JP2024058174A - 電波伝送方法、及び、電波伝送システム - Google Patents

Abstract

【課題】受信端末における電波の受信強度を増大させるために、反射板の反射角度と各反射素子の位相変化量とを簡単に設定可能な電波伝送方法、及び、電波伝送システムを提供する。【解決手段】電波伝送方法は、受信端末の電波の受信強度が大きくなるように反射板の反射角度を調整する角度調整処理と、受信強度が大きくなるように反射板の複数の反射素子の複数の位相変化量の分布を調整する位相調整処理とを行い、複数の位相変化量は、複数の反射素子が電波を反射する際に複数の反射位相を２値化又は多値化して得られる位相の変化量であり、位相調整処理は、複数の第１反射位相を設定して第１受信強度を計測し、複数の第１反射位相に対して共通の所定の反射位相を加算又は減算した複数の第２反射位相を設定して第２受信強度を計測し、第１及び第２受信強度に基づいて調整した複数の位相変化量の分布を取得する。【選択図】図１２Ｃ

Description

本開示は、電波伝送方法、及び、電波伝送システムに関する。

従来より、波と相互作用する表面であって、前記波が該表面によって反射又は透過されるように該表面のインピーダンスを変化させるための複数の同調可能素子を備える表面（反射面）と、前記複数の同調可能素子の各々を制御するように前記表面に接続された制御装置と、を備える整形デバイスがある。整形デバイスは、前記制御装置に接続され且つパイロット信号を受信する送信モジュールを更に備え、前記制御装置が、前記送信モジュールが受信した前記パイロット信号に応じて前記複数の同調可能素子を制御する。各同調可能素子が二つの状態のみを有し、全ての同調可能素子の状態が、表面のインピーダンスを定める。二つの状態は、位相シフトに対応している。複数の同調可能素子は、電磁的同調可能特性を有する電磁素子である（例えば、特許文献１参照）。

特表２０１６－５３６９３１号公報

ところで、従来の整形デバイス（反射板）に関して、複数の同調可能素子（反射素子）が波（電波）の位相を変化させる量（位相変化量）をどのように設定するかについての具体的な開示はない。

例えば、反射板が反射した電波を受信端末が受信する際の受信強度が大きくなるように各反射素子における位相変化量を少しずつ変化させながら各反射素子における最適な位相変化量を探索すると、計算量が膨大になり、簡単な作業では済まない。

そこで、受信端末における電波の受信強度を増大させるために、反射板の位相変化量を簡単に設定可能な電波伝送方法、及び、電波伝送システムを提供することを目的とする。

本開示の実施形態の電波伝送方法は、複数の反射素子を有し、反射角度を走査可能な反射板を含み、前記反射板の反射角度を走査する、電波伝送システムにおいて、前記受信端末における前記電波の受信強度が大きくなるように、前記反射角度を調整する角度調整処理と、前記受信端末における前記電波の受信強度が大きくなるように、前記複数の反射素子が前記電波を反射する際に前記電波の位相を変化させる複数の位相変化量の分布を調整する位相調整処理とを行い、前記複数の位相変化量は、前記複数の反射素子が前記電波を反射する際に、前記複数の反射素子に設定される複数の反射位相を２値化又は多値化して得られる位相の変化量であり、前記位相調整処理は、複数の第１反射位相を前記複数の反射素子に設定した状態で、前記受信端末における前記電波の第１受信強度を計測する第１計測処理と、前記複数の第１反射位相に対して共通の所定の反射位相を加算又は減算した複数の第２反射位相、又は、前記複数の第１反射位相を２値化又は多値化する際に用いる前記２値又は前記多値の範囲を表す位相範囲を変更して得る複数の第２反射位相を前記複数の反射素子に設定した状態で、前記受信端末における前記電波の第２受信強度を計測する第２計測処理と、前記第１受信強度及び前記第２受信強度に基づいて調整した前記複数の位相変化量の分布を取得する反射位相取得処理とを有する。

受信端末における電波の受信強度を増大させるために、反射板の反射角度と各反射素子の位相変化量とを簡単に設定可能な電波伝送方法、及び、電波伝送システムを提供できる。

本開示の一実施形態における電波伝送システムの動作説明図である。 実施形態の電波伝送システムの構成の一例を示すブロック図である。 実施形態の電波伝送システムを壁に取り付けた状態の一例を示す図である。 実施形態の反射板の複数のセルの配列の一例を示す図である。 実施形態の反射板での反射角度の調整の原理の一例を説明する図である。 実施形態の反射板での反射角度の調整の原理の一例を説明する図である。 実施形態の反射板のセルの構成の一例を示す図である。 共振素子のＰＩＮダイオードのオンとオフによるセル内での共振素子の結合状態の一例を示す図である。 共振素子のＰＩＮダイオードのオンとオフによるセル内での共振素子の結合状態の一例を示す図である。 共振素子のＰＩＮダイオードのオンとオフによるセル内での共振素子の結合状態の一例を示す図である。 共振素子のＰＩＮダイオードのオンとオフによるセル内での共振素子の結合状態の一例を示す図である。 極座標系における天頂角θ及び方位角φを示す図である。 反射板の反射面を水平方向に向けて配置した状態における仰角Θ及び方位角Φを示す図である。 無線基地局と受信端末との間における電波の経路の一例を示す図である。 実施形態の電波伝送方法の位相調整処理の一例を説明する図である。 実施形態の電波伝送方法の位相調整処理の一例を説明する図である。 反射板の反射波の指向性の測定結果の一例を示す図である。 反射板の反射波の指向性の測定結果の一例を示す図である。 反射板の反射波の指向性の測定結果の一例を示す図である。 反射板の反射波の指向性の測定結果の一例を示す図である。 実施形態の電波伝送システムの制御部が実行する処理の一例を表すフローチャートである。 実施形態の電波伝送システムの制御部が実行する処理の一例を表すフローチャートである。 実施形態の電波伝送システムの制御部が実行する処理の一例を表すフローチャートである。 実証実験を行った際の実施形態の反射板と比較用の反射板との配置の一例を示す図である。 実験結果の一例を示す図である。 実施形態の変形例の位相調整処理の一例を表すフローチャートである。

以下、本開示の電波伝送方法、及び、電波伝送システムを適用した実施形態について説明する。以下では、同一の要素に同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。

以下では、ＸＹＺ座標系を定義して説明する。Ｘ軸に平行な方向（Ｘ方向）、Ｙ軸に平行な方向（Ｙ方向）、Ｚ軸に平行な方向（Ｚ方向）は、互いに直交する。また、以下では、説明の便宜上、－Ｚ方向側を下側又は下、＋Ｚ方向側を上側又は上と称す場合がある。また、平面視とはＸＹ面視することをいう。また、以下では構成が分かりやすくなるように各部の長さ、太さ、厚さ等を誇張して示す場合がある。また、平行、直角、直交、水平、垂直、上下等の文言は、実施形態の効果を損なわない程度のずれを許容するものとする。

また、以下の説明で、「電波」とは電磁波の一種であり、一般的に、３ＴＨｚ以下の電磁波は電波と呼ばれている。以下では、屋外の基地局又は中継局から放射された電磁波を「電波」と呼び、電磁波一般について言及するときは「電磁波」と呼ぶ。また、以下では、「ミリ波」又は「ミリ波帯」というときは、３０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの周波数帯域に加えて、２４ＧＨｚ～３０ＧＨｚの準ミリ波帯も含むものとする。

実施形態の電波伝送システムに含まれる反射板が反射する電波は、第五世代移動通信システム（５Ｇ）等のミリ波帯や、Ｓｕｂ－６を含む１ＧＨｚ～３０ＧＨｚの周波数帯域の電波であると好適である。また、実施形態の電波伝送システムに含まれる反射板が反射する電波は、ＬＴＥ（Long Term Evolution）、ＬＴＥ－Ａ（LTE-Advanced）、又はＵＭＢ（Ultra Mobile Broadband）であってもよい。また、実施形態の電波伝送システムに含まれる反射板が反射する電波は、ＩＥＥＥ８０２．１１（Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標））、ＩＥＥＥ８０２．１６（ＷｉＭＡＸ（登録商標））、ＩＥＥＥ８０２．２０、ＵＷＢ（Ultra-Wideband）、Bluetooth（登録商標）、又はＬＰＷＡ（Low Power Wide Area）等であってもよい。電波の周波数が高くなるにつれて、反射や回折による伝搬損失が大きくなり、不感地帯が発生しやすくなる。このため、実施形態の電波伝送システムに含まれる反射板は、比較的高い周波数を扱う通信に、より好適である。以下では、特に断らない限り、一例としてミリ波帯とＳｕｂ－６の電波を用いて説明する。

＜実施形態＞
＜電波伝送システム１０＞
図１は、本開示の一実施形態における電波伝送システム１０の動作説明図である。

本開示の電波伝送システム１０は、例えば、屋外の建物ＢＤの壁や窓に配置される。電波伝送システム１０は、反射板１００（図２参照）を有しており、本開示の反射板１００は、ＲＩＳ（Reconfigurable Intelligent Surface：再構成可能なリフレクタ）と呼ばれる、ビームの指向性を調整可能な指向性制御アレイである。

電波伝送システム１０が配置される建物ＢＤの種類は、任意であるが、例えば高層な建物が林立するような地域での建物である。高層な建物が林立する地域では、電波が正常に届かない不感地（通信環境が良好でない地域ないし空間、「不感地帯」とも称される）が発生しやすい。本開示の電波伝送システム１０は、反射する電波のビームの向きを制御することで、不感地に対して電波を届ける。

ここで、図１では、無線基地局ＲＢから発信された電波、及び電波伝送システム１０から反射された電波Ｒの放射態様が模式的に示されている。図１に示すように、無線通信を行うために無線基地局ＲＢが設けられていることがある。無線基地局ＲＢは、インターネットのようなネットワーク（不図示）からの信号を無線信号にして、電波Ｒを発信することで、電波Ｒを受信端末が受信する。また、受信端末が発信した電波Ｒを無線基地局ＲＢで受信することで、受信端末がインターネットのようなネットワークへのアクセスすることが行われる。無線基地局ＲＢは、電波伝送システム１０に対して数１０ｃｍ～数ｍ程度の近傍に設けられていてもよく、あるいは、電波伝送システム１０に対して数１０ｍ～数ｋｍ程度離れて設けられていてもよい。

本開示の電波伝送システム１０は、入射された電波Ｒをビームの向きを変えて特定の方向にビームを向けて反射したり、マルチビームにしたりすることで、建物ＢＤに遮られていた不感地帯へ電波を届ける。以下では、特に断らない限り、電波は平面波であるものとして説明する。

図１に示すように、電波伝送システム１０を用いることで屋外の受信端末Ｕ１、Ｕ２、又はＵ３を選択してインターネット通信が可能となる。具体的には、例えばある時刻で無線基地局ＲＢから送信される電波Ｒは、電波伝送システム１０で反射されて屋外の受信端末Ｕ１へ受信させることで受信端末Ｕ１の無線通信を成立させることができる。別の時刻で無線基地局ＲＢから送信される電波Ｒは、電波伝送システム１０で反射されて屋外の受信端末Ｕ２へ受信させることで受信端末Ｕ２の無線通信を成立させることができる。また、受信端末Ｕ３についても受信端末Ｕ１及びＵ２と同様である。なお、ここでは受信端末Ｕ１、Ｕ２、及びＵ３が電波Ｒを受信する場合について説明するが、受信端末Ｕ１、Ｕ２、及びＵ３が電波Ｒを送信する際には、電波伝送システム１０で反射された電波Ｒを無線基地局ＲＢが受信することになる。

なお、図１では、電波伝送システム１０に加えて、無線基地局ＲＢを設ける例を示しているが、無線中継局等から飛来した電波を、電波伝送システム１０の反射板１００で反射してもよい。また、図１では、受信端末Ｕ１、Ｕ２、及びＵ３は、ユーザが所持するスマートフォンであるが、建物等に固定されて移動しない固定的な受信端末であってもよい。

図２は、電波伝送システム１０の構成の一例を示すブロック図である。図３は、電波伝送システム１０を壁１に取り付けた状態の一例を示す図である。図２には、反射板１００が無線基地局ＲＢから到来した電波を受信端末Ｕ１に向けて直接反射している状態を示す。受信端末Ｕ１は、通信用のアンテナ１Ａを有する。

電波伝送システム１０は、反射板１００、通信部４、及び制御部５を有する。本実施形態の電波伝送方法は、電波伝送システム１０の制御部５が実行する処理によって実現される。

制御部５は、例えば、ＭＣＵ(Micro Controller Unit)よって実現され、ＣＰＵ(Central Processing Unit)、ＲＡＭ(Random Access Memory)、ＲＯＭ(Read Only Memory)、入出力インターフェース、及び内部バス等を含む。

制御部５は、基地局ＲＳの座標を用いて、受信端末Ｕ１における電波の受信強度が大きくなるように、反射板１００の反射角度を調整する角度調整処理を実行する。また、制御部５は、受信端末Ｕ１における電波の受信強度が大きくなるように、反射板１００の複数のセルが電波を反射する際に電波の位相を変化させる複数の位相変化量の分布を調整する位相調整処理を実行する。なお、制御部５は、不図示の電源生成部で生成された電源電圧に基づいて動作する。

通信部４は、アンテナ４Ａを有し、受信端末Ｕ１と通信可能である。通信部４と受信端末Ｕ１は、反射板１００が反射する電波とは異なる電波を用いて、アンテナ４Ａ及びアンテナ１Ａの間で通信可能である。反射板１００が反射する電波は、無線基地局ＲＢから到来する電波であり、受信端末Ｕ１に向けて反射する電波である。

反射板１００が反射する電波が（５Ｇ）等のミリ波帯やＳｕｂ－６を含む１ＧＨｚ～３０ＧＨｚの周波数帯域の電波である場合に、アンテナ４Ａ及びアンテナ１Ａの間で通信に用いる電波は、一例として、ＬＴＥ、ＬＴＥ－Ａ、ＵＭＢ、ＩＥＥＥ８０２．１１（Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標））、ＩＥＥＥ８０２．１６（ＷｉＭＡＸ（登録商標））、ＩＥＥＥ８０２．２０、ＵＷＢ、Bluetooth（登録商標）、又はＬＰＷＡ等であればよい。

受信端末Ｕ１は、制御部５が角度調整処理及び位相調整処理を実行する際に、アンテナ１Ａを介して制御部５からコマンドを受信すると、反射板１００で受信端末Ｕ１に向けて反射された電波の受信強度を計測し、受信強度を表すデータをアンテナ１Ａから送信する。通信部４は、電波の受信強度を表すデータを受信端末Ｕ１からアンテナ４Ａで受信し、電波の受信強度を表すデータを制御部５に出力する。制御部５は、電波の受信強度を表すデータを用いて角度調整処理及び位相調整処理を実行する。角度調整処理及び位相調整処理については、図１２Ａ乃至図１２Ｃを用いて後述する。

また、図３に示すように、電波伝送システム１０（反射板１００、通信部４、及び制御部５）は、壁１に設けられている。ここで、建物ＢＤの壁１において、電波伝送システム１０が設けられる場合の地上からの高さは、電波の効率性の点で、１ｍ～１４ｍが好ましく、２ｍ～１０ｍが特に好ましい。

なお、図３では電波伝送システム１０は、壁１上に配置される例を示しているが、電波伝送システム１０における反射板１００は、窓ガラス上に設けられていてもよい。反射板１００が窓ガラスに設けられる場合は、反射板１００に含まれる反射板の基板や共振素子は、視感透過率が５０％以上である透明部材で構成されると好適である。なお、反射板１００が窓ガラスに設けられる場合は、制御部５は、反射板１００から離間して、窓ガラスに隣接する壁部や窓ガラスの枠部のような他の箇所に配置されてもよい。

さらに、本開示の電波伝送システム１０は、屋内の壁や窓ガラスに設置してもよい。その場合、屋内での不感地帯の低減に寄与する。

電波伝送システム１０が屋内に設けられる場合の床面からの高さは、電波の効率性の点で、５０ｃｍ～２ｍが好ましい。

＜反射板１００の構成、原理、及び動作＞
次に、制御部５が実行する角度調整処理及び位相調整処理について説明する前に、図４乃至図７Ｄを用いて、反射板１００の構成、原理、及び動作について説明する。

図４は、反射板１００の複数のセルの配列の一例を示す図である。図４では、垂直偏波の電波を反射する場合について説明するが、水平偏波についても同様である。

図４に示すように、反射板１００は、規則的に配列された複数のセル１１０を有する。セル１１０は繰り返し単位となる構成であって、例えば、図４では、一例としてセル１１０がＸ方向及びＹ方向に１０個ずつ配列されている。

反射板１００は、各セル１１０で電波を反射する際に位相を変化させる量（位相変化量）を制御することで、反射板１００が電波を反射する際の反射角度を鏡面反射以外の角度、又は、鏡面反射の角度に調整可能である。一例として、図４に示すように、セル１１０をＸ方向及びＹ方向に１０個ずつ配列することで、反射波の反射角度を調整できる。

反射板１００の各セル１１０の位相変化量は２値的、又は、２値よりも多い多値的に制御することができる。反射板１００は、各セル１１０の位相変化量を制御して反射板１００が電波を反射する際の反射角度を調整することにより、所望の反射方向に電波を反射する。なお、ここでは、電波の位相を２値的に制御する場合について説明する。

また、複数のセル１１０の配列は、図４に示すようなアレイ状に限らず、例えば、規則性を持たせずにランダム（不規則的）に配列してもよい。セル１１０は、Ｘ方向及びＹ方向に１０個以上配列されており、Ｘ方向及びＹ方向における配列数は、１３０個以下であることが好ましく、１００個以下であることがさらに好ましい。

また、各セル１１０は、共振素子１１１と、共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖとを有する。セル１１０は、反射素子の一例であり、共振素子１１１は第１共振素子の一例であり、共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖの各々は第２共振素子の一例である。共振素子１１２Ｈは、水平偏波の電波に付与する位相変化量を変更する際に用いられ、共振素子１１２Ｖは、垂直偏波の電波に付与する位相変化量を変更する際に用いられる。共振素子１１１は、単独で所定の共振周波数で共振可能な共振素子である。共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖは、電気的な制御で水平方向及び垂直方向における共振周波数を第１共振周波数又は第２共振周波数に切替可能な切替素子を有するが、図４では省略する。セル１１０の詳細については、図６を用いて後述する。

また、ここでは、各セル１１０が、共振素子１１１と、共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖとを有する形態について説明するが、各セル１１０は、共振素子１１１と、共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖのうちのいずれか一方とを有する構成であってもよい。

共振素子１１２Ｈの切替素子がオフの状態では、水平方向における共振周波数は第１共振周波数であり、共振素子１１２Ｈの切替素子がオンの状態では、水平方向における共振周波数は第２共振周波数になる。共振素子１１２Ｖの切替素子がオフの状態では、垂直方向における共振周波数は第１共振周波数であり、共振素子１１２Ｖの切替素子がオンの状態では、垂直方向における共振周波数は第２共振周波数になる。なお、水平方向及び垂直方向における第１共振周波数は異なっていてもよく、水平方向及び垂直方向における第１共振周波数は異なっていてもよい。

以下では、共振素子１１２Ｈの切替素子のオフとオフを切り替えることを、水平方向でセル１１０をオン又はオフにすると称し、共振素子１１２Ｖの切替素子のオフとオフを切り替えることを、垂直方向でセル１１０をオン又はオフにすると称す。また、水平方向及び垂直方向を特に区別しない場合に、共振素子１１２Ｈ又は１１２Ｖのいずれかの切替素子のオフとオフを切り替えることを、セル１１０をオン又はオフにすると称す。

セル１１０のオン、オフを制御することで、反射板１００は、入射した電波を反射する角度を、水平方向又は垂直方向において所望の方向に設定可能となる。セル１１０のオン、オフの詳細については図６及び図７Ａ乃至図７Ｄを用いて後述する。図４では、オンのセル１１０を白く示し、オフのセルをドットの塗り潰しで示す。セル１１０は、オン、オフが制御部５によって制御されるアクティブなセルである。

なお、２値よりも多い多値で制御する場合は、電気的に制御する移相器を各セル１１０に設けることが好ましい。移相器は、位相調整部の一例である。移相器としては、液晶や強誘電体などを用いることが好ましい。移相器は、電波の位相を連続的な値のうちの任意の値に変化させることができるので、多値での制御に好適である。

図５Ａ及び図５Ｂは、反射板１００での反射角度の調整の原理の一例を説明する図である。反射板１００は、ＲＩＳ（Reconfigurable Intelligent Surface：再構成可能なリフレクタ）と呼ばれる、ビームの指向性を調整可能なアレイである。図５Ａ及び図５Ｂにおいて、ｄは、隣り合うセル１１０のＸ方向におけるピッチである。図５Ａ及び図５Ｂでは、ＸＺ平面において、隣同士のセル１１０における水平偏波の電波の入射と反射の様子を分かり易くするために、反射板１００の反射面（＋Ｚ方向側の表面）に入射する位置と、反射面から出射する位置とをＸ方向にずらして別々に示す。

反射板１００は、アレイ状に並べられた複数のセル１１０の各々において、電波を反射する際に電波の位相を変更することで、反射波であるビームの伝搬方向を調整する。

具体的には、図５Ａに示すように、反射板１００の反射面（＋Ｚ方向側の表面）に入射する電波に対して、Ｘ方向及びＹ方向におけるセル１１０同士の間隔を考慮して、電波を反射する際にセル１１０が位相を変化させる量（位相変化量）をセル１１０毎に設定することで、１つの反射板１００に含まれるすべてのセル１１０で電波を反射する方向を調整することができる。すべてのセル１１０で電波を反射する方向は、反射板１００の全体としての反射角度と同義である。

例えば、Ｚ軸に沿って入射される電波をＸＺ平面内で反射する時に、セル１１０毎に位相を加えることで反射方向を変える。すなわち、反射板１００の場所Ｘ毎で位相を加えることで電波の反射方向を変えることができる。

図５Ａに示すように、座標（Ｘｆ，Ｙｆ，Ｚｆ）の点Ｆから出射された電波が反射板１００の反射面上の座標（Ｘ，Ｙ，０）の点に入射して反射され、座標（Ｘｐ，Ｙｐ，Ｚｐ）の点Ｐに到達する際に、反射板１００の反射面で電波に対して加えられる位相Ψ（Ｘ，Ｙ）は、次式（１）で表すことができる。なお、定数ｋは２π／λであり、λは自由空間における電波の波長である。

座標（Ｘｐ，Ｙｐ，Ｚｐ）は電波を受信するために集める点という意味で焦点と称す。

式（１）では、反射板１００の反射面で電波に対して加えられる位相Ψ（Ｘ，Ｙ）の分布は、位置Ｘに対して非線形である。反射板１００の反射面に対して点Ｆと点Ｐが十分に遠ければ、式（１）を反射面上の座標Ｘ，Ｙに対して線形な式に近似される。

また、図５Ｂには、Ｘ方向及びＹ方向においてピッチｄで隣り合うセル１１０に天頂角θｉｎ及び方位角φｉｎで入射する電波と、反射板１００によって天頂角θｏｕｔ及び方位角φｏｕｔの方向に反射される電波をＸＺ平面で見た様子を示す。天頂角及び方位角は、後述する図８Ａにおける天頂角θ及び方位角φで表される。

反射板１００の反射面に対して点Ｆと点Ｐが十分に遠い場合には、図５Ｂに示すように、ピッチｄで隣り合うセル１１０に入射する電波は平行であって入射角はともに天頂角θｉｎ、方位角φｉｎであり、反射板１００の反射面で反射される電波も平行であって反射角はともに天頂角θｏｕｔ、方位角φｏｕｔであると考えることができる。この場合に、ピッチｄで隣り合うセル１１０に入射する電波の位相差は例えばＸ方向についてｄ×ｓｉｎθｉｎ×ｃｏｓφｉｎであり、ピッチｄで隣り合うセル１１０で反射される電波の位相差はｄ×ｓｉｎθｏｕｔ×ｃｏｓφｏｕｔである。また、図５Ｂには示さないが、ピッチｄで隣り合うセル１１０に入射する電波の位相差は例えばＹ方向についてｄ×ｓｉｎθｉｎ×ｓｉｎφｉｎであり、ピッチｄで隣り合うセル１１０で反射される電波の位相差はｄ×ｓｉｎθｏｕｔ×ｓｉｎφｏｕｔである。入射の天頂角θｉｎと方位角φｉｎ及び反射の天頂角θｏｕｔと方位角φｏｕｔを用いて式（１）を近似し、Ｘ、Ｙに依存しない定数項を無視することで次式（２）を得る。

このようにして得られた位相Ψ（Ｘ，Ｙ）を実現するように、反射板１００内の位相差を近似的に実現するようなセル１１０の制御を行うことで、反射板１００に入射してきた電波を所望の方向に反射させることができる。なお、セル１１０を制御するときに、すべてのセル１１０について式（１）で表される位相Ψ（Ｘ，Ｙ）に対して同じ値を加算しても、同じ結果を得ることができ、反射板１００の全体としての反射角度は変わらない。

例えば、電圧によって連続的に反射時の位相を制御できるセル１１０を用いることで、誤差を除いて位相Ψ（Ｘ，Ｙ）を実現することができ、反射板１００において反射方向を変えることができる。

また、電圧のオンとオフによる２値で反射時の位相変化量を制御できるセル１１０を用いることで、近似的に位相Ψ（Ｘ，Ｙ）を実現することができ、反射板１００において反射方向を変えることができる。

オン状態とオフ状態を切り替えることができる各セル１１０で位相Ψ（Ｘ，Ｙ）を電波に加えることを実現するためには、オン状態とオフ状態での反射時の位相差を約１８０度確保できればよい。例えば、位相Ψ（Ｘ，Ｙ）が－９０°から９０°の間であればオフ状態になり、－１８０°から－９０°又は９０°から１８０°の間であればオン状態になることで、位相Ψ（Ｘ，Ｙ）をおおよそ実現することができる。この結果、各セル１１０において反射方向を変えることができる。これは式（１）及び式（２）のいずれの場合でも成立する。

上述の位相Ψ（Ｘ，Ｙ）からオン状態とオフ状態を選択することは一例であり、互いに重複しない１８０°の範囲でオン状態とオフ状態を選択すればよい。例として、２０°から１８０°又は－１８０°から－１６０°をオフ状態、－１６０°から２０°をオン状態などとしてもよい。

このようにすることで、電波伝送システム１０は、５Ｇの基地局等から出射された電波を、ビームの向きを変えて色々な方向や好きな方向へビームを向けて出したり、マルチビームにしたりすることもできる。

なお、図５Ａ及び図５Ｂでは、ＸＺ平面内で反射される電波を示したが、上述のように、反射板１００は、ＹＺ平面内で電波が反射させる場合や、Ｚ軸を含みＸＺ平面及びＹＺ平面に対して角度を有する平面内で反射される場合も同様に電波を反射可能である。このため、反射板１００は、鏡面反射以外の角度に反射角度を設定可能なリフレクタとなる。

図４には、垂直偏波の電波を反射する場合において、一例として、すべてのセル１１０のオン又はオフの状態が、各行内でＸ方向において変化し、各列内でＹ方向に配列される１０個のセル１１０がオン又はオフに統一されている状態を示す。これは式（２）を元にオン状態とオフ状態を決めた場合に相当する。

なお、図４に示す反射板１００におけるセル１１０の配列は一例であって、アレイに設けられるセル１１０の数は、数十個～数千個程度であってもよい。

＜オンとオフによる２値で位相変化量を制御するセル１１０の構成＞
図６は、セル１１０の構成の一例を示す図である。セル１１０は、オンとオフによる２値で位相変化量を水平方向又は垂直方向において制御するセルであり、共振素子１１１と、共振素子１１１に隣接する共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖを有する。また、図６には、基板１０１を示す。基板１０１は、反射板１００（図４参照）の基板１０１であり、一例として、１つの反射板１００が１つの基板１０１を含む。基板１０１の平面視でのサイズは、図４に反射板１００として示すサイズである。また、基板１０１の－Ｚ方向側の表面にはグランド層が設けられている。反射板１００は複数のセル１１０を含む。図６には、基板１０１の全体のうちの１つのセル１１０に相当する部分を示す。また、１つの反射板１００が１つの基板１０１を含む形態について説明するが、１つの反射板１００が複数の基板１０１を含む構成であってもよい。すなわち、１つの反射板１００の中で、１又は複数のセル１１０に対して１つの基板１０１が設けられていてもよい。

基板１０１は、一例として、平面視で矩形状の基板である。基板１０１は、例えば、可撓性を有する、樹脂製で薄いフィルム状のフレキシブル基板、又は、可撓性を有しないリジッド基板である。可撓性とは、外観で分かる程度に物体が折れずに曲がる性質である。基板１０１は、フレキシブル基板である場合は、例えば、フッ素、ＣＯＰ（Cyclo-Olefin Polymer）、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）、ＰＥＮ（polyethylene naphthalate）、ポリイミド、Ｐｅｅｋ（polyether ether ketone）、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）、その他の複合材等の、可撓性を有する樹脂素材で形成可能である。また、基板１０１は、リジッド基板である場合には、例えば、ガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させたプリプレグとコア材とを貼り合わせた基板等を用いることができる。

また、基板１０１は、屋外の基地局等から放射される電波に対して透明な任意の材料で形成されていてもよい。「透明」とは、視感透過率が少なくとも４０％以上、好ましくは６０％以上、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％以上であることをいう。一例として、基板１０１に透明な樹脂基材を用いる。上記の条件を満たす樹脂材料として、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等を用いることができる。また、基板１０１は、ガラス板であってもよい。

共振素子１１１及び１１２Ｈ及び１１２Ｖは、金属層で形成される。金属層は、基板１０１が電波に対して透明な任意の材料で形成されていない場合には、例えば、銅、ニッケル、又は金等の金属薄膜で形成可能である。また、金属層は、基板１０１が電波に対して透明な任意の材料で形成されている場合には、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化インジウム・酸化スズ（ＩＺＯ）等の透明導電膜、窒化チタン（ＴｉＮ）や窒化クロム（ＣｒＮ）等の金属窒化物、又はＬｏｗ－ｅ(low emissivity)ガラス用のＬｏｗ－ｅ膜で形成されるのが望ましい。また、金属層は、基板１０１が電波に対して透明な任意の材料で形成されている場合には、例えば、銅、ニッケル、又は金等のメッシュ状の金属薄膜で形成されていてもよい。

共振素子１１１は、平面視で正方形状の導体である。共振素子１１１は、＋Ｙ方向側においてＸ方向に沿って延びる端辺１１１Ａを有する。共振素子１１１には、共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖが寄生する。共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖは、共振素子１１１に電磁界結合によって結合して寄生するため、共振素子１１１が主共振素子であって、共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖが寄生共振素子であることとして捉えてもよい。共振素子１１２Ｈは、水平偏波用であり、共振素子１１２Ｖは、垂直偏波用である。共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖは、共振素子１１１に対する位置が９０度異なり、共振素子１１２Ｈは、共振素子１１１の＋Ｘ方向側に位置し、共振素子１１２Ｖは、共振素子１１１の＋Ｙ方向側に位置するが、互いに同一の構成を有する。

共振素子１１２Ｖは、線状エレメント１１２Ａ及び１１２ＢとＰＩＮ(p-intrinsic-n)ダイオード１１２Ｃとを有する。ＰＩＮダイオード１１２Ｃは、切替素子の一例である。線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂは、Ｘ方向に平行に延びている。線状エレメント１１２Ａは、共振素子１１１の端辺１１１Ａの＋Ｙ方向側に配置されており、線状エレメント１１２Ｂは、線状エレメント１１２Ａの＋Ｙ方向側に配置されている。線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂの間には、ＰＩＮダイオード１１２Ｃが設けられている。一例として、線状エレメント１１２ＡにＰＩＮダイオードのカソードが接続され、線状エレメント１１２ＢにＰＩＮダイオード１１２Ｃのアノードが接続されている。

また、線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂの－Ｘ方向側の端部には、ＲＦチョーク１１３、１１４が設けられている。ＲＦチョーク１１３は、基板１０１の裏面のグランド電位（ＧＮＤ）のグランド層に接続され、ＲＦチョーク１１４は、制御用端子に接続されて制御用電圧ＢＶが印加される。制御用電圧ＢＶは、制御部５（図２参照）から印加される。

共振素子１１１と線状エレメント１１２Ａとの電磁界結合を得るために、共振素子１１１の端辺１１１Ａと、線状エレメント１１２Ａとの間の間隔は、一例として、λｅ／１０以下であると好適であり、λｅ／３０程度であるとさらに好適である。λｅは、反射板１００が反射する電波の周波数における波長の電気長である。

共振素子１１２Ｈは、共振素子１１２Ｖと同様に、線状エレメント１１２Ａ及び１１２ＢとＰＩＮ(p-intrinsic-n)ダイオード１１２Ｃとを有する。共振素子１１２Ｈの動作は、共振素子１１２Ｖの動作と同様であるため、ここでは詳細は省略する。

なお、１つのセル１１０内で共振素子１１１と共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖとが設けられる領域の平面視でのＸ方向及びＹ方向の長さは、２λ以下である。図６には、正方形状の共振素子１１１を示すが、例えば、共振素子１１１が楕円形である場合のようにＸ方向及びＹ方向の寸法が一定ではない場合には、１つのセル１１０内で共振素子１１１と共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖとが設けられる領域の平面視での最大のＸ方向の長さと、最大のＹ方向の長さとが、２λ以下であればよい。

図７Ａ乃至図７Ｄは、共振素子１１２Ｈ及び１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃのオンとオフによるセル１１０内での共振素子１１１に対する共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖの線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂの結合状態の一例を示す図である。図７Ａ乃至図７Ｂでは、共振素子１１１に対して結合する線状エレメント１１２Ａ、又は、線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂを示し、その他の構成を省く。

図７Ａには、制御部５（図２参照）から印加される制御用電圧ＢＶによって共振素子１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃ（図６参照）がオンになるとともに、制御用電圧ＢＶによって共振素子１１２ＨのＰＩＮダイオード１１２Ｃ（図６参照）がオフになっているときの結合状態を示す。このため、共振素子１１２Ｖの線状エレメント１１２Ａには線状エレメント１１２Ｂが接続され、共振素子１１２Ｈの線状エレメント１１２Ａには線状エレメント１１２Ｂが接続されない。この結果、図７Ａに示すように、共振素子１１１には、共振素子１１２Ｖの線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂと、共振素子１１２Ｈの線状エレメント１１２Ａとが結合した状態になる。

図７Ｂには、制御部５（図２参照）から印加される制御用電圧ＢＶによって共振素子１１２Ｖ及び１１２ＨのＰＩＮダイオード１１２Ｃ（図６参照）がオフになっているときの結合状態を示す。このため、共振素子１１２Ｖの線状エレメント１１２Ａには線状エレメント１１２Ｂが接続されず、共振素子１１２Ｈの線状エレメント１１２Ａには線状エレメント１１２Ｂが接続されない。この結果、図７Ｂに示すように、共振素子１１１には、共振素子１１２Ｖの線状エレメント１１２Ａと、共振素子１１２Ｈの線状エレメント１１２Ａとが結合した状態になる。

図７Ｃには、制御部５（図２参照）から印加される制御用電圧ＢＶによって共振素子１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃ（図６参照）がオフになるとともに、制御用電圧ＢＶによって共振素子１１２ＨのＰＩＮダイオード１１２Ｃ（図６参照）がオンになっているときの結合状態を示す。このため、共振素子１１２Ｖの線状エレメント１１２Ａには線状エレメント１１２Ｂが接続されず、共振素子１１２Ｈの線状エレメント１１２Ａには線状エレメント１１２Ｂが接続される。この結果、図７Ｃに示すように、共振素子１１１には、共振素子１１２Ｖの線状エレメント１１２Ａと、共振素子１１２Ｈの線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂとが結合した状態になる。

図７Ｄには、制御部５（図２参照）から印加される制御用電圧ＢＶによって共振素子１１２Ｖ及び１１２ＨのＰＩＮダイオード１１２Ｃ（図６参照）がともにオンになっているときの結合状態を示す。このため、共振素子１１２Ｖの線状エレメント１１２Ａには線状エレメント１１２Ｂが接続され、共振素子１１２Ｈの線状エレメント１１２Ａには線状エレメント１１２Ｂが接続される。この結果、図７Ｄに示すように、共振素子１１１には、共振素子１１２Ｖの線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂと、共振素子１１２Ｈの線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂとが結合した状態になる。

図７Ａ及び図７Ｂの結合状態を比べると、図７Ａでは共振素子１１２Ｖの線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂが共振素子１１１に結合しているが、図７Ｂでは共振素子１１２Ｖの線状エレメント１１２Ａのみが共振素子１１１に結合している点が異なる。図７Ａ及び図７Ｂの結合状態を比べると、図７Ａの結合状態の方が、共振素子１１２Ｖの長さが長くなり、形状が変化する。このため、図７Ａに示す結合状態のように共振素子１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃ（図６参照）をオンにすると、図７Ｂに示す結合状態のように共振素子１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃがオフである状態よりも共振素子１１２Ｖの共振周波数が低下して第１共振周波数になる。これとは逆に、図７Ｂに示す結合状態のように共振素子１１２Ｖ及び１１２ＨのＰＩＮダイオード１１２Ｃ（図６参照）をオフにすると、図７Ａに示す結合状態のように共振素子１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃがオンである状態よりも共振素子１１２Ｖの共振周波数が上昇して第２共振周波数になる。

２つの略同一の共振周波数を有する共振素子同士が近くに置かれると、相互作用により反射特性が変わることが知られている。共振素子１１１の共振周波数が、共振素子１１２Ｖの共振素子１１２の第１共振周波数又は第２共振周波数のいずれかと略同一の共振周波数を持つ場合、共振素子１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃのオンとオフを切り換えることにより、共振素子１１１及び１１２Ｖの全体の形状（又は長さ）が変化して、セル１１０の反射特性が変化する。

共振素子１１１及び１１２Ｖは、共振素子１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃがオフのときとオンのときとで、垂直偏波の入射波としての電波に与える位相変化量の絶対値の差が約１８０度になるように、共振素子１１１のサイズ、及び、共振素子１１２Ｖの線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂが設定されている。約１８０度とは、一例として１８０度±４５度の範囲内の値であることを意味する。共振素子１１１及び１１２Ｖは、導体で作製されるため、製造誤差等によって位相変化量に誤差が生じる場合が有り得る。しかしながら、共振素子１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃのオンとオフを切り換えることによって、垂直偏波の入射波に与える位相変化量を約１８０度（１８０度±４５度）変化させることができれば、反射板１００の全体としての垂直偏波の電波の反射角度を鏡面反射以外の角度に調整可能である。鏡面反射とは、正反射のことであり、通常の金属反射等による反射によって等位相面が生じる方向に反射することをいう。

また、共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖは、平面視で角度が９０度異なるだけで、同一の線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂを有し、同様に動作する。すなわち、共振素子１１１及び１１２Ｈは、共振素子１１２ＨのＰＩＮダイオード１１２Ｃがオフのときとオンのときとで、水平偏波の入射波としての電波に与える位相変化量の絶対値の差が約１８０度になるように、共振素子１１１のサイズ、及び、共振素子１１２Ｈの線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂが設定されている。共振素子１１２ＨのＰＩＮダイオード１１２Ｃのオンとオフを切り換えることによって、水平偏波の入射波に与える位相変化量を約１８０度（１８０度±４５度）変化させることができれば、反射板１００の全体としての水平偏波の電波の反射角度を鏡面反射以外の角度に調整可能である。

反射板１００は、各セル１１０の共振素子１１２Ｈ又は１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃのオンとオフを切り換えることによって、すべてのセル１１０の集合としての反射板１００での垂直偏波又は垂直偏波の入射波の反射角度（反射方向）を切り換えることができる。すなわち、反射板１００は、制御部５が各セル１１０の共振素子１１２Ｈ又は１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃのオンとオフを切り換えることによって、水平方向又は垂直方向における位相変化量を２値的に制御することができ、反射角度を鏡面反射以外の角度に調整可能である。鏡面反射とは、正反射のことであり、通常の金属反射等による反射によって等位相面が生じる方向に反射することをいう。なお、反射板１００は、反射角度を鏡面反射の角度にも調整可能である。

例えば、垂直方向について、共振素子１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃをオフにしたときのセル１１０の位相変化量が３０度であり、ＰＩＮダイオード１１２Ｃをオンにしたときのセル１１０の位相変化量が２１０度であるように、位相変化量を２値的に制御することができる。この場合に、位相変化量の３０度は第１値の一例であり、位相変化量の２１０度は第２値の一例である。共振素子１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃがオフのときの位相変化量と、オンのときの位相変化量との差は、絶対値で１２０度～２４０度である。すなわち、位相変化量の第１値と第２値との差は、絶対値で１８０±６０度である。位相変化量の第１値と第２値との差をこのような範囲の値に設定することで、製造誤差等によるばらつきを考慮して、位相変化量を２値的に制御することで、反射角度を鏡面反射以外の角度に調整可能である。

このため、垂直方向において、すべてのセル１１０のＰＩＮダイオード１１２Ｃをオフにしているときは、すべてのセル１１０の位相変化量の差は０度である。実際には多少のばらつきがあるため、位相変化量の差は約０度になる。また、これは、垂直方向において、すべてのセル１１０のＰＩＮダイオード１１２Ｃをオンにしている場合も同様である。

また、垂直方向において、すべてのセル１１０について、共振素子１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃがオフのセル１１０と、ＰＩＮダイオード１１２Ｃがオンのセル１１０とがある場合には、すべてのセル１１０の位相変化量（例えば、３０度と２１０度）の差は、１８０度である。実際には多少のばらつきがあるため、位相変化量の差は約１８０度になる。

なお、これは、水平方向においても同様である。また、ここでは一例として、共振素子１１１が正方形状であり、共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖが２本の線状エレメント１１２Ａ及び１１２Ｂの間にＰＩＮダイオード１１２Ｃを有する形態について説明した。しかしながら、共振素子１１１の形状は正方形状に限られず、電波を反射可能であれば、どのような平面形状であってもよい。また、共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖの構成が異なっていてもよい。また、共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖは、制御部５によって切り換えられることによって形状や長さを変更可能であれば、どのような構成であってもよい。また、ＰＩＮダイオード１１２Ｃに限らず、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)スイッチ、バラクタ、又は、ＦＥＴ(Field effect transistor)のようなトランジスタであってもよい。

＜極座標系＞
図８Ａは、極座標系における天頂角θ及び方位角φを示す図である。反射板１００は、ＸＹＺ座標の原点に位置する。天頂角θは、＋Ｚ方向に対する角度であり、矢印で示すように＋Ｚ方向から下ろした角度を正とする。方位角φは、ＸＹ平面内での＋Ｘ方向に対する方位角であり、矢印で示すように＋Ｘ方向から＋Ｙ方向に向かう角度を正とする。ｒは動径であり、原点から受信端末Ｕ１が位置する受信点Ｇまでの距離である。反射板１００の反射角度は、天頂角θ及び方位角φで表される。

＜仰角Θ及び方位角Φ＞
図８Ｂは、反射板１００の反射面１００Ａを水平方向に向けて配置した状態における仰角Θ及び方位角Φを示す図である。図８Ｂでは、ＸＺ平面が水平面である。反射板１００の反射面１００Ａを水平方向に向けるとは、反射面１００Ａの法線が水平方向に向くことであり、図３に示すように反射板１００が壁１に取り付けられている状態に相当する。反射面１００Ａの法線が水平方向に向いている状態は、図８Ｂに示すように、反射面１００Ａの法線がＺ方向に平行であることである。

大文字で表す仰角Θ及び方位角Φは、図８Ｂに示す通りである。具体的には、仰角Θは、受信点ＧとＸＹＺ座標系の原点とを含み水平面（ＸＺ平面）に垂直な平面α内における、水平面（ＸＺ平面）に対する受信点Ｇの仰角である。また、方位角Φは、受信点ＧとＸＹＺ座標系の原点とを含み水平面（ＸＺ平面）に垂直な平面αがＸＺ平面視（水平面視）で＋Ｚ方向となす角度である。

＜角度調整処理及び位相調整処理＞
図９は、無線基地局ＲＢと受信端末Ｕ１との間における電波の経路の一例を示す図である。図９では、無線基地局ＲＢと受信端末Ｕ１との間に、反射板１００（ＲＩＳ）及び壁１が位置している。

このような状況において、受信端末Ｕ１における電波の受信強度が大きいことが望ましい。受信端末Ｕ１における電波の受信強度を大きくするには、まず、反射板１００の反射角度を調整して、受信端末Ｕ１における電波の受信強度が大きくなるように、反射角度を最適化すればよい。

ところで、無線基地局ＲＢと受信端末Ｕ１との間には、反射板１００で反射される電波の経路１と、壁１で反射される電波の経路２とが存在する。実際の無線基地局ＲＢと受信端末Ｕ１との間には、壁１以外にも壁１と同様に電波を反射する構造物等が存在し、経路１及び２以外の電波の経路が存在し得るが、ここでは説明を簡略化するために、反射板１００で反射される経路１と、壁１で反射される経路２とを用いる。

受信端末Ｕ１は、経路１の電波と、経路２の電波とを受信する。このため、経路１の電波と、経路２の電波とが同位相であれば、電波同士が強め合うことで受信端末Ｕ１における電波の受信強度は最大になる。しかしながら、経路１の電波と、経路２の電波との位相がずれていれば、受信端末Ｕ１における電波の受信強度は低下し、経路１の電波と、経路２の電波とが逆位相であれば、電波同士が弱め合うことで受信端末Ｕ１における電波の受信強度は小さくなる。

電波伝送システム１０は、反射板１００の各セル１１０における位相変化量を制御可能である。このため、反射板１００から受信端末Ｕ１に伝送する電波の位相を調整することができる。電波伝送システム１０は、受信端末Ｕ１が受信する電波の受信強度が大きくなるように、反射板１００で反射する電波の位相を調整することができる。

電波伝送システム１０は、まず、反射板１００が電波を反射する反射角度を最適化する角度調整処理を実行する。そして、電波伝送システム１０は、角度調整処理を完了してから、反射板１００が電波を反射する電波の位相を最適化する位相調整処理を実行する。

電波伝送システム１０が、位相調整処理よりも先に角度調整処理を実行するのは、仮に先に位相を調整しても、その後に反射角度を変化させると、反射板１００と受信端末Ｕ１との間の経路長が変化し、位相を再調整することになるからである。このような理由から、電波伝送システム１０が、位相調整処理よりも先に角度調整処理を実行する。

また、電波伝送システム１０は、角度調整処理を完了してから、位相調整処理を実行する。角度調整処理の途中で位相を調整すると、計算処理が煩雑になり、計算量が膨大になるからである。

＜角度調整処理の概要＞
角度調整処理は、一例として、反射板１００に対する無線基地局ＲＢのＸＹＺ座標、反射板１００で反射する電波の周波数、及び、反射板１００に対する受信端末Ｕ１のＸＹＺ座標等のデータに基づいて行われる。これらのデータに基づいて反射板１００の反射角度を走査し、受信端末Ｕ１における電波の受信強度が最大になる反射角度を求め、求めた反射角度に反射板１００の反射角度を調整する。なお、角度調整処理の詳細については、図１２Ｂを用いて後述する。

＜位相調整処理の概要＞
図１０Ａ及び図１０Ｂは、位相調整処理の一例を説明する図である。図１０Ａ及び図１０Ｂでは、反射板１００を簡略化して、Ｘ方向及びＹ方向に５個ずつのセル１１０が配列されているものとして説明する。図１０Ａ及び図１０Ｂでは、位相変化量の調整を水平方向において行う場合について説明するが、垂直方向においても同様である。

図１０Ａ及び図１０Ｂでは、各セル１１０の共振素子１１２Ｈ及び１１２Ｖについては、オン状態のＰＩＮダイオード１１２Ｃを白く示し、オフ状態のＰＩＮダイオード１１２Ｃを黒く示す。このため、共振素子１１２ＶのＰＩＮダイオード１１２Ｃは、すべて黒い。

反射板１００の反射角度を設定するために各セル１１０の位相変化量を調整する際に、上述した式（１）で表される位相Ψ（Ｘ，Ｙ）に相当する位相を各セル１１０に設定する。このように各セル１１０に設定する位相を反射位相と称す。各セル１１０の反射位相は、反射板１００の所望の反射角度を実現するために、各セル１１０のＸＹ座標に応じて割り当てられる位相であり、より具体的には、各セル１１０のＸＹ座標に応じて計算処理によって導き出される位相である。各セル１１０が入射波の位相に反射位相を加えて反射すると、反射板１００の全体で所望の反射角度で電波を反射することができることになる。

このような反射位相を２値化する際に、一例として、反射位相γが－９０度から＋９０度（－９０度≦γ＜９０度）の場合にはＰＩＮダイオード１１２Ｃをオン、反射位相γが＋９０度から＋２７０度（＋９０度≦γ＜＋２７０度）の場合にはＰＩＮダイオード１１２Ｃをオフにすることとする。

また、一例として、ＰＩＮダイオード１１２Ｃがオンのセル１１０の位相変化量が２１０度であり、ＰＩＮダイオード１１２Ｃがオフのセル１１０の位相変化量が３０度であることとする。

ここで、一例として各セル１１０に対して、図１０Ａに示すように反射位相（０ｄｅｇ、１２０ｄｅｇ、又は２４０ｄｅｇ）が設定されている場合に、すべてのセル１１０の反射位相に対して、共通の所定の反射位相として６０度を加算すると、各セル１１０の反射位相は、図１０Ｂに示すように、６０ｄｅｇ、１８０ｄｅｇ、又は３００ｄｅｇになる。図１０Ｂでは、図１０Ａと比べて、すべてのセル１１０の反射位相の分布が変わるため、セル１１０のオンとオフの分布が変わる。

図１１Ａ乃至図１１Ｄは、すべてのセル１１０の反射位相に対して共通の所定の反射位相を加算した場合における反射板１００の反射波の指向性の測定結果の一例を示す図である。反射板１００の反射方向が＋Ｚ方向になるように、各セル１１０の反射位相を調整して測定を行った。

図１１Ａには、共通の所定の反射位相が０度の場合の指向性を示し、図１１Ｂには、共通の所定の反射位相が９０度の場合の指向性を示す。図１１Ｃには、共通の所定の反射位相が１８０度の場合の指向性を示し、図１１Ｄには、共通の所定の反射位相が２７０度の場合の指向性を示す。なお、図１１Ａ乃至図１１Ｄの指向性チャートにおいて、０度の方向は＋Ｚ方向（反射板１００の正面方向）に相当し、９０度の方向は＋Ｘ方向に相当し、１８０度の方向は－Ｚ方向に相当し、２７０度の方向は－Ｘ方向に相当する。

図１１Ａ乃至図１１Ｄに示すように、共通の所定の反射位相が０度である場合における電波強度の最大値が０ｄＢになるように規格化して、共通の所定の反射位相を０度、９０度、１８０度、２７０度と変化させたときの正面方向（指向性チャートの０度方向）の電波強度は、それぞれ０ｄＢ、０ｄＢ、－０．５ｄＢ、－０．３ｄＢであった。この結果より、共通の所定の反射位相を０度、９０度、１８０度、２７０度と変化させても、同等の電波強度が得られることを確認できた。換言すれば、すべてのセル１１０の反射位相に対して共通の所定の反射位相を加算しても、反射板１００の反射角度は変わらず、共通の所定の反射位相を変化させても、反射板１００の反射角度は変わらないことを確認できた。さらに換言すれば、反射板１００のある１つの反射角度に対して、すべてのセル１１０に設定される反射位相は、複数パターン存在することが分かった。

図１１Ａ乃至図１１Ｄの測定結果より、すべてのセル１１０の反射位相に対して共通の所定の反射位相を加算しても、指向性に与える影響は殆どないと考えてよい。このため、すべてのセル１１０の反射位相に対して加算する共通の所定の反射位相の値を変化させながら、受信端末Ｕ１における電波の受信強度が最大になる共通の所定の反射位相を求めれば、各セル１１０に最適な位相変化量を設定することができる。

＜制御部５が実行する処理＞
図１２Ａ乃至図１２Ｃは、制御部５が実行する処理の一例を表すフローチャートである。図１２Ａは、制御部５が実行する全体の処理を表し、図１２Ｂ及び図１２Ｃは、図１２ＡのステップＳ２及びＳ３の詳細な処理をそれぞれ表す。ここでは、一例として、受信端末Ｕ１の位置は固定されているものとして説明する。

＜全体処理（図１２Ａ）＞
制御部５は、図１２Ａに示す処理を開始すると、初期パラメータを設定する処理を行う（ステップＳ１）。初期パラメータは、反射板１００に対する無線基地局ＲＢの座標、反射板１００の反射角度の初期値、及び、反射板１００が反射する電波の周波数等である。反射板１００の反射角度の初期値は、反射板１００に対する受信端末Ｕ１の座標に基づいて算出すればよい。反射角度の初期値を算出すると、各セル１１０についての反射位相の初期値が決まる。

制御部５は、反射板１００が電波を反射する反射角度を最適化する角度調整処理を実行する（ステップＳ２）。ステップＳ２の処理は、反射角度が最適化されるまで処理を繰り返すサブルーチン処理である。ステップＳ２のサブルーチン処理の詳細については、図１２Ｂを用いて説明する。

制御部５は、ステップＳ２の角度調整処理を完了してから、反射板１００が電波を反射する電波の位相を最適化する位相調整処理を実行する（ステップＳ３）。

制御部５は、位相調整処理を終えると、一連の処理を終了する。電波伝送システム１０は、ステップＳ２で求めた反射角度に設定するとともに、各セルの反射位相をステップＳ３で求めた反射位相に設定して受信端末Ｕ１に電波を反射する。

＜角度調整処理のフローチャート（図１２Ｂ）＞
制御部５は、反射板１００が電波を反射する反射角度を最適化する角度調整処理を以下のように実行する。反射板１００の反射角度は、図８Ｂに示す仰角Θ及び方位角Φで表される。ここでは、仰角Θについての角度調整処理について説明するが、方位角Φについての角度調整処理も同様である。

仰角Θについての角度調整処理は、水平方向について電波の受信強度が最大になる仰角Θを探索する処理であり、方位角Φを０度に設定して処理を行う。方位角Φについての角度調整処理は、垂直方向について電波の受信強度が最大になる方位角Φを探索する処理であり、仰角Θについての角度調整処理で求めた仰角Θに設定して処理を行う。

仰角Θについての角度調整処理と、方位角Φについての角度調整処理とを行う順番については、受信端末Ｕ１と基地局ＲＳの高さが著しく異なる場合は、仰角Θについての角度調整処理を先に行ってから、方位角Φについての角度調整処理を行うことが好ましい。また、受信端末Ｕ１と基地局ＲＳの高さが同程度の場合は、方位角Φについての角度調整処理を先に行ってから、仰角Θについての角度調整処理を行う方がよい。

制御部５は、処理を開始すると、受信端末Ｕ１にコマンドを送信し、仰角Θを設定して、受信端末Ｕ１に向けて反射板１００で電波を反射し、受信強度Ｐ（Θ）を表すデータを受信する（ステップＳ２１）。なお、仰角Θについての角度調整処理では、方位角Φは０度に設定される。

ステップＳ２１を最初に行う際に用いる仰角Θは、ステップＳ１で求めた反射角度に含まれる天頂角である。２回目以降のステップＳ２１で用いる仰角Θは、後述するステップＳ２４Ａ又はＳ２４Ｂで更新された仰角Θになる。受信端末Ｕ１は、コマンドを受信すると、電波の受信強度を計測して通信部４（図２参照）に送信する。

制御部５は、受信端末Ｕ１にコマンドを送信し、仰角Θ－Ａ及びΘ＋Ａを設定して受信端末Ｕ１に向けて反射板１００で電波を反射し、受信強度Ｐ（Θ－Ａ）及びＰ（Θ＋Ａ）を表すデータを受信する（ステップＳ２２）。受信端末Ｕ１は、コマンドを受信すると、電波の受信強度を計測して通信部４（図２参照）に送信する。

ステップＳ２２において、電波伝送システム１０は、仰角Θ－Ａを設定して受信強度Ｐ（Θ－Ａ）を表すデータを取得する処理と、仰角Θ＋Ａを設定して受信強度Ｐ（Θ＋Ａ）を表すデータを取得する処理とを別々に行う。

ステップＳ２２の処理は、ステップＳ２１で受信強度Ｐ（Θ）を求めた仰角Θの前後（±Ａ）の仰角Θ±Ａにおける受信強度Ｐ（Θ－Ａ）及びＰ（Θ＋Ａ）を求める処理である。角度Ａは、一例として、１５度～３０度の範囲内の適切な値に設定すればよい。角度Ａは、第１所定角度の一例である。

制御部５は、受信強度Ｐ（Θ）、Ｐ（Θ－Ａ）、及びＰ（Θ＋Ａ）のうちの最大値がいずれであるかを判定する（ステップＳ２３）。

制御部５は、受信強度Ｐ（Θ－Ａ）が最大であると判定すると、ステップＳ２１で用いる仰角Θを仰角Θ－Ａに更新する（ステップＳ２４Ａ）。すなわち、Θ＝Θ－Ａとなる。制御部５は、ステップＳ２４Ａの処理を終えると、フローをステップＳ２１にリターンする。

また、制御部５は、ステップＳ２３において、受信強度Ｐ（Θ＋Ａ）が最大であると判定すると、ステップＳ２１で用いる仰角Θを仰角Θ＋Ａに更新する（ステップＳ２４Ｂ）。すなわち、Θ＝Θ＋Ａとなる。制御部５は、ステップＳ２４Ｂの処理を終えると、フローをステップＳ２１にリターンする。

また、制御部５は、ステップＳ２３において、受信強度Ｐ（Θ）が最大であると判定すると、最適な仰角を仰角Θに決定する（ステップＳ２５）。制御部５は、ステップＳ２５の処理を終えると、角度調整処理を終了する。

角度調整処理では、最適な天頂角が見つかるまで、ステップＳ２４Ａ又はＳ２４ＢからフローがステップＳ２１にリターンされることによって、仰角Θの受信強度Ｐ（Θ）に対する受信強度Ｐ（Θ－Ａ）及びＰ（Θ＋Ａ）を求めることで、最適な仰角を探索する。

なお、ここでは仰角Θについての角度調整処理について説明したが、方位角Φについての角度調整処理も同様であり、一例として、最適な仰角Θを決定した後に、最適な方位角Φを探索すればよい。また、これとは逆に、最適な方位角Φを決定した後に、最適な仰角Θを探索してもよい。仰角Θについての角度調整処理と、方位角Φについての角度調整処理とを実行することにより、最適な仰角Θ及び方位角Φで表される最適な反射角度が決定する。

＜位相調整処理のフローチャート（図１２Ｃ）＞
制御部５は、反射板１００が電波を反射する電波の位相を最適化する位相調整処理を以下のように実行する。

制御部５は、処理を開始すると、受信端末Ｕ１にコマンドを送信し、複数のセル１１０に複数の反射位相γをそれぞれ設定して受信端末Ｕ１に向けて反射板１００で電波を反射し、受信強度Ｐ（γ）を表すデータを受信する（ステップＳ３１）。ステップＳ３１の処理は、第１計測処理の一例である。反射位相γは、第１反射位相の一例である。受信強度Ｐ（γ）は、第１受信強度の一例である。

ステップＳ３１の処理を最初に実行する際に用いる複数の反射位相γは、ステップＳ２で求めた仰角Θ及び方位角Φによって表される反射角度を実現するために、複数のセル１１０（すべてのセル１１０）にそれぞれ設定される複数の反射位相である。受信端末Ｕ１は、コマンドを受信すると、電波の受信強度を計測して通信部４（図２参照）に送信する。

制御部５は、受信端末Ｕ１にコマンドを送信し、複数の反射位相γ－Ｂ及びγ＋Ｂを設定して受信端末Ｕ１に向けて反射板１００で電波を反射し、受信強度Ｐ（γ－Ｂ）及びＰ（γ＋Ｂ）を表すデータを受信する（ステップＳ３２）。ステップＳ３２の処理は、第２計測処理の一例である。反射位相γ±Ｂは、第２反射位相の一例である。受信強度Ｐ（γ±Ｂ）は、第２受信強度の一例である。受信端末Ｕ１は、コマンドを受信すると、電波の受信強度を計測して通信部４（図２参照）に送信する。

ステップＳ３２において、電波伝送システム１０は、複数のセル１１０に複数の反射位相γ－Ｂをそれぞれ設定して受信強度Ｐ（γ－Ｂ）を表すデータを取得する処理と、複数のセル１１０に複数の反射位相γ＋Ｂをそれぞれ設定して受信強度Ｐ（γ＋Ｂ）を表すデータを取得する処理とを別々に行う。

ステップＳ３２の処理は、ステップＳ３１で受信強度Ｐ（γ）を求めた複数の反射位相γの前後（±Ｂ）の複数の反射位相γ－Ｂ及びγ＋Ｂにおける受信強度Ｐ（γ－Ｂ）及びＰ（γ＋Ｂ）をそれぞれ求める処理である。位相Ｂは、上述した共通の所定の反射位相の一例であり、一例として、３０度～９０度の範囲内の適切な値に設定すればよい。

制御部５は、受信強度Ｐ（γ）、Ｐ（γ－Ｂ）、及びＰ（γ＋Ｂ）のうちの最大値がいずれであるかを判定する（ステップＳ３３）。ステップＳ３３～Ｓ３５の処理は、すべてのセル１１０の複数の位相変化量の分布を調整し、調整した複数の位相変化量を取得する反射位相取得処理の一例である。

制御部５は、受信強度Ｐ（γ－Ｂ）が最大であると判定すると、ステップＳ３１で用いる複数の反射位相γを複数の反射位相γ－Ｂにそれぞれ更新する（ステップＳ３４Ａ）。すなわち、γ＝γ－Ｂとなる。制御部５は、ステップＳ３４Ａの処理を終えると、フローをステップＳ３１にリターンする。

また、制御部５は、ステップＳ３３において、受信強度Ｐ（γ＋Ｂ）が最大であると判定すると、ステップＳ３１で用いる複数の反射位相γを複数の反射位相γ＋Ｂにそれぞれ更新する（ステップＳ３４Ｂ）。すなわち、γ＝γ＋Ｂとなる。制御部５は、ステップＳ３４Ｂの処理を終えると、フローをステップＳ３１にリターンする。

また、制御部５は、ステップＳ３３において、受信強度Ｐ（γ）が最大であると判定すると、最適な複数の反射位相を複数の反射位相γに決定する（ステップＳ３５）。このようにして、ステップＳ３５において、最適な反射位相γが取得される。制御部５は、ステップＳ３５の処理を終えると、位相調整処理を終了する。

位相調整処理では、最適な複数の反射位相が見つかるまで、ステップＳ３４Ａ又はＳ３４ＢからフローがステップＳ３１にリターンされることによって、複数の反射位相γの受信強度Ｐ（γ）に対する受信強度Ｐ（γ－Ｂ）及びＰ（γ＋Ｂ）を求めることで、最適な複数の反射位相を探索する。

以上のように、制御部５が図１２Ａ乃至図１２Ｃに示す処理を実行することで、最適な反射角度、及び、最適な反射位相を用いて、反射板１００は電波を受信端末に向けて反射することができる。なお、受信端末Ｕ１の位置は固定されていなくてもよい。受信端末Ｕ１が移動する場合は、受信端末Ｕ１の位置に応じて、最適な反射角度、及び、最適な反射位相を求めればよい。

なお、図１２Ｃの処理では、ステップＳ３２において、複数の反射位相γ－Ｂでの受信強度Ｐ（γ－Ｂ）と、複数の反射位相γ＋Ｂでの受信強度Ｐ（γ＋Ｂ）との両方を求めた。しかしながら、ステップＳ３２では、複数の反射位相γ－Ｂでの受信強度Ｐ（γ－Ｂ）と、複数の反射位相γ＋Ｂでの受信強度Ｐ（γ＋Ｂ）とのいずれか一方を求めてもよい。そして、ステップＳ３３において、受信強度Ｐ（γ）と、受信強度Ｐ（γ－Ｂ）及び受信強度Ｐ（γ＋Ｂ）のうちのいずれか一方とを比較してもよい。

この場合に、例えば、ステップＳ３２で受信強度Ｐ（γ－Ｂ）を求める処理を、角度Ｂを加算しながら繰り返し行うことで、Ｎ個の受信強度Ｐ（γ－Ｂ）、受信強度Ｐ（γ－２Ｂ）、・・・、受信強度Ｐ（γ－ＮＢ）を求めて、ステップＳ３３において、Ｎ個の受信強度Ｐ（γ－Ｂ）～Ｐ（γ－ＮＢ）と、受信強度Ｐ（γ）との中から、最大の受信強度に対応する反射位相を取得してもよい。なお、Ｎは３以上の整数である。角度ＮＢが３６０度をカバーするように処理を繰り返せば、角度Ｂ刻みで３６０度の中から最適な反射位相を求めることができる。また、ステップＳ３２で受信強度Ｐ（γ＋Ｂ）を求める処理を、角度Ｂを加算しながら繰り返し行っても同様である。第１受信強度Ｐ（γ）及び第２受信強度Ｐ（γ±Ｂ）に基づいて調整した複数の位相変化量の分布を取得するとは、このような調整方法を含む意味である。

＜実験での検証＞
図１３は、実証実験を行った際の実施形態の反射板１００と比較用の反射板５０との配置の一例を示す図である。受信点から離れた位置に、実施形態の反射板１００と比較用の反射板５０とを隣同士に並べて配置した。比較用の反射板５０は、反射板１００の複数のセル１１０のように配置される複数のセルを含むが、位相変化量を調整することはできない。なお、反射板１００及び５０と受信点の位置は固定されている。

図示しない無線基地局ＲＢから到来した電波を反射板１００及び５０で受信点に向けて反射し、受信点における電波の受信強度を計測したところ、図１４の結果を得た。

図１４は、実験結果の一例を示す図である。反射板１００について、図１４に示す条件１～１３まで共通の所定の反射位相を３０度刻みで増大させながら、受信点における電波の受信強度を計測した。

共通の所定の反射位相を変化させると、受信点における電波の受信強度が変化することを確認できた。受信強度の最小値は、共通の所定の反射位相が１５０度のときの－８４ｄＢｍであり、受信強度の最大値は、共通の所定の反射位相が３３０度のときの－７２ｄＢｍであった。このように、共通の所定の反射位相を変化させることで、受信強度を１２ｄＢ増大させることができることを確認できた。

＜効果＞
電波伝送方法は、複数のセル１１０を有し、反射角度（Θ、Φ）を走査可能な反射板１００を含み、反射板１００の反射角度（Θ、Φ）を走査する、電波伝送システム１０における電波伝送方法である。電波伝送方法は、受信端末における電波の受信強度が大きくなるように、反射角度（Θ、Φ）を調整する角度調整処理（Ｓ２）と、受信端末における電波の受信強度が大きくなるように、複数のセル１１０が電波を反射する際に電波の位相を変化させる複数の位相変化量の分布を調整する位相調整処理（Ｓ３）とを行う。複数の位相変化量は、複数のセル１１０が電波を反射する際に、複数のセル１１０に設定される複数の反射位相を２値化又は多値化して得られる位相の変化量である。位相調整処理（Ｓ３）は、複数の第１反射位相γを複数のセル１１０に設定した状態で、受信端末における電波の第１受信強度Ｐ（γ）を計測する第１計測処理（Ｓ３１）と、複数の第１反射位相γに対して共通の所定の反射位相Ｂを加算又は減算した複数の第２反射位相γ－Ｂ又はγ＋Ｂを複数のセル１１０に設定した状態で、受信端末における電波の第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）又はＰ（γ＋Ｂ）を計測する第２計測処理（Ｓ３２）と、第１受信強度Ｐ（γ）及び第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）又はＰ（γ＋Ｂ）に基づいて調整した複数の位相変化量の分布を取得する反射位相取得処理（Ｓ３３～Ｓ３５）とを有する。

このように、電波伝送方法は、角度調整処理（Ｓ２）と位相調整処理（Ｓ３）とを行う。位相調整処理（Ｓ３）は、第１受信強度Ｐ（γ）を計測する第１計測処理（Ｓ３１）と、第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）又はＰ（γ＋Ｂ）を計測する第２計測処理（Ｓ３２）と、反射位相取得処理（Ｓ３３～Ｓ３５）とを有するので、計算量を少なくでき、各反射素子の位相変化量を簡単に設定可能である。

したがって、受信端末における電波の受信強度を増大させるために、反射板の反射角度と各反射素子の位相変化量とを簡単に設定可能な電波伝送方法を提供できる。

また、反射位相取得処理（Ｓ３３～Ｓ３５）は、第１受信強度Ｐ（γ）及び第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）又はＰ（γ＋Ｂ）に基づいて、複数のセル１１０に設定される複数の反射位相として、複数の第１反射位相γ、又は、複数の第２反射位相γ－Ｂ又はγ＋Ｂを取得する処理である。第１受信強度Ｐ（γ）及び第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）又はＰ（γ＋Ｂ）に基づいて、複数の第１反射位相γ、又は、複数の第２反射位相γ－Ｂ又はγ＋Ｂを取得できるので、受信端末における電波の受信強度を増大させるための各反射素子の位相変化量を効率的かつ簡単に設定可能である。

また、角度調整処理（Ｓ２）は、反射角度（Θ、Φ）を所定角度Ａおきに走査しながら電波の受信強度を計測して、電波の受信強度が最大になる角度に反射角度（Θ、Φ）を調整する処理である。このように、反射角度（Θ、Φ）を所定角度Ａおきに走査しながら電波の受信強度が最大になる角度を探索するので、電波の受信強度が最大になる角度に反射角度（Θ、Φ）を効率的かつ簡単に調整可能である。

また、複数のセル１１０は、水平方向（Ｘ方向）及び垂直方向（Ｙ方向）に配列されており、角度調整処理（Ｓ２）は、水平方向について反射角度（仰角Θ）を第１所定角度Ａおきに走査しながら電波の受信強度を計測して、電波の受信強度が最大になる角度に水平方向における反射角度（仰角Θ）を調整してから、垂直方向について反射角度（方位角Φ）を第２所定角度おきに走査しながら電波の受信強度を計測して、電波の受信強度が最大になる角度に垂直方向における反射角度（方位角Φ）を調整する処理である。水平方向の反射角度（仰角Θ）と、垂直方向の反射角度（方位角Φ）とを別々に調整することで、計算量を少なくすることができる。また、最適な水平方向の反射角度（仰角Θ）を求めてから、最適な垂直方向の反射角度（方位角Φ）を求めるので、最適な仰角Θ及び方位角Φを効率的に求めることができる。

また、第２計測処理（Ｓ３２）は、複数のセル１１０の複数の反射位相を、複数の第１反射位相γに共通の所定の反射位相Ｂを加算して得る複数の第２反射位相γ＋Ｂに設定した状態と、複数の第１反射位相γから共通の所定の反射位相Ｂを減算して得る複数の第２反射位相γ－Ｂに設定した状態とで、受信端末における電波の第２受信強度を２回計測する処理であり、受信強度取得処理は、通信部を介して第１受信強度Ｐ（γ）と、２回の計測で得られた２つの第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）及びＰ（γ±Ｂ）とを取得する処理であり、反射位相取得処理（Ｓ３３～Ｓ３５）は、第１受信強度Ｐ（γ）と、２つの第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）及びＰ（γ±Ｂ）のうちの最大の受信強度に対応する複数の反射位相を、複数の第１反射位相γと、２回の計測に用いた２種類の複数の第２反射位相γ－Ｂ及びγ＋Ｂとの中から求める処理である。すなわち、複数の第１反射位相γの前後の第２反射位相γ－Ｂ及びγ＋Ｂについて、第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）及びＰ（γ±Ｂ）を求め、第１受信強度Ｐ（γ）と、第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）及びＰ（γ±Ｂ）との中で最大の受信強度に対応する反射位相を求める。このように、複数の第１反射位相γの前後の複数の第２反射位相γ－Ｂ及びγ＋Ｂについての第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）及びＰ（γ±Ｂ）を求めることで、複数の第１反射位相γと、前後の複数の第２反射位相γ－Ｂ及びγ＋Ｂとの中で探索でき、最適な反射位相を効率的かつ迅速に求めることができる。

また、反射位相取得処理（Ｓ３３～Ｓ３５）において複数の第２反射位相（γ－Ｂ又はγ＋Ｂ）を取得すると、取得した複数の第２反射位相（γ－Ｂ又はγ＋Ｂ）を複数の第１反射位相γとして設定した状態で第１計測処理（Ｓ３１）を行い、取得した複数の第２反射位相（γ－Ｂ又はγ＋Ｂ）を複数の第１反射位相γに設定した状態で第２計測処理（Ｓ３２）を行う。すなわち、複数の第２反射位相（γ－Ｂ又はγ＋Ｂ）を複数の第１反射位相γに更新した状態で第２計測処理（Ｓ３２）を行うので、第１反射位相γを位相－Ｂ又は＋Ｂだけずらして、複数の第１反射位相γと、前後の複数の第２反射位相γ－Ｂ及びγ＋Ｂとの中で探索でき、より広い範囲で最適な反射位相を効率的かつ迅速に求めることができる。

また、セル１１０は、反射位相に応じて、３値以上の複数の位相変化量を設定可能である。このため、位相変化量を多値的に制御可能である。

また、位相変化量は、第１値又は第２値の２値であり、反射板１００は、複数のセル１１０の位相変化量を第１値又は第２値に設定することで、反射角度（Θ、Φ）を走査する。このため、位相変化量を２値的に制御することで、反射角度を鏡面反射以外の角度に調整可能である。

また、第１値と第２値との差は、１２０度～２４０度であるので、製造誤差等によるばらつきを考慮して、位相変化量を２値的に制御することで、反射角度を鏡面反射以外の角度に調整可能である。

電波伝送システム１０は、複数のセル１１０を有し、反射角度（Θ、Φ）を走査可能な反射板１００と、反射板１００の反射角度（Θ、Φ）を走査する制御部５とを含む。制御部５は、受信端末における電波の受信強度が大きくなるように、反射角度（Θ、Φ）を調整する角度調整処理（Ｓ２）と、受信端末における電波の受信強度が大きくなるように、複数のセル１１０が電波を反射する際に電波の位相を変化させる複数の位相変化量の分布を調整する位相調整処理（Ｓ３）とを行う。複数の位相変化量は、複数のセル１１０が電波を反射する際に、複数のセル１１０に設定される複数の反射位相を２値化又は多値化して得られる位相の変化量である。位相調整処理（Ｓ３）は、複数の第１反射位相γを複数のセル１１０に設定した状態で、受信端末における電波の第１受信強度Ｐ（γ）を計測する第１計測処理（Ｓ３１）と、複数の第１反射位相γに対して共通の所定の反射位相Ｂを加算又は減算した複数の第２反射位相γ－Ｂ又はγ＋Ｂを複数のセル１１０に設定した状態で、受信端末における電波の第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）又はＰ（γ＋Ｂ）を計測する第２計測処理（Ｓ３２）と、第１受信強度Ｐ（γ）及び第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）又はＰ（γ＋Ｂ）に基づいて調整した複数の位相変化量の分布を取得する反射位相取得処理（Ｓ３３～Ｓ３５）とを有する。

このように、電波伝送システム１０は、角度調整処理（Ｓ２）と位相調整処理（Ｓ３）とを行う。位相調整処理（Ｓ３）は、第１受信強度Ｐ（γ）を計測する第１計測処理（Ｓ３１）と、第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）又はＰ（γ＋Ｂ）を計測する第２計測処理（Ｓ３２）と、反射位相取得処理（Ｓ３３～Ｓ３５）とを有するので、計算量を少なくでき、各反射素子の位相変化量を簡単に設定可能である。

したがって、受信端末における電波の受信強度を増大させるために、反射板の反射角度と各反射素子の位相変化量とを簡単に設定可能な電波伝送システム１０を提供できる。

＜変形例＞
以上では、位相調整処理において最大の受信強度が得られる反射位相を探索する際に、複数のセル１１０の複数の反射位相に、共通の所定の反射位相を加算又は減算する方法について説明した。しかしながら、複数のセル１１０の複数の反射位相に、共通の所定の反射位相を加算又は減算する代わりに、複数のセル１１０の複数の反射位相を２値化する際の位相範囲を変更することで、複数のセル１１０についての複数の位相変化量の分布を調整してもよい。

図１０Ａに示すように反射位相（０ｄｅｇ、１２０ｄｅｇ、又は２４０ｄｅｇ）が設定されている場合に、すべてのセル１１０の反射位相を２値化する位相範囲をオン用の－９０度≦γ＜９０度の範囲と、オフ用の＋９０度≦γ＜＋２７０度の範囲とに設定していた。図１０Ｂに示す２５個の反射位相は、図１０Ａに示す２５個の反射位相に対して、共通の所定の反射位相（一例として６０度）を加算して、オン用の－９０度≦γ＜９０度の位相範囲と、オフ用の＋９０度≦γ＜＋２７０度の位相範囲とを用いて２値化して得た反射位相の分布であった。

実施形態の変形例では、位相調整処理の第２計測処理において、オン用の位相範囲を－９０度≦γ＜９０度から、－３０度≦γ＜１５０度へと６０度シフトさせるとともに、オフ用の位相範囲を＋９０度≦γ＜＋２７０度から＋１５０度≦γ＜＋３３０度への６０度シフトさせる。このように２値化のための位相範囲を変化させることで、図１０Ｂに示す２５個のセルの水平方向におけるオン、オフと同一の分布（位相変化量の分布）を得ることができる。

＜実施形態の変形例の位相調整処理のフローチャート（図１５）＞
図１５は、実施形態の変形例の位相調整処理の一例を表すフローチャートである。

制御部５は、反射板１００が電波を反射する電波の位相を最適化する位相調整処理を以下のように実行する。

制御部５は、処理を開始すると、受信端末Ｕ１にコマンドを送信し、複数のセル１１０に複数の反射位相γを設定して受信端末Ｕ１に向けて反射板１００で電波を反射し、受信強度Ｐ（ε）を表すデータを受信する（ステップＳ３１Ｍ）。ステップＳ３１の処理を実行する際に用いる複数の反射位相γは、ステップＳ２で求めた仰角Θ及び方位角Φによって表される反射角度を実現するために、複数のセル１１０（すべてのセル１１０）にそれぞれ設定される複数の反射位相である。受信端末Ｕ１は、コマンドを受信すると、電波の受信強度を計測して通信部４（図２参照）に送信する。

また、受信強度Ｐ（ε）は、反射位相を２値化する際のオン用の位相範囲をεに設定し、オフ用の位相範囲をε＋πに設定した場合に得られる受信強度である。

制御部５は、受信端末Ｕ１にコマンドを送信し、オン用の位相範囲をε±Ｃに設定し、オフ用の位相範囲をε＋π±Ｃに設定して受信端末Ｕ１に向けて反射板１００で電波を反射し、受信強度Ｐ（ε－Ｃ）及びＰ（ε＋Ｃ）を表すデータを受信する（ステップＳ３２Ｍ）。受信端末Ｕ１は、コマンドを受信すると、電波の受信強度を計測して通信部４（図２参照）に送信する。

ステップＳ３２Ｍにおいて、電波伝送システム１０は、オン用の位相範囲をε－Ｃに設定するとともに、オフ用の位相範囲をε＋π－Ｃに設定して受信強度Ｐ（ε－Ｃ）を表すデータを取得する処理を行う。また、ステップＳ３２Ｍにおいて、電波伝送システム１０は、オン用の位相範囲をε＋Ｃに設定するとともに、オフ用の位相範囲をε＋π＋Ｃに設定して受信強度Ｐ（ε＋Ｃ）を表すデータを取得する処理を行う。ステップＳ３２Ｍにおいて、電波伝送システム１０は、これら２つの処理を別々に行う。

ステップＳ３２Ｍの処理は、ステップＳ３１Ｍで受信強度Ｐ（ε）を求めた際の位相範囲ε、ε＋πの前後（±Ｃ）の位相範囲ε±Ｃ、ε＋π±Ｃおける受信強度Ｐ（ε－Ｃ）及びＰ（ε＋Ｃ）を求める処理である。位相範囲Ｃは、位相範囲ε、ε＋πを変更するために用いる位相範囲の変更分であり、一例として、３０度～９０度の範囲内の適切な値に設定すればよい。

制御部５は、受信強度Ｐ（ε）、Ｐ（ε－Ｃ）、及びＰ（ε＋Ｃ）のうちの最大値がいずれであるかを判定する（ステップＳ３３Ｍ）。

制御部５は、受信強度Ｐ（ε－Ｃ）が最大であると判定すると、ステップＳ３１Ｍで用いる位相範囲ε、ε＋πを位相範囲ε－Ｃ、ε＋π－Ｃに更新する（ステップＳ３４ＭＡ）。制御部５は、ステップＳ３４ＭＡの処理を終えると、フローをステップＳ３１Ｍにリターンする。

また、制御部５は、受信強度Ｐ（ε＋Ｃ）が最大であると判定すると、ステップＳ３１Ｍで用いる位相範囲ε、ε＋πを位相範囲ε＋Ｃ、ε＋π＋Ｃに更新する（ステップＳ３４ＭＢ）。制御部５は、ステップＳ３４ＭＢの処理を終えると、フローをステップＳ３１Ｍにリターンする。

また、制御部５は、ステップＳ３３Ｍにおいて、受信強度Ｐ（ε）が最大であると判定すると、最適な位相範囲をε、ε＋πに決定する（ステップＳ３５Ｍ）。制御部５は、ステップＳ３５の処理を終えると、位相調整処理を終了する。

位相調整処理では、最適な複数の反射位相が見つかるまで、ステップＳ３４ＭＡ又はＳ３４ＭＢからフローがステップＳ３１Ｍにリターンされることによって、位相範囲εの受信強度Ｐ（ε）に対する受信強度Ｐ（ε－Ｃ）及びＰ（ε＋Ｃ）を求めることで、最適な２値化のための位相範囲を探索する。

＜効果＞
実施形態の変形例の電波伝送方法は、複数のセル１１０を有し、反射角度（Θ、Φ）を走査可能な反射板１００を含み、反射板１００の反射角度（Θ、Φ）を走査する、電波伝送システム１０における電波伝送方法である。電波伝送方法は、受信端末における電波の受信強度が大きくなるように、反射角度（Θ、Φ）を調整する角度調整処理（Ｓ２）と、受信端末における電波の受信強度が大きくなるように、複数のセル１１０が電波を反射する際に電波の位相を変化させる複数の位相変化量の分布を調整する位相調整処理（Ｓ３）とを行う。複数の位相変化量は、複数のセル１１０が電波を反射する際に、複数のセル１１０に設定される複数の反射位相を２値化又は多値化して得られる位相の変化量である。位相調整処理（Ｓ３）は、複数の第１反射位相γを複数のセル１１０に設定した状態で、受信端末における電波の第１受信強度Ｐ（γ）を計測する第１計測処理（Ｓ３１）と、複数の第１反射位相γを２値化又は多値化する際に用いる２値又は多値の範囲を表す位相範囲を変更して得る複数の第２反射位相γ－Ｂ又はγ＋Ｂを複数のセル１１０に設定した状態で、受信端末における電波の第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）又はＰ（γ＋Ｂ）を計測する第２計測処理（Ｓ３２）と、第１受信強度Ｐ（γ）及び第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）又はＰ（γ＋Ｂ）に基づいて調整した複数の位相変化量の分布を取得する反射位相取得処理（Ｓ３３～Ｓ３５）とを有する。

このように、電波伝送方法は、角度調整処理（Ｓ２）と位相調整処理（Ｓ３）とを行う。位相調整処理（Ｓ３）は、第１受信強度Ｐ（γ）を計測する第１計測処理（Ｓ３１）と、第２受信強度Ｐ（γ－Ｂ）又はＰ（γ＋Ｂ）を計測する第２計測処理（Ｓ３２）と、反射位相取得処理（Ｓ３３～Ｓ３５）とを有するので、計算量を少なくでき、各反射素子の位相変化量を簡単に設定可能である。

したがって、受信端末における電波の受信強度を増大させるために、反射板の反射角度と各反射素子の位相変化量とを簡単に設定可能な電波伝送方法を提供できる。また、同様の電波伝送システム１０を提供できる。

以上、本開示の例示的な電波伝送方法、及び、電波伝送システムについて説明したが、本開示は、具体的に開示された実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。

以上の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
複数の反射素子を有し、反射角度を走査可能な反射板を含み、
前記反射板の反射角度を走査する、電波伝送システムにおいて、
受信端末における前記電波の受信強度が大きくなるように、前記反射角度を調整する角度調整処理と、
前記受信端末における前記電波の受信強度が大きくなるように、前記複数の反射素子が前記電波を反射する際に前記電波の位相を変化させる複数の位相変化量の分布を調整する位相調整処理と
を行い、
前記複数の位相変化量は、前記複数の反射素子が前記電波を反射する際に、前記複数の反射素子に設定される複数の反射位相を２値化又は多値化して得られる位相の変化量であり、
前記位相調整処理は、
複数の第１反射位相を前記複数の反射素子に設定した状態で、前記受信端末における前記電波の第１受信強度を計測する第１計測処理と、
前記複数の第１反射位相に対して共通の所定の反射位相を加算又は減算した複数の第２反射位相、又は、前記複数の第１反射位相を２値化又は多値化する際に用いる前記２値又は前記多値の範囲を表す位相範囲を変更して得る複数の第２反射位相を前記複数の反射素子に設定した状態で、前記受信端末における前記電波の第２受信強度を計測する第２計測処理と、
前記第１受信強度及び前記第２受信強度に基づいて調整した前記複数の位相変化量の分布を取得する反射位相取得処理と
を有する、電波伝送方法。
（付記２）
前記反射位相取得処理は、前記第１受信強度及び前記第２受信強度に基づいて、前記複数の反射素子に設定される前記複数の反射位相として、前記複数の第１反射位相、又は、前記複数の第２反射位相を取得する処理である、付記１に記載の電波伝送方法。
（付記３）
前記角度調整処理は、前記反射角度を所定角度おきに走査しながら前記電波の受信強度を計測して、前記電波の受信強度が最大になる角度に前記反射角度を調整する処理である、付記１又は２に記載の電波伝送方法。
（付記４）
前記複数の反射素子は、水平方向及び垂直方向に配列されており、
前記角度調整処理は、前記水平方向について前記反射角度を第１所定角度おきに走査しながら前記電波の受信強度を計測して、前記電波の受信強度が最大になる角度に前記水平方向における前記反射角度を調整してから、前記垂直方向について前記反射角度を第２所定角度おきに走査しながら前記電波の受信強度を計測して、前記電波の受信強度が最大になる角度に前記前記垂直方向における前記反射角度を調整する処理である、付記１乃至３のいずれか１項に記載の電波伝送方法。
（付記５）
前記第２計測処理は、前記複数の反射素子の複数の反射位相を、前記複数の第１反射位相に前記共通の所定の反射位相を加算して得る前記複数の第２反射位相に設定した状態と、前記複数の第１反射位相から前記共通の所定の反射位相を減算して得る前記複数の第２反射位相に設定した状態とで、前記受信端末における前記電波の前記第２受信強度を２回計測する処理であり、
前記受信強度取得処理は、前記通信部を介して前記第１受信強度と、前記２回の計測で得られた２つの前記第２受信強度とを取得する処理であり、
前記反射位相取得処理は、前記第１受信強度と、前記２つの第２受信強度のうちの最大の受信強度に対応する複数の反射位相を、前記複数の第１反射位相と、前記２回の計測に用いた２種類の前記複数の第２反射位相との中から求める処理である、付記１乃至４のいずれか１項に記載の電波伝送方法。
（付記６）
前記反射位相取得処理において前記複数の第２反射位相を取得すると、
前記取得した前記複数の第２反射位相を前記複数の第１反射位相として設定した状態で前記第１計測処理を行い、
前記取得した前記複数の第２反射位相を前記複数の第１反射位相に設定した状態で前記第２計測処理を行う、付記２に記載の電波伝送方法。
（付記７）
前記反射素子は、前記反射位相に応じて、３値以上の複数の前記位相変化量を設定可能である、付記１乃至６のいずれか１項に記載の電波伝送方法。
（付記８）
前記位相変化量は、第１値又は第２値の２値であり、
前記反射板は、前記複数の反射素子の前記位相変化量を前記第１値又は前記第２値に設定することで、前記反射角度を走査する、付記１乃至７のいずれか１項に記載の電波伝送方法。
（付記９）
前記第１値と前記第２値との差は、１２０度～２４０度である、付記８に記載の電波伝送方法。
（付記１０）
複数の反射素子を有し、反射角度を走査可能な反射板と、
前記反射板の反射角度を走査する制御部と
を含み、
前記制御部は、
受信端末における前記電波の受信強度が大きくなるように、前記反射角度を調整する角度調整処理と、
前記受信端末における前記電波の受信強度が大きくなるように、前記複数の反射素子が前記電波を反射する際に前記電波の位相を変化させる複数の位相変化量の分布を調整する位相調整処理と
を行い、
前記複数の位相変化量は、前記複数の反射素子が前記電波を反射する際に、前記複数の反射素子に設定される複数の反射位相を２値化又は多値化して得られる位相の変化量であり、
前記位相調整処理は、
複数の第１反射位相を前記複数の反射素子に設定した状態で、前記受信端末における前記電波の第１受信強度を計測する第１計測処理と、
前記複数の第１反射位相に対して共通の所定の反射位相を加算又は減算した複数の第２反射位相、又は、前記複数の第１反射位相を２値化又は多値化する際の角度範囲を変更して得る複数の第２反射位相を前記複数の反射素子に設定した状態で、前記受信端末における前記電波の第２受信強度を計測する第２計測処理と、
前記第１受信強度及び前記第２受信強度に基づいて調整した前記複数の位相変化量の分布を取得する反射位相取得処理と
を有する、電波伝送システム。

１ 壁
１Ａ アンテナ
Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３ 受信端末
４ 通信部
４Ａ アンテナ
５ 制御部
１０ 電波伝送システム
１００ 反射板
１１０ セル
１１１ 共振素子
１１１Ａ 端辺
１１２、１１２Ｈ、１１２Ｖ 共振素子
１１２Ａ、１１２Ｂ 線状エレメント
１１２Ｃ ＰＩＮダイオード

Claims (10)

1. 複数の反射素子を有し、反射角度を走査可能な反射板を含み、
   前記反射板の反射角度を走査する、電波伝送システムにおいて、
   受信端末における前記電波の受信強度が大きくなるように、前記反射角度を調整する角度調整処理と、
   前記受信端末における前記電波の受信強度が大きくなるように、前記複数の反射素子が前記電波を反射する際に前記電波の位相を変化させる複数の位相変化量の分布を調整する位相調整処理と
   を行い、
   前記複数の位相変化量は、前記複数の反射素子が前記電波を反射する際に、前記複数の反射素子に設定される複数の反射位相を２値化又は多値化して得られる位相の変化量であり、
   前記位相調整処理は、
   複数の第１反射位相を前記複数の反射素子に設定した状態で、前記受信端末における前記電波の第１受信強度を計測する第１計測処理と、
   前記複数の第１反射位相に対して共通の所定の反射位相を加算又は減算した複数の第２反射位相、又は、前記複数の第１反射位相を２値化又は多値化する際に用いる前記２値又は前記多値の範囲を表す位相範囲を変更して得る複数の第２反射位相を前記複数の反射素子に設定した状態で、前記受信端末における前記電波の第２受信強度を計測する第２計測処理と、
   前記第１受信強度及び前記第２受信強度に基づいて調整した前記複数の位相変化量の分布を取得する反射位相取得処理と
   を有する、電波伝送方法。
2. 前記反射位相取得処理は、前記第１受信強度及び前記第２受信強度に基づいて、前記複数の反射素子に設定される前記複数の反射位相として、前記複数の第１反射位相、又は、前記複数の第２反射位相を取得する処理である、請求項１に記載の電波伝送方法。
3. 前記角度調整処理は、前記反射角度を所定角度おきに走査しながら前記電波の受信強度を計測して、前記電波の受信強度が最大になる角度に前記反射角度を調整する処理である、請求項１に記載の電波伝送方法。
4. 前記複数の反射素子は、水平方向及び垂直方向に配列されており、
   前記角度調整処理は、前記水平方向について前記反射角度を第１所定角度おきに走査しながら前記電波の受信強度を計測して、前記電波の受信強度が最大になる角度に前記水平方向における前記反射角度を調整してから、前記垂直方向について前記反射角度を第２所定角度おきに走査しながら前記電波の受信強度を計測して、前記電波の受信強度が最大になる角度に前記前記垂直方向における前記反射角度を調整する処理である、請求項１に記載の電波伝送方法。
5. 前記第２計測処理は、前記複数の反射素子の複数の反射位相を、前記複数の第１反射位相に前記共通の所定の反射位相を加算して得る前記複数の第２反射位相に設定した状態と、前記複数の第１反射位相から前記共通の所定の反射位相を減算して得る前記複数の第２反射位相に設定した状態とで、前記受信端末における前記電波の前記第２受信強度を２回計測する処理であり、
   前記受信強度取得処理は、前記通信部を介して前記第１受信強度と、前記２回の計測で得られた２つの前記第２受信強度とを取得する処理であり、
   前記反射位相取得処理は、前記第１受信強度と、前記２つの第２受信強度のうちの最大の受信強度に対応する複数の反射位相を、前記複数の第１反射位相と、前記２回の計測に用いた２種類の前記複数の第２反射位相との中から求める処理である、請求項１に記載の電波伝送方法。
6. 前記反射位相取得処理において前記複数の第２反射位相を取得すると、
   前記取得した前記複数の第２反射位相を前記複数の第１反射位相として設定した状態で前記第１計測処理を行い、
   前記取得した前記複数の第２反射位相を前記複数の第１反射位相に設定した状態で前記第２計測処理を行う、請求項２に記載の電波伝送方法。
7. 前記反射素子は、前記反射位相に応じて、３値以上の複数の前記位相変化量を設定可能である、請求項１に記載の電波伝送方法。
8. 前記位相変化量は、第１値又は第２値の２値であり、
   前記反射板は、前記複数の反射素子の前記位相変化量を前記第１値又は前記第２値に設定することで、前記反射角度を走査する、請求項１に記載の電波伝送方法。
9. 前記第１値と前記第２値との差は、１２０度～２４０度である、請求項８に記載の電波伝送方法。
10. 複数の反射素子を有し、反射角度を走査可能な反射板と、
    前記反射板の反射角度を走査する制御部と
    を含み、
    前記制御部は、
    受信端末における前記電波の受信強度が大きくなるように、前記反射角度を調整する角度調整処理と、
    前記受信端末における前記電波の受信強度が大きくなるように、前記複数の反射素子が前記電波を反射する際に前記電波の位相を変化させる複数の位相変化量の分布を調整する位相調整処理と
    を行い、
    前記複数の位相変化量は、前記複数の反射素子が前記電波を反射する際に、前記複数の反射素子に設定される複数の反射位相を２値化又は多値化して得られる位相の変化量であり、
    前記位相調整処理は、
    複数の第１反射位相を前記複数の反射素子に設定した状態で、前記受信端末における前記電波の第１受信強度を計測する第１計測処理と、
    前記複数の第１反射位相に対して共通の所定の反射位相を加算又は減算した複数の第２反射位相、又は、前記複数の第１反射位相を２値化又は多値化する際の角度範囲を変更して得る複数の第２反射位相を前記複数の反射素子に設定した状態で、前記受信端末における前記電波の第２受信強度を計測する第２計測処理と、
    前記第１受信強度及び前記第２受信強度に基づいて調整した前記複数の位相変化量の分布を取得する反射位相取得処理と
    を有する、電波伝送システム。

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