JP2024031261A - Insulating spacer and method for manufacturing insulating spacer - Google Patents

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健次 岡本
秀好 増井
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Abstract

【課題】製造する装置が大掛かりになることを防ぐことができるようにすること。【解決手段】絶縁スペーサ(3)は、中心導体(11)を支持して中心導体の周囲に設けられる円盤状のスペーサ本体(12)を備えている。スペーサ本体の径方向にて比誘電率が変化して形成される。スペーサ本体は、テープ状に形成されたプリプレグ(P)を中心導体に巻回して一体化した状態により構成される。プリプレグは、長手方向にて比誘電率が次第に増減するよう変化する領域を備え、例えば、中心導体から離れるに従って比誘電率が小さく変化する。【選択図】図1[Problem] To prevent a manufacturing device from becoming large-scale. An insulating spacer (3) includes a disk-shaped spacer body (12) that supports a center conductor (11) and is provided around the center conductor. The spacer body is formed with a relative dielectric constant that changes in the radial direction. The spacer body is constructed by winding a tape-shaped prepreg (P) around a central conductor and integrating the prepreg (P). The prepreg has a region in which the dielectric constant gradually increases or decreases in the longitudinal direction, and for example, the dielectric constant changes smaller as the distance from the center conductor increases. [Selection diagram] Figure 1

Description

新規性喪失の例外適用申請有り There is an application for exception to loss of novelty.

本発明は、絶縁スペーサに関し、特に、ガス絶縁開閉装置に用いられる絶縁スペーサ及び絶縁スペーサの製造方法に関する。 The present invention relates to an insulating spacer, and particularly to an insulating spacer used in a gas-insulated switchgear and a method for manufacturing an insulating spacer.

ガス絶縁開閉装置は、金属製の密封容器の中に高圧導体が配置された構造を備えている。このようなガス絶縁開閉装置において、高圧導体を密封容器の所定の位置に固定するための絶縁スペーサと呼ばれる固体絶縁物が用いられている。 Gas-insulated switchgear has a structure in which a high-voltage conductor is placed in a metal sealed container. In such a gas-insulated switchgear, a solid insulator called an insulating spacer is used to fix the high-voltage conductor at a predetermined position in a sealed container.

従来、一般的に用いられる円盤型の絶縁スペーサにおいては、中央部に高圧導体が設けられ、高圧導体を支持するように絶縁スペーサが設けられる。絶縁スペーサの周囲には金属フランジが取り付けられ、金属フランジにより、密封容器の連結フランジに挟まれて、密封容器に固定される。 Conventionally, in a generally used disc-shaped insulating spacer, a high voltage conductor is provided in the center, and the insulating spacer is provided so as to support the high voltage conductor. A metal flange is attached around the insulating spacer, and is fixed to the sealed container by being sandwiched between the connecting flanges of the sealed container.

近年、より経済性が要求されるようになり、ガス絶縁開閉装置のコンパクト化が望まれている。従来の絶縁スペーサにおいては、SFを主成分とする絶縁ガスと固体絶縁物の誘電率の違いを要因とするガス空間における電界集中等がコンパクト化の妨げとなっている。そこで、コンパクト化を図るため、円盤型絶縁スペーサの誘電率を径方向に変化させることにより、その表面の沿面方向成分の電界を低減する検討がされている(例えば、特許文献1参照)。 In recent years, more economical efficiency has been required, and it is desired that gas insulated switchgears be made more compact. In conventional insulating spacers, the electric field concentration in the gas space caused by the difference in dielectric constant between the insulating gas mainly composed of SF 6 and the solid insulator is an obstacle to miniaturization. Therefore, in order to achieve compactness, studies have been conducted to reduce the electric field component in the creeping direction of the surface by changing the dielectric constant of the disc-shaped insulating spacer in the radial direction (see, for example, Patent Document 1).

特許文献1は、高圧導体に接触する部位から接地側に向かって誘電率が低下するように誘電率が傾斜する一体物の絶縁体を開示している。特許文献1は、かかる絶縁体を製造するため、円板状のキャビティを有する型に無機フィラー充填樹脂を注入した後、該型を回転している。かかる型の回転により、キャビティの中心から外側に向かって無機フィラー充填樹脂に遠心力がかかり、絶縁体の中心部から外側に向かって誘電率が低下する絶縁体を得ている。 Patent Document 1 discloses an integral insulator whose dielectric constant is sloped such that the dielectric constant decreases from a portion that contacts a high-voltage conductor toward the ground side. In Patent Document 1, in order to manufacture such an insulator, an inorganic filler-filled resin is injected into a mold having a disc-shaped cavity, and then the mold is rotated. Due to the rotation of the mold, centrifugal force is applied to the resin filled with inorganic filler from the center of the cavity toward the outside, resulting in an insulator whose dielectric constant decreases from the center of the insulator toward the outside.

特開2004-273394号公報Japanese Patent Application Publication No. 2004-273394

しかしながら、特許文献1においては、型に注入した無機フィラー充填樹脂に遠心力をかけるため、数十から数百キログラムにおよぶ重量の型を回転する必要がある。このため、装置の耐久性や安定運転を確保するため、装置が大掛かりとなる、という問題があり、特に、絶縁体が大型化しようとすると、型を回転したり回転する型を支持したりする装置を用意することが現実的でなくなる、という問題がある。 However, in Patent Document 1, in order to apply centrifugal force to the inorganic filler-filled resin injected into the mold, it is necessary to rotate the mold weighing tens to hundreds of kilograms. Therefore, in order to ensure the durability and stable operation of the equipment, there is a problem in that the equipment has to be large-scale.In particular, when the insulator is increased in size, it is necessary to rotate the mold and support the rotating mold. There is a problem in that it becomes impractical to prepare the equipment.

本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、製造する装置が大掛かりになることを防ぐことができる絶縁スペーサ及び絶縁スペーサの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an insulating spacer and a method for manufacturing an insulating spacer that can prevent the manufacturing apparatus from becoming large-scale.

本発明における一態様の絶縁スペーサは、中心導体を支持して該中心導体の周囲に設けられる円盤状のスペーサ本体を備え、該スペーサ本体の径方向にて比誘電率が変化する絶縁スペーサであって、前記スペーサ本体は、テープ状に形成されたプリプレグを前記中心導体に巻回して一体化した状態により構成されることを特徴とする。 An insulating spacer according to one embodiment of the present invention includes a disc-shaped spacer body that supports a center conductor and is provided around the center conductor, and has a dielectric constant that changes in the radial direction of the spacer body. The spacer body is characterized in that it is constructed by winding a tape-shaped prepreg around the center conductor and integrating it.

本発明における一態様の絶縁スペーサの製造方法は、中心導体を支持して該中心導体の周囲に設けられる円盤状のスペーサ本体を備え、該スペーサ本体の径方向にて比誘電率が変化する絶縁スペーサの製造方法であって、テープ状に形成して長手方向で比誘電率が次第に増減するよう変化する領域を備えたプリプレグを製造するプリプレグ製造工程と、前記プリプレグ製造工程の後、前記プリプレグを前記中心導体に巻回して前記スペーサ本体を形成する巻回工程と、前記巻回工程の後、巻回した前記プリプレグを一体化した状態にする一体化工程とを実施することを特徴とする。 A method for manufacturing an insulating spacer according to one embodiment of the present invention includes a disk-shaped spacer body that supports a center conductor and is provided around the center conductor, and an insulator whose relative dielectric constant changes in the radial direction of the spacer body. A method for manufacturing a spacer, comprising a prepreg manufacturing step of manufacturing a prepreg formed into a tape shape and having a region whose dielectric constant gradually increases or decreases in the longitudinal direction; and after the prepreg manufacturing step, the prepreg is The present invention is characterized in that a winding step is performed in which the spacer body is formed by winding the center conductor, and an unifying step is performed in which the wound prepreg is brought into an integrated state after the winding step.

本発明によれば、テープ状に形成されたプリプレグを巻回してスペーサ本体を形成できるので、絶縁スペーサの製造にて、樹脂材を型に注入する工程をなくすことができる。これにより、スペーサ本体の径方向にて比誘電率を変化させるため、樹脂材を注入した型を回転する装置や設備が不要になり、装置が大掛かりになることを防止することができる。また、スペーサ本体の径寸法が大きくなる場合には、プリプレグを巻回する回数を増やすことで対応でき、これによっても、大掛かりな装置を使用することを回避することができる。 According to the present invention, since the spacer body can be formed by winding the tape-shaped prepreg, it is possible to eliminate the step of injecting a resin material into a mold in manufacturing the insulating spacer. As a result, the dielectric constant is changed in the radial direction of the spacer body, so a device or equipment for rotating a mold injected with resin material is not required, and the device can be prevented from becoming bulky. Furthermore, if the diameter of the spacer body increases, this can be handled by increasing the number of times the prepreg is wound, and this also makes it possible to avoid using a large-scale device.

実施の形態に係る開閉装置の断面図である。It is a sectional view of the opening and closing device concerning an embodiment. プリプレグの概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of prepreg. 図3Aは、巻回工程の初期段階の説明図であり、図3Bは、巻回工程の中途段階の説明図であり、図3Cは、巻回工程及び一体化工程の説明図である。FIG. 3A is an explanatory diagram of the initial stage of the winding process, FIG. 3B is an explanatory diagram of the intermediate stage of the winding process, and FIG. 3C is an explanatory diagram of the winding process and the integrating process. 図4A及び図4Bは、絶縁スペーサの一例となる構成を説明するためのグラフである。FIGS. 4A and 4B are graphs for explaining an exemplary configuration of an insulating spacer. 図5A及び図5Bは、絶縁スペーサの他の一例となる構成を説明するためのグラフである。FIGS. 5A and 5B are graphs for explaining another exemplary configuration of the insulating spacer.

以下、本発明の実施の形態に係る絶縁スペーサが用いられるガス絶縁開閉装置(以下、単に「開閉装置」という)について、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、下記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲内で適宜変形して実施することができるものである。以下の図においては、説明の便宜上、一部の構成を省略することがある。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a gas insulated switchgear (hereinafter simply referred to as a "switcher") in which an insulating spacer according to an embodiment of the present invention is used will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments described below, and can be implemented with appropriate modifications within the scope without changing the gist thereof. In the following figures, some configurations may be omitted for convenience of explanation.

図1は、実施の形態に係る開閉装置の断面図である。図1に示すように、開閉装置1は、密封容器2と、密封容器2の内部に固定された絶縁スペーサ3と、絶縁スペーサ3の中心の両側に配置された高圧導体4(二点鎖線で図示)と備えている。 FIG. 1 is a sectional view of a switchgear according to an embodiment. As shown in FIG. 1, the switchgear 1 includes a sealed container 2, an insulating spacer 3 fixed inside the sealed container 2, and high-voltage conductors 4 (indicated by two-dot chain lines) arranged on both sides of the center of the insulating spacer 3. (as shown).

絶縁スペーサ3の外周縁部には金属フランジ6が取り付けられており、金属フランジ6は、密封容器2の連結フランジ7に挟まれて、絶縁スペーサ3が、ボルト8及びナット9により、密封容器2に固定される。 A metal flange 6 is attached to the outer peripheral edge of the insulating spacer 3. The metal flange 6 is sandwiched between the connecting flanges 7 of the sealed container 2, and the insulating spacer 3 is attached to the sealed container 2 with bolts 8 and nuts 9. Fixed.

絶縁スペーサ3は、軸形状をなす中心導体11と、中心導体11の周囲に設けられるスペーサ本体12とを備えている。本実施の形態にて、スペーサ本体12は、円盤状に形成されて厚さ方向となる図1中上下方向の両面が略平滑な面に形成されている。絶縁スペーサ3においては、スペーサ本体12によって中心導体11が密封容器2の中心位置であってスペーサ本体12の中心位置に支持される。 The insulating spacer 3 includes a central conductor 11 having a shaft shape and a spacer body 12 provided around the central conductor 11. In this embodiment, the spacer main body 12 is formed into a disk shape, and both surfaces in the vertical direction in FIG. 1, which is the thickness direction, are substantially smooth. In the insulating spacer 3 , the center conductor 11 is supported by the spacer body 12 at the center of the sealed container 2 and at the center of the spacer body 12 .

中心導体11は、概略円柱状に形成され、図1中上下両端に高圧導体4の端部がねじ構造等を介して連結される。本実施の形態では、スペーサ本体12の厚さより、中心導体11の軸方向長さの方が大きく形成され、スペーサ本体12の図1中上下両面から中心導体11の上下両端が突出して形成されている。 The center conductor 11 is formed into a roughly cylindrical shape, and the ends of the high voltage conductor 4 are connected to both upper and lower ends in FIG. 1 via a screw structure or the like. In this embodiment, the axial length of the center conductor 11 is larger than the thickness of the spacer body 12, and both upper and lower ends of the center conductor 11 are formed to protrude from both upper and lower surfaces of the spacer body 12 in FIG. There is.

スペーサ本体12は、径方向にて比誘電率が変化(傾斜)する構成を備えている。ここで、図1及び後述する図2にあっては、理解を容易にするために比誘電率の相対変化を濃淡で表しており、より具体的には、相対的に淡色となる領域が相対的に濃色となる領域に比べて比誘電率が高くなることを表している。よって、スペーサ本体12にあっては、淡色で表す中心導体11寄り領域の方が濃色で表す外周寄り領域に比べて比誘電率が高くなり、言い換えると、中心導体11から離れるに従って比誘電率が小さく変化する構成としている。かかる構成とするため、スペーサ本体12は、後述するテープ状(帯状)に形成されたプリプレグPを中心導体11に複数巻回して一体化した状態により構成される。 The spacer body 12 has a configuration in which the dielectric constant changes (inclines) in the radial direction. Here, in FIG. 1 and FIG. 2 to be described later, relative changes in relative dielectric constant are expressed in shading for easy understanding.More specifically, regions that are relatively light in color are This indicates that the relative dielectric constant is higher than that of the dark-colored region. Therefore, in the spacer body 12, the region closer to the center conductor 11 shown in light color has a higher dielectric constant than the region closer to the outer periphery shown in dark color.In other words, the relative permittivity decreases as the distance from the center conductor 11 increases. The configuration is such that the change is small. In order to have such a configuration, the spacer main body 12 is constructed by winding a plurality of tape-shaped (band-shaped) prepregs P, which will be described later, around the center conductor 11 and integrating them.

続いて、スペーサ本体12を含む絶縁スペーサ3の製造方法について、図2及び図3を参照して以下に説明する。図2は、プリプレグの概略平面図である。図3Aは、巻回工程の初期段階の説明図であり、図3Bは、巻回工程の中途段階の説明図であり、図3Cは、巻回工程及び一体化工程の説明図である。本実施の形態における絶縁スペーサ3の製造方法にあっては、プリプレグ製造工程、巻回工程、一体化工程の順に実施される。また、ここでは、一例として、スペーサ本体12の比誘電率が図1のように変化する構成の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the insulating spacer 3 including the spacer body 12 will be described below with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a schematic plan view of the prepreg. FIG. 3A is an explanatory diagram of the initial stage of the winding process, FIG. 3B is an explanatory diagram of the intermediate stage of the winding process, and FIG. 3C is an explanatory diagram of the winding process and the integrating process. In the method for manufacturing the insulating spacer 3 in this embodiment, the prepreg manufacturing process, the winding process, and the integrating process are performed in this order. Moreover, here, as an example, a method of manufacturing a structure in which the dielectric constant of the spacer body 12 changes as shown in FIG. 1 will be described.

先ず、図2に示すように、プリプレグ製造工程が実施される。プリプレグ製造工程は、長手方向にテープ状に延出するプリプレグPが形成される。プリプレグPの厚みは、50~100μm程度に形成される。プリプレグPは、不織布(不図示)を基材として備え、該不織布に充填材(無機フィラー)を含有した絶縁性樹脂をコータ等で塗工、含侵させて形成される。絶縁性樹脂は、本工程及び次工程となる巻回工程にて流体状または半硬化状とされ、充填材を含有する熱硬化性樹脂により構成することができる。 First, as shown in FIG. 2, a prepreg manufacturing process is performed. In the prepreg manufacturing process, a prepreg P extending in a tape shape in the longitudinal direction is formed. The thickness of the prepreg P is formed to be approximately 50 to 100 μm. The prepreg P includes a nonwoven fabric (not shown) as a base material, and is formed by coating and impregnating the nonwoven fabric with an insulating resin containing a filler (inorganic filler) using a coater or the like. The insulating resin is made into a fluid state or a semi-hardened state in this step and the next winding step, and can be composed of a thermosetting resin containing a filler.

プリプレグ製造工程においては、プリプレグPをテープ状に形成するにあたり、長手方向で比誘電率が次第に増減する領域を備えるよう、熱硬化性樹脂に含有させる充填材の組成及び量の少なくとも一方が調整される。具体的には、図2に示すプリプレグPは、プリプレグPの中心導体11に接続される長手方向一端側領域(図2の左側領域)が反対側となる他端側領域(図2の右側領域)に比べて比誘電率が次第に高くなる。言い換えると、プリプレグPは、中心導体11から離れるに従って比誘電率が小さく変化するよう調整される。 In the prepreg manufacturing process, when forming the prepreg P into a tape shape, at least one of the composition and amount of the filler contained in the thermosetting resin is adjusted so as to provide a region where the dielectric constant gradually increases and decreases in the longitudinal direction. Ru. Specifically, in the prepreg P shown in FIG. ), the relative dielectric constant becomes gradually higher than that of In other words, the prepreg P is adjusted so that the relative dielectric constant changes smaller as the distance from the center conductor 11 increases.

プリプレグ製造工程の後、巻回工程が実施される。巻回工程では、先ず、図3Aに示すように、中心導体11に対し、プリプレグPの長手方向にて比誘電率が相対的に高くなる方(淡色の方)の端部が接続される。その後、不図示の駆動機構を介して中心導体11が軸周りに回転され、図3B及び図3Cに示すように、プリプレグPが中心導体11に巻回される。 After the prepreg manufacturing process, a winding process is performed. In the winding step, first, as shown in FIG. 3A, the end portion of the prepreg P having a relatively higher dielectric constant (the lighter color) in the longitudinal direction is connected to the center conductor 11. Thereafter, the center conductor 11 is rotated around the axis via a drive mechanism (not shown), and the prepreg P is wound around the center conductor 11 as shown in FIGS. 3B and 3C.

巻回工程でのプリプレグPの巻回によって、中心導体11の周囲に円盤状となるスペーサ本体12が形成される。スペーサ本体12は、径方向にて内側から外側に向かうに従って比誘電率が次第に小さく変化するよう形成される。また、スペーサ本体12は、テープ状のプリプレグPを樹脂層とし、該樹脂層を径方向に複数層重ねた状態として形成されている。 By winding the prepreg P in the winding process, a disk-shaped spacer body 12 is formed around the center conductor 11. The spacer main body 12 is formed so that the dielectric constant gradually decreases from the inside toward the outside in the radial direction. Further, the spacer main body 12 is formed by using a tape-shaped prepreg P as a resin layer and stacking a plurality of resin layers in the radial direction.

巻回工程においては、中心導体11の軸方向両端側が挿入される円板状の一対の治具Jが用いられる。一対の治具Jは、プリプレグPの巻回にあたり、プリプレグPの幅寸法に応じた離間幅に設定され、プリプレグPの巻回によってスペーサ本体12の厚さ方向両面が平滑な面として形成されるようガイドする。 In the winding process, a pair of disk-shaped jigs J are used into which both ends of the center conductor 11 in the axial direction are inserted. When winding the prepreg P, the pair of jigs J are set to have a separation width according to the width of the prepreg P, and by winding the prepreg P, both sides of the spacer body 12 in the thickness direction are formed as smooth surfaces. I will guide you.

巻回製造工程の後、一体化工程が実施される。一体化工程では、図3Cに示した状態にて加熱炉に所定時間投入され、プリプレグPの加熱硬化が行われることで、巻回したプリプレグPが層間にて化学的に結合されて一体化した状態となる。これにより、プリプレグPによって円盤状のスペーサ本体12が硬化して形成される。硬化後には中心導体11から一対の治具Jが取り外される。 After the winding manufacturing process, an integration process is performed. In the integration process, the prepreg P was put into a heating furnace for a predetermined period of time in the state shown in FIG. state. As a result, the prepreg P hardens and forms the disc-shaped spacer main body 12. After curing, the pair of jigs J are removed from the center conductor 11.

続いて、図4及び図5を参照してスペーサ本体12とプリプレグPの構成について、具体例を挙げて説明する。図4A及び図4Bは、絶縁スペーサの一例となる構成を説明するためのグラフであり、図5A及び図5Bは、絶縁スペーサの他の一例となる構成を説明するためのグラフである。図4A及び図5Aのグラフは、横軸がスペーサ本体の半径寸法、縦軸が比誘電率とされ、図4B及び図5Bのグラフは、横軸がプリプレグの長さ、縦軸が比誘電率とされる。 Next, with reference to FIGS. 4 and 5, the configurations of the spacer main body 12 and the prepreg P will be described using a specific example. 4A and 4B are graphs for explaining a configuration as an example of an insulating spacer, and FIGS. 5A and 5B are graphs for explaining a configuration as another example of an insulating spacer. In the graphs of FIGS. 4A and 5A, the horizontal axis is the radius dimension of the spacer body and the vertical axis is the dielectric constant. In the graphs of FIGS. 4B and 5B, the horizontal axis is the prepreg length and the vertical axis is the dielectric constant. It is said that

図4及び図5に示す絶縁スペーサ3それぞれの構成は、中心導体11の直径100mm、スペーサ本体12の直径400mm、プリプレグPの厚み0.5mm、プリプレグPの長さ235.5mとされる。まず、図4A及び図4Bを用いて一例となる絶縁スペーサ3について説明する。 Each of the insulating spacers 3 shown in FIGS. 4 and 5 has a configuration in which the center conductor 11 has a diameter of 100 mm, the spacer body 12 has a diameter of 400 mm, the prepreg P has a thickness of 0.5 mm, and the prepreg P has a length of 235.5 m. First, an example of the insulating spacer 3 will be described using FIGS. 4A and 4B.

図4Aに示すように、スペーサ本体12の半径50mmの位置すなわち内縁位置であり中心導体11との境界位置では比誘電率が12とされ、スペーサ本体12の外縁位置(半径約200mmの位置)では比誘電率が4とされる。ここで、スペーサ本体12の内縁位置から径方向外側に向かい半径約75mmの位置までは比誘電率が一定とされ、その位置から半径約110mmの位置まで5mm毎に段階的に比誘電率が1ずつ小さくなっている。よって、スペーサ本体12の半径約75mmの位置から半径約110mmの位置の範囲では、中心導体11から離れるに従って比誘電率が小さく変化している。そして、スペーサ本体12の半径約110mmの位置から径方向外側に向かって外縁位置までは比誘電率が4で一定とされる。 As shown in FIG. 4A, the relative permittivity is 12 at the 50 mm radius position of the spacer body 12, that is, the inner edge position and the boundary position with the center conductor 11, and the relative permittivity is 12 at the outer edge position (approximately 200 mm radius position) of the spacer body 12. The dielectric constant is assumed to be 4. Here, the relative permittivity is constant from the inner edge position of the spacer main body 12 to a position with a radius of about 75 mm toward the outside in the radial direction, and the relative permittivity increases stepwise at 5 mm intervals from that position to a position with a radius of about 110 mm. It's getting smaller. Therefore, in the range from a position with a radius of about 75 mm to a position with a radius of about 110 mm of the spacer body 12, the relative permittivity changes smaller as the distance from the center conductor 11 increases. The relative permittivity is constant at 4 from the position of the radius of about 110 mm of the spacer body 12 to the outer edge position radially outward.

図4Aに示すスペーサ本体12の比誘電率の変化を形成するため、図4Bに示すプリプレグPの長手方向での比誘電率の分布が設定される。図4Bに示すように、プリプレグPの中心導体11との接続位置となる一端部では比誘電率が12とされ、反対側となる他端部では比誘電率が4とされる。プリプレグPの一端部から約20mの位置までは比誘電率が12で一定とされ、約20mの位置から約60mの位置まで比誘電率が段階的に小さくなるよう変化する。更に述べると、プリプレグPは、約20mの位置から約5m~8m毎に段階的に比誘電率が1ずつ小さくなっている。そして、プリプレグPの約60mの位置から他端部までは比誘電率が4で一定とされる。 In order to form the change in the dielectric constant of the spacer body 12 shown in FIG. 4A, the distribution of the dielectric constant in the longitudinal direction of the prepreg P shown in FIG. 4B is set. As shown in FIG. 4B, the relative dielectric constant is set to 12 at one end of the prepreg P, which is the connection position with the center conductor 11, and the relative permittivity is set to 4 at the other end, which is the opposite side. The relative permittivity is constant at 12 up to a position of about 20 m from one end of the prepreg P, and changes so that the relative permittivity decreases stepwise from a position of about 20 m to a position of about 60 m. More specifically, the relative permittivity of the prepreg P decreases stepwise by 1 at intervals of approximately 5 m to 8 m from a position of approximately 20 m. The dielectric constant is constant at 4 from a position of about 60 m of the prepreg P to the other end.

図4Bのように長手方向にて変化する比誘電率を設定したテープ状のプリプレグPを巻回することで、図4Aのように径方向にて中心導体11から離れるに従って比誘電率が小さく変化するスペーサ本体12を形成することができる。 By winding a tape-shaped prepreg P with a relative permittivity that changes in the longitudinal direction as shown in FIG. 4B, the relative permittivity changes gradually as it moves away from the center conductor 11 in the radial direction as shown in FIG. 4A. The spacer body 12 can be formed.

続いて、図5のグラフを用いて他の一例となる絶縁スペーサ3について説明する。図5Aに示すように、スペーサ本体12の内縁位置(半径50mmの位置、中心導体11との境界位置)及び外縁位置(半径200mmの位置)では比誘電率が12とされ、スペーサ本体12の径方向中間部にて比誘電率が4とされる。スペーサ本体12の内縁位置から径方向中間部となる半径約75mmの位置までは比誘電率が一定とされ、その位置から半径約110mmの位置まで5mm毎に段階的に比誘電率が1ずつ小さくなっている。スペーサ本体12の半径約110mmの位置から半径約140mmの位置までは比誘電率が4で一定とされる。そして、スペーサ本体12の半径約140mmの位置から半径約175mmの位置まで5mm毎に段階的に比誘電率が1ずつ大きくなり、半径約175mmの位置から径方向外側に向かって外縁位置までは比誘電率が12で一定とされる。よって、スペーサ本体12の半径約75mmの位置から半径約175mmの位置の範囲では、比誘電率が漸減してから漸増するよう変化している。 Next, another example of the insulating spacer 3 will be described using the graph of FIG. 5. As shown in FIG. 5A, the relative dielectric constant is 12 at the inner edge position (50 mm radius position, boundary position with the center conductor 11) and outer edge position (200 mm radius position) of the spacer body 12, and the diameter of the spacer body 12 is The dielectric constant is set to 4 at the middle part in the direction. The relative permittivity is constant from the inner edge position of the spacer body 12 to the radially intermediate position at a radius of approximately 75 mm, and the relative permittivity decreases by 1 in steps of 5 mm from that position to a position at a radius of approximately 110 mm. It has become. The relative permittivity is constant at 4 from a position with a radius of about 110 mm to a position with a radius of about 140 mm of the spacer body 12. Then, the relative dielectric constant increases stepwise by 1 every 5 mm from the position of the radius of about 140 mm to the position of the radius of about 175 mm of the spacer body 12, and from the position of the radius of about 175 mm to the outer edge position radially outward, the relative permittivity increases by 1. The dielectric constant is assumed to be constant at 12. Therefore, in the range from a position with a radius of about 75 mm to a position with a radius of about 175 mm of the spacer body 12, the relative dielectric constant changes so that it gradually decreases and then gradually increases.

図5Aに示すスペーサ本体12の比誘電率の変化を形成するため、図5Bに示すプリプレグPの長手方向での比誘電率の分布が設定される。図5Bに示すように、プリプレグPの中心導体11との接続位置となる一端部及び反対側となる他端部では比誘電率が12とされ、長手方向中間部では比誘電率が4とされる。具体的には、プリプレグPの一端部から約20mの位置までは比誘電率が12で一定とされ、約20mの位置から約60mの位置まで比誘電率が段階的に小さくなるよう変化する。更に述べると、プリプレグPは、約20mの位置から約5m~8m毎に段階的に比誘電率が1ずつ小さくなっている。 In order to form the change in the dielectric constant of the spacer body 12 shown in FIG. 5A, the distribution of the dielectric constant in the longitudinal direction of the prepreg P shown in FIG. 5B is set. As shown in FIG. 5B, the dielectric constant is 12 at one end of the prepreg P where it is connected to the center conductor 11 and the other end on the opposite side, and the dielectric constant is 4 at the middle portion in the longitudinal direction. Ru. Specifically, the dielectric constant is constant at 12 from the one end of the prepreg P to a position of about 20 m, and changes so that the dielectric constant decreases stepwise from a position of about 20 m to a position of about 60 m. More specifically, the relative permittivity of the prepreg P decreases stepwise by 1 at intervals of approximately 5 m to 8 m from a position of approximately 20 m.

そして、プリプレグPの約60mの位置から約108mの位置までは比誘電率が4で一定とされる。プリプレグPの約108mの位置から約178mの位置まで比誘電率が段階的に大きくなるよう変化する。更に述べると、プリプレグPは、約108mの位置から約10m毎に段階的に比誘電率が1ずつ大きくなっている。そして、プリプレグPの約178mの位置から他端部までは比誘電率が4で一定とされる。このように、図5Bに示すプリプレグPは、長手方向にて、中心導体11から長手方向中間部に向かって比誘電率が小さく変化し、長手方向中間部から中心導体11と反対側に向かって比誘電率が大きく変化する。 The dielectric constant is constant at 4 from a position of about 60 m to a position of about 108 m of the prepreg P. The relative permittivity changes stepwise from a position of about 108 m to a position of about 178 m of the prepreg P. More specifically, the relative dielectric constant of the prepreg P increases stepwise by 1 at intervals of approximately 10 m from a position of approximately 108 m. The dielectric constant is constant at 4 from a position of about 178 m of the prepreg P to the other end. In this way, in the prepreg P shown in FIG. 5B, the relative permittivity changes small in the longitudinal direction from the central conductor 11 toward the longitudinally intermediate portion, and from the longitudinally intermediate portion toward the side opposite to the central conductor 11. The dielectric constant changes significantly.

図5Bのように長手方向にて増減する比誘電率を設定したテープ状のプリプレグPを巻回することで、図5Aのように径方向中間部から内外の両方に向かうに従って比誘電率が大きく変化するスペーサ本体12を形成することができる。 By winding a tape-shaped prepreg P with a relative permittivity that increases or decreases in the longitudinal direction as shown in FIG. 5B, the relative permittivity increases from the radial middle part toward both the inside and outside as shown in FIG. 5A. A varying spacer body 12 can be formed.

次にプリプレグPの材料となる基材の不織布及び絶縁性樹脂の成分とその特性について説明する。不織布には紙不織布、ガラス繊維不織布、芳香族不織布等が用いられる。絶縁性樹脂は、加熱硬化されて絶縁スペーサ3として機能しうる、比誘電率が3~40程度の樹脂であり、流体状の樹脂である。 Next, the components and characteristics of the nonwoven fabric and insulating resin of the base material of the prepreg P will be explained. Paper nonwoven fabric, glass fiber nonwoven fabric, aromatic nonwoven fabric, etc. are used as the nonwoven fabric. The insulating resin is a resin having a dielectric constant of about 3 to 40, which can function as the insulating spacer 3 when heated and hardened, and is a fluid resin.

絶縁性樹脂は、具体的には、充填材を含有する熱硬化性樹脂であってよく、熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、あるいはそれらの混合物であってよい。熱硬化性樹脂は、好ましくは、エポキシ樹脂である。エポキシ樹脂は、エポキシ樹脂主剤と、硬化剤と、任意選択的に硬化促進剤とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂主剤としては、脂肪族エポキシ、または脂環式エポキシ、あるいはこれらの混合物を用いることができる。脂肪族エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ、ビスフェノールF型エポキシ、ビスフェノールAD型エポキシ、ビフェニル型エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ、3官能以上の多官能型エポキシ等が挙げられるが、これらには限定されない。これらを単独で、または二種類以上混合して使用することができる。脂環式エポキシ樹脂としては、単官能型エポキシ、2官能型エポキシ、3官能以上の多官能型エポキシ等が挙げられるが、これらには限定されない。脂環式エポキシ樹脂も、単独で、または異なる二種以上の脂環式エポキシ樹脂を混合して用いることができる。 The insulating resin may specifically be a thermosetting resin containing a filler, and the thermosetting resin may be, for example, an epoxy resin, a maleimide resin, a cyanate resin, or a mixture thereof. The thermosetting resin is preferably an epoxy resin. The epoxy resin preferably includes an epoxy resin base, a curing agent, and optionally a curing accelerator. As the epoxy resin base, aliphatic epoxy, alicyclic epoxy, or a mixture thereof can be used. Examples of aliphatic epoxy resins include, but are not limited to, bisphenol A epoxy, bisphenol F epoxy, bisphenol AD epoxy, biphenyl epoxy, cresol novolak epoxy, trifunctional or higher polyfunctional epoxy, and the like. . These can be used alone or in combination of two or more. Examples of the alicyclic epoxy resin include, but are not limited to, monofunctional epoxy, bifunctional epoxy, trifunctional or more polyfunctional epoxy, and the like. The alicyclic epoxy resin can also be used alone or in a mixture of two or more different alicyclic epoxy resins.

絶縁性樹脂には、任意選択的な成分として、熱硬化性樹脂の硬化剤を含んでもよい。硬化剤は、熱硬化性樹脂の主剤と反応し、硬化しうるものであれば特に限定されない。例えば、エポキシ樹脂主剤の硬化剤としては、酸無水物系硬化剤を用いることが好ましい。酸無水物系硬化剤としては、例えば、芳香族酸無水物、具体的には無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸等が挙げられる。あるいは、環状脂肪族酸無水物、具体的にはテトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸等、もしくは脂肪族酸無水物、具体的には無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリセバシン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物等を挙げることができるが、特には限定されない。硬化剤の添加量は、主剤の硬化に必要な量であってよく、主剤及び硬化剤の種類によっても異なるが、当業者が適宜決定することができる。 The insulating resin may include a thermosetting resin curing agent as an optional component. The curing agent is not particularly limited as long as it reacts with the main ingredient of the thermosetting resin and can be cured. For example, as the curing agent for the epoxy resin base material, it is preferable to use an acid anhydride curing agent. Examples of acid anhydride curing agents include aromatic acid anhydrides, specifically phthalic anhydride, pyromellitic anhydride, trimellitic anhydride, and the like. Alternatively, cyclic aliphatic acid anhydrides, specifically tetrahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, etc., or aliphatic acid anhydrides, specifically Examples include succinic anhydride, polyadipic anhydride, polysebacic anhydride, polyazelaic anhydride, etc., but are not particularly limited. The amount of the curing agent added may be the amount necessary for curing the base resin, and may be determined as appropriate by those skilled in the art, although it varies depending on the types of the base resin and the curing agent.

また、絶縁性樹脂には、任意選択的な成分として、熱硬化性樹脂の硬化促進剤を含んでもよい。硬化促進剤としては、イミダゾールもしくはその誘導体、三級アミン、ホウ酸エステル、ルイス酸、有機金属化合物、有機酸金属塩等を適宜用いることができるが、特には限定されない。 Further, the insulating resin may include a curing accelerator for thermosetting resin as an optional component. As the curing accelerator, imidazole or its derivatives, tertiary amines, borate esters, Lewis acids, organometallic compounds, organic acid metal salts, etc. can be used as appropriate, but are not particularly limited.

更に、絶縁性樹脂には、その特性を阻害しない範囲で、任意選択的な添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、難燃剤、樹脂を着色するための顔料、耐クラック性を向上するための可塑剤やシリコーンエラストマーが挙げられるが、これらには限定されない。また、絶縁性樹脂には、不織布への含侵性を良好とするため、溶剤を添加してもよい。 Furthermore, the insulating resin may contain optional additives within a range that does not impair its properties. Examples of additives include, but are not limited to, flame retardants, pigments for coloring resins, plasticizers and silicone elastomers for improving crack resistance. Further, a solvent may be added to the insulating resin in order to improve the impregnating property into the nonwoven fabric.

充填材は、絶縁性樹脂の比誘電率を所望の比誘電率とする組成並びに量で樹脂に含まれる。充填材としては、絶縁性の無機充填材を用いることができる。比較的低誘電率の絶縁性樹脂を調製するための充填材としては、比誘電率が10未満のアルミナ、シリカ、ドロマイト等を用いることができ、比較的高誘電率の絶縁性樹脂を調製するための充填材としては、酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム等を用いることができるが、充填材はこれらには限定されない。 The filler is contained in the resin in a composition and amount that makes the dielectric constant of the insulating resin a desired dielectric constant. As the filler, an insulating inorganic filler can be used. As a filler for preparing an insulating resin with a relatively low dielectric constant, alumina, silica, dolomite, etc. having a relative dielectric constant of less than 10 can be used to prepare an insulating resin with a relatively high dielectric constant. Titanium oxide, barium titanate, strontium titanate, etc. can be used as the filler for the purpose, but the filler is not limited to these.

本実施の形態において、絶縁性樹脂の組成は、熱硬化性樹脂主剤、硬化剤、任意選択的に硬化促進剤並びに無機充填材を、目的とする比誘電率及び耐熱性などの物性値を達成するように、当業者が適宜決定することができる。目的とする比誘電率の値は、最も比誘電率が低い樹脂と、最も比誘電率が高い樹脂との比誘電率の比率が、3~4となるように設計することが好ましい。 In this embodiment, the composition of the insulating resin includes a thermosetting resin base, a curing agent, optionally a curing accelerator, and an inorganic filler to achieve desired physical property values such as dielectric constant and heat resistance. A person skilled in the art can appropriately determine this. The desired relative permittivity value is preferably designed such that the ratio of the relative permittivity of the resin with the lowest relative permittivity to the resin with the highest relative permittivity is 3 to 4.

また、プリプレグPの巻回により積層され、隣り合って厚み方向に接触する絶縁性樹脂間の比誘電率の差は、例えば1以下となるように設計することが好ましい。隣り合う絶縁性樹脂間の比誘電率の差が大きすぎると、界面のある絶縁スペーサ3の表面上で電界が集中するといった不都合が生じる場合がある。 Moreover, it is preferable to design so that the difference in dielectric constant between adjacent insulating resins that are laminated by winding the prepreg P and are in contact with each other in the thickness direction is, for example, 1 or less. If the difference in dielectric constant between adjacent insulating resins is too large, there may be a problem that the electric field is concentrated on the surface of the insulating spacer 3 where there is an interface.

上記実施の形態によれば、径方向にて比誘電率が変化するスペーサ本体12が、テープ状のプリプレグPを巻回することで形成される。これにより、絶縁スペーサ3の製造にて、従来のように液体状の樹脂材を注入した型を回転する装置や設備を不要にすることができる。かかる装置や設備は、数十から数百キログラムにおよぶ重量の型を回転するため、耐久性や安全性の観点から大掛かりになるが、上記実施の形態では、そのような大掛かりな装置や設備を不要にでき、設備コストの軽減、製造の容易化を図ることができる。 According to the embodiment described above, the spacer main body 12 whose dielectric constant changes in the radial direction is formed by winding the tape-shaped prepreg P. Thereby, in manufacturing the insulating spacer 3, it is possible to eliminate the need for a device or equipment for rotating a mold injected with a liquid resin material as in the past. Such devices and facilities rotate molds weighing tens to hundreds of kilograms, so they are large-scale from the viewpoint of durability and safety. However, in the above embodiment, such large-scale devices and facilities are This can be made unnecessary, reducing equipment costs and facilitating manufacturing.

また、上記実施の形態によれば、プリプレグPの長手方向にて比誘電率が変化するよう絶縁性樹脂を調整することで、スペーサ本体12の径方向にて比誘電率を変化させることができる。よって、所定の比誘電率の変化となるようプリプレグPでの充填材の組成や量、長手方向での範囲を設計しておくことで、スペーサ本体12における比誘電率の変化に種々のバリエーションを持たせることができる。これにより、様々な条件下での電界集中の発生に応じてスペーサ本体12における比誘電率の分布を設定でき、スペーサ本体12における表面の沿面方向成分の電界を低減して開閉装置1のコンパクト化を図ることができる。 Further, according to the above embodiment, by adjusting the insulating resin so that the relative permittivity changes in the longitudinal direction of the prepreg P, the relative permittivity can be changed in the radial direction of the spacer body 12. . Therefore, by designing the composition, amount, and range of the filler in the prepreg P in the longitudinal direction so as to achieve a predetermined change in the relative permittivity, various variations can be achieved in the change in the relative permittivity in the spacer body 12. You can have it. As a result, the distribution of relative dielectric constant in the spacer body 12 can be set according to the occurrence of electric field concentration under various conditions, and the electric field of the component in the creeping direction of the surface of the spacer body 12 is reduced, thereby making the switchgear 1 more compact. can be achieved.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状、向きなどについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 Note that the present invention is not limited to the above embodiments, and can be implemented with various modifications. In the embodiments described above, the size, shape, orientation, etc. illustrated in the accompanying drawings are not limited to these, and can be changed as appropriate within the scope of achieving the effects of the present invention. Other changes can be made as appropriate without departing from the scope of the invention.

上記実施の形態にて図示、説明したスペーサ本体12の径方向における比誘電率の変化は、例示に過ぎず、他の種々の比誘電率の変化を採用できる。例えば、中心導体11から離れるに従って比誘電率が大きく変化する構成としたり、径方向中間部から内外の両方に向かうに従って比誘電率が小さく変化する構成としてもよい。また、図4B及び図5Bでは、プリプレグPの比誘電率を段階的に変化させたが、これに限られず、長手方向の位置に応じて連続的に比誘電率を変化させてもよい。 The change in the dielectric constant in the radial direction of the spacer body 12 illustrated and described in the above embodiment is merely an example, and various other changes in the dielectric constant can be adopted. For example, a structure may be adopted in which the relative dielectric constant changes greatly as the distance from the center conductor 11 increases, or a structure in which the relative permittivity changes small as the distance from the radial intermediate portion goes both toward the inside and outside. Further, in FIGS. 4B and 5B, the dielectric constant of the prepreg P is changed in stages, but the present invention is not limited to this, and the dielectric constant may be changed continuously according to the position in the longitudinal direction.

また、中心導体11は、1本に限定されるものでなく、複数本(例えば3本)に変更してもよい。 Further, the number of the center conductors 11 is not limited to one, but may be changed to a plurality (for example, three).

3 :絶縁スペーサ
11 :中心導体
12 :スペーサ本体
P :プリプレグ
3: Insulating spacer 11: Center conductor 12: Spacer body P: Prepreg

Claims (7)

中心導体を支持して該中心導体の周囲に設けられる円盤状のスペーサ本体を備え、該スペーサ本体の径方向にて比誘電率が変化する絶縁スペーサであって、
前記スペーサ本体は、テープ状に形成されたプリプレグを前記中心導体に巻回して一体化した状態により構成されることを特徴とする絶縁スペーサ。
An insulating spacer comprising a disc-shaped spacer body that supports a center conductor and is provided around the center conductor, the dielectric constant changing in the radial direction of the spacer body,
The insulating spacer is characterized in that the spacer body is constructed by winding and integrating a tape-shaped prepreg around the center conductor.
前記プリプレグは、長手方向にて比誘電率が次第に増減するよう変化する領域を備えていることを特徴とする請求項1に記載の絶縁スペーサ。 2. The insulating spacer according to claim 1, wherein the prepreg includes a region in which the dielectric constant gradually increases or decreases in the longitudinal direction. 前記プリプレグは、長手方向にて、前記中心導体から離れるに従って比誘電率が小さく変化することを特徴とする請求項1に記載の絶縁スペーサ。 2. The insulating spacer according to claim 1, wherein the prepreg has a relative permittivity that decreases as it moves away from the center conductor in the longitudinal direction. 前記プリプレグは、長手方向にて、前記中心導体から長手方向中間部に向かって比誘電率が小さく変化し、該長手方向中間部から前記中心導体と反対側に向かって比誘電率が大きく変化することを特徴とする請求項1に記載の絶縁スペーサ。 In the longitudinal direction, the prepreg has a relative permittivity that changes small from the center conductor toward a longitudinally intermediate portion, and a relative permittivity that changes largely from the longitudinally intermediate portion toward a side opposite to the center conductor. The insulating spacer according to claim 1, characterized in that: 前記プリプレグの長手方向における比誘電率の変化は段階的とされることを特徴とする請求項1ないし請求項4の何れかに記載の絶縁スペーサ。 5. The insulating spacer according to claim 1, wherein the relative dielectric constant changes in a stepwise manner in the longitudinal direction of the prepreg. 前記プリプレグは、不織布を基材として備えていることを特徴とする請求項1ないし請求項4の何れかに記載の絶縁スペーサ。 The insulating spacer according to any one of claims 1 to 4, wherein the prepreg includes a nonwoven fabric as a base material. 中心導体を支持して該中心導体の周囲に設けられる円盤状のスペーサ本体を備え、該スペーサ本体の径方向にて比誘電率が変化する絶縁スペーサの製造方法であって、
テープ状に形成して長手方向で比誘電率が次第に増減するよう変化する領域を備えたプリプレグを製造するプリプレグ製造工程と、
前記プリプレグ製造工程の後、前記プリプレグを前記中心導体に巻回して前記スペーサ本体を形成する巻回工程と、
前記巻回工程の後、巻回した前記プリプレグを一体化した状態にする一体化工程とを実施することを特徴とする絶縁スペーサの製造方法。
A method for manufacturing an insulating spacer comprising a disk-shaped spacer body that supports a center conductor and is provided around the center conductor, the dielectric constant changing in the radial direction of the spacer body, the method comprising:
A prepreg manufacturing process of manufacturing a prepreg formed into a tape shape and having a region where the dielectric constant gradually increases or decreases in the longitudinal direction;
After the prepreg manufacturing step, a winding step of winding the prepreg around the center conductor to form the spacer body;
A method for manufacturing an insulating spacer, characterized in that, after the winding step, an unifying step is performed to bring the wound prepreg into an integrated state.
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