JP2024021200A - Thermosetting resin composition for LDS and its uses - Google Patents
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Abstract
【課題】低誘電率および低誘電正接等の誘電特性に優れ、かつメッキ層の形成にも優れた硬化物を得ることができるLDS用熱硬化性樹脂組成物を提供する。【解決手段】本発明のLDS用熱硬化性樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂と、(B)硬化剤と、(C)無機充填材と、(D)LASER DIRECT STRUCTURING(LDS)添加剤と、を含み、LDS添加剤(D)はタングステン酸銅を含む。【選択図】なしAn object of the present invention is to provide a thermosetting resin composition for LDS, which can yield a cured product that has excellent dielectric properties such as low dielectric constant and low dielectric loss tangent, and is also excellent in forming a plating layer. [Solution] The thermosetting resin composition for LDS of the present invention includes (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler, and (D) a LASER DIRECT STRUCTURING (LDS) additive. and the LDS additive (D) includes copper tungstate. [Selection diagram] None
Description
本発明は、LDS用熱硬化性樹脂組成物およびその用途に関する。 The present invention relates to a thermosetting resin composition for LDS and its uses.
三次元回路を形成する技術として、LASER DIRECT STRUCTURING(LDS)が知られている。当該技術には、LDS添加剤を含む樹脂組成物が用いられ、当該組成物から得られた成形体の表面にレーザーを照射し、レーザーを照射した部分を活性化させ、この活性化された部分に金属メッキ層を形成することで三次元回路を形成することができる。 LASER DIRECT STRUCTURING (LDS) is known as a technique for forming three-dimensional circuits. In this technique, a resin composition containing an LDS additive is used, and the surface of a molded article obtained from the composition is irradiated with a laser to activate the laser-irradiated part, and the activated part A three-dimensional circuit can be formed by forming a metal plating layer on the surface.
特許文献1には、少なくとも2つの環状イミド基を含有する環状イミド化合物と、所定のLDS添加剤を含む熱硬化性マレイミド樹脂組成物が開示されている。当該文献には、この組成物の硬化物は誘電特性に優れ、その表面又は内部に無電解メッキ処理により金属層(メッキ層)を選択的かつ容易に形成できると記載されている。 Patent Document 1 discloses a thermosetting maleimide resin composition containing a cyclic imide compound containing at least two cyclic imide groups and a predetermined LDS additive. This document states that the cured product of this composition has excellent dielectric properties, and that a metal layer (plated layer) can be selectively and easily formed on the surface or inside thereof by electroless plating.
しかしながら、特許文献1に記載のマレイミド樹脂組成物から得られる硬化物は、低誘電率および低誘電正接等の誘電特性に改善の余地があり、メッキ層の形成にも改善の余地があった。 However, the cured product obtained from the maleimide resin composition described in Patent Document 1 has room for improvement in dielectric properties such as low dielectric constant and low dielectric loss tangent, and there is also room for improvement in the formation of a plating layer.
本発明者らは、特定のLDS添加剤を用いることで、低誘電率および低誘電正接に優れており誘電特性が改善されるとともに、メッキ層の形成にも優れることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下に示すことができる。
The present inventors have discovered that by using a specific LDS additive, the dielectric properties are improved by having an excellent low dielectric constant and low dielectric loss tangent, and the formation of a plating layer is also excellent, and the present invention has been completed. I let it happen.
That is, the present invention can be shown below.
[1](A)エポキシ樹脂と、
(B)硬化剤と、
(C)無機充填材と、
(D)LASER DIRECT STRUCTURING(LDS)添加剤と、
を含み、
LDS添加剤(D)はタングステン酸銅を含む、LDS用熱硬化性樹脂組成物。
[2] 硬化剤(B)は、活性エステル化合物(B1)およびフェノール系硬化剤(B2)から選択される少なくとも1種を含む、[1]に記載のLDS用熱硬化性樹脂組成物。
[3] 前記活性エステル硬化剤(B1)は、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系硬化剤、およびフェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系硬化剤から選択される少なくとも1種である、[2]に記載のLDS用熱硬化性樹脂組成物。
[4] 前記活性エステル硬化剤(B1)は、下記一般式(1)で表される構造を備える、[2]または[3]に記載のLDS用熱硬化性樹脂組成物。
Bは、下記一般式(B)で表される構造であり、
kは、繰り返し単位の平均値であり、0.25~3.5の範囲である。)
[5] 無機充填材(C)の比誘電率は4.2以下である、[1]または[2]に記載のLDS用熱硬化性樹脂組成物。
[6] 無機充填材(C)はシリカを含む、[1]~[5]のいずれかに記載のLDS用熱硬化性樹脂組成物。
[7] エポキシ樹脂(A)が、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、およびトリフェニルメタン型エポキシ樹脂から選択される少なくとも1種を含む、[6]に記載のLDS用熱硬化性樹脂組成物。
[8] さらにカップリング剤(E)を含む、[1]~[7]のいずれかに記載のLDS用熱硬化性樹脂組成物。
[9] [1]~[8]のいずれかに記載のLDS用熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備える成形品。
[10] [1]~[8]のいずれかに記載のLDS用熱硬化性樹脂組成物の硬化物と、前記硬化物の表面に形成された回路と、を備える、回路部品。
[11] [10]に記載の回路部品を含む回路基板。
[12] [10]に記載の回路部品を含む高周波アンテナ。
[13] [1]~[8]のいずれかに記載のLDS用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる誘電体基板と、
前記誘電体基板の一方の面に設けられた放射導体板と、
前記誘電体基板の他方の面に設けられた地導体板と、
を備える、マイクロストリップアンテナ。
[14] 金属基板の表面に[1]~[8]のいずれかに記載のLDS用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる誘電体基板を形成する工程と、
活性エネルギー線を前記誘電体基板表面の所定の範囲に照射し、金属が堆積可能な状態に活性化させる工程と、
めっき処理を行い、活性化された前記誘電体基板の表面に金属を堆積して金属層を形成する工程と、
を含む、回路基板の製造方法。
[15] 前記活性化工程の前に、前記誘電体基板に、底部に前記金属基板の表面が露出する貫通孔を形成する工程を備え、
前記活性化工程は、前記活性エネルギー線を前記貫通孔の側面および前記誘電体基板の表面の所定の範囲に照射し、金属が堆積可能な状態に活性化させる工程であり、
前記金属層形成工程は、めっき処理を行い、活性化された前記貫通孔の前記側面および活性化された前記誘電体基板の表面に金属を堆積し金属層を形成する工程である、[14]に記載の回路基板の製造方法。
[1] (A) Epoxy resin;
(B) a curing agent;
(C) an inorganic filler;
(D) LASER DIRECT STRUCTURING (LDS) additive;
including;
The LDS additive (D) is a thermosetting resin composition for LDS containing copper tungstate.
[2] The thermosetting resin composition for LDS according to [1], wherein the curing agent (B) contains at least one selected from an active ester compound (B1) and a phenolic curing agent (B2).
[3] The active ester curing agent (B1) is an active ester curing agent containing a dicyclopentadiene diphenol structure, an active ester curing agent containing a naphthalene structure, or an active ester curing agent containing an acetylated product of phenol novolak. The thermosetting resin composition for LDS according to [2], which is at least one selected from active ester curing agents containing benzoylated products of phenol novolacs.
[4] The thermosetting resin composition for LDS according to [2] or [3], wherein the active ester curing agent (B1) has a structure represented by the following general formula (1).
B is a structure represented by the following general formula (B),
k is the average value of repeating units and ranges from 0.25 to 3.5. )
[5] The thermosetting resin composition for LDS according to [1] or [2], wherein the inorganic filler (C) has a dielectric constant of 4.2 or less.
[6] The thermosetting resin composition for LDS according to any one of [1] to [5], wherein the inorganic filler (C) contains silica.
[7] The epoxy resin (A) according to [6], wherein the epoxy resin (A) contains at least one selected from an orthocresol novolak epoxy resin, a phenol aralkyl epoxy resin having a biphenylene skeleton, and a triphenylmethane epoxy resin. Thermosetting resin composition for LDS.
[8] The thermosetting resin composition for LDS according to any one of [1] to [7], further comprising a coupling agent (E).
[9] A molded article comprising a cured product of the thermosetting resin composition for LDS according to any one of [1] to [8].
[10] A circuit component comprising a cured product of the thermosetting resin composition for LDS according to any one of [1] to [8], and a circuit formed on the surface of the cured product.
[11] A circuit board including the circuit component according to [10].
[12] A high frequency antenna including the circuit component according to [10].
[13] A dielectric substrate made of a cured product of the thermosetting resin composition for LDS according to any one of [1] to [8];
a radiation conductor plate provided on one surface of the dielectric substrate;
a ground conductor plate provided on the other surface of the dielectric substrate;
Microstrip antenna.
[14] Forming a dielectric substrate made of a cured product of the thermosetting resin composition for LDS according to any one of [1] to [8] on the surface of the metal substrate;
irradiating active energy rays to a predetermined range of the dielectric substrate surface to activate it to a state where metal can be deposited;
performing plating treatment and depositing metal on the activated surface of the dielectric substrate to form a metal layer;
A method of manufacturing a circuit board, including:
[15] Before the activation step, a step of forming a through hole in the dielectric substrate from which the surface of the metal substrate is exposed at the bottom,
The activation step is a step of irradiating the active energy rays to a predetermined range of the side surface of the through hole and the surface of the dielectric substrate to activate the metal to a state where metal can be deposited,
The metal layer forming step is a step of performing plating and depositing metal on the side surface of the activated through hole and the activated surface of the dielectric substrate to form a metal layer, [14] A method for manufacturing a circuit board as described in .
本発明のLDS用熱硬化性樹脂組成物は、低誘電率および低誘電正接等の誘電特性に優れ、かつメッキ層の形成にも優れた硬化物を提供することができ、さらに当該硬化物に回路が形成された成形品を含むアンテナ等は受信感度に優れており、アンテナ等を小型化・軽量化することができる。 The thermosetting resin composition for LDS of the present invention can provide a cured product that has excellent dielectric properties such as low dielectric constant and low dielectric loss tangent, and is also excellent in forming a plating layer. Antennas and the like that include molded products on which circuits are formed have excellent reception sensitivity, and can be made smaller and lighter.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、例えば「1~10」は特に断りがなければ「1以上」から「10以下」を表す。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that in all the drawings, similar components are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted as appropriate. Further, for example, "1 to 10" represents "1 or more" to "10 or less" unless otherwise specified.
本実施形態のLDS用熱硬化性樹脂組成物は、LASER DIRECT STRUCTURING(レーザーダイレクトストラクチャリング(LDS))に用いる熱硬化性樹脂組成物である。LDSとは、三次元成形回路部品(MID)の製造方法の一つであり、活性エネルギー線を照射して、LDS添加剤を含有する樹脂成形品の表面に金属核を生成し、その金属核をシードとして、例えば無電解めっき処理等により、エネルギー線照射領域にめっきパターン(配線)を形成することができる。 The thermosetting resin composition for LDS of this embodiment is a thermosetting resin composition used for LASER DIRECT STRUCTURING (Laser Direct Structuring (LDS)). LDS is one of the manufacturing methods for three-dimensional molded circuit components (MID), in which active energy rays are irradiated to generate metal nuclei on the surface of resin molded products containing LDS additives. Using as a seed, a plating pattern (wiring) can be formed in the energy beam irradiation region by, for example, electroless plating treatment or the like.
本実施形態のLDS用熱硬化性樹脂組成物は、
(A)エポキシ樹脂と、(B)硬化剤と、(C)無機充填材と、(D)LASER DIRECT STRUCTURING(LDS)添加剤と、を含み、LDS添加剤(D)はタングステン酸銅を含む。
このようなLDS用熱硬化性樹脂組成物によれば、低誘電率および低誘電正接に優れており誘電特性が改善されるとともに、メッキ層の形成にも優れた硬化物等を提供することができる。
The thermosetting resin composition for LDS of this embodiment is
(A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler, and (D) a LASER DIRECTED STRUCTURING (LDS) additive, where the LDS additive (D) includes copper tungstate. .
According to such a thermosetting resin composition for LDS, it is possible to provide a cured product etc. that is excellent in low dielectric constant and low dielectric loss tangent, has improved dielectric properties, and is also excellent in forming a plating layer. can.
[エポキシ樹脂(A)]
エポキシ樹脂(A)は、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は限定されない。
[Epoxy resin (A)]
As the epoxy resin (A), monomers, oligomers, and polymers in general having two or more epoxy groups in one molecule can be used, and the molecular weight and molecular structure thereof are not limited.
エポキシ樹脂(A)として、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、トリスフェニルメタン型エポキシ樹脂、ザイロック型エポキシ樹脂等を挙げることができる。 Examples of the epoxy resin (A) include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, tetramethylbisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, bisphenol E epoxy resin, bisphenol M epoxy resin, and bisphenol P epoxy resin. Epoxy resin, bisphenol type epoxy resin such as bisphenol Z type epoxy resin; novolac type epoxy resin such as phenol novolac type epoxy resin, orthocresol novolac type epoxy resin; biphenyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, aryl alkylene type epoxy resin , naphthalene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, adamantane type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, trisphenylmethane type epoxy resin, Zylock type epoxy resin, etc. can be mentioned.
本実施形態の樹脂成形材料は、エポキシ樹脂を1種のみ含んでもよいし、2種類以上含んでもよい。また、同種のエポキシ樹脂であっても異なる分子量のものを併用してもよい。 The resin molding material of this embodiment may contain only one type of epoxy resin, or may contain two or more types of epoxy resin. Furthermore, even if the epoxy resins are of the same type, those having different molecular weights may be used in combination.
本実施形態のエポキシ樹脂(A)は、本発明の効果の観点から、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、およびトリフェニルメタン型エポキシ樹脂から選択される少なくとも1種であることが好ましく、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂がより好ましい。 From the viewpoint of the effects of the present invention, the epoxy resin (A) of the present embodiment is at least one selected from orthocresol novolac type epoxy resins, phenol aralkyl type epoxy resins having a biphenylene skeleton, and triphenylmethane type epoxy resins. is preferable, and a phenol aralkyl type epoxy resin having a biphenylene skeleton is more preferable.
トリフェニルメタン型エポキシ樹脂とは、具体的には、メタン(CH4)の4つの水素原子のうちの3つがベンゼン環で置換された部分構造を含むエポキシ樹脂である。ベンゼン環は、無置換であっても置換基で置換されていてもよい。置換基としては、ヒドロキシ基やグリシジルオキシ基などを挙げることができる。 Specifically, the triphenylmethane type epoxy resin is an epoxy resin containing a partial structure in which three of the four hydrogen atoms of methane (CH 4 ) are substituted with benzene rings. The benzene ring may be unsubstituted or substituted with a substituent. Examples of the substituent include a hydroxy group and a glycidyloxy group.
具体的には、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂は、以下一般式(a1)で表される構造単位を含む。この構造単位が2つ以上連なることで、トリフェニルメタン骨格が構成される。 Specifically, the triphenylmethane type epoxy resin includes a structural unit represented by the following general formula (a1). A triphenylmethane skeleton is composed of two or more of these structural units connected together.
一般式(a1)において、
R11は、複数ある場合はそれぞれ独立に、1価の有機基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基またはシアノ基であり、
R12は、複数ある場合はそれぞれ独立に、1価の有機基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基またはシアノ基であり、
iは、0~3の整数であり、
jは、0~4の整数である。
In general formula (a1),
R 11 is each independently a monovalent organic group, a halogen atom, a hydroxy group or a cyano group, if there are multiple R 11s;
R 12 is each independently a monovalent organic group, a halogen atom, a hydroxy group or a cyano group, if there are multiple R 12s;
i is an integer from 0 to 3,
j is an integer from 0 to 4.
R11およびR12の1価の有機基の例としては、後述の一般式(BP)におけるRaおよびRbの1価の有機基として列挙されているものを挙げることができる。
iおよびjは、それぞれ独立に、好ましくは0~2であり、より好ましくは0~1である。
Examples of monovalent organic groups for R 11 and R 12 include those listed as monovalent organic groups for R a and R b in general formula (BP) described below.
i and j are each independently preferably 0-2, more preferably 0-1.
一態様として、iおよびjはともに0である。つまり、一態様として、一般式(a1)中のベンゼン環の全ては、1価の置換基としては、明示されたグリシジルオキシ基以外の置換基を有しない。 In one aspect, i and j are both 0. That is, as one embodiment, all of the benzene rings in general formula (a1) do not have substituents other than the specified glycidyloxy group as monovalent substituents.
ビフェニル構造を含むエポキシ樹脂とは、具体的には、2つのベンゼン環が単結合で連結している構造を含むエポキシ樹脂のことである。ここでのベンゼン環は、置換基を有していてもいなくてもよい。
具体的には、ビフェニル構造を含むエポキシ樹脂は、以下一般式(BP)で表される部分構造を有する。
Specifically, the epoxy resin containing a biphenyl structure is an epoxy resin containing a structure in which two benzene rings are connected by a single bond. The benzene ring here may or may not have a substituent.
Specifically, the epoxy resin containing a biphenyl structure has a partial structure represented by the following general formula (BP).
一般式(BP)において、
RaおよびRbは、複数ある場合はそれぞれ独立に、1価の有機基、ヒドロキシル基またはハロゲン原子であり、
rおよびsは、それぞれ独立に、0~4であり、
*は、他の原子団と連結していることを表す。
In the general formula (BP),
R a and R b are each independently a monovalent organic group, a hydroxyl group, or a halogen atom, if there are two or more,
r and s are each independently from 0 to 4;
* indicates that it is connected to another atomic group.
RaおよびRbの1価の有機基の具体例としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヘテロ環基、カルボキシル基などを挙げることができる。 Specific examples of monovalent organic groups for R a and R b include alkyl groups, alkenyl groups, alkynyl groups, alkylidene groups, aryl groups, aralkyl groups, alkaryl groups, cycloalkyl groups, alkoxy groups, heterocyclic groups, and carboxyl groups. Examples include groups.
アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。
アルケニル基としては、例えばアリル基、ペンテニル基、ビニル基などが挙げられる。
アルキニル基としては、例えばエチニル基などが挙げられる。
アルキリデン基としては、例えばメチリデン基、エチリデン基などが挙げられる。
アリール基としては、例えばトリル基、キシリル基、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基が挙げられる。
アラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。
アルカリル基としては、例えばトリル基、キシリル基などが挙げられる。
シクロアルキル基としては、例えばアダマンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などが挙げられる。
Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, Examples include octyl group, nonyl group, and decyl group.
Examples of the alkenyl group include an allyl group, a pentenyl group, and a vinyl group.
Examples of the alkynyl group include ethynyl group.
Examples of the alkylidene group include a methylidene group and an ethylidene group.
Examples of the aryl group include tolyl group, xylyl group, phenyl group, naphthyl group, and anthracenyl group.
Examples of the aralkyl group include benzyl group and phenethyl group.
Examples of the alkaryl group include tolyl group and xylyl group.
Examples of the cycloalkyl group include an adamantyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group.
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、s-ブトキシ基、イソブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基などが挙げられる。
ヘテロ環基としては、例えばエポキシ基、オキセタニル基などが挙げられる。
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, s-butoxy group, isobutoxy group, t-butoxy group, n-pentyloxy group, and neopentyloxy group. , n-hexyloxy group, etc.
Examples of the heterocyclic group include an epoxy group and an oxetanyl group.
RaおよびRbの1価の有機基の総炭素数は、それぞれ、例えば1~30、好ましくは1~20、より好ましくは1~10、特に好ましくは1~6である。
rおよびsは、それぞれ独立に、好ましくは0~2であり、より好ましくは0~1である。一態様として、rおよびsはともに0である。
The total number of carbon atoms in the monovalent organic groups R a and R b is, for example, 1 to 30, preferably 1 to 20, more preferably 1 to 10, particularly preferably 1 to 6.
r and s are each independently preferably 0-2, more preferably 0-1. In one aspect, r and s are both 0.
より具体的には、ビフェニル構造を含むエポキシ樹脂は、以下一般式(BP1)で表される構造単位を有するビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂であることが好ましい。 More specifically, the epoxy resin containing a biphenyl structure is preferably a biphenylaralkyl-type epoxy resin having a structural unit represented by the following general formula (BP1).
一般式(BP1)において、
RaおよびRbの定義および具体的態様は、一般式(BP)と同様であり、
rおよびsの定義および好ましい範囲は、一般式(BP)と同様であり、
Rcは、複数ある場合はそれぞれ独立に、1価の有機基、ヒドロキシル基またはハロゲン原子であり、
tは、0~3の整数である。
Rcの1価の有機基の具体例としては、RaおよびRbの具体例として挙げたものと同様のものを挙げることができる。
tは、好ましくは0~2であり、より好ましくは0~1である。
In the general formula (BP1),
The definitions and specific aspects of R a and R b are the same as in general formula (BP),
The definitions and preferred ranges of r and s are the same as in general formula (BP),
R c is each independently a monovalent organic group, a hydroxyl group, or a halogen atom when there is a plurality of them;
t is an integer from 0 to 3.
Specific examples of the monovalent organic group for R c include those listed as specific examples for R a and R b .
t is preferably 0-2, more preferably 0-1.
エポキシ樹脂(A)の含有量は、LDS用熱硬化性樹脂組成物100質量%中、1質量%以上30質量%以下、好ましくは3質量%以上20質量%以下、より好ましくは5質量%以上15質量%以下の量で含むことができる。 The content of the epoxy resin (A) is 1% by mass or more and 30% by mass or less, preferably 3% by mass or more and 20% by mass or less, more preferably 5% by mass or more in 100% by mass of the thermosetting resin composition for LDS. It can be contained in an amount of 15% by mass or less.
[硬化剤(B)]
硬化剤(B)は、活性エステル化合物(B1)およびフェノール系硬化剤(B2)から選択される少なくとも1種を含む。
[Curing agent (B)]
The curing agent (B) contains at least one selected from an active ester compound (B1) and a phenolic curing agent (B2).
(活性エステル化合物(B1))
活性エステル化合物(活性エステル硬化剤)(B1)は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂の硬化剤として機能する。
活性エステル化合物(B1)は、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物からなる群から選ばれる一または二以上を含む。
この中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン-ジシクロペンチレン-フェニレンからなる2価の構造単位を表す。
(Active ester compound (B1))
The active ester compound (active ester curing agent) (B1) functions as a curing agent for thermosetting resins such as epoxy resins.
The active ester compound (B1) is an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and an active ester compound containing a benzoylated product of phenol novolak. One or more selected from the group consisting of:
Among these, active ester compounds containing a naphthalene structure and active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. "Dicyclopentadiene type diphenol structure" refers to a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.
本実施形態において、活性エステル化合物(B1)は、例えば、以下の一般式(1)で表される構造を有する樹脂を用いることができる。 In this embodiment, the active ester compound (B1) can be, for example, a resin having a structure represented by the following general formula (1).
上記一般式(1)中、
Aは、脂肪族環状炭化水素基を介して連結された置換または非置換のアリーレン基であり、
Ar'は、置換または非置換のアリール基であり、
Bは、下記一般式(B)で表される構造であり、
kは、繰り返し単位の平均値であり、0.25~3.5の範囲である。
In the above general formula (1),
A is a substituted or unsubstituted arylene group connected via an aliphatic cyclic hydrocarbon group,
Ar' is a substituted or unsubstituted aryl group,
B is a structure represented by the following general formula (B),
k is the average value of repeating units and ranges from 0.25 to 3.5.
上記一般式(B)中、
Arは、置換または非置換のアリーレン基である。置換されたアリーレン基の置換基は炭素原子数1~4のアルキル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基、フェニル基、アラルキル基等が挙げられる。
Yは、単結合、置換または非置換の炭素原子数1~6の直鎖のアルキレン基、または置換または非置換の炭素原子数3~6の環式のアルキレン基、置換または非置換の2価の芳香族炭化水素基、エーテル結合、カルボニル基、カルボニルオキシ基、スルフィド基、あるいはスルホン基である。前記基の置換基としては、炭素原子数1~4のアルキル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基、フェニル基、アラルキル基等が挙げられる。
Yとして好ましくは、単結合、メチレン基、-CH(CH3)2-、エーテル結合、置換されていてもよいシクロアルキレン基、置換されていてもよい9,9-フルオレニレン基等が挙げられる。
nは0~4の整数であり、好ましくは0または1である。
Bは、具体的には、下記一般式(B1)または下記一般式(B2)で表される構造である。
In the above general formula (B),
Ar is a substituted or unsubstituted arylene group. Examples of the substituents of the substituted arylene group include an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, an aralkyl group, and the like.
Y is a single bond, a substituted or unsubstituted linear alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cyclic alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group, ether bond, carbonyl group, carbonyloxy group, sulfide group, or sulfone group. Examples of the substituent of the above group include an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, an aralkyl group, and the like.
Preferred examples of Y include a single bond, a methylene group, -CH(CH 3 ) 2 -, an ether bond, an optionally substituted cycloalkylene group, and an optionally substituted 9,9-fluorenylene group.
n is an integer from 0 to 4, preferably 0 or 1.
Specifically, B is a structure represented by the following general formula (B1) or the following general formula (B2).
上記一般式(B1)および上記一般式(B2)中、ArおよびYは、一般式(B)と同義である。 In the general formula (B1) and the general formula (B2), Ar and Y have the same meanings as in the general formula (B).
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、特定の活性エステル化合物を含むことにより、得られる硬化物は優れた誘電特性を有することができ、低誘電正接に優れる。 Since the thermosetting resin composition of this embodiment contains a specific active ester compound, the obtained cured product can have excellent dielectric properties and is excellent in low dielectric loss tangent.
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物に用いられる活性エステル化合物(B1)は、式(B)で表される活性エステル基を有する。エポキシ樹脂(A)と活性エステル化合物(B1)との硬化反応において、活性エステル化合物(B1)の活性エステル基はエポキシ樹脂(A)のエポキシ基と反応して2級の水酸基を生じる。この2級の水酸基は、活性エステル化合物(B1)のエステル残基により封鎖される。そのため、硬化物の誘電正接が低減される。 The active ester compound (B1) used in the thermosetting resin composition of this embodiment has an active ester group represented by formula (B). In the curing reaction between the epoxy resin (A) and the active ester compound (B1), the active ester group of the active ester compound (B1) reacts with the epoxy group of the epoxy resin (A) to generate a secondary hydroxyl group. This secondary hydroxyl group is blocked by the ester residue of the active ester compound (B1). Therefore, the dielectric loss tangent of the cured product is reduced.
一実施形態において、上記式(B)で表される構造は、以下の式(B-1)~式(B-6)から選択される少なくとも1つであることが好ましい。 In one embodiment, the structure represented by the above formula (B) is preferably at least one selected from the following formulas (B-1) to (B-6).
式(B-1)~(B-6)において、
R1はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1~4のアルキル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基、フェニル基、アラルキル基の何れかであり、
In formulas (B-1) to (B-6),
R 1 is each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, or an aralkyl group,
R2はそれぞれ独立に炭素原子数1~4のアルキル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基、フェニル基の何れかであり、Xは炭素原子数2~6の直鎖のアルキレン基、エーテル結合、カルボニル基、カルボニルオキシ基、スルフィド基、スルホン基のいずれかであり、
nは0~4の整数であり、pは1~4の整数である。
R 2 is each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, or a phenyl group, and X is a linear alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, an ether a bond, a carbonyl group, a carbonyloxy group, a sulfide group, or a sulfone group,
n is an integer from 0 to 4, and p is an integer from 1 to 4.
上記式(B-1)~(B-6)で表される構造は、いずれも配向性が高い構造であることから、これを含む活性エステル化合物(B1)を用いた場合、得られる熱硬化性樹脂組成物の硬化物は、高周波帯域における低誘電正接を有する。
中でも、低誘電正接の観点から、式(B-2)、式(B-3)または(B-5)で表される構造を有する活性エステル化合物が好ましく、さらに式(B-2)のnが0である構造、式(B-3)のXがエーテル結合である構造、または式(B-5)において二つのカルボニルオキシ基が4,4'-位にある構造を有する活性エステル化合物がより好ましい。また各式中のR1はすべて水素原子であることが好ましい。
The structures represented by the above formulas (B-1) to (B-6) are all highly oriented structures, so when an active ester compound (B1) containing them is used, the resulting thermosetting The cured product of the resin composition has a low dielectric loss tangent in a high frequency band.
Among these, from the viewpoint of low dielectric loss tangent, active ester compounds having a structure represented by formula (B-2), formula (B-3) or (B-5) are preferable, and furthermore, n of formula (B-2) is preferable. is 0, a structure in which X in formula (B-3) is an ether bond, or an active ester compound having a structure in which two carbonyloxy groups are at the 4,4'-position in formula (B-5). More preferred. Further, it is preferable that all R 1 in each formula are hydrogen atoms.
式(1)における「Ar'」はアリール基であり、例えば、フェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、3,5-キシリル基、o-ビフェニル基、m-ビフェニル基、p-ビフェニル基、2-ベンジルフェニル基、4-ベンジルフェニル基、4-(α-クミル)フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等であり得る。中でも、特に誘電正接の低い硬化物が得られることから、1-ナフチル基または2-ナフチル基であることが好ましい。 "Ar'" in formula (1) is an aryl group, for example, phenyl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, 3,5-xylyl group, o-biphenyl group, m-biphenyl group. p-biphenyl group, 2-benzylphenyl group, 4-benzylphenyl group, 4-(α-cumyl)phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, etc. Among these, 1-naphthyl group or 2-naphthyl group is preferable because a cured product with a particularly low dielectric loss tangent can be obtained.
本実施形態において、式(1)で表される活性エステル化合物(B1)における[A]は、脂肪族環状炭化水素基を介して連結された置換または非置換のアリーレン基であり、このようなアリーレン基としては、例えば、1分子中に二重結合を2個含有する不飽和脂肪族環状炭化水素化合物と、フェノール性化合物とを重付加反応させて得られる構造が挙げられる。 In this embodiment, [A] in the active ester compound (B1) represented by formula (1) is a substituted or unsubstituted arylene group connected via an aliphatic cyclic hydrocarbon group, and such Examples of the arylene group include a structure obtained by polyaddition reaction of an unsaturated aliphatic cyclic hydrocarbon compound containing two double bonds in one molecule and a phenolic compound.
前記1分子中に二重結合を2個含有する不飽和脂肪族環状炭化水素化合物は、例えば、ジシクロペンタジエン、シクロペンタジエンの多量体、テトラヒドロインデン、4-ビニルシクロヘキセン、5-ビニル-2-ノルボルネン、リモネン等が挙げられ、これらはそれぞれ単独で用いても良いし、2種類以上を併用しても良い。これらの中でも、耐熱性に優れる硬化物が得られることからジシクロペンタジエンが好ましい。尚、ジシクロペンタジエンは石油留分中に含まれることから、工業用ジシクロペンタジエンにはシクロペンタジエンの多量体や、他の脂肪族或いは芳香族性ジエン化合物等が不純物として含有されることがあるが、耐熱性、硬化性、成形性等の性能を考慮すると、ジシクロペンタジエンの純度90質量%以上の製品を用いることが望ましい。 Examples of the unsaturated aliphatic cyclic hydrocarbon compound containing two double bonds in one molecule include dicyclopentadiene, cyclopentadiene polymer, tetrahydroindene, 4-vinylcyclohexene, and 5-vinyl-2-norbornene. , limonene, etc., and each of these may be used alone or two or more types may be used in combination. Among these, dicyclopentadiene is preferred because it provides a cured product with excellent heat resistance. Since dicyclopentadiene is contained in petroleum fractions, industrial dicyclopentadiene may contain cyclopentadiene polymers and other aliphatic or aromatic diene compounds as impurities. However, in consideration of performance such as heat resistance, curability, and moldability, it is desirable to use a product with dicyclopentadiene purity of 90% by mass or more.
一方、前記フェノール性化合物は、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、ビニルフェノール、イソプロペニルフェノール、アリルフェノール、フェニルフェノール、ベンジルフェノール、クロルフェノール、ブロムフェノール、1-ナフトール、2-ナフトール、1,4-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン、2,7-ジヒドロキシナフタレン等が挙げられ、それぞれ単独で用いても良いし、2種類以上を併用しても良い。これらの中でも、硬化性が高く硬化物における誘電特性に優れる活性エステル化合物となることからフェノールが好ましい。 On the other hand, the phenolic compounds include, for example, phenol, cresol, xylenol, ethylphenol, isopropylphenol, butylphenol, octylphenol, nonylphenol, vinylphenol, isopropenylphenol, allylphenol, phenylphenol, benzylphenol, chlorophenol, bromophenol, Examples include 1-naphthol, 2-naphthol, 1,4-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, and 2,7-dihydroxynaphthalene, each of which can be used alone. It may be used or two or more types may be used together. Among these, phenol is preferred because it provides an active ester compound with high curability and excellent dielectric properties in a cured product.
好ましい実施形態において、式(1)で表される活性エステル化合物における[A]は、式(A)で表される構造を有する。式(1)における[A]が以下の構造である活性エステル化合物を含む熱硬化性樹脂組成物の硬化物は、高周波帯域における低誘電正接を実現できる。 In a preferred embodiment, [A] in the active ester compound represented by formula (1) has a structure represented by formula (A). A cured product of a thermosetting resin composition containing an active ester compound in which [A] in formula (1) has the following structure can realize a low dielectric loss tangent in a high frequency band.
式(A)において、
R3はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1~4のアルキル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基、フェニル基、アラルキル基の何れかであり、
lは0または1であり、mは1以上の整数である。
In formula (A),
R 3 is each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, or an aralkyl group,
l is 0 or 1, and m is an integer of 1 or more.
式(1)で表される活性エステル硬化剤のうち、より好ましいものとして、下記式(1-1)、式(1-2)および式(1-3)で表される樹脂が挙げられ、特に好ましいものとして、下記式(1-3)で表される樹脂が挙げられる。 Among the active ester curing agents represented by formula (1), more preferable ones include resins represented by the following formulas (1-1), (1-2), and (1-3), Particularly preferred are resins represented by the following formula (1-3).
式(1-1)中、R1及びR3はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1~4のアルキル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基、フェニル基、アラルキル基の何れかであり、Zはフェニル基、ナフチル基、又は、芳香核上に炭素原子数1~4のアルキル基を1~3個有するフェニル基或いはナフチル基であり、lは0又は1であり、kは繰り返し単位の平均であり、0.25~3.5である。 In formula (1-1), R 1 and R 3 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, or an aralkyl group. , Z is a phenyl group, a naphthyl group, or a phenyl group or a naphthyl group having 1 to 3 alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms on the aromatic nucleus, l is 0 or 1, and k is a repeating unit. It is the average of 0.25 to 3.5.
式(1-2)中、R1及びR3はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1~4のアルキル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基、フェニル基、アラルキル基の何れかであり、Zはフェニル基、ナフチル基、又は、芳香核上に炭素原子数1~4のアルキル基を1~3個有するフェニル基或いはナフチル基であり、lは0又は1であり、kは繰り返し単位の平均であり、0.25~3.5である。 In formula (1-2), R 1 and R 3 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, or an aralkyl group. , Z is a phenyl group, a naphthyl group, or a phenyl group or a naphthyl group having 1 to 3 alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms on the aromatic nucleus, l is 0 or 1, and k is a repeating unit. It is the average of 0.25 to 3.5.
式(1-3)中、R1及びR3はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1~4のアルキル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基、フェニル基、アラルキル基の何れかであり、Zはフェニル基、ナフチル基、又は、芳香核上に炭素原子数1~4のアルキル基を1~3個有するフェニル基或いはナフチル基であり、lは0又は1であり、kは繰り返し単位の平均であり、0.25~3.5である。 In formula (1-3), R 1 and R 3 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, or an aralkyl group. , Z is a phenyl group, a naphthyl group, or a phenyl group or a naphthyl group having 1 to 3 alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms on the aromatic nucleus, l is 0 or 1, and k is a repeating unit. It is the average of 0.25 to 3.5.
上記一般式(A)で表される活性エステル化合物(B1)は、脂肪族環状炭化水素基を介してフェノール性水酸基を有するアリール基が複数結節された構造を有するフェノール性化合物(a)と、芳香核含有ジカルボン酸又はそのハライド(b)と、芳香族モノヒドロキシ化合物(c)とを反応させる、公知の方法により製造することができる。 The active ester compound (B1) represented by the above general formula (A) is a phenolic compound (a) having a structure in which a plurality of aryl groups having a phenolic hydroxyl group are linked via an aliphatic cyclic hydrocarbon group, It can be produced by a known method of reacting an aromatic nucleus-containing dicarboxylic acid or its halide (b) with an aromatic monohydroxy compound (c).
上記フェノール性化合物(a)と、芳香核含有ジカルボン酸又はそのハライド(b)と、芳香族モノヒドロキシ化合物(c)との反応割合は、所望の分子設計に応じて適宜調整することができるが、中でも、より硬化性の高い活性エステル化合物(B1)が得られることから、芳香核含有ジカルボン酸又はそのハライド(b)が有するカルボキシル基又は酸ハライド基の合計1モルに対し、前記フェノール性化合物(a)が有するフェノール性水酸基が0.25~0.90モルの範囲となり、かつ、前記芳香族モノヒドロキシ化合物(c)が有するヒドロキシル基が0.10~0.75モルの範囲となる割合で各原料を用いることが好ましく、前記フェノール性化合物(a)が有するフェノール性水酸基が0.50~0.75モルの範囲となり、かつ、前記芳香族モノヒドロキシ化合物(c)が有するヒドロキシル基が0.25~0.50モルの範囲となる割合で各原料を用いることがより好ましい。 The reaction ratio of the phenolic compound (a), the aromatic nucleus-containing dicarboxylic acid or its halide (b), and the aromatic monohydroxy compound (c) can be adjusted as appropriate depending on the desired molecular design. Among them, since an active ester compound (B1) with higher curability is obtained, the phenolic compound is The ratio of the phenolic hydroxyl group possessed by (a) being in the range of 0.25 to 0.90 mol, and the hydroxyl group possessed by the aromatic monohydroxy compound (c) being in the range of 0.10 to 0.75 mol. It is preferable to use each raw material in such a manner that the phenolic hydroxyl group of the phenolic compound (a) is in the range of 0.50 to 0.75 mol, and the hydroxyl group of the aromatic monohydroxy compound (c) is in the range of 0.50 to 0.75 mol. It is more preferable to use each raw material in a proportion ranging from 0.25 to 0.50 mol.
また、活性エステル化合物(B1)の官能基当量は、樹脂構造中に有するアリールカルボニルオキシ基およびフェノール性水酸基の合計を樹脂の官能基数とした場合、硬化性に優れ、誘電正接の低い硬化物が得られることから、200g/eq以上230g/eq以下の範囲であることが好ましく、210g/eq以上220g/eq以下の範囲であることがより好ましい。 In addition, the functional group equivalent of the active ester compound (B1) is a cured product with excellent curability and a low dielectric loss tangent, when the total number of aryl carbonyloxy groups and phenolic hydroxyl groups in the resin structure is taken as the number of functional groups in the resin. Therefore, it is preferably in the range of 200 g/eq or more and 230 g/eq or less, and more preferably in the range of 210 g/eq or more and 220 g/eq or less.
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物において、活性エステル化合物(B1)とエポキシ樹脂(A)との含有量は、硬化性に優れ、誘電正接の低い硬化物が得られることから、活性エステル化合物(B1)中の活性基の合計1当量に対して、エポキシ樹脂(A)中のエポキシ基が0.8~1.2当量となる割合であることが好ましい。ここで、活性エステル化合物(B1)中の活性基とは、樹脂構造中に有するアリールカルボニルオキシ基及びフェノール性水酸基を指す。 In the thermosetting resin composition of the present embodiment, the content of the active ester compound (B1) and the epoxy resin (A) is such that a cured product with excellent curability and a low dielectric loss tangent can be obtained. It is preferable that the epoxy group in the epoxy resin (A) be in a proportion of 0.8 to 1.2 equivalents per total equivalent of active groups in (B1). Here, the active group in the active ester compound (B1) refers to an arylcarbonyloxy group and a phenolic hydroxyl group contained in the resin structure.
活性エステル化合物(B1)は、熱硬化性樹脂組成物100質量%中、好ましくは0.5質量%以上15質量%以下、より好ましくは1質量%以上12質量%以下、さらに好ましくは2質量%以上8質量%以下の量で用いられる。
特定の活性エステル化合物(B1)を上記範囲で含むことにより、得られる硬化物はより優れた誘電特性を有することができ、低誘電正接にさらに優れる。
The active ester compound (B1) is preferably 0.5% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 1% by mass or more and 12% by mass or less, and even more preferably 2% by mass in 100% by mass of the thermosetting resin composition. It is used in an amount of 8% by mass or less.
By containing the specific active ester compound (B1) in the above range, the obtained cured product can have better dielectric properties and is further excellent in low dielectric loss tangent.
(フェノール系硬化剤(B2))
フェノール系硬化剤(B2)は、エポキシ樹脂(A)などの熱硬化性樹脂の硬化剤として機能する。
フェノール系硬化剤(B2)は、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂および/またはフェノールノボラック樹脂を含む。
(Phenol curing agent (B2))
The phenolic curing agent (B2) functions as a curing agent for thermosetting resins such as epoxy resins (A).
The phenolic curing agent (B2) contains a biphenylaralkyl phenol resin and/or a phenol novolak resin.
熱硬化性樹脂組成物は、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂およびフェノールノボラック樹脂以外の他の硬化剤を含んでもよい。
ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂としては、例えば、ビフェニレン骨格を含むフェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格を含むナフトールアラルキル樹脂等が挙げられる。
The thermosetting resin composition may contain a curing agent other than the biphenylaralkyl phenolic resin and the phenol novolac resin.
Examples of the biphenylaralkyl phenol resin include phenol aralkyl resin containing a biphenylene skeleton, naphthol aralkyl resin containing a biphenylene skeleton, and the like.
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、活性エステル化合物(B1)以外の他の硬化剤を含むことができる。
他の硬化剤としては、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂およびフェノールノボラック樹脂以外のフェノール樹脂系硬化剤、アミン化合物系硬化剤、アミド化合物系硬化剤、酸無水物系硬化剤などが用いられる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。この中でも、フェノール樹脂系硬化剤を用いてもよい。
The thermosetting resin composition of this embodiment can contain a curing agent other than the active ester compound (B1).
As other curing agents, phenolic resin curing agents other than biphenylaralkyl phenol resins and phenol novolac resins, amine compound curing agents, amide compound curing agents, acid anhydride curing agents, etc. are used. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, a phenolic resin curing agent may be used.
フェノール樹脂系硬化剤は、例えば、クレゾールノボラック樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール付加型樹脂、ビフェニレン骨格を含むフェノール樹脂、トリメチロールメタン樹脂、テトラフェニロールエタン樹脂、ナフトールノボラック樹脂、ナフトール-フェノール共縮ノボラック樹脂、ナフトール-クレゾール共縮ノボラック樹脂、ビフェニル変性フェノール樹脂(ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価フェノール化合物)、ビフェニル変性ナフトール樹脂(ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価ナフトール化合物)、アミノトリアジン変性フェノール樹脂(メラミンやベンゾグアナミンなどでフェノール核が連結された多価フェノール化合物)等の多価フェノール化合物が挙げられる。 Examples of the phenolic resin curing agent include cresol novolac resin, aromatic hydrocarbon formaldehyde resin-modified phenol resin, dicyclopentadiene phenol addition type resin, phenol resin containing a biphenylene skeleton, trimethylolmethane resin, tetraphenylolethane resin, and naphthol. Novolak resin, naphthol-phenol co-condensed novolac resin, naphthol-cresol co-condensed novolak resin, biphenyl-modified phenol resin (a polyhydric phenol compound in which phenol nuclei are linked by bismethylene groups), biphenyl-modified naphthol resin (phenol nuclei are linked by bismethylene groups), Examples include polyhydric phenol compounds such as polyhydric naphthol compounds (linked polyhydric naphthol compounds) and aminotriazine-modified phenol resins (polyhydric phenol compounds whose phenol nuclei are linked with melamine, benzoguanamine, etc.).
アミン化合物系硬化剤は、例えば、ジアミノジフェニルメタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルスルホン、イソホロンジアミン、イミダゾ-ル、BF3-アミン錯体、グアニジン誘導体等のアミン化合物が挙げられる。
アミド化合物系硬化剤は、例えば、ジシアンジアミド、リノレン酸の2量体とエチレンジアミンとより合成されるポリアミド樹脂が挙げられる。
酸無水物系硬化剤は、例えば、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸が挙げられる。
Examples of the amine compound curing agent include amine compounds such as diaminodiphenylmethane, diethylenetriamine, triethylenetetramine, diaminodiphenylsulfone, isophoronediamine, imidazole, BF 3 -amine complex, and guanidine derivatives.
Examples of the amide compound curing agent include polyamide resins synthesized from dicyandiamide, a dimer of linolenic acid, and ethylenediamine.
Examples of acid anhydride curing agents include phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, maleic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and methyl Hexahydrophthalic anhydride is mentioned.
フェノール系硬化剤(B2)を用いる場合、フェノール系硬化剤(B2)の配合量は、熱硬化性樹脂100質量%に対して、好ましくは0.5質量%以上15質量%以下、より好ましくは1質量%以上10質量%以下、さらに好ましくは2質量%以上8質量%以下の量で用いられる。の量である。上記範囲の量で硬化剤を使用することにより、優れた硬化性を有する熱硬化性樹脂組成物が得られる。 When using the phenolic curing agent (B2), the blending amount of the phenolic curing agent (B2) is preferably 0.5% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or more and 15% by mass or less, based on 100% by mass of the thermosetting resin. It is used in an amount of 1% by mass or more and 10% by mass or less, more preferably 2% by mass or more and 8% by mass or less. is the amount of By using the curing agent in an amount within the above range, a thermosetting resin composition having excellent curability can be obtained.
[無機充填材(C)]
無機充填剤(C)としては、溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、アルミナ、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、またはこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが挙げられる。これらの無機充填材は単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記の無機充填材の中で、線膨張係数低減の観点からはシリカが好ましく、充填材形状は成形時の流動性および金型摩耗性の点から球形が好ましい。
[Inorganic filler (C)]
Examples of the inorganic filler (C) include silica such as fused silica and crystalline silica, alumina, calcium silicate, calcium carbonate, potassium titanate, silicon carbide, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, beryllia, zirconia, zircon, and fosterlite. Examples include powders such as steatite, spinel, mullite, and titania, beads made of these powders, and glass fibers. These inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more. Among the above-mentioned inorganic fillers, silica is preferred from the viewpoint of reducing the coefficient of linear expansion, and the shape of the filler is preferably spherical from the viewpoint of fluidity during molding and mold abrasion resistance.
無機充填材の比誘電率は、特に限定されないが、4.2以下であることが好ましい。これにより、本発明の樹脂組成物から硬化物を得た場合、誘電特性を低下することなく、強度を向上させることができる。前記比誘電率4.2以下の無機充填材としては、例えばアルミナ、シリカ等が挙げられる。 The dielectric constant of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 4.2 or less. Thereby, when a cured product is obtained from the resin composition of the present invention, the strength can be improved without deteriorating the dielectric properties. Examples of the inorganic filler having a dielectric constant of 4.2 or less include alumina, silica, and the like.
無機充填材(C)の配合量は、成形性、熱膨張性の低減、および強度向上の観点から、LDS用熱硬化性樹脂組成物全体に対して、好ましくは50質量%以上95質量%以下、より好ましくは60質量%以上90質量%以下の範囲とすることができる。上記範囲であれば、熱膨張性低減および成形性に優れる。 The blending amount of the inorganic filler (C) is preferably 50% by mass or more and 95% by mass or less based on the entire thermosetting resin composition for LDS, from the viewpoint of moldability, reduction of thermal expansion, and improvement of strength. , more preferably in a range of 60% by mass or more and 90% by mass or less. Within the above range, thermal expansion property reduction and moldability are excellent.
[LDS添加剤(D)]
LDS添加剤(D)は、活性エネルギー線の照射により金属核を形成する非導電性金属化合物である。
[LDS additive (D)]
The LDS additive (D) is a non-conductive metal compound that forms a metal nucleus upon irradiation with active energy rays.
非導電性金属化合物としては、(i)スピネル型の金属酸化物、(ii)周期表第3族~第12族の中から選択されており、かつ当該族が隣接する2以上の遷移金属元素を有する金属酸化物、(iii)錫含有酸化物等を挙げることができる。 As the non-conductive metal compound, (i) a spinel-type metal oxide, (ii) two or more transition metal elements selected from Groups 3 to 12 of the periodic table and adjacent to each other. (iii) a tin-containing oxide, and the like.
非導電性金属化合物は、活性エネルギー線の照射により金属核を形成できるものである。詳細なメカニズムは定かでないが、このような非導電性金属化合物は、吸収可能な波長領域を有するYAGレーザー等の活性エネルギー線が照射されると、金属核が活性化して(例えば、還元されて)、金属めっきが可能な金属核が生成される、と考えられる。そして、非導電性金属化合物が分散された熱硬化性樹脂組成物の硬化物の表面に対して上記活性エネルギー線を照射すると、その照射面に、金属めっきが可能な金属核を有するシード領域が形成される。得られたシード領域を利用することにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の表面に、回路などのめっきパターンを形成することが可能になる。 A non-conductive metal compound is one that can form a metal nucleus by irradiation with active energy rays. Although the detailed mechanism is not clear, when such a non-conductive metal compound is irradiated with active energy rays such as a YAG laser that has an absorbable wavelength range, the metal nucleus becomes activated (for example, it is reduced). ), it is thought that metal nuclei capable of metal plating are generated. When the surface of the cured thermosetting resin composition in which the non-conductive metal compound is dispersed is irradiated with the active energy ray, a seed region having a metal core capable of metal plating is formed on the irradiated surface. It is formed. By using the obtained seed region, it becomes possible to form a plating pattern such as a circuit on the surface of the cured product of the thermosetting resin composition.
本実施形態においては、LDS添加剤(D)として、非導電性金属化合物であるタングステン酸銅(CuWO4)を含む。
本実施形態のLDS用熱硬化性樹脂組成物が、LDS添加剤(D)としてタングステン酸銅を含むことにより低誘電率および低誘電正接に優れ、特に低誘電正接に優れた硬化物を得ることができ、かつメッキ層の形成にも優れた硬化物を提供することができる。さらに当該硬化物に三次元回路が形成された成形品を含むアンテナ等は受信感度に優れており、アンテナ等を小型化・軽量化することができる。
In this embodiment, copper tungstate (CuWO 4 ), which is a non-conductive metal compound, is included as the LDS additive (D).
The thermosetting resin composition for LDS of the present embodiment contains copper tungstate as the LDS additive (D) to obtain a cured product that is excellent in low dielectric constant and low dielectric loss tangent, and particularly excellent in low dielectric loss tangent. It is possible to provide a cured product that is capable of forming a plating layer and is also excellent in forming a plating layer. Furthermore, an antenna or the like containing a molded product in which a three-dimensional circuit is formed in the cured product has excellent reception sensitivity, and the antenna or the like can be made smaller and lighter.
タングステン酸銅は、本発明の効果の観点から、LDS用熱硬化性樹脂組成物100質量%中に、好ましくは0.5質量%以上30質量%以下、より好ましくは1質量%以上20質量%以下、さらに好ましくは2質量%以上15質量%以下の量で含むことができる。 From the viewpoint of the effects of the present invention, copper tungstate is preferably 0.5% by mass or more and 30% by mass or less, more preferably 1% by mass or more and 20% by mass in 100% by mass of the thermosetting resin composition for LDS. Further, it can be contained in an amount of 2% by mass or more and 15% by mass or less.
LDS添加剤(D)は、本発明の効果を奏する範囲で、タングステン酸銅とともに、他のLDS添加剤を含むことができる。
他のLDS添加剤としては、非導電性金属化合物である、FeCr2O4、CuCrO4、CuCr2O4、NiCr2O4、MnCr2O4、MgCr2O4、ZnCr2O4、CoCr2O4、CuFe2O4、NiFe2O4、MnFe2O4、MgFe2O4、ZnFe2O4、CoFe2O4などが挙げられる。
The LDS additive (D) can contain other LDS additives together with copper tungstate within a range that achieves the effects of the present invention.
Other LDS additives include the non - conductive metal compounds FeCr2O4 , CuCrO4 , CuCr2O4 , NiCr2O4 , MnCr2O4 , MgCr2O4 , ZnCr2O4 , CoCr 2 O 4 , CuFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , MnFe 2 O 4 , MgFe 2 O 4 , ZnFe 2 O 4 , CoFe 2 O 4 and the like.
[カップリング剤(E)]
本実施形態のLDS用熱硬化性樹脂組成物は、さらにカップリング剤(E)を含むことができる。
上記カップリング剤(E)は、メルカプトシラン、アミノシランおよびエポキシシランからなる群から選択される一種以上を含むことができる。
[Coupling agent (E)]
The thermosetting resin composition for LDS of this embodiment can further contain a coupling agent (E).
The coupling agent (E) may include one or more selected from the group consisting of mercaptosilane, aminosilane, and epoxysilane.
上記エポキシシランとしては、例えば、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。 Examples of the epoxysilane include γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, and β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltriethoxysilane. Examples include methoxysilane.
また、上記アミノシランとしては、例えば、フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-(6-アミノヘキシル)3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(3-(トリメトキシシリルプロピル)-1,3-ベンゼンジメタナン等が挙げられる。アミノシランの1級アミノ部位をケトン又はアルデヒドを反応させて保護した潜在性アミノシランカップリング剤として用いてもよい。また、アミノシランとしては、2級アミノ基を有してもよい。 In addition, examples of the aminosilane include phenylaminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl)γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ-aminopropyltriethoxysilane , N-(6-aminohexyl)3-aminopropyltrimethoxysilane, N-(3-(trimethoxysilylpropyl)-1,3-benzenedimethanane, etc.). Alternatively, it may be used as a latent aminosilane coupling agent protected by reacting with an aldehyde.Also, the aminosilane may have a secondary amino group.
また、上記メルカプトシランとしては、例えば、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシランのほか、ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)ジスルフィドのような熱分解することによってメルカプトシランカップリング剤と同様の機能を発現するシランカップリング剤など、が挙げられる。 Examples of the mercaptosilane include γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis(3-triethoxysilylpropyl)tetrasulfide, and bis(3-triethoxysilylpropyl)disulfide. Examples include silane coupling agents that exhibit the same functions as mercaptosilane coupling agents when thermally decomposed.
これらのシランカップリング剤は予め加水分解反応させたものを配合してもよい。これらのシランカップリング剤は1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。 These silane coupling agents may be previously hydrolyzed and blended. These silane coupling agents may be used alone or in combination of two or more.
本実施形態において、カップリング剤として、メルカプトシラン、アミノシランおよびエポキシシランからなる群から選択される一種以上を含むことにより、熱硬化性樹脂組成物の粘度を最適にすることにより、金型成形性を向上させることができる。 In this embodiment, by including one or more selected from the group consisting of mercaptosilane, aminosilane, and epoxysilane as a coupling agent, the viscosity of the thermosetting resin composition is optimized, and mold moldability is improved. can be improved.
連続成形性という観点では、メルカプトシランが好ましく、流動性の観点では、2級アミノシランが好ましく、密着性という観点ではエポキシシランが好ましい。 From the viewpoint of continuous moldability, mercaptosilane is preferred, from the viewpoint of fluidity, secondary aminosilane is preferred, and from the viewpoint of adhesiveness, epoxysilane is preferred.
上記カップリング剤の含有量の下限値としては、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、0.01質量%以上が好ましく、より好ましくは0.05質量%以上、特に好ましくは0.1質量%以上である。これにより、熱硬化性樹脂組成物のフロー流動長を長くすることができるので、射出成形性を向上させることができる。一方で、カップリング剤の含有量の上限値としては、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、1質量%以下が好ましく、より好ましくは0.8質量%以下、特に好ましくは0.6質量%以下である。 The lower limit of the content of the coupling agent is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, particularly preferably 0.1% by mass based on the entire thermosetting resin composition. % or more. This makes it possible to lengthen the flow length of the thermosetting resin composition, thereby improving injection moldability. On the other hand, the upper limit of the content of the coupling agent is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.8% by mass or less, particularly preferably 0.6% by mass, based on the entire thermosetting resin composition. % or less.
[硬化触媒]
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、さらに硬化触媒を含むことができる。
硬化触媒は、硬化促進剤などと呼ばれる場合もある。硬化触媒は、熱硬化性樹脂(A)の硬化反応を早めるものである限り特に限定されず、公知の硬化触媒を用いることができる。
[Curing catalyst]
The thermosetting resin composition of this embodiment can further contain a curing catalyst.
A curing catalyst is sometimes called a curing accelerator. The curing catalyst is not particularly limited as long as it accelerates the curing reaction of the thermosetting resin (A), and any known curing catalyst can be used.
具体的には、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物;2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール等のイミダゾール類(イミダゾール系硬化促進剤);1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7、ベンジルジメチルアミン等が例示されるアミジンや3級アミン、アミジンやアミンの4級塩等の窒素原子含有化合物などを挙げることができ、1種のみを用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。 Specifically, phosphorus atom-containing compounds such as organic phosphines, tetra-substituted phosphonium compounds, phosphobetaine compounds, adducts of phosphine compounds and quinone compounds, and adducts of phosphonium compounds and silane compounds; 2-methylimidazole, 2- Imidazole such as phenylimidazole (imidazole curing accelerator); 1,8-diazabicyclo[5.4.0]undecene-7, benzyldimethylamine, etc. are examples of amidine and tertiary amine; quaternary of amidine and amine; Nitrogen atom-containing compounds such as salts can be mentioned, and only one type may be used, or two or more types may be used.
これらの中でも、硬化性を向上させ、曲げ強度などの機械強度に優れた硬化物を得る観点からはリン原子含有化合物を含むことが好ましく、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有するものを含むことがより好ましく、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が特に好ましい。 Among these, from the viewpoint of improving curability and obtaining a cured product with excellent mechanical strength such as bending strength, it is preferable to include compounds containing phosphorus atoms, such as tetra-substituted phosphonium compounds, phosphobetaine compounds, phosphine compounds and quinone compounds. It is more preferable to include compounds with latent properties such as adducts between phosphonium compounds and silane compounds, tetra-substituted phosphonium compounds, adducts between phosphine compounds and quinone compounds, and adducts between phosphonium compounds and silane compounds. Adducts are particularly preferred.
一般式(1)で表される活性エステル硬化剤(B1)と潜伏性を有する硬化触媒とを組み合わせて用いることにより、成形性により優れるとともに、曲げ強度などの機械強度により優れた硬化物を得ることができる。 By using the active ester curing agent (B1) represented by the general formula (1) in combination with a curing catalyst having latent properties, a cured product with excellent moldability and mechanical strength such as bending strength can be obtained. be able to.
有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第1ホスフィン;ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第2ホスフィン;トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第3ホスフィンが挙げられる。
テトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式(6)で表される化合物等が挙げられる。
Examples of the organic phosphine include primary phosphines such as ethylphosphine and phenylphosphine; secondary phosphines such as dimethylphosphine and diphenylphosphine; and tertiary phosphines such as trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine and triphenylphosphine.
Examples of the tetra-substituted phosphonium compound include compounds represented by the following general formula (6).
一般式(6)において、
Pはリン原子を表す。
R4、R5、R6およびR7は、それぞれ独立に、芳香族基またはアルキル基を表す。
Aはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも1つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。
In general formula (6),
P represents a phosphorus atom.
R 4 , R 5 , R 6 and R 7 each independently represent an aromatic group or an alkyl group.
A represents an anion of an aromatic organic acid having at least one functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, and a thiol group in its aromatic ring.
AHはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも1つ有する芳香族有機酸を表す。
x、yは1~3、zは0~3であり、かつx=yである。
AH represents an aromatic organic acid having at least one functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, and a thiol group in an aromatic ring.
x and y are 1 to 3, z is 0 to 3, and x=y.
一般式(6)で表される化合物は、例えば、以下のようにして得られる。
まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式(6)で表される化合物を沈殿させることができる。一般式(6)で表される化合物において、リン原子に結合するR4、R5、R6およびR7がフェニル基であり、かつAHはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつAは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。上記フェノール類としては、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコールなどの単環式フェノール類、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、アントラキノールなどの縮合多環式フェノール類、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSなどのビスフェノール類、フェニルフェノール、ビフェノールなどの多環式フェノール類などが例示される。
The compound represented by general formula (6) can be obtained, for example, as follows.
First, a tetra-substituted phosphonium halide, an aromatic organic acid, and a base are mixed uniformly in an organic solvent, and an aromatic organic acid anion is generated in the solution system. Then, by adding water, the compound represented by general formula (6) can be precipitated. In the compound represented by general formula (6), R 4 , R 5 , R 6 and R 7 bonded to the phosphorus atom are phenyl groups, and AH is a compound having a hydroxyl group in the aromatic ring, that is, a phenol. , and A is preferably an anion of the phenol. The above-mentioned phenols include monocyclic phenols such as phenol, cresol, resorcinol, and catechol; condensed polycyclic phenols such as naphthol, dihydroxynaphthalene, and anthraquinol; and bisphenols such as bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S; Examples include polycyclic phenols such as phenylphenol and biphenol.
ホスホベタイン化合物としては、例えば、下記一般式(7)で表される化合物等が挙げられる。 Examples of the phosphobetaine compound include a compound represented by the following general formula (7).
一般式(7)において、
Pはリン原子を表す。
R8は炭素数1~3のアルキル基、R9はヒドロキシル基を表す。
fは0~5であり、gは0~3である。
In general formula (7),
P represents a phosphorus atom.
R 8 represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and R 9 represents a hydroxyl group.
f is 0-5 and g is 0-3.
一般式(7)で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。
まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。
The compound represented by general formula (7) can be obtained, for example, as follows.
First, a triaromatic substituted phosphine, which is a tertiary phosphine, is brought into contact with a diazonium salt, and the diazonium group of the triaromatic substituted phosphine and the diazonium salt is substituted.
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば、下記一般式(8)で表される化合物等が挙げられる。 Examples of the adduct of a phosphine compound and a quinone compound include a compound represented by the following general formula (8).
一般式(8)において、
Pはリン原子を表す。
R10、R11およびR12は、炭素数1~12のアルキル基または炭素数6~12のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。
In general formula (8),
P represents a phosphorus atom.
R 10 , R 11 and R 12 represent an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and may be the same or different from each other.
R13、R14およびR15は水素原子または炭素数1~12の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、R14とR15が結合して環状構造となっていてもよい。 R 13 , R 14 and R 15 represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and may be the same or different from each other, and R 14 and R 15 are bonded to form a cyclic structure. You can.
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス(アルキルフェニル)ホスフィン、トリス(アルコキシフェニル)ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス(ベンジル)ホスフィン等の芳香環に無置換またはアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては1~6の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。 Examples of phosphine compounds used in the adduct of a phosphine compound and a quinone compound include triphenylphosphine, tris(alkylphenyl)phosphine, tris(alkoxyphenyl)phosphine, trinaphthylphosphine, tris(benzyl)phosphine, etc. It is preferable that the substituent is substituted or has a substituent such as an alkyl group or an alkoxyl group, and examples of the substituent such as an alkyl group or an alkoxyl group include those having 1 to 6 carbon atoms. Triphenylphosphine is preferred from the viewpoint of availability.
また、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもp-ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。 Furthermore, examples of the quinone compound used in the adduct of a phosphine compound and a quinone compound include benzoquinone and anthraquinones, and among them, p-benzoquinone is preferred from the viewpoint of storage stability.
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。 As a method for producing an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, the adduct can be obtained by contacting and mixing both the organic tertiary phosphine and the benzoquinone in a solvent that can dissolve them. The solvent is preferably a ketone such as acetone or methyl ethyl ketone, which has low solubility in the adduct. However, it is not limited to this.
一般式(8)で表される化合物において、リン原子に結合するR10、R11およびR12がフェニル基であり、かつR13、R14およびR15が水素原子である化合物、すなわち1,4-ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。 A compound represented by general formula (8) in which R10, R11 and R12 bonded to the phosphorus atom are phenyl groups, and R 13 , R 14 and R 15 are hydrogen atoms, that is, 1,4-benzoquinone A compound to which triphenylphosphine is added is preferable because it lowers the thermal modulus of the cured product of the sealing resin composition.
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式(9)で表される化合物等が挙げられる。 Examples of the adduct of a phosphonium compound and a silane compound include a compound represented by the following general formula (9).
一般式(9)において、
Pはリン原子を表し、Siは珪素原子を表す。
In general formula (9),
P represents a phosphorus atom, and Si represents a silicon atom.
R16、R17、R18およびR19は、それぞれ、芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。
R20は、基Y2およびY3と結合する有機基である。
R21は、基Y4およびY5と結合する有機基である。
R 16 , R 17 , R 18 and R 19 each represent an organic group having an aromatic ring or a heterocycle, or an aliphatic group, and may be the same or different from each other.
R 20 is an organic group bonded to groups Y 2 and Y 3 .
R 21 is an organic group bonded to groups Y 4 and Y 5 .
Y2およびY3は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Y2およびY3が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。 Y 2 and Y 3 represent a group formed by a proton-donating group releasing a proton, and the groups Y 2 and Y 3 in the same molecule bond to a silicon atom to form a chelate structure.
Y4およびY5はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Y4およびY5が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。
R20、およびR21は互いに同一であっても異なっていてもよく、Y2、Y3、Y4およびY5は互いに同一であっても異なっていてもよい。
Z1は芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。
Y 4 and Y 5 represent a group formed by a proton-donating group releasing a proton, and the groups Y 4 and Y 5 in the same molecule bond to a silicon atom to form a chelate structure.
R 20 and R 21 may be the same or different from each other, and Y 2 , Y 3 , Y 4 and Y 5 may be the same or different from each other.
Z1 is an organic group having an aromatic ring or a heterocycle, or an aliphatic group.
一般式(9)において、R16、R17、R18およびR19としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、n-ブチル基、n-オクチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等のアルキル基、アルコキシ基、水酸基などの置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。 In general formula (9), R 16 , R 17 , R 18 and R 19 are, for example, phenyl group, methylphenyl group, methoxyphenyl group, hydroxyphenyl group, naphthyl group, hydroxynaphthyl group, benzyl group, methyl group. , ethyl group, n-butyl group, n-octyl group, cyclohexyl group, etc. Among these, alkyl groups such as phenyl group, methylphenyl group, methoxyphenyl group, hydroxyphenyl group, hydroxynaphthyl group, and alkoxy groups , an aromatic group having a substituent such as a hydroxyl group, or an unsubstituted aromatic group is more preferable.
一般式(9)において、R20は、Y2およびY3と結合する有機基である。同様に、R21は、基Y4およびY5と結合する有機基である。Y2およびY3はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Y2およびY3が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にY4およびY5はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Y4およびY5が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基R20およびR21は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Y2、Y3、Y4、およびY5は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式(9)中の-Y2-R20-Y3-、およびY4-R21-Y5-で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを2個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、分子内にカルボキシル基、または水酸基を少なくとも2個有する有機酸が好ましく、さらには芳香環を構成する隣接する炭素にカルボキシル基または水酸基を少なくとも2個有する芳香族化合物が好ましく、芳香環を構成する隣接する炭素に水酸基を少なくとも2個有する芳香族化合物がより好ましく、例えば、カテコール、ピロガロール、1,2-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレン、2,2'-ビフェノール、1,1'-ビ-2-ナフトール、サリチル酸、1-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、3-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、2-ヒドロキシベンジルアルコール、1,2-シクロヘキサンジオール、1,2-プロパンジオールおよびグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、1,2-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。 In general formula (9), R 20 is an organic group bonded to Y 2 and Y 3 . Similarly, R 21 is an organic group that is bonded to groups Y 4 and Y 5 . Y 2 and Y 3 are groups formed by a proton-donating group releasing protons, and the groups Y 2 and Y 3 in the same molecule bond to a silicon atom to form a chelate structure. Similarly, Y 4 and Y 5 are groups formed by a proton-donating group releasing protons, and the groups Y 4 and Y 5 in the same molecule combine with a silicon atom to form a chelate structure. The groups R 20 and R 21 may be the same or different from each other, and the groups Y 2 , Y 3 , Y 4 and Y5 may be the same or different from each other. The groups represented by -Y 2 -R 20 -Y 3 - and Y 4 -R 21 -Y 5 - in general formula (9) are groups in which the proton donor releases two protons. As a proton donor, an organic acid having at least two carboxyl groups or hydroxyl groups in the molecule is preferable, and furthermore, an organic acid having at least two carboxyl groups or hydroxyl groups in the molecule constituting the aromatic ring is preferable. An aromatic compound having at least two hydroxyl groups is preferred, and an aromatic compound having at least two hydroxyl groups on adjacent carbons constituting an aromatic ring is more preferred, such as catechol, pyrogallol, 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxy Naphthalene, 2,2'-biphenol, 1,1'-bi-2-naphthol, salicylic acid, 1-hydroxy-2-naphthoic acid, 3-hydroxy-2-naphthoic acid, chloranilic acid, tannic acid, 2-hydroxybenzyl Examples include alcohol, 1,2-cyclohexanediol, 1,2-propanediol, and glycerin, but among these, catechol, 1,2-dihydroxynaphthalene, and 2,3-dihydroxynaphthalene are more preferred.
一般式(9)中のZ1は、芳香環または複素環を有する有機基または脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基およびオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基およびビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基等のグリシジルオキシ基、メルカプト基、アミノ基を有するアルキル基およびビニル基等の反応性置換基等が挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基およびビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法は、例えば以下である。
Z1 in the general formula (9) represents an organic group or aliphatic group having an aromatic ring or a heterocycle, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, and a hexyl group. and aliphatic hydrocarbon groups such as octyl groups, aromatic hydrocarbon groups such as phenyl, benzyl, naphthyl, and biphenyl groups, glycidyloxy groups such as glycidyloxypropyl, mercaptopropyl, and aminopropyl groups, and mercapto Among these, methyl, ethyl, phenyl, naphthyl, and biphenyl groups are more preferable in terms of thermal stability. preferable.
A method for producing an adduct of a phosphonium compound and a silane compound is, for example, as follows.
メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、2,3-ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド-メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。 A silane compound such as phenyltrimethoxysilane and a proton donor such as 2,3-dihydroxynaphthalene are added and dissolved in a flask containing methanol, and then a sodium methoxide-methanol solution is added dropwise while stirring at room temperature. Furthermore, when a solution prepared in advance in which a tetra-substituted phosphonium halide such as tetraphenylphosphonium bromide is dissolved in methanol is added dropwise thereto under stirring at room temperature, crystals are precipitated. When the precipitated crystals are filtered, washed with water, and dried under vacuum, an adduct of a phosphonium compound and a silane compound is obtained.
硬化触媒を用いる場合、その含有量は、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、好ましくは0.01~2質量%、より好ましくは0.02~1質量%である。このような数値範囲とすることにより、他の性能を過度に悪くすることなく、十分に硬化促進効果が得られる。 When a curing catalyst is used, its content is preferably 0.01 to 2% by mass, more preferably 0.02 to 1% by mass, based on the entire thermosetting resin composition. By setting the value within such a numerical range, a sufficient curing accelerating effect can be obtained without excessively deteriorating other properties.
(その他の成分)
本実施形態のLDS用熱硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、たとえば、離型剤、難燃剤、イオン捕捉剤、着色剤、低応力剤および酸化防止剤等の添加剤を含有することができる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(Other ingredients)
The thermosetting resin composition for LDS of this embodiment contains additives such as a mold release agent, a flame retardant, an ion scavenger, a coloring agent, a low stress agent, and an antioxidant, as necessary. be able to. These may be used alone or in combination of two or more.
上記離型剤は、たとえばカルナバワックス等の天然ワックス、モンタン酸エステルワックスや酸化ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸およびその金属塩類、ならびにパラフィンから選択される1種類または2種類以上を含むことができる。 The above mold release agent may be one or two types selected from natural waxes such as carnauba wax, synthetic waxes such as montanic acid ester wax and oxidized polyethylene wax, higher fatty acids and their metal salts such as zinc stearate, and paraffin. The above can be included.
上記難燃剤は、たとえば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼンから選択される1種類または2種類以上を含むことができる。
上記イオン捕捉剤は、ハイドロタルサイト類またはマグネシウム、アルミニウム、ビスマス、チタン、ジルコニウムから選ばれる元素の含水酸化物から選択される1種類または2種類以上を含むことができる。
The flame retardant may include one or more selected from, for example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, zinc borate, zinc molybdate, and phosphazene.
The ion scavenger may include one or more selected from hydrotalcites or hydrous oxides of elements selected from magnesium, aluminum, bismuth, titanium, and zirconium.
上記着色剤は、カーボンブラック、ベンガラ、酸化チタンから選択される1種類または2種類以上を含むことができる。
上記低応力剤は、ポリブタジエン化合物、アクリロニトリルブタジエン共重合化合物、シリコーンオイル、シリコーンゴム等のシリコーン化合物から選択される1種類または2種類以上を含むことができる。
The coloring agent may include one or more selected from carbon black, red iron oxide, and titanium oxide.
The low stress agent may include one or more silicone compounds selected from polybutadiene compounds, acrylonitrile butadiene copolymer compounds, silicone oils, silicone rubbers, and the like.
また、本実施形態のLDS用熱硬化性樹脂組成物は、上記着色剤として用いるカーボンブラックなどのカーボンを含有しない構成とすることができる。これにより、めっき付き特性を向上させることができる。 Moreover, the thermosetting resin composition for LDS of this embodiment can be configured not to contain carbon such as carbon black used as the colorant. Thereby, the plating characteristics can be improved.
[LDS用熱硬化性樹脂組成物の製造方法]
本実施形態のLDS用熱硬化性樹脂組成物の製造方法としては、たとえば、上記の各成分を、公知の手段で混合することにより混合物を得る。さらに、混合物を溶融混練することにより、混練物を得る。混練方法としては、例えば、1軸型混練押出機、2軸型混練押出機等の押出混練機や、ミキシングロール等のロール式混練機を用いることができるが、2軸型混練押出機を用いることが好ましい。冷却した後、混練物を所定の形状とすることができる。
[Method for producing thermosetting resin composition for LDS]
As a method for manufacturing the thermosetting resin composition for LDS according to the present embodiment, for example, a mixture is obtained by mixing the above-mentioned components by known means. Furthermore, a kneaded product is obtained by melt-kneading the mixture. As the kneading method, for example, an extrusion kneader such as a single-screw kneading extruder or a twin-screw kneading extruder, or a roll-type kneader such as a mixing roll can be used, but a twin-screw kneading extruder is used. It is preferable. After cooling, the kneaded material can be shaped into a predetermined shape.
本実施形態のLDS用熱硬化性樹脂組成物の形状としては、例えば、粉粒状、顆粒状、タブレット状またはシート状等の所定の形状を有していてもよい。これにより、トランスファー成形、射出成形、および圧縮成形等の公知の成形方法に適するLDS用熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。 The thermosetting resin composition for LDS of this embodiment may have a predetermined shape such as powder, granules, tablet, or sheet. Thereby, a thermosetting resin composition for LDS suitable for known molding methods such as transfer molding, injection molding, and compression molding can be obtained.
本実施形態において、粉粒状のLDS用熱硬化性樹脂組成物とは、得られた混練物を粉砕した粉砕物であり、顆粒状のLDS用熱硬化性樹脂組成物とは、熱硬化性樹脂組成物の粉末(粉粒状の混練物)同士を固めた凝集体または公知の造粒法で得られた造粒物であり、タブレット状のLDS用熱硬化性樹脂組成物とは、熱硬化性樹脂組成物を高圧で打錠成形することによって所定形状を有するように造形された造形体であり、シート状のLDS用熱硬化性樹脂組成物とは、例えば、枚葉状または巻き取り可能なロール状を有する熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂膜であることを意味する。 In this embodiment, the granular thermosetting resin composition for LDS is a pulverized product obtained by pulverizing the obtained kneaded product, and the granular thermosetting resin composition for LDS is a thermosetting resin composition for LDS. A tablet-shaped thermosetting resin composition for LDS is an aggregate obtained by solidifying composition powders (powder-like kneaded material) or granules obtained by a known granulation method. It is a shaped body shaped to have a predetermined shape by compressing a resin composition under high pressure, and a sheet-shaped thermosetting resin composition for LDS is, for example, a sheet shaped body or a roll that can be rolled up. It means a resin film made of a thermosetting resin composition having a shape.
本実施形態において、粉粒状、顆粒状、タブレット状またはシート状の、LDS用熱硬化性樹脂組成物は、半硬化状態(Bステージ状態)であってもよい。 In this embodiment, the powder, granule, tablet, or sheet-like thermosetting resin composition for LDS may be in a semi-cured state (B-stage state).
[成形品]
本実施形態における熱硬化性樹脂組成物の成形方法としては、例えば、射出成形やトランスファー成形などの金型形成が挙げられる。このような成形方法を使用することにより、上記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備える樹脂成形品を製造することができる。
[Molding]
Examples of the method for molding the thermosetting resin composition in this embodiment include mold formation such as injection molding and transfer molding. By using such a molding method, a resin molded article including a cured product of the thermosetting resin composition can be manufactured.
[回路基板]
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、低誘電率および低誘電正接等の誘電特性に優れ、かつメッキ層の形成にも優れた硬化物が得られることから、当該硬化物と前記硬化物の表面に形成された回路とを備える回路部品や、当該回路部品を含む回路基板または高周波アンテナ等を提供することができる。
例えば、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化して得られる基板等を、例えば、マイクロストリップアンテナの誘電体基板等の回路基板に用いることができる。
[Circuit board]
The thermosetting resin composition of the present embodiment provides a cured product that has excellent dielectric properties such as low dielectric constant and low dielectric loss tangent, and is also excellent in forming a plating layer. It is possible to provide a circuit component including a circuit formed on the surface of the circuit, a circuit board or a high frequency antenna including the circuit component, and the like.
For example, a substrate obtained by curing the thermosetting resin composition can be used as a circuit board such as a dielectric substrate for a microstrip antenna.
ここでは、マイクロストリップアンテナを例に挙げ、説明する。
具体的には、図1に示すように、マイクロストリップアンテナ10は、上述の熱硬化性樹脂組成物を硬化してなる誘電体基板12と,誘電体基板12の一方の面に設けられた放射導体板(放射素子)14と、誘電体基板12の他方の面に設けられた地導体板16と、を備える。放射導体板12の少なくとも一部は、誘電体基板12中に埋設されている。
Here, explanation will be given using a microstrip antenna as an example.
Specifically, as shown in FIG. 1, the
放射導体板の形状は矩形または円形が挙げられる。本実施形態においては、矩形の放射導体板14を用いた例によって説明する。
The shape of the radiation conductor plate may be rectangular or circular. In this embodiment, an example using a rectangular
放射導体板14は、金属材料、金属材料の合金、金属ペーストの硬化物、および導電性高分子のいずれかを含む。金属材料は、銅、銀、パラジウム、金、白金、アルミニウム、クロム、ニッケル、カドミウム鉛、セレン、マンガン、錫、バナジウム、リチウム、コバルト、およびチタン等を含む。合金は、複数の金属材料を含む。金属ペースト剤は、金属材料の粉末を有機溶剤、およびバインダとともに混練したものを含む。バインダは、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂を含む。導電性ポリマーは、ポリチオフェン系ポリマー、ポリアセチレン系ポリマー、ポリアニリン系ポリマー、ポリピロール系ポリマー等を含む。
The
本実施形態のマイクロストリップアンテナ10は、図1に示すように、長さL、幅Wの放射導体板14を有しており、Lが1/2波長の整数倍に一致する周波数で共振する。本実施形態のように、高誘電率である誘電体基板12を用いる場合、誘電体基板12の厚さhと放射導体板14の幅Wは波長に対して十分小さくなるように設計される。
As shown in FIG. 1, the
地導体板16は、銅や銀、金などの導電性の高い金属で構成される薄い板である。その厚さは、アンテナ装置の中心動作周波数に対して十分薄く、中心動作周波数の50分の1波長から1000分の1波長程度であればよい。
The
マイクロストリップアンテナの給電方法としては,背面同軸給電および共平面給電のような直接給電方式や、スロット結合給電および近接結合給電のような電磁結合給電方式が挙げられる。 Power feeding methods for microstrip antennas include direct feeding methods such as back coaxial feeding and coplanar feeding, and electromagnetic coupling feeding methods such as slot coupled feeding and proximity coupled feeding.
背面同軸給電は、地導体板16と誘電体基板12を貫く同軸線路やコネクタを用いてアンテナ背面から放射導体板14に給電することができる。
共平面給電は、放射導体板14と同一面上に配置されたマイクロストリップ線路(不図示)で放射導体板14に給電することができる。
In the rear coaxial power feeding, power can be fed from the back surface of the antenna to the
In coplanar power feeding, power can be fed to the
スロット結合給電においては,地導体板16を挟み込む形でさらに別の誘電体基板(不図示)を設け、放射導体板14とマイクロストリップ線路とを別々の誘電体基板に形成する。地導体板16に空けられたスロットを介して,放射導体板14とマイクロストリップ線路とを電磁結合させることによって放射導体板14が励振される。
In the slot coupled power supply, another dielectric substrate (not shown) is provided to sandwich the
近接結合給電においては、誘電体基板12が積層構造を有し、放射導体板14が形成された誘電体基板と,マイクロストリップ線路のストリップ導体および地導体板16が配置された誘電体基板とが積層されている.マイクロストリップ線路のストリップ導体を放射導体板14の下部に延長し、放射導体板14とマイクロストリップ線路を電磁結合させることにより、放射導体板14が励振される。
なお、誘電体基板12上に放射導体板14を複数設けてもよい。
In the close-coupled power supply, the
Note that a plurality of
[回路基板の製造方法]
本実施形態のLDS用熱硬化性樹脂組成物を用いて回路基板を製造することができる。当該製造方法は、例えば以下の工程を含む。
工程a:金属基板の表面に本実施形態のLDS用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる誘電体基板を形成する。
工程b:活性エネルギー線を前記誘電体基板表面の所定の範囲に照射し、金属が堆積可能な状態に活性化させる。
工程c:めっき処理を行い、活性化された前記誘電体基板の表面に金属を堆積して金属層を形成する。
[Circuit board manufacturing method]
A circuit board can be manufactured using the thermosetting resin composition for LDS of this embodiment. The manufacturing method includes, for example, the following steps.
Step a: A dielectric substrate made of a cured product of the thermosetting resin composition for LDS of this embodiment is formed on the surface of a metal substrate.
Step b: irradiate active energy rays onto a predetermined range of the surface of the dielectric substrate to activate it to a state where metal can be deposited.
Step c: Perform plating to deposit metal on the activated surface of the dielectric substrate to form a metal layer.
本実施形態においては、マイクロストリップアンテナの製造方法を例に図2を参照しながら説明する。 In this embodiment, a method for manufacturing a microstrip antenna will be described as an example with reference to FIG.
工程aにおいては、トランスファー成形または圧縮成形により、金属基板22の表面に、本実施形態のLDS用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる誘電体基板24を形成する(図2(a))。金属基板22は、上述の地導体板16と同様の構成とすることができる。
In step a, a
工程bにおいては、誘電体基板24の上面の所定の範囲24a、すなわち放射導体板を形成したい箇所に活性エネルギー線を照射して、誘電体基板24表面を金属が堆積可能な状態に活性化させる(図2(b))。
In step b, a
本実施形態において活性エネルギー線としては、例えば、レーザーを用いることができる。レーザーは、例えば、YAGレーザー、エキシマレーザー、電磁線等の公知のレーザーから適宜選択することができ、YGAレーザーが好ましい。また、レーザーの波長も特に定めるものではないが、例えば、200nm~12000nmである。この中でも、好ましくは248nm、308nm、355nm、532nm、1064nmまたは10600nmを使用してもよい。 In this embodiment, for example, a laser can be used as the active energy ray. The laser can be appropriately selected from known lasers such as a YAG laser, an excimer laser, and an electromagnetic beam, and a YGA laser is preferred. Further, the wavelength of the laser is not particularly limited, but is, for example, 200 nm to 12,000 nm. Among these, preferably 248 nm, 308 nm, 355 nm, 532 nm, 1064 nm or 10600 nm may be used.
誘電体基板24は、LDS添加剤(D)として、非導電性金属化合物であるタングステン酸銅(CuWO4)を含むことから、吸収可能な波長領域を有するYAGレーザー等の活性エネルギー線が照射されると、金属核が活性化して(例えば、還元されて)、金属めっきが可能な金属核が生成される、と考えられる。そして、非導電性金属化合物が分散された熱硬化性樹脂組成物の硬化物の表面に対して上記活性エネルギー線を照射すると、その照射面に、金属めっきが可能な金属核を有するシード領域が形成される。得られたシード領域を利用することにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の表面に、回路などのめっきパターンを形成することが可能になる。
Since the
次いで、工程cにおいて、めっき処理を行い、活性化された所定の範囲24aに金属を堆積して金属層28を形成する(図2(c))。金属層28は放射導体板である。
Next, in step c, a plating process is performed to deposit metal in the activated
上記めっき処理としては、電界めっきまたは無電解メッキのいずれを用いてもよい。上述の活性化された領域に、めっき処理を施すことにより、回路や放射導体板(めっき層)等の金属層28を形成することができる。めっき液としては、特に定めるものではなく、公知のめっき液を広く採用することができ、金属成分として銅、ニッケル、金、銀、パラジウムが混合されているめっき液を用いてもよい。
以上の工程により、マイクロストリップアンテナを得ることができ、共平面給電を採用することができる。
As the plating process, either electrolytic plating or electroless plating may be used. By performing plating treatment on the above-mentioned activated region, a
Through the above steps, a microstrip antenna can be obtained, and coplanar feeding can be adopted.
マイクロストリップアンテナが背面同軸給電のような直接給電方式の場合は、図3に示すように以下の工程を含む。
工程1:金属基板22の表面に本実施形態のLDS用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる誘電体基板24を形成する(図3(a))。
工程2:誘電体基板24に、底部に金属基板22の表面が露出する貫通孔25を形成する。
工程3:活性エネルギー線を貫通孔25の側面および誘電体基板24の表面の所定の範囲24aに照射し、金属が堆積可能な状態に活性化させる(図3(b))。
工程4:めっき処理を行い、貫通孔25の側面および誘電体基板24の表面の所定の範囲24aに金属を堆積し金属層26を形成する(図3(c))。
If the microstrip antenna uses a direct feeding method such as rear coaxial feeding, the following steps are included as shown in FIG.
Step 1: A
Step 2: A through hole 25 is formed in the
Step 3: Active energy rays are irradiated onto the side surface of the through hole 25 and a
Step 4: Plating is performed to deposit metal on the side surface of the through hole 25 and a
工程1は工程aと同一であるので説明を省略する。
工程2においては、例えば、誘電体基板24の表面にフォトレジスト層を形成し、次いで露光現像により貫通孔を形成する箇所を選択的に取り除く。次いで、フォトレジスト層を介して誘電体基板24をエッチングして底部に金属基板22の表面が露出する貫通孔25を形成する。
Since step 1 is the same as step a, the explanation will be omitted.
In step 2, for example, a photoresist layer is formed on the surface of the
さらに、工程3において、フォトレジスト層を露光現像により誘電体基板24の表面の所定の範囲24aを露出させ、活性エネルギー線を貫通孔25の側面および誘電体基板24の表面の所定の範囲24aに照射し、金属が堆積可能な状態に活性化させる(図3(b))。
Furthermore, in step 3, the photoresist layer is exposed and developed to expose a
次いで、工程4において、めっき処理を行い、活性化された貫通孔25の側面および誘電体基板24の表面の所定の範囲24aに金属を堆積して金属層28を形成する(図3(c))。金属層28は放射導体板と同軸線路とを構成する。
以上の工程により、マイクロストリップアンテナを得ることができ、背面同軸給電を採用することができる。
Next, in step 4, a plating process is performed to deposit metal on the side surfaces of the activated through holes 25 and a
Through the above steps, a microstrip antenna can be obtained, and rear coaxial power feeding can be adopted.
本実施形態における樹脂成形品は、三次元成形回路部品に用いることもできる。
三次元成形回路部品(MOLDED INTERCONNECT DEVICE(以下、「MID」と呼称する))は、三次元形状、上記樹脂成形品、三次元回路の3要素を有するものであり、例えば、三次元構造の樹脂成形品の表面に金属膜で回路形成された部品である。具体的には、上記三次元成形回路部品は、例えば、三次元構造を有する樹脂成形品と、この樹脂成形品の表面に形成された三次元回路と、を備えることができる。このような三次元成形回路部品(MID)を使用することにより、空間を有効活用でき、部品点数の削減や軽薄短小化が可能である。
The resin molded product in this embodiment can also be used for three-dimensionally molded circuit components.
A three-dimensional molded circuit component (MOLDED INTERCONNECT DEVICE (hereinafter referred to as "MID")) has three elements: a three-dimensional shape, the above-mentioned resin molded product, and a three-dimensional circuit. This is a part with a circuit formed on the surface of the molded product using a metal film. Specifically, the three-dimensional molded circuit component can include, for example, a resin molded product having a three-dimensional structure and a three-dimensional circuit formed on the surface of this resin molded product. By using such a three-dimensional molded circuit component (MID), space can be used effectively, and the number of components can be reduced and the device can be made lighter, thinner, and smaller.
本実施形態のLDSとは、MIDの製造方法の一つであり、活性エネルギー線により、LDS添加剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の硬化物(三次元構造の樹脂成形品)の表面に金属核を生成し、その金属核をシードとして、例えば無電解めっき処理等により、エネルギー線照射領域にめっきパターン(配線)を形成することができる。 LDS in this embodiment is one of the manufacturing methods of MID, and active energy rays are used to coat the surface of a cured product (resin molded product with a three-dimensional structure) of a thermosetting resin composition containing an LDS additive. A metal nucleus is generated, and a plating pattern (wiring) can be formed in the energy beam irradiation region by, for example, electroless plating using the metal nucleus as a seed.
本実施形態において、MIDの製造工程は、LDSに用いる熱硬化性樹脂組成物の作製、この熱硬化性樹脂組成物の成形、得られた樹脂成形品に対する活性エネルギー線の照射、及びめっき処理による回路形成を含むことができる。なお、めっき処理前に表面洗浄工程を追加してもよい。 In the present embodiment, the manufacturing process of MID includes preparation of a thermosetting resin composition used for LDS, molding of this thermosetting resin composition, irradiation of the obtained resin molded product with active energy rays, and plating treatment. Can include circuit formation. Note that a surface cleaning step may be added before the plating treatment.
本実施形態において、上記樹脂成形品(熱硬化性樹脂組成物の硬化物)は、最終製品に限らず、複合材料や各種部品も含むことができる。上記樹脂成形品は、携帯電子機器、車両および医療機器の部品や、その他の電気回路を含む電子部品、半導体封止材ならびに、これらを形成するための複合材料として用いることができる。また、上記MIDとしては、携帯電話やスマートフォンの内臓アンテナ、車載アンテナ、センサー、半導体装置に適用することもできる。本発明の効果の観点から、上記MIDは、携帯電話やスマートフォンの内臓アンテナ、車載アンテナ等に好適に用いることができる。 In this embodiment, the resin molded product (cured product of a thermosetting resin composition) is not limited to a final product, but can also include composite materials and various parts. The resin molded product can be used as parts for portable electronic devices, vehicles, and medical equipment, other electronic components including electric circuits, semiconductor encapsulants, and composite materials for forming these. Furthermore, the above-mentioned MID can also be applied to a built-in antenna of a mobile phone or a smartphone, an in-vehicle antenna, a sensor, or a semiconductor device. From the viewpoint of the effects of the present invention, the above MID can be suitably used for a built-in antenna of a mobile phone or a smartphone, an in-vehicle antenna, and the like.
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 Although the embodiments of the present invention have been described above, these are merely examples of the present invention, and various configurations other than those described above may also be adopted.
以下に、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
以下に、実施例、比較例で用いた成分を示す。
(無機充填材)
・無機充填材1:微粉シリカ、SC-2500-SQ、アドマテックス社製、平均粒子径0.6μm、比表面積6.4m2/g
・無機充填材2:微粉シリカ、SC-5500-SQ、アドマテックス社製、平均粒子径1.6μm、比表面積4.4m2/g
・無機充填材3:非晶質シリカ/結晶質シリカ、MUF-4V、龍森社製、平均粒子径3.8μm、比表面積4.0m2/g
EXAMPLES The present invention will be explained in more detail with reference to Examples below, but the present invention is not limited thereto.
The components used in Examples and Comparative Examples are shown below.
(Inorganic filler)
・Inorganic filler 1: Fine powder silica, SC-2500-SQ, manufactured by Admatex, average particle size 0.6 μm, specific surface area 6.4 m 2 /g
・Inorganic filler 2: Fine powder silica, SC-5500-SQ, manufactured by Admatex, average particle diameter 1.6 μm, specific surface area 4.4 m 2 /g
・Inorganic filler 3: Amorphous silica/crystalline silica, MUF-4V, manufactured by Ryumori Co., Ltd., average particle size 3.8 μm, specific surface area 4.0 m 2 /g
(カップリング剤)
・カップリング剤1:N-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン(東レ・ダウコーニング社製、CF-4083)
・カップリング剤2:3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(S510、チッソ社製)
(coupling agent)
・Coupling agent 1: N-phenylaminopropyltrimethoxysilane (manufactured by Dow Corning Toray, CF-4083)
・Coupling agent 2: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (S510, manufactured by Chisso Corporation)
(エポキシ樹脂)
・エポキシ樹脂1:ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC-3000、前掲の一般式(BP1)で表される構造単位含有)
(Epoxy resin)
・Epoxy resin 1: Biphenylaralkyl epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000, containing a structural unit represented by the above general formula (BP1))
(硬化剤)
・フェノール樹脂:ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型樹脂(明和化成社製、MEH-7851SS)
・活性エステル樹脂:下記調製方法で調製した活性エステル樹脂
(活性エステル樹脂の調製方法)
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、1,3-ベンゼンジカルボン酸ジクロリド203.0g(酸クロリド基のモル数:2.0モル)とトルエン1338gとを仕込み、系内を減圧窒素置換して溶解させた。次いで、α-ナフトール96.5g(0.67モル)、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂を219.5g(フェノール性水酸基のモル数:1.33モル)を仕込み、系内を減圧窒素置換して溶解させた。その後、窒素ガスパージを施しながら、系内を60℃以下に制御して、20%水酸化ナトリウム水溶液400gを3時間かけて滴下した。次いでこの条件下で1.0時間撹拌を続けた。反応終了後、静置分液し、水層を取り除いた。更に反応物が溶解しているトルエン相に水を投入して約15分間撹拌混合し、静置分液して水層を取り除いた。水層のpHが7になるまでこの操作を繰り返した。その後、デカンタ脱水で水分を除去し不揮発分65%のトルエン溶液状態にある活性エステル樹脂を得た。得られた活性エステル樹脂の構造を確認したところ、上述の式(1-3)においてR1及びR3が水素原子、Zがナフチル基、lが0の構造を有していた。活性エステル樹脂の繰り返し単位の平均値kは、反応等量比から算出したところ0.5~1.0の範囲であった。得られた活性エステル樹脂は具体的に以下の化学式で表される構造を有していた。下記式中、繰り返し単位の平均値kは0.5~1.0であった。
・Phenol resin: Biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl resin (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., MEH-7851SS)
・Active ester resin: Active ester resin prepared by the following preparation method (Preparation method of active ester resin)
203.0 g of 1,3-benzenedicarboxylic acid dichloride (number of moles of acid chloride group: 2.0 moles) and 1338 g of toluene were placed in a flask equipped with a thermometer, dropping funnel, cooling tube, fractionating tube, and stirrer. After charging, the system was replaced with nitrogen under reduced pressure to dissolve. Next, 96.5 g (0.67 mol) of α-naphthol and 219.5 g (mol number of phenolic hydroxyl group: 1.33 mol) of dicyclopentadiene phenol resin were charged, and the system was replaced with nitrogen under reduced pressure to dissolve them. Ta. Thereafter, while performing a nitrogen gas purge, the inside of the system was controlled at 60° C. or lower, and 400 g of a 20% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise over a period of 3 hours. Stirring was then continued under these conditions for 1.0 hour. After the reaction was completed, the mixture was allowed to stand still for liquid separation, and the aqueous layer was removed. Furthermore, water was added to the toluene phase in which the reactants were dissolved, and the mixture was stirred and mixed for about 15 minutes, and the mixture was allowed to stand still for liquid separation to remove the aqueous layer. This operation was repeated until the pH of the aqueous layer reached 7. Thereafter, water was removed by dehydration using a decanter to obtain an active ester resin in the form of a toluene solution with a nonvolatile content of 65%. When the structure of the obtained active ester resin was confirmed, it had a structure in which R 1 and R 3 are hydrogen atoms, Z is a naphthyl group, and l is 0 in the above formula (1-3). The average value k of the repeating units of the active ester resin was calculated from the reaction equivalence ratio and was in the range of 0.5 to 1.0. The obtained active ester resin specifically had a structure represented by the following chemical formula. In the following formula, the average value k of the repeating units was 0.5 to 1.0.
(離型剤)
・離型剤1:グリセリントリモンタン酸エステル(製品名:リコルブWE-4、クラリアントジャパン社製)
(Release agent)
・Release agent 1: Glycerin trimontanate ester (product name: Recolb WE-4, manufactured by Clariant Japan)
[硬化触媒]
・硬化触媒1:テトラフェニルフォスフォニウム-4,4’-スルフォニルジフェノラート
・硬化触媒2:テトラフェニルホスホニウムビス(ナフタレン-2,3-ジオキシ)フェニルシリケート
[Curing catalyst]
・Curing catalyst 1: Tetraphenylphosphonium-4,4'-sulfonyldiphenolate ・Curing catalyst 2: Tetraphenylphosphonium bis(naphthalene-2,3-dioxy)phenyl silicate
(低応力剤)
・低応力剤1:カルボキシル基末端ブタジエンアクリルゴム(製品名:CTBN1008SP、宇部興産社製)
(Low stress agent)
・Low stress agent 1: Carboxyl group-terminated butadiene acrylic rubber (product name: CTBN1008SP, manufactured by Ube Industries, Ltd.)
(LDS添加剤)
・タングステン酸銅(CuWO4):高純度化学研究所社製
・クロム酸銅(CuCrO4):Black3702、アサヒ化成工業社製
(LDS additive)
・Copper tungstate (CuWO 4 ): Manufactured by Kojundo Kagaku Kenkyusho Co., Ltd. ・Copper chromate (CuCrO 4 ): Black3702, manufactured by Asahi Chemical Industries, Ltd.
[実施例1~4、比較例1~4]
下記の表1に示す配合量の各原材料を、常温でミキサーを用いて混合した後、70~100℃でロール混練した。次いで、得られた混練物を冷却した後、これを粉砕して、粉粒状の熱硬化性樹脂組成物を得た。次いで、高圧で打錠成形することによってタブレット状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
[Examples 1 to 4, Comparative Examples 1 to 4]
The raw materials in the amounts shown in Table 1 below were mixed using a mixer at room temperature and then kneaded with rolls at 70 to 100°C. Next, the obtained kneaded material was cooled and then ground, to obtain a powdery thermosetting resin composition. Next, a tablet-shaped thermosetting resin composition was obtained by compression molding under high pressure.
(誘電率(Dk)・誘電正接(Df))
実施例1~4、比較例1~4の熱硬化性樹脂組成物をタブレット状に打錠したのち、持ち出し金型を用いたトランスファー成型を行い、φ50mmの硬化物を得た。
得られた硬化物について、JIS C2565に準じ10GHzでの誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)をQメーターで測定した。
(Permittivity (Dk)/Dielectric loss tangent (Df))
The thermosetting resin compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 were compressed into tablets, and then transfer molded using a carry-out mold to obtain cured products with a diameter of 50 mm.
Regarding the obtained cured product, the dielectric constant (Dk) and dielectric loss tangent (Df) at 10 GHz were measured using a Q meter according to JIS C2565.
(メッキ性)
各例で得られた樹脂組成物を175℃の条件で成形硬化し硬化物を得た。得られた硬化物の表面に、YAGレーザーを照射し、そのレーザー照射領域におけるメッキ付き性について、以下の判断基準で評価した。
○:めっき表面にムラなし
△:めっき表面にムラが見えるがめっき未着部分はなし
×:めっき表面にひどいムラが見えめっき未着部あり
(Plating property)
The resin compositions obtained in each example were molded and cured at 175°C to obtain cured products. The surface of the obtained cured product was irradiated with a YAG laser, and the plating properties in the laser irradiation area were evaluated using the following criteria.
○: No unevenness on the plating surface △: Unevenness is visible on the plating surface, but there are no unplated areas ×: Severe unevenness is visible on the plating surface, and there are unplated areas
表1に記載のように、本発明のLDS用熱硬化性樹脂組成物によれば、低誘電率および低誘電正接等の誘電特性に優れ、かつメッキ層の形成にも優れた硬化物を得ることができることが明らかとなった。 As shown in Table 1, according to the thermosetting resin composition for LDS of the present invention, a cured product can be obtained that has excellent dielectric properties such as low dielectric constant and low dielectric loss tangent, and is also excellent in forming a plating layer. It became clear that it could be done.
10 マイクロストリップアンテナ
12 誘電体基板
14 放射導体板
16 地導体板
22 金属基板
24 誘電体基板
24a 所定の範囲
25 貫通孔
28 金属層
10
Claims (15)
(B)硬化剤と、
(C)無機充填材と、
(D)LASER DIRECT STRUCTURING(LDS)添加剤と、
を含み、
LDS添加剤(D)はタングステン酸銅を含む、LDS用熱硬化性樹脂組成物。 (A) an epoxy resin;
(B) a curing agent;
(C) an inorganic filler;
(D) LASER DIRECT STRUCTURING (LDS) additive;
including;
LDS additive (D) is a thermosetting resin composition for LDS containing copper tungstate.
Bは、下記一般式(B)で表される構造であり、
kは、繰り返し単位の平均値であり、0.25~3.5の範囲である。) The thermosetting resin composition for LDS according to claim 2 or 3, wherein the active ester curing agent (B1) has a structure represented by the following general formula (1).
B is a structure represented by the following general formula (B),
k is the average value of repeating units and ranges from 0.25 to 3.5. )
前記誘電体基板の一方の面に設けられた放射導体板と、
前記誘電体基板の他方の面に設けられた地導体板と、
を備える、マイクロストリップアンテナ。 A dielectric substrate made of a cured product of the thermosetting resin composition for LDS according to claim 1 or 2;
a radiation conductor plate provided on one surface of the dielectric substrate;
a ground conductor plate provided on the other surface of the dielectric substrate;
Microstrip antenna.
活性エネルギー線を前記誘電体基板表面の所定の範囲に照射し、金属が堆積可能な状態に活性化させる工程と、
めっき処理を行い、活性化された前記誘電体基板の表面に金属を堆積して金属層を形成する工程と、
を含む、回路基板の製造方法。 forming a dielectric substrate made of a cured product of the thermosetting resin composition for LDS according to claim 1 or 2 on the surface of the metal substrate;
irradiating active energy rays to a predetermined range of the dielectric substrate surface to activate it to a state where metal can be deposited;
performing plating treatment and depositing metal on the activated surface of the dielectric substrate to form a metal layer;
A method of manufacturing a circuit board, including:
前記活性化工程は、前記活性エネルギー線を前記貫通孔の側面および前記誘電体基板の表面の所定の範囲に照射し、金属が堆積可能な状態に活性化させる工程であり、
前記金属層形成工程は、めっき処理を行い、活性化された前記貫通孔の前記側面および活性化された前記誘電体基板の表面に金属を堆積し金属層を形成する工程である、請求項14に記載の回路基板の製造方法。 Before the activation step, a step of forming a through hole in the dielectric substrate through which the surface of the metal substrate is exposed at the bottom,
The activation step is a step of irradiating the active energy rays to a predetermined range of the side surface of the through hole and the surface of the dielectric substrate to activate the metal to a state where metal can be deposited,
14. The metal layer forming step is a step of performing a plating process and depositing metal on the side surface of the activated through hole and the activated surface of the dielectric substrate to form a metal layer. A method for manufacturing a circuit board as described in .
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