JP2024061093A - Monitor device, and monitor method - Google Patents

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Abstract

To provide a monitor device and a monitor method that can monitor a change in a position of optical members consisting of an optical system.SOLUTION: A monitor device 30 according to the present disclosure is the monitor device 30 that monitors an inspection device 1 including: an illumination optical system 10 that illuminates an EUV mask 50, using critical illumination by illumination light L1 generated by a light source LS; and a detection optical system 20 that converges reflection light L2 from the EUV mask 50 illuminated by the illumination light L1, and guides the converged reflection light L2 to a detector 25. The monitor device comprises: a guide light introduction unit 31 that introduces guide light LG to the detection optical system 20 from between the detector 25 and the detection optical system 20; and a sensor 33 that detects, in the illumination optical system 10, the guide light LG introduced to the illumination optical system 10 via the detection optical system 20.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、モニタ装置及びモニタ方法に関する。 This disclosure relates to a monitoring device and a monitoring method.

例えば、特許文献1に記載された検査装置のように、EUV(Extreme Ultra Violet)光を用いたリソグラフィ用のマスク(以下、EUVマスクという。)の検査において、照明光の輝度を確保するために、クリティカル照明で照明する照明光学系が用いられる。クリティカル照明は、光源の像をEUVマスクの上面に結像させるように照明する方法であり、高輝度で照明することができる光学系となっている。 For example, in the inspection device described in Patent Document 1, when inspecting a lithography mask (hereinafter referred to as an EUV mask) using EUV (Extreme Ultra Violet) light, an illumination optical system that provides critical illumination is used to ensure the brightness of the illumination light. Critical illumination is a method of illuminating so that an image of the light source is formed on the top surface of the EUV mask, and is an optical system that can provide high-brightness illumination.

特開2018-163075号公報JP 2018-163075 A

照明光学系を構成する楕円面鏡等の光学部材の位置は、温度や気圧等の変化のために経時変化する場合がある。この場合には、照明光の光路等の光学調整にズレが生じることとなる。しかしながら、EUV光等の照明光をモニタしながらの光学調整では、どの光学部材の位置に変化が生じているのか見出すことは困難である。 The positions of optical components such as ellipsoidal mirrors that make up the illumination optical system may change over time due to changes in temperature, air pressure, etc. In such cases, deviations will occur in the optical adjustment of the optical path of the illumination light, etc. However, when making optical adjustments while monitoring illumination light such as EUV light, it is difficult to find out which optical components have changed in position.

本開示の目的は、このような問題を解決するためになされたものであり、光学系を構成する光学部材の位置の変化をモニタすることができるモニタ装置及びモニタ方法を提供することである。 The purpose of this disclosure is to solve these problems and to provide a monitoring device and a monitoring method that can monitor changes in the positions of optical components that make up an optical system.

本開示に係るモニタ装置は、光源で生成された照明光によるクリティカル照明を用いて試料を照明する照明光学系と、前記照明光によって照明された前記試料からの光を集光し、集光した前記光を検出器に導く検出光学系と、を備えた光学装置をモニタするモニタ装置であって、前記検出器と前記検出光学系との間から前記検出光学系にガイド光を導入するガイド光導入部と、前記検出光学系を介して前記照明光学系に導入された前記ガイド光を前記照明光学系において検出するセンサと、を備える。 The monitoring device according to the present disclosure is a monitoring device for monitoring an optical device including an illumination optical system that illuminates a sample using critical illumination by illumination light generated by a light source, and a detection optical system that collects light from the sample illuminated by the illumination light and guides the collected light to a detector, and includes a guide light introduction section that introduces guide light into the detection optical system from between the detector and the detection optical system, and a sensor that detects the guide light introduced into the illumination optical system via the detection optical system in the illumination optical system.

本開示に係るモニタ装置は、光源で生成された照明光によるクリティカル照明を用いて試料を照明する照明光学系と、前記照明光によって照明された前記試料からの光を集光し、集光した前記光を検出器に導く検出光学系と、を備えた光学装置をモニタするモニタ装置であって、前記検出器と前記検出光学系との間から前記検出光学系にガイド光を導入するガイド光導入部と、前記試料、及び、前記ガイド光を反射させるガイド光ミラーが並んで載置されたステージを、前記試料に対して前記照明光及び前記ガイド光が入射する第1位置と、前記ガイド光ミラーに対して前記ガイド光が入射する第2位置と、の間で移動させる駆動部と、前記ステージが前記第2位置に位置した場合に、前記ガイド光導入部と前記検出光学系との間の前記ガイド光の光路に挿入される干渉計測部と、を備え、前記干渉計測部は、前記検出光学系に導入される前の前記ガイド光と前記ガイド光ミラーで反射した前記ガイド光との干渉により前記ガイド光の光軸の変化を検出する。 The monitor device according to the present disclosure is a monitor device for monitoring an optical device including an illumination optical system that illuminates a sample using critical illumination by illumination light generated by a light source, and a detection optical system that collects light from the sample illuminated by the illumination light and guides the collected light to a detector, and includes a guide light introduction section that introduces guide light into the detection optical system from between the detector and the detection optical system, a drive section that moves a stage on which the sample and a guide light mirror that reflects the guide light are placed side by side between a first position where the illumination light and the guide light are incident on the sample and a second position where the guide light is incident on the guide light mirror, and an interference measurement section that is inserted into the optical path of the guide light between the guide light introduction section and the detection optical system when the stage is positioned at the second position, and the interference measurement section detects a change in the optical axis of the guide light due to interference between the guide light before being introduced into the detection optical system and the guide light reflected by the guide light mirror.

本開示に係るモニタ方法は、光源で生成された照明光によるクリティカル照明を用いて試料を照明する照明光学系と、前記照明光によって照明された前記試料からの光を集光し、集光した前記光を検出器に導く検出光学系と、を備えた光学装置のモニタ方法であって、ガイド光導入部に、前記検出器と前記検出光学系との間から前記検出光学系にガイド光を導入させるステップと、センサに、前記検出光学系を介して前記照明光学系に導入された前記ガイド光を前記照明光学系において検出させるステップと、を備える。 The monitoring method according to the present disclosure is a monitoring method for an optical device including an illumination optical system that illuminates a sample using critical illumination by illumination light generated by a light source, and a detection optical system that collects light from the sample illuminated by the illumination light and guides the collected light to a detector, and includes the steps of causing a guide light introduction section to introduce guide light into the detection optical system from between the detector and the detection optical system, and causing a sensor to detect, in the illumination optical system, the guide light introduced into the illumination optical system via the detection optical system.

本開示に係るモニタ方法は、光源で生成された照明光によるクリティカル照明を用いて試料を照明する照明光学系と、前記照明光によって照明された前記試料からの光を集光し、集光した前記光を検出器に導く検出光学系と、を備えた光学装置をモニタするモニタ方法であって、ガイド光導入部に、前記検出器と前記検出光学系との間から前記検出光学系にガイド光を導入させるステップと、前記試料、及び、前記ガイド光を反射させるガイド光ミラーが並んで載置されたステージを、前記試料に対して前記照明光及び前記ガイド光が入射する第1位置から、前記ガイド光ミラーに対して前記ガイド光が入射する第2位置へ移動させるステップと、前記ステージが前記第2位置に位置した場合に、前記ガイド光導入部と前記検出光学系との間の前記ガイド光の光路に干渉計測部を挿入させるステップと、前記検出光学系に導入される前の前記ガイド光と、前記ガイド光ミラーで反射した前記ガイド光との干渉により、前記ガイド光の光軸の変化を前記干渉計測部に検出させるステップと、を備える。 The monitoring method according to the present disclosure is a monitoring method for monitoring an optical device including an illumination optical system that illuminates a sample using critical illumination by illumination light generated by a light source, and a detection optical system that collects light from the sample illuminated by the illumination light and guides the collected light to a detector, and includes the steps of: having a guide light introduction section introduce guide light into the detection optical system from between the detector and the detection optical system; moving a stage on which the sample and a guide light mirror that reflects the guide light are placed side by side from a first position where the illumination light and the guide light are incident on the sample to a second position where the guide light is incident on the guide light mirror; when the stage is located at the second position, inserting an interference measurement section into the optical path of the guide light between the guide light introduction section and the detection optical system; and having the interference measurement section detect a change in the optical axis of the guide light due to interference between the guide light before being introduced into the detection optical system and the guide light reflected by the guide light mirror.

本発明によれば、光学系を構成する光学部材の位置の変化をモニタすることができるモニタ装置及びモニタ方法を提供することができる。 The present invention provides a monitoring device and a monitoring method that can monitor changes in the position of optical members that make up an optical system.

実施形態1に係る検査装置及びモニタ装置を例示した構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram illustrating an inspection device and a monitor device according to a first embodiment. 実施形態1に係るガイド光導入部を例示した図である。3A and 3B are diagrams illustrating a guide light introducing section according to the first embodiment. 実施形態1に係るガイド光導入部を例示した図である。3A and 3B are diagrams illustrating a guide light introducing section according to the first embodiment; 実施形態1に係る開口絞りを例示した断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating an aperture stop according to a first embodiment. 実施形態1に係るガイド光を取り出す取り出しミラーを例示した図である。5A and 5B are diagrams illustrating an example of an extraction mirror that extracts guide light according to the first embodiment. 実施形態1に係るガイド光を取り出す取り出しミラーを例示した図である。5A and 5B are diagrams illustrating an example of an extraction mirror that extracts guide light according to the first embodiment. 実施形態1に係るモニタ方法を例示したフローチャート図である。FIG. 4 is a flow chart illustrating a monitoring method according to the first embodiment. 実施形態2に係る検査装置及びモニタ装置を例示した構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram illustrating an inspection device and a monitor device according to a second embodiment. 実施形態3に係る検査装置及びモニタ装置を例示した構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram illustrating an inspection device and a monitor device according to a third embodiment. 実施形態4に係る検査装置及びモニタ装置を例示した構成図である。FIG. 13 is a configuration diagram illustrating an inspection device and a monitor device according to a fourth embodiment. 実施形態4に係るモニタ装置において、干渉計測器を例示した図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an interferometer in a monitoring device according to a fourth embodiment. 実施形態4に係るモニタ方法を例示したフローチャート図である。FIG. 10 is a flow chart illustrating a monitoring method according to a fourth embodiment. 実施形態4の別の例に係るモニタ方法を例示したフローチャート図である。FIG. 13 is a flowchart illustrating a monitoring method according to another example of the fourth embodiment.

以下、本実施形態の具体的構成について図面を参照して説明する。以下の説明は、本開示の好適な実施の形態を示すものであって、本開示の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。 The specific configuration of this embodiment will be described below with reference to the drawings. The following description shows a preferred embodiment of the present disclosure, and the scope of the present disclosure is not limited to the following embodiment. In the following description, parts with the same reference numerals indicate substantially similar content.

(実施形態1)
実施形態1に係るモニタ装置を説明する。本実施形態のモニタ装置は、光学装置をモニタする。光学装置は、照明光を用いて試料を検査、処理及び測定等を行う装置を含む。例えば、光学装置は、検査対象を検査する検査装置、露光対象を露光する露光装置である。以下では、光学装置の一例として、検査装置を用いて説明する。よって、試料は、検査対象である。
(Embodiment 1)
A monitoring device according to a first embodiment will be described. The monitoring device of this embodiment monitors an optical device. The optical device includes a device that inspects, processes, measures, etc. a sample using illumination light. For example, the optical device is an inspection device that inspects an inspection target, and an exposure device that exposes an exposure target. In the following, an inspection device will be used as an example of the optical device. Therefore, the sample is the inspection target.

<検査装置の構成>
図1は、実施形態1に係る検査装置及びモニタ装置を例示した構成図である。図1に示すように、検査装置1は、照明光学系10、検出光学系20、検出器25及び処理部40を備えている。なお、検査装置1は、さらに、光源LSを備えてもよい。検査装置1は、光源LSで生成された照明光L1を用いて、検査対象の欠陥等を検査する装置である。検査対象は、例えば、EUVマスク50である。なお、検査対象は、EUVマスク50に限らず、半導体基板等でもよい。
<Configuration of the inspection device>
Fig. 1 is a configuration diagram illustrating an inspection apparatus and a monitor apparatus according to the first embodiment. As shown in Fig. 1, the inspection apparatus 1 includes an illumination optical system 10, a detection optical system 20, a detector 25, and a processing unit 40. The inspection apparatus 1 may further include a light source LS. The inspection apparatus 1 is an apparatus that uses illumination light L1 generated by the light source LS to inspect an object for defects and the like. The object to be inspected is, for example, an EUV mask 50. The object to be inspected is not limited to an EUV mask 50, and may be a semiconductor substrate or the like.

照明光学系10は、楕円面鏡11、楕円面鏡12及び落とし込みミラー13を有している。検出光学系20は、穴開き凹面鏡21、凸面鏡22、平面鏡23及び凹面鏡24を有している。穴開き凹面鏡21及び凸面鏡22は、シュバルツシルト拡大光学系を構成している。 The illumination optical system 10 has an ellipsoidal mirror 11, an ellipsoidal mirror 12, and a drop mirror 13. The detection optical system 20 has a concave mirror with a hole 21, a convex mirror 22, a plane mirror 23, and a concave mirror 24. The concave mirror with a hole 21 and the convex mirror 22 form a Schwarzschild magnification optical system.

光源LSは、照明光L1を生成する。照明光L1は、例えば、検査対象であるEUVマスク50の露光波長と同じ13.5nmのEUV光を含んでいる。なお、照明光L1は、EUV光以外の光を含んでもよい。光源LSから生成された照明光L1は、楕円面鏡11で反射する。楕円面鏡11で反射した照明光L1は、絞られながら進み、集光点IF1で集光される。よって、楕円面鏡11は、光源LSから生成された照明光L1を収束光として反射させる。集光点IF1は、EUVマスク50の上面51及び検出器25の検出面26と共役な位置である。 The light source LS generates illumination light L1. The illumination light L1 contains, for example, EUV light of 13.5 nm, which is the same as the exposure wavelength of the EUV mask 50 to be inspected. Note that the illumination light L1 may contain light other than EUV light. The illumination light L1 generated from the light source LS is reflected by the ellipsoidal mirror 11. The illumination light L1 reflected by the ellipsoidal mirror 11 advances while being narrowed, and is collected at the condensing point IF1. Thus, the ellipsoidal mirror 11 reflects the illumination light L1 generated from the light source LS as converging light. The condensing point IF1 is a position conjugate with the upper surface 51 of the EUV mask 50 and the detection surface 26 of the detector 25.

照明光L1は、集光点IF1を通過後、拡がりながら進んで、楕円面鏡12等の反射鏡に入射する。よって、楕円面鏡12は、楕円面鏡11で反射した照明光L1が中間集光点IF1を介して発散光として入射される。楕円面鏡12に入射した照明光L1は、楕円面鏡12で反射し、絞られながら進んで、落とし込みミラー13に入射する。つまり、楕円面鏡12は、入射した照明光L1を収束光として反射させる。そして、楕円面鏡12は、照明光L1を落とし込みミラー13に入射させる。落とし込みミラー13は、EUVマスク50の真上に配置されている。落とし込みミラー13に入射して反射した照明光L1は、EUVマスク50に入射する。よって、落とし込みミラー13は、楕円面鏡12で反射した照明光L1をEUVマスク50に対して反射することにより照明光L1をEUVマスク50に入射させる。 After passing through the focusing point IF1, the illumination light L1 advances while expanding and is incident on a reflecting mirror such as the ellipsoidal mirror 12. Therefore, the illumination light L1 reflected by the ellipsoidal mirror 11 is incident on the ellipsoidal mirror 12 as divergent light via the intermediate focusing point IF1. The illumination light L1 incident on the ellipsoidal mirror 12 is reflected by the ellipsoidal mirror 12, advances while being narrowed, and is incident on the drop mirror 13. In other words, the ellipsoidal mirror 12 reflects the incident illumination light L1 as convergent light. The ellipsoidal mirror 12 then causes the illumination light L1 to be incident on the drop mirror 13. The drop mirror 13 is disposed directly above the EUV mask 50. The illumination light L1 incident on and reflected by the drop mirror 13 is incident on the EUV mask 50. Therefore, the drop mirror 13 reflects the illumination light L1 reflected by the ellipsoidal mirror 12 to the EUV mask 50, thereby causing the illumination light L1 to be incident on the EUV mask 50.

楕円面鏡12は、EUVマスク50に照明光L1を集光している。照明光L1がEUVマスク50を照明する際に、光源LSの像を、EUVマスク50の上面51に結像させるように照明光学系10は設置されている。よって、照明光学系10は、クリティカル照明となっている。このように、照明光学系10は、光源LSで生成された照明光L1によるクリティカル照明を用いて検査対象を照明する。 The ellipsoidal mirror 12 focuses the illumination light L1 onto the EUV mask 50. The illumination optical system 10 is set up so that when the illumination light L1 illuminates the EUV mask 50, an image of the light source LS is formed on the upper surface 51 of the EUV mask 50. Therefore, the illumination optical system 10 provides critical illumination. In this way, the illumination optical system 10 illuminates the inspection object using critical illumination by the illumination light L1 generated by the light source LS.

EUVマスク50はステージ52上に配置されている。ここで、EUVマスク50の上面51に平行な平面をXY平面とし、XY平面に垂直な方向をZ軸方向とする。照明光L1はZ軸方向から傾いた方向からEUVマスク50に入射する。すなわち、照明光L11は斜め入射して、EUVマスク50を照明する。 The EUV mask 50 is placed on a stage 52. Here, a plane parallel to the top surface 51 of the EUV mask 50 is defined as the XY plane, and a direction perpendicular to the XY plane is defined as the Z axis direction. Illumination light L1 is incident on the EUV mask 50 from a direction tilted from the Z axis direction. In other words, illumination light L11 is incident obliquely and illuminates the EUV mask 50.

ステージ52は、駆動部53を有するXYZ駆動ステージである。駆動部53は、ステージ52をX軸方向及びY軸方向に移動させることで、EUVマスク50の所望の領域を照明させることができる。さらに、駆動部53は、ステージ52をZ軸方向に移動させることにより、フォーカス調整を行うことができる。 The stage 52 is an XYZ driven stage having a drive unit 53. The drive unit 53 can illuminate a desired area of the EUV mask 50 by moving the stage 52 in the X-axis direction and the Y-axis direction. Furthermore, the drive unit 53 can perform focus adjustment by moving the stage 52 in the Z-axis direction.

光源LSからの照明光L1は、EUVマスク50の検査領域を照明する。照明光L1によって照明される検査領域は、例えば、0.5mm角である。なお、検査領域は、0.5mm角に限らない。照明光L1によって照明されたEUVマスク50からの光は、穴開き凹面鏡21に入射する。以下では、照明光L1によって照明されたEUVマスク50からの光を反射光L2として説明する。なお、EUVマスク50から穴開き凹面鏡21に入射する光は、反射光L2に限らず、回折光等を含んでもよい。EUVマスク50で反射した反射光L2は、穴開き凹面鏡21に入射する。穴開き凹面鏡21の中心には、穴21hが設けられている。穴開き凹面鏡21は、EUVマスク50からの反射光L2を集光し、集光した反射光L2を収束光として反射する。 The illumination light L1 from the light source LS illuminates the inspection area of the EUV mask 50. The inspection area illuminated by the illumination light L1 is, for example, 0.5 mm square. The inspection area is not limited to 0.5 mm square. The light from the EUV mask 50 illuminated by the illumination light L1 is incident on the perforated concave mirror 21. In the following, the light from the EUV mask 50 illuminated by the illumination light L1 is described as reflected light L2. The light incident on the perforated concave mirror 21 from the EUV mask 50 is not limited to the reflected light L2, and may include diffracted light, etc. The reflected light L2 reflected by the EUV mask 50 is incident on the perforated concave mirror 21. A hole 21h is provided at the center of the perforated concave mirror 21. The perforated concave mirror 21 collects the reflected light L2 from the EUV mask 50 and reflects the collected reflected light L2 as convergent light.

穴開き凹面鏡21で反射された反射光L12は、凸面鏡22に入射する。凸面鏡22は、穴開き凹面鏡21で反射した反射光L12を、穴開き凹面鏡21の穴21hに向けて反射させる。穴21hを通過した反射光L12は、平面鏡23に入射する。平面鏡23は、凸面鏡22で反射した反射光L2を穴開き凹面鏡21の穴21hを通して収束光として入射させる。平面鏡23に入射した反射光L2は、平面鏡23で反射する。平面鏡23で反射した反射光L2は、絞られながら進み、集光点IF2で集光される。よって、平面鏡23は、入射した反射光L2を収束光として反射する。集光点IF2を開口絞りと呼ぶ場合もある。集光点IF2は、EUVマスク50の上面51及び検出器25の検出面26と共役な位置である。 The reflected light L12 reflected by the concave mirror 21 with a hole is incident on the convex mirror 22. The convex mirror 22 reflects the reflected light L12 reflected by the concave mirror 21 with a hole toward the hole 21h of the concave mirror 21 with a hole. The reflected light L12 that passes through the hole 21h is incident on the plane mirror 23. The plane mirror 23 causes the reflected light L2 reflected by the convex mirror 22 to be incident as convergent light through the hole 21h of the concave mirror 21 with a hole. The reflected light L2 that is incident on the plane mirror 23 is reflected by the plane mirror 23. The reflected light L2 reflected by the plane mirror 23 advances while being narrowed, and is converged at the focusing point IF2. Therefore, the plane mirror 23 reflects the reflected light L2 that is incident on it as convergent light. The focusing point IF2 is sometimes called an aperture stop. The focal point IF2 is a position conjugate with the upper surface 51 of the EUV mask 50 and the detection surface 26 of the detector 25.

反射光L2は、集光点IF2を通過後、拡がりながら進んで、凹面鏡24に入射する。よって、凹面鏡24は、収束光として平面鏡23で反射した反射光L2が集光点IF2を介して発散光として入射される。凹面鏡24は、入射した反射光L2を収束光として検出器25に対して反射させる。凹面鏡24で反射した反射光L2は、検出器25で検出される。このように、検出光学系20は、照明光L11によって照明された検査対象からの反射光L2を集光し、集光した反射光L2を検出器25に導く。 After passing through the focal point IF2, the reflected light L2 diverges as it travels and enters the concave mirror 24. Thus, the reflected light L2 reflected by the plane mirror 23 as converging light enters the concave mirror 24 as diverging light via the focal point IF2. The concave mirror 24 reflects the incident reflected light L2 as converging light toward the detector 25. The reflected light L2 reflected by the concave mirror 24 is detected by the detector 25. In this way, the detection optical system 20 collects the reflected light L2 from the object to be inspected illuminated by the illumination light L11, and guides the collected reflected light L2 to the detector 25.

検出器25は、TDI(Time Delay Integraion)センサを含んでもよい。検出器25は、検査対象であるEUVマスク50の画像データを取得する。検出器25は、一方向にライン状に並んだ複数の撮像素子を含んでもよい。ライン状に並んだ複数の撮像素子で撮像したライン状の画像データを一次元画像データまたは1フレームという。検出器25は、一方向に直交する方向にスキャンすることにより、複数の一次元画像データを取得する。撮像素子は、例えば、CCD(Charg Coupled Device)である。なお、撮像素子は、CCDに限らない。 The detector 25 may include a TDI (Time Delay Integration) sensor. The detector 25 acquires image data of the EUV mask 50 to be inspected. The detector 25 may include a plurality of imaging elements arranged in a line in one direction. Linear image data captured by the plurality of imaging elements arranged in a line is called one-dimensional image data or one frame. The detector 25 acquires a plurality of one-dimensional image data by scanning in a direction perpendicular to the one direction. The imaging element is, for example, a CCD (Charge Coupled Device). Note that the imaging element is not limited to a CCD.

反射光L2には、EUVマスク50の欠陥等の情報が含まれている。Z軸方向に対して傾いた方向からEUVマスク50に入射した照明光L1の正反射光は、検出光学系20によって検出されている。EUVマスク50に欠陥が存在する場合には、暗い像として欠陥が観察される。このような観察方法を、明視野観察という。検出器25により取得されたEUVマスク50の複数の一次元画像データは、処理部40に出力され、二次元画像データに処理される。処理部40は、例えば、サーバ装置、パーソナルコンピュータ等の情報処理装置を含む。 The reflected light L2 contains information such as defects in the EUV mask 50. The specularly reflected light of the illumination light L1 that is incident on the EUV mask 50 from a direction tilted with respect to the Z-axis direction is detected by the detection optical system 20. If there is a defect in the EUV mask 50, the defect is observed as a dark image. This observation method is called bright-field observation. Multiple one-dimensional image data of the EUV mask 50 acquired by the detector 25 are output to the processing unit 40 and processed into two-dimensional image data. The processing unit 40 includes, for example, an information processing device such as a server device or a personal computer.

<モニタ装置>
次に、本実施形態のモニタ装置30を説明する。モニタ装置30は、ガイド光導入部31、取り出しミラー32、センサ33、取り出しミラー34及びセンサ35を有している。ガイド光導入部31は、検出器25の近傍に配置されている。ガイド光導入部31は、検出器25と検出光学系20との間から検出光学系20にガイド光LGを導入する。具体的には、ガイド光導入部31は、凹面鏡24に対してガイド光LGを照射する。ガイド光LGは、例えば、可視光である。なお、ガイド光LGは、可視光に限らず、IR(Infra Red)光、EUV光等でもよい。
<Monitor device>
Next, the monitor device 30 of this embodiment will be described. The monitor device 30 has a guide light introduction section 31, a take-out mirror 32, a sensor 33, a take-out mirror 34, and a sensor 35. The guide light introduction section 31 is disposed near the detector 25. The guide light introduction section 31 introduces the guide light LG into the detection optical system 20 from between the detector 25 and the detection optical system 20. Specifically, the guide light introduction section 31 irradiates the guide light LG onto the concave mirror 24. The guide light LG is, for example, visible light. Note that the guide light LG is not limited to visible light, and may be IR (Infra Red) light, EUV light, or the like.

図2及び図3は、実施形態1に係るガイド光導入部31を例示した図である。図2に示すように、ガイド光導入部31は、折り返しミラー36を含んでもよい。ガイド光導入部31は、光ファイバ37から出射したガイド光LGを凹面鏡24に反射する。これにより、ガイド光導入部31は、ガイド光LGを検出光学系20に導入する。例えば、光ファイバ37から出射するガイド光LGの出射点は、検出器25の検出面26と共役な位置となっている。なお、ガイド光導入部31は、検出光学系20にガイド光LGを導入することができれば、折り返しミラー36に限らず、図3に示すように、さらに、レンズ38を含んでもよい。例えば、レンズ38は、メニスカスレンズであり、NAを小さくすることができる。また、ガイド光導入部31は、検出光学系20に直接ガイド光LGを出射する光ファイバ37でもよい。 2 and 3 are diagrams illustrating the guide light introduction section 31 according to the first embodiment. As shown in FIG. 2, the guide light introduction section 31 may include a folding mirror 36. The guide light introduction section 31 reflects the guide light LG emitted from the optical fiber 37 to the concave mirror 24. As a result, the guide light introduction section 31 introduces the guide light LG into the detection optical system 20. For example, the emission point of the guide light LG emitted from the optical fiber 37 is in a position conjugate with the detection surface 26 of the detector 25. Note that the guide light introduction section 31 is not limited to the folding mirror 36, and may further include a lens 38 as shown in FIG. 3, as long as it can introduce the guide light LG into the detection optical system 20. For example, the lens 38 is a meniscus lens, which can reduce the NA. The guide light introduction section 31 may also be an optical fiber 37 that directly emits the guide light LG to the detection optical system 20.

検査に用いる照明光L1及び反射光L2の位置は、検出光学系20側を基準とするのが好ましい。よって、ガイド光LGは、検出光学系20側から導入されている。また、検出器25によってガイド光LGが検出されないように、ガイド光LGは、検出器25の検出面26において、検出器25の視野外から検出光学系20に導入される。また、ガイド光LGは、検出面26と共役な位置から導入される。ガイド光LGを照明光学系10の像面と共役な位置から出射し照明光学系10の調整の基準とすることで照明光学系10の調整が正確になる。 The positions of the illumination light L1 and reflected light L2 used in the inspection are preferably based on the detection optical system 20 side. Therefore, the guide light LG is introduced from the detection optical system 20 side. Also, in order to prevent the guide light LG from being detected by the detector 25, the guide light LG is introduced into the detection optical system 20 from outside the field of view of the detector 25 at the detection surface 26 of the detector 25. Also, the guide light LG is introduced from a position conjugate with the detection surface 26. By emitting the guide light LG from a position conjugate with the image plane of the illumination optical system 10 and using it as a reference for adjusting the illumination optical system 10, the adjustment of the illumination optical system 10 can be made more accurate.

ガイド光導入部31は、例えば、アクチュエータ等の駆動部を有してもよい。ガイド光導入部31は、駆動部によって、ガイド光LGの導入位置を移動させることができる。ガイド光LGは、検出面26と共役な位置で集光されることが望ましい。なお、ガイド光LGは、検出面26と共役な位置で集光されなくてもよい。例えば、ガイド光LGは、楕円面鏡11及び12等のミラーと同じ平面で集光されてもよい。 The guide light introduction section 31 may have a driving section such as an actuator. The guide light introduction section 31 can move the introduction position of the guide light LG by the driving section. It is desirable that the guide light LG is focused at a position conjugate with the detection surface 26. Note that the guide light LG does not have to be focused at a position conjugate with the detection surface 26. For example, the guide light LG may be focused on the same plane as mirrors such as the ellipsoidal mirrors 11 and 12.

ガイド光導入部31から導入されたガイド光LGは、凹面鏡24で反射する。凹面鏡24で反射したガイド光LGは、絞られながら進み、集光点IF2で集光される。 The guide light LG introduced from the guide light introduction section 31 is reflected by the concave mirror 24. The guide light LG reflected by the concave mirror 24 travels while being narrowed, and is focused at the focusing point IF2.

図4は、実施形態1に係る開口絞りを例示した断面図である。図4に示すように、開口絞りとなる集光点IF2は、像面から出た光が集光される。開口絞りは、リレーされる。開口絞りとなる集光点IF2及び集光点IF2と共役な位置では、ガイド光LGが反射光L2の光軸と一致(交差)するように、ガイド光LGの向きを設定する。そして、集光点IF2等において決定される反射光L2のNAよりも大きいNAになるように、ガイド光LGのNAを設定する。したがって、開口絞り(集光点IF2)において、反射光L2の光軸に直交する反射光L2の断面積は、ガイド光LGの光軸に直交するガイド光LGの断面積よりも小さい。 Figure 4 is a cross-sectional view illustrating an aperture stop according to the first embodiment. As shown in Figure 4, the light emitted from the image plane is collected at the condensing point IF2 which becomes the aperture stop. The aperture stop is relayed. At the condensing point IF2 which becomes the aperture stop and at a position conjugate with the condensing point IF2, the direction of the guide light LG is set so that the guide light LG coincides (intersects) with the optical axis of the reflected light L2. Then, the NA of the guide light LG is set so that the NA is larger than the NA of the reflected light L2 determined at the condensing point IF2, etc. Therefore, at the aperture stop (condensing point IF2), the cross-sectional area of the reflected light L2 perpendicular to the optical axis of the reflected light L2 is smaller than the cross-sectional area of the guide light LG perpendicular to the optical axis of the guide light LG.

ガイド光LGは、集光点IF2を通過後、拡がりながら進んで、平面鏡23に入射する。平面鏡23に入射したガイド光LGは、平面鏡23で反射する。平面鏡23で反射したガイド光LGは、凸面鏡22で反射し、穴開き凹面鏡21に入射する。穴開き凹面鏡21に入射したガイド光LGは、穴開き凹面鏡21で反射し、収束光としてEUVマスク50に入射する。 After passing through the focal point IF2, the guide light LG expands as it travels and is incident on the plane mirror 23. The guide light LG that is incident on the plane mirror 23 is reflected by the plane mirror 23. The guide light LG that is reflected by the plane mirror 23 is reflected by the convex mirror 22 and is incident on the concave mirror 21 with a hole. The guide light LG that is incident on the concave mirror 21 with a hole is reflected by the concave mirror 21 with a hole and is incident on the EUV mask 50 as convergent light.

EUVマスク50で反射したガイド光LGは、拡がりながら進み、落とし込みミラー13に入射する。落とし込みミラー13に入射したガイド光LGは、落とし込みミラー13で反射し、楕円面鏡12に入射する。楕円面鏡12に入射したガイド光LGは、楕円面鏡12で反射し、集光点IF1を介して、楕円面鏡11に入射する。楕円面鏡11に入射したガイド光LGは、楕円面鏡11で反射し、光源LSに到達する。 The guide light LG reflected by the EUV mask 50 travels while expanding, and is incident on the drop-in mirror 13. The guide light LG incident on the drop-in mirror 13 is reflected by the drop-in mirror 13 and is incident on the ellipsoidal mirror 12. The guide light LG incident on the ellipsoidal mirror 12 is reflected by the ellipsoidal mirror 12 and is incident on the ellipsoidal mirror 11 via the focusing point IF1. The guide light LG incident on the ellipsoidal mirror 11 is reflected by the ellipsoidal mirror 11 and reaches the light source LS.

取り出しミラー32は、集光点IF1と楕円面鏡12との間に配置されている。取り出しミラー32は、集光点IF1と楕円面鏡12との間でガイド光LGを取り出す。図5及び図6は、実施形態1に係るガイド光LGを取り出す取り出しミラー32及び34を例示した図である。 The extraction mirror 32 is disposed between the focusing point IF1 and the ellipsoidal mirror 12. The extraction mirror 32 extracts the guide light LG between the focusing point IF1 and the ellipsoidal mirror 12. Figures 5 and 6 are diagrams illustrating the extraction mirrors 32 and 34 that extract the guide light LG according to the first embodiment.

図5に示すように、取り出しミラー32及び34は、照明光L1の光軸に直交する断面における照明光L1の3箇所の周縁に配置されている。3箇所の取り出しミラー32及び34でガイド光LGを取り出すことにより、光軸の3次元的な位置ずれを検出することができる。なお、図6に示すように、取り出しミラー32及び34は、4箇所の周縁に配置されてもよいし、5箇所以上の周縁に配置されてもよい。なお、取り出しミラー32及び34は、光軸から見て、照明光L1の周縁上に相互にずらして配置させることが好ましい。これにより、取り出しミラー32によるガイドLGの遮蔽を抑制することができる。 As shown in FIG. 5, the extraction mirrors 32 and 34 are arranged on three peripheries of the illumination light L1 in a cross section perpendicular to the optical axis of the illumination light L1. By extracting the guide light LG with the three extraction mirrors 32 and 34, it is possible to detect a three-dimensional positional deviation of the optical axis. As shown in FIG. 6, the extraction mirrors 32 and 34 may be arranged on the periphery at four locations, or at five or more locations. It is preferable that the extraction mirrors 32 and 34 are arranged on the periphery of the illumination light L1 with a mutual offset as viewed from the optical axis. This makes it possible to suppress blocking of the guide light LG by the extraction mirror 32.

図5及び図6に示すように、取り出しミラー32は、検査に用いる照明光L1のNAの外の部分を取り出すように配置されている。すなわち、取り出しミラー32は、照明光L1の光軸に直交する照明光L1の断面よりも外側の部分のガイド光LGを取り出す。具体的には、取り出しミラー32は、検査に用いる照明光L1のNAの外側の部分を反射する。取り出しミラー32で反射したガイド光LGは、センサ33に入射する。取り出しミラー32は、ハーフミラーまたはビームスプリッタでもよいし、不透明なミラーでもよい。 As shown in Figures 5 and 6, the extraction mirror 32 is positioned to extract a portion of the illumination light L1 used for inspection that is outside the NA. In other words, the extraction mirror 32 extracts the guide light LG that is outside the cross section of the illumination light L1 that is perpendicular to the optical axis of the illumination light L1. Specifically, the extraction mirror 32 reflects the portion of the illumination light L1 used for inspection that is outside the NA. The guide light LG reflected by the extraction mirror 32 is incident on the sensor 33. The extraction mirror 32 may be a half mirror or a beam splitter, or may be an opaque mirror.

センサ33は、検出光学系20を介して照明光学系10に導入されたガイド光LGを照明光学系10において検出する。つまり、センサ33は、検出光学系20に導入されたガイド光LGを照明光学系10におけるガイド光LGの光路の一部で検出する。例えば、センサ33は、取り出しミラー32によって取り出されたガイド光LGの光軸の変化を、検出器25の検出面26と共役な位置で検出する。具体的には、センサ33は、集光点IF1と共役な位置に配置されている。センサ35は、フォトダイオード(Poto Diode、以下、PDと呼ぶ。)、位置検出センサ(Position Sensitive Detector、以下、PSDと呼ぶ。)、二次元センサ等である。例えば、楕円面鏡12に位置ずれが発生している場合には、センサ33は、ガイド光LGの光軸の変化を検出する。 The sensor 33 detects the guide light LG introduced into the illumination optical system 10 via the detection optical system 20 in the illumination optical system 10. That is, the sensor 33 detects the guide light LG introduced into the detection optical system 20 in a part of the optical path of the guide light LG in the illumination optical system 10. For example, the sensor 33 detects a change in the optical axis of the guide light LG extracted by the extraction mirror 32 at a position conjugate with the detection surface 26 of the detector 25. Specifically, the sensor 33 is disposed at a position conjugate with the focusing point IF1. The sensor 35 is a photodiode (hereinafter referred to as PD), a position detection sensor (hereinafter referred to as PSD), a two-dimensional sensor, or the like. For example, when the ellipsoidal mirror 12 is misaligned, the sensor 33 detects a change in the optical axis of the guide light LG.

取り出しミラー34は、光源LSと楕円面鏡11との間に配置されている。取り出しミラー34は、光源LSと楕円面鏡11との間でガイド光LGを取り出す。取り出しミラー34は、取り出しミラー32と同様に、検査に用いる照明光L1のNAの外の部分を取り出すように配置されている。すなわち、取り出しミラー34は、照明光L1の光軸に直交する照明光L1の断面よりも外側の部分のガイド光LGを取り出す。具体的には、取り出しミラー34は、検査に用いる照明光L1のNAの外側の部分を反射する。取り出しミラー34で反射したガイド光LGは、センサ35に入射する。取り出しミラー34は、ハーフミラーまたはビームスプリッタでもよいし、不透明なミラーでもよい。 The extraction mirror 34 is disposed between the light source LS and the ellipsoidal mirror 11. The extraction mirror 34 extracts the guide light LG between the light source LS and the ellipsoidal mirror 11. The extraction mirror 34 is disposed to extract a portion of the illumination light L1 used for the inspection outside the NA, similar to the extraction mirror 32. That is, the extraction mirror 34 extracts the guide light LG that is outside the cross section of the illumination light L1 that is perpendicular to the optical axis of the illumination light L1. Specifically, the extraction mirror 34 reflects the portion of the illumination light L1 used for the inspection outside the NA. The guide light LG reflected by the extraction mirror 34 is incident on the sensor 35. The extraction mirror 34 may be a half mirror or a beam splitter, or may be an opaque mirror.

センサ35は、検出光学系20を介して照明光学系10に導入されたガイド光LGを照明光学系10において検出する。つまり、センサ35は、検出光学系20に導入されたガイド光LGを照明光学系10におけるガイド光LGの光路の一部で検出する。例えば、センサ35は、取り出しミラー34によって取り出されたガイド光LGの光軸の変化を、検出器25の検出面26と共役な位置で検出する。具体的には、センサ35は、光源LSの発光点と共役な位置に配置されている。センサ35は、センサ33と同様に、例えば、PD、PSD、二次元センサ等である。例えば、楕円面鏡11に位置ずれが発生している場合には、センサ35は、ガイド光LGの光軸の変化を検出する。 The sensor 35 detects the guide light LG introduced into the illumination optical system 10 via the detection optical system 20 in the illumination optical system 10. That is, the sensor 35 detects the guide light LG introduced into the detection optical system 20 in a part of the optical path of the guide light LG in the illumination optical system 10. For example, the sensor 35 detects a change in the optical axis of the guide light LG extracted by the extraction mirror 34 at a position conjugate with the detection surface 26 of the detector 25. Specifically, the sensor 35 is disposed at a position conjugate with the light emitting point of the light source LS. The sensor 35 is, like the sensor 33, for example, a PD, a PSD, a two-dimensional sensor, etc. For example, when a positional deviation occurs in the ellipsoidal mirror 11, the sensor 35 detects a change in the optical axis of the guide light LG.

センサ33及び35は、ガイド光LGの集光状態をモニタする。センサ33及び35によって検出されたガイド光LGの集光状態が一定になるように、楕円面鏡11等の位置を含む照明光学系10を調整する。視野外からガイド光LGを検出光学系20及び照明光学系10に導入するので、検査中も常にモニタすることができる。 Sensors 33 and 35 monitor the focusing state of the guide light LG. The illumination optical system 10, including the position of the ellipsoidal mirror 11, is adjusted so that the focusing state of the guide light LG detected by the sensors 33 and 35 is constant. Since the guide light LG is introduced into the detection optical system 20 and illumination optical system 10 from outside the field of view, it can be constantly monitored even during inspection.

次に、検査装置1のモニタ方法を説明する。図7は、実施形態1に係るモニタ方法を例示したフローチャート図である。図7のステップS11に示すように、検出光学系20にガイド光LGを導入する。具体的には、照明光学系10及び検出光学系20を備えた検査装置1において、ガイド光導入部31に、検出器25と検出光学系20との間から検出光学系20にガイド光LGを導入させる。 Next, a monitoring method for the inspection device 1 will be described. FIG. 7 is a flow chart illustrating a monitoring method according to the first embodiment. As shown in step S11 of FIG. 7, the guide light LG is introduced into the detection optical system 20. Specifically, in the inspection device 1 equipped with the illumination optical system 10 and the detection optical system 20, the guide light introduction section 31 is caused to introduce the guide light LG into the detection optical system 20 from between the detector 25 and the detection optical system 20.

次に、図7のステップS12に示すように、ガイド光LGを照明光学系10において検出する。具体的には、センサ33及び35に、検出光学系20を介して照明光学系10に導入されたガイド光LGを照明光学系10において検出させる。 Next, as shown in step S12 of FIG. 7, the guide light LG is detected in the illumination optical system 10. Specifically, the sensors 33 and 35 are caused to detect the guide light LG introduced into the illumination optical system 10 via the detection optical system 20 in the illumination optical system 10.

ガイド光LGを照明光学系10において検出させるステップS12において、集光点IF1と楕円面鏡12との間で、取り出しミラー32によってガイド光LGを取り出してもよい。そして、取り出しミラー32によって取り出されたガイド光LGの光軸の変化を、検出器25の検出面26と共役な位置でセンサ33に検出させてもよい。 In step S12, in which the guide light LG is detected in the illumination optical system 10, the guide light LG may be extracted by an extraction mirror 32 between the focusing point IF1 and the ellipsoidal mirror 12. Then, the change in the optical axis of the guide light LG extracted by the extraction mirror 32 may be detected by a sensor 33 at a position conjugate with the detection surface 26 of the detector 25.

また、ガイド光LGを照明光学系10において検出させるステップS12において、光源LSと楕円面鏡11との間で、取り出しミラー34によってガイド光LGを取り出してもよい。そして、取り出しミラー32によって取り出されたガイド光LGの光軸の変化を、検出器25の検出面26と共役な位置でセンサ35によって検出させてもよい。取り出しミラー32及び34によってガイド光LGを取り出す際に、照明光L1の光軸に直交する照明光L1の断面よりも外側の部分のガイド光LGを取り出してもよい。 In addition, in step S12 of detecting the guide light LG in the illumination optical system 10, the guide light LG may be extracted by an extraction mirror 34 between the light source LS and the ellipsoidal mirror 11. Then, a change in the optical axis of the guide light LG extracted by the extraction mirror 32 may be detected by a sensor 35 at a position conjugate with the detection surface 26 of the detector 25. When the guide light LG is extracted by the extraction mirrors 32 and 34, a portion of the guide light LG outside the cross section of the illumination light L1 perpendicular to the optical axis of the illumination light L1 may be extracted.

次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態の検査装置1は、検出光学系20にガイド光LGを導入し、導入されたガイド光LGを照明光学系10で取り出す。よって、照明光学系10で取り出されたガイド光LGに基づいて、照明光学系10及び検出光学系20を構成する各光学部材の位置の変化をモニタすることができる。これにより、照明光学系10及び検出光学系20における照明光L1及び反射光L2の光軸を高精度で調整することができる。 Next, the effects of this embodiment will be described. The inspection device 1 of this embodiment introduces guide light LG into the detection optical system 20, and the introduced guide light LG is extracted by the illumination optical system 10. Therefore, based on the guide light LG extracted by the illumination optical system 10, it is possible to monitor changes in the position of each optical member constituting the illumination optical system 10 and the detection optical system 20. This makes it possible to adjust the optical axes of the illumination light L1 and the reflected light L2 in the illumination optical system 10 and the detection optical system 20 with high precision.

また、ガイド光LGを検出器25の視野外から導入している。これにより、照明光L1を用いた検査中においても、ガイド光LGを用いた光学部材の位置の調整を行うことができる。 In addition, the guide light LG is introduced from outside the field of view of the detector 25. This makes it possible to adjust the position of the optical component using the guide light LG even during inspection using the illumination light L1.

さらに、開口絞りにおいて、反射光L2の光軸に直交する反射光L2の断面積は、ガイド光LGの光軸に直交するガイド光LGの断面積よりも小さくしている。よって、取り出しミラー32及び34は、照明光L1の光軸に直交する照明光L1の断面よりも外側の部分のガイド光LGを取り出すことができる。これにより、照明光L1を用いた検査中においても、照明光L1に影響を与えずに、ガイド光LGによる光学部材の位置の調整を行うことができる。 Furthermore, at the aperture stop, the cross-sectional area of the reflected light L2 perpendicular to the optical axis of the reflected light L2 is smaller than the cross-sectional area of the guide light LG perpendicular to the optical axis of the guide light LG. Therefore, the extraction mirrors 32 and 34 can extract the guide light LG from a portion outside the cross section of the illumination light L1 perpendicular to the optical axis of the illumination light L1. This makes it possible to adjust the position of the optical components using the guide light LG without affecting the illumination light L1, even during inspection using the illumination light L1.

(実施形態2)
次に、実施形態2に係るモニタ装置を説明する。本実施形態のモニタ装置は、楕円面鏡11及び12等の近傍でガイド光LGを取り出す。図8は、実施形態2に係る検査装置及びモニタ装置を例示した構成図である。図8に示すように、本実施形態2の検査装置2において、モニタ装置30aは、楕円面鏡12の近傍にセンサ33aを有する。センサ33aは、例えば、楕円面鏡12の周縁に配置されている。具体的には、センサ33aは、検査に用いる照明光L1のNAの外の部分を検出するように配置されている。センサ33aは、楕円面鏡12の近傍でガイド光の光軸の変化を検出する。
(Embodiment 2)
Next, a monitor device according to the second embodiment will be described. The monitor device of this embodiment extracts the guide light LG near the ellipsoidal mirrors 11 and 12. FIG. 8 is a configuration diagram illustrating an inspection device and a monitor device according to the second embodiment. As shown in FIG. 8, in the inspection device 2 of the second embodiment, the monitor device 30a has a sensor 33a near the ellipsoidal mirror 12. The sensor 33a is disposed, for example, on the periphery of the ellipsoidal mirror 12. Specifically, the sensor 33a is disposed so as to detect a portion outside the NA of the illumination light L1 used for inspection. The sensor 33a detects a change in the optical axis of the guide light near the ellipsoidal mirror 12.

また、検査装置2において、モニタ装置30aは、楕円面鏡11の近傍にセンサ35aを有する。センサ35aは、例えば、楕円面鏡11の周縁に配置されている。具体的には、センサ35aは、検査に用いる照明光L1のNAの外の部分を検出するように配置されている。センサ35aは、楕円面鏡11の近傍でガイド光の光軸の変化を検出する。 In addition, in the inspection device 2, the monitor device 30a has a sensor 35a near the ellipsoidal mirror 11. The sensor 35a is arranged, for example, on the periphery of the ellipsoidal mirror 11. Specifically, the sensor 35a is arranged so as to detect a portion outside the NA of the illumination light L1 used for the inspection. The sensor 35a detects a change in the optical axis of the guide light near the ellipsoidal mirror 11.

本実施形態のモニタ方法では、ガイド光LGを照明光学系10において検出させるステップS12において、楕円面鏡12の近傍でガイド光LGの光軸の変化を検出させる。また、ガイド光LGを照明光学系10において検出させるステップS12において、楕円面鏡11の近傍でガイド光LGの光軸の変化を検出させる。 In the monitoring method of this embodiment, in step S12 in which the guide light LG is detected in the illumination optical system 10, a change in the optical axis of the guide light LG is detected near the ellipsoidal mirror 12. Also, in step S12 in which the guide light LG is detected in the illumination optical system 10, a change in the optical axis of the guide light LG is detected near the ellipsoidal mirror 11.

本実施形態によれば、モニタ装置30aは、楕円面鏡11及び12の周縁等の近傍にセンサ33a及び35aを配置させ、ガイド光LGが一定状態に集光されるように、照明光学系10を調整する。モニタ装置30aは、楕円面鏡11及び12の近傍のガイド光LGを検出するので、楕円面鏡11及び12の位置の変化を高精度で検出することができる。これ以外の構成及び効果は、実施形態1の記載に含まれている。 According to this embodiment, the monitor device 30a places sensors 33a and 35a near the peripheries of the ellipsoidal mirrors 11 and 12, and adjusts the illumination optical system 10 so that the guide light LG is focused in a constant state. Since the monitor device 30a detects the guide light LG near the ellipsoidal mirrors 11 and 12, it can detect changes in the positions of the ellipsoidal mirrors 11 and 12 with high accuracy. Other configurations and effects are included in the description of embodiment 1.

(実施形態3)
次に、実施形態3に係るモニタ装置を説明する。前述の実施形態2のモニタ装置30aでは、センサ33a及び35aは、楕円面鏡11及び12に配置されている。よって、ガイド光LGの光軸方向における位置の変化の検出精度が低下する場合がある。そこで、本実施形態のモニタ装置は、ガイド光LGの光軸方向における各光学部材間の位置の変化を高精度で検出する。
(Embodiment 3)
Next, a monitor device according to a third embodiment will be described. In the monitor device 30a according to the second embodiment, the sensors 33a and 35a are disposed on the ellipsoidal mirrors 11 and 12. Therefore, the detection accuracy of the change in the position of the guide light LG in the optical axis direction may be reduced. Therefore, the monitor device according to the present embodiment detects the change in the position between the optical members in the optical axis direction of the guide light LG with high accuracy.

図9は、実施形態3に係る検査装置及びモニタ装置を例示した構成図である。図9に示すように、本実施形態の検査装置3において、モニタ装置30bは、前述のセンサ33a及び35aに加えて、計測部60を備えている。計測部60は、ビーム出射部61、ビームミラー62、干渉計測部63、ビーム出射部64、ビームミラー65、干渉計測部66を有している。 Figure 9 is a configuration diagram illustrating an inspection device and a monitor device according to embodiment 3. As shown in Figure 9, in the inspection device 3 of this embodiment, the monitor device 30b includes a measurement unit 60 in addition to the above-mentioned sensors 33a and 35a. The measurement unit 60 includes a beam emission unit 61, a beam mirror 62, an interference measurement unit 63, a beam emission unit 64, a beam mirror 65, and an interference measurement unit 66.

計測部60は、楕円面鏡12と落とし込みミラー13との間の距離の変化を計測する。例えば、ビーム出射部61及び干渉計測部63は、落とし込みミラー13または落とし込みミラー13の支持台に固定されている。ビームミラー62は、楕円面鏡12または楕円面鏡12の支持台に固定されている。 The measurement unit 60 measures the change in the distance between the ellipsoidal mirror 12 and the drop-in mirror 13. For example, the beam emission unit 61 and the interference measurement unit 63 are fixed to the drop-in mirror 13 or a support base for the drop-in mirror 13. The beam mirror 62 is fixed to the ellipsoidal mirror 12 or a support base for the ellipsoidal mirror 12.

なお、ビーム出射部61及び干渉計測部63と、ビームミラー62との位置関係が逆でもよい。すなわち、ビーム出射部61及び干渉計測部63は、楕円面鏡12または楕円面鏡12の支持台に固定され、ビームミラー62は、落とし込みミラー13または落とし込みミラー13の支持台に固定されてもよい。 The positional relationship between the beam emitting unit 61 and the interference measuring unit 63 and the beam mirror 62 may be reversed. That is, the beam emitting unit 61 and the interference measuring unit 63 may be fixed to the ellipsoidal mirror 12 or a support base for the ellipsoidal mirror 12, and the beam mirror 62 may be fixed to the drop-in mirror 13 or a support base for the drop-in mirror 13.

ビーム出射部61は、干渉計測用のビームを出射する。ビームは、例えば、可視光を含む。ビーム出射部61は、干渉計測用のビームを生成して出射してもよいし、干渉計測用のビームを受光及び反射することにより、干渉計測用のビームを出射してもよい。ビームミラー62は、ビーム出射部61が出射したビームを反射する。干渉計測部63は、ビーム出射部61が出射したビームとビームミラー62で反射したビームとの干渉により、楕円面鏡12と落とし込みミラー13との間の距離の変化を計測する。 The beam emitting unit 61 emits a beam for interference measurement. The beam includes, for example, visible light. The beam emitting unit 61 may generate and emit a beam for interference measurement, or may receive and reflect a beam for interference measurement to emit a beam for interference measurement. The beam mirror 62 reflects the beam emitted by the beam emitting unit 61. The interference measurement unit 63 measures the change in the distance between the ellipsoidal mirror 12 and the drop-in mirror 13 due to interference between the beam emitted by the beam emitting unit 61 and the beam reflected by the beam mirror 62.

また、計測部60は、楕円面鏡11と楕円面鏡12との間の距離の変化を計測する。例えば、ビーム出射部64及び干渉計測部66は、楕円面鏡12または楕円面鏡12の支持台に固定されている。ビームミラー62は、楕円面鏡11または楕円面鏡11の支持台に固定されている。 The measurement unit 60 also measures the change in the distance between the ellipsoidal mirror 11 and the ellipsoidal mirror 12. For example, the beam emission unit 64 and the interference measurement unit 66 are fixed to the ellipsoidal mirror 12 or a support base for the ellipsoidal mirror 12. The beam mirror 62 is fixed to the ellipsoidal mirror 11 or a support base for the ellipsoidal mirror 11.

なお、ビーム出射部64及び干渉計測部66と、ビームミラー65との位置関係が逆でもよい。すなわち、ビーム出射部64及び干渉計測部66は、楕円面鏡11または楕円面鏡11の支持台に固定され、ビームミラー65は、楕円面鏡12または楕円面鏡12の支持台に固定されてもよい。 The positional relationship between the beam emitting unit 64 and the interference measuring unit 66 and the beam mirror 65 may be reversed. That is, the beam emitting unit 64 and the interference measuring unit 66 may be fixed to the ellipsoidal mirror 11 or the support base of the ellipsoidal mirror 11, and the beam mirror 65 may be fixed to the ellipsoidal mirror 12 or the support base of the ellipsoidal mirror 12.

ビーム出射部64は、干渉計測用のビームを出射する。ビーム出射部64は、干渉計測用のビームを生成して出射してもよいし、干渉計測用のビームを受光及び反射することにより、干渉計測用のビームを出射してもよい。ビームミラー65は、ビーム出射部64が出射したビームを反射する。干渉計測部66は、ビーム出射部64が出射したビームとビームミラー65で反射したビームとの干渉により、楕円面鏡11と楕円面鏡12との間の距離の変化を計測する。 The beam emitting unit 64 emits a beam for interference measurement. The beam emitting unit 64 may generate and emit a beam for interference measurement, or may receive and reflect a beam for interference measurement to emit a beam for interference measurement. The beam mirror 65 reflects the beam emitted by the beam emitting unit 64. The interference measurement unit 66 measures the change in the distance between the ellipsoidal mirror 11 and the ellipsoidal mirror 12 by interference between the beam emitted by the beam emitting unit 64 and the beam reflected by the beam mirror 65.

本実施形態のモニタ方法は、楕円面鏡12と落とし込みミラーとの間の距離の変化を計測部60に計測させるステップをさらに備えてもよい。計測するステップは、以下の手順を含む。すなわち、ビーム出射部61にビームを出射させ、ビームミラー62にビームを反射させ、ビーム出射部61が出射したビームと、ビームミラー62で反射したビームとの干渉により、楕円面鏡12と落とし込みミラーとの間の距離の変化を干渉計測部63に計測させる。 The monitoring method of this embodiment may further include a step of having the measurement unit 60 measure the change in the distance between the ellipsoidal mirror 12 and the drop-in mirror. The measuring step includes the following steps. That is, the beam emission unit 61 emits a beam, the beam is reflected by the beam mirror 62, and the interference measurement unit 63 measures the change in the distance between the ellipsoidal mirror 12 and the drop-in mirror due to interference between the beam emitted by the beam emission unit 61 and the beam reflected by the beam mirror 62.

また、本実施形態のモニタ方法は、楕円面鏡11と楕円面鏡12との間の距離の変化を計測部60に計測させるステップをさらに備えてもよい。計測するステップは、以下の手順を含む。すなわち、ビーム出射部64にビームを出射させ、ビームミラー65にビームを反射させ、ビーム出射部64が出射したビームと、ビームミラー65で反射したビームとの干渉により、楕円面鏡11と楕円面鏡12との間の距離の変化を干渉計測部66に計測させる。 The monitoring method of this embodiment may further include a step of having the measurement unit 60 measure the change in the distance between the ellipsoidal mirror 11 and the ellipsoidal mirror 12. The measuring step includes the following steps. That is, the beam emission unit 64 emits a beam, the beam is reflected by the beam mirror 65, and the interference measurement unit 66 measures the change in the distance between the ellipsoidal mirror 11 and the ellipsoidal mirror 12 due to interference between the beam emitted by the beam emission unit 64 and the beam reflected by the beam mirror 65.

次に、本実施形態の効果を説明する。センサ33a及びセンサ35aは、ガイド光LGの光軸に直交する方向における位置の変化を高精度で検出することができる。一方、センサ33a及びセンサ35aは、ガイド光LGの光軸に平行な方向における位置の変化を高精度で検出することが困難な場合がある。そのような場合でも、本実施形態によれば、計測部60は、ガイド光LGの光軸に平行な方向における位置の変化を高精度で検出することができるので、照明光学系10の光学部材を高精度で調整することができる。これ以外の構成及び効果は、実施形態1及び2の記載に含まれている。 Next, the effects of this embodiment will be described. The sensors 33a and 35a can detect position changes in a direction perpendicular to the optical axis of the guide light LG with high accuracy. On the other hand, it may be difficult for the sensors 33a and 35a to detect position changes in a direction parallel to the optical axis of the guide light LG with high accuracy. Even in such cases, according to this embodiment, the measurement unit 60 can detect position changes in a direction parallel to the optical axis of the guide light LG with high accuracy, so that the optical members of the illumination optical system 10 can be adjusted with high accuracy. Other configurations and effects are included in the description of embodiments 1 and 2.

(実施形態4)
次に、実施形態4に係るモニタ装置を説明する。本実施形態のモニタ装置は、ガイド光導入部31と検出光学系20との間に干渉計測部を備えている。本実施形態の干渉計測部は、ガイド光LGを干渉させることにより、検出光学系20の各光学部材の位置の変化を検出する。
(Embodiment 4)
Next, a monitoring device according to embodiment 4 will be described. The monitoring device of this embodiment includes an interference measurement unit between the guide light introducing unit 31 and the detection optical system 20. The interference measurement unit of this embodiment detects a change in the position of each optical member of the detection optical system 20 by causing interference of the guide light LG.

図10は、実施形態4に係る検査装置及びモニタ装置を例示した構成図である。図10に示すように、本実施形態の検査装置4において、モニタ装置30cは、ガイド光導入部31、干渉計測部70、ガイド光ミラー75、及び、ステージ52の駆動部53を備えている。 Figure 10 is a configuration diagram illustrating an inspection device and a monitor device according to embodiment 4. As shown in Figure 10, in the inspection device 4 of this embodiment, the monitor device 30c includes a guide light introducing section 31, an interference measuring section 70, a guide light mirror 75, and a drive section 53 for a stage 52.

ガイド光ミラー75は、ステージ52上に配置されている。例えば、ガイド光ミラー75及びEUVマスク50は、ステージ52上に並んで配置されている。ガイド光ミラー75は、ガイド光導入部31から検出光学系20に導入されたガイド光LGを反射する。 The guide light mirror 75 is disposed on the stage 52. For example, the guide light mirror 75 and the EUV mask 50 are disposed side by side on the stage 52. The guide light mirror 75 reflects the guide light LG introduced from the guide light introduction part 31 to the detection optical system 20.

駆動部53は、ステージ52を、第1位置と第2位置との間で移動させる。駆動部53は、ステージ52をXY面内で移動させることにより、第1位置から第2位置に、または、第2位置から第1位置にステージ52を移動させる。 The driving unit 53 moves the stage 52 between the first position and the second position. The driving unit 53 moves the stage 52 in the XY plane, thereby moving the stage 52 from the first position to the second position, or from the second position to the first position.

第1位置は、落とし込みミラー13の下方に検査対象であるEUVマスク50が配置した位置である。第1位置は、EUVマスク50に対して照明光L1及びガイド光LGが入射する位置である。第1位置にステージ52が位置した場合には、干渉計測部70は、ガイド光導入部31と検出光学系20との間のガイド光LGの光路から外される。よって、モニタ装置30cは、センサ33及び35等によってガイド光LGを検出する。 The first position is a position where the EUV mask 50 to be inspected is placed below the drop-in mirror 13. The first position is a position where the illumination light L1 and the guide light LG are incident on the EUV mask 50. When the stage 52 is positioned at the first position, the interference measurement unit 70 is removed from the optical path of the guide light LG between the guide light introduction unit 31 and the detection optical system 20. Therefore, the monitor device 30c detects the guide light LG using sensors 33 and 35, etc.

第2位置は、落とし込みミラー13の下方にガイド光ミラー75が配置した位置である。第2位置は、ガイド光ミラー75に対してガイド光LGが入射する位置である。ステージ52が第2位置に位置した場合には、干渉計測部70は、ガイド光導入部31と検出光学系20との間のガイド光LGの光路に挿入される。第2位置において、干渉計測部70は、検出光学系20に導入される前のガイド光LGと、ガイド光ミラー75で反射したガイド光LGとの干渉によりガイド光LGの光軸の変化を検出する。 The second position is a position where the guide light mirror 75 is disposed below the drop-in mirror 13. The second position is a position where the guide light LG is incident on the guide light mirror 75. When the stage 52 is positioned at the second position, the interference measurement unit 70 is inserted into the optical path of the guide light LG between the guide light introduction unit 31 and the detection optical system 20. At the second position, the interference measurement unit 70 detects a change in the optical axis of the guide light LG due to interference between the guide light LG before it is introduced into the detection optical system 20 and the guide light LG reflected by the guide light mirror 75.

図11は、実施形態4に係るモニタ装置30cにおいて、干渉計測部70を例示した図である。図11に示すように、干渉計測部70は、ミラー71、レンズ72、ミラー73、センサ74を有している。ミラー71は、例えば、ハーフミラー、ビームスプリッタ等であり、ガイド光導入部31から出射したガイド光LGの一部を反射し、一部を透過させる。ミラー71で反射したガイド光LGは、レンズ72を介してミラー73で反射する。ミラー73で反射したガイド光LGは、レンズ72を介してミラー71に入射する。ミラー71に入射したガイド光LGの一部は、ミラー71を透過し、二次元センサ等のセンサ74に入射する。 Figure 11 is a diagram illustrating an example of an interference measurement unit 70 in a monitor device 30c according to embodiment 4. As shown in Figure 11, the interference measurement unit 70 has a mirror 71, a lens 72, a mirror 73, and a sensor 74. The mirror 71 is, for example, a half mirror, a beam splitter, or the like, and reflects a part of the guide light LG emitted from the guide light introduction unit 31 and transmits a part of it. The guide light LG reflected by the mirror 71 is reflected by the mirror 73 via the lens 72. The guide light LG reflected by the mirror 73 is incident on the mirror 71 via the lens 72. A part of the guide light LG incident on the mirror 71 transmits through the mirror 71 and is incident on a sensor 74 such as a two-dimensional sensor.

一方、ガイド光導入部31から出射したガイド光LGのうち、ミラー71を透過したガイド光LGは、検出光学系20に入射する。検出光学系20に入射したガイド光LGは、検出光学系20を介してガイド光ミラー75で反射し、検出光学系20を介してミラー71に入射する。ミラー71に入射したガイド光LGの一部は、ミラー71で反射し、センサ74に入射する。 On the other hand, the guide light LG emitted from the guide light introduction section 31 that passes through the mirror 71 enters the detection optical system 20. The guide light LG that enters the detection optical system 20 is reflected by the guide light mirror 75 via the detection optical system 20, and enters the mirror 71 via the detection optical system 20. A portion of the guide light LG that enters the mirror 71 is reflected by the mirror 71 and enters the sensor 74.

センサ74は、検出光学系20に導入される前のガイド光LGと、検出光学系20を介してガイド光ミラー75で反射したガイド光LGとの干渉を検出する。そして、センサ74は、例えば、干渉縞等の変化から、ガイド光LGの光軸の変化を検出する。 The sensor 74 detects interference between the guide light LG before it is introduced into the detection optical system 20 and the guide light LG reflected by the guide light mirror 75 via the detection optical system 20. The sensor 74 then detects a change in the optical axis of the guide light LG from, for example, a change in interference fringes.

次に、本実施形態の光学装置をモニタするモニタ方法を説明する。図12は、実施形態4に係るモニタ方法を例示したフローチャート図である。図12のステップS21に示すように、検出光学系20にガイド光LGを導入させる。例えば、ガイド光導入部31に、検出器25と検出光学系20との間から検出光学系20にガイド光LGを導入させる。 Next, a monitoring method for monitoring the optical device of this embodiment will be described. FIG. 12 is a flow chart illustrating a monitoring method according to the fourth embodiment. As shown in step S21 of FIG. 12, the guide light LG is introduced into the detection optical system 20. For example, the guide light introduction section 31 is caused to introduce the guide light LG into the detection optical system 20 from between the detector 25 and the detection optical system 20.

次に、ステップS22に示すように、ステージ52を第2位置へ移動させる。具体的には、EUVマスク50及びガイド光ミラー75が並んで載置されたステージ52を、第1位置から第2位置に移動させる。第1位置は、EUVマスク50に対して照明光L1及びガイド光LGが入射する位置である。第2位置は、ガイド光ミラー75に対してガイド光LGが入射する位置である。 Next, as shown in step S22, the stage 52 is moved to the second position. Specifically, the stage 52 on which the EUV mask 50 and the guide light mirror 75 are placed side by side is moved from the first position to the second position. The first position is the position where the illumination light L1 and the guide light LG are incident on the EUV mask 50. The second position is the position where the guide light LG is incident on the guide light mirror 75.

次に、ステップS23に示すように、干渉計測部70を挿入する。具体的には、ステージ52が第2位置に位置した場合に、ガイド光導入部31と検出光学系20との間のガイド光LGの光路に干渉計測部70を挿入させる。 Next, as shown in step S23, the interference measurement unit 70 is inserted. Specifically, when the stage 52 is positioned at the second position, the interference measurement unit 70 is inserted into the optical path of the guide light LG between the guide light introduction unit 31 and the detection optical system 20.

次に、ステップS24に示すように、ガイド光LGを干渉計測部70によって検出する。具体的には、検出光学系20に導入される前のガイド光LGと、ガイド光ミラー75で反射したガイド光LGとの干渉により、ガイド光LGの光軸の変化を干渉計測部70に検出させる。このようにして、光学系を構成する光学部材の位置の変化をモニタすることができる。 Next, as shown in step S24, the guide light LG is detected by the interference measurement unit 70. Specifically, the interference measurement unit 70 detects a change in the optical axis of the guide light LG due to interference between the guide light LG before it is introduced into the detection optical system 20 and the guide light LG reflected by the guide light mirror 75. In this way, it is possible to monitor the change in the position of the optical members that make up the optical system.

図13は、実施形態4の別の例に係るモニタ方法を例示したフローチャート図である。図13に示すように、前述のステップS21~S24の後に、ステップS25~S27をさらに備えてもよい。すなわち、ステップS25に示すように、ステージ52を第2位置から第1位置に移動させる。 Figure 13 is a flow chart illustrating a monitoring method according to another example of embodiment 4. As shown in Figure 13, steps S25 to S27 may be further included after the above-mentioned steps S21 to S24. That is, as shown in step S25, the stage 52 is moved from the second position to the first position.

次に、ステップS26に示すように、ガイド光LGの光路から干渉計測部70を外す。具体的には、ガイド光導入部31と検出光学系20との間のガイド光LGの光路から干渉計測部70を外す。 Next, as shown in step S26, the interference measurement unit 70 is removed from the optical path of the guide light LG. Specifically, the interference measurement unit 70 is removed from the optical path of the guide light LG between the guide light introduction unit 31 and the detection optical system 20.

次に、ステップS27に示すように、センサ33及び35等に、検出光学系20を介して照明光学系10に導入されたガイド光LGを照明光学系10において検出させる。このようにして、光学系を構成する光学部材の位置の変化をモニタしてもよい。 Next, as shown in step S27, the guide light LG introduced into the illumination optical system 10 via the detection optical system 20 is detected in the illumination optical system 10 by the sensors 33 and 35. In this way, the change in the position of the optical members that make up the optical system may be monitored.

次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態のモニタ装置30cは、検出光学系20に導入される前のガイド光LGと、検出光学系20を介してガイド光ミラーで反射したガイド光LGとの干渉によりガイド光LGの光軸の変化を検出する。よって、検出光学系20の各光学部材の位置を高精度で調整することができる。 Next, the effects of this embodiment will be described. The monitor device 30c of this embodiment detects changes in the optical axis of the guide light LG due to interference between the guide light LG before it is introduced into the detection optical system 20 and the guide light LG reflected by the guide light mirror via the detection optical system 20. Therefore, the position of each optical component of the detection optical system 20 can be adjusted with high accuracy.

また、干渉計測部70によるガイド光LGの光軸の変化の検出と、センサ33及び35等によるガイド光LGの光軸の変化の検出と、を組み合わせることより、光学系全体の光学部材の位置の変化を高精度で検出することができる。これ以外の構成及び効果は、実施形態1~3の記載に含まれている。 In addition, by combining the detection of changes in the optical axis of the guide light LG by the interference measurement unit 70 with the detection of changes in the optical axis of the guide light LG by the sensors 33 and 35, etc., it is possible to detect changes in the positions of the optical members of the entire optical system with high accuracy. Other configurations and effects are included in the description of embodiments 1 to 3.

以上、本開示の実施形態を説明したが、本開示はその目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態よる限定は受けない。また、実施形態1~4の各構成は、適宜、組み合わせてもよい。 Although the embodiments of the present disclosure have been described above, the present disclosure includes appropriate modifications that do not impair the objects and advantages thereof, and is not limited to the above-described embodiments. Furthermore, the configurations of embodiments 1 to 4 may be combined as appropriate.

また、モニタ装置30~30cを処理部40に接続させ、処理部40にモニタ装置30~30cを制御させてもよい。その場合には、上記したモニタ装置30~30cの処理のうちの一部又は全部は、コンピュータプログラムによって実行されてもよい。 The monitor devices 30 to 30c may also be connected to the processing unit 40, and the processing unit 40 may control the monitor devices 30 to 30c. In this case, some or all of the processing of the monitor devices 30 to 30c described above may be executed by a computer program.

コンピュータプログラムは、コンピュータに読み込まれた場合に、実施形態で説明された1又はそれ以上の機能をコンピュータに行わせるための命令群(又はソフトウェアコード)を含む。プログラムは、非一時的なコンピュータ可読媒体又は実体のある記憶媒体に格納されてもよい。限定ではなく例として、コンピュータ可読媒体又は実体のある記憶媒体は、random-access memory(RAM)、read-only memory(ROM)、フラッシュメモリ、solid-state drive(SSD)又はその他のメモリ技術、CD-ROM、digital versatile disc(DVD)、Blu-ray(登録商標)ディスク又はその他の光ディスクストレージ、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスクストレージ又はその他の磁気ストレージデバイスを含む。プログラムは、一時的なコンピュータ可読媒体又は通信媒体上で送信されてもよい。限定ではなく例として、一時的なコンピュータ可読媒体又は通信媒体は、電気的、光学的、音響的、またはその他の形式の伝搬信号を含む。 A computer program includes instructions (or software code) that, when loaded into a computer, causes the computer to perform one or more functions described in the embodiments. The program may be stored on a non-transitory computer-readable medium or a tangible storage medium. By way of example and not limitation, computer-readable media or tangible storage media include random-access memory (RAM), read-only memory (ROM), flash memory, solid-state drive (SSD) or other memory technology, CD-ROM, digital versatile disc (DVD), Blu-ray (registered trademark) disk or other optical disk storage, magnetic cassette, magnetic tape, magnetic disk storage or other magnetic storage device. The program may be transmitted on a transitory computer-readable medium or communication medium. By way of example and not limitation, a transitory computer-readable medium or communication medium includes electrical, optical, acoustic, or other forms of propagated signals.

また、本実施形態のモニタ方法をコンピュータに実行させる下記のモニタプログラムも実施形態の技術思想に含まれる。 The technical concept of the embodiment also includes the following monitor program that causes a computer to execute the monitoring method of the embodiment.

光源で生成された照明光によるクリティカル照明を用いて、試料を照明する照明光学系と、
前記照明光によって照明された前記試料からの光を集光し、集光した前記光を検出器に導く検出光学系と、
を備えた光学装置のモニタプログラムであって、
ガイド光導入部に、前記検出器と前記検出光学系との間から前記検出光学系にガイド光を導入させ、
センサに、前記検出光学系を介して前記照明光学系に導入された前記ガイド光を前記照明光学系において検出させる、
ことをコンピュータに実行させるモニタプログラム。
an illumination optical system that illuminates a sample using critical illumination by illumination light generated by a light source;
a detection optical system that collects light from the sample illuminated by the illumination light and guides the collected light to a detector;
A monitor program for an optical device comprising:
a guide light introduction section that introduces a guide light into the detection optical system from between the detector and the detection optical system;
a sensor is caused to detect, in the illumination optical system, the guide light introduced into the illumination optical system via the detection optical system;
A monitor program that causes a computer to do the following:

1、2、3、4 検査装置
10 照明光学系
11 楕円面鏡
12 楕円面鏡
13 落とし込みミラー
20 検出光学系
21 穴開き凹面鏡
21h 穴
22 凸面鏡
23 平面鏡
24 凹面鏡
25 検出器
26 検出面
30、30a、30b、30c モニタ装置
31 ガイド光導入部
32 取り出しミラー
33、33a センサ
34 取り出しミラー
35、35a センサ
36 折り返しミラー
37 光ファイバ
38 レンズ
40 処理部
50 EUVマスク
51 上面
52 ステージ
53 駆動部
60 計測部
61 ビーム出射部
62 ビームミラー
63 干渉計測部
64 ビーム出射部
65 ビームミラー
66 干渉計測部
70 干渉計測部
71 ミラー
72 レンズ
73 ミラー
74 センサ
75 ガイド光ミラー
IF1 集光点
IF2 集光点
L1 照明光
L2 反射光
LG ガイド光
LS 光源
Reference Signs List 1, 2, 3, 4 Inspection apparatus 10 Illumination optical system 11 Ellipsoidal mirror 12 Ellipsoidal mirror 13 Drop-in mirror 20 Detection optical system 21 Holed concave mirror 21h Hole 22 Convex mirror 23 Plane mirror 24 Concave mirror 25 Detector 26 Detection surface 30, 30a, 30b, 30c Monitor device 31 Guide light introduction section 32 Extraction mirror 33, 33a Sensor 34 Extraction mirror 35, 35a Sensor 36 Folding mirror 37 Optical fiber 38 Lens 40 Processing section 50 EUV mask 51 Upper surface 52 Stage 53 Driving section 60 Measurement section 61 Beam emission section 62 Beam mirror 63 Interference measurement section 64 Beam emission section 65 Beam mirror 66 Interference measurement section 70 Interference measurement section 71 Mirror 72 Lens 73 Mirror 74 Sensor 75 Guide light mirror IF1 Focus point IF2 Converging point L1 Illumination light L2 Reflected light LG Guide light LS Light source

Claims (24)

光源で生成された照明光によるクリティカル照明を用いて、試料を照明する照明光学系と、
前記照明光によって照明された前記試料からの光を集光し、集光した前記光を検出器に導く検出光学系と、
を備えた光学装置をモニタするモニタ装置であって、
前記検出器と前記検出光学系との間から前記検出光学系にガイド光を導入するガイド光導入部と、
前記検出光学系を介して前記照明光学系に導入された前記ガイド光を前記照明光学系において検出するセンサと、
を備えたモニタ装置。
an illumination optical system that illuminates a sample using critical illumination by illumination light generated by a light source;
a detection optical system that collects light from the sample illuminated by the illumination light and guides the collected light to a detector;
A monitor device for monitoring an optical device comprising:
a guide light introducing section that introduces a guide light into the detection optical system from between the detector and the detection optical system;
a sensor that detects, in the illumination optical system, the guide light introduced into the illumination optical system via the detection optical system;
A monitor device comprising:
前記検出光学系は、
前記試料からの前記光を集光し、集光した前記光を収束光として反射する穴開き凹面鏡と、
前記穴開き凹面鏡で反射した前記光を反射させる凸面鏡と、
前記凸面鏡で反射した前記光を前記穴開き凹面鏡の穴を通して前記収束光として入射させる平面鏡と、
前記収束光として前記平面鏡で反射した前記光が開口絞りを介して発散光として入射され、入射した前記光を前記収束光として前記検出器に対して反射させる凹面鏡と、
を有し、
前記開口絞りにおいて、前記光の光軸に直交する前記光の断面積は、前記ガイド光の前記光軸に直交する前記ガイド光の前記断面積よりも小さい、
請求項1に記載のモニタ装置。
The detection optical system includes:
a concave mirror with a hole that collects the light from the sample and reflects the collected light as convergent light;
a convex mirror that reflects the light reflected by the perforated concave mirror;
a plane mirror that causes the light reflected by the convex mirror to enter as the convergent light through a hole in the perforated concave mirror;
the light reflected by the plane mirror as the convergent light is incident as a divergent light via an aperture stop, and a concave mirror which reflects the incident light as the convergent light to the detector;
having
In the aperture stop, a cross-sectional area of the light perpendicular to an optical axis of the light is smaller than a cross-sectional area of the guide light perpendicular to the optical axis of the guide light.
2. The monitor device according to claim 1.
前記照明光学系は、
前記光源から生成された前記照明光を収束光として反射させる第1楕円面鏡と、
前記第1楕円面鏡で反射した前記照明光が集光点を介して発散光として入射され、入射した前記照明光を前記収束光として反射させる第2楕円面鏡と、
前記第2楕円面鏡で反射した前記照明光を前記試料に対して反射することにより、前記照明光を前記試料に入射させる落とし込みミラーと、
を有する、
請求項1に記載のモニタ装置。
The illumination optical system includes:
a first ellipsoidal mirror that reflects the illumination light generated from the light source as convergent light;
the illumination light reflected by the first ellipsoidal mirror is incident as divergent light via a light-converging point on a second ellipsoidal mirror, the second ellipsoidal mirror reflecting the incident illumination light as the convergent light;
a drop mirror that reflects the illumination light reflected by the second ellipsoidal mirror toward the sample, thereby causing the illumination light to be incident on the sample;
having
2. The monitor device according to claim 1.
前記集光点と前記第2楕円面鏡との間で前記ガイド光を取り出す取り出しミラーをさらに備え、
前記センサは、前記取り出しミラーによって取り出された前記ガイド光の光軸の変化を、前記検出器の検出面と共役な位置で検出する、
請求項3に記載のモニタ装置。
a mirror for extracting the guide light between the light collecting point and the second ellipsoidal mirror,
The sensor detects a change in the optical axis of the guide light extracted by the extraction mirror at a position conjugate with a detection surface of the detector.
4. The monitor device according to claim 3.
前記光源と前記第1楕円面鏡との間で前記ガイド光を取り出す取り出しミラーをさらに備え、
前記センサは、前記取り出しミラーによって取り出された前記ガイド光の光軸の変化を、前記検出器の検出面と共役な位置で検出する、
請求項3に記載のモニタ装置。
a mirror for extracting the guide light between the light source and the first ellipsoidal mirror,
The sensor detects a change in the optical axis of the guide light extracted by the extraction mirror at a position conjugate with a detection surface of the detector.
4. The monitor device according to claim 3.
前記取り出しミラーは、前記照明光の光軸に直交する前記照明光の断面よりも外側の部分の前記ガイド光を取り出す、
請求項4または5に記載のモニタ装置。
the extraction mirror extracts the guide light in a portion outside a cross section of the illumination light perpendicular to an optical axis of the illumination light.
6. The monitor device according to claim 4 or 5.
前記センサは、前記第2楕円面鏡の近傍で前記ガイド光の光軸の変化を検出する、
請求項3に記載のモニタ装置。
The sensor detects a change in the optical axis of the guide light in the vicinity of the second ellipsoidal mirror.
4. The monitor device according to claim 3.
前記センサは、前記第1楕円面鏡の近傍で前記ガイド光の光軸の変化を検出する、
請求項3に記載のモニタ装置。
The sensor detects a change in the optical axis of the guide light in the vicinity of the first ellipsoidal mirror.
4. The monitor device according to claim 3.
前記第2楕円面鏡と前記落とし込みミラーとの間の距離の変化を計測する計測部をさらに備え、
前記計測部は、
ビームを出射するビーム出射部と、
前記ビームを反射するビームミラーと、
前記ビーム出射部が出射した前記ビームと、前記ビームミラーで反射した前記ビームとの干渉により、前記距離の変化を計測する干渉計測部と、
を有する、
請求項7に記載のモニタ装置。
a measuring unit that measures a change in the distance between the second ellipsoidal mirror and the drop-in mirror;
The measurement unit is
a beam emitting unit that emits a beam;
a beam mirror that reflects the beam;
an interference measuring unit that measures a change in the distance based on interference between the beam emitted by the beam emitting unit and the beam reflected by the beam mirror;
having
8. The monitor device according to claim 7.
前記第1楕円面鏡と前記第2楕円面鏡との間の距離の変化を計測する計測部をさらに備え、
前記計測部は、
ビームを出射するビーム出射部と、
前記ビームを反射するビームミラーと、
前記ビーム出射部が出射した前記ビームと、前記ビームミラーで反射した前記ビームとの干渉により前記距離の変化を計測する干渉計測部と、
を有する、
請求項8に記載のモニタ装置。
a measurement unit that measures a change in a distance between the first ellipsoidal mirror and the second ellipsoidal mirror,
The measurement unit is
a beam emitting unit that emits a beam;
a beam mirror that reflects the beam;
an interference measuring unit that measures a change in the distance based on interference between the beam emitted by the beam emitting unit and the beam reflected by the beam mirror;
having
9. The monitor device according to claim 8.
光源で生成された照明光によるクリティカル照明を用いて、試料を照明する照明光学系と、
前記照明光によって照明された前記試料からの光を集光し、集光した前記光を検出器に導く検出光学系と、
を備えた光学装置をモニタするモニタ装置であって、
前記検出器と前記検出光学系との間から前記検出光学系にガイド光を導入するガイド光導入部と、
前記試料、及び、前記ガイド光を反射させるガイド光ミラーが並んで載置されたステージを、前記試料に対して前記照明光及び前記ガイド光が入射する第1位置と、前記ガイド光ミラーに対して前記ガイド光が入射する第2位置と、の間で移動させる駆動部と、
前記ステージが前記第2位置に位置した場合に、前記ガイド光導入部と前記検出光学系との間の前記ガイド光の光路に挿入される干渉計測部と、
を備え、
前記干渉計測部は、前記検出光学系に導入される前の前記ガイド光と、前記ガイド光ミラーで反射した前記ガイド光との干渉により前記ガイド光の光軸の変化を検出する、
モニタ装置。
an illumination optical system that illuminates a sample using critical illumination by illumination light generated by a light source;
a detection optical system that collects light from the sample illuminated by the illumination light and guides the collected light to a detector;
A monitor device for monitoring an optical device comprising:
a guide light introducing section that introduces a guide light into the detection optical system from between the detector and the detection optical system;
a drive unit that moves a stage, on which the sample and a guide light mirror that reflects the guide light are placed side by side, between a first position where the illumination light and the guide light are incident on the sample and a second position where the guide light is incident on the guide light mirror;
an interference measurement unit that is inserted into an optical path of the guide light between the guide light introduction unit and the detection optical system when the stage is located at the second position;
Equipped with
the interference measurement unit detects a change in the optical axis of the guide light due to interference between the guide light before being introduced into the detection optical system and the guide light reflected by the guide light mirror.
Monitor device.
前記検出光学系を介して前記照明光学系に導入された前記ガイド光を前記照明光学系において検出するセンサをさらに備え、
前記ステージが前記第1位置に位置した場合には、前記干渉計測部は、前記ガイド光導入部と前記検出光学系との間の前記ガイド光の前記光路から外された、
請求項11に記載のモニタ装置。
a sensor that detects, in the illumination optical system, the guide light introduced into the illumination optical system via the detection optical system;
When the stage is located at the first position, the interference measurement unit is removed from the optical path of the guide light between the guide light introduction unit and the detection optical system.
12. The monitor device of claim 11.
光源で生成された照明光によるクリティカル照明を用いて、試料を照明する照明光学系と、
前記照明光によって照明された前記試料からの光を集光し、集光した前記光を検出器に導く検出光学系と、
を備えた光学装置のモニタ方法であって、
ガイド光導入部に、前記検出器と前記検出光学系との間から前記検出光学系にガイド光を導入させるステップと、
センサに、前記検出光学系を介して前記照明光学系に導入された前記ガイド光を前記照明光学系において検出させるステップと、
を備えたモニタ方法。
an illumination optical system that illuminates a sample using critical illumination by illumination light generated by a light source;
a detection optical system that collects light from the sample illuminated by the illumination light and guides the collected light to a detector;
A method for monitoring an optical device comprising:
A step of causing a guide light introducing unit to introduce a guide light into the detection optical system from between the detector and the detection optical system;
a step of causing a sensor to detect, in the illumination optical system, the guide light introduced into the illumination optical system via the detection optical system;
A monitoring method comprising:
前記検出光学系は、
前記試料からの前記光を集光し、集光した前記光を収束光として反射する穴開き凹面鏡と、
前記穴開き凹面鏡で反射した前記光を反射させる凸面鏡と、
前記凸面鏡で反射した前記光を前記穴開き凹面鏡の穴を通して前記収束光として入射させる平面鏡と、
前記収束光として前記平面鏡で反射した前記光が開口絞りを介して発散光として入射され、入射した前記光を前記収束光として前記検出器に対して反射させる凹面鏡と、
を有し、
前記開口絞りにおいて、前記光の光軸に直交する前記光の断面積は、前記ガイド光の前記光軸に直交する前記ガイド光の前記断面積よりも小さい、
請求項13に記載のモニタ方法。
The detection optical system includes:
a concave mirror with a hole that collects the light from the sample and reflects the collected light as convergent light;
a convex mirror that reflects the light reflected by the perforated concave mirror;
a plane mirror that causes the light reflected by the convex mirror to enter as the convergent light through a hole in the perforated concave mirror;
the light reflected by the plane mirror as the convergent light is incident as a divergent light via an aperture stop, and a concave mirror which reflects the incident light as the convergent light to the detector;
having
In the aperture stop, a cross-sectional area of the light perpendicular to an optical axis of the light is smaller than a cross-sectional area of the guide light perpendicular to the optical axis of the guide light.
The monitoring method according to claim 13.
前記照明光学系は、
前記光源から生成された前記照明光を収束光として反射させる第1楕円面鏡と、
前記第1楕円面鏡で反射した前記照明光が集光点を介して発散光として入射され、入射した前記照明光を前記収束光として反射させる第2楕円面鏡と、
前記第2楕円面鏡で反射した前記照明光を前記試料に対して反射することにより前記照明光を前記試料に入射させる落とし込みミラーと、
を有する、
請求項13に記載のモニタ方法。
The illumination optical system includes:
a first ellipsoidal mirror that reflects the illumination light generated from the light source as convergent light;
the illumination light reflected by the first ellipsoidal mirror is incident as divergent light via a light-converging point on a second ellipsoidal mirror, the second ellipsoidal mirror reflecting the incident illumination light as the convergent light;
a drop mirror that reflects the illumination light reflected by the second ellipsoidal mirror toward the sample, thereby causing the illumination light to be incident on the sample;
having
The monitoring method according to claim 13.
前記ガイド光を前記照明光学系において検出させるステップにおいて、
前記集光点と前記第2楕円面鏡との間で、取り出しミラーによって前記ガイド光を取り出し、
前記取り出しミラーによって取り出された前記ガイド光の光軸の変化を、前記検出器の検出面と共役な位置で前記センサに検出させる、
請求項15に記載のモニタ方法。
In the step of detecting the guide light in the illumination optical system,
extracting the guide light by an extraction mirror between the light collecting point and the second ellipsoidal mirror;
a sensor that detects a change in the optical axis of the guide light extracted by the extraction mirror at a position conjugate with a detection surface of the detector;
16. The monitoring method of claim 15.
前記ガイド光を前記照明光学系において検出させるステップにおいて、
前記光源と前記第1楕円面鏡との間で、取り出しミラーによって前記ガイド光を取り出し、
前記取り出しミラーによって取り出された前記ガイド光の光軸の変化を、前記検出器の検出面と共役な位置で前記センサに検出させる、
請求項15に記載のモニタ方法。
In the step of detecting the guide light in the illumination optical system,
extracting the guide light by an extraction mirror between the light source and the first ellipsoidal mirror;
a sensor that detects a change in the optical axis of the guide light extracted by the extraction mirror at a position conjugate with a detection surface of the detector;
16. The monitoring method of claim 15.
前記取り出しミラーによって前記ガイド光を取り出す際に、前記照明光の光軸に直交する前記照明光の断面よりも外側の部分の前記ガイド光を取り出す、
請求項16または17に記載のモニタ方法。
When the guide light is extracted by the extraction mirror, a portion of the guide light that is outside a cross section of the illumination light that is perpendicular to an optical axis of the illumination light is extracted.
18. A monitoring method according to claim 16 or 17.
前記ガイド光を前記照明光学系において検出させるステップにおいて、
前記第2楕円面鏡の近傍で前記ガイド光の光軸の変化を検出させる、
請求項15に記載のモニタ方法。
In the step of detecting the guide light in the illumination optical system,
detecting a change in the optical axis of the guide light in the vicinity of the second ellipsoidal mirror;
16. The monitoring method of claim 15.
前記ガイド光を前記照明光学系において検出させるステップにおいて、
前記第1楕円面鏡の近傍で前記ガイド光の光軸の変化を検出させる、
請求項15に記載のモニタ方法。
In the step of detecting the guide light in the illumination optical system,
detecting a change in the optical axis of the guide light in the vicinity of the first ellipsoidal mirror;
16. The monitoring method of claim 15.
前記第2楕円面鏡と前記落とし込みミラーとの間の距離の変化を計測部に計測させるステップをさらに備え、
前記計測させるステップは、
ビーム出射部にビームを出射させ、
ビームミラーに前記ビームを反射させ、
前記ビーム出射部が出射した前記ビームと、前記ビームミラーで反射した前記ビームとの干渉により前記距離の変化を干渉計測部に計測させる、
請求項19に記載のモニタ方法。
a step of measuring a change in a distance between the second ellipsoidal mirror and the drop-in mirror,
The step of measuring includes:
A beam is emitted from the beam emission section,
reflecting the beam on a beam mirror;
causing an interference measuring unit to measure a change in the distance due to interference between the beam emitted by the beam emitting unit and the beam reflected by the beam mirror;
20. The monitoring method of claim 19.
前記第1楕円面鏡と前記第2楕円面鏡との間の距離の変化を計測部に計測させるステップをさらに備え、
前記計測させるステップは、
ビーム出射部にビームを出射させ、
ビームミラーに前記ビームを反射させ、
前記ビーム出射部が出射した前記ビームと、前記ビームミラーで反射した前記ビームとの干渉により前記距離の変化を干渉計測部に計測させる、
請求項20に記載のモニタ方法。
a step of measuring a change in a distance between the first ellipsoidal mirror and the second ellipsoidal mirror,
The step of measuring includes:
A beam is emitted from the beam emission section,
reflecting the beam on a beam mirror;
causing an interference measuring unit to measure a change in the distance due to interference between the beam emitted by the beam emitting unit and the beam reflected by the beam mirror;
21. The monitoring method of claim 20.
光源で生成された照明光によるクリティカル照明を用いて、試料を照明する照明光学系と、
前記照明光によって照明された前記試料からの光を集光し、集光した前記光を検出器に導く検出光学系と、
を備えた光学装置をモニタするモニタ方法であって、
ガイド光導入部に、前記検出器と前記検出光学系との間から前記検出光学系にガイド光を導入させるステップと、
前記試料、及び、前記ガイド光を反射させるガイド光ミラーが並んで載置されたステージを、前記試料に対して前記照明光及び前記ガイド光が入射する第1位置から、前記ガイド光ミラーに対して前記ガイド光が入射する第2位置へ移動させるステップと、
前記ステージが前記第2位置に位置した場合に、前記ガイド光導入部と前記検出光学系との間の前記ガイド光の光路に干渉計測部を挿入させるステップと、
前記検出光学系に導入される前の前記ガイド光と、前記ガイド光ミラーで反射した前記ガイド光との干渉により、前記ガイド光の光軸の変化を前記干渉計測部に検出させるステップと、
を備えたモニタ方法。
an illumination optical system that illuminates a sample using critical illumination by illumination light generated by a light source;
a detection optical system that collects light from the sample illuminated by the illumination light and guides the collected light to a detector;
A monitoring method for monitoring an optical device comprising:
A step of causing a guide light introducing unit to introduce a guide light into the detection optical system from between the detector and the detection optical system;
moving a stage on which the sample and a guide light mirror that reflects the guide light are placed side by side from a first position where the illumination light and the guide light are incident on the sample to a second position where the guide light is incident on the guide light mirror;
When the stage is located at the second position, an interference measurement unit is inserted into an optical path of the guide light between the guide light introduction unit and the detection optical system;
a step of causing the interference measurement unit to detect a change in the optical axis of the guide light due to interference between the guide light before being introduced into the detection optical system and the guide light reflected by the guide light mirror;
A monitoring method comprising:
前記ステージを前記第2位置から前記第1位置へ移動させるステップと、
前記ガイド光導入部と前記検出光学系との間の前記ガイド光の光路から前記干渉計測部を外すステップと、
センサに、前記検出光学系を介して前記照明光学系に導入された前記ガイド光を前記照明光学系において検出させるステップと、
をさらに備えた、
請求項23に記載のモニタ方法。
moving the stage from the second position to the first position;
removing the interference measurement unit from an optical path of the guide light between the guide light introduction unit and the detection optical system;
a step of causing a sensor to detect, in the illumination optical system, the guide light introduced into the illumination optical system via the detection optical system;
Further equipped with
24. The monitoring method of claim 23.
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