(a)では、溶媒蒸気の濃度分布を等高線T1から等高線T10で示している。等高線T1から等高線T10は、その符号の数字が小さいほど高い濃度を示している。つまり、等高線T1が等高線T1から等高線T10の間で最も高い濃度を示している。図12(b)では、溶媒蒸気の濃度分布を等高線T11から等高線T21で示している。等高線T11から等高線T21は、その符号の数字が小さいほど高い濃度を示している。つまり、等高線T11が等高線T11から等高線T21の間で最も高い濃度を示している。 Figure 12 is a diagram showing an example of the concentration distribution of solvent vapor in the upper space 10s1 in the comparative structure. Figure 12(a) shows the concentration distribution of solvent vapor in a top view, and Figure 12(b) shows the concentration distribution of solvent vapor in a side view. In Figure 12(a), the concentration distribution of solvent vapor is shown by contour lines T1 to T10. The smaller the number of the symbol of the contour lines T1 to T10, the higher the concentration. In other words, the contour line T1 shows the highest concentration between the contour lines T1 to T10. In Figure 12(b), the concentration distribution of solvent vapor is shown by contour lines T11 to T21. The smaller the number of the symbol of the contour lines T11 to T21, the higher the concentration. In other words, the contour line T11 shows the highest concentration between the contour lines T11 to T21.

図12(a)から理解できるように、比較構造では、塗布膜90の周囲から外側に溶媒蒸気が流れている。また、図12(b)に示されているように、上部空間10s1のうちの塗布膜90の周縁部分と対面する周縁領域10rでは、溶媒蒸気の濃度は塗布膜90の外側に向かうにつれて低下する。このため、塗布膜90の周縁部分は中央部分に比べてより蒸発しやすくなることが分かる。 As can be seen from FIG. 12(a), in the comparative structure, solvent vapor flows from the periphery of the coating film 90 to the outside. Also, as shown in FIG. 12(b), in the peripheral region 10r of the upper space 10s1 that faces the peripheral portion of the coating film 90, the concentration of solvent vapor decreases toward the outside of the coating film 90. For this reason, it can be seen that the peripheral portion of the coating film 90 is more likely to evaporate than the central portion.

図13は、冷却部40が冷却している状態での上部空間10s1内の溶媒蒸気の濃度分布の一例を示す図である。図13(a)は、上面視における溶媒蒸気の濃度分布を示し、図13(b)は、側面視における溶媒蒸気の濃度分布を示している。図13(a)から理解できるように、溶媒蒸気は塗布膜90の周囲から外側にはあまり流れ出ていない。これは、塗布膜90からの溶媒蒸気が冷却面40aにおいて冷却されて凝縮するからである。つまり、塗布膜90のうちの中央部分からの溶媒蒸気も周縁部分からの溶媒蒸気も、冷却面40aとの温度差に応じた上昇気流で上方に流れて、冷却面40aで凝縮するのである(図10も参照)。このように周縁部分からの溶媒蒸気も冷却面40aにおいて凝縮するので、溶媒蒸気の外側への流れはあまり生じない。また、塗布膜90からの溶媒蒸気は上部空間10s1においてあまり滞留しない。 Figure 13 is a diagram showing an example of the concentration distribution of the solvent vapor in the upper space 10s1 when the cooling unit 40 is cooling. Figure 13(a) shows the concentration distribution of the solvent vapor in a top view, and Figure 13(b) shows the concentration distribution of the solvent vapor in a side view. As can be seen from Figure 13(a), the solvent vapor does not flow outward from the periphery of the coating film 90 very much. This is because the solvent vapor from the coating film 90 is cooled and condensed on the cooling surface 40a. In other words, both the solvent vapor from the central part of the coating film 90 and the solvent vapor from the peripheral part flow upward with an ascending air current according to the temperature difference with the cooling surface 40a and condense on the cooling surface 40a (see also Figure 10). In this way, the solvent vapor from the peripheral part also condenses on the cooling surface 40a, so there is not much outward flow of the solvent vapor. In addition, the solvent vapor from the coating film 90 does not remain in the upper space 10s1 very much.

図13(b)に示されているように、周縁領域10rにおいても、溶媒蒸気の濃度は上下方向において塗布膜90から離れるに従って低下するものの、水平方向においてはほぼ均一である。 As shown in FIG. 13(b), even in the peripheral region 10r, the concentration of solvent vapor decreases with increasing distance from the coating film 90 in the vertical direction, but is almost uniform in the horizontal direction.

従って、塗布膜90の中央部分における蒸発量と周縁部分における蒸発量との差を低減させることができ、乾燥ムラの発生を抑制することができる。また、冷却面40aでの溶媒蒸気の凝縮により、上部空間10s1における溶媒蒸気の濃度を低下させるので、塗布膜90の蒸発を促進させることもできる。このため、減圧乾燥処理におけるスループットを向上させることもできる。 This reduces the difference between the amount of evaporation in the central portion and the amount of evaporation in the peripheral portion of the coating film 90, thereby suppressing the occurrence of uneven drying. In addition, the condensation of the solvent vapor on the cooling surface 40a reduces the concentration of the solvent vapor in the upper space 10s1, which can promote the evaporation of the coating film 90. This can also improve the throughput of the reduced pressure drying process.

次に、例えばチャンバ10内の圧力が第1目標圧力に達すると、減圧乾燥装置1は第2間隔調整処理を行う(ステップS5)。第2間隔調整処理は、基板9と冷却面40aとの間隔を第2間隔とする処理である。具体的には、制御部80は第1昇降部100を制御して、支持部20を下降位置H2に下降させる。支持部20が下降位置H2に位置する第2状態では、基板9は側面整流板51の上端よりも下方に位置している。 Next, for example, when the pressure inside the chamber 10 reaches the first target pressure, the reduced pressure drying apparatus 1 performs a second gap adjustment process (step S5). The second gap adjustment process is a process for adjusting the gap between the substrate 9 and the cooling surface 40a to a second gap. Specifically, the control unit 80 controls the first lifting unit 100 to lower the support unit 20 to the lowered position H2. In the second state in which the support unit 20 is located at the lowered position H2, the substrate 9 is located below the upper end of the side straightening plate 51.

次に、減圧乾燥装置1は第2減圧処理を行う(ステップS6:第2工程に相当)。第2減圧処理は、チャンバ10内の圧力を第1目標圧力よりも低い第2圧力(以下、第2目標圧力と呼ぶ)に低下させる処理である。具体的には、制御部80は減圧機構30にチャンバ10内の気体を第1吸引流量よりも大きい第2吸引流量で吸引させることにより、チャンバ10内の圧力を低下させる。例えば、制御部80が主バルブVeの開度を第1減圧処理時の開度よりも大きくしてもよい。チャンバ10内の圧力は、第1減圧処理時の低下速度よりも高い低下速度で第2目標圧力まで低下する。第2減圧処理では、減圧乾燥装置1はチャンバ10内の圧力を所定期間に亘って第2目標圧力で維持させてもよい。第2目標圧力は例えば10kPa未満かつ0.1Pa以上である。 Next, the reduced pressure drying apparatus 1 performs a second decompression process (corresponding to step S6: second process). The second decompression process is a process for lowering the pressure in the chamber 10 to a second pressure (hereinafter referred to as the second target pressure) lower than the first target pressure. Specifically, the control unit 80 reduces the pressure in the chamber 10 by having the decompression mechanism 30 suck the gas in the chamber 10 at a second suction flow rate higher than the first suction flow rate. For example, the control unit 80 may increase the opening of the main valve Ve to a value larger than that during the first decompression process. The pressure in the chamber 10 is reduced to the second target pressure at a rate higher than that during the first decompression process. In the second decompression process, the reduced pressure drying apparatus 1 may maintain the pressure in the chamber 10 at the second target pressure for a predetermined period of time. The second target pressure is, for example, less than 10 kPa and equal to or greater than 0.1 Pa.

ステップS6でも、例えば、制御部80が、複数の個別バルブVa,Vb,Vc,Vdのそれぞれの開閉状態を個別に適宜制御してもよい。これにより、基板9の乾燥ムラを抑制するように、チャンバ10内の気流を制御することができる。 In step S6, for example, the control unit 80 may individually and appropriately control the open/closed state of each of the multiple individual valves Va, Vb, Vc, and Vd. This allows the airflow in the chamber 10 to be controlled so as to suppress uneven drying of the substrate 9.

図14は、第2減圧処理におけるチャンバ10内の様子の一例を概略的に示す図である。図14に示されるように、支持部20が下降位置H2に位置する第2状態では、基板9と冷却面40aとの間隔は広い。言い換えれば、上部空間10s1の高さは大きい。このため、第1減圧処理とは異なって、塗布膜90からの溶媒蒸気は上方にも流れやすく、溶媒蒸気の滞留を招きにくい。上部空間10s1が大きいので、上部空間10s1内の圧力をより適切かつ速やかに第2目標圧力に低下させることができる。 Figure 14 is a schematic diagram showing an example of the state inside the chamber 10 during the second decompression process. As shown in Figure 14, in the second state in which the support part 20 is located at the lowered position H2, the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a is wide. In other words, the height of the upper space 10s1 is large. Therefore, unlike the first decompression process, the solvent vapor from the coating film 90 is likely to flow upward, and the solvent vapor is less likely to stagnate. Because the upper space 10s1 is large, the pressure inside the upper space 10s1 can be more appropriately and quickly reduced to the second target pressure.

また、第2状態では、支持部20によって支持された基板9は4つの側面整流板51によって包囲される。このため、側面整流板51による整流機能が基板9と冷却面40aとの間の上部空間10s1に作用する。つまり、基板9の周縁部への気流の集中を側面整流板51によって抑制することができる。従って、気流による塗布膜90の乾燥ムラの発生をさらに抑制することができる。 In addition, in the second state, the substrate 9 supported by the support portion 20 is surrounded by four side straightening plates 51. Therefore, the straightening function of the side straightening plates 51 acts on the upper space 10s1 between the substrate 9 and the cooling surface 40a. In other words, the side straightening plates 51 can suppress the concentration of airflow on the peripheral portion of the substrate 9. Therefore, the occurrence of uneven drying of the coating film 90 due to airflow can be further suppressed.

チャンバ10内の圧力が第2目標圧力に達すると、塗布膜90の溶媒が沸騰して塗布膜90の乾燥がより高い速度で進行する。減圧機構30はチャンバ10内の圧力が第2目標圧力で略一定となるようにチャンバ10内の気体を吸引してもよい。つまり、減圧機構30は所定期間に亘ってチャンバ10内の圧力を第2目標圧力に維持してもよい。本実施形態では、第2減圧処理において、冷却面40aに付着した溶媒91も蒸発する。言い換えれば、冷却面40aの目標温度は、チャンバ10内の圧力が第2目標圧力となる状態で、溶媒が蒸発する程度の温度に設定される。より具体的な一例として、冷却面40aの目標温度は、溶媒の蒸気圧曲線において圧力が第2目標圧力となるときの温度以上に設定される。 When the pressure in the chamber 10 reaches the second target pressure, the solvent in the coating film 90 boils and the coating film 90 dries at a higher speed. The decompression mechanism 30 may suck the gas in the chamber 10 so that the pressure in the chamber 10 is substantially constant at the second target pressure. That is, the decompression mechanism 30 may maintain the pressure in the chamber 10 at the second target pressure for a predetermined period of time. In this embodiment, the solvent 91 attached to the cooling surface 40a also evaporates in the second decompression process. In other words, the target temperature of the cooling surface 40a is set to a temperature at which the solvent evaporates when the pressure in the chamber 10 reaches the second target pressure. As a more specific example, the target temperature of the cooling surface 40a is set to a temperature at which the pressure reaches the second target pressure on the vapor pressure curve of the solvent.

塗布膜90および冷却面40aからの溶媒蒸気は、側面整流板51の上端側から、側面整流板51とチャンバ10の側壁部12との間の空間へ流入し、排気口16a,16b,16c,16dを通じて外部に排出される。図14では、これらの溶媒蒸気の流れを破線の矢印で模式的に示している。 The solvent vapor from the coating film 90 and the cooling surface 40a flows from the upper end side of the side straightening plate 51 into the space between the side straightening plate 51 and the side wall portion 12 of the chamber 10, and is exhausted to the outside through the exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d. In Figure 14, the flow of these solvent vapors is shown diagrammatically by dashed arrows.

塗布膜90の沸騰が終了すると、つまり、所定期間が経過すると、減圧機構30はチャンバ10内の圧力をさらに低下させてもよい。言い換えれば、減圧機構30はチャンバ10内の圧力を第2目標圧力よりも低い第3目標圧力まで低下させてもよい。これにより、塗布膜90および冷却面40aをより確実に乾燥させることができる。 When the boiling of the coating film 90 has finished, that is, after a predetermined period of time has elapsed, the pressure reduction mechanism 30 may further reduce the pressure in the chamber 10. In other words, the pressure reduction mechanism 30 may reduce the pressure in the chamber 10 to a third target pressure that is lower than the second target pressure. This allows the coating film 90 and the cooling surface 40a to be dried more reliably.

以上のように、第2減圧処理においては、第1昇降部100が支持部20を下降位置H2に下降させ、かつ、減圧機構30がチャンバ10内の圧力を第2目標圧力以下とする。これにより、減圧乾燥装置1は第2減圧処理において、基板9の上面上の塗布膜90のみならず冷却面40aをも乾燥させることができる。 As described above, in the second decompression process, the first lifting unit 100 lowers the support unit 20 to the lowered position H2, and the decompression mechanism 30 reduces the pressure in the chamber 10 to the second target pressure or less. This allows the decompression drying device 1 to dry not only the coating film 90 on the upper surface of the substrate 9, but also the cooling surface 40a in the second decompression process.

塗布膜90および冷却面40aの両方が十分に乾燥すると、制御部80は給気バルブVfを開放する。これにより、給気源62から給気配管61および給気口16fを通ってチャンバ10の内部空間10sへ気体が供給される(ステップS7)。これにより、チャンバ10内の圧力が、再び大気圧まで上昇する。 When both the coating film 90 and the cooling surface 40a are sufficiently dry, the control unit 80 opens the air supply valve Vf. This causes gas to be supplied from the air supply source 62 through the air supply pipe 61 and the air supply port 16f to the internal space 10s of the chamber 10 (step S7). This causes the pressure inside the chamber 10 to rise again to atmospheric pressure.

そして、例えば、最後に、基板9をチャンバ10内から搬出する(ステップS8)。ステップS8では、例えば、まず、ゲート部15が制御部80の制御下で搬入出口14を開放し、図示を省略した搬送ロボットが、支持部20に載置された乾燥済みの基板9を、チャンバ10の搬入出口14を介して、チャンバ10の外部へ搬出する。これにより、1枚の基板9に対する減圧乾燥処理が終了し得る。 Finally, for example, the substrate 9 is removed from the chamber 10 (step S8). In step S8, for example, the gate unit 15 first opens the loading/unloading port 14 under the control of the control unit 80, and a transport robot (not shown) removes the dried substrate 9 placed on the support unit 20 to the outside of the chamber 10 via the loading/unloading port 14 of the chamber 10. This may complete the reduced pressure drying process for one substrate 9.

図15は、図9の比較例であり、減圧乾燥装置1(図1)に代わって減圧乾燥装置1Zを用いる場合を示している。減圧乾燥装置1Zは、上述した本実施形態の冷却部40に代わって、冷却部40Zを有する。冷却部40Zは、冷却部40と異なり、冷却面40aをほぼ均一に冷却するように構成されている。その結果、液状の溶媒91が冷却面40aの全体に付着しやすく、よって冷却面40aの縁EDにも付着しやすい。特に、多くの基板9に対する処理が繰り返されると、液状の溶媒91が縁EDまで、あるいは縁EDを超えて広がりやすくなる。 Figure 15 is a comparative example of Figure 9, and shows a case where a reduced pressure drying apparatus 1Z is used instead of the reduced pressure drying apparatus 1 (Figure 1). The reduced pressure drying apparatus 1Z has a cooling section 40Z instead of the cooling section 40 of the above-mentioned embodiment. Unlike the cooling section 40, the cooling section 40Z is configured to cool the cooling surface 40a almost uniformly. As a result, the liquid solvent 91 tends to adhere to the entire cooling surface 40a, and therefore also to the edge ED of the cooling surface 40a. In particular, when the processing of many substrates 9 is repeated, the liquid solvent 91 tends to spread to or beyond the edge ED.

図16は、図14の比較例であり、上述した減圧乾燥装置1Zを用いる場合を示している。冷却面40aの縁EDでは、減圧中の気流が遅いので液状の溶媒91(図15)の乾燥が進みにくく、溶媒91が結露91Rとして残りやすい。特に、長方形状の縁EDの角部においてはそれが顕著となることがある。縁EDの近傍にOリングなどの入り組んだ構造部が設けられている場合、乾燥がより進みにくくなる。また、縁EDから結露91Rが側壁部12に沿って垂れる結果として、入り組んだ構造部に液状の溶媒が侵入することがあり、この場合も乾燥が進みにくくなる。結露91Rを乾燥させるためには乾燥時間を非常に長くする必要があり、その場合は、生産性が大きく低下してしまう。 Figure 16 is a comparative example of Figure 14, and shows the case where the above-mentioned reduced pressure drying device 1Z is used. At the edge ED of the cooling surface 40a, the air flow during decompression is slow, so the liquid solvent 91 (Figure 15) does not dry easily, and the solvent 91 is likely to remain as condensation 91R. This can be particularly noticeable at the corners of the rectangular edge ED. If an intricate structure such as an O-ring is provided near the edge ED, drying becomes even more difficult. In addition, as a result of the condensation 91R dripping from the edge ED along the side wall 12, the liquid solvent may penetrate into the intricate structure, which also makes it difficult to dry. In order to dry the condensation 91R, the drying time must be very long, which significantly reduces productivity.

これに対して本第1実施形態によれば、図9および図14を参照して、冷却部40の冷却面40aにおいて対向領域RCの温度よりも外側領域ROの温度が高くされることにより、対向領域RCにおいて求められる溶媒91の凝集は可能としつつも、外側領域ROにおける液状の溶媒91の蓄積が抑制される。本発明者の検討によれば外側領域ROに比して対向領域RCにおいては溶媒が速やかに気化しやすいので、外側領域ROにおける液状の溶媒91の蓄積さえ抑制されれば、液状の溶媒91の過度な蓄積を避けるための処理に長時間を費やす必要がなくなる。よって、生産性の低下を避けつつ、冷却部40の冷却面40aに液状の溶媒91が過度に蓄積されることに起因しての悪影響を避けることができる。 In contrast, according to the first embodiment, referring to FIG. 9 and FIG. 14, the temperature of the outer region RO is made higher than the temperature of the facing region RC on the cooling surface 40a of the cooling unit 40, so that the accumulation of liquid solvent 91 in the outer region RO is suppressed while allowing the desired condensation of the solvent 91 in the facing region RC. According to the inventor's study, the solvent is more likely to evaporate quickly in the facing region RC than in the outer region RO, so as long as the accumulation of liquid solvent 91 in the outer region RO is suppressed, there is no need to spend a long time on a process to prevent excessive accumulation of liquid solvent 91. Therefore, it is possible to avoid a decrease in productivity while avoiding adverse effects caused by excessive accumulation of liquid solvent 91 on the cooling surface 40a of the cooling unit 40.

特に本実施形態1においては、冷媒の経路46として4つの経路46a~46c(図6)が設けられる。これにより、長方形状、すなわち4つの角を有する形状、を有する基板9が均等に冷却されるように経路46を配置しやすい。4つの経路46a~46cの各々は、基板9の長方形状の各辺に沿って直線的に延びる部分を有していてよい。言い換えれば、4つの経路46a~46cの各々は、冷却面40aの長方形状の各辺に沿って直線的に延びる部分を有していてよい。言い換えれば、4つの経路46a~46cの各々は、冷却部材41の長方形状の各辺に沿って直線的に延びる部分を有していてよい。 In particular, in this embodiment 1, four paths 46a to 46c (FIG. 6) are provided as the coolant paths 46. This makes it easy to arrange the paths 46 so that the substrate 9, which has a rectangular shape, i.e., a shape with four corners, is evenly cooled. Each of the four paths 46a to 46c may have a portion that extends linearly along each side of the rectangular shape of the substrate 9. In other words, each of the four paths 46a to 46c may have a portion that extends linearly along each side of the rectangular shape of the cooling surface 40a. In other words, each of the four paths 46a to 46c may have a portion that extends linearly along each side of the rectangular shape of the cooling member 41.

また、制御部80は、基板9と冷却面40aとの間隔が第1間隔となる第1状態においてチャンバ10内の圧力を第1圧力とした後、基板9と冷却面40aとの間隔が第2間隔となる第2状態においてチャンバ10内の圧力を第2圧力とするように、第1昇降部100および減圧機構30を制御してよい。 The control unit 80 may control the first lifting unit 100 and the pressure reducing mechanism 30 so that the pressure in the chamber 10 is a first pressure in a first state in which the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a is a first distance, and then the pressure in the chamber 10 is a second pressure in a second state in which the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a is a second distance.

具体的には、まず第1減圧処理において、冷却部40が冷却面40aを冷却し、かつ、第1昇降部100が支持部20を上昇位置H1に上昇させた状態で、減圧機構30がチャンバ10内の圧力を第1目標圧力まで低下させてよい。第1減圧処理では、支持部20が上昇位置H1に位置しているので、基板9と冷却面40aとの間隔は狭い。このため、基板9と冷却面40aとの間の上部空間10s1内の圧力の急激な低下を抑制することができ、塗布膜90の突沸の発生を抑制することができる。 Specifically, first, in the first decompression process, the cooling unit 40 cools the cooling surface 40a, and the first lifting unit 100 raises the support unit 20 to the raised position H1, and the decompression mechanism 30 may reduce the pressure in the chamber 10 to the first target pressure. In the first decompression process, since the support unit 20 is located at the raised position H1, the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a is narrow. Therefore, a sudden decrease in pressure in the upper space 10s1 between the substrate 9 and the cooling surface 40a can be suppressed, and bumping of the coating film 90 can be suppressed.

また、第1減圧処理において、冷却部40が冷却面40aを冷却していてよい。より具体的には、冷却部40は、第1目標圧力下で溶媒蒸気が凝縮する程度の目標温度まで冷却面40aの温度を低下させてよい。このため、基板9上の塗布膜90からの溶媒蒸気が冷却面40aで凝縮する。従って、上部空間10s1(特に中央領域)における溶媒蒸気の滞留を抑制することができ、塗布膜90の乾燥ムラの発生を抑制することができる。 In addition, in the first decompression process, the cooling unit 40 may cool the cooling surface 40a. More specifically, the cooling unit 40 may lower the temperature of the cooling surface 40a to a target temperature at which the solvent vapor condenses under the first target pressure. As a result, the solvent vapor from the coating film 90 on the substrate 9 condenses on the cooling surface 40a. This makes it possible to suppress the retention of solvent vapor in the upper space 10s1 (particularly the central region), and to suppress the occurrence of uneven drying of the coating film 90.

一方、第1減圧処理の後の第2減圧処理においては、第1昇降部100が支持部20を下降位置H2に下降させた状態で、減圧機構30がチャンバ10内の圧力を第2目標圧力以下に低下させてよい。支持部20が下降位置H2に位置しているので、基板9と冷却面40aとの間隔は広い。これにより、チャンバ10内の圧力をより適切かつ速やかに低下させることができる。従って、塗布膜90をより適切かつ速やかに乾燥させることができる。なお、第2減圧処理では、基板9と冷却面40aとの間隔は広いので、溶媒蒸気の滞留は生じにくく、乾燥ムラの発生を招きにくい。 On the other hand, in the second decompression process after the first decompression process, the decompression mechanism 30 may reduce the pressure in the chamber 10 to the second target pressure or lower while the first lifting unit 100 has lowered the support unit 20 to the lowered position H2. Because the support unit 20 is in the lowered position H2, the gap between the substrate 9 and the cooling surface 40a is wide. This allows the pressure in the chamber 10 to be reduced more appropriately and quickly. Therefore, the coating film 90 can be dried more appropriately and quickly. In addition, because the gap between the substrate 9 and the cooling surface 40a is wide in the second decompression process, solvent vapor is less likely to remain and uneven drying is less likely to occur.

また、第2減圧処理において、冷却面40aの温度は、第2目標圧力下で溶媒が蒸発する程度の温度であってよい。このため、第2減圧処理において、基板9上の塗布膜90のみならず冷却面40aをも乾燥させることができる。従って、次の基板9に対する処理を行う前に、冷却面40aの乾燥処理を別途に行う必要がなく、次の基板9に対する処理を速やかに行うことができる。これによれば、複数の基板9に対する処理のスループットを向上させることができる。 In addition, in the second decompression process, the temperature of the cooling surface 40a may be a temperature at which the solvent evaporates under the second target pressure. Therefore, in the second decompression process, not only the coating film 90 on the substrate 9 but also the cooling surface 40a can be dried. Therefore, there is no need to separately dry the cooling surface 40a before processing the next substrate 9, and the next substrate 9 can be processed quickly. This can improve the throughput of processing multiple substrates 9.

また、第1実施形態では、チャンバ10の天井面が冷却面40aに相当してよい。このため、冷却部40をチャンバ10の上面に外付けすれば、既設のチャンバ10をそのまま流用することができる。 In the first embodiment, the ceiling surface of the chamber 10 may correspond to the cooling surface 40a. Therefore, if the cooling unit 40 is attached externally to the upper surface of the chamber 10, the existing chamber 10 can be used as is.

また、第1実施形態では、冷却部材41が天板部13を冷却することで、天板部13の下面である冷却面40aを冷却していてよい。上面視における冷却部材41内の温度分布は、経路46の延在形状に応じてややばらつき得るものの、天板部13内の熱伝達により、温度分布のばらつきは冷却面40aに向かうにつれて緩和される。つまり、天板部13の冷却面40aにおける温度分布をより均一化することができる。このため、基板9の第1面F1上の塗布膜90からの溶媒蒸気を、より均一に冷却面40aにおいて凝縮させることができる。従って、上部空間10s1における溶媒蒸気の濃度分布の均一性を高めることができる。これにより、乾燥ムラの発生をさらに抑制することができる。 In the first embodiment, the cooling member 41 may cool the top plate 13, thereby cooling the cooling surface 40a, which is the lower surface of the top plate 13. Although the temperature distribution in the cooling member 41 when viewed from above may vary slightly depending on the extension shape of the path 46, the variation in temperature distribution is mitigated toward the cooling surface 40a due to heat transfer in the top plate 13. In other words, the temperature distribution on the cooling surface 40a of the top plate 13 can be made more uniform. Therefore, the solvent vapor from the coating film 90 on the first surface F1 of the substrate 9 can be more uniformly condensed on the cooling surface 40a. Therefore, the uniformity of the concentration distribution of the solvent vapor in the upper space 10s1 can be increased. This can further suppress the occurrence of uneven drying.

また、第1実施形態では、基板9と冷却面40aとの間隔調整に、支持部20を昇降させる第1昇降部100を用いていてよい。このため、既設の第1昇降部100をそのまま流用することができる。 In addition, in the first embodiment, the first lifting unit 100 that raises and lowers the support unit 20 may be used to adjust the gap between the substrate 9 and the cooling surface 40a. Therefore, the existing first lifting unit 100 can be used as is.

<2.第2実施形態>
図17および図18のそれぞれは、第2実施形態に係る減圧乾燥装置1Hの縦断面および上面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置1Hの冷却部40は、平面視(図18)で外側領域ROに位置するヒータ49Hを有している。これにより、対向領域RCの温度よりも外側領域ROの温度を、より確実に高くすることができる。ヒータ49Hは、図17に示す例においては、チャンバ10の天板部13上に冷却部材41から離して配置される。なお減圧乾燥装置1Hのこれ以外の構成については、前述した減圧乾燥装置1の構成と同様であるため、その説明を省略する。
<2. Second embodiment>
17 and 18 are schematic diagrams showing an example of a vertical cross section and a top surface of a reduced pressure drying apparatus 1H according to the second embodiment. The cooling section 40 of the reduced pressure drying apparatus 1H has a heater 49H located in the outer region RO in a plan view (FIG. 18). This makes it possible to more reliably make the temperature of the outer region RO higher than the temperature of the facing region RC. In the example shown in FIG. 17, the heater 49H is disposed on the top plate 13 of the chamber 10 away from the cooling member 41. Other configurations of the reduced pressure drying apparatus 1H are the same as those of the reduced pressure drying apparatus 1 described above, and therefore will not be described.

<3.第3実施形態>
図19および図20のそれぞれは、第3実施形態に係る減圧乾燥装置1Nの縦断面および上面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置1Nの冷却部40は、平面視(図20)で外側領域ROに位置する断熱部材49Nを有している。断熱部材49Nは経路46と冷却面40aとを隔てるように位置している。断熱部材49Nは、冷却面40aをなす部材(本実施形態においては天板部13)に比して、低い熱伝導率を有する。これにより、対向領域RCの温度よりも外側領域ROの温度を、より確実に高くすることができる。断熱部材49Nは、図19に示す例においては、チャンバ10の天板部13に設けられた溝(図19参照)内に配置されており、また、平面視で冷却部材41の縁の内側と外側とに跨るように配置されている。
<3. Third embodiment>
19 and 20 are schematic diagrams showing an example of a vertical section and a top surface of a reduced pressure drying apparatus 1N according to the third embodiment. The cooling section 40 of the reduced pressure drying apparatus 1N has a heat insulating member 49N located in the outer region RO in a plan view (FIG. 20). The heat insulating member 49N is located so as to separate the path 46 from the cooling surface 40a. The heat insulating member 49N has a lower thermal conductivity than the member forming the cooling surface 40a (top plate portion 13 in this embodiment). This makes it possible to more reliably make the temperature of the outer region RO higher than the temperature of the facing region RC. In the example shown in FIG. 19, the heat insulating member 49N is disposed in a groove (see FIG. 19) provided in the top plate portion 13 of the chamber 10, and is disposed so as to straddle the inside and outside of the edge of the cooling member 41 in a plan view.

減圧乾燥装置1Nのこれ以外の構成については、前述した減圧乾燥装置1(第1実施形態)の構成と同様であるため、その説明を省略する。なお本実施形態に対して第2実施形態のヒータ49Hが適用されてもよい。 Other than this, the configuration of the reduced pressure drying device 1N is the same as that of the reduced pressure drying device 1 (first embodiment) described above, so a description thereof will be omitted. Note that the heater 49H of the second embodiment may be applied to this embodiment.

<4.第4実施形態>
図21は、第4実施形態に係る減圧乾燥装置1Tの上面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置1Tは、減圧乾燥装置1(図6)から経路46b,46c、入口47b,47c、出口48b,48cが省略された構成を有している。図21に示す例においては、平面視で、入口47bと入口47cとは冷却面40aの長方形状の共通の対角線上に配置されている。また、平面視で、出口48bと出口48cとは冷却面40aの長方形状の共通の対角線上に配置されている。さらに、平面視で、入口47bと入口47cと出口48bと出口48cとは冷却面40aの長方形状の共通の対角線上に配置されている。
<4. Fourth embodiment>
FIG. 21 is a diagram showing an example of the upper surface of the reduced pressure drying apparatus 1T according to the fourth embodiment. The reduced pressure drying apparatus 1T has a configuration in which the paths 46b, 46c, the inlets 47b, 47c, and the outlets 48b, 48c are omitted from the reduced pressure drying apparatus 1 (FIG. 6). In the example shown in FIG. 21, in a plan view, the inlet 47b and the inlet 47c are arranged on a common diagonal line of the rectangular shape of the cooling surface 40a. In addition, in a plan view, the outlet 48b and the outlet 48c are arranged on a common diagonal line of the rectangular shape of the cooling surface 40a. Furthermore, in a plan view, the inlet 47b, the inlet 47c, the outlet 48b, and the outlet 48c are arranged on a common diagonal line of the rectangular shape of the cooling surface 40a.

<5.第5実施形態>
図22は、第5実施形態に係る減圧乾燥装置1Aの縦断面の一例を概略的に示す図である。なお図22においては図示が省略されているが減圧乾燥装置1Aも、減圧乾燥装置1(図1)と同様に、冷媒供給配管42と、冷媒回収配管43と、冷媒冷却源44と、経路46とを含む。減圧乾燥装置1Aは第2昇降部45を除いて、減圧乾燥装置1と同様の構成を有している。第2昇降部45は、冷却部40の冷却部材41を冷却位置H3と離間位置H4との間で昇降させる。冷却位置H3は、冷却部材41の下面がチャンバ10の天板部13の上面に接する位置であり、離間位置H4は、冷却部材41が天板部13から離れた位置である。図22の例では、離間位置H4に位置する冷却部材41が仮想線で模式的に示されている。第2昇降部45には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。
<5. Fifth embodiment>
FIG. 22 is a diagram showing an example of a vertical cross section of the reduced pressure drying apparatus 1A according to the fifth embodiment. Although not shown in FIG. 22, the reduced pressure drying apparatus 1A also includes a refrigerant supply pipe 42, a refrigerant recovery pipe 43, a refrigerant cooling source 44, and a path 46, similar to the reduced pressure drying apparatus 1 (FIG. 1). The reduced pressure drying apparatus 1A has a similar configuration to the reduced pressure drying apparatus 1, except for the second lifting section 45. The second lifting section 45 lifts and lowers the cooling member 41 of the cooling section 40 between the cooling position H3 and the separated position H4. The cooling position H3 is a position where the lower surface of the cooling member 41 contacts the upper surface of the top plate section 13 of the chamber 10, and the separated position H4 is a position where the cooling member 41 is separated from the top plate section 13. In the example of FIG. 22, the cooling member 41 located at the separated position H4 is shown in a virtual line. A driving device such as a linear motor or an air cylinder is applied to the second lifting section 45.

図23は、第5実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。ここでは、例えば、図23のステップS11からステップS19の処理がこの記載の順に行われる。冷却部材41は初期的には、冷却位置H3に位置している。 Figure 23 is a flow chart showing an example of the flow of the reduced pressure drying process according to the fifth embodiment. Here, for example, the processes from step S11 to step S19 in Figure 23 are performed in the order shown. The cooling member 41 is initially located at the cooling position H3.

減圧乾燥装置1AはまずステップS11からステップS15をこの順で行う。ステップS11からステップS15はそれぞれステップS1からステップS5と同様である。ただし、冷却部40による冷却面40aへの冷却動作は、実質的にはステップS15で終了し得る。 The reduced pressure drying apparatus 1A first performs steps S11 to S15 in this order. Steps S11 to S15 are the same as steps S1 to S5, respectively. However, the cooling operation of the cooling surface 40a by the cooling unit 40 may essentially end at step S15.

ステップS15の次に、減圧乾燥装置1Aは冷却部離間処理を行う(ステップS16)。冷却部離間処理は、冷却部40を離間位置H4へ移動させる処理である。具体的には、制御部80は第2昇降部45を制御して、冷却部材41を冷却位置H3から離間位置H4へ上昇させる。冷却部材41が離間位置H4へ上昇することにより、冷却面40aに対する冷却動作は実質的に中断され得る。 After step S15, the reduced pressure drying apparatus 1A performs a cooling unit separation process (step S16). The cooling unit separation process is a process for moving the cooling unit 40 to the separation position H4. Specifically, the control unit 80 controls the second lifting unit 45 to raise the cooling member 41 from the cooling position H3 to the separation position H4. By raising the cooling member 41 to the separation position H4, the cooling operation on the cooling surface 40a can be substantially interrupted.

次に、減圧乾燥装置1AはステップS17からステップS19を行う。ステップS17からステップS19はそれぞれステップS6からステップS8と同様である。 Next, the reduced pressure drying apparatus 1A performs steps S17 to S19. Steps S17 to S19 are the same as steps S6 to S8, respectively.

以上のように、第5実施形態によれば、第1減圧処理(ステップS14)において、冷却部材41は冷却位置H3に下降しており、天板部13の下面である冷却面40aを冷却する。このため、減圧乾燥装置1Aは第1減圧処理において溶媒蒸気をより確実に冷却面40aで凝縮させることができる。しかも、第5実施形態によれば、第2減圧処理(ステップS17)において、冷却部材41は離間位置H4に上昇している。このため、第2減圧処理において、冷却面40aに対する冷却動作は実質的に中断され得る。冷却部材41が冷却面40aから遠ざかることにより、冷却面40aの温度は時間の経過とともに上昇するので、冷却面40aに付着した溶媒91の蒸発を促進させることができる。従って、減圧乾燥装置1Aは第2減圧処理において冷却面40aをより確実に乾燥させることができる。 As described above, according to the fifth embodiment, in the first decompression process (step S14), the cooling member 41 descends to the cooling position H3 and cools the cooling surface 40a, which is the lower surface of the top plate portion 13. Therefore, the reduced pressure drying apparatus 1A can more reliably condense the solvent vapor on the cooling surface 40a in the first decompression process. Moreover, according to the fifth embodiment, in the second decompression process (step S17), the cooling member 41 ascends to the separated position H4. Therefore, in the second decompression process, the cooling operation on the cooling surface 40a can be substantially interrupted. As the cooling member 41 moves away from the cooling surface 40a, the temperature of the cooling surface 40a increases over time, and the evaporation of the solvent 91 attached to the cooling surface 40a can be promoted. Therefore, the reduced pressure drying apparatus 1A can more reliably dry the cooling surface 40a in the second decompression process.

<6.第6実施形態>
図24は、第6実施形態に係る減圧乾燥装置1Bの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置1Bは、冷却部40の内部構成を除いて減圧乾燥装置1(図1)と同様の構成を有している。
<6. Sixth embodiment>
24 is a diagram illustrating an example of a vertical cross section of a reduced pressure drying apparatus 1B according to a sixth embodiment. The reduced pressure drying apparatus 1B has a similar configuration to the reduced pressure drying apparatus 1 (FIG. 1) except for the internal configuration of the cooling section 40.

図24に示されるように、減圧乾燥装置1Bの冷却部40の一部は、チャンバ10の天板部13に埋設されている。ここでは、天板部13が冷却部材41として機能する。天板部13は熱伝導率の高い材料(例えば金属)によって形成されてもよい。図24の例では、天板部13の内部には、冷却部40の一部である経路46が形成されている。図24の例では、経路46の入口47(図6も参照)および出口48(図6も参照)は天板部13の上面に形成されている。入口47は冷媒供給配管42の下流端に接続され、出口48は冷媒回収配管43の上流端に接続される。 24, a part of the cooling section 40 of the reduced pressure drying apparatus 1B is embedded in the top plate 13 of the chamber 10. Here, the top plate 13 functions as the cooling member 41. The top plate 13 may be made of a material with high thermal conductivity (e.g., metal). In the example of FIG. 24, a passage 46, which is part of the cooling section 40, is formed inside the top plate 13. In the example of FIG. 24, an inlet 47 (see also FIG. 6) and an outlet 48 (see also FIG. 6) of the passage 46 are formed on the upper surface of the top plate 13. The inlet 47 is connected to the downstream end of the refrigerant supply pipe 42, and the outlet 48 is connected to the upstream end of the refrigerant recovery pipe 43.

冷媒冷却源44が冷媒を冷却しつつ循環させることにより、チャンバ10の天板部13を冷却することができる。つまり、天板部13の下面である冷却面40aが冷却される。 The refrigerant cooling source 44 cools and circulates the refrigerant, thereby cooling the top plate 13 of the chamber 10. In other words, the cooling surface 40a, which is the underside of the top plate 13, is cooled.

減圧乾燥装置1Bを用いた減圧乾燥処理の流れの一例は第1実施形態における減圧乾燥処理と同様である。 An example of the procedure for the reduced pressure drying process using the reduced pressure drying device 1B is similar to the reduced pressure drying process in the first embodiment.

本第6実施形態によれば、天板部13が冷却部材41として機能する。従って、減圧乾燥装置1Bの部品点数を低減させることができ、減圧乾燥装置1Bのサイズおよび製造コストを低減させることができる。また、経路46と冷却面40aとの間隔を低減させることができるので、冷却部40はより高い効率で冷却面40aを冷却することができる。 According to the sixth embodiment, the top plate 13 functions as the cooling member 41. This allows the number of parts in the reduced pressure drying device 1B to be reduced, and the size and manufacturing costs of the reduced pressure drying device 1B to be reduced. In addition, the distance between the path 46 and the cooling surface 40a can be reduced, allowing the cooling section 40 to cool the cooling surface 40a with higher efficiency.

<7.第7実施形態>
図25は、第7実施形態に係る減圧乾燥装置1Cの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置1Cは、冷却部40の内部構成を除いて減圧乾燥装置1と同様の構成を有している。
<7. Seventh embodiment>
25 is a diagram illustrating an example of a vertical cross section of a reduced pressure drying apparatus 1C according to a seventh embodiment. The reduced pressure drying apparatus 1C has a similar configuration to the reduced pressure drying apparatus 1 except for the internal configuration of the cooling section 40.

図25に示されるように、減圧乾燥装置1Cの冷却部40の一部は、チャンバ10の内部空間10sに位置している。具体的には、冷却部材41がチャンバ10の内部空間10sに位置している。冷却部材41は、チャンバ10内において、支持部20によって支持された基板9の上面と対面する位置に設けられている。つまり、冷却部材41は支持部20によって支持された基板9よりも上方に設けられている。冷却部材41は、チャンバ10内において、その厚み方向が上下方向に沿う姿勢で設けられる。冷却部材41は不図示の固定部を通じてチャンバ10に固定される。冷却部材41は例えばネジ等の固定部によってチャンバ10の天板部13に固定されていてもよい。第7実施形態では、冷却部材41の下面が冷却面40aに相当する。 25, a part of the cooling section 40 of the reduced pressure drying apparatus 1C is located in the internal space 10s of the chamber 10. Specifically, the cooling member 41 is located in the internal space 10s of the chamber 10. The cooling member 41 is provided in the chamber 10 at a position facing the upper surface of the substrate 9 supported by the support portion 20. In other words, the cooling member 41 is provided above the substrate 9 supported by the support portion 20. The cooling member 41 is provided in the chamber 10 with its thickness direction aligned in the vertical direction. The cooling member 41 is fixed to the chamber 10 through a fixing portion (not shown). The cooling member 41 may be fixed to the top plate portion 13 of the chamber 10 by a fixing portion such as a screw. In the seventh embodiment, the lower surface of the cooling member 41 corresponds to the cooling surface 40a.

図25の例では、冷媒供給配管42および冷媒回収配管43は天板部13を貫通しており、冷媒冷却源44はチャンバ10の外部に設けられている。冷媒冷却源44が冷媒を冷却しつつ冷媒を循環させることにより、冷却部材41が冷却される。つまり、冷却部材41の冷却面40aが冷却される。 In the example of FIG. 25, the refrigerant supply pipe 42 and the refrigerant recovery pipe 43 pass through the top plate 13, and the refrigerant cooling source 44 is provided outside the chamber 10. The refrigerant cooling source 44 cools the refrigerant while circulating the refrigerant, thereby cooling the cooling member 41. In other words, the cooling surface 40a of the cooling member 41 is cooled.

図25の例では、冷却部材41は平面視において基板9よりも大きなサイズを有する。冷却部材41の冷却面40aは平面視において基板9と同様の長方形状を有してもよい。この場合、冷却面40aの長辺は基板9の長辺よりも長く、冷却面40aの短辺は基板9の短辺よりも長い。これによれば、冷却面40aは上下方向において基板9の上面の全面と対面することができる。また、冷却面40aは平面視において正方形状を有していてもよい。この場合、冷却面40aの1辺は基板9の短辺よりも長くてもよい。これによれば、支持部20上に配置される基板9の向きにかかわらず、平面視において、冷却面40aは基板9よりも大きい。このため、基板9の向きにかかわらず、冷却面40aは、基板9の上面の全面と対向することができる。 25, the cooling member 41 has a size larger than the substrate 9 in a plan view. The cooling surface 40a of the cooling member 41 may have a rectangular shape similar to that of the substrate 9 in a plan view. In this case, the long side of the cooling surface 40a is longer than the long side of the substrate 9, and the short side of the cooling surface 40a is longer than the short side of the substrate 9. This allows the cooling surface 40a to face the entire upper surface of the substrate 9 in the vertical direction. The cooling surface 40a may also have a square shape in a plan view. In this case, one side of the cooling surface 40a may be longer than the short side of the substrate 9. This allows the cooling surface 40a to face the entire upper surface of the substrate 9 in the vertical direction.

減圧乾燥装置1Cを用いた減圧乾燥処理の流れの一例は第1実施形態における減圧乾燥処理と同様である。 An example of the procedure for the reduced pressure drying process using the reduced pressure drying device 1C is similar to the reduced pressure drying process in the first embodiment.

本第7実施形態によれば、冷却面40aは、チャンバ10とは別体の冷却部材41の下面である。このため、冷却面40aを有する冷却部材41の材料をチャンバ10への仕様要求とは別に選定することができる。つまり、冷却部材41の材料の選択性を向上させることができる。また、冷却面40aは冷却部材41の下面であるので、冷却部40の低温部分(ここでは経路46)と冷却面40aとの間隔を狭くすることができる。このため、冷却部40はより高い効率で冷却面40aを冷却することができる。 According to the seventh embodiment, the cooling surface 40a is the underside of a cooling member 41 that is separate from the chamber 10. Therefore, the material of the cooling member 41 having the cooling surface 40a can be selected separately from the specification requirements for the chamber 10. In other words, the selectivity of the material of the cooling member 41 can be improved. In addition, since the cooling surface 40a is the underside of the cooling member 41, the distance between the low-temperature portion of the cooling unit 40 (path 46 in this case) and the cooling surface 40a can be narrowed. Therefore, the cooling unit 40 can cool the cooling surface 40a with higher efficiency.

<8.第8実施形態>
図26は、第8実施形態に係る減圧乾燥装置1Dの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置1Dは、第1昇降部100の昇降対象を除いて減圧乾燥装置1Cと同様の構成を有している。図26に示されるように、第1昇降部100は冷却部40を昇降させる。具体的には、第1昇降部100は冷却部40の冷却部材41を上昇位置H11と下降位置H12との間で昇降させる。下降位置H12は、基板9と冷却面40aとの間隔が第1間隔となるときの冷却部材41の位置である。図26では、下降位置H12に位置する冷却部材41を仮想線で示している。上昇位置H11は、基板9と冷却面40aとの間隔が第2間隔となるときの冷却部材41の位置である。つまり、第1昇降部100は、基板9と冷却面40aとの間隔が第1間隔となる第1状態と、基板9と冷却面40aとの間隔が第2間隔となる第2状態との間で、冷却部材41を昇降させる。
<8. Eighth embodiment>
FIG. 26 is a diagram showing an example of a vertical cross section of a reduced pressure drying apparatus 1D according to the eighth embodiment. The reduced pressure drying apparatus 1D has a similar configuration to the reduced pressure drying apparatus 1C, except for the object to be raised and lowered by the first lifting section 100. As shown in FIG. 26, the first lifting section 100 lifts and lowers the cooling section 40. Specifically, the first lifting section 100 lifts and lowers the cooling member 41 of the cooling section 40 between the raised position H11 and the lowered position H12. The lowered position H12 is the position of the cooling member 41 when the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a becomes the first distance. In FIG. 26, the cooling member 41 located at the lowered position H12 is shown by a virtual line. The raised position H11 is the position of the cooling member 41 when the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a becomes the second distance. In other words, the first lifting section 100 raises and lowers the cooling member 41 between a first state in which the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a is a first distance, and a second state in which the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a is a second distance.

図26に示されるように、支持部20は、第1実施形態から第7実施形態でいう下降位置H2に位置している。つまり、支持部20によって支持された基板9は側面整流板51の上端よりも低い位置にあり、4つの側面整流板51によって包囲されている。第8実施形態では、基板9と冷却面40aとの間隔が第1間隔となる第1状態、および、基板9と冷却面40aとの間隔が第2間隔となる第2状態の両方において、基板9は4つの側面整流板51によって包囲される。 As shown in FIG. 26, the support portion 20 is located at the lowered position H2 referred to in the first to seventh embodiments. In other words, the substrate 9 supported by the support portion 20 is located lower than the upper end of the side surface straightening plates 51 and is surrounded by the four side surface straightening plates 51. In the eighth embodiment, the substrate 9 is surrounded by the four side surface straightening plates 51 in both the first state in which the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a is the first distance, and the second state in which the distance between the substrate 9 and the cooling surface 40a is the second distance.

下降位置H12は、冷却部材41の冷却面40aが側面整流板51の上端よりも下方となる位置であってもよい。つまり、冷却部材41は、平面視において、4つの側面整流板51によって囲まれた空間よりも小さいサイズを有する。 The lowered position H12 may be a position where the cooling surface 40a of the cooling member 41 is lower than the upper end of the side air straightening plate 51. In other words, the cooling member 41 has a size smaller than the space surrounded by the four side air straightening plates 51 in a plan view.

上昇位置H11は、冷却部材41の冷却面40aが側面整流板51の上端よりも上方となる位置である。冷却部材41が上昇位置H11に位置する状態で、冷却面40aと側面整流板51の上端との間隔は、例えば、第1間隔の2倍以上であってもよく、5倍以上であってもよい。これによれば、基板9の直上の気体が側面整流板51の上端側から側面整流板51とチャンバ10の側壁部12との間の空間に流入しやすい。 The raised position H11 is a position where the cooling surface 40a of the cooling member 41 is above the upper end of the side straightening plate 51. When the cooling member 41 is in the raised position H11, the distance between the cooling surface 40a and the upper end of the side straightening plate 51 may be, for example, at least twice the first distance, or may be at least five times the first distance. This makes it easier for gas directly above the substrate 9 to flow from the upper end side of the side straightening plate 51 into the space between the side straightening plate 51 and the side wall portion 12 of the chamber 10.

第1昇降部100には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。第1昇降部100の本体部100aは、例えば、チャンバ10の外部において、図示を省略した装置フレームに固定される。第1昇降部100の移動部100bは、例えば、本体部100aに対して、上下方向に移動することができる。移動部100bには、例えば、棒状の部材等が適用される。移動部100bは、例えば、チャンバ10の天板部13の貫通孔13hに挿通された状態で位置している。そして、例えば、移動部100bの下端部に、冷却部材41が固定されている。ここでは、例えば、天板部13の上面と移動部100bとの間にベローズ等が設けられれば、天板部13と移動部100bとの隙間が密閉され得る。 A driving device such as a linear motor or an air cylinder is applied to the first lifting part 100. The main body part 100a of the first lifting part 100 is fixed to an apparatus frame (not shown) outside the chamber 10. The moving part 100b of the first lifting part 100 can move, for example, in the vertical direction relative to the main body part 100a. For example, a rod-shaped member or the like is applied to the moving part 100b. The moving part 100b is positioned, for example, in a state where it is inserted into the through hole 13h of the top plate part 13 of the chamber 10. And, for example, a cooling member 41 is fixed to the lower end part of the moving part 100b. Here, for example, if a bellows or the like is provided between the upper surface of the top plate part 13 and the moving part 100b, the gap between the top plate part 13 and the moving part 100b can be sealed.

減圧乾燥装置1Dを用いた減圧乾燥処理の流れの一例は第1実施形態における減圧乾燥処理と同様である。ただし、第1間隔調整処理(ステップS3)では、第1昇降部100は、基板9と冷却面40aとの間隔が第1間隔となるように、冷却部材41を下降位置H12に下降させる。また、第2間隔調整処理(ステップS5)では、第1昇降部100は、基板9と冷却面40aとの間隔が第2間隔となるように、冷却部材41を上昇位置H11に上昇させる。 An example of the flow of the reduced pressure drying process using the reduced pressure drying device 1D is similar to the reduced pressure drying process in the first embodiment. However, in the first gap adjustment process (step S3), the first lifting unit 100 lowers the cooling member 41 to the lowered position H12 so that the gap between the substrate 9 and the cooling surface 40a becomes the first gap. In addition, in the second gap adjustment process (step S5), the first lifting unit 100 raises the cooling member 41 to the raised position H11 so that the gap between the substrate 9 and the cooling surface 40a becomes the second gap.

本第8実施形態によれば、冷却部材41がチャンバ10とは別体である。このため、第7実施形態と同様に、冷却部材41の材料の選択性を向上させることができる。また、冷却面40aは冷却部材41の下面であるので、第7実施形態と同様に、冷却部40はより高い効率で冷却面40aを冷却することができる。 According to the eighth embodiment, the cooling member 41 is separate from the chamber 10. Therefore, similar to the seventh embodiment, the selectivity of the material of the cooling member 41 can be improved. Also, since the cooling surface 40a is the lower surface of the cooling member 41, similar to the seventh embodiment, the cooling unit 40 can cool the cooling surface 40a with higher efficiency.

また、第8実施形態では、基板9と冷却面40aとの間隔がより狭い第1間隔となる第1状態においても、支持部20によって支持された基板9は4つの側面整流板51によって包囲される。このため、第1減圧処理(ステップS4)においても、4つの側面整流板51による整流機能が、基板9と冷却面40aとの間の上部空間10s1にも作用する。従って、乾燥ムラの発生をさらに抑制することができる。 In the eighth embodiment, even in the first state in which the gap between the substrate 9 and the cooling surface 40a is the narrower first gap, the substrate 9 supported by the support portion 20 is surrounded by the four side straightening plates 51. Therefore, even in the first decompression process (step S4), the straightening function of the four side straightening plates 51 also acts on the upper space 10s1 between the substrate 9 and the cooling surface 40a. This makes it possible to further suppress the occurrence of uneven drying.

<9.変形例>
本開示は、上述の諸実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。
9. Modifications
The present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and improvements can be made without departing from the gist of the present disclosure.

冷却面40aを冷却するために、上記各実施形態では冷却部40が冷媒を用いるが、冷却部は、対向領域RCの温度よりも外側領域ROの温度が高くなるように構成されている限り、冷却部の冷却原理は限定されない。例えば、冷媒を利用するための構成に代わって、ペルチェ素子を利用する構成が適用されてよい。その場合、平面視においてペルチェ素子が取り付けられる位置の最適化と、複数のペルチェ素子の温度制御の最適化と、の少なくともいずれかによって、対向領域RCの温度よりも外側領域ROの温度が高くなるように冷却部を構成することができる。ペルチェ素子の取付方法は特に限定されないが、例えば、天板部13に埋設されてよい。 In the above embodiments, the cooling unit 40 uses a refrigerant to cool the cooling surface 40a, but the cooling principle of the cooling unit is not limited as long as the cooling unit is configured so that the temperature of the outer region RO is higher than the temperature of the facing region RC. For example, instead of a configuration using a refrigerant, a configuration using a Peltier element may be applied. In that case, the cooling unit can be configured so that the temperature of the outer region RO is higher than the temperature of the facing region RC by at least one of optimizing the position where the Peltier element is attached in a plan view and optimizing the temperature control of the multiple Peltier elements. The method of attaching the Peltier element is not particularly limited, but for example, it may be embedded in the top plate portion 13.

上記各実施形態では、第1昇降部100は支持部20または冷却部40を昇降させているものの、支持部20および冷却部40の両方を昇降させてもよい。要するに、第1昇降部100は、支持部20によって支持された基板9と冷却面40aとの間隔が第1間隔となる第1状態と、支持部20によって支持された基板9と冷却面40aとの間隔が第1間隔よりも広い第2間隔となる第2状態との間で、支持部20および冷却面40aの少なくともいずれか一方を昇降させればよい。 In each of the above embodiments, the first lifting unit 100 lifts and lowers the support unit 20 or the cooling unit 40, but it may lift and lower both the support unit 20 and the cooling unit 40. In short, the first lifting unit 100 only needs to lift and lower at least one of the support unit 20 and the cooling surface 40a between a first state in which the distance between the substrate 9 supported by the support unit 20 and the cooling surface 40a is a first distance, and a second state in which the distance between the substrate 9 supported by the support unit 20 and the cooling surface 40a is a second distance that is wider than the first distance.

上記各実施形態では、例えば、チャンバ10が、4つの排気口16a,16b,16c,16dを有していたが、これに限られない。例えば、チャンバ10が有する排気口の数は、1つから3つおよび5つ以上のいずれであってもよい。また、例えば、個別バルブVa,Vb,Vc,Vdは、なくてもよい。 In each of the above embodiments, for example, the chamber 10 has four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d, but this is not limited to this. For example, the number of exhaust ports that the chamber 10 has may be any of one to three, and five or more. Also, for example, the individual valves Va, Vb, Vc, and Vd may not be required.

上記各実施形態では、減圧乾燥装置1,1A~1Dは、基板9上の塗布膜90を減圧によって乾燥させるものであったが、これに限られない。例えば、減圧乾燥装置1,1A~1Dは、減圧および加熱によって、基板9上の塗布膜90を乾燥させるものであってもよい。 In each of the above embodiments, the reduced pressure drying apparatus 1, 1A to 1D dries the coating film 90 on the substrate 9 by reducing pressure, but this is not limited to the above. For example, the reduced pressure drying apparatus 1, 1A to 1D may dry the coating film 90 on the substrate 9 by reducing pressure and heating.

上記各実施形態では、チャンバ10の側壁部12に、基板9の搬入出口14が設けられていたが、これに限られない。例えば、チャンバ10の4つの側壁部12および天板部13が一体の蓋部を構成しており、この蓋部が底板部11から分離して上方へ退避することができる構造が採用されてもよい。この場合には、例えば、蓋部が開閉駆動部16等によって上下に移動されてもよい。そして、チャンバ10は、蓋部がOリング等のシール材を介して底板部11に接触して内部空間10sを密閉している状態(密閉状態)と、蓋部が底板部11から上方へ分離して内部空間10sを開放している状態(開放状態)と、に選択的に設定され得る。ここで、チャンバ10が開放状態にあれば、チャンバ10の内部空間10sへの基板9の搬入およびチャンバ10の内部空間10sからの基板9の搬出を行うことができる。チャンバ10が閉鎖状態にあれば、内部空間10sからの排気および内部空間10sへの給気によって、基板9上の塗布膜90を減圧によって乾燥させることができる。 In each of the above embodiments, the side wall portion 12 of the chamber 10 is provided with the loading/unloading port 14 for the substrate 9, but this is not limited thereto. For example, a structure may be adopted in which the four side wall portions 12 and the top plate portion 13 of the chamber 10 form an integrated lid portion, and the lid portion can be separated from the bottom plate portion 11 and retreated upward. In this case, for example, the lid portion may be moved up and down by the opening/closing drive portion 16 or the like. The chamber 10 can be selectively set to a state in which the lid portion contacts the bottom plate portion 11 via a sealing material such as an O-ring to seal the internal space 10s (sealed state), and a state in which the lid portion separates upward from the bottom plate portion 11 to open the internal space 10s (open state). Here, if the chamber 10 is in the open state, the substrate 9 can be loaded into the internal space 10s of the chamber 10 and the substrate 9 can be unloaded from the internal space 10s of the chamber 10. When the chamber 10 is in a closed state, the coating film 90 on the substrate 9 can be dried by reducing pressure by exhausting air from the internal space 10s and supplying air to the internal space 10s.

上記各実施形態では、例えば、支持部20は種々の形態を有していてもよい。例えば、複数の支持プレート21は、一体的な1つの支持プレート21であってもよい。 In each of the above embodiments, for example, the support portion 20 may have various forms. For example, the multiple support plates 21 may be an integrated single support plate 21.

上記各実施形態では、例えば、底面整流板50がなくてもよいし、側面整流板51がなくてもよい。 In each of the above embodiments, for example, the bottom straightening plate 50 may be omitted, and the side straightening plate 51 may be omitted.

上記各実施形態では、例えば、減圧乾燥装置1における各種の動作は、例えば、入力部804に対するユーザの動作もしくは通信部806に対して外部の装置から入力された信号等に応答して、開始あるいは終了されてもよい。 In each of the above embodiments, for example, various operations in the reduced pressure drying device 1 may be started or ended in response to, for example, a user's action on the input unit 804 or a signal input from an external device to the communication unit 806.

各上記一実施形態では、例えば、制御部80において、実現される機能的な構成の少なくとも一部が、専用の電子回路等のハードウェアで構成されていてもよい。 In each of the above embodiments, for example, at least a portion of the functional configuration realized in the control unit 80 may be configured with hardware such as a dedicated electronic circuit.

なお、上記諸実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。 It goes without saying that all or part of the components of the above-described embodiments and various modified examples can be combined as appropriate and consistent.

1,1A~1D,1H,1N,1T 減圧乾燥装置
10 チャンバ
13 天板部
20 支持部
30 減圧機構
40 冷却部
40a 冷却面
44 冷媒冷却源
46,46a~46d 経路
47,47a~47d 入口
48,48a~48d 出口
80 制御部
9 基板
90 塗布膜
F1 第1面(上面)
対向領域 RC
外側領域 RO
Reference Signs List 1, 1A to 1D, 1H, 1N, 1T Reduced pressure drying apparatus 10 Chamber 13 Top plate section 20 Support section 30 Reduced pressure mechanism 40 Cooling section 40a Cooling surface 44 Refrigerant cooling source 46, 46a to 46d Path 47, 47a to 47d Inlet 48, 48a to 48d Outlet 80 Control section 9 Substrate 90 Coating film F1 First surface (upper surface)
Opposite area RC
Outer region RO

Claims (5)

基板の上面に塗布された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、
前記基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内において、前記基板を支持する支持部と、
前記チャンバから気体を吸引して、前記チャンバ内の圧力を低下させる減圧機構と、
前記支持部によって支持された前記基板の前記上面に対面し前記基板より大きい冷却面を冷却する冷却部と、
を備え、
前記冷却部の前記冷却面は、前記基板の前記塗布膜が形成され得る領域に前記基板の厚み方向において対向する対向領域と、前記対向領域の外側の外側領域と、を有しており、
前記冷却部は、前記対向領域の温度よりも前記外側領域の温度が高くなるように構成されている、減圧乾燥装置。
A reduced pressure drying apparatus for drying a coating film applied on an upper surface of a substrate, comprising:
a chamber for housing the substrate;
a support for supporting the substrate within the chamber;
a pressure reducing mechanism that sucks gas from the chamber to reduce the pressure within the chamber;
a cooling section that faces the upper surface of the substrate supported by the support section and cools a cooling surface that is larger than the substrate;
Equipped with
the cooling surface of the cooling unit has a facing region facing a region of the substrate on which the coating film can be formed in a thickness direction of the substrate, and an outer region outside the facing region;
The cooling section is configured so that the temperature of the outer region is higher than the temperature of the opposing region.
前記冷却部は、前記冷却面を冷却するために冷媒が流れる経路と、前記経路へ前記冷媒が導入される入口と、前記経路から前記冷媒が導出される出口と、を有しており、
平面視で、前記冷却部の前記経路は前記対向領域と前記外側領域とにまたがっており、前記冷却部の前記入口は前記対向領域に位置しており、前記冷却部の前記出口は前記外側領域に位置している、請求項1に記載の減圧乾燥装置。
the cooling unit has a path through which a coolant flows to cool the cooling surface, an inlet through which the coolant is introduced into the path, and an outlet through which the coolant is discharged from the path,
2. The reduced pressure drying apparatus according to claim 1, wherein, in a plan view, the path of the cooling section spans the opposing region and the outer region, the inlet of the cooling section is located in the opposing region, and the outlet of the cooling section is located in the outer region.
前記冷却部の前記経路は、平面視で渦巻き状に延びている、請求項2に記載の減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying device according to claim 2, wherein the path of the cooling section extends in a spiral shape in a plan view. 前記冷却部は、平面視で前記外側領域に位置する断熱部材を有しており、前記断熱部材は前記経路と前記冷却面とを隔てるように位置している、請求項2または3に記載の減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying device according to claim 2 or 3, wherein the cooling section has an insulating member located in the outer region in a plan view, and the insulating member is located so as to separate the path from the cooling surface. 前記冷却部は、平面視で前記外側領域に位置するヒータを有している、請求項1から3のいずれか1項に記載の減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying device according to any one of claims 1 to 3, wherein the cooling section has a heater located in the outer region in a plan view.
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